CN107074857A - 用于制备结晶有机半导体材料的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于制备结晶有机半导体材料的新颖方法，其中结晶的条件导致在气液界面形成具有有利半导体性质的结晶，该获得的结晶有机半导体材料及其于制造有机半导体装置，特别地是有机场效晶体管及有机太阳能电池的用途。

Description

用于制备结晶有机半导体材料的方法
技术领域
本发明涉及一种用于制备结晶有机半导体材料的新颖方法，其中结晶的条件导致在气液界面形成具有有利半导体性质的结晶。本发明也涉及该获得的结晶有机半导体材料及其于制造有机半导体装置，特别地是有机场效晶体管及有机太阳能电池的用途。
基于低分子量分子或聚合材料的有机半导体已用于电子工业的许多产业中。在许多情况下，这些有机半导体较经典有机半导体具有优势，例如，基于它们的半导体构件的更好的基板兼容性及更好的可加工性。它们允许于挠性基板上加工并能够借助分子建模的方法将其轨道能量精确调整至特定适用范围。此类构件的显著减少成本已提升有机电子装置的研究领域。
有机电子装置主要与用于制造基于有机半导体层的电子构件的新颖材料及制造方法的发展相关。这些包含(特别地)有机场效晶体管(OFET)及有机电致发光装置(下文中简称为“EL”装置)。发展的巨大潜力归因于有机场效晶体管，例如在储存组件、底板及集成光电子装置中。有机电致发光装置是利用当施加电场时，荧光材料借助注射自阳极的空穴及注射自阴极的电子的复合能量发光的原理的自发光装置。呈有机发光二极管(OLED)形式的EL装置作为用于制造平面视觉显示器单元的阴极射线管及液晶显示器的替代物而特别受关注。由于极为紧凑的设计及固有低功率消耗，含有OLED的装置特别适用于移动应用，例如针对手机、膝上型计算机等中的应用。
有机光伏装置主要与用于有机太阳能电池的新颖材料的发展相关。发展的巨大潜力归因于具有最大传输宽度及光致激发态的高迁移率(高激子扩散长度)及因此有利地适合用作所谓的激子太阳能电池中的活性材料的材料。使用基于此类材料的太阳能电池通常可能达成极佳的量子产率。
已知不同类型的化学传感器，特别地是电子传导性传感器、利用石英结晶微天平的质量敏感传感器、表面声波传感器及光学传感器。具有足够结晶大小的有机半导体是用于气体传感器的有前景的候选者。它们(例如)对反应性气体化学敏感及可经氧化或还原。气体传感器已广泛应用于各种技术领域中，例如，在作业安全及用于检测诸如CO及NO2的毒性或刺激性气体或蒸气的环境保护及在汽车、飞机、房屋等中的空气调节至用于呼吸分析仪的乙醇传感器的领域中。
提供具有良好性能性质及可借助大规模标准制造方法制造的有机电子装置、有机太阳能电池及光电子装置(诸如有机薄膜晶体管(OTFT)、OLED、可印刷电路、电容器、传感器等)仍具挑战。特别地，仍需允许制造含有应用性质良好(例如，高电荷体迁移率)并在环境条件下稳定的有机半导体的有效构件的成本有效的湿加工技术。
用于制造基于经溶液加工的半导体薄膜的装置的已知方法具有数个缺点。因此，在许多情况下仍需改良所获得的应用性质(诸如电荷体迁移率)。此外，此类方法中使用的溶剂仅与有机半导体具有的有限兼容性或是环境有害的。
US 2014042369 A1描述一种于液体介质中含有有机半导体的有机半导体配制物，其中该液体介质含有第一液体及视需要含有第二液体，该第一液体是具有与有机半导体化合物的电子结构互补的电子性质的芳族化合物，及该第二液体是溶剂或溶剂混合物，其中该有机半导体具有至少约0.1mg/mL的溶解度。尽管此文献列举大量不同的半导体及溶剂，但用于工作实施例中的半导体仅是N,N'-双(2-乙基己基)-(1,7及1,6)-二氰基苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)。经测试的溶剂是N,N-二甲基苯胺、硝基苯、2-甲基苯甲醚、二甲苯、二氯苯及苄腈。
Valery A.Postnikov等人于Cryst.Growth Des.2014,14,1726-1737中描述在气液界面生长的噻吩-亚苯基共低聚物(TPCO)的分子平滑单晶薄膜的形成。适用于单晶在气液界面生长的技术是溶剂-抗溶剂(antisolvent)结晶(SAC)、等温缓慢溶剂蒸发(ISSE)及等容冷却(IC)。就SAC而言，甲苯用作溶剂及乙醇、异丙醇或其混合物用作抗溶剂。就ISSE及IC而言，使用甲苯、已烷及氯苯。此文献中的最佳方法是SAC。因此，在第1735页右列显著提及该方法，该SAC相较于针对相同TPCO使用的其他溶液晶体生长方法导致更高的横向生长速率。可借助因使用抗溶剂而于气液界面处增大的结晶驱动力阐述在SAC中相较于在ISSE中的更高横向生长速率。首先，因抗溶剂缩合而促进SAC中的近表面层中的饱和。其次，由于抗溶剂表面能低于溶剂的表面能。因此，本领域技术人员将不考虑利用非SAC的其他气液界面结晶技术。
H.Minemawari等人于Nature，第475卷，2011年7月21日，364-367中描述一种组合抗溶剂结晶与喷墨印刷的技术以制造具有高结晶性的有机半导体薄膜的方法。具体而言，其显示在无定形基板上的局限区域内混合抗溶剂的细小液滴与活性半导电组分的溶液可触发于液气界面生长的均匀单晶或多晶薄膜的可控形成。在所有实例中，1,2-二氯苯用作溶剂及N,N-二甲基甲酰胺用作抗溶剂。
基于结晶有机半导体材料借助已知结晶方法获得的半导体装置的应用性质仍需改良。在许多情况下，所获晶体的性质仍不足以作为仅良好的晶体以导致良好的半导体性质。当不可能获得足够大至用于预期用途的单晶时，必须使用具有尽可能少缺陷的多晶材料。良好的晶体的特征通常在于相较于晶体的横向大小而相对薄的晶体层。一种用于提供结晶材料的良好方法的特征也在于形成更大的晶体而不增加晶体缺陷数量。
因此，需要一种用于提供能够借助大规模标准方法制造具有良好应用性质的半导体装置的结晶有机半导体材料的改良方法。
现已出人意料地发现可借助自有机溶剂或含有具有在1013.25毫巴下至少140℃的沸点，在23℃下至少1.2mPas的粘度及在20℃下至少31.5mN/m的表面张力的有机溶剂的溶剂混合物的结晶有利地实现大量不同有机半导体的结晶。相应的有机溶剂显示与大量不同有机半导体的良好兼容性及所得的液体有机半导体配制物适用于制造各种具有良好应用性质的结晶有机半导体材料。溶剂或溶剂混合物的使用允许在各种场效装置中显示极佳应用性质的结晶薄膜的形成。本发明的方法特别适用于在环境条件下借助湿加工技术形成有机薄膜晶体管(OTFT)。获得自本发明的液体组合物的半导体层的特征在于良好固态性质(例如，良好结晶性)。因此，以半导体组合物制造的场效装置(诸如薄膜晶体管)通常在环境条件下具有高性能，(例如)它们特征在于下列性质中的一者或多者：大电荷迁移率、低临界电压及高电流开关比率。
发明内容
本发明的第一目的涉及一种用于制备结晶有机半导体材料的方法，其包括：
(a)提供至少一种有机半导体A)于溶剂(L1)中或于含有至少一种溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液，其中该溶剂(L1)具有
-在1013.25毫巴下至少140℃的沸点，
-在23℃下至少1.2mPas的粘度，及
-在20℃下至少31.5mN/m的表面张力，
(b)将步骤(a)中所提供的溶液施于基板表面以允许该溶剂或溶剂混合物的蒸发及该有机半导体A)的结晶。
本发明方法的一特殊特征是自气液界面进行该有机半导体A)的结晶。
本发明的另一目的是借助上文及下文中定义的方法所获得的结晶有机半导体材料。
本发明的另一目的是借助上文及下文中定义的方法所获得的有机半导体结晶在制造半导体材料，优选有机电子装置或有机光伏装置中的半导体材料中的用途。
本发明的另一目的是一种用于制造电子装置、光学装置或光电子装置的方法，其包括：
(a)提供一种至少一种有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液，其中该溶剂(L1)具有
-在1013.25毫巴下至少140℃的沸点，
-在23℃下至少1.2mPas的粘度，及
-在20℃下至少31.5mN/m的表面张力，
(b)将步骤(a)中所提供的溶液施于基板表面以允许该溶剂或溶剂混合物的蒸发及该有机半导体A)的结晶，
其中步骤b)中所提供的基板是电子装置、光学装置或光电子装置的基板或其中将步骤b)中所形成的结晶转移至电子装置、光学装置或光电子装置。
实施方式
自坏溶剂中辨别好溶剂的方法经由所获晶体大小。本发明意义的好晶体的特征在于相较于晶体的横向大小而相对较薄晶体层。因此，所获结晶有机半导体材料应具有大于10x10μm2的面积，其中平均厚度最多0.1μm。好溶剂的特征也在于形成较大晶体而不增加晶体缺陷数量。
不希望受任何特定理论的束缚，据信含有制造自本发明组合物的有机半导体构件的装置可显示改良的性质，因为液体组分B)有利于形成结晶有机半导体A)及其于基板上的沉积。组分B)特别显示在相对于半导体A)的足够的溶解度与足够低的挥发性间的理想平衡。总而言之，组分B)允许形成具有极佳性质的结晶半导体层。这导致有利的固态性质，诸如较大结晶的形成及减少数量的晶粒间界。可借助光学显微术检测沉积自本发明组合物的半导体层的晶粒大小及晶畴的增加(参见(例如)图4a及4b)。较大的晶粒可(至少部分)有助于改良的电荷传输，很可能是因为充当电荷捕获点的晶粒间界的数量减少。
针对上述情况，本文提供一种提供结晶有机半导体的方法，该方法显示诸如与给定有机半导体的特定兼容性、良好的结晶材料的制造、低温可加工性及大加工变通性的性质。因此，获得结晶有机半导体，其导致诸如在环境条件下具有高性能(例如，显示大电荷迁移率、低临界电压及高电流开关比率中的一者或多者)的薄膜晶体管的场效装置。
特别地，本发明的方法具有下列优点中的至少一者：
-使用特殊溶剂的本发明的方法允许诱导发生于气液界面(也即，主要在溶液液滴的顶部)处的结晶生长。
-由于结晶未渗透自接触线至基板的液滴及有机半导体未主要结晶于该基板上，因此该基板的性质对所获结晶的形态无影响。该基板的性质当然会影响晶体于该基板表面上的沉积(如上所述)及电子装置的电性质。
-在本发明的方法中，将该溶液施覆(例如，借助该溶液的浇铸或印刷)于基板后更易形成成核点；自该核的晶体生长发生于液体空气界面处。
-该方法允许大面积薄结晶材料(也即，半导体材料的结晶膜)的溶液生长。
-出人意料地，就溶剂(L1)而言，溶液的干燥时间似乎对晶癖无影响。如果使用溶剂(L1)，则获得具有大面积低厚度的良好晶体。另一方面，如果使用其他溶剂，则即使更长干燥时间也不导致具有那些获得自溶剂(L1)的的高质量的晶体。
-有利地，粘度改性添加剂(例如，介电质或半导电聚合物)的使用对所获结晶半导体材料的质量无消极影响。此外，已出乎意料地发现，如果粘度改性添加剂与非本发明意义的溶剂(L1)的溶剂或与不含有溶剂(L1)的溶剂混合物组合使用，则所获结晶半导体材料未改良。
-本发明的方法允许借助溶液加工(包含旋涂及各种印刷技术)自半导体A)制造各种制品、结构或装置。
-制造自本发明的半导体组合物的OFET(特别地，OTFT)的特征在于下列性质中的至少一者：高电荷传输迁移率、高开关比率、低临界电压及空气稳定性。
-该所获有机半导体具有有利的固态性质，诸如较大微晶的形成、减少的晶粒间界数量及因此导致改良的电荷传输。
-制造自借助本发明的方法获得的半导体的OFET(特别地，OTFT)的特征在于获得的薄膜于有机电子装置的通道区域内的较大连续性。
在本发明中，溶剂(L1)或(L2)或溶剂混合物的沸点、粘度及表面张力指单一纯溶剂或纯溶剂的混合物。通常就本发明意义而言的纯溶剂具有≥95％的纯度，在许多情况下具有≥98％的纯度。
借助本发明的方法获得的结晶有机半导体材料可含有以下或由以下组成：单晶、多晶、液晶或其组合。
在单晶或单晶材料中，整个半导体材料的晶格是连续的及对样品边缘未破损，无晶粒间界。多晶材料包括无规取向的结晶区域，所谓的晶粒。本发明的多晶材料的特征在于具有极少的晶体缺陷。在液晶中，该物质处于具有在常规液体的性质与固体结晶的性质间的性质的状态。特别地，本发明的方法导致于液气界面处生长的均匀单晶或多晶薄膜的可控形成。在一特殊实施方案中，至少一部分结晶有机半导体材料由大连续结晶区域组成。
在本发明的方法中，晶体生长自气液界面进行。有利地，所获结晶有机半导体材料的显著量由气液界面处的结晶引起。
已发现至少一种有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有至少一种溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液的使用促进生长于气液界面处的结晶半导体材料的形成。出乎意料地，可在不使用抗溶剂的情况下获得具有大面积小厚度的结晶半导体材料。
特别地，提供有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液后，不向该溶液添加额外组分以实现该有机半导体A)的结晶。
特别地，提供有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液后，不向该溶液添加溶剂，其中该有机半导体A)具有在20℃下小于0.01mg/ml的溶解度。
可使用扫描探针显微术(SPM)检查结晶半导体材料的表面。特别地，高分辨率原子力显微术(AFM)或扫描力显微术(SFM)允许半导体材料的某些区域相对于其厚度的分析。因此可能识别借助气液界面处的结晶获得的结晶区域。可借助已知软件(例如，Gwyddion)实现SPM数据分析。
优选地，所获的结晶有机半导体材料具有大于10x10μm2的面积，其中平均厚度是最多0.1μm，更优选最多0.05μm，特别地是最多0.01μm。在许多情况下，本发明的方法允许形成具有大于100x100μm2的面积的结晶有机半导体材料，其中平均厚度是最多0.1μm，优选最多0.05μm。
最纯溶剂的溶剂参数可取自科学参考著作，诸如Knovel Critical Tables(2008年第2版),电子ISBN:978-1-59124-550-6或Handbook of Chemistry and Physics CRCPress,Inc.,Boca Raton,Florida,USA。溶剂在某一温度及压力下的沸点、粘度或表面张力的测定对本领域技术人员而言是标准操作。
可使用常见粘度计，例如，Brookfield DV-II+Pro粘度计在23℃温度下于93s-1的剪切率下在100rpm的旋转速度下使用13R杯及21轴测量溶剂(L1)及(L2)及含有粘度改性剂(例如，稠化聚合物)的溶剂的粘度。
可使用常见张力计，例如，来自Krüss的Tensiometer K100使用Wilhelmy板方法测量表面张力。
优选地，步骤a)中使用的溶剂(L1)或含有溶剂(L1)的溶剂混合物具有在1013.25毫巴下至少150℃的沸点。
优选地，溶剂(L1)具有在20℃下的1.3至1000mPas的范围内的粘度。
优选地，溶剂(L1)具有在20℃下的32至65mN/m的范围内，优选在32至44mN/m的范围内的表面张力。
优选地，有机半导体A)具有在20℃下在步骤a)中使用的溶剂(L1)或含有溶剂(L1)的溶剂混合物中的至少0.01mg/ml，优选至少0.05mg/ml的溶解度。
在一个优选实施方案中，用以提供有机半导体A)的溶液的溶剂仅由溶剂(L1)组成。
在另一优选实施方案中，用以提供有机半导体A)的溶液的溶剂是至少一种溶剂(L1)及至少一种不同于(L1)的溶剂(L2)的混合物。优选地，溶剂(L1)在该溶剂混合物中的量基于该溶剂混合物的总重量是在1至99重量％，更优选在2至98重量％，特别地是在5至95重量％的范围内。
下文中提及合适且优选的溶剂(L1)及(L2)。
表述“卤素”在每一情况下表示氟、溴、氯或碘，特别是氯、溴或碘。
在本发明中，表述“未取代或取代的烷基、环烷基、杂环烷基、芳基及杂芳基”表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的环烷基、未取代或取代的杂环烷基、未取代或取代的芳基及未取代或取代的杂芳基。
在本发明中，表述“在每一情况下未取代或取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基”表示未取代或取代的直链C1-C30烷基、未取代或取代的支化C3-C30烷基、未取代或取代的直链C2-C30烯基、未取代或取代的支化C3-C30烯基、未取代或取代的直链C2-C30-炔基、未取代或取代的支化C4-C30-炔基、未取代或取代的环烷基、未取代或取代的芳基及未取代或取代的杂芳基。
在本发明中，表述“在每一情况下未取代或取代的烷基、环烷基及芳基”表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的环烷基及未取代或取代的芳基。
在本发明中，表述“未取代或取代的烷基、烷氧基、烷硫基、(单烷基)胺基、(二烷基)胺基、环烷基、环烷氧基、环烷硫基、(单环烷基)胺基、(二环烷基)胺基、杂环烷基、杂环烷氧基、杂环烷硫基、(单杂环烷基)胺基、(二杂环烷基)胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、(单芳基)胺基、(二芳基)胺基、杂芳基、杂芳氧基、杂芳硫基、(单杂芳基)胺基及(二杂芳基)胺基”表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基、未取代或取代的烷硫基、未取代或取代的(单烷基)胺基、未取代或取代的(二烷基)胺基、未取代或取代的环烷基、未取代或取代的环烷氧基、未取代或取代的环烷硫基、未取代或取代的(单环烷基)胺基、未取代或取代的(二环烷基)胺基、未取代或取代的杂环烷基、未取代或取代的杂环烷氧基、未取代或取代的杂环烷硫基、未取代或取代的(单杂环烷基)胺基、未取代或取代的(二杂环烷基)胺基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的芳氧基、未取代或取代的芳硫基、未取代或取代的(单芳基)胺基、未取代或取代的(二芳基)胺基、未取代或取代的杂芳基、未取代或取代的杂芳氧基、未取代或取代的杂芳硫基、未取代或取代的(单杂芳基)胺基及未取代或取代的(二杂芳基)胺基。
在本发明中，表述“烷基”包含直链或支化烷基。烷基优选C1-C30烷基，更优选C1-C22烷基。短链烷基优选选自C1-C6烷基。长链烷基优选选自C7-C22烷基。烷基的实例特别是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、新戊基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、2-甲基己基、1-乙基戊基、1-丙基丁基、2-乙基戊基、正辛基、1-甲基庚基、2-甲基庚基、1-乙基己基、2-乙基己基、1-丙基戊基、2-丙基戊基、正壬基、1-甲基辛基、2-甲基辛基、1-乙基庚基、2-乙基庚基、1-丙基己基、2-丙基己基、1-丁基戊基、正癸基、2-甲基癸基、1-甲基壬基、2-甲基壬基、1-乙基辛基、2-乙基辛基、1-丙基庚基、2-丙基庚基、1-丁基己基、2-丁基己基、正十一烷基、2-乙基壬基、1-丙基辛基、2-丙基辛基、1-丁基庚基、2-丁基庚基、1-戊基己基、正十二烷基、2-乙基癸基、2-丙基壬基、1-丁基辛基、2-丁基辛基、1-戊基庚基、2-戊基庚基、2-丙基癸基、正十三烷基、1-戊基辛基、2-戊基辛基、1-己基庚基、2-丁基壬基、正十四烷基、1-己基辛基、2-己基辛基、2-戊基壬基、2-己基壬基、2-戊基癸基、2-丁基癸基、正十六烷基、1-庚基辛基、2-庚基壬基、2-己基癸基、2-庚基癸基、正十八烷基、2-辛基癸基、正二十烷基、2-壬基十一烷基、2-辛基十一烷基、2-庚基十一烷基、2-己基十一烷基、2-戊基十一烷基、2-丁基十一烷基、2-丙基十一烷基、2-乙基十一烷基、2-甲基十一烷基、2-癸基十二烷基、2-壬基十二烷基、2-辛基十二烷基、2-庚基十二烷基、2-己基十二烷基、2-戊基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-丙基十二烷基、2-乙基十二烷基、2-甲基十二烷基、2-十一烷基十三烷基、2-癸基十三烷基、2-壬基十三烷基、2-辛基十三烷基、2-庚基十三烷基、2-己基十三烷基、2-戊基十三烷基、2-丁基十三烷基、2-丙基十三烷基、2-乙基十三烷基、2-甲基十三烷基、2-十一烷基十四烷基、2-癸基十四烷基、2-壬基十四烷基、2-辛基十四烷基、2-庚基十四烷基、2-己基十四烷基、2-戊基十四烷基、2-丁基十四烷基、2-丙基十四烷基、2-乙基十四烷基、2-甲基十四烷基、2-十四烷基十六烷基、2-十三烷基十六烷基、2-十二烷基十六烷基、2-十一烷基十六烷基、2-癸基十六烷基、2-壬基十六烷基、2-辛基十六烷基、2-庚基十六烷基、2-己基十六烷基、2-戊基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-丙基十六烷基、2-乙基十六烷基、2-甲基十六烷基、2-十二烷基十八烷基、2-十一烷基十八烷基、2-癸基十八烷基、2-壬基十八烷基、2-辛基十八烷基、2-庚基十八烷基、2-己基十八烷基、2-戊基十八烷基、2-丁基十八烷基、2-丙基十八烷基、2-乙基十八烷基、2-甲基十八烷基、2-癸基二十烷基、2-壬基二十烷基、2-辛基二十烷基、2-庚基二十烷基、2-己基二十烷基、2-戊基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-丙基二十烷基、2-乙基二十烷基、2-甲基二十烷基、2-十八烷基二十二烷基、2-十七烷基二十二烷基、2-十六烷基二十二烷基、2-十五烷基二十二烷基、2-十四烷基二十二烷基、2-十三烷基二十二烷基、2-十一烷基二十二烷基、2-癸基二十二烷基、2-壬基二十二烷基、2-辛基二十二烷基、2-庚基二十二烷基、2-己基二十二烷基、2-戊基二十二烷基、2-丁基二十二烷基、2-丙基二十二烷基、2-乙基二十二烷基、2-甲基二十二烷基、2-二十二烷基二十四烷基、2-十六烷基二十四烷基、2-十五烷基二十四烷基、2-十五烷基二十四烷基、2-十四烷基二十四烷基、2-十三烷基二十四烷基、2-十二烷基二十四烷基、2-十一烷基二十四烷基、2-癸基二十四烷基、2-壬基二十四烷基、2-辛基二十四烷基、2-庚基二十四烷基、2-己基二十四烷基、2-戊基二十四烷基、2-丁基二十四烷基、2-丙基二十四烷基、2-乙基二十四烷基、2-甲基二十四烷基、2-十二烷基二十八烷基、2-十一烷基二十八烷基、2-癸基二十八烷基、2-壬基二十八烷基、2-辛基二十八烷基、2-庚基二十八烷基、2-己基二十八烷基、2-戊基二十八烷基、2-丁基二十八烷基、2-丙基二十八烷基、2-乙基二十八烷基及2-甲基二十八烷基。
表述烷基也包含碳链可被一或多个选自-O-、-S-、-NRa-、-C(＝O)-、-S(＝O)-和/或-S(＝O)2-的非相邻基团插入的烷基基团。Ra优选氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基。
碳链被一或多个非相邻基团插入的烷基的实例特别是2-甲氧基乙基、2-乙氧基乙基、2-丙氧基乙基、2-异丙氧基乙基、2-丁氧基乙基、2-及3-甲氧基丙基、2-及3-乙氧基丙基、2-及3-丙氧基丙基、2-及3-丁氧基丙基、2-及4-甲氧基丁基、2-及4-乙氧基丁基、2-及4-丙氧基丁基、3,6-二氧杂庚基、3,6-二氧杂辛基、4,8-二氧杂壬基、3,7-二氧杂辛基、3,7-二氧杂壬基、4,7-二氧杂辛基、4,7-二氧杂壬基、2-及4-丁氧基丁基、4,8-二氧杂癸基、3,6,9-三氧杂癸基、3,6,9-三氧杂十一烷基、3,6,9-三氧杂十二烷基、3,6,9,12-四氧杂十三烷基及3,6,9,12-四氧杂十四烷基；2-甲硫基乙基、2-乙硫基乙基、2-丙硫基乙基、2-异丙硫基乙基、2-丁硫基乙基、2-及3-甲硫基丙基、2-及3-乙硫基丙基、2-及3-丙硫基丙基、2-及3-丁硫基丙基、2-及4-甲硫基丁基、2-及4-乙硫基丁基、2-及4-丙硫基丁基、3,6-二硫杂庚基、3,6-二硫杂辛基、4,8-二硫杂壬基、3,7-二硫杂辛基、3,7-二硫杂壬基、2-及4-丁硫基丁基、4,8-二硫杂癸基、3,6,9-三硫杂癸基、3,6,9-三硫杂十一烷基、3,6,9-三硫杂十二烷基、3,6,9,12-四硫杂十三烷基及3,6,9,12-四硫杂十四烷基；2-单甲基-及2-单乙基胺基乙基、2-二甲基胺基乙基、2-及3-二甲基胺基丙基、3-单异丙基胺基丙基、2-及4-单丙基胺基丁基、2-及4-二甲基胺基丁基、6-甲基-3,6-二氮杂庚基、3,6-二甲基-3,6-二氮杂庚基、3,6-二氮杂辛基、3,6-二甲基-3,6-二氮杂辛基、9-甲基-3,6,9-三氮杂癸基、3,6,9-三甲基-3,6,9-三氮杂癸基、3,6,9-三氮杂十一烷基、3,6,9-三甲基-3,6,9-三氮杂十一烷基、12-甲基-3,6,9,12-四氮杂十三烷基及3,6,9,12-四甲基-3,6,9,12-四氮杂十三烷基；(1-乙基亚乙基)胺基亚乙基、(1-乙基亚乙基)胺基亚丙基、(1-乙基亚乙基)胺基亚丁基、(1-乙基亚乙基)胺基亚癸基及(1-乙基亚乙基)胺基亚十二烷基；丙-2-酮-1-基、丁-3-酮-1-基、丁-3-酮-2-基及2-乙基戊-3-酮-1-基；2-甲基亚砜基乙基、2-乙基亚砜基乙基、2-丙基亚砜基乙基、2-异丙基亚砜基乙基、2-丁基亚砜基乙基、2-及3-甲基亚砜基丙基、2-及3-乙基亚砜基丙基、2-及3-丙基亚砜基丙基、2-及3-丁基亚砜基丙基、2-及4-甲基亚砜基丁基、2-及4-乙基亚砜基丁基、2-及4-丙基亚砜基丁基及4-丁基亚砜基丁基；2-甲基磺酰基乙基、2-乙基磺酰基乙基、2-丙基磺酰基乙基、2-异丙基磺酰基乙基、2-丁基磺酰基乙基、2-及3-甲基磺酰基丙基、2-及3-乙基磺酰基丙基、2-及3-丙基磺酰基丙基、2-及3-丁基磺酰基丙基、2-及4-甲基磺酰基丁基、2-及4-乙基磺酰基丁基、2-及4-丙基磺酰基丁基及4-丁基磺酰基丁基。
取代的烷基可取决于烷基链的长度而具有一或多(例如，1、2、3、4、5或多于5)个取代基。这些取代基优选各自独立地选自环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、氟、氯、溴、羟基、巯基、氰基、硝基、亚硝基、甲酰基、酰基、COOH、羧酸酯基、烷基羰氧基、胺甲酰基、SO3H、磺酸酯基、磺胺基、磺酰胺基、脒基、NE5E6，其中E5及E6各自独立地是氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基。烷基的环烷基、杂环烷基、芳基及杂芳基取代基可进一步未被取代或被取代；合适的取代基是下文针对这些基团提及的取代基。取代的烷基的特殊实施方案是全氟-C1-C30-烷基、1H,1H-全氟-C2-C30-烷基及1H,1H,2H,2H-全氟-C3-C30-烷基。下文中提及氟化的烷基的实例。
取代的烷基的实例特别是羧甲基、2-羧乙基、3-羧丙基、4-羧丁基、5-羧戊基、6-羧己基、8-羧辛基、10-羧癸基、12-羧十二烷基及14-羧十四烷基；磺甲基、2-磺乙基、3-磺丙基、4-磺丁基、5-磺戊基、6-磺己基、8-磺辛基、10-磺癸基、12-磺十二烷基及14-磺十四烷基；2-羟乙基、2-及3-羟丙基、1-羟丙-2-基、3-及4-羟丁基、1-羟丁-2-基及8-羟基-4-氧杂辛基；2-氰乙基、3-氰丙基、3-及4-氰丁基、2-甲基-3-乙基-3-氰丙基、7-氰基-7-乙基庚基及4,7-二甲基-7-氰庚基；2-氯乙基、2-及3-氯丙基、2-、3-及4-氯丁基、2-溴乙基、2-及3-溴丙基及2-、3-及4-溴丁基；2-硝基乙基、2-及3-硝基丙基及2-、3-及4-硝基丁基。
羧酸酯基及磺酸酯基分别表示羧酸官能及磺酸官能(特别是金属羧酸盐或磺酸盐)、羧酸酯或磺酸酯官能或羧酰胺或磺酰胺官能的衍生物。此类衍生物包含(例如)具有C1-C4-烷醇(诸如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇及叔丁醇)的酯类。
上文关于烷基的说明也适用于烷氧基、烷硫基(alkylthio)(烷硫基(alkylsulfanyl))、单烷基胺基及二烷基胺基中的烷基部分。
烷氧基的实例特别是甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基及己氧基。
烷硫基的实例特别是甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、异戊硫基、新戊硫基、叔戊硫基及己硫基。
单烷基胺基及二烷基胺基的实例特别是甲基胺基、乙基胺基、丙基胺基、异丙基胺基、丁基胺基、异丁基胺基、戊基胺基、己基胺基、二甲基胺基、甲基乙基胺基、二乙基胺基、二丙基胺基、二异丙基胺基、二丁基胺基、二异丁基胺基、二戊基胺基、二己基胺基、二环戊基胺基、二环己基胺基、二环庚基胺基、二苯基胺基及二苄基胺基；
亚烷基表示具有1至10及特别是1至4个碳原子的直链饱和烃链，诸如乙烷-1,2-二基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基或己烷-1,6-二基。
在本发明中，术语“环烷基”表示通常具有3至20，优选3至12，更优选5至12个碳原子的单环、二环或三环烃基团，诸如环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环十二烷基、环十五烷基、降冰片基、双环[2.2.2]辛基或金刚烷基。
取代的环烷基可取决于环大小而具有一或多(例如，1、2、3、4、5或多于5)个取代基。取代基优选各自独立地选自烷基、烷氧基、烷硫基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、氟、氯、溴、羟基、巯基、氰基、硝基、亚硝基、甲酰基、酰基、COOH、羧酸酯基、烷基羰氧基、胺甲酰基、SO3H、磺酸酯基、磺胺基、磺酰胺基、脒基、NE7E8，其中E7及E8各自独立地是氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基。在取代的情况下，环烷基优选具有一或多(例如，一、二、三、四或五)个C1-C6-烷基。取代的环烷基的实例特别是2-及3-甲基环戊基、2-及3-乙基环戊基、2-、3-及4-甲基环己基、2-、3-及4-乙基环己基、2-、3-及4-丙基环己基、2-、3-及4-异丙基环己基、2-、3-及4-丁基环己基、2-、3-及4-仲丁基环己基、2-、3-及4-叔丁基环己基、2-、3-及4-甲基环庚基、2-、3-及4-乙基环庚基、2-、3-及4-丙基环庚基、2-、3-及4-异丙基环庚基、2-、3-及4-丁基环庚基、2-、3-及4-仲丁基环庚基、2-、3-及4-叔丁基环庚基、2-、3-、4-及5-甲基环辛基、2-、3-、4-及5-乙基环辛基、2-、3-、4-及5-丙基环辛基、3-及4-羟基环己基、3-及4-硝基环己基及3-及4-氯环己基。
上文关于环烷基的说明也适用于环烷氧基、环烷硫基(cycloalkylthio)(环烷硫基(cycloalkylsulfanyl))、单环烷基胺基及二环烷基胺基中的环烷基部分。
在本发明中，术语“芳基”指单环或多环芳族烃基团。芳基通常是具有6至24个碳原子，优选6至20个碳原子，特别是6至14个碳原子作为环组员的芳族基团。芳基优选苯基、萘基、茚基、芴基、蒽基、菲基、并四苯基、基、芘基、蒄基、苝基等，及更优选苯基或萘基。
取代的芳基可取决于它们环系统的数量及大小而具有一或多(例如，1、2、3、4、5或多于5)个取代基。取代基优选各自独立地选自烷基、烷氧基、烷硫基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、氟、氯、溴、羟基、巯基、氰基、硝基、亚硝基、甲酰基、酰基、COOH、羧酸酯基、烷基羰氧基、胺甲酰基、SO3H、磺酸酯基、磺胺基、磺酰胺基、脒基、NE9E10，其中E9及E10各自独立地是氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基。该芳基上的烷基、烷氧基、烷基胺基、烷硫基、环烷基、杂环烷基、芳基及杂芳基取代基可进一步未被取代或被取代。针对这些基团参考上文提及的取代基。该芳基上的取代基优选选自烷基、烷氧基、卤代烷基、卤代烷氧基、芳基、氟、氯、溴、氰基及硝基。取代的芳基更优选取代的苯基，其通常具有1、2、3、4或5，优选1、2或3个取代基。
取代的芳基优选被至少一个烷基取代的芳基(“烷芳基”，下文中也称为烷基芳基)。烷芳基可取决于该芳环系统的大小而具有一或多(例如，1、2、3、4、5、6、7、8、9或多于9)个烷基取代基。烷基取代基可未被取代或被取代。对此，针对未取代的及取代的烷基参考上述声明。在一优选实施方案中，烷芳基排他性地具有未取代的烷基取代基。烷芳基优选具有1、2、3、4或5，优选1、2或3，更优选1或2个烷基取代基的苯基。
具有一或多个基团的芳基是(例如)2-、3-及4-甲基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二甲基苯基、2,4,6-三甲基苯基、2-、3-及4-乙基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二乙基苯基、2,4,6-三乙基苯基、2-、3-及4-丙基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二丙基苯基、2,4,6-三丙基苯基、2-、3-及4-异丙基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二异丙基苯基、2,4,6-三异丙基苯基、2-、3-及4-丁基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二丁基苯基、2,4,6-三丁基苯基、2-、3-及4-异丁基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二异丁基苯基、2,4,6-三异丁基苯基、2-、3-及4-仲丁基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二-仲丁基苯基、2,4,6-三-仲丁基苯基、2-、3-及4-叔丁基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二-叔丁基苯基及2,4,6-三-叔丁基苯基；2-、3-及4-甲氧基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二甲氧基苯基、2,4,6-三甲氧基苯基、2-、3-及4-乙氧基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二乙氧基苯基、2,4,6-三乙氧基苯基、2-、3-及4-丙氧基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二丙氧基苯基、2-、3-及4-异丙氧基苯基、2,4-、2,5-、3,5-及2,6-二异丙氧基苯基及2-、3-及4-丁氧基苯基；2-、3-及4-氯苯基、(2-氯-6-甲基)苯基、(2-氯-6-乙基)苯基、(4-氯-6-甲基)苯基、(4-氯-6-乙基)苯基。
上文关于芳基的说明也适用于芳氧基、芳硫基(arylthio)(芳硫基(arylsulfanyl))、单芳基胺基及二芳基胺基中的芳基部分。
在本发明中，表述“杂环烷基”包含通常具有5至8个环原子，优选5或6个环原子的非芳族不饱和或完全饱和的环脂族基团。相较于相应的环烷基，在杂环烷基中，1、2、3、4或多于4个环碳原子被杂原子或含有杂原子的基团置换。杂原子或含有杂原子的基团优选选自-O-、-S-、-NRb-、-C(＝O)-、-S(＝O)-和/或-S(＝O)2-。Rb优选氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基。杂环烷基的实例特别是吡咯烷基、哌啶基、2,2,6,6-四甲基哌啶基、咪唑烷基、吡唑烷基、噁唑烷基、吗啉基、噻唑烷基、异噻唑烷基、异噁唑烷基、哌嗪基、四氢噻吩基、二氢噻吩-2-基、四氢呋喃基、二氢呋喃-2-基、四氢吡喃基、2-噁唑啉基、3-噁唑啉基、4-噁唑啉基、及二噁烷基。
取代的杂环烷基可取决于环大小而具有一或多(例如，1、2、3、4、5或多于5)个取代基。取代基优选各自独立地选自烷基、烷氧基、烷硫基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、氟、氯、溴、羟基、巯基、氰基、硝基、亚硝基、甲酰基、酰基、COOH、羧酸酯基、烷基羰氧基、胺甲酰基、SO3H、磺酸酯基、磺胺基、磺酰胺基、脒基、NE11E12，其中E11及E12各自独立地是氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基。在取代的情况下，杂环烷基优选具有一或多(一、二、三、四或五)个C1-C6烷基。
上文关于杂环烷基的说明也适用于杂环烷氧基、杂环烷硫基(heterocycloalkylthio)(杂环烷硫基(heterocycloalkylsulfanyl))、单杂环烷基胺基及二杂环烷基胺基中的杂环烷基部分。
在本发明中，表述“杂芳基(hetaryl)(杂芳基(heteroaryl))”包含芳杂族环单环或多环基团。除环碳原子外，这些具有1、2、3、4或多于4个作为环原子的杂原子。杂原子优选选自氧、氮、硒及硫。杂芳基优选具有5至18(例如，5、6、8、9、10、11、12、13或14)个环原子。
单环杂芳基优选5或6员杂芳基，诸如2-呋喃基(呋喃-2-基)、3-呋喃基(呋喃-3-基)、2-噻吩基(噻吩-2-基)、3-噻吩基(噻吩-3-基)、硒吩-2-基、硒吩-3-基、1H-吡咯-2-基、1H-吡咯-3-基、吡咯-1-基、咪唑-2-基、咪唑-1-基、咪唑-4-基、吡唑-1-基、吡唑-3-基、吡唑-4-基、吡唑-5-基、3-异噁唑基、4-异噁唑基、5-异噁唑基、3-异噻唑基、4-异噻唑基、5-异噻唑基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噻唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、1,2,4-噁二唑-3-基、1,2,4-噁二唑-5-基、1,3,4-噁二唑-2-基、1,2,4-噻二唑-3-基、1,2,4-噻二唑-5-基、1,3,4-噻二唑-2-基、4H-[1,2,4]-三唑-3-基、1,3,4-三唑-2-基、1,2,3-三唑-1-基、1,2,4-三唑-1-基、吡啶-2-基、吡啶-3-基、吡啶-4-基、3-哒嗪基、4-哒嗪基、2-嘧啶基、4-嘧啶基、5-嘧啶基、2-吡嗪基、1,3,5-三嗪-2-基及1,2,4-三嗪-3-基。
多环杂芳基具有2、3、4或多于4个稠环。稠合上的环可以是芳族饱和或部分不饱和。多环杂芳基的实例是喹啉基、异喹啉基、吲哚基、异吲哚基、吲嗪基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并异噁唑、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、苯并噁嗪基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并三唑基、苯并三嗪基、苯并硒基苯基、噻吩并噻吩基、噻吩并嘧啶基、噻唑并噻唑基、二苯并吡咯基(咔唑基)、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘并[2,3-b]噻吩基、石脑油[2,3-b]呋喃基、二氢吲哚基、二氢吲嗪基、二氢异吲哚基、二氢喹啉基及二氢异喹啉基。
取代的杂芳基可取决于它们环系统的数量及大小而具有一或多(例如，1、2、3、4、5或多于5)个取代基。取代基优选各自独立地选自烷基、烷氧基、烷硫基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、氟、氯、溴、羟基、巯基、氰基、硝基、亚硝基、甲酰基、酰基、COOH、羧酸酯基、烷基羰氧基、胺甲酰基、SO3H、磺酸酯基、磺酸胺基、磺酰胺基、脒基、NE13E14，其中E13及E14各自独立地是氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基。卤素取代基优选氟、氯或溴。取代基优选选自C1-C6烷基、C1-C6烷氧基羟基、羧基、卤素及氰基。
上文关于杂芳基的说明也适用于杂芳氧基、杂芳硫基、单杂芳基胺基及二杂芳基胺基中的杂芳基部分。
出于本发明的目的，表述“酰基”指通常具有2至11，优选2至8个碳原子的烷酰基或芳酰基，例如，乙酰基、丙酰基、丁酰基、戊酰基、己酰基、庚酰基、2-乙基己酰基、2-丙基庚酰基、新戊酰基、苯甲酰基或萘甲酰氯。
基团NE1E2、NE3E4、NE5E6、NE7E8、NE9E10、NE11E12及NE13E14优选N,N-二甲基胺基、N,N-二乙基胺基、N,N-二丙基胺基、N,N-二异丙基胺基、N,N-二-正丁基胺基、N,N-二-叔丁基胺基、N,N-二环己基胺基或N,N-二苯基胺基。
稠环系统可包含借助稠合连接的环脂族环、脂族杂环、芳族环及杂芳环及其组合、氢化芳族。稠环系统包含二、三或更多(例如，4、5、6、7或8)个环。取决于环在稠环系统中的连接方式，区分邻位稠合(也即，每个环与每个相邻环共享至少一个边缘或两个原子)与碳原子属于超过两个环的近位稠合。优选的稠环系统是邻位稠环系统。
组分A)
本领域技术人员将易于了解化合物(A)可以纯形式或含有各自描绘的化合物及至少一个其结构性异构体的形式存在。
在第一优选实施方案中，组分A)含有至少一种式(II.a)化合物
其中
n是1、2、3或4，
Ra及Rb彼此独立地选自氢及在每一情况下未取代或取代的烷基、烯基、二烯基、炔基、环烷基、二环烷基、环烯基、杂环烷基、芳基及杂芳基，Rn1、Rn2、Rn3及Rn4基团彼此独立地选自氢、F、Cl、Br、I、CN、羟基、巯基、硝基、氰氧基、氰硫基、甲酰基、酰基、羧基、羧酸酯基、烷基羰氧基、胺甲酰基、烷基胺基羰基、二烷基胺基羰基、磺酸基、磺酸酯基、磺胺基、胺磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、脒基、NE1E2，其中E1及E2各自独立地选自氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，
在每一情况下未取代或取代的烷基、烷氧基、烷硫基、(单烷基)胺基、(二烷基)胺基、环烷基、环烷氧基、环烷硫基、(单环烷基)胺基、(二环烷基)胺基、杂环烷基、杂环烷氧基、杂环烷硫基、(单杂环烷基)胺基、(二杂环烷基)胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、(单芳基)胺基、(二芳基)胺基、杂芳基、杂芳氧基、杂芳硫基、(单杂芳基)胺基及(二杂芳基)胺基。
在式II.a化合物中，n表示于近位中结合并形成本发明萘嵌苯化合物的基础骨架的萘单元数量。本发明的萘嵌苯化合物不仅包含萘嵌苯二酰亚胺但也包含结构密切相关的萘二酰亚胺(n＝1)。在各个Rn1至Rn4基团中，n表示结合基团的萘嵌苯骨架的特定萘基。结合至不同萘基的Rn1至Rn4基团可各具有相同或不同的定义。因此，通式I化合物可以是下式萘二酰亚胺、苝二酰亚胺、联三萘嵌苯二酰亚胺或联四萘嵌苯二酰亚胺：
优选地，在式II.a化合物中，基团Ra及Rb彼此独立地选自氢、直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、全氟-C1-C30烷基、1H,1H-全氟-C2-C30烷基、1H,1H,2H,2H-全氟-C3-C30烷基、式G.1基团、式G.2基团及式G.3基团
其中
#表示结合至氮原子的结合位点，
B(如果存在)是可被一或多个选自-O-及-S-的非相邻基团插入的C1-C10-亚烷基，
y是0或1，
Rm彼此独立地选自C1-C30烷基、C1-C30-氟烷基、氟、氯、溴、NE3E4、硝基及氰基，其中E3及E4彼此独立地是氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，
Rn彼此独立地选自C1-C30烷基，
x在式G.2及G.3中是1、2、3、4或5。
在化合物(I)的一优选实施方案中，基团Ra及Rb独立地选自通式(G.1)、(G.2)及(G.3)基团。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自通式(G.1)、(G.2)及(G.3)基团。
优选地，在式(G.2)中，Rm基团选自C1-C12烷基或C1-C12氟烷基。特别地，在式(G.2)中，Rm基团选自C1-C4烷基或C1-C4氟烷基。
优选地，在式(G.3)中，Rn基团选自C1-C12烷基。
在一优选实施方案中，在式(I)化合物中，Ra及Rb各自独立地选自式(G.2)基团。优选地，Ra及Rb各自独立地选自苯基-(C1-C30)-烷基，其中苯基烷基基团的苯环具有1、2、3、4或5个取代基，取代基独立地选自F、Cl、Br、CN、C1-C30烷基及全氟-C1-C30烷基及该苯基烷基经由该苯基烷基的烷基部分附接至酰亚胺氮原子。
更优选地，Ra及Rb具有相同含义并选自苯基-(C1-C30)烷基，其中该苯基烷基的苯环具有1、2、3、4或5个取代基，取代基独立地选自F、Cl、Br、CN、C1-C30烷基及全氟-C1-C30烷基。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自苯基-(C1-C4)烷基，其中该苯基烷基的苯环具有1、2、3、4或5个取代基，取代基独立地选自F、Cl、Br、CN、C1-C30烷基及全氟-C1-C12烷基。
下表1中提及优选的式(G.1)基团的实例。在一优选实施方案中，在式(I)化合物中，Ra及Rb各自独立地选自下表1中提及的式(G.1)基团。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自下表1中提及的式式(G.1)基团。
表1(优选的式G.1基团)：
下表2中提及优选的式(G.2)基团的实例。在一优选实施方案中，在式(I)化合物中，Ra及Rb各自独立地选自下表2中提及的式(G.2)基团。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自表2中提及的式(G.2)基团。
表2(优选的式G.2基团)：
在一优选实施方案中，Ra及Rb各自独立地选自直链C1-C30烷基基团。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自直链C1-C30烷基基团。优选的直链烷基是甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基、正十八烷基及正二十烷基。
在一优选实施方案中，Ra及Rb各自独立地选自支化C3-C30烷基基团。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自支化C3-C30烷基基团。
优选地，在式II.a化合物中，基团Ra及Rb选自通式(III.1)、(III.2)及(III.3)基团
其中
#是结合位点，及
在式(III.1)中，Re及Rf独立地选自C1至C27烷基，其中Re及Rf基团的碳原子总数是2至28的整数，
在式(III.2)中，Rg及Rh独立地选自C1至C28烷基，其中Rg及Rh基团的碳原子总数是2至29的整数，
在式(III.3)中，Ri、Rk及Rl独立地选自C1至C27烷基，其中Ri、Rk及Rl基团的碳原子总数是3至29的整数。
优选地，在式(III.1)中，Re及Rf独立地选自C1至C20烷基，特别是C1至C12烷基。
优选地，在式(III.1)中，基团(III.1)的碳原子总数是3至55，更优选4至40，特别地是5至30的整数。
优选的式(III.1)基团是：
2-甲基丙基、2-乙基丁基、2-甲基丁基、2-丙基戊基、2-乙基戊基、2-甲基戊基、2-丁基己基、2-丙基己基、2-乙基己基、2-甲基己基、2-戊基庚基、2-丁基庚基、2-丙基庚基、2-乙基庚基、2-甲基庚基、2-己基辛基、2-戊基辛基、2-丁基辛基、2-丙基辛基、2-乙基辛基、2-甲基辛基、2-庚基壬基、2-己基壬基、2-戊基壬基、2-丁基壬基、2-丙基壬基、2-乙基壬基、2-甲基壬基、2-辛基癸基、2-庚基癸基、2-己基癸基、2-戊基癸基、2-丁基癸基、2-丙基癸基、2-乙基癸基、2-甲基癸基、2-壬基十一烷基、2-辛基十一烷基、2-庚基十一烷基、2-己基十一烷基、2-戊基十一烷基、2-丁基十一烷基、2-丙基十一烷基、2-乙基十一烷基、2-甲基十一烷基、2-癸基十二烷基、2-壬基十二烷基、2-辛基十二烷基、2-庚基十二烷基、2-己基十二烷基、2-戊基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-丙基十二烷基、2-乙基十二烷基、2-甲基十二烷基、2-十一烷基十三烷基、2-癸基十三烷基、2-壬基十三烷基、2-辛基十三烷基、2-庚基十三烷基、2-己基十三烷基、2-戊基十三烷基、2-丁基十三烷基、2-丙基十三烷基、2-乙基十三烷基、2-甲基十三烷基、2-十一烷基十四烷基、2-癸基十四烷基、2-壬基十四烷基、2-辛基十四烷基、2-庚基十四烷基、2-己基十四烷基、2-戊基十四烷基、2-丁基十四烷基、2-丙基十四烷基、2-乙基十四烷基、2-甲基十四烷基、2-十四烷基十六烷基、2-十三烷基十六烷基、2-十二烷基十六烷基、2-十一烷基十六烷基、2-癸基十六烷基、2-壬基十六烷基、2-辛基十六烷基、2-庚基十六烷基、2-己基十六烷基、2-戊基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-丙基十六烷基、2-乙基十六烷基、2-甲基十六烷基、2-十六烷基十八烷基、2-十五烷基十八烷基、2-十四烷基十八烷基、2-十三烷基十八烷基、2-十二烷基十八烷基、2-十一烷基十八烷基、2-癸基十八烷基、2-壬基十八烷基、2-辛基十八烷基、2-庚基十八烷基、2-己基十八烷基、2-戊基十八烷基、2-丁基十八烷基、2-丙基十八烷基、2-乙基十八烷基、2-甲基十八烷基、2-十八烷基二十烷基、2-十七烷基二十烷基、2-十六烷基二十烷基、2-十五烷基二十烷基、2-十四烷基二十烷基、2-十三烷基二十烷基、2-十二烷基二十烷基、2-十一烷基二十烷基、2-癸基二十烷基、2-壬基二十烷基、2-辛基二十烷基、2-庚基二十烷基、2-己基二十烷基、2-戊基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-丙基二十烷基、2-乙基二十烷基、2-甲基二十烷基、2-二十烷基二十二烷基、2-十九烷基二十二烷基、2-十八烷基二十二烷基、2-十七烷基二十二烷基、2-十六烷基二十二烷基、2-十五烷基二十二烷基、2-十四烷基二十二烷基、2-十三烷基二十二烷基、2-十一烷基二十二烷基、2-癸基二十二烷基、2-壬基二十二烷基、2-辛基二十二烷基、2-庚基二十二烷基、2-己基二十二烷基、2-戊基二十二烷基、2-丁基二十二烷基、2-丙基二十二烷基、2-乙基二十二烷基、2-甲基二十二烷基、2-二十二烷基二十四烷基、2-十九烷基二十四烷基、2-十八烷基二十四烷基、2-十七烷基二十四烷基、2-十六烷基二十四烷基、2-十五烷基二十四烷基、2-十五烷基二十四烷基、2-十四烷基二十四烷基、2-十三烷基二十四烷基、2-十二烷基二十四烷基、2-十一烷基二十四烷基、2-癸基二十四烷基、2-壬基二十四烷基、2-辛基二十四烷基、2-庚基二十四烷基、2-己基二十四烷基、2-戊基二十四烷基、2-丁基二十四烷基、2-丙基二十四烷基、2-乙基二十四烷基、2-甲基二十四烷基、2-二十六烷基二十八烷基、2-二十五烷基二十八烷基、2-二十四烷基二十八烷基、2-二十三烷基二十八烷基、2-二十二烷基二十八烷基、2-十九烷基二十八烷基、2-十八烷基二十八烷基、2-十七烷基二十八烷基、2-十六烷基二十八烷基、2-十六烷基二十八烷基、2-十五烷基二十八烷基、2-十四烷基二十八烷基、2-十三烷基二十八烷基、2-十二烷基二十八烷基、2-十一烷基二十八烷基、2-癸基二十八烷基、2-壬基二十八烷基、2-辛基二十八烷基、2-庚基二十八烷基、2-己基二十八烷基、2-戊基二十八烷基、2-丁基二十八烷基、2-丙基二十八烷基、2-乙基二十八烷基、2-甲基二十八烷基。
优选的式(III.1)基团的实例是2-乙基己基、2-乙基庚基、2-乙基辛基、2-乙基壬基及2-乙基癸基。
在化合物(II.a)的一优选实施方案中，基团Ra及Rb各自独立地选自式(III.2)基团。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自式(III.2)基团。
优选的式(III.2)基团是：
1-乙基丙基、1-甲基丙基、1-丙基丁基、1-乙基丁基、1-甲基丁基、1-丁基戊基、1-丙基戊基、1-乙基戊基、1-甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基己基、1-丙基己基、1-乙基己基、1-甲基己基、1-己基庚基、1-戊基庚基、1-丁基庚基、1-丙基庚基、1-乙基庚基、1-甲基庚基、1-庚基辛基、1-己基辛基、1-戊基辛基、1-丁基辛基、1-丙基辛基、1-乙基辛基、1-甲基辛基、1-辛基壬基、1-庚基壬基、1-己基壬基、1-戊基壬基、1-丁基壬基、1-丙基壬基、1-乙基壬基、1-甲基壬基、1-壬基癸基、1-辛基癸基、1-庚基癸基、1-己基癸基、1-戊基癸基、1-丁基癸基、1-丙基癸基、1-乙基癸基、1-甲基癸基、1-癸基十一烷基、1-壬基十一烷基、1-辛基十一烷基、1-庚基十一烷基、1-己基十一烷基、1-戊基十一烷基、1-丁基十一烷基、1-丙基十一烷基、1-乙基十一烷基、1-甲基十一烷基、1-十一烷基十二烷基、1-癸基十二烷基、1-壬基十二烷基、1-辛基十二烷基、1-庚基十二烷基、1-己基十二烷基、1-戊基十二烷基、1-丁基十二烷基、1-丙基十二烷基、1-乙基十二烷基、1-甲基十二烷基、1-十二烷基十三烷基、1-十一烷基十三烷基、1-癸基十三烷基、1-壬基十三烷基、1-辛基十三烷基、1-庚基十三烷基、1-己基十三烷基、1-戊基十三烷基、1-丁基十三烷基、1-丙基十三烷基、1-乙基十三烷基、1-甲基十三烷基、1-十三烷基十四烷基、1-十一烷基十四烷基、1-癸基十四烷基、1-壬基十四烷基、1-辛基十四烷基、1-庚基十四烷基、1-己基十四烷基、1-戊基十四烷基、1-丁基十四烷基、1-丙基十四烷基、1-乙基十四烷基、1-甲基十四烷基、1-十五烷基十六烷基、1-十四烷基十六烷基、1-十三烷基十六烷基、1-十二烷基十六烷基、1-十一烷基十六烷基、1-癸基十六烷基、1-壬基十六烷基、1-辛基十六烷基、1-庚基十六烷基、1-己基十六烷基、1-戊基十六烷基、1-丁基十六烷基、1-丙基十六烷基、1-乙基十六烷基、1-甲基十六烷基、1-十六烷基十八烷基、1-十五烷基十八烷基、1-十四烷基十八烷基、1-十三烷基十八烷基、1-十二烷基十八烷基、1-十一烷基十八烷基、1-癸基十八烷基、1-壬基十八烷基、1-辛基十八烷基、1-庚基十八烷基、1-己基十八烷基、1-戊基十八烷基、1-丁基十八烷基、1-丙基十八烷基、1-乙基十八烷基、1-甲基十八烷基、1-十九烷基二十烷基、1-十八烷基二十烷基、1-十七烷基二十烷基、1-十六烷基二十烷基、1-十五烷基二十烷基、1-十四烷基二十烷基、1-十三烷基二十烷基、1-十二烷基二十烷基、1-十一烷基二十烷基、1-癸基二十烷基、1-壬基二十烷基、1-辛基二十烷基、1-庚基二十烷基、1-己基二十烷基、1-戊基二十烷基、1-丁基二十烷基、1-丙基二十烷基、1-乙基二十烷基、1-甲基二十烷基、1-二十烷基二十二烷基、1-十九烷基二十二烷基、1-十八烷基二十二烷基、1-十七烷基二十二烷基、1-十六烷基二十二烷基、1-十五烷基二十二烷基、1-十四烷基二十二烷基、1-十三烷基二十二烷基、1-十一烷基二十二烷基、1-癸基二十二烷基、1-壬基二十二烷基、1-辛基二十二烷基、1-庚基二十二烷基、1-己基二十二烷基、1-戊基二十二烷基、1-丁基二十二烷基、1-丙基二十二烷基、1-乙基二十二烷基、1-甲基二十二烷基、1-二十三烷基二十四烷基、1-二十二烷基二十四烷基、1-十九烷基二十四烷基、1-十八烷基二十四烷基、1-十七烷基二十四烷基、1-十六烷基二十四烷基、1-十五烷基二十四烷基、1-十五烷基二十四烷基、1-十四烷基二十四烷基、1-十三烷基二十四烷基、1-十二烷基二十四烷基、1-十一烷基二十四烷基、1-癸基二十四烷基、1-壬基二十四烷基、1-辛基二十四烷基、1-庚基二十四烷基、1-己基二十四烷基、1-戊基二十四烷基、1-丁基二十四烷基、1-丙基二十四烷基、1-乙基二十四烷基、1-甲基二十四烷基、1-二十七烷基二十八烷基、1-二十六烷基二十八烷基、1-二十五烷基二十八烷基、1-二十四烷基二十八烷基、1-二十三烷基二十八烷基、1-二十二烷基二十八烷基、1-十九烷基二十八烷基、1-十八烷基二十八烷基、1-十七烷基二十八烷基、1-十六烷基二十八烷基、1-十六烷基二十八烷基、1-十五烷基二十八烷基、1-十四烷基二十八烷基、1-十三烷基二十八烷基、1-十二烷基二十八烷基、1-十一烷基二十八烷基、1-癸基二十八烷基、1-壬基二十八烷基、1-辛基二十八烷基、1-庚基二十八烷基、1-己基二十八烷基、1-戊基二十八烷基、1-丁基二十八烷基、1-丙基二十八烷基、1-乙基二十八烷基、1-甲基二十八烷基。
特别优选的式(III.2)基团是：
1-甲基乙基、1-甲基丙基、1-甲基丁基、1-甲基戊基、1-甲基己基、1-甲基庚基、1-甲基辛基、1-乙基丙基、1-乙基丁基、1-乙基戊基、1-乙基己基、1-乙基庚基、1-乙基辛基、1-丙基丁基、1-丙基戊基、1-丙基己基、1-丙基庚基、1-丙基辛基、1-丁基戊基、1-丁基己基、1-丁基庚基、1-丁基辛基、1-戊基己基、1-戊基庚基、1-戊基辛基、1-己基庚基、1-己基辛基、1-庚基辛基。
在化合物(II.a)的一优选实施方案中，基团Ra及Rb各自独立地选自式(III.3)基团。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自式(III.3)基团。
特别优选的式(III.3)基团是叔丁基。
优选地，基团Ra及Rb中的至少一者选自全氟-C1-C30烷基、1H,1H-全氟-C2-C30烷基或1H,1H,2H,2H-全氟-C3-C30烷基。
在化合物(I.a)的一优选实施方案中，基团Ra及Rb选自全氟-C1-C30烷基、1H,1H-全氟-C2-C30烷基或1H,1H,2H,2H-全氟-C3-C30烷基。
在一优选实施方案中，基团Ra及Rb中的至少一者选自CF3、C2F5、n-C3F7、n-C4F9、n-C5F11,n-C6F13、CF(CF3)2、C(CF3)3、CF2CF(CF3)2、CF(CF3)(C2F5)、CH2-CF3、CH2-C2F5、CH2-(n-C3F7)、CH2-(n-C4F9)、CH2-(n-C5F11)、CH2-(n-C6F13)、CH2-CF(CF3)2、CH2-C(CF3)3、CH2-CF2CF(CF3)2、CH2-CF(CF3)(C2F5)、CH2-CH2-CF3、CH2-CH2-C2F5、CH2-CH2-(n-C3F7)、CH2-CH2-(n-C4F9)、CH2-CH2-(n-C5F11)、CH2-CH2-(n-C6F13)、CH2-CH2-CF(CF3)2、CH2-CH2-C(CF3)3、CH2-CH2-CF2CF(CF3)2及CH2-CH2-CF(CF3)(C2F5)。特别地，Ra及Rb具有相同含义并选自上述基团。
已发现自通式(I.a)的对映体富集混合物或对映体纯萘嵌苯化合物制得的半导体可具有有利性质。WO 2012/090110描述相较于外消旋物或呈光学纯形式的对映体中的任何一者具有出乎意料的电子传输效率的对映体富集混合物。将此文献的教导以引用的方式并入本文中。
特别地，取代基Ra及Rb相同并选自支化C4-40烷基、支化C4-40烯基及支化C4-40卤代烷基，其中支化C4-40烷基、支化C4-40烯基或支化C4-40卤代烷基选自：
其中R'是C1-20烷基或卤代烷基；及R"不同于R'并选自C1-20烷基、C2-20烯基及C1-20卤代烷基。星号*表示立构中心，使得Ra及Rb具有(R)-或(S)-构型。在一优选实施方案中，该混合物是对映体富集的，即，该混合物包含过量的(R,R)-立体异构体(其中Ra及Rb均具有(R)-构型)或(S,S)-立体异构体(其中Ra及Rb均具有(S)-构型)。
优选的手性取代基Ra及Rb是(1S)-1-甲基丁基、(1S)-1-甲基戊基、(1S)-1-甲基己基、(1S)-1-甲基庚基、(1S)-1-甲基辛基、(1S)-1-乙基丙基、(1S)-1-乙基丁基、(1S)-1-乙基戊基、(1S)-1-丙基丁基、(1S)-1-丙基戊基、(1S)-1-丙基己基、(1R)-1-甲基丁基、(1R)-1-甲基戊基、(1R)-1-甲基己基、(1R)-1-甲基庚基、(1R)-1-甲基辛基、(1R)-1-乙基丙基、(1R)-1-乙基丁基、(1R)-1-乙基戊基、(1R)-1-丙基丁基、(1R)-1-丙基戊基、(1R)-1-丙基己基。
式(II.a)化合物的优选类别是氰化或卤化萘嵌苯二酰亚胺，更优选氰化或卤化苝二酰亚胺，特别地是N,N'-双取代-(1,7和1,6)-二-氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)、N,N'-双取代-(1,7和1,6)-二-氟-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)、N,N'-双取代-(1,7和1,6)-二-氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)及N,N'-双取代-(1,7和1,6)-二-溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)。
合适的氰化或卤化萘嵌苯二酰亚胺(例如)描述于美国专利案第7,671,202号、第7,902,363号及第7,569,693号及美国专利申请公开案第2010/0319778号中。
在另一优选实施方案中，式(II.a)化合物选自由R.Schmidt,J.H.Oh,Y.-S.Sun,M.Deppisch,A.-M.Krause,K.Radacki,H.Braunschweig,M.P.Erk,Z.Bao及F.Würthner于J.Am.Chem.Soc.2009,131,6215-6228中描述的卤化苝双酰亚胺衍生物。
在另一优选实施方案中，式(II.a)化合物选自如描述于WO 2007/093643及WO2007/116001中的苝二酰亚胺。
式(II.a)化合物的特定实例包含：
N,N'-双(环己基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(环己基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1H,1H-全氟丁基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1H,1H-全氟丁基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(正辛基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(正辛基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-甲基己基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-甲基己基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-乙基己基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-乙基己基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正己基苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正己基苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正十二烷基苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正十二烷基苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-庚氧基苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-庚氧基苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-联苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-联苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基联苯基)]-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基联苯基)]-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[4'-((3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]联苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[4'-((3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]联苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(2',3',4',5',6'-五氟联苯基)]-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(2',3',4',5',6'-五氟联苯基)]-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2',3',5',6'-四氟联苯基)]-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2',3',5',6'-四氟联苯基)]-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2,3,5,6-四氟联苯基)]-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2,3,5,6-四氟联苯基)]-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(苄基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(苄基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正丁基苄基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正丁基苄基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-仲丁基苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-仲丁基苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯氧基]苄基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯氧基]苄基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-苄基苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-苄基苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[1-(2-苯乙基)]苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[1-(2-苯乙基)]苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-n-苯甲酰基苯基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-n-苯甲酰基苯基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基丁基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基丁基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基戊基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基戊基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(1S)-1-甲基戊基]-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(1S)-1-甲基戊基]-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(1R)-1-甲基戊基]-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(1R)-1-甲基戊基]-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基己基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基己基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丙基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丙基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丁基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丁基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基戊基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基戊基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基己基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基己基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1,3-二甲基丁基)-1,6-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1,3-二甲基丁基)-1,7-二氰基-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(环己基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(环己基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1H,1H-全氟丁基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1H,1H-全氟丁基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(正辛基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(正辛基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺),
N,N'-双(2-甲基己基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-甲基己基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-乙基己基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-乙基己基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正己基苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正己基苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正十二烷基苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正十二烷基苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-庚氧基苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-庚氧基苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-联苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-联苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基联苯基)]-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基联苯基)]-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[4'-((3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]联苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[4'-((3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]联苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(2',3',4',5',6'-五氟联苯基)]-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(2',3',4',5',6'-五氟联苯基)]-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2',3',5',6'-四氟联苯基)]-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2',3',5',6'-四氟联苯基)]-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2,3,5,6-四氟联苯基)]-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2,3,5,6-四氟联苯基)]-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(苄基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(苄基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正丁基苄基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正丁基苄基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-仲丁基苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-仲丁基苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯氧基]苄基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯氧基]苄基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-苄基苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-苄基苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[1-(2-苯乙基)]苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[1-(2-苯乙基)]苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-n-苯甲酰基苯基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-n-苯甲酰基苯基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基丁基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基丁基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基戊基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基戊基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基己基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基己基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丙基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丙基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丁基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丁基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基戊基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基戊基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基己基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基己基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1,3-二甲基丁基)-1,6-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1,3-二甲基丁基)-1,7-二氯-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(环己基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N′-双(环己基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1H,1H-全氟丁基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1H,1H-全氟丁基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(正辛基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(正辛基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-甲基己基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-甲基己基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-乙基己基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(2-乙基己基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正己基苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正己基苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正十二烷基苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正十二烷基苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-庚氧基苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-庚氧基苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-联苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-联苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基联苯基)]-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基联苯基)]-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[4'-((3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]联苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[4'-((3S)-3,7-二甲基-6-辛烯基]联苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(2',3',4',5',6'-五氟联苯基)]-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(2',3',4',5',6'-五氟联苯基)]-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2',3',5',6'-四氟联苯基)]-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2',3',5',6'-四氟联苯基)]-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2,3,5,6-四氟联苯基)]-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双[4-(4'-正辛基-2,3,5,6-四氟联苯基)]-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(苄基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(苄基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正丁基苄基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-正丁基苄基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-仲丁基苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-仲丁基苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯氧基]苄基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[(3S)-3,7-二甲基-6-辛烯氧基]苄基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-苄基苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-苄基苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[1-(2-苯乙基)]苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-[1-(2-苯乙基)]苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-n-苯甲酰基苯基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(4-n-苯甲酰基苯基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基丁基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基丁基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基戊基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基戊基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基己基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-甲基己基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丙基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丙基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丁基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基丁基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基戊基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基戊基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基己基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1-乙基己基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)，
N,N'-双(1,3-二甲基丁基)-1,6-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)及
N,N'-双(1,3-二甲基丁基)-1,7-二溴-苝-3,4:9,10-双(二甲酰亚胺)。
下文指定一些特别优选的化合物(II.a)：
在另一优选实施方案中，组分A)含有至少一种式(II.b)化合物
其中
R1b及R2b独立地选自氢及在每一情况下未取代或取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基，
Y1b及Y2b独立地选自O、S、Se及NR3b，其中R3b选自氢及在每一情况下未取代或取代的烷基、环烷基及芳基，
合适的式(II.b)化合物及其制造方法描述于以引用的方式并入本文中的WO2013/168048中。
优选地，R1b及R2b独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基、未取代的支化C3-C30烷基、卤素取代的直链C1-C30烷基及卤素取代的支化C3-C30烷基。
优选地，R1b及R2b独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基、未取代的支化C3-C30烷基、直链C1-C30氟烷基及支化C3-C30氟烷基。特别地，R1b及R2b独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基及未取代的支化C3-C30烷基。
优选地，在式(II.b)化合物中，R1b及R2b具有相同含义。
在一优选实施方案中，式(II.b)化合物选自式(I.b1)化合物
其中
R1b及R2b独立地选自直链C7-C22烷基及支化C7-C22烷基。
优选地，在式(II.b)化合物中，R1b及R2b具有相同含义。
在一特殊实施方案中，R1b及R2b具有相同含义并选自直链C7-C22烷基。
在另一优选实施方案中，组分A)含有至少一种式(II.c)化合物
其中
R1c及R2c独立地选自氢及在每一情况下未取代或取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基，
Y1c、Y2c及Y3c独立地选自O、S、Se及NR3c，其中R3c选自氢及在每一情况下未取代或取代的烷基、环烷基及芳基，
合适的式(II.c)化合物及其制造方法描述于以引用的方式并入本文中的PCT/IB2015/051226中。
优选地，Y1c、Y2c及Y3c都是S。
优选地，R1c及R2c独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基、未取代的支化C3-C30烷基、卤素取代的直链C1-C30烷基及卤素取代的支化C3-C30烷基。
优选地，R1c及R2c独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基、未取代的支化C3-C30烷基、直链C1-C30氟烷基及支化C3-C30氟烷基。特别地，R1c及R2c独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基及未取代的支化C3-C30烷基。
在式(II.c)化合物的一特殊实施方案中，R1c是氢及R2c选自直链C1-C30烷基及支化C3-C30烷基。
在式(II.c)化合物的另一特殊实施方案中，R1c及R2c都是选自直链C1-C30烷基及支化C3-C30烷基。
在一优选实施方案中，式(II.c)化合物选自式(II.c1)及(II.c2)化合物
其中
R1c及R2c独立地选自直链C7-C22烷基及支化C7-C22烷基。
优选地，在式(II.c1)化合物中，R2c选自直链C7-C22烷基。
优选地，在式(II.c2)化合物中，R1c及R2c具有相同含义。
在一特殊实施方案中，R1c及R2c具有相同含义并选自直链C7-C22烷基。
在另一优选实施方案中，组分A)含有至少一种式(II.d)化合物
其中
R1d及R2d独立地选自氢及在每一情况下未取代或取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基，
Y1d、Y2d、Y3d及Y4d独立地选自O、S、Se及NR3d，其中R3d选自氢及在每一情况下未取代或取代的烷基、环烷基及芳基。
合适的式(II.d)化合物及其制造方法描述于以引用的方式并入本文中的WO/2014/087300中。
优选地，Y1d、Y2d、Y3d及Y4d都是S。
优选地，R1d及R2d独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基、未取代的支化C3-C30烷基、卤素取代的直链C1-C30烷基及卤素取代的支化C3-C30烷基。
优选地，R1d及R2d独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基、未取代的支化C3-C30烷基、直链C1-C30氟烷基及支化C3-C30氟烷基。特别地，R1d及R2d独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基及未取代的支化C3-C30烷基。
在式(II.d)化合物的一特殊实施方案中，R1d是氢及R2d选自直链C1-C30烷基及支化C3-C30烷基。
在式(II.d)化合物的另一特殊实施方案中，R1d及R2d都是选自直链C1-C30烷基及支化C3-C30烷基。
在一优选实施方案中，式(II.d)化合物选自式(II.d1)及(II.d2)化合物
其中
R1d及R2d独立地选自直链C7-C22烷基及支化C7-C22烷基。
优选地，在式(II.d1)化合物中，R2d选自直链C7-C22烷基。
优选地，在式(II.d2)化合物中，R1d及R2d具有相同含义。
在一特殊实施方案中，R1d及R2d具有相同含义并选自直链C7-C22烷基。
在另一优选实施方案中，组分A)含有至少一种式(II.e)化合物
其中
R1e及R2e独立地选自氢及在每一情况下未取代或取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基，
Y1e及Y2e独立地选自O、S、Se及NR3e，其中R3e选自氢及在每一情况下未取代或取代的烷基、环烷基及芳基。
合适的式(II.e)化合物及其制造方法描述于以引用的方式并入本文中的EP 2077 590 B1中。
优选地，Y1e及Y2e都是S或都是Se。特别地，Y1e及Y2e都是S。
优选地，R1e及R2e独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基、未取代的支化C3-C30烷基、直链C1-C30氟烷基及支化C3-C30氟烷基。特别地，R1e及R2e独立地选自氢、未取代的直链C1-C30烷基及未取代的支化C3-C30烷基。
优选地，R1e是氢及R2e独立地选自未取代的直链C1-C30烷基、未取代的支化C3-C30烷基、卤素取代的直链C1-C30烷基及卤素取代的支化C3-C30烷基。
在式(II.e)化合物的一特殊实施方案中，R1e及R2e都是选自直链C1-C30烷基及支化C3-C30烷基。
在一优选实施方案中，式(II.e)化合物选自式(II.e1)及(II.e2)化合物
其中
R1e及R2e独立地选自未取代的直链C7-C22烷基及未取代的支化C7-C22烷基。
优选地，在式(II.e1)及(II.e2)化合物中，R1e及R2e具有相同含义。
优选地，在式(II.e1)及(II.e2)化合物中，R1e及R2e选自直链C7-C22烷基。
溶剂L1)
在本发明方法的步骤(a)中，提供至少一种有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有至少一种溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液，其中该溶剂(L1)具有
-在1013.25毫巴下至少140℃的沸点，
-在23℃下至少1.2mPas的粘度，及
-在20℃下至少31.5mN/m的表面张力。
原则上，溶剂(L1)及共溶剂(L2)可选自相同类别的溶剂，其前提条件为溶剂(L1)必须满足前文提及的参数。
本发明组合物含有至少一种作为组分L1)的化合物，其选自
L1.1)至少一种在20℃及1013毫巴下是液体的选自式(I)化合物的化合物
Rc-X1-A-X2-Rd
(I)
其中
A是5至8员未取代或取代的脂族或芳族碳环或杂环，
X1及X2独立地选自*-(C＝O)-O-、*-(CH2)m-O-或*-(CH2)m-O-(C＝O)-，其中*是连接至苯环的连接点，且m具有值0、1或2；及
Rc及Rd独立地选自非支化及支化C1-C12烷基及C2-C12烯基。
L1.2)苯甲酸烷基酯，
L1.3)羟基苯甲酸酯，
L1.4)碳酸亚烷基酯，
L1.5)芳族脂族酮，
L1.6)二甲基亚砜(DMSO)，
L1.7)N-甲基吡咯啶酮，
L1.8)含有环脂族环的多环烃，
L1.9)二氯苯，
及其混合物。
在一优选实施方案中，该至少一种有机半导体A)具有在20℃下于溶剂(L1)或仅由溶剂(L1)组成的混合物中的至少0.01mg/ml，更优选至少0.05mg/ml的溶解度。
如果该至少一个有机半导体A)具有在20℃下于组分L1)或组分L1)的混合物中的小于0.01mg/ml的溶解度，则可添加选自不同于组分L1)的有机溶剂及有机溶剂的混合物的额外共溶剂L2)。因此，在另一优选实施方案中，有机半导体A)具有在20℃下于组分L1)及L2)的混合物中的至少0.01mg/ml，优选至少0.5mg/ml的溶解度。
如果该至少一种有机半导体A)于单独组分L1)中具有足够的溶解度，则当然也可能使用额外的共溶剂L2)。在此情况下，可添加该额外的共溶剂以提供某些应用性质，例如，借助印刷方法组合物的可加工性。
优选地，该组分L1)是基于该溶液的总重量以1至99.9999999重量％的量，优选以2至99.999999重量％的量，更优选以5至99.99999重量％的量，特别地是以10至99.99999重量％的量存在。
优选地，该组分L1)是基于组分A)及L1)的总重量以1至99.9999999重量％的量，优选以2至99.999999重量％的量，更优选以5至99.99999重量％的量，特别地是以10至99.99999重量％的量存在。
优选地，通式(L1.1)化合物选自式(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物
其中
X1及X2独立地选自*-(C＝O)-O-、*-(CH2)m-O-或*-(CH2)m-O-(C＝O)-，其中*是连接至脂族或芳族碳环或杂环的连接点，且m具有值0、1或2；及
Rc及Rd独立地选自非支化及支化C1-C12烷基及C2-C12烯基。
优选地，式(I)、(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物中的Rc及Rd部分彼此独立地是非支化或支化C7-C12烷基部分。
优选地，式(I)、(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物中的Rc及Rd部分具有相同含义。
优选地，在式(I)、(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物中，Rc及Rd独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、异壬基、异癸基、2-丙基庚基、正十一烷基及异十一烷基。
优选地，在式(I)、(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物中，都是*-(C＝O)-O-。
特别地，式I.1化合物选自邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二正丙酯、邻苯二甲酸二正丁酯、邻苯二甲酸二烯丙酯及其混合物。
本领域技术人员已知合适的通式(I)及式(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物及其制造方法。化合物长期以来称为增塑剂，也即，用以在诸多塑料中达成所需加工性质或所需性能特征的添加剂。与不同化学结构的醇类形成的邻苯二甲酸二醇酯(I.1)及对苯二甲酸二醇酯(I.2)过去通常用作增塑剂，因为它们具有与PVC的良好相容性及有利的性能特征。短链邻苯二甲酸酯(例如，邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二异丁酯(DIBP)等)也用作胶凝助剂(“快速熔接剂”)。
二烷基环己烷-1,2-二羧酸酯(I.3)可购买或借助本领域中已知的方法制得。通常主要经由相应的邻苯二甲酸酯的环氢化获得1,2-环己烷二羧酸酯。可如上所述借助描述于WO 99/32427中的方法进行环氢化。也借助于WO 2011/082991 A2中的实例描述特别合适的环氢化方法。此外可经由1,2-环己烷二羧酸酯或其合适的衍生物与相应的醇类的酯化获得1,2-环己烷二羧酸酯。可借助本领域技术人员已知的常规方法进行该酯化。
2,5-呋喃二羧酸的酯类(FDCA＝组分I.4)是另一增塑剂分类。R.D.Sanderson等人(J.Appl.Pol.Sci.,1994，第53卷，1785-1793)描述2,5-呋喃二羧酸的酯类的合成及它们作为增塑剂的用途。WO 2012/113608描述2,5-呋喃二羧酸的C5-二烷基酯类，WO 2012/113609描述2,5-呋喃二羧酸的C7-二烷基酯类，WO 2011/023490描述2,5-呋喃二羧酸的C9-二烷基酯类及WO 2011/023491描述2,5-呋喃二羧酸的C10-二烷基酯类。
优选地，式(I.2)化合物选自对苯二甲酸二甲酯、对苯二甲酸二乙酯、对苯二甲酸二正丙酯、对苯二甲酸二正丁酯、对苯二甲酸二烯丙酯及其混合物。
优选地，式(I.3)化合物选自1,2-环己烷二羧酸二甲酯、1,2-环己烷二羧酸二乙酯、1,2-环己烷二羧酸二正丙酯、1,2-环己烷二羧酸二正丁酯、1,2-环己烷二羧酸二烯丙酯及其混合物。
优选地，式(I.4)化合物选自2,5-呋喃二羧酸二甲酯、2,5-呋喃二羧酸二乙酯、2,5-呋喃二羧酸二正丙酯、2,5-呋喃二羧酸二正丁酯、2,5-呋喃二羧酸二烯丙酯及其混合物。
优选地，2,5-四氢呋喃二羧酸的式(I.5)二酯类
其中
Rc及Rd独立地选自非支化及支化C1-C12烷基及C2-C12烯基
借助包含以下步骤的方法制备，其中
a)视需要使2,5-呋喃二羧酸或其酐或酰基卤化物与C1-C3烷醇在催化剂的存在下反应以产生2,5-呋喃二羧酸二(C1-C3烷基酯)，
b1)使2,5-呋喃二羧酸或其酐或酰基卤化物，或在步骤a)中获得的2,5-呋喃二羧酸二(C1-C3烷基酯)与至少一种醇Rc-OH(及如果Rc及Rd不同，则也与至少一种醇Rd-OH)在至少一种催化剂的存在下反应以产生式(II.5a)化合物，
c1)使步骤b1)中获得的化合物(I.5a)在至少一种氢化催化剂的存在下被氢氢化以产生通式(I.5)化合物，
或
b2)使2,5-呋喃二羧酸或步骤a)中获得的2,5-呋喃二羧酸二(C1-C3烷基酯)在至少一种氢化催化剂的存在下被氢氢化以产生通式(I.5b)化合物，
c2)使步骤b2)中获得的化合物(I.5b)与至少一种醇Rc-OH(及如果Rc与Rd不同，则也与至少一种醇Rd-OH)在催化剂的存在下反应以产生式(I.5)化合物。
优选地，式(I.5)化合物选自2,5-四氢呋喃二羧酸二甲酯、2,5-四氢呋喃二羧酸二乙酯、2,5-四氢呋喃二羧酸二正丙酯、2,5-四氢呋喃二羧酸二正丁酯、2,5-四氢呋喃二羧酸二烯丙酯及其混合物。
上述方法允许借助两种不同的途径(下文称为变型1及变型2)制造通式(I.5)2,5-四氢呋喃二羧酸酯。
适用于步骤a)中的C1-C3烷醇的实例是甲醇、乙醇、正丙醇及其混合物。
在本发明方法的变型1中，2,5-呋喃二羧酸或步骤a)中获得的2,5-呋喃二羧酸二(C1-C3烷基酯)经历与至少一种醇Rc-OH的酯化或酯交换，及如果Rc与Rd不同，则也经历与至少一种醇Rd-OH的酯化或酯交换以产生式(I.5a)化合物，然后氢化式(II.5a)化合物以产生通式(I.5)化合物(步骤c1))。
在变型2中，首先氢化2,5-呋喃二羧酸或步骤a)中获得的2,5-呋喃二羧酸二(C1-C3烷基酯)以产生2,5-四氢呋喃二羧酸，或分别地，产生通式(I.1b)化合物(步骤b2))，及然后使氢化产物与至少一种醇Rc-OH反应，及如果Rc及Rd不同，则也与至少一种醇Rd-OH反应以产生通式(I.5)化合物(步骤c2))。
可使用本领域技术人员已知的常规方法以将2,5-呋喃二羧酸(FDCA)或2,5-四氢呋喃二羧酸转化为相应的通式(I.5)、(I.5a)及(I.5b)酯类化合物。其中包括至少一种选自C1-C3-烷醇或选自醇类Rc-OH的醇组分的反应，及分别地，Rd-OH与FDCA或其合适的衍生物反应。合适的衍生物的实例是酰基卤化物及酐。优选的酰基卤化物是酰基氯化物。可使用的酯化催化剂是常规针对此目的使用的催化剂，例如，无机酸(诸如硫酸及磷酸)；有机磺酸(诸如甲磺酸及对甲苯磺酸)；两性催化剂，特别地钛化合物、锡(IV)化合物或锆化合物，(例如)四烷氧基钛化合物、(例如)丁氧基钛及氧化锡(IV)。可借助常规措施(例如，蒸馏)移除反应期间产生的水。WO 02/038531描述一种用于制造酯类的方法，其中a)在酯化催化剂的存在下于反应区域中将基本上由酸组分或其酐组成及基本上由醇组分组成的混合物加热至沸点，b)分馏含有醇及水的蒸气以产生富醇馏份及富水馏份，c)该富醇馏份返回至反应区域，及该富水馏份自该过程中排出。使用的酯化催化剂是上述催化剂。使用有效量的酯化催化剂及该有效量通常是基于酸组分(或酐)及醇组分整体而在0.05至10重量％，优选0.1至5重量％的范围内。借助于US 6,310,235、US 5,324,853、DE-A 2612355(Derwent AbstractNo.DW 77-72638 Y)或DE-A 1945359(Derwent Abstract No.DW 73-27151 U)中的实例发现进行酯化方法的其他详细说明。上述文献的全部内容以引用的方式并入本文中。
通常可在环境压力下或在减压下或在高压下进行酯化。优选在环境压力下或在减压下进行酯化。
可在无任何附加溶剂的情况下进行酯化或在有机溶剂的存在下进行酯化。
如果在溶剂存在的情况下进行酯化，则优选地，所用的有机溶剂在反应条件下惰性。其中，实例为脂族烃类、卤化脂族烃类及芳族及取代的芳族烃类及酯类。优选地，该溶剂是选自戊烷、己烷、庚烷、轻汽油(ligroin)、石油醚、环己烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷、苯、甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯、二丁基醚、THF、二噁烷及其混合物的溶剂。
通常在50至250℃的温度范围内进行酯化。
如果酯化催化剂选自有机酸或无机酸的催化剂，则通常在50至160℃的温度范围内进行该酯化。
如果酯化催化剂是选自两性催化剂的催化剂，则通常在100至250℃的温度范围内进行该酯化。
可在不存在或存在惰性气体的情况下进行该酯化。
本领域技术人员已知的常规方法也可用于2,5-呋喃二羧酸二(C1-C3烷基酯)，及分别地，2,5-四氢呋喃二羧酸二(C1-C3烷基酯)的步骤b1)及c2)中描述的反应，以产生相应的酯类化合物II.5a，及分别地是II.5。其中包括二(C1-C3)烷基酯类与至少一种C7-C12烷醇或其混合物在合适的酯交换催化剂的存在下的反应。
可使用的酯交换催化剂是通常用于酯交换反应中的常规催化剂，其中这些催化剂大多也用于酯化反应中。其中，实例为无机酸(诸如硫酸及磷酸)；有机磺酸(诸如甲磺酸及对甲苯磺酸)；及来自以下各物质的特定金属催化剂：来自锡(IV)催化剂的组，例如，二羧酸二烷基锡，诸如二乙酸二丁基锡、三烷基锡烷氧化物、单烷基锡化合物(诸如单丁基锡二氧化物)、锡盐(诸如乙酸锡)或锡氧化物；来自钛催化剂的组：单体及聚合钛酸酯及钛螯合物，例如原钛酸四乙酯、原钛酸四丙酯、原钛酸四丁酯、三乙醇胺钛酸酯；来自锆催化剂的组：锆酸酯及锆螯合物，例如，锆酸四丙酯、锆酸四丁酯、三乙醇胺锆酸酯；及锂催化剂，诸如锂盐、锂烷氧化物；及乙酰丙酮铝(III)、乙酰丙酮铬(III)、乙酰丙酮铁(III)、乙酰丙酮钴(II)、乙酰丙酮镍(II)及乙酰丙酮锌(II)。
所用酯交换催化剂的量是0.001至10重量％，优选0.05至5重量％。优选将反应混合物加热至反应混合物的沸点，反应温度因此取决于反应物而是20℃至200℃。
酯交换可在环境压力下或在减压或高压下发生。优选地，在0.001至200巴，特别是0.01至5巴的压力下进行酯交换。优选借助蒸馏连续移除在酯交换期间消除的相对低沸点醇以移动酯交换反应的平衡。出于此目的而必需的蒸馏塔通常直接连接至酯交换反应器，及优选地，该塔直接附接至该酯交换反应器。如果串连使用多个酯交换反应器，则反应器中的每一个可具有蒸馏塔，或优选可借助于一或多个收集管线将经蒸发的醇混合物自酯交换反应器序列的最终槽引入蒸馏塔中。优选将于该蒸馏中回收的相对高沸点醇返回至酯交换反应中。
可在不存在或存在添加的有机溶剂的情况下进行酯交换。优选地，在惰性有机溶剂的存在下进行酯交换。合适的有机溶剂是那些上述用于酯化的。其中特别是甲苯及THF。
优选在50至200℃的温度范围内进行酯交换。
可在不存在或存在惰性气体的情况下进行酯交换。
本领域技术人员可获得在本发明的步骤c1)及b2)中进行的用于呋喃环的双键的氢化的许多方法及催化剂及这些举例来说也可用于芳族多羧酸的酯类(实例是邻苯二甲酸酯、间苯二甲酸酯及对苯二甲酸酯)的氢化中。以实例说明，描述于WO 99/032427中的环氢化方法是合适的。该方法包括在50至250℃下及在20至300巴压力下借助于催化剂的氢化，催化剂单独含有至少一种元素周期表的过渡金属VIII族的金属(例如，铂、铑、钯、钴、镍或钌，优选钌)，或者同时含有至少一种来自元素周期表的过渡金属I或VII族的金属(例如，铜或钌)，催化剂沉积于具有双峰孔分布的中孔氧化铝载体材料上。此外，描述于WO 02/100536中的环氢化方法是合适的。该方法包括使用位于作为载体的无定形二氧化硅上的钌催化剂的氢化。其他合适的方法描述于下列文献中：EP-A 1266882-Use of a nickel/magnesium oxide on kieselguhr catalyst、WO 03/029181-Use of a nickel/zinc onsilicon dioxide catalyst、WO 03/029168-Use of a palladium/ZnO on Al2O3catalystand of a ruthenium/ZnO onα-Al2O3catalyst或WO 04/09526-Use of a ruthenium ontitanium dioxide catalyst。其他合适的催化剂同样是阮内催化剂，优选阮内镍。除那些上文已提及的外，其他合适的载体材料的实例是二氧化锆(ZrO2)、硫酸化二氧化锆、碳化钨(WC)、二氧化钛(TiO2)、硫化碳、活性炭、磷酸铝、铝硅酸盐或磷酸化氧化铝或其组合。
可类似已知氢化方法发生氢化以氢化具有可氢化基团的有机化合物。为此，使呈液相或气相的形式，优选呈液相的形式的有机化合物与催化剂在氢的存在下接触。该液相可例如通过催化剂的流化床(流化床方法)或可通过催化剂的固定床(固定床方法)。
该氢化通常在高氢压力下进行。优选为在2至500巴，优选在10至300巴的范围内的氢压力。
优选地，在于氢化条件下呈惰性的有机溶剂的存在下发生该氢化。合适的溶剂是那些先前针对酯化定义的。具体而言，使用乙醚，例如，THF或二亚烷基二醇或其单醚或二醚(例如，乙二醇二甲醚)。
该氢化优选在20至350℃，特别优选50至300℃的范围内的温度下进行。
用于氢化的氢量通常是理论上呋喃环完全氢化所需的化学计量的氢量的1至15倍。
特别地，式(L1)化合物选自邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二正丙酯、邻苯二甲酸二正丁酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、硫酸二甲酯、苯甲酸乙酯、水杨酸乙酯、苯乙酮、碳酸亚丙酯、N-甲基吡咯啶酮、四氢化萘、1,2-二氯苯及其混合物。
优选的苯甲酸烷基酯L1.2)在烷基链中具有1至30个碳原子，更优选1至20个碳原子，特别地是2至10个碳原子，特别是2至6个碳原子。特别地，苯甲酸烷基酯L1.2)选自苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸正丙酯及苯甲酸正丁酯、苯甲酸正戊酯、苯甲酸正己酯。特别优选是苯甲酸乙酯。
合适的羟基苯甲酸酯L1.3)是邻羟基苯甲酸(水杨酸)、间羟基苯甲酸及对羟基苯甲酸(对羟苯甲酸)的烷基酯。优选的酯L1.3)在烷基链中具有1至30个碳原子，更优选1至20个碳原子，特别地是2至10个碳原子，特别是2至6个碳原子。特别地，酯L1.3)选自水杨酸甲酯、水杨酸乙酯、水杨酸正丙酯及水杨酸正丁酯。特别优选是水杨酸乙酯。
优选的碳酸亚烷基酯L1.4)是碳酸亚乙酯及碳酸亚丙酯。特别优选是碳酸亚丙酯。
优选的脂族芳酮L1.5)是苯乙酮、2-乙酰基甲苯、3-乙酰基甲苯、4-乙酰基甲苯、苯丙酮、苯丁酮、苯戊酮及苯己酮。特别优选是苯乙酮。
优选的含有环脂族环的多环烃L1.8)是四氢化萘、十氢化萘及茚满。特别优选是四氢化萘。
合适的二氯苯L1.9)是1,2-、1,3-及1,4-二氯苯。特别优选是1,2-二氯苯。
溶剂L2)
在某些实施方案中，本发明组合物含有选自不同于组分B)的有机溶剂及不同于组分L1)的有机溶剂的混合物的共溶剂L2)。
优选地，该有机半导体A)在20°L2下于组分L1)及L2)的混合物中具有至少0.1mg/ml的溶解度。
优选地，该有机半导体A)在20°L2下单独于组分L2)中具有至少0.1mg/ml的溶解度。
优选地，该组分L1)基于组分L1)及L2)的总重量以0.1至100重量％的量，优选以1至100重量％的量，更优选以10至100重量％的量，特别地是以50至100重量％的量存在。
优选地，该组分L2)基于组分L1)及L2)的总重量以99.9重量％的量，优选以0至99重量％的量，更优选以0至90重量％的量，特别地是以0至50重量％的量存在。
如果本发明组合物含有共溶剂L2)，则该量基于组分L1)及L2)的总重量优选0.1至99.9重量％，更优选1至99重量％，特别地是2至90重量％，特别是3至50重量％。
优选地，该共溶剂L2)选自
-不同于L1.8)的脂族、环脂族及芳族烃类，
-芳族醚类，
-开链脂族醚类、聚醚类、醚醇类及环醚类，
-不同于L1.5)的酮类，
-不同於L1.2)、L1.3)及L1.4)的酯类，
-脂族及环脂族醇类，
-基于苯的醇类，
-卤化芳族化合物，
-苯硫酚及烷硫基取代的苯，
-含有稠合至5、6或7员环杂烷基的苯基的芳族化合物，
-5员杂芳基化合物及苯并稠合的5员杂芳基化合物，
-芳族羧酸，
-芳族醛类，
-三氟甲基取代的苯化合物，
-氰基取代的或异氰基取代的苯化合物，
-硝基取代的苯化合物，
-苯砜，
-6员杂芳基化合物或苯并稠合的6员杂芳基化合物，
-5员杂芳基化合物及苯并稠合的5员杂芳基化合物，
-不同于L6)及L7)的非质子性极性溶剂及
-其混合物。
优选的脂族、环脂族及芳族烃类L2选自正戊烷、正己烷、正庚烷、轻汽油、环己烷、甲基环己烷、苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、异丙苯、1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、1,3,5-三甲基苯、三甲苯、1-甲基萘、2-甲基萘、1-乙基萘、2-乙基萘、茚及其混合物。
优选的芳族醚类是苯甲醚(甲基苯基醚)、乙氧基苯(苯乙醚)、丙氧基苯、异丙氧基苯、丁氧基苯、1-甲氧基萘、2-甲氧基萘、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、2-乙基苯甲醚、3-乙基苯甲醚、4-乙基苯甲醚、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、2,5-二甲基苯甲醚、2,6-二甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、1,2-二甲氧基苯(藜芦醚)、1,3-二甲氧基苯、1,4-二甲氧基苯、1-乙氧基-4-甲氧基苯、1-乙氧基-3-甲氧基苯、1-乙氧基-2-甲氧基苯、1,2-二乙氧基苯、1,3-二乙氧基苯、1,4-二乙氧基苯、2,3-二甲氧基甲苯、2,4-二甲氧基甲苯、2,5-二甲氧基甲苯、2,6-二甲氧基甲苯、3,4-二甲氧基甲苯、3,5-二甲氧基甲苯、4-乙氧基甲苯、3-乙氧基甲苯、2-乙氧基甲苯、1-乙氧基-2-乙基苯、1-乙氧基-3-乙基苯、1-乙氧基-4-乙基苯、1-(甲氧基甲氧基)苯、(2-甲氧基乙氧基)苯、(3-甲氧基丙氧基)苯及其混合物。优选的共溶剂C)是苯甲醚。
优选的开链脂族醚类、聚醚类、醚醇类及环醚类是乙醚、丙醚、异丙醚、甲基叔丁基醚、乙二醇单甲醚、乙二醇二甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇二乙醚、丙二醇单甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚(＝双(2-甲氧基乙基)醚)、四氢呋喃、四氢吡喃、1,4-二噁烷、吗啉及其混合物。
优选的酮类L2是丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、乙基正戊基酮、二异丁基酮、环己酮、戊烷-2,4-二酮(乙酰丙酮)及其混合物。优选的共溶剂L2)是乙酰丙酮、苯乙酮及其混合物。
优选的酯类L2是乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸叔丁酯、乙酸异丁酯、乙酸异戊酯、乙酸己酯、丙酸甲酯、丁酸乙酯、乳酸乙酯、碳酸二乙酯、甘油三乙酸酯、甲酸苯酯、乙酸苯酯、乙酸邻甲酚酯、乙酸对甲酚酯、乙酸间甲酚酯、乙酸2-甲氧基苯酯、乙酸3-甲氧基苯酯及乙酸4-甲氧基苯酯、苯甲酸苄酯、己二酸双(2-乙基己酯)、2-甲基苯甲酸甲酯、3-甲基苯甲酸甲酯、4-甲基苯甲酸甲酯、2-氯苯甲酸甲酯、3-氯苯甲酸甲酯、4-氯苯甲酸甲酯、4-氟苯甲酸甲酯、3-氟苯甲酸甲酯、2-氟苯甲酸甲酯、2-甲基苯甲酸乙酯、3-甲基苯甲酸乙酯、4-甲基苯甲酸乙酯、4-氯苯甲酸乙酯、3-氯苯甲酸乙酯、2-氯苯甲酸乙酯、2-氟苯甲酸乙酯、3-氟苯甲酸乙酯、4-氟苯甲酸乙酯、4-溴苯甲酸甲酯、3-溴苯甲酸甲酯、2-溴苯甲酸甲酯及其混合物。
优选的脂族及环脂族醇类是甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、戊醇混合物、正己醇、环己醇、乙二醇、丙二醇、乙二醇、二乙二醇及其混合物。
在优选的基于苯的醇类中，该苯基可被羟基直接取代，或该苯基可被烷基、烷氧基、烷硫基、或胺基取代，其中该烷基、烷氧基、烷硫基或胺基被羟基取代。基于苯的醇类的实例包含苯酚；甲酚(邻甲酚、间甲酚、对甲酚)；2-甲氧基苯酚、3-甲氧基苯酚、4-甲氧基苯酚、4-胺基苄基醇；2-苯氧基乙醇；3-苯氧基-1-丙醇；4-苯氧基-1-丁醇；5-苯氧基-1-庚醇；6-苯氧基-1-己醇；2-(2-甲基苯氧基)乙-1-醇；2-(3-甲基苯氧基)乙-1-醇；2-(4-甲基苯氧基)乙-1-醇；苯氧基甲醇；1-苯氧基乙醇；1-苯氧基丙醇；1-苯氧基丁醇；2-(2-甲氧基苯氧基)乙-1-醇、2-(3-甲氧基苯氧基)乙-1-醇；2-(4-甲氧基苯氧基)乙-1-醇；2-(2-甲基苯氧基)乙醇、2-(3-甲基苯氧基)乙醇、2-(4-甲基苯氧基)乙醇、2-(4-甲氧基苯氧基)乙醇、2-(3-甲氧基苯氧基)乙-1-醇、2-(2-甲氧基苯氧基)乙-1-醇及其混合物。
优选的卤化芳族化合物选自氯苯、1,2-二氯苯、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、4-氯甲苯、3-氯苯、2-氯甲苯、氟苯、1,2-二氟苯、1,3-二氟苯、1,4-二氟苯、1-氯萘、2-氯萘、1-氟萘、2-氟萘、2-氯苯甲醚、3-氯苯甲醚、4-氯苯甲醚、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、2-氟苯甲醚及其混合物。
苯硫酚的实例包含苯硫酚、2-甲苯硫酚、3-甲苯硫酚、4-甲苯硫酚、2-乙基苯硫酚、3-乙基苯硫酚、4-乙基苯硫酚、2,6-二甲基苯硫酚、2,5-二甲基苯硫酚、2,4-二甲基苯硫酚、2,3-二甲基苯硫酚及2-异丙基苯硫酚。烷硫基取代的苯的实例包含苯基甲基硫醚、(乙硫基)苯、2-甲基苯基甲基硫醚、3-甲基苯基甲基硫醚、4-甲基苯基甲基硫醚、4-甲氧基苯基甲基硫醚、3-甲氧基苯基甲基硫醚、2-甲氧基苯基甲基硫醚。
含有稠合至5、6或7员环杂烷基的苯基的合适的芳族化合物包含吲哚啉及取代的吲哚啉，诸如7-甲基吲哚啉、5-甲基吲哚啉及6-甲基吲哚啉；1,2,3,4-四氢喹啉；6-甲基-3,4-二氢-2H-1-苯并吡喃；苯并二氧杂环戊烯及取代的苯并二氧杂环戊烯，诸如1,3-苯并二氧杂环戊烯、2-甲基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、2-乙基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、5-羟基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、5-甲基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、5-甲氧基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、5-甲基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、5-乙基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、4-羟基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、4-甲基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、4-乙基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、4-甲氧基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、2,2-二甲基-1,3-苯并二氧杂环戊烯、3,4-亚甲基二氧基甲苯及4-甲基-2H-1,3-苯并二氧杂环戊烯；二氢苯并呋喃及取代的二氢苯并呋喃，诸如2,3-二氢苯并呋喃、2,3-二氢-2-甲基苯并呋喃、6-甲基-2,3-二氢苯并呋喃及5-甲基-2,3-二氢苯并呋喃；4H-苯并吡喃、二氢苯并吡喃、7-甲基二氢苯并吡喃、8-甲基二氢苯并吡喃及2,3-二氢苯并[b]噻吩。
合适的5员杂芳基化合物及苯并稠合的5员杂芳基化合物是噻吩、2-甲基噻吩、3-甲基噻吩、呋喃、3-甲基呋喃、2-甲基呋喃、吡咯、N-甲基吡咯、N-乙基吡咯、1,2-二甲基-1H-吡咯、1,3-二甲基-1H-吡咯、2-甲氧基呋喃、3-甲氧基呋喃、3-甲氧基噻吩、2-甲氧基噻吩、2-甲硫基呋喃、3-甲硫基呋喃、3-甲硫基噻吩、2-甲硫基噻吩、2-N,N-二甲基胺基-噻吩、3-甲氧基-1-甲基-1H-吡咯、2-甲氧基-1-甲基-1H-吡咯、苯并呋喃、6-甲基苯并呋喃、苯并噻吩及6-甲基苯并噻吩。
合适的芳族羧酸是苯甲酸、邻甲基苯甲酸、间甲基苯甲酸、对甲基苯甲酸、4-氯苯甲酸、3-氯苯甲酸、2-氯苯甲酸、2-氟苯甲酸、3-氟苯甲酸、4-氟苯甲酸及其混合物。
合适的芳族醛类是苯甲醛、2-甲基苯甲醛、3-甲基苯甲醛、4-甲基苯甲醛、4-乙基苯甲醛、3-乙基苯甲醛、2-乙基苯甲醛、2-氯苯甲醛、3-氯苯甲醛、4-氯苯甲醛、4-氟苯甲醛、3-氟苯甲醛、2-氟苯甲醛、2-溴苯甲醛、3-溴苯甲醛及4-溴苯甲醛。
合适的三氟甲基取代的苯化合物是三氟甲苯、2-甲基三氟甲苯、3-甲基三氟甲苯、4-甲基三氟甲苯、4-氯三氟甲苯、3-氯三氟甲苯、2-氯三氟甲苯、2-氟三氟甲苯、3-氟三氟甲苯、4-氟三氟甲苯、4-溴三氟甲苯、3-溴三氟甲苯、2-溴三氟甲苯、2-三氟甲基苯甲酸甲酯、3-三氟甲基苯甲酸甲酯、4-三氟甲基苯甲酸甲酯、2-三氟甲基苯甲酸乙酯、3-三氟甲基苯甲酸乙酯、4-三氟甲基苯甲酸乙酯及其混合物。
合适的氰基取代或异氰基取代的苯化合物是苄腈、2-甲基苯甲腈、3-甲基苯甲腈、4-甲基苯甲腈、4-氯苄腈、3-氯苄腈、2-氯苄腈、2-氟苄腈、3-氟苄腈、4-氟苄腈、异腈基苯、异腈基2-甲苯、异腈基3-甲苯、异腈基4-甲苯及其混合物。
合适的硝基取代的苯化合物是硝基苯、2-硝基甲苯、3-硝基甲苯、4-硝基甲苯、1-氯-4-硝基苯、1-氯-3-硝基苯、1-氯-2-硝基苯、1-氟-2-硝基苯、1-氟-3-硝基苯、1-氟-4-硝基苯及其混合物。
合适的苯砜是甲基苯砜、乙基苯砜、(丙烷-1-磺酰基)苯、1-甲磺酰基-2-甲基-苯、1-甲磺酰基-3-甲基-苯及1-甲磺酰基-4-甲基-苯。
合适的6员杂芳基化合物或苯并稠合的6员杂芳基化合物是吡啶、2-甲基吡啶、3-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-氯吡啶、3-氯吡啶、4-氯吡啶、4-氟吡啶、3-氟吡啶、2-氟吡啶、2-溴吡啶、3-溴吡啶、4-溴吡啶、4-(三氟甲基)吡啶、3-(三氟甲基)吡啶、2-(三氟甲基)吡啶、2-氰基吡啶、3-氰基吡啶、4-氰基吡啶、4-硝基吡啶、3-硝基吡啶、2-硝基吡啶、2-吡啶甲酸甲酯、3-吡啶甲酸甲酯及4-吡啶甲酸甲酯；吡嗪及取代的吡嗪，诸如甲基吡嗪、2,5-二甲基吡嗪、2,6-二甲基吡嗪、2,3-二甲基吡嗪、2,3,5,6-四甲基吡嗪、2-氯吡嗪、2,5-二氯吡嗪、2,6-二氯吡嗪、2,3-二氯吡嗪、2-氟吡嗪、(三氟甲基)吡嗪、2-吡嗪甲腈、2-硝基吡嗪、吡嗪-2-甲醛、1-吡嗪-2-基-乙酮、1-(吡嗪-2-基)丙-1-酮、甲基吡嗪-2-羧酸酯、吡嗪2-羧酸乙酯、2-溴吡嗪及2-碘吡嗪；哒嗪及取代的哒嗪，诸如3-甲基哒嗪、4-甲基哒嗪、4,5-二甲基哒嗪、3,6-二甲基哒嗪、3-氯哒嗪、4-氯哒嗪、哒嗪-3-甲腈、4-哒嗪甲腈、4-(三氟甲基)哒嗪、3-(三氟甲基)哒嗪、3-硝基哒嗪、哒嗪-3-甲醛、哒嗪-4-甲醛、1-(哒嗪-4-基)乙酮、3-乙酰基哒嗪、甲基哒嗪-3-羧酸酯及甲基哒嗪-4-羧酸酯；四嗪及取代的四嗪，诸如1,2,4,5-四嗪、二甲基-1,2,4,5-四嗪及3,6-二氯-1,2,4,5-四嗪；喹啉及取代的喹诺酮，诸如2-甲基喹啉、3-甲基喹啉、4-甲基喹啉、5-甲基喹啉、6-甲基喹啉、7-甲基喹啉、8-甲基喹啉、2-氯喹啉、3-氯喹啉、4-氯喹啉、5-氯喹啉、6-氯喹啉、7-氯喹啉、8-氯喹啉、2-氟喹啉、3-氟喹啉、4-氟喹啉、5-氟喹啉、6-氟喹啉、7-氟喹啉、8-氟喹啉、2-三氟甲基喹啉、3-三氟甲基喹啉、4-三氟甲基喹啉、5-三氟甲基喹啉、6-三氟甲基喹啉、7-三氟甲基喹啉、8-三氟甲基喹啉、2-硝基喹啉、3-硝基喹啉、4-硝基喹啉、5-硝基喹啉、6-硝基喹啉、7-硝基喹啉、8-硝基喹啉、2-乙酰基喹啉、3-乙酰基喹啉、4-乙酰基喹啉、5-乙酰基喹啉、6-乙酰基喹啉、7-乙酰基喹啉、8-乙酰基喹啉、2-氰基喹啉、3-氰基喹啉、4-氰基喹啉、5-氰基喹啉、6-氰基喹啉、7-氰基喹啉、8-氰基喹啉、2-喹啉羧酸甲酯、3-喹啉羧酸甲酯、4-喹啉羧酸甲酯、5-喹啉羧酸甲酯、6-喹啉羧酸甲酯、7-喹啉羧酸甲酯、8-喹啉羧酸乙酯、2-喹啉羧酸乙酯、3-喹啉羧酸乙酯、4-喹啉羧酸乙酯、5-喹啉羧酸乙酯、6-喹啉羧酸乙酯、7-喹啉羧酸乙酯、8-喹啉羧酸乙酯、2-喹啉甲醛、3-喹啉甲醛、4-喹啉甲醛、5-喹啉甲醛、6-喹啉甲醛、7-喹啉甲醛、8-喹啉甲醛、1-(2-喹啉基)-乙酮、1-(3-喹啉基)-乙酮、1-(4-喹啉基)-乙酮、1-(5-喹啉基)-乙酮、1-(6-喹啉基)-乙酮、1-(7-喹啉基)-乙酮及1-(8-喹啉基)-乙酮；喹噁啉及取代的喹噁啉，诸如2-甲基喹噁啉、5-甲基喹噁啉、6-甲基喹噁啉、2-氯喹噁啉、5-氯喹噁啉、6-氯喹噁啉、2-氟喹噁啉、5-氟喹噁啉、6-氟喹噁啉、2-氰基喹噁啉、5-氰基喹噁啉、6-氰基喹噁啉、2-硝基喹噁啉、5-硝基喹噁啉、6-硝基喹噁啉、2-三氟甲基喹噁啉、5-三氟甲基喹噁啉、6-三氟甲基喹噁啉、2-喹噁啉羧酸甲酯、5-喹噁啉羧酸甲酯、6-喹噁啉羧酸甲酯、2-喹噁啉羧酸乙酯、5-喹噁啉羧酸乙酯、6-喹噁啉羧酸乙酯及其混合物。
合适的5员杂芳基化合物及苯并稠合的5员杂芳基化合物是噻唑、2-甲基噻唑、4-甲基噻唑、5-甲基噻唑、2-氯噻唑、4-氯噻唑、5-氯噻唑、2-氟噻唑、4-氟噻唑、5-氟噻唑、2-氰基噻唑、4-氰基噻唑、5-氰基噻唑、2-硝基噻唑、4-硝基噻唑、5-硝基噻唑、1,3-噻唑-2-羧酸甲酯、1,3-噻唑-5-羧酸甲酯、1,3-噻唑-6-羧酸甲酯、1,3-噻唑-2-羧酸乙酯、1,3-噻唑-5-羧酸乙酯、1,3-噻唑-6-羧酸乙酯、2-三氟甲基噻唑、4-三氟甲基噻唑及5-三氟甲基噻唑；咪唑及取代的咪唑，诸如N-甲基咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、5-甲基咪唑、2-氯咪唑、4-氯咪唑、5-氯咪唑、2-氟咪唑、4-氟咪唑、5-氟咪唑、2-氰基咪唑、4-氰基咪唑、5-氰基咪唑、2-硝基咪唑、4-硝基咪唑、5-硝基咪唑、咪唑-2-羧酸甲酯、咪唑-5-羧酸甲酯、咪唑-5-羧酸甲酯、咪唑-2-羧酸乙酯、咪唑-4-羧酸乙酯、咪唑-5-羧酸乙酯、2-三氟甲基咪唑、4-三氟甲基咪唑、5-三氟甲基咪唑、2-甲基-N-甲基咪唑、4-甲基-N-甲基咪唑、5-甲基-N-甲基咪唑、2-氯-N-甲基咪唑、4-氯-N-甲基咪唑、5-氯-N-甲基咪唑、2-氟-N-甲基咪唑、4-氟-N-甲基咪唑、5-氟-N-甲基咪唑、2-氰基-N-甲基咪唑、4-氰基-N-甲基咪唑、5-氰基-N-甲基咪唑、2-硝基-N-甲基咪唑、4-硝基-N-甲基咪唑、5-硝基-N-甲基咪唑、N-甲基咪唑-2-羧酸甲酯、N-甲基咪唑-4-羧酸甲酯、N-甲基咪唑-5-羧酸甲酯、N-甲基咪唑-2-羧酸乙酯、N-甲基咪唑-4-羧酸乙酯、N-甲基咪唑-5-羧酸乙酯、2-三氟甲基-N-甲基咪唑、4-三氟甲基-N-甲基咪唑及5-三氟甲基-N-甲基咪唑；三唑及取代的三唑，诸如4-甲基-1,2,3-三唑、5-甲基-1,2,3-三唑、4-氯-1,2,3-三唑、5-氯-1,2,3-三唑、4-氟-1,2,3-三唑、5-氟-1,2,3-三唑、4-氰基-1,2,3-三唑、5-氰基-1,2,3-三唑、4-硝基-1,2,3-三唑、5-硝基-1,2,3-三唑、1,2,3-三唑-4-羧酸甲酯、1,2,3-三唑-5-羧酸甲酯、1,2,3-三唑-4-羧酸乙酯、1,2,3-三唑-5-羧酸乙酯、4-三氟甲基-1,2,3-三唑、5-三氟甲基-1,2,3-三唑、4-甲基-N-甲基-1,2,3-三唑、5-甲基-N-甲基-1,2,3-三唑、4-氯-N-甲基-1,2,3-三唑、5-氯-N-甲基-1,2,3-三唑、4-氟-N-甲基-1,2,3-三唑、5-氟-N-甲基-1,2,3-三唑、4-氰基-N-甲基-1,2,3-三唑、5-氰基-N-甲基-1,2,3-三唑、4-硝基-N-甲基-1,2,3-三唑、5-硝基-N-甲基-1,2,3-三唑、N-甲基-1,2,3-三唑-4-羧酸甲酯、N-甲基-1,2,3-三唑-5-羧酸甲酯、N-甲基-1,2,3-三唑-4-羧酸乙酯、N-甲基-1,2,3-三唑-5-羧酸乙酯、4-三氟甲基-N-甲基-1,2,3-三唑及5-三氟甲基-N-甲基-1,2,3-三唑；四唑及取代的四唑，诸如N-甲基四唑、5-甲基-四唑、5-甲基-N-甲基-四唑、5-氯-四唑、5-氯-N-甲基-四唑、5-氟-四唑、5-氟-N-甲基-四唑、5-硝基-四唑、5-硝基-N-甲基-四唑、5-氰基-四唑、5-氰基-N-甲基-四唑、5-三氟甲基-四唑、5-三氟甲基-N-甲基-四唑、1H-1,2,3,4-四唑-5-羧酸甲酯、1H-1,2,3,4-四唑-5-羧酸乙酯、1-甲基-1,2,3,4-四唑-5-羧酸甲酯、1-甲基-1,2,3,4-四唑-5-羧酸乙酯、四唑-5-甲醛、1H-四唑-5-甲醛、1-甲基-1-(1-甲基-1H-1,2,3,4-四唑-5-基)乙-1-酮、1-(1H-1,2,3,4-四唑-5-基)乙-1-酮；苯并噻唑及取代的苯并噻唑，诸如2-甲基-苯并噻唑、4-甲基-苯并噻唑、5-甲基-苯并噻唑、6-甲基-苯并噻唑、7-甲基-苯并噻唑、2-氟-苯并噻唑、4-氟-苯并噻唑、5-氟-苯并噻唑、6-氟-苯并噻唑、7-氟-苯并噻唑、2-氯-苯并噻唑、4-氯-苯并噻唑、5-氯-苯并噻唑、6-氯-苯并噻唑、7-氯-苯并噻唑、2-氰基-苯并噻唑、4-氰基-苯并噻唑、5-氰基-苯并噻唑、6-氰基-苯并噻唑、7-氰基-苯并噻唑、2-硝基-苯并噻唑、4-硝基-苯并噻唑、5-硝基-苯并噻唑、6-硝基-苯并噻唑、7-硝基-苯并噻唑、2-三氟甲基-苯并噻唑、4-三氟甲基-苯并噻唑、5-三氟甲基-苯并噻唑、6-三氟甲基-苯并噻唑、7-三氟甲基-苯并噻唑、2-苯并噻唑羧酸甲酯、4-苯并噻唑羧酸甲酯、5-苯并噻唑羧酸甲酯、6-苯并噻唑羧酸甲酯、7-苯并噻唑羧酸甲酯、2-苯并噻唑羧酸乙酯、4-苯并噻唑羧酸乙酯、5-苯并噻唑羧酸乙酯、6-苯并噻唑羧酸乙酯、7-苯并噻唑羧酸乙酯、苯并噻唑-2-甲醛、苯并噻唑-4-甲醛、苯并噻唑-5-甲醛、苯并噻唑-6-甲醛、苯并噻唑-7-甲醛、2-乙酰基苯并噻唑、4-乙酰基苯并噻唑、5-乙酰基苯并噻唑、6-乙酰基苯并噻唑及7-乙酰基苯并噻唑、3,4-二氢萘-1(2H)-酮、8-甲基-3,4-二氢萘-1(2H)-酮、7-甲基-3,4-二氢萘-[(2H)-酮、6-甲基-3,4-二氢萘-1(2H)-酮、5-甲基-3,4-二氢萘-1(2H)-酮、2,3-二氢-1H-茚-1-酮、7-甲基-2,3-二氢-1H-茚-1-酮、6-甲基-2,3-二氢-1H-茚-1-酮、5-甲基-2,3-二氢-1H-茚-1-酮、4-甲基-2,3-二氢-1H-茚-1-酮及其混合物。
合适的非质子性极性溶剂是乙腈、甲酰胺、二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺、(CH3)2SO、二甲基砜、环丁砜、环脲，诸如1,3-二甲基-3,4,5,6-四氢-2(1H)-嘧啶酮(DMPU)、咪唑啉-2-酮及其混合物。
在一特殊实施方案中，本发明组合物含有粘度改性添加剂。合适的粘度改性添加剂是介电质聚合物或半导电聚合物。合适的介电质聚合物是(例如)聚苯乙烯、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺、聚芳醚、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯、聚-2-乙烯基-萘(P2VN)等。优选的粘度改性添加剂是聚苯乙烯。优选地，该粘度改性添加剂在20℃下于组分B)中具有至少0.01mg/ml，优选至少0.05mg/ml的溶解度。优选地，本发明组合物以基于组分B)及粘度改性添加剂的总重量的0.1至30重量％，优选0.2至20重量％的量含有粘度改性添加剂。
本发明组合物允许借助溶液加工自半导体A)制造各种制品、结构或装置。如本文使用，“溶液加工”指各种溶液相方法，包含旋涂、印刷(例如，喷墨印刷、丝网印刷、移印、胶印、凹版印刷、柔版印刷、平版印刷、批量印刷及类似方法)、喷涂、电喷涂、滴涂、浸涂及刮涂。
可有利制造自本发明组合物的制品是电子装置、光学装置及光电子装置。装置包含有机场效晶体管(OFET)(例如，有机薄膜晶体管(OTFT))、有机光伏装置(OPV)、光检测器、有机发光装置(诸如有机发光二极管(OLED)及有机发光敏晶体管(OLET)、互补金属氧化物半导体(CMOS)、互补变换器、二极管、电容器、传感器、D触发器、整流器及环式振荡器。所有制品均可含有沉积自本发明组合物的半导体构件A)。
在本发明的步骤(b)中，将步骤(a)中所提供的溶液施于基板表面以允许溶剂或溶剂混合物的蒸发及有机半导体A)的结晶。
本发明的另一目的是一种用于制造电子装置、光学装置或光电子装置的方法，其包括：
(a)提供一种至少一种有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液，其中该溶剂(L1)具有
-在1013.25毫巴下至少140℃的沸点，
-在23℃下至少1.2mPas的粘度，及
-在20℃下至少31.5mN/m的表面张力。
(b)将步骤(a)中所提供的溶液施于基板表面以允许该溶剂或溶剂混合物的蒸发及有机半导体A)的结晶，
其中步骤b)中所提供的基板是电子装置、光学装置或光电子装置的基板或其中将步骤b)中所形成的晶体转移至电子装置、光学装置、光电子装置或传感器。
可借助印刷(包含，喷墨印刷)及各种接触式印刷技术(例如，丝网印刷、凹版印刷、胶印、移印、平版印刷、柔版印刷及微接触式印刷)进行沉积步骤b)。在其他实施方案中，可借助旋涂、滴涂、区域铸造、狭缝式涂覆、浸涂、刮涂或喷涂进行该沉积步骤。
优选地，在步骤(b)中，借助印刷将步骤(a)中的提供组合物施于该基板的至少一部分表面上。
本发明的方法中可使用各种基板。基板可由几乎任何在本发明的方法的过程下稳定的材料制成。因此，该基板可包含有机及无机材料或复合材料。合适的基板原则上是出于此目的已知的所有材料。合适的基板包含(例如)氧化性材料、金属、半导体、金属合金、半导体合金、聚合物、无机固体、纸及其组合。
合适的基板优选选自SiO2、无机玻璃、石英、陶瓷、未掺杂或掺杂的有机半导体、周期表的8、9、10或11族的金属及其金属合金、聚合材料、填充聚合材料及其组合。
优选的金属及金属合金基板含有Au、Ag、Cu等。优选的未掺杂或掺杂的有机半导体是Si、掺杂Si、Ge及掺杂Ge。优选的聚合材料选自丙烯酸类树脂、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚烯烃、聚苯乙烯均聚合物及共聚物、聚酮、聚(氧-1,4-亚苯氧基-1,4-亚苯基羰基-1,4-亚苯基(有时称为聚(醚醚酮)或PEEK)、聚降冰片烯、聚苯醚、聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)、聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、聚(苯硫醚)(PPS)、氟聚合物、聚氨酯、纤维增强塑料(FRP)及其组合。
特别优选的基板选自Si、SiO2、玻璃、石英、陶瓷及其组合。该基板可以是挠性或非挠性的并取决于所需的用途而具有弯曲或平面形状。
在一特殊实施方案中，该基材的至少表面含有至少一种介电质或由至少一种介电质组成。合适的介电质选自无机介电质材料、聚合介电质材料及其组合。合适的无机介电质材料是SiO2、Al2O3、ZrO2、HfO2、TaO5、WO3SiO3N4、RbBr、LiF、BaTiO3、PbTiO3及其混合物。合适的聚合介电质材料是聚苯乙烯、聚-α-甲基苯乙烯、聚烯烃(诸如聚丙烯、聚乙烯、聚异丁烯)、聚乙烯基咔唑、氟化聚合物(例如，Cytop、CYMM)、氰基聚三葡萄糖、聚乙烯苯酚、聚对二甲苯、聚氯乙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)/三羟甲基丙烷三丙烯酸酯共聚物等及其组合。特定的介电质是“自组装纳米介电质”(也即，获得自含有SiCl官能的单体例如Cl3SiOSiCl3、Cl3Si-(CH2)6-SiCl3、Cl3Si-(CH2)12-SiCl3)和/或借助大气湿度或借助添加以溶剂稀释的水交联的聚合物(参见，例如，Facchetti Adv.Mat.2005,17,1705-1725)。也可以诸如聚乙烯苯酚或聚乙烯醇或乙烯苯酚与苯乙烯的共聚物的含羟基聚合物代替水充当交联组分。至少一种其他聚合物也可能存在于交联操作期间，例如，聚苯乙烯，其然后也可经交联(参见，Facchetti，美国专利申请案第2006/0202195号)。
表面改性
可于组分A)沉积前改性基板和/或介电质的表面。如前所述，该基板的性质及其表面改性可影响晶体于该基板表面的沉积及所得电子装置的电性质。
在一特殊实施方案中，在化合物A)沉积前改性基板和/或介电质的表面，从而导致形成改性所用的化合物的自组装单层(SAM)。
在另一变型中，自组装单层(SAM)仅覆盖部分基板。SAM导致表面能及润湿性质变化。不受理论束缚，此可有利于达成化合物A)的形态的横向结构化。
在化合物A)沉积前改性基板和/或介电质的表面可(例如)有助于形成结合半导体材料的区域和/或无半导体材料可沉积的区域。此外，基板和/或介电质表面的改性对所获半导体的性质(例如，其电荷传输迁移率、开关比率等)具有影响。
适用于表面改性的化合物是：
-硅烷，诸如烷基三氯硅烷，例如，正十八烷基三氯硅烷(OTS)；具有三烷氧基硅烷基团的化合物，例如，烷基三烷氧基硅烷，诸如正十八烷基三甲氧基硅烷、正十八烷基三乙氧基硅烷、正十八烷基三(正丙基)氧基硅烷、正十八烷基三(异丙基)氧基硅烷；三烷氧基胺基烷基硅烷，诸如三乙氧基胺基丙基硅烷及N[(3-三乙氧基硅基)丙基]乙二胺；三烷氧基烷基3-缩水甘油醚硅烷，诸如三乙氧基丙基3-缩水甘油醚硅烷；三烷氧基烯丙基硅烷，诸如烯丙基三甲氧基硅烷；三烷氧基(异氰酸基烷基)硅烷；三烷氧基硅基(甲基)丙烯酰氧基烷烃及三烷氧基硅基(甲基)丙烯酰胺基烷烃，诸如1-三乙氧基硅基-3-丙烯酰氧基丙烷，
-膦酸，例如，4-乙氧基苯基膦酸，
-羧酸，
-羟肟酸，
-胺类，
-膦类，
-含硫化合物，特别是硫醇，及
-其混合物。
用于表面改性的化合物优选选自烷基三氯硅烷、烷基三烷氧基硅烷、六烷基二硅氮烷、C8-C30-烷基硫醇、巯基羧酸、巯基磺酸及其混合物。
在一特殊实施方案中，用于表面改性的化合物选自正十八烷基三氯硅烷(OTS)、正十八烷基三甲氧基硅烷、正十八烷基三乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷(HMDS)、4-乙氧基苯基膦酸、十六烷硫醇、巯基乙酸、3-巯基丙酸、巯基琥珀酸及3-巯基-1-丙烷磺酸、3-巯基丙酸、巯基琥珀酸、3-巯基-1-丙烷磺酸及巯基乙酸的碱金属及铵盐及其混合物。
为以过多官能基改性该基板的表面，可用酸或碱将其活化。此外，可借助氧化、电子束照射或借助等离子体处理活化该基板的表面。此外，上述含有官能基的物质可施于该基板的表面，例如，经由自溶液沉积、物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)。
本发明组合物有利地适用于制造有机场效晶体管。可使用其例如用于制造其中迄今为止已使用通常n通道MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)的集成电路(IC)。这些随后是类似CMOS的半导体单元，例如用于微处理器、微控制器、静态RAM及其他数字逻辑电路。制造自本发明组合物的OFET特别适用于显示器(具体而言，大表面积和/或挠性显示器)、RFID标签、智能型标记及传感器中。
本文的一方面涉及合并制造自本发明组合物的半导体构件的有机场效晶体管的制造。OFET通常含有具有至少一个包含栅电极与门介电质、源电极及漏电极及与该源电极及该漏电极及该栅介电质接触的半导体材料的栅结构的基板。
特定实施方案是具有有机场效晶体管的图案(表面布局)的基板，每个晶体管含有
-布置于该基板上的有机半导体；
-用于控制导电通道的导电性的栅结构；及
-在该通道两端的导电源电极及漏电极。
任何介电质材料适合作为缓冲层，例如，无机材料(诸如LiF、AlOx、SiO2或氮化硅)或有机材料(聚酰亚胺或聚丙烯酸酯，例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))。
另一特定实施方案是具有有机场效晶体管图案的基板，每个晶体管形成集成电路或成为集成电路的一部分及优选借助有机半导体自本发明组合物的沉积制造至少晶体管中的一些。
合适的基板是上文提及的那些。用于半导体单元的典型基板含有一种基材(例如，硅、石英或聚合物基材)及视需要的介电质顶层。合适的介电质是上文提及的那些，其中SiO2特别优选。
该基板可额外具有电极，诸如OFET的栅电极、漏电极及源电极，它们通常位于基板上(例如，沉积于其上或嵌入于介电质上的非导电层内)。该基板可额外含有OFET的导电栅电极，它们通常配置于介电质顶层(即，栅介电质)下。
在一特定实施方案中，绝缘体层(栅绝缘层)存在于基板表面的至少一部分上。该绝缘体层含有至少一个绝缘体，该绝缘体优选选自无机绝缘体(诸如SiO2、氮化硅(Si3N4)等)、铁电绝缘体(诸如Al2O3、Ta2O5、La2O5、TiO2、Y2O3等)、有机绝缘体(诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯等)及其组合。
适用于源电极及漏电极的材料原则上是导电性材料。这些包含金属，优选周期表的6、7、8、9、10或11族的金属，诸如Pd、Au、Ag、Cu、Al、Ni、Cr等。也合适的材料是导电性聚合物，诸如PEDOT(＝聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)):PSS(＝聚(苯乙烯磺酸盐))、聚苯胺、表面改性的金等。优选的导电性材料具有小于10-3欧姆x米，优选小于10-4欧姆x米，特别是小于10-6或10-7欧姆x米的比电阻。
在一特定实施方案中，漏电极及源电极至少部分存在于有机半导体材料上。应了解该基板可含有如通常用于半导体材料或IC中的其他构件(诸如绝缘体、电阻器、电容器、导体轨道等)。
可借助常规方法诸如蒸发或溅射、胶印法或另一结构化方法(诸如印刷技术)施覆电极。
所得半导体层通常具有足以形成与源电极/漏电极接触的半导体通道的厚度。
半导体构件优选以0.5至1000nm，更优选1.5至250nm的厚度沉积于基板上。
在一优选实施方案中，本发明的场效晶体管是薄膜晶体管(TFT)。在常规构造中，薄膜晶体管具有沉积于基板或缓冲层(该缓冲层是该基板的一部分)上的栅电极、布置于该栅电极上及在该基板上的栅绝缘层、布置于该栅绝缘体层上的半导体层、该半导体层上的欧姆接触层及该欧姆接触层上的源电极与漏电极。
在一优选实施方案中，该基板表面在至少一种通式A)化合物的沉积前经受如上文提及的改性。
各种半导体架构可获得自本发明组合物，例如顶接触、顶栅、底接触、底栅或其他垂直构造，例如VOFET(垂直有机场效晶体管)，如描述于(例如)US 2004/0046182中。
优选的半导体架构如下：
1.基板、介电质、有机半导体，优选栅、介电质、有机半导体、源电极及漏电极，称为“底栅顶接触”；
2.基板、介电质、有机半导体，优选基板、栅、介电质、源电极及漏电极、有机半导体，称为“底栅底接触”；
3.基板、有机半导体、介电质，优选基板、源电极及漏电极、有机半导体、介电质、栅，称为“顶栅底接触”；
4.基板、有机半导体、介电质，优选基板、有机半导体、源电极及漏电极、介电质、栅，称为“顶栅顶接触”。
该层厚度(例如)在半导体中是0.5nm至5μm，在介电质中是30nm至10μm；电极可(例如)是20nm至10μm。也可组合OFET以形成其他构件(诸如环式振荡器或变换器)。
本发明的另一方面是提供电子构件，构件含有多个半导体构件，它们可以是n和/或p型半导体。此类构件的实例是场效晶体管(FET)、双极型晶体管(BJT)、隧道二极管、转换器、发光构件、生物及化学检测器或传感器、温度相关的检测器、光检测器(诸如偏光敏感光检测器)、栅、AND、NAND、NOT、OR、TOR及NOR门、寄存器、开关、定时器单元、静态或动态储存器及其他动态或顺序性、逻辑性或其他数字构件(包含可程序化开关)。
特定的半导体组件是变换器。在数字逻辑中，该变换器是变换输入信号的栅。该变换器也称为NOT门。真实变换器开关具有构成输入电流的相反者的输出电流。TTL开关的典型值是(例如)(0,+5V)。数字变换器的性能再现了电压转移曲线(VTC)，也即，输入电流相对于输出电流的图。理想地，其为分段函数及真实的测量曲线越近似此分段，则变换器越好。
本发明组合物也特别适用于有机光伏装置(OPV)中。本文的一方面涉及制造有机太阳能电池，例如，特征是激发态的扩散(激子扩散)的太阳能电池。在此情况下，所利用的半导体材料中的一者或两者的激发态的扩散(激子迁移率)是显著的。有机太阳能电池通常具有层结构且通常含有至少下列层：阳极、光活性层及阴极。这些层通常施于适用于此目的的基板。有机太阳能电池的架构(例如)于US 2005/0098726及US 2005/0224905中。
代表性有机太阳能电池含有具有至少一个阴极及至少一个阳极的基板及至少一个含有半导体材料的光活性区域。光活性区域可含有两层，每一层具有均匀组合物并形成平面给体受体异质结。光活性区域也可含有混合层并形成给体受体块状异质结形式的给体受体异质结。
适用于有机太阳能电池的基板是上文提及的那些，例如，氧化性材料、聚合物及其组合。优选的氧化性材料选自玻璃、陶瓷、SiO2、石英等。优选的聚合物选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚烯烃(诸如聚乙烯及聚丙烯)、聚酯、氟聚合物、聚酰胺、聚氨酯、聚(甲基)丙烯酸烷基酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯及混合物及复合物。
合适的电极(阴极、阳极)原则上是金属、半导体、金属合金、半导体合金、其纳米线及其组合。优选的金属是那些周期表的2、8、9、10、11或13族的，例如，Pt、Au、Ag、Cu、Al、In、Mg或Ca。优选的半导体是(例如)掺杂Si、掺杂Ge、氧化铟锡(ITO)、氟化氧化锡(FTO)、氧化镓铟锡(GITO)、氧化锌铟锡(ZITO)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT-PSS)等。优选的金属合金是(例如)基于Pt、Au、Ag、Cu等的合金。特定实施方案是Mg/Ag合金。
用于面向光的电极(正常结构中的阳极，反结构中的阴极)的材料优选对入射光至少部分透明的材料。这优选包含具有作为载体材料的玻璃和/或透明聚合物的电极。适合作为载体的透明聚合物是上文提及的那些，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯。通常借助于金属层和/或透明导电氧化物(TCO)实现电接触连接。这些优选包含ITO、掺杂ITO、FTO(掺氟氧化锡)、AZO(掺铝氧化锡)、ZnO、TiO2、Ag、Au、Pt或石墨烯或多层石墨烯或纳米碳管。针对接触连接而特别优选为ITO。就电接触连接而言，也可能使用导电聚合物，(例如)聚-3,4-亚烷基二氧噻吩，例如，聚-3,4-亚乙氧基噻吩聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT)。
将面向光的电极配置成使得其足够薄至引起仅最小光吸收但足够厚至实现被提取的电荷体的良好电荷传输。该电极层(无载体材料)的厚度优选在20至200nm的范围内。
在一特定实施方案中，用于背对光的电极(正常结构中的阴极，反结构中的阳极)的材料是至少部分反射入射光的材料。这包含优选Ag、Au、Al、Ca、Mg、In及其混合物的金属膜。优选的混合物是Mg/Al。该电极层的厚度优选在20至300nm的范围内。
该光活性区域包含至少一个含有有机半导体A)的层或由该至少一个含有有机半导体A)的层组成。除该光活性层外，也可具有一或多种其他层。这些层(例如)选自：
-具有电子传导性质的层(电子传输层，ETL)，
-含有空穴传导材料的层(空穴传输层，HTL)，其无需吸收任何辐射，
-激子及空穴阻挡层(例如，EBL)，其必须不吸收，及
-倍增层。
下文详细描述适用于这些层的材料。
合适的激子及空穴阻挡层描述(例如)于US 6,451,415中。适用于激子阻挡层的材料是(例如)浴铜灵(BCP)、4,4',4”-三[3-甲基苯基-N-苯基胺基]三苯胺(间MTDATA)。
该太阳能电池优选包含至少一个光活性给体受体异质结。有机材料的光学激发产生激子。为发生光电流，必须将通常在两种不同接触材料间的给体受体界面处分离电子空穴对。在此类界面处，给体材料与受体材料形成异质结。当电荷未分离时，它们可于也称为“淬灭”的过程中以辐射方式借助发射能量低于入射光的光或以非辐射方式借助产生热量复合。两种过程都是不希望的。
如果使用至少一种通式(I)化合物作为n型半导体(电子导体，受体)，则其作为太阳能电池的ETM(电子传输材料)使用。然后其可与作为太阳能电池的HTM(空穴传输材料)使用的合适的p型半导体(电子给体材料)组合。空穴传导材料优选含有至少一种具有高电离能的材料。材料可以是有机或无机材料。
合适的HTM是(例如)：
N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基芴，
N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基芴，
N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基芴，
N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2-二甲基联苯胺，
N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-螺二芴，
2,2',7,7'-四(N,N-二苯基胺基)-9,9'-螺二芴，
N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺，
N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺，
N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺，
N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基芴，
N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-螺二芴，
二-[4-(N,N-二甲苯基-胺基)-苯基]环己烷，
2,2',7,7'-四(N,N-二-甲苯基)胺基-螺-二芴，
9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-胺基)苯基]-9H-芴，
2,2',7,7'-四[N-萘基(苯基)-胺基]-9,9-螺二芴，
2,7-双[N,N-双(9,9-螺-二芴-2-基)-胺基]-9,9-螺二芴，
2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)胺基]-9,9-螺二芴，
N,N'-双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺，
N,N,N',N'-四-萘-2-基-联苯胺，
2,2'-双(N,N-二-苯基-胺基)-9,9-螺二芴，
9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-胺基)苯基]-9H-芴，
9,9-双[4-(N,N'-双-萘-2-基-N,N'-双-苯基-胺基)苯基]-9H-芴，
氧化钛酞菁、酞菁铜，
2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-喹啉并二甲烷，
4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-胺基)三苯胺，
4,4',4”-三(N-(2-萘基)-N-苯基-胺基)三苯胺，
4,4',4”-三(N-(1-萘基)-N-苯基-胺基)三苯胺，
4,4',4”-三(N,N-二苯基-胺基)三苯胺，
吡嗪并[2,3-f][1,10]菲绕啉-2,3-二腈，
N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺，
2,7-双[N,N-双(4-甲氧基-苯基)胺基]-9,9-螺二芴，
2,2'-双[N,N-双(4-甲氧基-苯基)胺基]-9,9-螺二芴，
N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基苯-1,4-二胺，
N,N'-二-苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二-甲苯基-胺基)苯基]联苯胺，
N,N'-二-苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二-苯基-胺基)苯基]联苯胺。
聚合空穴传输材料的实例是PEDOT(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺(PTPD)、聚苯胺(PANI)及聚(3-己基噻吩)(P3HT)。
在第一实施方案中，该异质结具有平面构型(参见：Two layer organicphotovoltaic cell,C.W.Tang,Appl.Phys.Lett.,48(2),183-185(1986)或N.Karl,A.Bauer,J.J.Marktanner,M.F.Mol.Cryst.Liq.Cryst.,252,243-258(1994))。
在第二优选实施方案中，该异质结配置为块状(混合)异质结，也称为互穿型给体受体网状结构。具有块状异质结的有机光伏电池是(例如)由C.J.Brabec,N.S.Sariciftci,J.C.Hummelen描述于Adv.Funct.Mater.,11(1),15(2001)中或由J.Xue,B.P.R及S.Uchida及S.R.Forrest描述于J.Appl.Phys.98,124903(2005)中。下文详细描述块状异质结。
本发明组合物可用于制造具有MiM、pin、pn、Mip或Min结构的电池中的光活性材料(M＝金属，p＝p型掺杂有机或无机半导体；n＝n型掺杂有机或无机半导体，i＝有机层的固有导电系统；参见，例如，J.Drechsel等人，Org.Electron.,5(4),175(2004)或Maennig等人，Appl.Phys.A 79,1-14(2004))。
本发明组合物也可用于制造串联电池中的光活性材料。合适的串联电池是(例如)由P.Peumans,A.Yakimov,S.R.Forrest描述于J.Appl.Phys.,93(7),3693-3723(2003)中(也参见US 4,461,922、US 6,198,091及US 6,198,092)并详细描述于下文中。
本发明组合物也可用于制造构造自两个或超过两个层叠的MiM、pin、Mip或Min结构的串联电池中的光活性材料(参见DE 103 13 232.5及J.Drechsel等人，Thin SolidFilms,451452,515-517(2004))。
M、n、i及p层的层厚度通常在10至1000nm，更优选在10至400nm的范围内。可借助本领域技术人员已知的常规方法制造形成太阳能电池的其他层。这些包含在减压下或在惰性气体氛围中的蒸气沉积、激光烧蚀或溶液或分散液加工方法，诸如旋涂、刮涂、浇铸方法、喷涂、浸涂或印刷(例如，喷墨、柔版、平板、凹版；凹雕、纳米印刷)。在一特定实施方案中，借助溶液加工制造整个太阳能电池。
在合适的实施方案中，太阳能电池作为具有平面异质结及正常结构的各个电池存在。在一特定实施方案中，该电池具有下列结构：
-至少部分透明的导电层(顶电极，阳极)(11)
-空穴传导层(12)
-含有给体材料的层(13)
-含有受体材料的层(14)
-激子阻挡层和/或电子传导层(15)
-第二导电层(背电极，阴极)(16)
基本上透明的导电层(11)(阳极)含有载体，诸如玻璃或聚合物(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯)及如上文描述的导电材料。实例包含ITO、掺杂ITO、FTO、ZnO、AZO等。该阳极材料可经历表面处理，例如，以UV光、臭氧、氧等离子体、Br2等进行表面处理。该层(11)应足够薄至实现最大光吸收，但也应足够厚至实现良好电荷传输。该透明导电层(11)的层厚度优选在20至200nm的范围内。
具有正常结构的太阳能电池视需要具有空穴传导层(＝层12)。该层含有至少一种空穴传导材料(空穴传输材料，HTM)。适用于形成具有空穴传导性质的层(HTL)的空穴传导材料(HTM)优选含有至少一种具有高电离能的材料。该电离能优选至少5.0eV，更优选至少5.5eV。材料可以是有机或无机材料。适用于具有空穴传导性质的层的有机材料优选选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT-PSS)、Ir-DPBIC(三-N,N'-二苯基苯并咪唑-2-亚基铱(III))、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-二苯基-4,4'-二胺(α-NPD)、2,2',7,7'-四(N,N-二-对甲氧基苯基胺)-9,9'-螺二芴(螺-MeOTAD)等及其混合物。有机材料可(如果需要)掺杂具有与空穴传导材料的HOMO的相同范围内或低于空穴传导材料的HOMO的LUMO的p型掺杂剂。合适的掺杂剂是(例如)2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰醌二甲烷(F4TCNQ)、WO3、MoO3等。适用于具有空穴传导性质的层中的无机材料优选选自WO3、MoO3等。
如果存在，则具有空穴传导性质的层的厚度优选在5至200nm，更优选10至100nm的范围内。
层(13)含有至少一种给体材料。该层的厚度应足以吸收最大量的光，但足够薄至实现有效分散电荷。该层(13)的厚度优选在5nm至1μm，更优选在5至100nm的范围内。
层(14)含有至少受体材料。该层的厚度应足以吸收最大量的光，但足够薄至实现有效分散电荷。该层(14)的厚度优选在5nm至1μm，更优选在5至80nm的范围内。
合适的给体及受体材料原则上是有机半导体，其中至少一者是沉积自本发明组合物的半导体A)。
具有正常结构的太阳能电池视需要含有激子阻挡层和/或电子传导层(15)(EBL/ETL)。适用于激子阻挡层的材料相较于层(13)和/或(14)的材料通常具有更大的能带距离。它们首先可反射激子及其次实现将电子良好地传输通过该层。用于该层(15)的材料可含有有机或无机材料。合适的有机材料优选选自2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲绕啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲绕啉(Bphen)、1,3-双[2-(2,2'-二吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯(BPY-OXD)等。有机材料可(如果需要)掺杂具有与电子传导材料的LUMO的相同范围内或低于电子传导材料的LUMO的HOMO的n型掺杂剂。合适的掺杂剂(例如)是Cs2CO3、焦宁B(PyB)、罗丹明B、二茂钴等。适用于具有电子传导性质的层中的无机材料优选选自ZnO等。如果存在，则该层(15)的厚度优选在5至500nm，更优选10至100nm的范围内。
层16是阴极且优选含有至少一种具有低功函数的化合物，更优选金属，诸如Ag、Al、Mg、Ca等。该层(16)的厚度优选在约10nm至10μm的范围内(例如，10nm至60nm)。
在另一合适的实施方案中，本发明的太阳能电池作为具有平面异质结及反结构的各个电池存在。
在一特定实施方案中，该电池具有下列结构：
-至少部分透明的导电层(阴极)(11)
-激子阻挡层和/或电子传导层(12)
-含有受体材料的层(13)
-含有给体材料的层(14)
-空穴传导层(15)
-第二导电层(背电极，阳极)(16)
针对用于层(11)至(16)的合适且优选的材料，参考上文关于具有正常结构的太阳能电池中的相应层的说明。
在合适的实施方案中，本发明的太阳能电池是串联电池。
串联电池由两个或超过两个(例如，3、4、5等)个子电池组成。单一子电池，子电池中的一些或所有子电池可具有光活性给体受体异质结。每个给体受体异质结可呈平面异质结的形式或呈块状异质结的形式。根据本发明，至少一个子电池的光活性层制造自本发明组合物。形成串联电池的子电池可以并联或串联方式连接。形成串联电池的子电池优选以串联方式连接。在每一情况下在各个子电池间优选具有额外的复合层。各个子电池具有相同的极性，也即，通常仅具有正常结构的电池或仅具有反结构的电池彼此组合。
此处“子电池”指如上文定义无阴极及阳极的电池。子电池可(例如)在光活性层中全部具有多晶型物2或具有半导体材料的其他组合，例如，C60与酞菁锌、C60与低聚噻吩(诸如DCV5T)。此外，各个子电池也可配置为染料敏化太阳能电池或聚合物电池。
除通式(I.a)及(I.b)化合物外，下列半导体材料也适用于有机光伏装置中：
并苯，诸如蒽、并四苯、并五苯及取代的并苯。取代的并苯含有至少一个选自推电子取代基的取代基(例如，烷基、烷氧基、酯、羧酸酯或硫代烷氧基)、吸电子取代基(例如，卤素、硝基或氰基)及其组合。这些包含2,9-二烷基并五苯及2,10-二烷基并五苯、2,10-二烷氧基并五苯、1,4,8,11-四烷氧基并五苯及红萤烯(5,6,11,12-四苯基并四苯)。合适的取代的并五苯描述于US 2003/0100779及US 6,864,396中。优选的并苯是红萤烯(5,6,11,12-四苯基并四苯)。
酞菁，诸如十六氯酞菁及十六氟酞菁、无金属酞菁及含有二价金属(特别是钛氧基、钒氧基、铁、铜、锌)的酞菁，特别是酞菁铜、酞菁锌及无金属酞菁、十六氯酞菁铜、十六氯酞菁锌、无金属十六氯酞菁、十六氟酞菁铜、十六氟酞菁或无金属十六氟酞菁。
卟啉，例如，5,10,15,20-四(3-吡啶基)卟啉(TpyP)。
液晶(LC)材料，例如六苯并蒄(HBC-PhC12)或其他蒄、蒄二酰亚胺或苯并菲，诸如2,3,6,7,10,11-六己基硫代苯并菲(HTT6)或2,3,6,7,10,11-六(4-正壬基苯基)苯并菲(PTP9)、2,3,6,7,10,11-六(十一烷氧基)苯并菲(HAT11)。特别优选为盘形LC。
噻吩、低聚噻吩及其取代的衍生物。合适的低聚噻吩是四噻吩、五噻吩、六噻吩、α,ω-二(C1-C8)烷基低聚噻吩(诸如α,ω-二己基四噻吩、α,ω-二己基五噻吩及α,ω-二己基六噻吩)、聚(烷基噻吩)，诸如聚(3-己基噻吩)、双(二噻吩并噻吩)、蒽二噻吩；及二烷基蒽二噻吩，诸如二己基蒽二噻吩、亚苯基-噻吩(P-T)低聚物及其衍生物，特别是α,ω-烷基取代的亚苯基-噻吩低聚物。
优选的噻吩、低聚噻吩及其取代的衍生物是聚-3-己基噻吩(P3HT)或αα'-双(2,2-二氰基乙烯基)五噻吩(DCV5T)型化合物、聚(3-(4-辛基苯基)-2,2'-二噻吩)(PTOPT)、聚(3-(4'-(1",4",7"-三氧杂辛基)苯基)噻吩)(PEOPT)、聚(3-(2'-甲氧基-5'-辛基苯基)噻吩)(POMeOPT)、聚(3-辛基噻吩)(P3OT)、含有吡啶的聚合物(诸如聚(吡啶并吡嗪亚乙烯基))、经烷基改性的聚(吡啶并吡嗪亚乙烯基)(例如，EHH-PpyPz)、PTPTB共聚物、聚苯并咪唑苯并菲绕啉(BBL)、聚(9,9-二辛基芴-共聚-双-N,N'-(4-甲氧基苯基)-双-N,N'-苯基-1,4-苯二胺)(PFMO)；参见Brabec C.,Adv.Mater.,2996,18,2884，(PCPDTBT)聚[2,6-(4,4-双(2-乙基己基)-4H-环五[2,1-b；3,4-b']-二噻吩)-4,7-(2,1,3-苯并噻二唑)]。
对亚苯基亚乙烯基及含有对亚苯基亚乙烯基的低聚物及聚合物，例如聚对亚苯基亚乙烯基(PPV)、MEH-PPV(聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基))、MDMO-PPV(聚(2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基))、氰基-对亚苯基亚乙烯基(CN-PPV)、经烷氧基改性的CN-PPV。
PPE-PPV混合聚合物(亚苯基-亚乙炔基/亚苯基-亚乙烯基混合聚合物)。
聚芴及交替聚芴共聚物，例如具有4,7-二噻吩-2'-基-2,1,3-苯并噻二唑，及聚(9,9'-二辛基芴-共聚-苯并噻二唑)(F8BT)、聚(9,9'-二辛基芴-共聚-双-N,N'-(4-丁基苯基)-双-N,N'-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)。
聚咔唑，也即，含有咔唑的低聚物及聚合物，诸如(2,7)及(3,6)。
聚苯胺，也即，含有苯胺的低聚物及聚合物。
三芳胺、聚三芳胺、聚环戊二烯、聚吡咯、聚呋喃、聚硅杂环戊二烯(polysilol)、聚磷杂环戊二烯(polyphosphole)、N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺(TPD)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、2,2',7,7'-四-(N,N-二-对甲氧基苯基-胺)-9,9'-螺二芴(螺-MeOTAD)。
富勒烯，特别是C60及其衍生物(诸如PCBM(＝[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯)。在此类情况下，该富勒烯衍生物将是空穴导体。
碘化铜(I)、硫氰酸铜(I)。
如由Kelly描述于S.Adv.Mater.2006,18,1754中，p-n-混合材料，也即，给体及受体在同一材料、聚合物、嵌段共聚物、具有C60s、C60偶氮染料的聚合物、含有作为给体/受体系统的类胡萝卜素型、卟啉型及醌型结晶化合物的化合物的三聚混合物材料。
本文的一方面涉及制造含有上电极、下电极的电致发光(EL)配置，其中电极中的至少一者是透明的电致发光层及视需要辅助层，其中该电致发光配置含有制造自本发明组合物的半导体构件。EL配置的特征在于当随电流施加电压时其发光的事实。已知此类配置长久以来在工业及技术中作为发光二极管(LED)。基于正电荷(空穴)及负电荷(电子)结合并发射光的事实而发光。就此应用的意义而言，术语电致发光配置及有机二极管(OLED)同义使用。通常，EL配置构造自若干层。层中的至少一者含有一或多种有机电荷传输化合物。该层结构原则上如下：
1.载体，基板
2.基底电极(阳极)
3.空穴注入层
4.空穴传输层
5.发光层
6.电子传输层
7.电子注入层
8.顶电极(阴极)
9.接点
10.覆盖层，封装
该结构表示最一般的情况并可借助省略各个层使得一个层进行数种任务而简化。在最简情况下，EL配置由其间配置有机层的两个电极组成，该配置达成包含光发射的所有功能。本领域技术人员原则上自(例如)WO 2005/019373已知有机发光二极管的结构及其制造方法。适用于OLED的各个层的材料公开(例如)于WO 00/70655中。此处参考这些文献的公开内容。原则上可借助本领域技术人员已知的方法制造本发明的OLED。可借助各个层连续沉积于合适的基板上制造OLED。在合适的实施方案中，所有层借助溶液加工制成。在一替代实施方案中，至少一种不含有半导体A)的层可借助本领域技术人员已知的气相沉积技术涂覆。
适用作基板1的是透明载体，诸如玻璃或塑料薄膜(例如，聚酯，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚砜、聚酰亚胺箔)。适用作透明及导电材料的是a)金属氧化物，(例如)氧化铟锡(ITO)、氧化锡(NESA)等及b)半透明金属薄膜，(例如)Au、Pt、Ag、Cu等。
至少一种半导体A)充当电荷传输材料(电子导体)。因此，下列层中的至少一者：电子注入层、电子传输层或透明电极的部分合并制造自本发明组合物的半导体构件。
在本发明的EL应用中，可使用低分子量或低聚材料及聚合材料作为发光层5。物质的特征在于它们是光致发光的事实。因此，合适的物质是(例如)形成低聚物或并入聚合物中的荧光染料及荧光产品。此类材料的实例是香豆素、苝、蒽、菲、茋、二苯乙烯、次甲基或金属络合物诸如Alq3(三(8-羟基喹啉合)铝)等。合适的聚合物包含视需要取代的亚苯基、亚苯基亚乙烯基或聚合物侧链或聚合物主链中具有发射荧光片段的聚合物。在EP-A-532 798中给出详细列表。优选地，为增强发光强度，可将电子注入或空穴注入层(3和/或7)并入EL配置中。传输电荷(空穴和/或电子)的大量有机化合物描述于文献中。主要使用适用于溶液加工的低分子量物质。在(例如)下列公开案中给出物质类别及其用途的综合性调查：EP-A387 715、US 4,539,507、US 4,720,432及US 4,769,292。优选的材料是也可用于OLED的透明电极的PEDOT(聚-(3,4-亚乙二氧基噻吩))。
作为使用本发明组合物的结果，可能获得具有高效率的OLED。那些OLED可用于所有其中电发光有用的装置中。合适的装置优选选自固定及移动视觉显示器单元。固定视觉显示器单元是(例如)计算机、电视的视觉显示器单元；打印机、厨房用具及广告板、照明及信息板中的视觉显示器单元。移动视觉显示器单元是(例如)手机、膝上型计算机、数字相机、车辆及公交车及火车上的目的地显示器中的视觉显示器单元。此外，本发明组合物可用于制造具有反结构的OLED。本领域技术人员已知反相OLED的结构及通常用于其中的材料。
下列附图及实例有助于阐释本发明且不应视为限制。
使用下列化合物(A)：
附图简单说明
图1显示借助自DMP:甲苯(1:3)的混合物滴铸化合物A1)获得的结晶有机薄膜的偏光显微图(实施例1)。
图2显示借助自乙酰丙酮滴铸化合物A1)获得的结晶有机薄膜的偏光显微图(比较实施例2)。
图3显示借助自甲苯滴铸化合物A1)获得的结晶有机薄膜的偏光显微图(比较实施例3)。
图4a显示借助自DMP滴铸化合物A9)获得的结晶有机薄膜的偏光显微图(实施例48.1)。该影像左侧底部的黑色条显示50μm的距离。
图4b显示借助自EthAc滴铸化合物A9)获得的结晶有机薄膜的偏光显微图(比较实施例48.4)。该影像左侧底部的黑色条显示50μm的距离。
图5a显示借助自DMP溶液滴铸化合物A1)获得的半导体的转移特性(实施例52)，其中UGS＝-20V至+50V及UDS＝50V。
图5b显示借助自DMP溶液滴铸化合物A1)获得的半导体的输出特性(实施例52)，其中UDS＝0V至+45V及UGS＝15、30、45及60V。
图6a显示借助自DMP:Acac(1:9)溶液滴铸化合物A1)获得的半导体的转移特性(实施例53)，其中UGS＝-30V至+60V及UDS＝20V。
图6b显示借助自DMP:Acac(1:9)溶液滴铸化合物A4)获得的半导体的输出特性(实施例53)，其中UDS＝0V至+20V及UGS＝0、15、30、45及60V。
图7a显示借助自DMP溶液将化合物A1)滴铸于具有30nm的Al2O3绝缘介电质层的晶圆上获得的半导体的转移特性(实施例54)，其中UGS＝-2V至+10V及UDS＝5V。
图7b显示借助自DMP溶液将化合物A1)滴铸于具有30nm的Al2O3绝缘介电质层的晶圆上获得的半导体的输出特性(实施例54)，其中UDS＝0V至+10V及UGS＝5、7.5及10V。
图8a显示借助自DMP溶液将化合物A1)滴铸于经4-乙氧基苯基膦酸表面改性后的晶圆上获得的半导体的转移特性(实施例55)，其中UGS＝+2V至+15V及UDS＝10V。
图8b显示借助自DMP溶液将化合物A1)滴铸于经4-乙氧基苯基膦酸表面改性后的晶圆上获得的半导体的输出特性(实施例55)，其中UDS＝0V至+10V及UGS＝9、12及15V。
图9a显示借助自DMP溶液将化合物A1)滴铸于作为基板的聚对苯二甲酸乙二醇酯箔上获得的半导体的转移特性(实施例56)，其中UGS＝-20V至+60V及UDS＝40V。
图9b显示借助自DMP溶液将化合物A1)滴铸于作为基板的聚对苯二甲酸乙二醇酯箔上获得的半导体的输出特性(实施例56)，其中UDS＝0V至+60V及UGS＝15、30、45及60V。
图10a显示借助自DMP溶液将化合物A1)喷墨印刷于SiO2晶圆上获得的半导体的转移特性(实施例57)，其中UGS＝-20V至+50V及UDS＝50V。
图10b显示借助自DMP溶液将化合物A1)喷墨印刷于SiO2晶圆上获得的半导体的输出特性(实施例57)，其中UDS＝0V至+50V及UGS＝20、30、40及50V。
图11a显示借助自DMP溶液将化合物A1)喷墨印刷于表面改性后的Al2O3晶圆上获得的半导体的转移特性(实施例58)，其中UGS＝+2V至+15V及UDS＝10V。
图11b显示借助自DMP溶液将化合物A1)喷墨印刷于表面改性后的Al2O3晶圆上获得的半导体的输出特性(实施例58)，其中UDS＝0V至+10V及UGS＝12及15V。
图12a显示借助使用聚(甲基丙烯酸甲酯)/三羟甲基丙烷三丙烯酸酯底栅介电质自DMP溶液将化合物A1)滴铸于SiO2晶圆上获得的半导体的转移特性(实施例59)，其中UGS＝-10V至+50V及UDS＝40V。
图12b显示借助使用聚(甲基丙烯酸甲酯)/三羟甲基丙烷三丙烯酸酯底栅介电质自DMP溶液将化合物A59)滴铸于SiO2晶圆上获得的半导体的输出特性(实施例59)，其中UDS＝0V至+40V及UGS＝10、20、30、40及50V。
图13a显示借助自DMP溶液将化合物A3)喷墨印刷于具有30nm的Al2O3绝缘介电质层的晶圆上获得的半导体的转移特性(实施例60)，其中UGS＝-30V至+60V及UDS＝50V。
图13b显示借助自DMP溶液将化合物A3)喷墨印刷于具有30nm的Al2O3的绝缘介电质层的晶圆上获得的半导体的转移特性(实施例60)，其中UGS＝-30V至+60V及UDS＝50V。
图14a显示借助自DMP:甲苯(1:3)溶液滴铸化合物A1)获得的半导体的转移特性(实施例63)，其中UGS＝-2V至+10V及UDS＝3V。
图14b显示借助自DMP:甲苯(1:3)溶液滴铸化合物A1)获得的半导体的输出特性(实施例63)，其中UDS＝0V至+8V及UGS＝2、4、6、8与10V。
实施例
样品制法1(主要用于表征各种半导体)：
使用经240nm热生长二氧化硅涂覆的退化掺杂硅晶圆(来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的晶圆，550-600μm厚度)作为基板。它们经历2min氧等离子体处理(100W，20标准立方厘米每分钟(sccm)气流)及随后在室温下于十八烷基三氯硅烷(OTS)于甲苯中的0.2体积％溶液中浸17分钟。随后自该溶液移出该样品，用甲苯冲洗并在90℃下烘烤30min。随后将含有具有7.3mm直径的孔的聚二甲基硅氧烷(PDMS)的0.5-1mm厚层放置于疏水性基板上，该基板随后经历5分钟空气等离子体处理。该等离子体烧除在曝露更具亲水性的裸SiO2表面的PDMS层的孔的位置中的疏水性单层。
以纯形式使用各自溶剂或最初制造各自溶剂的混合物。将0.1重量％的半导体粉末溶解于该各自溶剂或溶剂混合物中并过滤通过0.2μm聚四氟乙烯(PTFE)过滤器。将该基板放置于热台(用于除甲苯外的所有溶剂的温度是70℃，此处使用30℃干燥)上并使用移液管将1μL有机半导体溶液滴铸于亲水性区域上。溶液一经干燥即移除基板。在偏光显微镜下以反射模式记录光学影像。
样品制法2(用以进行溶剂混合物的实验及用以制造晶体管)：
经Al2O3(30nm厚，经由原子层沉积生长)涂覆的退化掺杂硅晶圆经历2分钟氧等离子体(100W，20sccm气流)处理及随后在室温下于十四烷基膦酸(TDPA)于异丙醇中的1.5mM溶液中浸1小时。随后自该溶液移出该样品并在120℃下烘烤5min。该程序于Al2O3表面上产生具有22mN/m的表面能(经由接触角测量测定表面能)的疏水性自组装单层(SAM)。随后将具有0.5-1mm的厚度并含有具有7.3mm直径的孔的PDMS的层放置于疏水性基板上，该基板随后经历5分钟空气等离子体处理。该等离子体烧除在曝露更具亲水性的裸Al2O3表面的PDMS层的孔的位置中的疏水性单层。然后使用4-乙氧基苯基膦酸(EPPA)以如上文针对TDPA SAM描述的相同方式处理所得的基板的经等离子体处理的亲水性区域。该过程在已经历第二等离子体处理步骤的圆形区域中产生亲水性EPPA SAM。经EPPA处理的区域的表面能测定为36mN/m。
在80℃下于恒定振荡下将0.1重量％的半导体粉末溶解于各自溶剂中1h。使该溶液冷却至室温后，使其过滤通过0.2μm PTFE过滤器。在使用溶剂混合物的情况下，首先将半导体溶解于各自各个溶剂中，在80℃下经历振荡1h，过滤及随后混合至各自溶剂比率。在高基板温度(70℃，放置于热台上的基板)下用移液管将1μL有机半导体溶液滴铸于亲水性EPPA区域上。在70℃下干燥数小时至2天后，将样品转移至真空烘箱并再加热至60℃至90℃3小时以完全移除残余的溶剂。在偏光显微镜下以反射模式记录光学影像。
样品制法3：
在室温下将给定量的分子量2.000.000的聚苯乙烯(PS)(获得自Alfa Aesar；PS-Lot:K05Y052)溶解于各自溶剂中并搅拌直至所有聚合物溶解。然后将0.1重量％的有机半导体(A4)溶解于该混合物中。使用显微术盖玻片作为基板并首先用丙酮彻底冲洗。然后将该溶液滴铸于已在热台上加热至70℃的显微术盖玻片上。在一替代实验中，经由线棒涂覆器(4μm)将该溶液施于经加热(70℃)的载玻片上。以光学显微镜获得显微术影像。
晶体管制造及电测量：
在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)，产生200μm的通道宽度(W)及100μm的通道长度(L)。在真空(<10-6毫巴)中使用Agilent 4145C半导体参数分析仪(Semiconductor Parameter Analyzer)于LakeshoreCRX-6.5K探测站中进行电表征。
溶剂、溶剂混合物或聚合物-溶剂混合物的粘度测量：
使用Brookfield DV-II+Pro粘度计在23℃温度下在93s-1的剪切率下在100rpm的旋转速度下使用13R杯及21轴测量粘度。
溶剂及溶剂混合物的表面张力测量的方法描述：
使用Wilhelmy板方法于来自Krüss的张力计K100上测量表面张力。
实施例1：
根据前述样品制法2，使用DMP及甲苯(重量比率：1:3)的溶剂混合物制备半导体(A1)的结晶材料。该半导体溶液的固体含量是0.1重量％并在70℃下于热台上进行干燥。图1显示所获结晶有机薄膜的偏光显微图。作为本发明的意义的溶剂(L1)的DMP与作为溶剂(L2)的甲苯的组合导致具有大面积薄连接连续晶体的半导体材料。
实施例2(比较)：
根据前述样品制法2，使用乙酰丙酮作为溶剂制备半导体(A1)的结晶材料。该半导体溶液的固体含量是0.1重量％并在70℃下于热台上进行干燥。图2显示所获结晶有机薄膜的偏光显微图。使用非本发明意义的溶剂(L1)的溶剂导致具有厚不连接多晶附聚物的半导体材料。
实施例3(比较)：
根据前述样品制法2，使用甲苯作为溶剂制备半导体(A1)的结晶材料。该半导体溶液的固体含量是0.1重量％并在30℃下于热台上进行干燥。图3显示所获结晶有机薄膜的偏光显微图。单独使用非本发明意义的溶剂(L1)的甲苯作为溶剂导致具有厚不连接多晶附聚物的半导体材料。
实施例4至22：
根据前述样品制法2，使用表1的纯溶剂作为溶剂制造半导体(A1)的结晶材料。该半导体溶液的固体含量是0.1重量％并在70℃下(除甲苯外，其中使用30℃干燥)于热台上进行干燥。借助偏光显微术检查所获结晶半导体材料。所得结果显示于表1中。使用本发明意义的溶剂(L1)在每一情况下获得具有大面积薄连接晶体的半导体材料。使用不同于溶剂(L1)的溶剂导致具有厚多晶附聚物的半导体材料。
表1：经测试的纯溶剂的列表：
#)(+)＝形成结晶薄膜，(-)＝形成厚不连接多晶附聚物
纯溶剂的溶剂参数取自Knovel Critical Tables(2008年第2版),电子ISBN:978-1-59124-550-6中。
实施例23至40：
根据前述针对溶剂混合物的样品制法2及针对溶剂-聚合物混合物的制法3，使用表2的溶剂混合物或溶剂-聚合物混合物制备半导体(A1)的结晶材料。除非另有说明，否则所有溶液借助滴铸沉积。该半导体溶液的固体含量是0.1重量％并在70℃(除纯甲苯在30℃下干燥外)下于热台上进行干燥。借助偏光显微术检查所获结晶半导体材料。结果显示于表2中。使用含有本发明意义上的溶剂(L1)的溶剂混合物在每一情况下获得具有大面积薄连接晶体的半导体材料。如果使用甲苯作为溶剂，则借助使用聚苯乙烯(PS)作为增稠剂使溶液粘度增加不导致所获半导体材料的质量改良。甲苯-聚合物混合物的使用导致具有厚不连接晶体的半导体材料。换而言之，借助添加增稠剂不足以人为增加低粘度溶剂(诸如甲苯)的粘度，以获得如在溶液中包含本发明的溶剂的情况下的半导体的优选结晶。
表2：
经测试的溶剂混合物及溶剂-聚合物混合物的列表：
实施例41至47：
根据前述样品制法1，使用表3的溶剂混合物或溶剂-聚合物混合物制备表3的半导体的结晶材料。除非另有说明，否则所有溶液借助滴铸沉积。该半导体溶液的固体含量是0.1重量％并在70℃(除纯甲苯在30℃下干燥外)下于热台上进行干燥。借助偏光显微术检查所获结晶半导体材料。结果显示于表3中。
表3：经测试的半导体的列表(样品制法1)：
实施例48：半导体A9)的滴铸
将含于表1的溶剂中的A9)的0.1重量％溶液施于SiO2基板及允许该溶剂蒸发。为制备A9)于邻苯二甲酸酯中的溶液，于邻苯二甲酸酯中将半导体在80℃下搅拌60分钟。图4a显示借助自DMP滴铸化合物A9)获得的结晶有机薄膜的偏光显微图及图4b显示借助自EthAc滴铸化合物A9)获得的薄膜的显微图。可知，获得自本发明组合物的晶体显示明显较大的结晶区域。
表4
实施例 溶剂 晶体长度[μm] 晶体宽度[μm]
48.1 DMP 50 5
48.2 DEP 100 30
48.3 DAP 100 20
C48.4+) 乙酸乙酯 3# 0.5#
+)比较，#)小多晶至无定形不连接附聚物
实施例49：半导体A10)的滴铸
将含于表1的溶剂中的A10)的0.1重量％溶液施于SiO2基板及允许该溶剂蒸发。为制备A10)于邻苯二甲酸酯中的溶液，于邻苯二甲酸酯中将半导体在80℃下搅拌60分钟。在偏光显微图中，获得自本发明组合物的晶体显示明显较大的结晶区域。
表5
实施例 溶剂 晶体长度[μm] 晶体宽度[μm]
49.1 DMP 35 5
49.2 DEP 100 50
49.3 DAP 60 50
C49.4+) 乙酸乙酯 20# 10#
+)比较，#)小多晶至无定形不连接附聚物
实施例50：半导体A3)的滴铸
将含于表1的溶剂中的A3)的0.1重量％溶液施于SiO2基板及允许该溶剂蒸发。为制备A3)于邻苯二甲酸酯中的溶液，于邻苯二甲酸酯中将半导体在80℃下搅拌60分钟。在偏光显微图中，获得自本发明组合物的晶体显示明显较大的结晶区域。
表6
实施例 溶剂 晶体长度[μm] 晶体宽度[μm]
50.1 DAP 200 250
C50.2+) 乙酸乙酯 20 3
C50.3+) 乙酰丙酮 20# 3#
+)比较，#)小多晶至无定形不连接附聚物
实施例51：半导体A1)的滴铸
将含于表1的溶剂中的A1)的0.1重量％溶液施于SiO2基板及允许该溶剂蒸发。为制备A1)于邻苯二甲酸酯中的溶液，于邻苯二甲酸酯中将半导体在80℃下搅拌60分钟。在偏光显微图中，获得自本发明组合物的晶体显示明显较大的结晶区域。
表7
实施例 溶剂 晶体长度[μm] 晶体宽度[μm]
51.1 DMP 500 200
51.2 DEP 1200 650
51.3 DAP 250 150
C51.3+) 乙酸乙酯 3# 2#
+)比较，#)小多晶至无定形不连接附聚物
OFET装置的制造及电表征
实施例52：自DMP溶液将A1)滴铸于SiO2晶圆上
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A1)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的Si/SiO2晶圆(550至600μm厚度，100nm绝缘介电质热氧化硅层)作为背栅基板。于流料箱中在60至90℃的热台上使1至10μL溶液沉积于该晶圆上。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200μm的通道宽度(W)及100μm的通道长度(L)。在环境条件下使用Agilent4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图5a及5b中。
实施例53：自DMP:Acac(1:9)溶液将A1)滴铸于SiO2晶圆上
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯及乙酰丙酮的1:9混合物中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A1)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的Si/SiO2晶圆(550至600μm厚度，100nm绝缘介电质热氧化硅层)作为背栅基板。于流料箱中在60至90℃的热台上使1至10μL溶液沉积于该晶圆上。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200μm的通道宽度(W)及100μm的通道长度(L)。在环境条件下使用Agilent 4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图6a及6b中。
实施例54：自DMP溶液将A1)滴铸于Al2O3层上
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A4)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的Si/SiO2晶圆(550至600μm厚度，30nm绝缘介电质热氧化Al2O3层)作为背栅基板。于流料箱中在60至90℃的热台上使1至10μL溶液沉积于该晶圆上。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200μm的通道宽度(W)及100μm的通道长度(L)。在环境条件下使用Agilent4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图7a及7b中。
实施例55：自DMP溶液将A1)滴铸于表面改性后的Al2O3上
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A1)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的Si/SiO2晶圆(550至600μm厚度，30nm绝缘介电质Al2O3层)作为背栅基板。材料沉积前，进行表面处理；将该基板曝露于O2等离子体下达300秒。以2mMol(通常是4mg/10ml)的浓度将4-乙氧基苯基膦酸(CAS 69387-02-6)溶解于异丙醇中并在室温下搅拌20分钟。于带盖陪替氏培养皿中使该基板在该溶液中浸1小时。随后以异丙醇冲洗并在N2下干燥后，在150℃下于热台上烘烤基板。于流料箱中在60至90℃的热台上使1至10μL溶液沉积于该晶圆上。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200μm的通道宽度(W)及100μm的通道长度(L)。在环境条件下使用Agilent 4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图8a及8b中。
实施例56：自DMP溶液将A1)滴铸于PET基板上；使用PVCH/PMMA顶栅制造底接触顶 栅场效晶体管
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A1)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)箔(来自Mitsubishi Polyester Film的Hostaphan 4600GN175)作为基板。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生500μm的通道宽度(W)及50μm的通道长度(L)。于流料箱中在60至90℃的热台上使1至10μL溶液沉积于该晶圆上。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。旋涂(4000RPM，30秒)聚乙烯基环已烷(PVCH)(0.4重量％的环己烷溶液)并在90℃下干燥5分钟。旋涂(2000RPM/60秒)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)(4至7重量％的乙酸丁酯/乳酸乙酯[4:6]溶液)并在90℃下干燥120秒。该PVCH/PMMA介电质厚度是420nm(εr＝4)。在环境条件下使用Agilent 4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图9a及9b中。
实施例57：自DMP溶液将A1)喷墨印刷于SiO2晶圆上
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A1)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的Si/SiO2晶圆(550至600μm厚度，100nm绝缘介电质热氧化硅层)作为背栅基板。使用Dimatix DMP2831打印机以20μm的滴间距及在35℃下的喷嘴及在室温下的印刷板印刷该墨。使经印刷的基板在60℃下于环境空气中干燥5h，然后进行在110℃下于真空烘箱(约5毫巴压力)中干燥一小时的第二干燥步骤。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200μm的通道宽度(W)及100μm的通道长度(L)。在环境条件下使用Agilent 4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图10a及10b中。
实施例58：自DMP溶液将A1)喷墨印刷于表面改性后的Al2O3上
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A1)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的Si/SiO2晶圆(550至600μm厚度，30nm绝缘介电质Al2O3层)作为背栅基板。材料沉积前，进行表面处理；将该基板曝露于O2等离子体300秒。以2mMol(通常是4mg/10ml)的浓度将4-乙氧基苯基膦酸(CAS 69387-02-6)溶解于异丙醇中并在室温下搅拌20分钟。在带盖陪替氏培养皿中将该基板在该溶液中浸1小时。随后以异丙醇冲洗并在N2下干燥后，在150℃下于热台上烘烤基板。使用Dimatix DMP2831打印机以20μm的滴间距及在35℃下的喷嘴及在室温下的印刷板印刷该墨。使经印刷的基板在60℃下于环境空气中干燥5h，然后进行在110℃下于真空烘箱(约5毫巴压力)中干燥一小时的第二干燥步骤。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6E-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200μm/100μm的W/L的典型通道。在环境条件下使用Agilent 4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图11a及11b中。
实施例59：使用聚(甲基丙烯酸甲酯)/三羟甲基丙烷三丙烯酸酯底栅介电质自DMP 溶液将A1)滴铸于SiO2晶圆上
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A1)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的Si/SiO2晶圆(550至600μm厚度，100nm绝缘介电质热氧化硅层)及UV交联聚合物介电质作为背栅基板。介电质性质总结于下表中。
εr＝相对介电常数(介电常数)
于流料箱中在60至90℃的热台上使1至10μL溶液沉积于该晶圆上。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200μm/100μm的W/L的典型通道。在环境条件下于暗箱中进行电表征。在环境条件下使用Agilent 4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图12a及12b中。
实施例60：自DMP溶液将A3)喷墨印刷于Al2O3上
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A3)的0.1重量％溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。使用来自WRS Materials的以硼大量p型掺杂的Si/SiO2晶圆(550至600μm厚度，30nm绝缘介电质Al2O3层)作为背栅基板。使用Dimatix DMP2831打印机以20μm的滴间距及在35℃下的喷嘴及在室温下的印刷板印刷该墨。使经印刷的基板在60℃下于环境空气中干燥5h，然后进行在110℃下于真空烘箱(约5毫巴压力)中干燥一小时的第二干燥步骤。溶剂完全蒸发后，将样品在70℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200μm的通道宽度(W)及100μm的通道长度(L)。在环境条件下使用Agilent 4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行电表征。
测量结果分别描绘于图13a及13b中。
实施例61及62：(液滴干燥时间对晶型的影响)：
实施例61：
根据列于样品制法1下的程序，制造半导体(A1)与DMP/Acac(1:3)的混合物的混合物，借助滴铸施于玻璃显微术盖玻片上并在70℃的基板温度下干燥。干燥期间以透射偏光显微术设定原位观察结晶。将液体放置于盖玻片上后，结晶立即以漂浮于DMP/Acac混合物上的薄晶体形式开始。
比较实施例62：
将0.1重量％的半导体(A1)溶解于甲苯中及借助滴铸将10μm液滴施于保持于室温下的经二氧化硅涂覆的硅晶圆上。随后将陪替氏培养皿放置于该硅晶圆的上，因此也封闭该液滴。干燥时间因此显著延长(>30min)。液体干燥后，观察到相当于那些显示于图3中的的不连接大晶体。
实施例61及比较实施例62显示溶液的干燥时间对晶癖无影响。使用本发明的溶剂(L1)获得良好半导体材料，即使在干燥时间显著短于使用非本发明的溶剂(L1)的溶剂的情况下。
实施例63：(自DMP:甲苯(1:3)混合物将A1)滴铸于表面改性后的Al2O3上)
借助在80℃下溶解于邻苯二甲酸二甲酯中1h及然后再搅拌30分钟以制备半导体材料A1)的0.1重量％溶液。借助在80℃下溶解于甲苯中1h及然后再搅拌30分钟制备该半导体材料A1)的第二0.1重量％溶液。以1(DMP):3(甲苯)的比率混合两种溶液。使该溶液冷却至环境温度并过滤通过0.2μm PTFE过滤器。经Al2O3(30nm厚，经由原子层沉积生长)涂覆的来自WRS Materials的硅晶圆(以硼大量p型掺杂，550至600μm厚度)经历2分钟氧等离子体处理(100W，20sccm气流)及随后在室温下于十四烷基膦酸(TDPA)在异丙醇中的1.5mM溶液中浸1小时。随后自该溶液移出该样品，用异丙醇冲洗并在120℃下于热台上烘烤5min。该程序于Al2O3表面上产生具有22mN/m的表面能(经由水接触角测量测定表面能)的疏水性自组装单层(SAM)。随后将具有0.5-1mm的厚度并含有具有7.3mm直径的孔的PDMS层放置于疏水性基板上，该基板随后经历2分钟空气等离子体(100W，20sccm气流)处理。该等离子体烧除在曝露更具亲水性的裸Al2O3表面的PDMS层的孔的位置中的疏水性单层。于流料箱中在70℃的热台上使1至10μL溶液沉积于该晶圆上。溶剂完全蒸发后，将该样品在90℃下于真空烘箱中放置1h以消除困于该薄膜中的残余溶剂。在6x10-6毫巴的基础压力下通过kapton萌罩经由热蒸发沉积金接点(Umicore,99.99％)以产生200m的通道宽度(W)及50m的通道长度(L)。使用退化掺杂硅晶圆作为背栅基板用于在环境条件下使用Agilent 4145C半导体参数分析仪于暗箱中进行的电表征。
测量结果分别描绘于图14a及14b中。

Claims (27)

1.一种用于制备结晶有机半导体材料的方法，其包括：
(a)提供一种至少一种有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有至少一种溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液，其中该溶剂(L1)具有
在1013.25毫巴下至少140℃的沸点，
在23℃下至少1.2mPas的粘度，及
在20℃下至少31.5mN/m的表面张力，
(b)将步骤(a)中所提供的该溶液施于基板表面以允许该溶剂或溶剂混合物的蒸发及该有机半导体A)的结晶。
2.如权利要求1的方法，其中该有机半导体A)的该结晶是自气液界面进行。
3.如以上权利要求中任一项的方法，其中在提供该有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有溶剂(L1)的溶剂混合物中的该溶液后，不向该溶液添加额外组分以实现该有机半导体A)的结晶。
4.如以上权利要求中任一项的方法，其中该所获结晶有机半导体材料具有大于10x10μm2的面积，其中平均厚度是最多0.1μm，更优选最多0.05μm，特别地是最多0.01μm。
5.如以上权利要求中任一项的方法，其中步骤a)中所使用的该溶剂(L1)或该含有溶剂(L1)的溶剂混合物具有在1013.25毫巴下至少150℃的沸点。
6.如以上权利要求中任一项的方法，其中该溶剂(L1)在23℃下具有在1.3至1000mPas范围内的粘度。
7.如以上权利要求中任一项的方法，其中该溶剂(L1)在20℃下具有在32至65mN/m范围内，优选在32至44mN/m范围内的表面张力。
8.如以上权利要求中任一项的方法，其中该有机半导体A)在20℃下于步骤a)中所使用的该溶剂(L1)或该含有溶剂(L1)的溶剂混合物中具有至少0.01mg/ml，优选至少0.05mg/ml的溶解度。
9.如以上权利要求中任一项的方法，其中用来提供该有机半导体A)的溶液的溶剂仅由溶剂(L1)组成。
10.如以上权利要求中任一项的方法，其中用来提供该有机半导体A)的溶液的溶剂是至少一种溶剂(L1)及至少一种不同于(L1)的溶剂(L2)的混合物。
11.如权利要求10的方法，其中溶剂(L1)于该溶剂混合物中的量基于该溶剂混合物的总重量是在1至99重量％，优选2至98重量％，更优选5至95重量％的范围内。
12.如以上权利要求中任一项的方法，其中该溶剂(L1)选自
L1.1)至少一种在20℃及1013毫巴下是液体的选自式(I)化合物的化合物
Rc-X1-A-X2-Rd
(|)
其中
A是5至8员未被取代或被取代的脂族或芳族碳环或杂环，
X1及X2独立地选自*-(C＝O)-O-、*-(CH2)m-O-或*-(CH2)m-O-(C＝O)-，其中*是连接至该脂族或芳族碳环或杂环的点，且m具有值0、1或2，
及
Rc及Rd独立地选自非支化及支化C1-C12烷基及C2-C12烯基，
L1.2)苯甲酸烷基酯，
L1.3)羟基苯甲酸酯，
L1.4)碳酸亚烷基酯，
L1.5)芳族脂族酮，
L1.6)二甲基亚砜(DMSO)，
L1.7)N-甲基吡咯啶酮，
L1.8)含有环脂族环的多环烃，
L1.9)二氯苯，
及其混合物。
13.如权利要求12的方法，其中通式(L1.1)化合物选自式(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物
其中
X1及X2独立地选自*-(C＝O)-O-、*-(CH2)m-O-或*-(CH2)m-O-(C＝O)-，其中*是连接至该脂族或芳族碳环或杂环的点，且m具有值0、1或2；
及
Rc及Rd独立地选自非支化及支化C1-C12烷基及C2-C12烯基。
14.如权利要求12的方法，其中式(I)、(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物的Rc及Rd独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、异壬基、异癸基、2-丙基庚基、正十一烷基及异十一烷基。
15.如权利要求12的方法，其中式(I)、(I.1)、(I.2)、(I.3)、(I.4)及(I.5)化合物的基团X1及X2都是*-(C＝O)-O-。
16.如以上权利要求中任一项的方法，其中该式(L1)化合物选自邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二正丙酯、邻苯二甲酸二正丁酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、硫酸二甲酯、苯甲酸乙酯、水杨酸乙酯、苯乙酮、碳酸亚丙酯、N-甲基吡咯啶酮、四氢化萘、1,2-二氯苯及其混合物。
17.如权利要求10的方法，
其中该溶剂(L2)选自
不同于L1.8)的脂族、环脂族及芳族烃类；
芳族醚类；
开链脂族醚类、聚醚类、醚醇类及环醚类；
不同于L1.5)的酮类；
不同于L1.2)、L1.3)及L1.4)的酯类；
脂族及环脂族醇类；
基于苯的醇类；
卤化芳族化合物；
苯硫酚及烷硫基取代的苯；
含有稠合至5、6或7员环杂烷基的苯基的芳族化合物；
5员杂芳基化合物及苯并稠合的5员杂芳基化合物；
芳族羧酸；
芳族醛类；
三氟甲基取代的苯化合物；
氰基取代或异氰基取代的苯化合物；
硝基取代的苯化合物；
苯砜；
6员杂芳基化合物及苯并稠合的6员杂芳基化合物；
5员杂芳基化合物及苯并稠合的5员杂芳基化合物；
不同于L1.6)及L1.7)的非质子性极性溶剂及
其混合物。
18.如以上权利要求中任一项的方法，其中该至少一种有机半导体A)选自
通式(II.a)的萘嵌苯化合物
其中
n是1、2、3或4，
Ra及Rb彼此独立地选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的烷基、烯基、二烯基、炔基、环烷基、二环烷基、环烯基、杂环烷基、芳基及杂芳基，
Rn1、Rn2、Rn3及Rn4基团彼此独立地选自氢、F、Cl、Br、I、CN、羟基、巯基、硝基、氰氧基、氰硫基、甲酰基、酰基、羧基、羧酸酯基、烷基羰氧基、胺甲酰基、烷基胺基羰基、二烷基胺基羰基、磺酸基、磺酸酯基、磺胺基、胺磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、脒基、NE1E2，其中E1及E2各自独立地选自氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，
在每一情况下未被取代或被取代的烷基、烷氧基、烷硫基、(单烷基)胺基、(二烷基)胺基、环烷基、环烷氧基、环烷硫基、(单环烷基)胺基、(二环烷基)胺基、杂环烷基、杂环烷氧基、杂环烷硫基、(单杂环烷基)胺基、(二杂环烷基)胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、(单芳基)胺基、(二芳基)胺基、杂芳基、杂芳氧基、杂芳硫基、(单杂芳基)胺基及(二杂芳基)胺基，
式(II.b)化合物
其中
R1b及R2b独立地选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基，
Y1b及Y2b独立地选自O、S、Se及NR3b，其中R3b选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的烷基、环烷基及芳基，
式(II.c)化合物
其中
R1c及R2c独立地选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基，
Y1c、Y2c及Y3c独立地选自O、S、Se及NR3c，其中R3c选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的烷基、环烷基及芳基，
式(II.d)化合物
其中
R1d及R2d独立地选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基，
Y1d、Y2d、Y3d及Y4d独立地选自O、S、Se及NR3d，其中R3d选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的烷基、环烷基及芳基，
式(II.e)化合物
其中
R1e及R2e独立地选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的直链C1-C30烷基、支化C3-C30烷基、直链C2-C30烯基、支化C3-C30烯基、直链C2-C30炔基、支化C4-C30炔基、环烷基、芳基及杂芳基，
Y1e及Y2e独立地选自O、S、Se及NR3e，其中R3e选自氢及在每一情况下未被取代或被取代的烷基、环烷基及芳基。
19.如权利要求18的方法，其中Ra及Rb彼此独立地选自氢、直链C1-C30-烷基、支化C3-C30-烷基、全氟-C1-C30烷基、1H,1H-全氟-C2-C30-烷基、1H,1H,2H,2H-全氟-C3-C30烷基、式G.1基团、式G.2基团及式G.3基团
其中
#表示结合至氮原子的结合位点，
B(如果存在)是可被一或多个选自-O-及-S-的非相邻基团插入的C1-C10亚烷基，
y是0或1，
Rm彼此独立地选自C1-C30烷基、C1-C30氟烷基、氟、氯、溴、NE3E4、硝基及氰基，其中E3及E4彼此独立地是氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，
Rn彼此独立地选自C1-C30烷基，
x在式G.2及G.3中是1、2、3、4或5。
20.如权利要求18的方法，其中Ra及Rb选自通式(III.1)、(III.2)及(III.3)基团
其中
#是结合位点，及
在式(III.1)中，Re及Rf独立地选自C1-至C27-烷基，其中Re及Rf基团的碳原子的总数是2至28的整数，
在式(III.2)中，Rg及Rh独立地选自C1-至C28-烷基，其中Rg及Rh基团的碳原子的总数是2至29的整数，
在式(III.3)中，Ri、Rk及Rl独立地选自C1-至C27-烷基，其中Ri、Rk及Rl基团的碳原子的总数是3至29的整数。
21.如权利要求18的方法，其中Ra及Rb具有相同含义。
22.如权利要求18的方法，其中该组分A)选自通式(II.a1)化合物
其中
Ra及Rb如权利要求18至21中任一项所定义，
R12及R23独立地选自F、Cl、Br、CN，及
R11、R13、R14、R21、R22及R24是氢。
23.一种结晶有机半导体材料，其借助如权利要求1至22中任一项的方法获得。
24.一种借助如权利要求1至22中任一项的方法获得的有机半导体结晶在制造半导体材料(优选有机电子装置或有机光伏装置中的半导体材料)中的用途。
25.一种用于制造电子装置、光学装置、光电子装置或传感器的方法，其包括：
(a)提供至少一种有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液，其中该溶剂(L1)具有
在1013.25毫巴下至少140℃的沸点，
在23℃下至少1.2mPas的粘度，及
在20℃下至少31.5mN/m的表面张力，
(b)将步骤(a)中所提供的该溶液施于基板表面以允许该溶剂或溶剂混合物的蒸发及该有机半导体A)的结晶，
其中步骤b)中所提供的该基板是电子装置、光学装置或光电子装置的基板或其中将步骤b)中形成的结晶转移至电子装置、光学装置、光电子装置或传感器。
26.如权利要求25的方法，其中在步骤(b)中，将于步骤(a)中提供的该组合物施于该基板表面的至少一部分上借助印刷来进行。
27.如权利要求25或26的方法，其中该装置选自有机场效晶体管、电致发光配置、有机太阳能电池及光检测器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106232593A (zh) * 2014-02-25 2016-12-14 巴斯夫欧洲公司 用于有机电子器件的杂并苯
CN108461640A (zh) * 2018-03-16 2018-08-28 中国科学院长春应用化学研究所 晶态有机电致发光二极管及其应用
CN112771684A (zh) * 2018-09-19 2021-05-07 株式会社大赛璐 有机半导体器件制造用油墨组合物

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6274529B2 (ja) * 2015-02-09 2018-02-07 富士フイルム株式会社 有機半導体素子及びその製造方法、有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体膜の製造方法
GB2554404A (en) * 2016-09-26 2018-04-04 Sumitomo Chemical Co Solvent systems for preparation of photosensitive organic electronic devices
CN110198995B (zh) * 2017-01-19 2021-10-08 日产化学株式会社 用于形成微细相分离图案的自组装化膜形成用组合物
JP2021082619A (ja) * 2018-03-16 2021-05-27 国立大学法人大阪大学 ｎ型有機半導体材料及びそれを含有する有機半導体膜並びに有機薄膜トランジスタ
KR102447937B1 (ko) 2018-07-23 2022-09-27 주식회사 엘지화학 2-시아노에틸기 함유 중합체의 제조 방법
KR101910157B1 (ko) * 2018-08-06 2018-10-19 영창케미칼 주식회사 유무기 하이브리드 포토레지스트 공정액 조성물
EP3664171B1 (en) * 2018-12-06 2021-05-12 Flexterra, Inc. A thin-film transistor comprising organic semiconductor materials
CN109776533B (zh) * 2019-02-12 2020-10-30 宁波卢米蓝新材料有限公司 一种萘二酰亚胺衍生物及其制备方法和应用
JPWO2020213460A1 (zh) * 2019-04-15 2020-10-22
JP7219346B2 (ja) * 2019-08-22 2023-02-07 富士フイルム株式会社 硬化性組成物、硬化物、光学部材、およびレンズ
TWI732389B (zh) * 2019-12-19 2021-07-01 明基材料股份有限公司 一種優化原子層沉積的方法
JP7464397B2 (ja) 2020-01-31 2024-04-09 保土谷化学工業株式会社 ペリレン誘導体化合物、該化合物を用いた有機半導体用組成物、該有機半導体用組成物を用いた有機薄膜トランジスタ
CN112432977B (zh) * 2020-11-18 2022-04-12 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050156161A1 (en) * 2002-02-08 2005-07-21 Jun-Ichi Hanna Organic semiconductor structure, process for producing the same, and organic semiconductor device
US20100193777A1 (en) * 2007-09-12 2010-08-05 Fujifilm Corporation Method of producing a desubstituted compound, organic semiconductor film and method of producing the same
WO2012090110A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Basf Se Perylene-based semiconductors and methods of preparation and use thereof
US20120199824A1 (en) * 2009-10-29 2012-08-09 Shinshu University Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film, and organic thin film transistor
WO2013190255A2 (en) * 2012-06-19 2013-12-27 Cambridge Display Technology Limited Method for preparing a semiconducting layer

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1031323B (de) 1956-02-14 1958-06-04 Norddeutsche Affinerie Verfahren zur Duengung mit Spurenelementen
DE1945359B2 (de) 1969-09-08 1973-05-10 Verfahren zur gewinnung von estern
DE2612355C3 (de) 1976-03-24 1983-11-17 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur Abtrennung von Katalysatoren aus rohen Weichmacherestern
US4461922A (en) 1983-02-14 1984-07-24 Atlantic Richfield Company Solar cell module
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4678608A (en) * 1985-04-15 1987-07-07 American Cyanamid Company Chemiluminescent composition
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5126214A (en) 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
US5324853A (en) 1993-01-19 1994-06-28 Exxon Chemical Patents Inc. Process for the production of plasticizer and polyolesters
DE19721347B9 (de) 1997-05-22 2005-09-29 Celanese Chemicals Europe Gmbh Verfahren zur Herstellung von Esterweichmachern
KR100688403B1 (ko) 1997-12-19 2007-03-09 바스프 악티엔게젤샤프트 매크로포어를 함유하는 촉매를 사용하는 벤젠폴리카르복실산 또는 그의 유도체의 수소화 방법
US6451415B1 (en) 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
US6198091B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with a mixed electrical configuration
US6198092B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
CN101312235B (zh) 1999-05-13 2010-06-09 普林斯顿大学理事会 基于电致磷光的极高效有机发光器件
DE10056179A1 (de) 2000-11-13 2002-05-29 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Estern mehrbasiger Säuren
DE10128242A1 (de) 2001-06-11 2002-12-12 Basf Ag Verfahren zur Hydrierung organischer Verbindungen
DE10129129C1 (de) 2001-06-16 2002-12-05 Celanese Chem Europe Gmbh Verfahren zur Herstellung von Cyclohexandicarbonsäureestern
DE10146869A1 (de) 2001-09-24 2003-04-24 Oxeno Olefinchemie Gmbh Alicyclische Polycarbonsäureestergemische mit hohem trans-Anteil und Verfahren zu deren Herstellung
DE10146848A1 (de) 2001-09-24 2003-04-24 Oxeno Olefinchemie Gmbh Gemisch alicyclischer Polycarbonsäureester mit hohem cis-Anteil
KR20040044998A (ko) 2001-09-27 2004-05-31 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 치환 펜타센 반도체
US20030097010A1 (en) 2001-09-27 2003-05-22 Vogel Dennis E. Process for preparing pentacene derivatives
KR100474402B1 (ko) * 2001-10-22 2005-03-08 김용래 붉은 색의 화학발광을 생성하는 화학발광 조성물 및 이를이용한 화학발광체
DE10232868A1 (de) 2002-07-19 2004-02-05 Oxeno Olefinchemie Gmbh Feinporiger Katalysator und Verfahren zur Hydrierung von aromatischen Verbindungen
US6911716B2 (en) 2002-09-09 2005-06-28 Lucent Technologies, Inc. Bipolar transistors with vertical structures
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
US7592539B2 (en) 2003-11-07 2009-09-22 The Trustees Of Princeton University Solid state photosensitive devices which employ isolated photosynthetic complexes
CN1980791B (zh) 2004-01-26 2012-08-22 西北大学 苝n-型半导体和相关器件
US20050224905A1 (en) 2004-04-13 2005-10-13 Forrest Stephen R High efficiency organic photovoltaic cells employing hybridized mixed-planar heterojunctions
EP1839339A2 (en) 2004-12-23 2007-10-03 Northwestern University Siloxane-polymer dielectric compositions and related organic field-effect transistors
EP1987092B1 (de) 2006-02-17 2013-05-22 Basf Se Fluorierte rylentetracarbonsäurederivate und deren verwendung
EP1843407A1 (de) 2006-04-07 2007-10-10 Basf Aktiengesellschaft Flüssig-kristalline Rylentetracarbonsäurederivate und deren Verwendung
WO2007146250A2 (en) 2006-06-12 2007-12-21 Northwestern University Naphthalene-based semiconductor materials and methods of preparing and use thereof
CN101529609B (zh) 2006-10-20 2010-10-20 日本化药株式会社 场效应晶体管
JP5380296B2 (ja) * 2006-11-17 2014-01-08 ポリエラ コーポレイション ジイミド系半導体材料ならびにジイミド系半導体材料を調製および使用する方法
US7674406B2 (en) * 2007-06-14 2010-03-09 Bindra Perminder S Chemiluminescent compositions and methods of making and using thereof
EP2190007B1 (en) * 2007-09-03 2018-08-15 FUJIFILM Corporation Single crystal thin film of organic semiconductor compound and method for producing the same
EP2240970B1 (en) * 2008-02-05 2018-03-14 Basf Se Perylene semiconductors and methods of preparation and use thereof
KR20160124918A (ko) 2008-03-06 2016-10-28 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도체 조성물
JP5428104B2 (ja) 2008-05-23 2014-02-26 日本化薬株式会社 有機半導体組成物
US9512354B2 (en) * 2008-06-06 2016-12-06 Basf Se Chlorinated naphthalenetetracarboxylic acid derivatives, preparation thereof and use thereof in organic electronics
DE102009039102B4 (de) 2009-08-27 2022-01-27 Wdt-Wolz-Dental-Technik Gmbh Verfahren zur Herstellung von Zahnteilen aus Dentalmetallpulver
DE102009028976A1 (de) 2009-08-28 2011-03-03 Evonik Oxeno Gmbh Ester der 2,5-Furandicarbonsäure mit isomeren Decanolen und ihre Verwendung
KR101833077B1 (ko) 2009-12-15 2018-02-27 바스프 에스이 방향족 화합물의 수소화를 위한 촉매 및 방법
KR20170093267A (ko) 2009-12-23 2017-08-14 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
CN102844902B (zh) 2010-04-12 2016-06-08 默克专利有限公司 用于制备有机电子器件的组合物和方法
DE102011004676A1 (de) 2011-02-24 2012-08-30 Evonik Oxeno Gmbh Pentylester der Furandicarbonsäure
DE102011004677A1 (de) 2011-02-24 2012-08-30 Evonik Oxeno Gmbh Heptylester der Furandicarbonsäure
US9231215B2 (en) 2012-05-07 2016-01-05 Basf Se Phenacene compounds for organic electronics
JP6263118B2 (ja) 2012-06-12 2018-01-17 株式会社ダイセル 有機トランジスタ製造用溶剤又は溶剤組成物
US9293711B2 (en) 2012-08-09 2016-03-22 Polyera Corporation Organic semiconductor formulations
TWI535726B (zh) 2012-09-10 2016-06-01 迪愛生股份有限公司 苯并噻吩苯并噻吩衍生物、有機半導體材料及有機電晶體
JP5964703B2 (ja) * 2012-09-10 2016-08-03 Dic株式会社 有機半導体材料、及び有機トランジスタ
EP2925763B1 (en) * 2012-12-03 2018-02-28 Basf Se Heteroacene compounds for organic electronics
JP2014139143A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Idemitsu Kosan Co Ltd ジチエノフェナントレン化合物、当該化合物を含む有機薄膜トランジスタ用組成物、及び有機薄膜トランジスタ
US20140218452A1 (en) * 2013-02-05 2014-08-07 Hallyuen Holdings Ltd. Inkjet printing systems for permanent printing on nonporous surfaces
JP2014170857A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機半導体溶液、当該有機半導体溶液を用いた有機半導体インク
JP6415274B2 (ja) * 2013-12-26 2018-10-31 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびにイミド化合物
WO2015128779A1 (en) 2014-02-25 2015-09-03 Basf Se Heteroacenes for organic electronics
JP6148634B2 (ja) * 2014-03-12 2017-06-14 富士フイルム株式会社 有機半導体結晶の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050156161A1 (en) * 2002-02-08 2005-07-21 Jun-Ichi Hanna Organic semiconductor structure, process for producing the same, and organic semiconductor device
US20100193777A1 (en) * 2007-09-12 2010-08-05 Fujifilm Corporation Method of producing a desubstituted compound, organic semiconductor film and method of producing the same
US20120199824A1 (en) * 2009-10-29 2012-08-09 Shinshu University Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film, and organic thin film transistor
CN102714276A (zh) * 2009-10-29 2012-10-03 大日精化工业株式会社 有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管
WO2012090110A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Basf Se Perylene-based semiconductors and methods of preparation and use thereof
WO2013190255A2 (en) * 2012-06-19 2013-12-27 Cambridge Display Technology Limited Method for preparing a semiconducting layer
TW201404773A (zh) * 2012-06-19 2014-02-01 劍橋顯示科技有限公司 方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106232593A (zh) * 2014-02-25 2016-12-14 巴斯夫欧洲公司 用于有机电子器件的杂并苯
CN106232593B (zh) * 2014-02-25 2019-04-09 巴斯夫欧洲公司 用于有机电子器件的杂并苯
CN108461640A (zh) * 2018-03-16 2018-08-28 中国科学院长春应用化学研究所 晶态有机电致发光二极管及其应用
CN112771684A (zh) * 2018-09-19 2021-05-07 株式会社大赛璐 有机半导体器件制造用油墨组合物

Also Published As

Publication number Publication date
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KR20170042358A (ko) 2017-04-18
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