CN106478107A - 一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将稳泡剂加入去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。将催化剂、异丁烯‑马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，搅拌，注浆成型，脱模，干燥，在1150~1400℃条件下保温2~6h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。本发明具有制备工艺简单、对设备要求不高、易于控制、污染小、合成温度低和生产成本低的特点；所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷孔隙率高、强度大、韧性好和产业前景大。

Description

一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明属于多孔陶瓷技术领域。具体涉及一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。
背景技术
碳化硅多孔陶瓷具有孔隙率高、热导率低、体积密度小和比表面积大的特点，还具有强度高、耐腐蚀、耐高温、热膨胀系数低、抗热震性好和生物相容性好的优异性能。这些优异性能使得碳化硅多孔陶瓷在环保、能源化工、冶金、过滤分离、尾气处理和生物医学等领域有着广阔的应用前景。氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料，其强度最高可达1.7GPa，断裂韧性可达11MPa·m1/2。氮化硅的热膨胀系数与碳化硅接近，抗热震性良好。因此，常被用作碳化硅多孔陶瓷的结合相。
发泡注浆成型是多孔陶瓷制备过程中常用的工艺之一，该工艺可采用简单的设备，制备出形状复杂的多孔陶瓷。“一种用发泡法制备块体光催化材料的方法”(CN101967064A)专利技术，以蛋清为发泡剂和以多元糖类为胶凝剂，采用发泡注浆成型工艺，制得氧化铝和二氧化硅等多孔陶瓷。该方法制备的陶瓷坯体需在75~85℃的环境下才能固化成型，且有机物的用量较多，所采用的发泡剂和胶凝剂虽然无毒，但烧结过程中大量的有机物燃烧会严重污染环境。“大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷素坯的凝胶注模成型工艺”(CN101941231A)专利技术，以去离子水为溶液、以丙烯酰胺为单体、以N,N´-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂、以四甲基氢氧化铵为分散剂、以丙三醇为增塑剂、以异丙醇为链转移剂、以过硫酸铵为引发剂和以N,N,N´,N´-四甲基乙二胺为催化剂，制得大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷。此方法存在如下不足：（1）有机物毒性较大，如单体丙烯酰胺和交联剂N,N´-亚甲基双丙烯酰胺等均对眼睛、皮肤、黏膜和呼吸道有刺激作用，会危害操作人员的健康；（2）烧结过程中有机物的燃烧会产生大量的废气，对环境污染严重；（3）该方法有机物用量较大，成本较高，不适于规模化生产。
“催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法”(CN101983947A)专利技术，以Si和Si3N4为原料、以三水氯化铁为催化剂，采用催化氮化的方法，制得了高α相氮化硅粉体。结果表明，催化剂的引入虽有助于氮化反应的进行，促进氮化硅的合成，但仍存在氮化温度高和需要加入氮化硅为稀释剂的缺点。
“一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法”(CN1654432A)专利技术，以酚醛树脂为造孔剂和碳源、以Si3N4为原料、以Al2O3和Y2O3为烧结助剂，采用碳热还原反应，原位生成SiC相，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷。该方法存在如下不足：（1）工艺复杂，如需要氩气和氮气两种气氛；（2）烧结温度较高，高达1700~1800℃。（3）Si3N4用量为70wt%，成本较高，不适于规模化生产。“一种低热导率氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法”(CN103058708A)专利技术，以硅和碳化硅粉体为原料，采用凝胶注模工艺，制得氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷。该方法亦存在如下问题：（1）工艺复杂，如需在400-600℃空气气氛下保温2~6小时进行排胶；（2）凝胶过程中加入大量的单体、交联剂等有机物，高温分解产生气体会对大气造成污染；（3）交联剂亚甲基双丙烯酰胺具有毒性，对人和环境危害较大；（4）烧结温度较高，在使用催化剂的条件下依然需要高达1300~1500℃。
以上结果表明：氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷的制备都存在工艺复杂、有机物用量大、污染大、孔隙率低、强度低和合成温度高等问题。
发明内容
本发明旨在克服现有技术的不足，目的是提供一种工艺简单、污染小、合成温度低和生产成本低的氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法；用该方法制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的孔隙率高、强度大、韧性好和应用前景好。
为实现上述目的，本发明所采用的技术方案的具体步骤是∶
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.01)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。
步骤二、按催化剂∶异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0~0.08)∶(0.004~0.015)∶(2.12~3.10)∶1，将催化剂、异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.005~0.02)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料。
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体。
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1150~1400℃条件下保温2~6h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
所述稳泡剂为羧甲基纤维素、聚丙烯酰胺和羟丙基甲基纤维素中的一种，所述稳泡剂为工业纯或为分析纯。
所述催化剂为氧化铁、三氧化二钴和氧化镍中的一种以上，所述催化剂为分析纯。
所述异丁烯-马来酸酐共聚物为工业纯。
所述发泡剂为十六烷基三甲基溴化铵或为十二烷基三乙醇胺。
所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为10~50wt%，碳化硅为50~90wt%；所述陶瓷粉体的中位粒径≤10μm。
所述干燥为自然干燥或为在30~120℃条件下干燥。
由于采用上述技术方案，本发明与现有技术相比具有以下积极效果∶
1、本发明所采用的稳泡剂安全无毒；异丁烯-马来酸酐共聚物以碳、氢和氧为主，氮含量很低，对工作人员和环境危害较小。
2、本发明使用的有机物(稳泡剂、发泡剂和异丁烯-马来酸酐共聚物)含量低，用量少，异丁烯-马来酸酐共聚物与所述去离子水的质量比为(0.004~0.015)∶1，生产成本较低，适合工业化大规模生产。
3、本发明使用少量的催化剂通过低温原位催化氮化反应，形成氮化硅晶须结合相提高其强度、改善整体性能。
4、本发明工艺简单，对设备要求不高，注浆成型后在10~70℃条件下就可固化脱模。
5、本发明采用发泡法和低温烧结所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷强度高、孔隙率大；当孔隙率为60~75%时，抗折强度为1.5~8.2MPa。
因此，本发明具有制备工艺简单、对设备要求不高、易于控制、污染小、合成温度低和生产成本低的特点；所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷孔隙率高、强度大、韧性好和产业前景大。
附图说明
图1为本发明所制备的一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的SEM图；
图2为图1所示的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的TEM图。
具体实施方式
下面结合附图和实施的具体实验方式对本发明做进一步描述，并非对其保护范围的限制。
本具体实施方式中：
所述稳泡剂为工业纯或为分析纯；
所述催化剂为分析纯；
所述异丁烯-马来酸酐共聚物为工业纯；
所述陶瓷粉体的中位粒径≤10μm；
所述干燥为自然干燥或为在30~120℃条件下干燥。
实施例中将不再赘述。
实施例1
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述制备方法的步骤是：
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.005)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。
步骤二、按催化剂∶异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0.001~0.04)∶(0.01~0.015)∶(2.34~3.10)∶1，将催化剂、异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.005~0.01)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料。
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体。
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1150~1300℃条件下保温4~6h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
本实施例中：所述发泡剂为十六烷基三甲基溴化铵；所述稳泡剂为羧甲基纤维素；所述催化剂为氧化铁；所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为10~20wt%，碳化硅为80~90wt%。
实施例2
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述制备方法的步骤是：
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.005)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。
步骤二、按催化剂∶异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0.04~0.08)∶(0.004~0.01)∶(2.26~2.99)∶1，将催化剂、异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.005~0.01)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料。
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体。
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1150~1300℃条件下保温4~6h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
本实施例中：所述发泡剂为十二烷基三乙醇胺；所述稳泡剂为羧甲基纤维素；所述催化剂为三氧化二钴；所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为20~30wt%，碳化硅为70~80wt%。
实施例3
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述制备方法的步骤是：
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.005~0.01)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。
步骤二、按催化剂∶异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0.001~0.04)∶(0.004~0.01)∶(2.19~2.89)∶1，将催化剂、异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.01~0.02)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料。
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体。
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1200~1350℃条件下保温3~5h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
本实施例中：所述发泡剂为十六烷基三甲基溴化铵；所述稳泡剂为聚丙烯酰胺；所述催化剂为氧化镍；所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为30~40wt%，碳化硅为60~70wt%。
实施例4
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述制备方法的步骤是：
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.005~0.01)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。
步骤二、按催化剂∶异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0.001~0.04)∶(0.01~0.015)∶(2.19~2.79)∶1，将催化剂、异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.01~0.02)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料。
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体。
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1200~1350℃条件下保温3~5h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
本实施例中：所述发泡剂为十二烷基三乙醇胺；所述稳泡剂为聚丙烯酰胺；所述催化剂为氧化铁和三氧化二钴的混合物；所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为50~50wt%，碳化硅为50~60wt%。
实施例5
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述制备方法的步骤是：
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.004~0.008)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。
步骤二、按催化剂∶异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0.04~0.08)∶(0.008~0.012)∶(2.30~2.94)∶1，将催化剂、异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.008~0.015)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料。
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体。
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1250~1400℃条件下保温2~4h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
本实施例中：所述发泡剂为十六烷基三甲基溴化铵；所述稳泡剂为羟丙基甲基纤维素；所述催化剂为三氧化二钴和氧化镍的混合物；所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为25~35wt%，碳化硅为65~75wt%。
实施例6
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述制备方法的步骤是：
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.006)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。
步骤二、按催化剂∶异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0.01~0.05)∶(0.008~0.012)∶(2.23~3.06)∶1，将催化剂、异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.008~0.015)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料。
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体。
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1250~1400℃条件下保温2~4h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
本实施例中：所述发泡剂为十二烷基三乙醇胺；所述稳泡剂为羟丙基甲基纤维素；所述催化剂为氧化铁、三氧化二钴和氧化镍的混合物；所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为15~25wt%，碳化硅为75~85wt%。
实施例7
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述制备方法的步骤是：
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.006)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。
步骤二、按异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0.005~0.011)∶ (2.20~2.85)∶1，将异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.008~0.015)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料。
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体。
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1230~1380℃条件下保温2~4h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
本实施例中：所述发泡剂为十二烷基三乙醇胺；所述稳泡剂为羟丙基甲基纤维素；所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为35~45wt%，碳化硅为55~65wt%。
本具体实施方式与现有技术相比具有以下的积极效果∶
1、本具体实施方式所采用的稳泡剂安全无毒；异丁烯-马来酸酐共聚物以碳、氢和氧为主，氮含量很低，对工作人员和环境危害较小。
2、本具体实施方式使用的有机物(稳泡剂、发泡剂和异丁烯-马来酸酐共聚物)含量低，用量少，异丁烯-马来酸酐共聚物与所述去离子水的质量比为(0.004~0.015)∶1，生产成本低，适合工业化大规模生产。
3、本具体实施方式工艺简单，对设备要求不高，注浆成型后在10~70℃条件下就可固化脱模。
4、本具体实施方式使用少量的催化剂通过低温原位催化氮化反应，形成氮化硅晶须结合相提高其强度、改善整体性能。
5、本具体实施方式工艺简单，对设备要求不高，注浆成型后在10~70℃条件下就可固化脱模。
6、图1为本实施例2所制备的一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的SEM图；图2为图1所示氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷中晶须的TEM图。从图1和图2可以看出：采用发泡法和低温氮化使氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷具有大孔结构且氮化硅晶须发育良好，碳化硅颗粒之间有晶须状氮化硅桥接，使得所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷孔隙率大、强度高、韧性好；当孔隙率为60~75%，抗折强度为1.5~8.2MPa。本具体实施方式所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷强度高、孔隙率大。
因此，本具体实施方式具有制备工艺简单、对设备要求不高、易于控制、污染小、合成温度低和生产成本低的特点；所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷孔隙率大、强度高、韧性好和产业前景大。

Claims (8)

1.一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述制备方法的具体步骤是∶
步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.01)∶1，将稳泡剂加入到去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液；
步骤二、按催化剂∶异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0~0.08)∶(0.004~0.015)∶(2.12~3.10)∶1，将催化剂、异丁烯-马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料；
步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.005~0.02)∶1，将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，机械搅拌1~3min，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料；
步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中，在10~70℃条件下固化6~12h，脱模，制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体；
步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥，在1150~1400℃条件下保温2~6h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
2.根据权利要求1所述的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述稳泡剂为羧甲基纤维素、聚丙烯酰胺和羟丙基甲基纤维素中的一种，所述稳泡剂为工业纯或为分析纯。
3.根据权利要求1所述的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述催化剂为氧化铁、三氧化二钴和氧化镍中的一种以上，所述催化剂为分析纯。
4.根据权利要求1所述的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述异丁烯-马来酸酐共聚物为工业纯。
5.根据权利要求1所述的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述发泡剂为十六烷基三甲基溴化铵或为十二烷基三乙醇胺。
6.根据权利要求1所述的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体，其中：硅为10~50wt%，碳化硅为50~90wt%；所述陶瓷粉体的中位粒径≤10μm。
7.根据权利要求1所述的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述干燥为自然干燥或为在30~120℃条件下干燥。
8.一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷，其特征在于所述的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷是根据权利要求1~7项中任一项所述氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。
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