TWI732389B - 一種優化原子層沉積的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種優化原子層沉積的方法，其包含下列步驟：(A) 提供一纖維素奈米纖維；(B) 以一酸化處理劑對纖維素奈米纖維進行一酸化處理；(C) 以一疏水處理劑對經酸化處理之纖維素奈米纖維進行一疏水處理；(D) 將經酸化及疏水處理之纖維素奈米纖維溶於一溶劑中，形成一纖維素奈米纖維溶液；(E) 將纖維素奈米纖維溶液塗佈於一矽膠薄膜上；(F) 對塗佈後之矽膠薄膜進行一加熱處理，以在矽膠薄膜之表面上形成一纖維素奈米纖維層；以及(G) 以原子層沉積法(Atomic Layer Deposition，ALD)在具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜表面形成一無機鍍膜層。

Description

一種優化原子層沉積的方法
本發明係有關於一種優化原子層沉積的方法，其可提升矽膠上之無機鍍膜層之鍍膜品質，特別是一種利用纖維素奈米纖維改質矽膠表面以提升矽膠上之無機鍍膜層之鍍膜品質的方法。
相較於傳統照明，發光二極體(Light Emitting Diode, LED)具有體積小、發光效率高、壽命長、安全性高、操作反應時間快、色彩豐富、無熱輻射及無水銀等有毒物質汙染的優點，因此目前正迅速地蓬勃發展。其應用面相當多元，例如建築照明、消費式手持照明、零售展示照明、居住用照明等等。
一般的LED封裝結構中包含支架、設置於支架上的LED晶片以及封裝膠。然而，現有的阻氣膜結構係以聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等具有較佳阻水氣特性的高分子材料做為基板，再利用原子層沉積法製備氧化鋁薄膜於高分子基板上而形成。然而因聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)其柔軟性及可塑性皆不足以被應用於高端LED產品中的的晶片級封裝製程(Chip Scale Package，CSP)。
因矽膠具有良好的耐熱、耐光等特性，在現有技術中常使用矽膠做為LED的封裝材料。然而，因矽膠中的Si-O-Si鍵角較大，因此矽膠薄膜的阻水氣特性較差，容易使LED中的螢光粉或量子點(Quantum dot)因受潮而導致顏色發生變化或光衰退。雖已知可利用增加矽膠之交聯密度或添加奈米粒子來增加矽膠之阻水氣特性，但前述方法對於阻氣性的提升效果相當有限。此外，因矽膠之熱膨脹係數(CTE)較大，在進行形成無機薄膜的原子層沉積製程中會產生較大的熱應力，在鍍製無機鍍膜層時容易發生龜裂或皺摺現象，導致作為阻氣膜之矽膠薄膜之阻氣性下降。此外，因矽膠表面不具有進行原子層沉積所需之-OH、-NH、-COOH等較親水之官能基，疏水性較高，因此以原子層沉積法所製得之鍍膜鍍率及鍍膜品質皆較差，不容易在矽膠表面得到緻密平整的無機鍍膜。
因此，仍需要一種新穎的優化原子層沉積的方法，其可有效提升矽膠薄膜上的無機鍍膜品質，以有效提高矽膠薄膜的阻水氣特性，且仍能維持做為LED封裝材料所需的光學性質並可應用於LED封裝製程。
本發明係提出一種優化原子層沉積的方法，此種優化原子層沉積的方法可有效提升矽膠薄膜之阻水氣特性，使此具阻水氣特性的矽膠薄膜可適用於LED產品中的的晶片級封裝製程(Chip Scale Package，CSP)，且仍能維持做為LED封裝材料所需的光學性質。
本發明提出一種優化原子層沉積的方法，其包含下列步驟：(A) 提供一纖維素奈米纖維；(B) 以一酸化處理劑對前述纖維素奈米纖維進行一酸化處理；(C) 以一疏水處理劑對經酸化處理之纖維素奈米纖維進行一疏水處理 ；(D) 將經酸化及疏水處理之纖維素奈米纖維溶於一溶劑中，形成一纖維素奈米纖維溶液；(E) 將前述纖維素奈米纖維溶液塗佈於一矽膠薄膜上；(F) 對塗佈後之矽膠薄膜進行一加熱處理，以在矽膠薄膜之表面上形成一纖維素奈米纖維層；以及(G) 以原子層沉積法(Atomic Layer Deposition，ALD)在具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜表面形成一無機鍍膜層。
根據本發明之一實施方式，在步驟(D)中，前述纖維素奈米纖維溶液之濃度係介於0.05%至0.3%之間。
根據本發明之一實施方式，在步驟(D)中，前述溶劑可以是水、甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙二醇甲醚、叔丁醇、丁酮、四氫呋喃之至少之一，或其組合。
根據本發明之一實施方式，在步驟(F)中，前述纖維素奈米纖維層之厚度可介於0.2微米(μm)至1.6微米(μm)之間，且較佳可介於0.8微米(μm)至1.0微米(μm)之間。
根據本發明之一實施方式，在步驟(F)中，加熱處裡之溫度可介於40℃至120℃之間，加熱時間可介於1分鐘至30分鐘之間。
根據本發明之一實施方式，在步驟(G)中，前述無機鍍膜層之厚度可介於10奈米(nm)至300奈米(nm)之間，且較佳可介於20奈米(nm)至30奈米(nm)之間。
根據本發明之一實施方式，在步驟(G)中，前述無機鍍膜層可包括二氧化矽(SiO 2)、三氧化二鋁(Al 2O 3)、二氧化鉿(HfO 2)或其組合。
根據本發明之一實施方式，在步驟(B)中，前述酸化處理劑可包含鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸或三氟甲磺酸。
根據本發明之一實施方式，在步驟(B)中，前述酸化處理劑之濃度可介於0.1N至10N之間。
根據本發明之一實施方式，在步驟(C)中，前述疏水處理劑可包含具有C 6至C 18之長碳鏈胺基化合物。
根據本發明之一實施方式，在步驟(C)中，前述疏水處理劑可包含六胺、十二胺、十八胺、溴化十六烷基三甲胺、或十八烷基三甲基氯化銨。
根據本發明之一實施方式，在步驟(C)中，前述疏水處理劑之濃度可介於0.1%至5%之間。
本發明另提出一種具有無機鍍膜層之矽膠薄膜，其係藉由如前述之優化原子層沉積的方法所獲得。此具有無機鍍膜層之矽膠薄膜之水氣穿透率(WVTR)小於1gm -2day -1。
本發明又提出一種光學半導體裝置，此光學半導體裝置係由前述具有無機鍍膜層之矽膠薄膜封裝而成。
為了使本發明揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本發明具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。
本發明之優點、特徵以及達到之技術方法將參照例示性實施例進行更詳細地描述而更容易理解，且本發明或可以不同形式來實現，故不應被理解僅限於此處所陳述的實施例，相反地，對所屬技術領域具有通常知識者而言，所提供的實施例將使本揭露更加透徹與全面且完整地傳達本發明的範疇，且本發明將僅為所附加的申請專利範圍所定義。
而除非另外定義，所有使用於後文的術語(包含科技及科學術語)與專有名詞，於實質上係與本發明所屬該領域的技術人士一般所理解之意思相同，而例如於一般所使用的字典所定義的那些術語應被理解為具有與相關領域的內容一致的意思，且除非明顯地定義於後文，將不以過度理想化或過度正式的意思理解。
本發明提出之一種優化原子層沉積的方法，其包含下列步驟(A) 提供一纖維素奈米纖維；(B)以一酸化處理劑對纖維素奈米纖維進行一酸化處理；(C) 以一疏水處理劑對經酸化處理之纖維素奈米纖維進行一疏水處理 ；(D) 將經酸化及疏水處理之纖維素奈米纖維溶於一溶劑中，形成一纖維素奈米纖維溶液；(E) 將纖維素奈米纖維溶液塗佈於一矽膠薄膜上；(F) 對塗佈後之矽膠薄膜進行一加熱處理，以在矽膠薄膜之表面上形成一纖維素奈米纖維層；以及(G) 以原子層沉積法(Atomic Layer Deposition，ALD)在具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜表面形成一無機鍍膜層。
纖維素奈米纖維是一種以木材為原料的纖維，其製作原理是將普通木材切得非常小後製成紙漿，再將紙漿或纖維素微細化而獲得，一般纖維素奈米纖維的寬幅約為1奈米(nm)至20奈米(nm)之間，長度約為100奈米(nm)至3000奈米(nm)之間。將紙漿或纖維素微細化之方法可以周知慣用之方法進行，例如於水或水性介質中，藉由以精磨機、高壓均質機、介質攪拌磨機、石臼、研磨機、雙軸擠製機、珠磨機等磨碎而微細化來製造；利用微生物來製造纖維素奈米纖維纖維：亦可不使用水或水性介質，而於原纖化樹脂中添加上述纖維素或紙漿，機械性地賦予剪切力來製造纖維素奈米纖維纖維；以溶劑溶解纖維素後再以電紡(electrospinning)方式紡出纖維素奈米纖維；以氧化劑氧化紙漿中之纖維素或是利用觸媒轉換器等物質，造成纖維因靜電相斥而分離成奈米化之纖維素奈米纖維。在本發明之一實施例中，適合之纖維素奈米纖維可以例如是利用TEMPO自由基(2,2,6,6-四甲基-哌啶基-1-氧基）自由基2,2,6,6-Tetra-methyl-piperidinyl-1-oxyl radical)作為觸媒將紙漿氧化到纖維素的葡萄糖鏈上的1級氫氧基的TEMPO氧化纖維素奈米纖維，但不限於此。
在本發明之一實施例中，酸化處理劑可包含但不限於鹽酸、鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸或三氟甲磺酸。酸化處理劑之pH值可介於1至4之間。在本發明之一實施例中，酸化處理劑之pH值為2。酸化處理劑之濃度可介於0.1N至10N之間。在本發明之一實施例中，酸化處理劑為濃度為1N之鹽酸溶液。
因纖維素奈米纖維具有高親水性，為了後續將纖維素奈米纖維塗佈於疏水之矽膠上時可增加纖維素奈米纖維與矽膠之間的相容性以有效濕潤矽膠表面，纖維素奈米纖維可先以一疏水處理劑進行一疏水處理。疏水處理劑可例如包含但不限於具有C 6至C 18之長碳鏈胺基化合物。適合之疏水處理劑可以例如包含六胺、十二胺、十八胺、溴化十六烷基三甲胺或十八烷基三甲基氯化銨。適合之疏水處理劑濃度可介於0.1%至5%之間。在本發明之一實施例中，疏水處理劑係溶劑為異丙醇，濃度為1%之十二胺溶液。
經酸化及疏水處理後，將經酸化及疏水處理之纖維素奈米纖維溶於一溶劑中，形成一纖維素奈米纖維溶液。適合之溶劑可以例如是水、甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙二醇甲醚、叔丁醇、丁酮、四氫呋喃之至少之一，或其組合。纖維素奈米纖維溶液之濃度可介於0.05%至0.3%之間。
在本發明所使用之矽膠薄膜可為習知技術中可用於封裝LED之矽膠薄膜，而沒有特別限制。在本發明之一實施例中，矽膠薄膜係由固化一可固化矽樹脂組成物而成，此可固化矽樹脂組成物中可例如包含但不限於：10至25重量份的一線性聚矽氧烷；40至55重量份的一第一矽樹脂；15至30重量份的一第二矽樹脂；15至25重量份的至少一含矽氫鍵之聚矽氧烷；以及一鉑族金屬系催化劑。
於本發明之一實施例中，用以表示線性聚矽氧烷的平均單元結構式可如下所示：由(PhMeSiO 2/2) 0.7(Me 2SiO 2/2) 0.2(ViMeSiO 2/2) 0.1及用於封端之單體ViMe 2SiO 1/2所組成，上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。線性聚矽氧烷的重量平均分子量可在介於1,000至200,000之間，且較佳為介於1,000至160,000之間。線性聚矽氧烷於25℃的黏度未受限制，較佳範圍為6,000mPa．s至10,000mPa．s。線性聚矽氧烷可提高與第一矽樹脂及第二矽樹脂之該些矽樹脂間的加工性與所製得之一矽膠薄膜的柔韌性。
在本發明之一實施例中，用於表示第一矽樹脂的平均單元結構式，其可例如由(PhSiO 3/2) 0.7(Me 2SiO 2/2) 0.2(ViMeSiO 2/2) 0.1所示及用於封端之單體ViMe 2SiO 1/2所組成。第一矽樹脂的重量平均分子量可介於500至200,000之間，且較佳為介於1,000至190,000之間。
在本發明之一實施例中，用於表示第二矽樹脂的平均單元結構式可如以下所式：(PhSiO 3/2) 0.5(ViMe 2SiO 1/2) 0.5。上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。第二矽樹脂的重量平均分子量可介於100至10,000之間，且較佳為介於500至5,000之間。
在本發明之一實施例中，用於表示含矽氫鍵之聚矽氧烷之化學結構式可例如為：(Ph 2SiO 2/2) 1(HMe 2SiO 1/2) 2。上述Ph表示苯基，Me表示甲基。含矽氫鍵之聚矽氧烷的重量平均分子量可介於100至5,000之間，且較佳為介於100至1,000之間。可選擇地，在可固化矽樹脂組成物中可混合一種以上之含矽氫鍵之聚矽氧烷。
適合之鉑族金屬系催化劑可例如為鉑-型式催化劑、銠-型式催化劑或鈀-型式催化劑，較佳為鉑-型式催化劑，常用的催化劑可例如為H 2PtCl 6‧mH 2O，K 2PtCl 6，KHPtCl 6‧mH 2O，K 2PtCl 4，K 2PtCl 4‧mH 2O或PtO 2‧mH 2O (m為正整數)等。亦或該些催化劑與鏈烯烴、醇或含有乙烯基的有機聚矽氧烷之間的錯合物，例如可為鉑(0)-2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷複合體溶液(Platinum(0)-2,4,6,8-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane complex solution)或辛醇絡鉑化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex)，但不限於此。上述該些鉑族金屬系催化劑可單獨使用或合併使用。鉑族金屬系催化劑的添加量為線性聚矽氧烷、第一矽樹脂、第二矽樹脂及含矽氫鍵之聚矽氧烷之重量份總和的1ppm至50ppm，較佳為3ppm至10ppm。
可選擇地，在本發明之另一實施例中，可固化矽樹脂組成物中可再添加微層片(microsheet)來提升矽膠薄膜的阻水氣特性。在本發明之一實施例中，適合之微層片可以例如是雲母、黏土、層狀雙氫氧化合物、磷酸氫鈣、氮化硼之至少之一或其組合。適合之微層片之一長徑比可介於10至200之間，且較佳係介於50至200之間。適合之微層片之長度可介於0.1微米(μm)至25微米(μm)之間，且較佳係介於2微米(μm)至25微米(μm)之間。適合之微層片之厚度可介於10奈米(nm)至1000奈米(nm)之間，且較佳係介於10奈米(nm)至400奈米(nm)之間。
在本發明之一較佳實施例中，可固化矽樹脂中的微層片可經矽酮改質以提高微層片的疏水性質，以避免微層片在可固化矽樹脂中發生聚集現象。在本發明之一較佳實施例中，可固化矽樹脂中的微層片可以是經甲基矽酮處理之雲母層片。
在可固化矽樹脂組成物中，微層片之添加量可介於10至40重量份之間，當微層片的添加量過高，則會使矽膠薄膜之霧度太高而影響LED的發光效率。當添加量過低，則無法有效提升阻水氣特性。
另，於可固化矽樹脂組成物中，可選擇性地進一步包括觸變劑、抑制劑、抗沉降劑、無機填料、螢光粉或其組合。
上述無機填料是用以增加一種優化原子層沉積的方法的耐熱性，亦可作為防止螢光粉沈降的抗沈降劑，此外，也作為反射粒子之用途。該些無機填料例如可為氣相法二氧化矽、氣相法二氧化鈦等增強型無機填充劑以及碳酸鈣、矽酸鈣、二氧化鈦、氧化鈦、氧化鋅等非增強型無機填充劑。
在本發明之一實施例中，於可固化矽樹脂組成物中，還可包括氣相二氧化矽，氣相二氧化矽添加量可為0.1至5重量份，相對於100重量份之線性聚矽氧烷、第一矽樹脂、第二矽樹脂及含矽氫鍵之聚矽氧烷之總和。
將纖維素奈米纖維溶液塗佈於矽膠薄膜上之塗佈方式可為習知技術中的塗佈方法，而無特別限制。塗佈後，對塗佈後之矽膠薄膜進行一加熱處理，以在矽膠薄膜之表面上形成一纖維素奈米纖維層。在本發明之一實施例中，加熱處裡之溫度可介於40℃至120℃之間，加熱時間可介於1分鐘至30分鐘之間。所形成之纖維素奈米纖維層之厚度可介於0.2微米(μm)至1.6微米(μm)之間，且較佳為介於0.2微米(μm)至1.6微米(μm)之間。
藉由在矽膠薄膜上形成纖維素奈米纖維層，可使疏水之矽膠薄膜表面具有親水且為原子層沉積所需之OH官能基，以利後續以原子層沉積法形成無機鍍膜層。此外，因纖維素奈米纖維層之熱膨脹係數(CTE)較小，有利於後續加工，故可提升鍍膜品質。
形成纖維素奈米纖維層後，再以原子層沉積法(Atomic Layer Deposition，ALD)在具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜表面形成一無機鍍膜層。
原子層沉積法是一種氣相薄膜沉積技術，其藉由氣體前驅物(Precursor)反應產生氣密和穩定的鍍膜。無機鍍膜層可包含但不限於二氧化矽(SiO 2)、三氧化二鋁(Al 2O 3)、二氧化鉿(HfO 2)或其組合。在本發明之一實施例中，無機鍍膜層可為三氧化二鋁(Al 2O 3)鍍膜層。在本發明之另一實施例中，無機鍍膜層可為三氧化二鋁(Al 2O 3)/二氧化鉿(HfO 2)鍍膜層。
在本發明之一實施例中，無機鍍膜層之厚度可介於10奈米(nm)至300奈米(nm)之間，且較佳係介於20奈米(nm)至30奈米(nm)之間。
本發明另提出一種具有無機鍍膜層之矽膠薄膜，其係藉由如前述之優化原子層沉積的方法所獲得。此具有無機鍍膜層之矽膠薄膜之水氣穿透率(WVTR)小於1gm -2day -1。
本發明又提出一種光學半導體裝置，此光學半導體裝置係由前述具有無機鍍膜層之矽膠薄膜封裝而成。
下述實施例係用來進一步說明本發明，但本發明之內容並不受其限制。
實施例
製備例1：線性聚矽氧烷（化合物A）的製備方法
將3499.92克(19.13 mole)的甲基苯基二甲氧基矽烷(phenylmethyl dimethoxysilane，購自恆橋產業股份有限公司，台灣)，288.48克(2.4 mole)的二甲基二甲氧基矽烷(Dimethyldimethoxysilane，購自恆橋產業股份有限公司，台灣)，以及317.28克(2.4 mole)的甲基乙烯基二甲氧基矽烷(Methylvinyldimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，台灣)加至反應槽中並於室溫下攪拌形成一均勻混和溶液。將此混和溶液滴入濃度5%的硫酸水溶液(5337.4克)中得到一反應溶液，接著將此反應溶液加熱至75℃以進行水解，待反應完全後以去離子水進行萃取使有機層達到中性，最後移除溶劑以製得一水解產物。
將上述水解產物、69.52克(0.374 mole)的二乙烯基四甲基二矽氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，購自六和化工股份有限公司，台灣)以及5.88克的四甲基氫氧化銨(Tetramethylammoniumhydroxide，商品名L09658，購自Alfa Aesar，美國)置於反應槽中，於反應槽中通入氮氣，並於室溫下均勻攪拌以製得一反應溶液。將此反應溶液加熱至95℃，待反應完全後，進行除鹼以完成化合物A的製備。化合物A之平均單元結構式係由(PhMeSiO2/2) 0.7(Me2SiO2/2) 0.2(ViMeSiO2/2) 0.1及用於封端之單體ViMe2SiO 1/2所組成。上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。
製備例2：第一矽樹脂（化合物B）的製備方法
將2776克(14 mole)的苯基三甲氧基矽烷(phenyl-trimethoxysilane，購自六和股份有限公司，台灣)，480.88克(4mole)的二甲基二甲氧基矽烷 (Dimethyldimethoxysilane，購自恆橋產業股份有限公司，台灣)，以及264.46克(2 mole)的甲基乙烯基二甲氧基矽烷(Methylvinyldimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，台灣)置於反應槽中，於室溫下攪拌以製得均勻混合溶液。將混和溶液滴入濃度5%的硫酸水溶液中以製得一反應溶液，接著將此反應溶液加熱至75℃進行水解，待反應完全後，以去離子水進行萃取使有機層達到中性，最後移除溶劑以製得一水解產物。
將上述水解產物、21.39克(0.11 mole)的二乙烯基四甲基二矽氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，購自六和化工股份有限公司，台灣)、22.74克的氫氧化鉀以及2274克的甲苯置於反應槽中，於反應槽中通入氮氣，並於室溫下攪拌以製得一反應溶液。接著將此反應溶液加熱至95℃。待反應完全後，以去離子水進行萃取使有機層達到中性，最後移除溶劑以完成化合物B的製備。化合物B之平均單元結構式係由(PhSiO3/2) 0.7(Me2SiO2/2) 0.2(ViMeSiO2/2) 0.1及用於封裝之單體ViMe2SiO 1/2所組成。
製備例3：第二矽樹脂（化合物C）的製備方法
將2379.4克(12 mole)的苯基三甲氧基矽烷(Phenyltrimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，台灣)，以及1118.4克(6 mole)的二乙烯基四甲基二矽氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，購自六和化工股份有限公司，台灣)置於反應槽中，於室溫下攪拌以製得均勻混和溶液。將此混和溶液滴入濃度5%的硫酸水溶液(4547.16克)中以製得一反應溶液，接著將此反應溶液加熱至75℃，以進行水解，待反應完全後，以去離子水進行萃取使有機層達到中性，最後移除溶劑以製得一水解產物。
將上述水解產物、1998克的甲苯以及10克的氫氧化鉀置於反應槽中，於反應槽中通入氮氣，並於室溫下均勻攪拌以製得一反應溶液。將此反應溶液進行加熱至85℃。待反應完全後，以去離子水進行萃取使有機層達到中性，最後移除溶劑以完成化合物C的製備。化合物C之平均單元結構式為(PhSiO3/2) 0.5(ViMe2SiO1/2) 0.5。
製備例4：含矽氫鍵之聚矽氧烷（化合物D）的製備方法
將3432.04克(14 mole)的二苯基二甲氧基矽烷(Diphenyldimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，台灣)，以及1880.62克(14 mole)的四甲基二矽氧烷(1,1,3,3-Tetramethyldisiloxane，購自恆橋產業有限公司，台灣)置於反應槽中，於室溫下攪拌以製得一均勻混和溶液。將混和溶液滴入濃度50%的硫酸水溶液(2669克)中以製得一反應溶液，接著將此反應溶液於室溫下反應4小時以進行水解。待反應完全後，以去離子水萃取使有機層達到中性，最後移除溶劑以完成化合物D的製備。化合物D之平均單元結構式係(Ph2SiO2/2) 0.33(HMe2SiO1/2) 0.67。
製備例5：含矽氫鍵之聚矽氧烷（化合物E）的製備方法
將2776克（14  mole）的苯基三甲氧基矽烷（ phenyltrimethoxysilane ，購自六和化工股份有限公司，台灣），以及1880.62克（14 mole）的四甲基二矽氧烷（1,1,3,3-tetramethyldisilloxane，購自恆橋產業有限公司，台灣）置於反應槽中，於室溫下攪拌以製得均勻混和溶液。將混和溶液滴入質量濃度為50％的硫酸水溶液（2669克）中以製得一反應溶液，接著將此反應溶液於室溫下反應4小時以進行水解。待反應完全後，以去離子水萃取使有機層達到中性，最後移除溶劑以完成化合物E的製備，化合物E的平均單元結構式為(PhSiO3/2) 0.33(HMe2SiO1/2) 0.67。
製備例6：纖維素奈米纖維溶液的製備方法
取10克濃度為2%之TEMPO氧化纖維素奈米纖維分散液(TEMPO-Cellulose Nano Fibril，含羧基量為1.46 mmol/g，購自Cellulose Lab，加拿大)置入反應瓶，加入190克二次去離子水稀釋至0.1 w/w%，並以高功率超音波震盪至均勻。接著，將濃度為1N之鹽酸水溶液滴入纖維素奈米纖維溶液中，直至纖維素奈米纖維溶液之pH值等於2以進行酸化，待酸化完全後，以孔徑0.1µm之PTFE濾膜濾濾除多餘水分，並以二次去離子水清洗濾餅，直至濾液之pH值大於4為止。過濾後，將溶劑置換為二次去離子水:異丙醇(1:1 v/v)，得到濃度為0.1 w/v% 之纖維素奈米纖維的二次去離子水:異丙醇(1:1 v/v)溶液，並以高功率超音波震盪至均勻。接著，取0.054克十二胺(Dodecylamine，購自Sigma-Aldrich，美國)於燒杯中，以異丙醇作為溶劑配製濃度為1%的十二胺溶液，再將此十二胺溶液滴加入含有0.1 w/v% 纖維素奈米纖維的二次去離子水:異丙醇(1:1 v/v)溶液中並持續攪拌，以進行疏水處理，待反應完全後，以高功率超音波震盪至均勻，形成一纖維素奈米纖維-十二胺離子配位溶液。再將600克之二次去離子水加入此纖維素奈米纖維-十二胺離子配位溶液中，持續攪拌進行析出，之後以孔徑0.1µm之PTFE濾膜濾除多餘水分，並以異丙醇清洗濾餅，直至濾餅成膠體型態，製成纖維素奈米纖維-十二胺離子配位化合物。再以異丙醇作為溶劑，分別配製濃度為0.05%以及0.3%之纖維素奈米纖維-十二胺離子配位化合物溶液。
實施例1
首先，於反應瓶中置入47.84克的化合物B、19.53克的化合物C、15.96克的化合物D、2.05克的化合物E，1000ppm（相對於100克的化合物A，化合物B，化合物C，化合物D以及化合物E的總和）的1-乙炔基環己醇作為抑製劑，以及1.5重量份的氣相二氧化矽（TS-720，購自Cabot Corp.，美國）以製得第一溶液。於另一反應瓶中置入14.53克的化合物A以及4.3ppm（相對於化合物A，化合物B，化合物C，化合物D以及化合物E的總和）的辛醇絡鉑化合物（PIatinum–Octanal/Octanol Complex，購自Gelest，美國）以形成第二溶液。將第一溶液、第二溶液、30克的經甲基矽酮處理之雲母微層片(購自加全實業，台灣)、27克的溶劑甲苯以及與前述材料等重量的0.3mm鋯珠，以真空行星脫泡機Thinky ARV-310機型攪拌均勻，並於PET基材上進行塗布，再經80°C加熱15分鐘、150°C加熱3小時固化後，撕除PET基材，製得矽膠薄膜。矽膠薄膜厚度約為50微米(μm)。此矽膠薄膜之CTE(25°C-50°C)為23.3ppm，水接觸角為96.9∘
將製得之矽膠薄膜置於60°C之加熱板上，再將如製備例6所製得之濃度為0.05%之纖維素奈米纖維-十二胺離子配位溶液塗佈於矽膠薄膜上，在60°C之加熱板上靜置5分鐘乾燥後，在矽膠薄膜表面上形成一厚度為0.8微米之纖維素奈米纖維層。
依照ASTM E831規則，以熱機械分析儀(TMA from TA instrument)在氮氣環境中，以10℃/分鐘的升溫速率量測30-100℃範圍內的熱膨脹係數(CTE)，所用張力為0.0023N。此具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜之CTE(25°C-50°C)為22.7ppm，水接觸角為83.8∘。
接著，先以氧氣電漿對具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜表面進行前處理，再利用ALD設備(i-SA，購自Syskey Technology，台灣)，以三甲基鋁(Al(CH 3) 3)以及四雙(乙基甲基氨)鉿(Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium，TEMAHF)做為前驅物，水(H2O)做為氧化劑，以高純度氬氣作為吹掃氣和載氣，在50°C及1 Torr的工作壓力下，以原子層沉積法在矽膠薄膜表面上形成一厚度約為20奈米之三氧化二鋁(Al 2O 3)/二氧化鉿(HfO 2)鍍膜層。
實施例2
以相同於實施例1之方法在製得矽膠薄膜，再將製得之矽膠薄膜置於60°C之加熱板上，並將如製備例6所製得之濃度為0.3%之纖維素奈米纖維-十二胺離子配位溶液塗佈於矽膠薄膜上，在60°C之加熱板上靜置5分鐘乾燥後，在矽膠薄膜表面上形成一厚度為0.94微米之纖維素奈米纖維層。
依照ASTM E831規則，以熱機械分析儀(TMA from TA instrument)在氮氣環境中，以10℃/分鐘的升溫速率量測30-100℃範圍內的熱膨脹係數(CTE)，所用張力為0.0023N。此具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜之CTE(25°C-50°C)為-16.0ppm，水接觸角為85∘。
接著，先以氧氣電漿對具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜表面進行前處理，再利用ALD設備(i-SA，購自Syskey Technology，台灣)，以三甲基鋁((Al(CH 3) 3)以及四雙(乙基甲基氨)鉿(Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium，TEMAHF)做為前驅物，水(H2O)做為氧化劑，以高純度氬氣作為吹掃氣和載氣，在50°C及1 Torr的工作壓力下，以原子層沉積法在矽膠薄膜表面上形成一厚度約為20奈米之三氧化二鋁(Al 2O 3)/二氧化鉿(HfO 2)鍍膜層。
比較例1
以相同於實施例1之方法在矽膠薄膜上製備三氧化二鋁(Al 2O 3)/二氧化鉿(HfO 2)鍍膜層，但在矽膠表面上未塗佈纖維素奈米纖維-十二胺離子配位溶液。
以下，將本發明所提出的一種優化原子層沉積的方法依照下列方法進行評估測試，量測結果如下列表1所示。
水氣穿透率(WVTR)量測
水氣穿透率(WVTR)以Moconaquatran model 1 (量測範圍：5-5×10 -5gm -2day -1)依據ASTM F1249規則量測，量測面積0.5-5cm 2，於溫度25℃、濕度90%RH條件下進行量測。
穿透率(T%)
以分光光度計(U4100，購自Hitachi，日本)量測380-700nm波長範圍內之光穿透率。
膜面外觀
以3D雷射顯微鏡(型號：OLS5000，購自Olympus，日本)觀察膜面外觀。
◎：表示膜面完整無裂化
△：表示膜面有微裂痕
X：表示膜面裂化
表1：實施例1-實施例2及比較例1之矽膠薄膜特性測試結果
表1 WVTR (gm -2day -1) 穿透率(%) 膜面外觀
實施例1 0.96 95.41 ◎
實施例2 0.98 94.63 ◎
比較例1 3.93 95.43 △
於表1所列之測試結果，相較於比較例1，實施例1及實施例2之矽膠薄膜因表面具有纖維素奈米纖維層，故親水性較佳且熱膨脹係數較低，因此可具有更好的加工性以利後續形成無機鍍膜層，在以原子層沉積法在矽膠薄膜上形成無機鍍膜層後，無機鍍膜層表面均無龜裂現象，故可使具有無機鍍膜層之矽膠薄膜可具有更好的阻水氣性質。此外，在形成無機鍍膜層後，矽膠薄膜仍可具有良好的光學性質。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
無

Claims (15)

  1. 一種優化原子層沉積的方法，其包含下列步驟：(A)提供一纖維素奈米纖維；(B)以一酸化處理劑對該纖維素奈米纖維進行一酸化處理；(C)以一疏水處理劑對該經酸化處理之纖維素奈米纖維進行一疏水處理；(D)將該經酸化及疏水處理之纖維素奈米纖維溶於一溶劑中，形成一纖維素奈米纖維溶液；(E)將該纖維素奈米纖維溶液塗佈於一矽膠薄膜上；(F)對該塗佈後之矽膠薄膜進行一加熱處理，以在該矽膠薄膜之表面上形成一纖維素奈米纖維層；以及(G)以原子層沉積法(Atomic Layer Deposition，ALD)在該具有纖維素奈米纖維層之矽膠薄膜表面上形成一無機鍍膜層。
  2. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在該步驟(D)中，該纖維素奈米纖維溶液之重量百分濃度係介於0.05%至0.3%之間。
  3. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在該步驟(D)中，該溶劑係選自由水、甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙二醇甲醚、叔丁醇、丁酮以及四氫呋喃所組成之群組之至少之一，或其組合。
  4. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在該步驟(F)中，該纖維素奈米纖維層之厚度係介於0.2微米(μm)至1.6微米(μm)之間。
  5. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在該步驟(F)中，該加熱處裡之溫度係介於40℃至120℃之間，加熱時間係介於1分鐘至30分鐘之間。
  6. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在該步驟(G)中，該無機鍍膜層之厚度係介於10奈米(nm)至300奈米(nm)之間。
  7. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在該步驟(G)中，該無機鍍膜層包括二氧化矽(SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)或二氧化鉿(HfO2)。
  8. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在該步驟(B)中，該酸化處理劑包含鹽酸、鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸或三氟甲磺酸。
  9. 如請求項8之優化原子層沉積的方法，其中在步驟(B)中，該酸化處理劑之當量濃度係介於0.1N至10N之間。
  10. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在步驟(C)中，該疏水處理劑包含一具有C6至C18之長碳鏈胺基化合物。
  11. 如請求項1之優化原子層沉積的方法，其中在步驟(C)中，該疏水處理劑包含六胺、十二胺、十八胺、溴化十六烷基三甲胺或十八烷基三甲基氯化銨。
  12. 如請求項10之優化原子層沉積的方法，其中在步驟(C)中，該疏水處理劑之重量百分濃度係介於0.1%至5%之間。
  13. 一種具有無機鍍膜層之矽膠薄膜，其係藉由如請求項第1至12項中任一項所述之優化原子層沉積的方法所獲得。
  14. 如請求項13之具有無機鍍膜層之矽膠薄膜，其中該具有無機鍍膜層之矽膠薄膜之水氣穿透率(WVTR)小於1gm-2day-1。
  15. 一種光學半導體裝置，其中該光學半導體裝置係由請求項13之具有無機鍍膜層之矽膠薄膜封裝而成。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200724579A (en) * 2005-08-22 2007-07-01 Eastman Kodak Co Nanocomposite materials and method of making
TW201219562A (en) * 2010-09-27 2012-05-16 Eastman Chem Co Processes and compositions for removing substances from substrates
TW201228822A (en) * 2010-10-08 2012-07-16 Fujifilm Corp Laminate body and fabricating method thereof, print circuit board and circuit
TW201612179A (en) * 2014-08-18 2016-04-01 Basf Se A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
CN108176249A (zh) * 2017-12-28 2018-06-19 南京工业大学 一种碳化硅纳米纤维膜的制备方法
TW201833259A (zh) * 2016-12-02 2018-09-16 德商默克專利有限公司 由可交聯聚合物組成物製備光電裝置的方法
CN108909118A (zh) * 2018-06-15 2018-11-30 北京化工大学常州先进材料研究院 一种单面耐原子氧聚酰亚胺复合薄膜材料及其制备方法
CN109295690A (zh) * 2018-10-09 2019-02-01 哈尔滨工业大学 一种pbo纤维表面耐紫外/抗原子氧纳米含硅涂层的构筑方法
CN109541001A (zh) * 2018-11-14 2019-03-29 长春工业大学 一种基于聚合物载体的有机纳米纤维气敏膜no2气体传感器制备方法
WO2019153828A1 (zh) * 2018-02-08 2019-08-15 江苏万华拓谷新材料科技有限公司 一种超细纤维复合吸波材料及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013043984A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Olympus Corp セルロースナノファイバーとその製造方法、複合樹脂組成物、成形体
CN103730645B (zh) * 2014-01-17 2015-11-18 江苏华盛精化工股份有限公司 一种硅包覆碳纤维纳米复合材料及其制备方法和应用
US10703955B2 (en) * 2014-06-30 2020-07-07 Oji Holdings Corporation Composition comprising ultrafine cellulose fibers
CN104213099A (zh) * 2014-09-24 2014-12-17 中国人民解放军国防科学技术大学 一种碳化硅纤维表面氧化物陶瓷涂层的制备方法
KR102107801B1 (ko) * 2017-04-14 2020-05-07 세종대학교산학협력단 나노 셀룰로오스 복합체 및 이의 제조방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200724579A (en) * 2005-08-22 2007-07-01 Eastman Kodak Co Nanocomposite materials and method of making
TW201219562A (en) * 2010-09-27 2012-05-16 Eastman Chem Co Processes and compositions for removing substances from substrates
TW201228822A (en) * 2010-10-08 2012-07-16 Fujifilm Corp Laminate body and fabricating method thereof, print circuit board and circuit
TW201612179A (en) * 2014-08-18 2016-04-01 Basf Se A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
TW201833259A (zh) * 2016-12-02 2018-09-16 德商默克專利有限公司 由可交聯聚合物組成物製備光電裝置的方法
CN108176249A (zh) * 2017-12-28 2018-06-19 南京工业大学 一种碳化硅纳米纤维膜的制备方法
WO2019153828A1 (zh) * 2018-02-08 2019-08-15 江苏万华拓谷新材料科技有限公司 一种超细纤维复合吸波材料及其制备方法
CN108909118A (zh) * 2018-06-15 2018-11-30 北京化工大学常州先进材料研究院 一种单面耐原子氧聚酰亚胺复合薄膜材料及其制备方法
CN109295690A (zh) * 2018-10-09 2019-02-01 哈尔滨工业大学 一种pbo纤维表面耐紫外/抗原子氧纳米含硅涂层的构筑方法
CN109541001A (zh) * 2018-11-14 2019-03-29 长春工业大学 一种基于聚合物载体的有机纳米纤维气敏膜no2气体传感器制备方法

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