KR20030096486A - 포토레지스트 도포장치 및 도포방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 포토레지스트 도포장치 및 방법에 관한 것으로 특히, 반도체 장치의 포토레지스트 공정에서 감광막을 형성하기 위한 감광막 도포방법에 있어서, 진공척 상에 올려진 웨이퍼를 회전하면서 멀티노즐 트랙 암을 상기 웨이퍼의 중앙부와 가장자리를 왕복시키면서 감광액을 분사하는 것을 특징으로 한다.

Description

포토레지스트 도포장치 및 도포방법{Coating apparatus and method of photoresist}

본 발명은 웨이퍼를 가공하는 반도체 제조공정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 균일한 레지스트를 도포하기 위해 상기 웨이퍼의 직경을 덮는 길이의 스캔멀티 스트림(Scan multi stream) 레지스트액 트랙 암(Track arm)을 이용하여 레지스트액을 골고루 분사하는 레지스트 도포장치 및 도포방법에 관한 것이다.

레지스트는 광학 시스템의 일부를 차지하게 때문에 정교한 두께 조절이 필요하다. 대체로 사용하는 두께는 수백에서 1000nm 정도의 두께를 사용한다. 그러기위해 코팅방법으로 대부분 스핀코팅을 사용하는데, 정지한 상태나 느린 속도로 돌아가는 웨이퍼 위에 레지스트를 부은 다음 상기 웨이퍼를 고속으로 회전시키면 레지스트의 점도에 따라 원하는 두께를 조절할 수 있다.

도 1은 종래의 포토레지스트 도포방법으로 싱글 스트림 타입(Single stream type)방식을 보이고 있다. 레지스트액(12) 도포시 트랙 암(10)이 웨이퍼(13)의 중앙에 위치한 후, 레지스트액(12)을 부으면서 웨이퍼(13)를 회전시켜 원하는 두께를 조절한다.

그러나, 상술한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 중앙에만 레지스트액을 도포하는 경우에 상기 웨이퍼가 회전하면서 레지스트액을 중앙에서 가장자리까지 퍼지게 하는 시간차가 발생하여 두께의 균일성이 떨어지는 문제점이 있었다.

또한, 반도체 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 레지스트액 건조속도가 빨라짐으로써, 레지스트액이 반도체 웨이퍼의 표면에 균일하게 퍼지기 이전에 건조되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로 그 목적은 웨이퍼에 레지스트액을 도포할 때 상기 웨이퍼의 표면에 골고루 도포되게 하기 위해 상기 웨이퍼의 직경을 덮는 길이의 멀티노즐 트랙 암을 사용하여 중앙에서 가장자리로 이동하면서 레지스트액을 분사하는 포토레지스트 도포장치 및 방법을 제공하는데 있다.

도 1a 및 1b는 종래의 포토레지스트 도포방법을 나타내는 도면이고,

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 포토레지스트 도포방법에 따라 도포하는 제조공정을 보여주는 도면이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

20 : 멀티노즐 트랙 암 22 : 레지스트액

23 : 웨이퍼 24 : 진공척

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은 반도체 장치의 포토레지스트 공정에서 감광막을 형성하기 위한 감광막 도포방법에 있어서, 진공척 상에 올려진 웨이퍼를 회전하면서 멀티노즐 트랙 암을 상기 웨이퍼의 중앙부와 가장자리를 왕복시키면서 감광액을 분사하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 멀티노즐 트랙 암은 레지스트액이 유출되는 노즐의 크기를 달리하여 분사량을 조절하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 포토레지스트 도포방법에 따라 도포하는 제조공정을 보여주는 도면이다.

도시된 바와 같이 웨이퍼(23)가 진공척(24) 안으로 들어오면 멀티노즐(20)이 상기 웨이퍼(23)의 상단에 위치한다. 상기 진공척(24) 이 상기 웨이퍼(23)를 회전하면 상기 멀티노즐(20)이 레지스트의 분사량을 달리하면서 상기 웨이퍼(23)의 중앙부에서 가장자리로 왕복이동하며 분사한다.

참고로, 상기 멀티노즐(20)의 길이는 웨이퍼(23)의 직경을 덮을 수 있는 길이며, 분사량은 중앙부는 많게 양측의 가장자리는 적은량을 분사한다.

계속해서, 상기 레지스트의 분사가 끝나면 상기 진공척은 일정한 속도로 회전하여 상기 웨이퍼의 두께를 정하고 저속에서 주변 잔여 레지스트 제거를 하는 것이다.

그리하면, 상기 레지스트액의 소모를 줄일 수 있고, 회전으로 인한 급속한건조에 중앙부에 분사된 레지스트액이 가장자리까지 도달하지 못하는 경우가 생기지 않아 균일한 레지스트막을 형성할 수 있고 코팅시간을 단축할 수 있는 것이다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 기재된 청구범위 내에 있게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 레지스트액을 웨이퍼의 중앙부에서 가장자리로 이동하면서 도포함으로 레지스트액이 가장자리에 도달하는 시간을 단축하여 상기 웨이퍼에 균일하게 막을 형성할 수 있고 감광액의 소모량을 줄여 비용을 절감하는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 반도체 장치의 포토레지스트 공정에서 감광막을 형성하기 위한 감광막 도포방법에 있어서,

   진공척(24) 상에 올려진 웨이퍼(23)를 회전하면서 멀티노즐 트랙 암(20)을 상기 웨이퍼(23)의 중앙부와 가장자리를 왕복시키면서 레지스트액(22)을 분사하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 멀티노즐 트랙 암(20)은 상기 레지스트액(22)이 유출되는 노즐의 크기를 달리하여 분사량을 조절하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포방법.