CN107107555A - 可挠性层积板以及多层电路基板 - Google Patents

可挠性层积板以及多层电路基板 Download PDF

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Abstract

一种可挠性层积板的制造方法，包括：在一对环状带(23,24)之间连续地供给由液晶聚合物构成的绝缘膜(11)和金属箔(12)的工序；在环状带(23,24)之间将绝缘膜(11)和金属箔(12)热压接合的工序。热压接合工序包括：以使可挠性层积板(10)的最高温度处于比所述液晶聚合物的熔点低45℃的温度以上且比该熔点低5℃的温度以下的范围的方式加热可挠性层积板(10)，以使从环状带(23,24)搬送出时的可挠性层积板(10)的温度、即出口温度处于比所述液晶聚合物的熔点低235℃的温度以上且比该熔点低100℃的温度以下的范围的方式缓冷所述可挠性层积板(10)。

Description

可挠性层积板以及多层电路基板
技术领域
本发明涉及可挠性层积板以及多层电路基板。
背景技术
由绝缘层和金属层接合而成的可挠性层积板例如作为用于制造可挠性印刷配线基板的材料使用。近年，由于对可挠性印刷配线基板的高频化要求，将作为低介电材料的液晶聚合物作为绝缘层使用的可挠性层积板受到关注。
例如，在专利文献1中公开了一种制造可挠性层积板的技术，使用双带压力装置，在由液晶聚合物构成的绝缘膜的两面重叠金属箔，对其进行热压成形，从而制造绝缘膜与金属膜热压接合的可挠性层积板。此外，还公开了如下内容：通过将热压成形时的加热温度设定在构成绝缘膜的液晶聚合物的熔点以上且比熔点高20度的温度以下的范围，使得所制造的可挠性层积板能够维持在绝缘层与金属箔之间的剥离强度(Peel Strength)，同时能降低尺寸变形。
另一方面，在专利文献2中，作为多层电路基板的制造方法，公开了层积多个图案膜并通过加热冲压将多个图案膜接合为一体进行多层化的方法，其中该图案膜包括由热塑性树脂构成的绝缘膜以及形成于绝缘膜表面的导体图案。在用于制造此多层电路基板的图案膜上，在由绝缘膜构成的绝缘层设有通孔，在通孔中填充有层间接合材料。然后，在多层电路基板上，透过填充于通孔内的层间接合材料，来确保层间的导通。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-221694号公报
专利文献2：日本特开2003-23250号公报
发明内容
然而，近年随着对于可挠性印刷配线基板的高密度安装技术的进步，需要尺寸变化率小的可挠性层积板。具体地说，需要导体电路形成的前后、安装各种元件用的回流焊(reflow)时的加热工序前后的尺寸变化率小的可挠性层积板。
此外，使用由各种液晶聚合物构成的绝缘膜的图案膜来制造多层电路基板，发现与使用I型液晶聚合物构成的绝缘膜的情况相比，当使用II型液晶聚合物构成的绝缘膜时，存在容易发生层间导通不良的问题。其原因被认为是，当通过加热冲压进行一体化时，软化后的液晶聚合物流入通孔中，阻碍了通过层间接合材料进行的层间导通。
本发明是鉴于上述情况而作出的，其目的在于，提供一种尺寸变化率小的可挠性层积板。此外，本发明的另一个目的是，关于使用II型液晶聚合物而成的绝缘膜的层积板，提供一种层积板的制造方法，能够抑制在形成多层电路基板时的层间导通不良的发生，并且提供一种多层电路基板，能够抑制层间的导通不良的发生。
为达上述目的的本发明的一方式，提供一种可挠性层积板，具备：由液晶聚合物构成的绝缘层；以及在所述绝缘层的单面或双面形成的金属层，其中，所述液晶聚合物为熔点超过250℃的液晶聚合物，所述可挠性层积板在日本工业标准JIS C 6471所规定的尺寸稳定性试验中，当加热温度为250℃时的尺寸变化率为±0.05％的范围内，在所述绝缘层的宽度方向上的、所述绝缘层的厚度的标准偏差为1.2μm以下。
为达到上述目的的本发明的另一方式，提供一种可挠性层积板的制造方法，包括：在一对环状带之间连续地供给由液晶聚合物构成的绝缘膜和金属箔的工序；在所述环状带之间将所述绝缘膜和所述金属箔热压接合而形成可挠性层积板的工序，其中，所述热压接合工序包括：以使所述可挠性层积板的最高温度处于比构成所述绝缘膜的所述液晶聚合物的熔点低45℃的温度以上且比该熔点低5℃的温度以下的范围的方式加热所述可挠性层积板，以使从所述环状带搬送出时的所述可挠性层积板的温度、即出口温度处于比构成所述绝缘膜的所述液晶聚合物的熔点低235℃的温度以上且比该熔点低100℃的温度以下的范围的方式缓冷所述可挠性层积板。
在所述可挠性层积板的制造方法中，较佳地为，所述绝缘膜由以6-羟基-2-萘甲酸和对羟基苯甲酸为结构单元且熔点超过250℃的液晶聚合物构成。
在所述可挠性层积板的制造方法中，较佳地为，所述金属箔是从铜箔、铝箔、不锈钢箔、由铜铝合金构成的箔中选择的至少一种。
本发明的另一种方式为，提供一种层积板的制造方法，用于多层电路基板的制造，所述层积板由绝缘膜和金属箔层积而成，所述绝缘膜由6-羟基-2-萘甲酸和4-羟基苯甲酸的聚合物构成，所述方法具有：将所述绝缘膜以120～250℃的温度加热20秒以上进行干燥的工序；将干燥后的所述绝缘膜和所述金属箔以250～330℃的温度加热的同时，以0.5～10MPa的压力加压10～600秒进行热压接合而形成层积板的工序；其中，针对从所述热压接合的工序后的所述层积板去除所述金属箔所得的所述绝缘膜，使用动态粘弹性测定装置以动态应力控制模式以及自动静负载模式对动态应力以及静负载进行控制的同时，以动负载15g、频率1Hz、升温速度5℃/分钟的条件测定到的在250～300℃的最大变形率为0.85％以下。
本发明的又一种方式，提供一种多层电路基板，其是层积多张图案膜进行多层化而成的，所述图案膜是通过对由权利要求5所述的层积板的制造方法得到的层积板进行电路加工而成，其特征在于，在各图案膜的所述绝缘膜部分，设置有填充了层间接合材料的通孔。
发明效果
根据本发明可提供尺寸变化率小的可挠性层积板。此外，可以抑制于多层电路基板中层间导通不良的发生。
附图说明
图1是示出本发明的一实施方式中的热压接合工序的概要构成的示意图。
图2是示出变形例的热压接合工序的概要构成的示意图。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下参考图1，详细说明将本发明的可挠性层积板的制造方法具体化的一实施方式。
本实施方式的可挠性层积板10的制造方法具有热压接合工序，将金属箔12连续地热压接合于绝缘膜11的两个面，通过该热压接合工序制造可挠性层积板10。
首先，叙述制造可挠性层积板10所使用的绝缘膜11以及金属膜12。
绝缘膜11构成可挠性层积板10中的绝缘层。作为绝缘膜11，使用由熔点超过250℃的液晶聚合物形成的绝缘膜11。作为这种液晶聚合物的例子可举出：以对苯二甲酸乙二醇酯(ethene terephthalate)以及对羟基苯甲酸(para hydroxy benzoic acid)为结构单元的液晶聚合物、以苯酚及邻苯二甲酸与对羟基苯甲酸为结构单元的液晶聚合物、以6-羟基-2-萘甲酸(hydroxy-6-naphthoic acid)与对羟基苯甲酸为结构单元的液晶聚合物等。
绝缘膜11的厚度并不特别限定，例如，优选为6至300微米(μm)的范围，更优选为12至150微米的范围，进一步优选为25至100微米的范围。
金属箔12构成可挠性层积板10中的金属层。作为金属箔12，能够使用例如铜箔、铝箔、不锈钢箔、以及由铜和铝的合金构成的箔等金属箔，优选使用从压延铜箔、电解铜箔以及铝箔当中所选的至少一种。
金属箔12的表面粗糙度并不特别限定。例如，在十个点平均粗糙度(Rz)当中，优选为0.5至10微米的范围，更优选为0.5至7微米的范围。此外，金属箔12的厚度并不特别限定，例如，优选为1.5至150微米的范围，更优选为2至70微米的范围，进一步优选为9至35微米的范围。
接着，叙述关于本实施方式的制造方法中的热压接合工序。
如图1所示，在如下的生产线实施热压接合工序，该生产线具备：双带压力装置20；出料部30，其将绝缘膜11以及金属箔12分别地供给至双带压力装置20；卷绕部40，其将从双带压力装置20搬送来的可挠性层积板10卷绕。
双带压力装置20具备：一对上侧鼓轮21，在搬送方向上隔开预定的间隔并列设置；一对下侧鼓轮22，在各个上侧鼓轮21的下侧，同样于搬送方向上隔开预定的间隔并列设置。环状带23铺架于一对上侧鼓轮21。环状带23构成为藉由一对上侧鼓轮21的旋转而转动。同样地，环状带24铺架于一对下侧鼓轮22。环状带24构成为藉由一对下侧鼓轮22的旋转而转动。此外，环状带23、24可由例如不锈钢、铜合金、铝合金等金属材料来形成。
各环状带23、24的内侧设置有热压装置25，该热压装置25夹着环状带23、24而位于其上下。热压装置25是对环状带23、24的位于热压装置25之间的部位施加预定的压力并加热该部位的装置。而且，热压装置25构成为能够在搬送方向上以针对每段预定范围来调整加热温度。例如，图1所示的热压装置25，能够对沿着搬送方向设置的四个部位25A至25D的每个部分单独地调整加热温度。
出料部30具备：由呈长尺状的绝缘膜11卷绕成滚轮状而成的绝缘膜滚轮31；以及由呈长尺状金属箔12卷绕成滚轮状而成的一组的金属箔滚轮32。
在热压接合工序中，首先，针对从出料部30的绝缘膜滚轮31所给出的绝缘膜11的两面，分别重叠从金属箔滚轮32所给出的金属箔12，并且连续地供给至双带压力装置20。供给至双带压力装置20的绝缘膜11以及金属箔12藉由环状带23、24的旋转而能够在被夹于环状带23、24之间的状态下被搬送至下游侧。
绝缘膜11以及金属箔12在通过环状带23、24之间时，藉由热压装置25隔着环状带23、24而被施加预定的面压。同时，藉由热压装置25隔着环状带23、24来加热绝缘膜11以及金属膜12。藉此，绝缘膜11软化，绝缘膜11与金属箔12被热压接合，形成在绝缘层的两面具有金属层的可挠性层积板10。由双带压力装置20搬送出的可挠性层积板10，于卷绕部40上卷绕成滚轮状而被回收。
此处，热压接合工序中的对绝缘膜11以及金属膜12的加热以下述方式进行。即，在环状带23、24之间的上游侧区域(加热区)中，加热绝缘膜11以及金属箔12使其达到第1温度T1。然后，在其下游侧的区域(缓冷区)中以如下方式进行加热：减弱对绝缘膜11以及金属膜12的加热，使绝缘膜11以及金属箔12缓冷，可挠性层积板10在比第一温度T1低的第二温度T2下从双带压力装置20搬送出。换句话说，进行加热使得通过环状带23、24之间时的可挠性层积板10(绝缘膜11以及金属箔12)的最高温度为第一温定T1；并且进行加热使得出口温度(即，从环状带23、24搬送出时的可挠性层积板10的温度)为第二温度(T2)。此外，在上述加热区与缓冷区的分界部分一边维持施加预定的面压于可挠性层积板10(绝缘膜11以及金属膜12)的状态一边变更加热的方式。
在形成绝缘膜11的液晶聚合物的熔点为mp时，第一温度T1为“mp-45℃≤T1≤mp-5℃”的范围。也就是说，比液晶聚合物的熔点低45℃的温度以上且比该熔点低5℃的温度以上的范围。例如，形成绝缘膜11的液晶聚合物的熔点为335℃的时候，第一温度为“290℃≤T1≤330℃”的范围。第一温度T1的下限“mp-45℃”为将绝缘膜11与金属箔12充分接合所需的最小温度。
此外，第一温度T1的上限“mp-5℃”为能够抑制形成绝缘膜11的液晶聚合物的熔融的最大温度。如果液晶聚合物一旦熔融的话，就会因液晶聚合物的的流动使得分子配向变乱，导致可挠性层积板10在残留应力状态下形成。其结果，当再次加热处理可挠性层积板时，发生大的尺寸变化。藉由将第一温度T1的上限设为“mp-5℃”，抑制液晶聚合物的熔融以及流动，使得此类问题难以发生，能够降低加热处理前后的可挠性基板10的尺寸变化率。
将形成绝缘膜11的液晶聚合物的熔点设为mp时，第二温度T2为“mp-235℃≤T2≤mp-100℃”的范围。也就是说，比液晶聚合物的熔点低235℃的温度以上且比该熔点低100℃的温度以下的范围。例如，当形成绝缘膜11的液晶聚合物的熔点为335℃时，第二温度T2为“100℃≤T2≤235℃”的范围。藉由进行缓冷使第二温度T2处于上述范围，能够将因达到第一温度T1而产生的液晶聚合物的流动而造成的配向变化的影响抑制到较小。其结果，能够使得加热处理前后的可挠性层积板10的尺寸变化率得以降低。
此外，可藉由测定通过热压装置25中的加热温度切换至低下侧的位置时的可挠性层积板10的温度来确认第一温度T1。例如，在图1所示的热压装置25中，当以部位25A至25B为加热区并以高温加热至应达的第一温度、且以部位25C至25D为缓冷区并以低温加热使温度降至应达的第二温度T2的情形下，可藉由测定通过与部位25B和部位25C的分界对应的位置时的可挠性层积板10的温度，来确认第一温度T1。此外，可藉由测定刚从环形带23、24搬送出的可挠性层积板10的温度，来确认第二温度T2。
进一步地，第一温度T1与第二温度T2之差(T1-T2)优选为55至230℃的范围。此外，第一温度T1与第二温度T2的比率(T1/T2)优选为1.2至3.3的范围。
此外，通过环状带23、24之间时，施加到绝缘膜11以及金属箔12的面压，例如，优选为0.5～6.0Mpa的范围，更优选为1.5～5.0Mpa的范围。
通过上述热压接合工序而制造的可挠性层积板10为尺寸变化率小的可挠性层积板。例如，在日本工业标准JIS C 6471-1995所规定的尺寸稳定性试验中，加热温度为250℃时的尺寸变化率为±0.05％的范围内。此外，可挠性层积板10为厚度不均度较小的可挠性层积板。例如，绝缘层的宽度方向上的绝缘层厚度的标准偏差为1.2微米以下。
以本实施方式而得到的可挠性层积板10，可用于可挠性印刷基板，亦可用于TAB(Tape Automated Bonding，胶带自动贴合方式)、COF(Chip on Film，薄膜覆晶方式)等安装方式所用的胶带。此外，装备有可挠性层积板10的制品为例如照相机、计算机、液晶显示器、打印机、移动电话等电子机器。
其次描述本实施方式的效果。
可挠性层积板的制造方法具有：在一对环状带23、24之间，连续地供给由液晶聚合物构成的绝缘膜11以及金属箔12的工序；以及在环状带23、24之间，将绝缘膜11以及金属箔12热压接合而形成可挠性层积板10的工序。
热压接合工序包含：以可挠性层积板10的最高温度(第一温度T1)为比构成绝缘膜11的液晶聚合物的熔点低45℃的温度以上且为比该熔点低5℃的温度以下的范围的方式来加热；以从环状带23、24搬送出时的可挠性层积板10的温度、即出口温度(第二温度T2)为比构成绝缘膜11的液晶聚合物的熔点低235℃的温度以上且比该熔点低100℃的温度以下的范围的方式来缓冷可挠性层积板10。
根据上述构成，能够降低可挠性层积板10的尺寸变化率，特别是能够降低以250℃的加热处理前后的尺寸变化率。当将可挠性层积板10作为可挠性印刷基板来使用的情况下，则在导体电路形成时、以及安装各种元件而进行热回焊时，可挠性层积板10暴露于约250℃左右的高温下。此时抑制可挠性层积板10的尺寸变化在高密度安装的观点上变得重要。因此，将250℃的加热处理前后时的尺寸变化率降低后的可挠性层积板10，作为高密度安装用的可挠性印刷基板的材料是有用的。
此外，上述实施方式可变更为如下并具体化。
在上述实施方式中，将金属箔12热压接合于绝缘膜11的两面，但也可仅将金属箔12热压接合于绝缘膜11的单面，形成在绝缘层的单面具有金属层的可挠性层积板10。
此情形下，例如，如图2所示，也可以在出料部30设置以呈长尺状的脱模膜13卷绕成滚轮状的脱模膜滚轮33。其次，也可以在出料部30的绝缘膜滚轮31所给出的绝缘膜11的单面，重叠由金属箔滚轮32所给出的金属箔12，并且在绝缘膜11的反面侧的单面，重叠由脱模膜33所给出的脱模膜13，并且将其连续地供给至双带压力装置20。由双带压力装置20搬送出的可挠性层积板10，以重叠有脱模膜13的状态，在卷绕部40上卷绕为滚轮状而被回收。绝缘膜11与金属箔12的热压接合时的加热条件以及加压条件，亦可与上述实施方式相同。
脱模膜13是用于为抑制热压接合时软化的绝缘膜11转印至双带压力装置20的膜。作为脱模膜13，能够使用用于可挠性层积板制造的公知的脱模膜。特别是，使用耐热性高且脱模性佳的柔软材料，优选为由例如从非热压接合性的耐热性芳香族聚酰亚胺、氟树脂以及硅酮树脂所选出的至少一种而成的脱模膜。
此外，脱模膜13在使用可挠性层积板10时会适当地剥离。此外，也可以另行于卷绕部40设置回收脱模膜13的回收滚轮，在由双带压力装置20搬送出的时间点，一边使脱模膜13由可挠性层积板10剥离，一边分别地回收可挠性层积板10以及脱模膜13。
其次举出实施例以及比较例，更具体地说明上述实施方式。
实施例101-113以及比较例101-112
使用双带压力装置，制造在绝缘层的两面或单面上具有金属层的可挠性层积板，并评价所得到的可挠性层积板的质量。实施例101-113以及比较例101-112的热压接合工序的加热条件如表1及表2所示。也就是说，于实施例101-113中，第一温度T1为“mp-45℃＜T1＜mp-5℃”(290℃＜T1＜330℃)的范围，且第二温度T2为“mp-235℃＜T2＜mp-100℃”(100℃＜T2＜235℃)的范围。于比较例101-112中，第一温度T1以及第二温度T2的其中一方处于上述范围之外。
此外，加热条件之外的制造时的条件如下列所示。
金属箔：压延铜箔(JX日矿日石公司制BHYX-92-HA)
绝缘膜；LCP膜(库拉雷公司制Vecstar CTZ，熔点335℃)
脱模膜：聚酰亚胺膜(宇部兴产公司制UPILEX S，厚度2.5微米)。此外，脱模膜于热压接合工序后由可挠性层积板上剥离。
压力：4.0MPa
此外，使用的金属箔以及绝缘膜的厚度如表1及表2所示。
评价尺寸变化率
以日本工业标准JIS C 6471所规定的尺寸稳定性试验为基准，测量以150℃以及250℃的温度加热时的可挠性层积板的尺寸变化率。其结果如表1及表2所示。此外，表1及表2中，MD为机器方向(machine direction)的略称，也就是表示可挠性层积板的连续制造时的长度方向，TD为横向方向(transverse direction)的略称，也就是表示与可挠性层积板的连续制造时的长度方向垂直的方向。
评价厚度不均度
由实施例101-113以及比较例101-112的各可挠性层积板取下50mm×520mm尺寸的样本，对此样本以蚀刻处理来将其金属层除去。然后，对残留的绝缘层，使用打点式厚度计，以宽度方向间隔10mm于52个点测量厚度，算出其标准偏差。其结果示于表1以及表2。
剥离强度的评价
以日本工业标准JIS C 6471所规定的铜箔剥离强度试验为基准，测定实施例101-113以及比较例101-112的可挠性层积板的金属层的剥离强度。其结果示于表1以及表2。
[表1]
[表2]
首先，如表2中可否连续运转栏所示，将第二温度T2设为比“mp-235℃”(100℃)低的温度的比较例101、103、105、107、109中，在制造好预定长度的可挠性层积板的阶段，双带压力装置的带子发生旋转失误，无法连续地使双带压力运转。因此，有关这些可挠性层积板，判断为量产性明显地低，而并未进行尺寸变化率的评价、厚度不均度的评价、以及剥离强度的评价。另一方面，将第2温度T2设定为“mp-235℃”(100℃)以上的温度的其他实施例以及比较例则并未发生此问题。
由实施例102、104、106、108、110以及比较例102、104、106、108、110之比较，可得到将第二温度T2设为比“mp-100℃”(235℃)高的温度的情况下，于150℃以及250℃的试验中的尺寸变化率增加了一倍以上。
由实施例101与比较例111、112相比较，将第一温度T1设为比“mp-5℃”(330℃)高的温度的情况下，于150℃以及250℃的试验结果为尺寸变化率都增加了一倍以上。
此外，如果1所示，关于实施例101至113，厚度不均度呈现为1.2微米以下的微小数值，且剥离强度呈现0.6N/m以上的高数值。
由此结果来看，确认到当第一温度T1以及第二温度T2设在上述范围内时，不但可确保厚度不均度、剥离强度等质量，还能降低250℃的加热前后的尺寸变化率。此外，可确认到在可挠性层积板的量产性的观点亦无问题。此效果于变更绝缘膜厚度的情形(实施例111、112)，以及仅于单面具有金属层的可挠性层积板的情形(实施例113)时亦同。此外，虽省略详细数据，当使用厚度12微米的电解铜箔(三井金属矿业公司制3EC-VLP)作为金属箔时、使用其他LCP膜(Primatec公司制BIAC-BC，熔点315℃，厚度50微米)作为绝缘膜时，也得到同样的结果。
[第二实施方式]
以下说明关于将本发明层积板的制造方法具体化的一实施方式。
本实施方式的层积板的制造方法具有：使绝缘膜干燥的干燥工序；以及将金属箔热压接合于干燥工序后的绝缘膜的热压接合工序。经过干燥工序以及热压接合工序而制造层积板。
首先，记载关于制造层积板所用的绝缘膜以及金属箔。
绝缘膜构成层积板的绝缘层。使用6-羟基-2-萘甲酸与4-羟基苯甲酸的聚合物(以下称为II型液晶聚合物)所构成的绝缘膜作为绝缘膜。II型液晶聚合物的熔点优选为280至360℃的范围，更优选为300至345℃的范围。
绝缘膜的厚度并不特别限制，例如优选为5至200微米的范围，更优选为12至150微米的范围，进一步优选为25至100微米的范围。
金属箔构成层积板的金属层。作为金属箔，能够使用例如铜箔、铝箔、不锈钢箔、以及由铜及铝的合金所构成的箔等金属箔，特别优选从压延铜箔、电解铜箔以及铝箔当中所选的至少一种。金属薄的厚度并不特别限制，例如，优选为3至40微米的范围，更优选为3至35微米的范围，进一步优选为8至35微米的范。
其次记载关于本实施方式的制造方法中的干燥工序。
干燥工序为使绝缘膜干燥，除去绝缘膜中含有的水分的工序。在干燥工序中，使用干燥装置，于特定的温度环境下以特定的时间曝晒绝缘膜，从而加热绝缘膜。
干燥工序中的温度(干燥温度)为120至250℃范围，优选为150至220℃的范围。若此干燥温度小于120℃，则可能无法充分地除去包含在绝缘膜中的水分。此外，若干燥温度超过250℃，则构成绝缘膜的液晶聚合物可能软化。
干燥工序的时间(干燥时间)为20秒以上。若此干燥时间少于20秒，则可能包含在绝缘膜中的水分无法充分地除去。此外，虽然不特别地限定干燥时间的上限，若考虑生产效率则以600秒以下为佳。
此外，用于干燥工序的干燥装置，若为可满足上述条件者，则不特别限定。干燥装置举例可为红外线加热器、热风炉、电热炉、介电加热辊等。
此外，可用连续供给的连续式，也可以用每隔一定单位的批次式，来对由供膜滚轮(film roller)等连续供给的绝缘膜执行干燥工序。
接着，记载关于本实施方式的制造方法中的热压接合工序。
热压接合工序为将金属箔热压接合于干燥工序后的干燥后绝缘膜，形成层积板的工序。在热压接合工序中，在将金属箔重叠于绝缘膜的单面或是两面上的状态下，使用加热加压装置加热绝缘膜以及金属箔，并且以预定的压力加压。
供给于热压接合工序的绝缘膜可为干燥工序刚结束的高温状态的绝缘膜，亦可为干燥工序后降温至预定温度(例如室温)的绝缘膜。然而，当使用已降温的绝缘膜时，为了不使其吸收水分，优选在除湿环境下进行干燥工序后的绝缘膜的冷却以及保管。
在热压接合工序中，绝缘膜以及金属箔被加热至250至330℃；优选为加热至300至320度。当此加热温度小于250℃时，绝缘膜与金属箔可能无法充分地接合。此外，当加热温度超过330℃时，构成绝缘膜的液晶聚合物的结晶构造可能发生崩坏，而导致绝缘膜的粘着性降低。
在热压接合工序中，施加于绝缘膜以及金属膜的压力为0.5至10MPa范围，优选为2至6MPa范围。该压力小于0.5MPa的话，绝缘膜与金属箔可能无法充分地接合。另外，超过10MPa的压力对于绝缘膜与金属箔的接合来说为过剩，导致生产性降低。
热压接合工序中的加热加压时间为10至600秒的范围，优选为30至500秒的范围。当该加热加压时间小于10秒时，则绝缘膜与金属箔可能无法充分地接合。此外，超过600秒的加热加压时间，对绝缘膜与金属膜的接合来说为过剩，导致生产性的降低。
此外，用于热压接合工序的加热加压装置，若为满足上述条件者，则可不特别限定。作为加热加压装置，可以举出例如：具有平坦面状的加热加压部的热压机、真空批次压力机、多段压力机、加热辊压机以及于带子间加热并加压的双带压力装置等。
此外，热压接合工序可针对由膜滚轮连续供给的绝缘膜以及金属箔以连续式进行，亦可每隔预定单位以批次式进行。
依本实施方式的制造方法而制造的层积板，可用作多层电路基板的制造用的材料。也就是说，通过在层积板的金属层部分形成电路，而用作图案膜。在该图案膜的绝缘层部分，设置填充有层间接合材料的通孔。然后，层积多个由层积板形成的图案膜，通过加热冲压将多个图案膜接合为一体而多层化，由此制造多层电路基板。
作为多层电路的制造方法，可使用公知的制造方法(例如专利文献2公开的制造方法)。然而，加热冲压中的加热温度，优选为250至330度的范围。此外，加热冲压中的压力优选为1至10MPa的范围。
依本实施方式的制造方法而制造的层积板，为绝缘膜所构成的绝缘层部分的动态热变形量较小的层积板。例如，使用动态粘度弹性检测装置，以动态应力控制模式以及自动静负载模式来控制动态应力以及静负载，以动负载15g、频率1Hz、升温速度5℃/分钟的条件测定出的250至300℃时的最大变形率为0.85％以下。
本实施方式的制造方法，使用干燥工程后的干燥后绝缘膜而进行热压接合，使得所制造层积板的构成绝缘层的II型液晶聚合物中所含有的水分量减少。其结果可得到动态热变形较小的层积板。
也就是说，由于II型液晶聚合物在分子构造中具有酯键，所以在水的存在下加热时会引起加水分解。然后，因加水分解而产生的低分子量II型液晶聚合物具有容易流动的性质，使得低分子量II型液晶聚合物的生成会导致绝缘层部分的动态热变形量的增加。于此，依本实施方式的制造方法而制造出的层积板，由于构成绝缘层的II型液晶聚合物所含水分量较少，因此得以抑制加热时的II型液晶聚合物的加水分解、以及伴随加水分解的低分子量化。其结果为可得到绝缘层部分的动态热变形量较小的层积板。
此外，以本实施方式的制造方法所制作的层积板，由于绝缘层部分的动态热变形量较小，因此于制造多层电路基板时的加热冲压时，难以发生因构成绝缘层的II型液晶聚合物的软化而伴随来的较大流动。藉此能够抑制II型液晶聚合物流入通孔。其结果为于多层电路基板的层间导通不良的发生可得以抑制。
接着，说明本实施方式的效果。
将由II型液晶聚合物构成的绝缘膜与金属箔进行层积，多层电路基板的制造所使用的层积板经由以下工序制造：干燥工序，以120℃至250℃温度、20秒以上将绝缘膜加热使其干燥；热压接合工序，以250至330℃温度一边加热干燥后绝缘膜以及金属箔，一边以0.5至10MPa压力、10至600秒来加压进行热压接合。
根据上述结构，能够制造出如下的层积板：使用动态粘弹性测定装置，以动态应力控制模式以及自动静负载模式来控制动态应力以及静负载的同时，以动负载15g、频率15Hz、升温速度5℃/分钟的条件来测定于250至300℃的最大变形率为0.85％以下、即动态热变形量较小的层积板。
接着举出实施例以及比较例，以具体地说明上述实施方式。
实施例201-205以及比较例201-206
将干燥工序的条件以及热压接合工序的条件进行各种差异化制造层积板。即，于制造各层积板时，首先，将由膜滚轮给出的绝缘膜连续地供给至干燥装置，以预定时间使其通过已加热到预定温度的干燥装置内，以使绝缘膜干燥(干燥工序)。然后，于通过干燥装置成为干燥状态的绝缘膜的两面上，重叠由一对金属箔滚轮所给出的金属箔，再将其连续地供给至双带压力装置，藉由双带压力装置进行热压接合，得到层积板(热压接合工序)。
实施例201-205以及比较例201-206的干燥工序的条件(干燥温度以及干燥时间)以及热压接合工序的条件(加热温度、压力，以及加热加压时间)如表3以及表4所示。此外，其他的制造条件如下所示。
绝缘膜：II型液晶聚合物膜(库拉雷公司制Vecstar CTZ，熔点335℃)
金属箔：铜箔(古河电气工业公司制F2-WS)或是不锈钢箔(东洋精箔公司制SUS304H-TA)
实施例206
将切裁成预定大小的绝缘膜放入干燥装置内，以预定时间接触预定温度的热风而使绝缘膜干燥(干燥工序)。其后，以将金属箔重叠于干燥状态的绝缘膜的两面上的状态，以热压机来进行热压接合，得到层积板(热压接合工序)。
动态热变形量的评价
将在实施例201至206以及比较例201至206中得到的层积板的两面的金属层，通过使用了三氯化铁溶液的蚀刻处理来除去。将剩下的绝缘膜(绝缘层)切裁出长10mm×宽5mm的样本，安置到动态粘弹性测定装置(UBM公司制Rheogel-E4000)。动态粘弹性测定装置设定如下：动态应力控制方法为动态应力控制模式；静负载控制方法为自动静负载模式；动负载15g、频率1Hz。然后，以5℃/分钟的速度一边进行升温一边计测各样本的动态变形量。将250至300℃中各样本的长度方向的动态变形量的最大值表示于表3以及表4的“动态变形量”栏，以同一个样本的原来长度(10mm)除以此动态变形量的最大值所得到的值以百分比示于表3以及表4的“最大变形率”栏。
接合性的评价
以日本工业标准JIS C 6471所规定的铜箔剥离强度试验为基准，评价实施例201-206以及比较例201-206所得到的层积板的金属层的剥离强度，根据该测定值评价层积板的接合性。其结果示于表3及表4。接合性的评价按照如下基准来实施：剥离强度0.3N/m以上为“良”；剥离强度小于0.3N/m为“不良”。
多层电路基板的制造
分别准备多份与如上所述的实施例201-206以及比较例201-203的层积板相同的层积板，在各层积板的两个金属层当中的其中一方上形成电路的同时，通过蚀刻处理除去另一方的金属层，以制作图案膜。然后，于该层积板制成的多个图案膜中的一部分上形成通孔，填充层间接合材料于该通孔内。将由相同的层积板所制成的多个图案膜当中形成有贯孔的图案膜8片以及未形成有贯孔的图案膜1片层积，并且一边使用真空热压机以280℃加热一边以4MPa来加压而得到多层电路基板。
导通性的评价
对所得到的多层电路基板进行液态热冲击试验(-40℃至125℃，300周期)，分别采用电阻测定器来测定该试验前后的多层电路基板的电路电阻值。然后，计算出液态热冲击后的电路电阻值相对于液态热冲击试验前的电路电阻值的变化率，然后根据该变化率，评价多层电路基板的导通性。导通性的评价以如下基准来实施：电阻值变化率小于20％为“良”；20％以上为“不良”。此外，上述接合性的评价为不良的比较例204至206在此省略导通性评价。
[表3]
[表4]
如图3及图4所示，动态热变形量为85微米以下(最大变形率为0.85％以下)的实施例201-206，导通性的评价性为“良”，相对地，动态热变形量超过85微米(最大变形率超过0.85％)的比较例201至203，导通性为“不良”。而其结果为：可确认到通过将动态热变形量(最大变形率)缩小，从而使得多层电路基板的导通不良得以抑制。
由比较例201的结果可确认到：当干燥工序中的干燥温度比120-250℃范围低时，动态热变形量以及最大变形率会变大。由比较例202的结果来看，可确认到当干燥工序中的干燥时间少于20秒时，动态热变形量以及最大变形率变大。由比较例3的结果来看，可确认到热压接合工序中的加热温度比250至330℃的范围高的情形下，动态变形量以及最大变形量会变大。由此些结果可得知，在调整动态热变形量以及最大变形率上，干燥工序中的干燥时间和干燥温度、热压接合工序中的加热温度重要。
此外，由比较例204-206的结果，可确认得知热压接合工序中的加热温度比250至330℃范围低的时候、热压接合工序的压力比0.5至10MPa的范围小的时候、热压接合工序中的加热加压时间比10-600秒范围短的时候，均无法得到充分的接合性。由此些结果，可得知为了要达到确保充分接合性的层积板，热压接合工序中的加热温度、热压接合工序中的压力以及加热加压时间是重要的。
实施方式以及变形例可适当地组合或是替换。此外，亦可将举例的特征适当地组合。
本发明并不限定于举例所示的特征。例如，所公开的特定实施方式的所有的特征，不应解释为本发明所必须。本发明的主题存在于比所公开的特定实施方式的所有特征还要少的特征。
附图标记说明
10可挠性层积板；11绝缘膜；12金属箔；13脱模膜；20双带压力装置；21上侧鼓轮；22下侧鼓轮；23,24环状带；25热压装置；30出料部；31绝缘膜滚轮；32金属箔滚轮；33脱模膜滚轮；40卷绕部。

Claims (6)

1.一种可挠性层积板，具备：由液晶聚合物构成的绝缘层；以及在所述绝缘层的单面或双面形成的金属层，所述可挠性层积板的特征在于，
所述液晶聚合物为熔点超过250℃的液晶聚合物，
所述可挠性层积板在日本工业标准JIS C 6471所规定的尺寸稳定性试验中，当加热温度为250℃时的尺寸变化率为±0.05％的范围内，
在所述绝缘层的宽度方向上的、所述绝缘层的厚度的标准偏差为1.2μm以下。
2.一种可挠性层积板的制造方法，其特征在于，包括：
在一对环状带之间连续地供给由液晶聚合物构成的绝缘膜和金属箔的工序；
在所述环状带之间将所述绝缘膜和所述金属箔热压接合而形成可挠性层积板的工序，
其中，所述热压接合工序包括：
以使所述可挠性层积板的最高温度处于比构成所述绝缘膜的所述液晶聚合物的熔点低45℃的温度以上且比该熔点低5℃的温度以下的范围的方式加热所述可挠性层积板，
以使从所述环状带搬送出时的所述可挠性层积板的温度、即出口温度处于比构成所述绝缘膜的所述液晶聚合物的熔点低235℃的温度以上且比该熔点低100℃的温度以下的范围的方式缓冷所述可挠性层积板。
3.根据权利要求2所述的可挠性层积板的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜由以6-羟基-2-萘甲酸和对羟基苯甲酸为结构单元且熔点超过250℃的液晶聚合物构成。
4.根据权利要求2或3所述的可挠性层积板的制造方法，其特征在于，所述金属箔是从铜箔、铝箔、不锈钢箔、由铜铝合金构成的箔中选择的至少一种。
5.一种层积板的制造方法，用于多层电路基板的制造，所述层积板由绝缘膜和金属箔层积而成，所述绝缘膜由6-羟基-2-萘甲酸和4-羟基苯甲酸的聚合物构成，所述制造方法的特征在于，具有：
将所述绝缘膜以120～250℃的温度加热20秒以上进行干燥的工序；
将干燥后的所述绝缘膜和所述金属箔以250～330℃的温度加热的同时，以0.5～10MPa的压力加压10～600秒进行热压接合而形成层积板的工序；
其中，针对从所述热压接合的工序后的所述层积板去除所述金属箔所得的所述绝缘膜，使用动态粘弹性测定装置以动态应力控制模式以及自动静负载模式对动态应力以及静负载进行控制的同时，以动负载15g、频率1Hz、升温速度5℃/分钟的条件测定到的在250～300℃的最大变形率为0.85％以下。
6.一种多层电路基板，其是层积多张图案膜进行多层化而成的，所述图案膜是通过对由权利要求5所述的层积板的制造方法得到的层积板进行电路加工而成，其特征在于，在各图案膜的所述绝缘膜部分，设置有填充了层间接合材料的通孔。
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