CN1654432A - 一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法 - Google Patents

一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1654432A
CN1654432A CN 200410073163 CN200410073163A CN1654432A CN 1654432 A CN1654432 A CN 1654432A CN 200410073163 CN200410073163 CN 200410073163 CN 200410073163 A CN200410073163 A CN 200410073163A CN 1654432 A CN1654432 A CN 1654432A
Authority
CN
China
Prior art keywords
atmosphere
resol
minute
sintering
batch mixing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 200410073163
Other languages
English (en)
Other versions
CN1288112C (zh
Inventor
王红洁
张雯
高积强
乔冠军
杨建锋
金志浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Jiaotong University
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN 200410073163 priority Critical patent/CN1288112C/zh
Publication of CN1654432A publication Critical patent/CN1654432A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1288112C publication Critical patent/CN1288112C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明属于多孔陶瓷技术领域,涉及一种低成本高性能氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法。该方法包括配料、成型、烧结常规陶瓷材料制备工艺,其特征在于:以酚醛树脂作为一种新的造孔剂和碳源,利用烧结过程中的碳热还原反应,原位生成纳米SiC相;Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂的质量比为70~95%∶1~5%∶2~8%∶5~28%;加入无水乙醇30~60%,混料12~24小时制成料浆,烘干制成干粉;将干燥后的陶瓷粉体依次经过成型、裂解排胶、碳热还原、烧结,制得40~70%的高气孔率、70~160MPa的高强度、低成本的氮化硅/碳化硅多孔陶瓷,本发明工艺简单,成本低廉。

Description

一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法
技术领域
本发明属于多孔陶瓷技术领域,涉及一种低成本高性能氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法,
背景技术
工业的迅速发展,人口的增加与聚集,城市规模的扩大所派生的环境污染问题逐渐暴露,并日趋严重,成为阻碍人类自身持续发展的严重障碍。目前环境保护是人类生存所面临的一个急待解决的问题,在众多的工业部门中,如何处理高温高压含尘气体始终是一紧迫课题。对于高温烟尘,理想的方法是过滤除尘,其中最关键的是选择过滤材料。
多孔陶瓷是以气相为主相的一类陶瓷材料,相比于其它多孔材料具有耐高温、耐腐蚀和抗热震性能优良的优点,在处理高温高压含尘气体等环保方面具有广阔的应用前景。世界各国都已投入大量的人力、物力、财力用于此类材料的研究,并且取得了较大进展。
目前,根据多孔陶瓷的应用,已成功开发出多种制备工艺:一是从原料出发,通过控制颗粒堆积工艺,控制材料的气孔率及大小、分布,从而提高材料强度,如固态烧结法、添加造孔剂法。二是从气孔的显微结构上改进,例如最近出现的模板法、有机泡沫浸渍法,有望成为可以控制孔形状、分布及大小的新型多孔陶瓷制备方法。三是利用化学法,采用生物酶技术,如溶胶-凝胶法。其中造孔剂法是制备多孔陶瓷的一种重要工艺,该工艺可以制备形状复杂的制品,如Lyckfeldt等人(O.Lyckfeldt and J.M.F.Ferreira,Journal of the European Ceramic Society,18,1998,131-140)用淀粉作为造孔剂制备出了Al2O3多孔陶瓷,中国专利03116370.X则用酵母粉作为造孔剂,制备碳化硅多孔陶瓷,中国专利03132960.8以酰胺盐为造孔剂制备多孔陶瓷,但这种方法制备的多孔陶瓷强度偏低。Tatsuki等人(Jian-feng Yang,Guo-Jun Zhang,Nanoki Kondo,Tatsuki Ohji,Acta Materialia50,2002,4831-4840,日本专利特开2002-201083)用纳米碳粉来制备Si3N4多孔陶瓷,烧结后Si3N4多孔陶瓷气孔率在50~60%,线性收缩率为2~3%,虽然可以制备强度大于100Mpa的多孔陶瓷,但是以纳米碳粉为碳热还原剂的成本太高。
发明内容
针对上述现有技术状况,本发明的目的在于提供一种采用新型碳热还原剂的低成本、高性能、高气孔率、高强度的氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备工艺。
现将本发明构思及技术解决方案叙述如下:
由于酚醛树脂在低温烧结过程中可以不断排除酚醛树脂中的有机小分子或小分子集团,从而形成气孔,高温时,酚醛树脂可以裂解得到的玻璃碳与Si3N4表面的SiO2或Si3N4,本身发生碳热还原反应后形成纳米SiC,所以本发明选用酚醛树脂作为制备氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的造孔剂和碳热还原剂。本发明低成本高性能氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法,包括:配料、混料、成型、烧结陶瓷材料制备工艺,其特征在于:具体工艺步骤为:
1、以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为70~95%∶1~5%∶2~8%∶3~28%的比例配料;
2、按料粉总质量百分比的30~60%加入无水乙醇,作为酚醛树脂的分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量比为1∶2,混料研磨12~24小时;
3、烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以10~100Mpa的压力干压成型;
4、在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,保温0.5~2小时,气氛为氩气;最后以5~10℃/分钟升至烧结温度1700~1800℃,气氛为氮气,保温0.5~3小时。
本发明的优点在于:
(1)采用酚醛树脂取代纳米碳粉作为造孔剂和碳热还原剂,可大幅度降低成本,为其工业化应用打下基础。
(2)由于在烧结过程中,酚醛树脂原位固化形成框架结构,阻止烧结体致密化,可使烧结后氮化硅/碳化硅多孔陶瓷线收缩率小1~2%。
(3)由于在烧结过程中,酚醛树脂裂解得到的玻璃碳与Si3N4表面的SiO2或Si3N4本身发生碳热还原反应,形成纳米SiC,钉扎晶界,阻止晶粒长大,可使氮化硅/碳化硅多孔陶瓷强度增高,达到70~160Mpa。
(4)酚醛树脂完全裂解温度比较高,同时烧结后期,酚醛树脂裂解得到的玻璃碳与Si3N4表面的SiO2或Si3N4本身发生碳热还原反应,反应过程中放出CO、CO2气体,有助于形成开气孔。
(5)所制得的氮化硅/碳化硅多孔陶瓷孔径分布均匀,气孔率介于45~70%之间且可调,抗弯强度最高可达160Mpa,SiC以纳米相形式存在于晶界。
附图说明
图1是酚醛树脂热重曲线图
图2是酚醛树脂含量为0时氮化硅多孔陶瓷的X射线衍射分析图
图3是无酚醛树脂时多孔陶瓷断口的扫描电镜照片图
图4是酚醛树脂含量为10wt%时氮化硅多孔陶瓷的X射线衍射分析图
图5是制成的多孔陶瓷断口的扫描电镜照片图
图6是酚醛树脂含量为20wt%时氮化硅/碳化硅多孔陶瓷断口的扫描电镜照片图
图7是纳米SiC相的晶间分布透射电镜照片
图8是纳米SiC相的晶内分布透射电镜照片
其中:
图1是酚醛树脂热重曲线,图中横坐标为温度,单位℃;纵坐标是质量百分数;该图说明在600℃时,酚醛树脂基本不再失重,酚醛树脂作为造孔剂的作用已完成,剩余残渣已转化为SiC的碳源。
图2是酚醛树脂含量为0时,1780℃烧结,保温1小时氮化硅多孔陶瓷的X射线衍射分析;横坐标代表衍射角;纵坐标代表衍射峰强度;由图可知主晶相为Si3N4,没有SiC形成。
图3为无酚醛树脂时多孔陶瓷断口的扫描电镜照片。
图4为酚醛树脂含量为10wt%时,1780℃烧结,保温1小时氮化硅多孔陶瓷的X射线衍射分析,横坐标代表衍射角;纵坐标代表衍射峰强度;由图可知主晶相为Si3N4,有少量SiC,说明剩余酚醛树脂残渣转化为形成SiC的碳源。
图5为制成的多孔陶瓷断口的扫描电镜照片。有少量SiC,说明剩余酚醛树脂残渣转化为形成SiC的碳源。
图6为酚醛树脂含量为20wt%时,1780℃烧结,保温1小时氮化硅/碳化硅多孔陶瓷断口的扫描电镜照片。与图3相比,Si3N4晶粒比较细小。
图7为烧结过程中,通过碳热还原反应获得的纳米SiC相的存在方式,显示出纳米SiC相的晶间分布情况。
图8为烧结过程中,通过碳热还原反应获得的纳米SiC相的存在方式,显示出纳米SiC相的晶内分布情况。
具体实施方式
下面通过具体实施对本发明作进一步说明,工艺实施例1-5如下表所示:
 实施例  Si3N4/wt%   PF/wt%   Al2O3/wt%   Y2O3/wt%  烧成温度  保温时间(Ar)   气孔率/%     抗弯强度/MPa
   1    95    0     1    2    1780     2    51.2     92.4±15.2
   2    87    10     1    2    1780     2    54.5     148.5±12.2
   3    77    20     1    2    1780     2    48.3     160±10.6
   4    81    10     3    6    1700     2    39.5     85±9.8
   5    71    20     3    6    1700     2    43.8     79±11.8
   5    71    20     3    6    1700     2    43.8     79±11.8
   5    71    20     3    6    1700     2    43.8     79±11.8
如实施例1所示,具体工艺步骤为:
1、将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3按质量百分比为95%∶2%∶10%的比例配料;
2、按料粉总质量百分比的60%加入无水乙醇;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量比为1∶2,混料研磨24小时;
3、烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以20Mpa的压力干压成型;
4、在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,1400℃时保温2小时,气氛为氩气;最后以10℃/分钟升至1780℃烧结温度,气氛为氮气,保温1小时。制品气孔率51.2%,抗弯强度92.4±15.2Mpa。
如实施例2所示,具体工艺步骤为:
1、以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为87%∶1%∶2%∶10%的比例配料;
2、按料粉总质量百分比的60%加入无水乙醇,作为酚醛树脂分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量比为1∶2,混料研磨24小时;
3、烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以50Mpa的压力干压成型;
4、在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,1400℃时保温2小时,气氛为氩气;最后以10℃/分钟升至1780℃烧结温度,气氛为氮气,保温1小时。制品气孔率54.5%,抗弯强度148.5±12.2Mpa。
如实施例3所示,具体工艺步骤为:
1、以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为77∶1∶2∶20的比例配料;
2、按料粉总质量百分比的30%加入无水乙醇,作为酚醛树脂分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量百分比为1∶2,混料研磨24小时;
3、烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以70Mpa的压力干压成型;
4、在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,1400℃时保温2小时,气氛为氩气;最后以10℃/分钟升至1780℃烧结温度,气氛为氮气,保温1小时。制品气孔率48.3%,抗弯强度160±10.6Mpa。
如实施例4所示,具体工艺步骤为:
1、以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为81∶10∶3∶6的比例配料;
2、按料粉总质量百分比的30%加入无水乙醇,作为酚醛树脂分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量百分比为1∶2,混料研磨24小时;
3、烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以80Mpa的压力干压成型;
4、在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,1400℃时保温2小时,气氛为氩气;最后以10℃/分钟升至1700℃烧结温度,气氛为氮气,保温1小时。制品气孔率39.5%,抗弯强度85±9.8Mpa。
如实施例5所示,具体工艺步骤为:
1、以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为71∶20∶3∶6的比例配料;
2、按料粉总质量百分比的30%加入无水乙醇,作为酚醛树脂分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量百分比为1∶2,混料研磨24小时;
3、烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以70Mpa的压力干压成型;
4、在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,1400℃时保温2小时,气氛为氩气;最后以10℃/分钟升至1700℃烧结温度,气氛为氮气,保温1小时。制品气孔率43.8%,抗弯强度79±11.8Mpa。
从上述实施例的结果可以看出,在同样的工艺条件下,实施例2、3的配料比例和最终烧结温度,可以得到气孔率和抗弯强度都较佳的结果。

Claims (3)

1、一种低成本高性能氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法,包括:配料、混料、成型、烧结陶瓷材料制备工艺,其特征在于:具体步骤如下:
步骤1:以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为70~95%∶1~5%∶2~8%∶3~28%的比例配料;
步骤2:按料粉总质量百分比的30~60%加入无水乙醇,作为酚醛树脂分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量比为1∶2,混料研磨12~24小时;
步骤3:烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以10~100Mpa的压力干压成型;
步骤4:在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,保温0.5~2小时,气氛为氩气;最后以5~10℃/分钟升至烧结温度1700~1800℃,,气氛为氮气,保温0.5~3小时。
2、根据权利要求1所述的一种低成本高性能氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法,包括:配料、混料、成型、烧结陶瓷材料制备工艺,其特征在于:具体步骤还可为如下工艺参数:
步骤1、以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为87%∶1%∶2%∶10%的比例配料;
步骤2、按料粉总质量百分比的60%加入无水乙醇,作为酚醛树脂分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量百分比为1∶2,混料研磨24小时;
步骤3、烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以70Mpa的压力干压成型;
步骤4、在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,1400℃时保温2小时,气氛为氩气;最后以10℃/分钟升至1780℃烧结温度,气氛为氮气,保温1小时。
3、根据权利要求1所述的一种低成本高性能氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法,包括:配料、混料、成型、烧结陶瓷材料制备工艺,其特征在于:具体步骤还可为如下工艺参数:
步骤1、以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为77%∶1%∶2%∶20%的比例配料;
步骤2、按料粉总质量百分比的30%加入无水乙醇,作为酚醛树脂分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量百分比为1∶2,混料研磨24小时;
步骤3、烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以70Mpa的压力干压成型;
步骤4、在真空/氩气/氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,1400℃时保温2小时,气氛为氩气;最后以10℃/分钟升至1780℃烧结温度,气氛为氮气,保温1小时。
CN 200410073163 2004-10-11 2004-10-11 一种纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法 Expired - Fee Related CN1288112C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200410073163 CN1288112C (zh) 2004-10-11 2004-10-11 一种纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200410073163 CN1288112C (zh) 2004-10-11 2004-10-11 一种纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1654432A true CN1654432A (zh) 2005-08-17
CN1288112C CN1288112C (zh) 2006-12-06

Family

ID=34892409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200410073163 Expired - Fee Related CN1288112C (zh) 2004-10-11 2004-10-11 一种纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1288112C (zh)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1328216C (zh) * 2005-09-26 2007-07-25 西安交通大学 基于熔融沉积快速成型技术的碳化硅陶瓷零件制造工艺方法
CN1331812C (zh) * 2006-02-24 2007-08-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法
CN100453508C (zh) * 2006-06-14 2009-01-21 中国科学院理化技术研究所 化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法
CN101255057B (zh) * 2008-03-25 2010-08-11 西安交通大学 一种氮化硅多孔陶瓷组方及制备方法
CN101255058B (zh) * 2008-04-03 2010-11-03 燕山大学 一种超塑性纳米Si3N4基陶瓷材料及其制备方法
CN101955374A (zh) * 2010-09-06 2011-01-26 黑龙江百赫矿业科技开发有限公司 沸石玻璃多孔轻质材料的制造方法
CN101955371A (zh) * 2010-04-20 2011-01-26 无锡南理工科技发展有限公司 一种闭合气孔泡沫陶瓷的制备方法
CN101323524B (zh) * 2008-04-15 2011-04-06 西安交通大学 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法
CN101508592B (zh) * 2009-03-20 2011-07-27 哈尔滨工业大学 多孔Si3N4陶瓷的制备方法
CN103214264A (zh) * 2013-04-28 2013-07-24 武汉理工大学 一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法
CN104150940A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 中国科学院上海硅酸盐研究所 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
CN104311136A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化硼泡沫陶瓷的制备方法
CN104311140A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化钛泡沫陶瓷的制备方法
CN104311102A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合六硼化镧泡沫陶瓷的制备方法
CN104311101A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷的制备方法
CN104311131A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化铌泡沫陶瓷的制备方法
CN104311133A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化二钼泡沫陶瓷的制备方法
CN104311103A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化二钨泡沫陶瓷的制备方法
CN104529507A (zh) * 2015-01-19 2015-04-22 武汉科技大学 一种多孔氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法
CN104926310A (zh) * 2015-06-12 2015-09-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法
CN104926309A (zh) * 2015-06-12 2015-09-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法
CN105439620A (zh) * 2014-09-28 2016-03-30 盐城工学院 放电等离子烧结制备多孔氮化硅的方法
CN106478107A (zh) * 2016-10-17 2017-03-08 武汉科技大学 一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
CN108585917A (zh) * 2018-05-08 2018-09-28 中国人民解放军国防科技大学 氮化硅-碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法
CN108641293A (zh) * 2018-05-08 2018-10-12 中国人民解放军国防科技大学 环氧树脂基复合材料及其制备方法和应用
CN112851395A (zh) * 2021-03-02 2021-05-28 武汉理工大学 定向层状多孔SiC材料及其原位合成方法
CN112939606A (zh) * 2021-03-18 2021-06-11 西安交通大学 一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
CN113548903A (zh) * 2021-08-27 2021-10-26 广东工业大学 一种碳化硅增强氮化硅陶瓷及其制备方法
CN114478023A (zh) * 2022-04-07 2022-05-13 鼎固新材料(天津)有限公司 一种烧嘴套用复合材料及其制备方法

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1328216C (zh) * 2005-09-26 2007-07-25 西安交通大学 基于熔融沉积快速成型技术的碳化硅陶瓷零件制造工艺方法
CN1331812C (zh) * 2006-02-24 2007-08-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法
CN100453508C (zh) * 2006-06-14 2009-01-21 中国科学院理化技术研究所 化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法
CN101255057B (zh) * 2008-03-25 2010-08-11 西安交通大学 一种氮化硅多孔陶瓷组方及制备方法
CN101255058B (zh) * 2008-04-03 2010-11-03 燕山大学 一种超塑性纳米Si3N4基陶瓷材料及其制备方法
CN101323524B (zh) * 2008-04-15 2011-04-06 西安交通大学 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法
CN101508592B (zh) * 2009-03-20 2011-07-27 哈尔滨工业大学 多孔Si3N4陶瓷的制备方法
CN101955371A (zh) * 2010-04-20 2011-01-26 无锡南理工科技发展有限公司 一种闭合气孔泡沫陶瓷的制备方法
CN101955371B (zh) * 2010-04-20 2012-09-12 南京理工大学 一种闭合气孔泡沫陶瓷的制备方法
CN101955374A (zh) * 2010-09-06 2011-01-26 黑龙江百赫矿业科技开发有限公司 沸石玻璃多孔轻质材料的制造方法
CN103214264A (zh) * 2013-04-28 2013-07-24 武汉理工大学 一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法
CN104150940B (zh) * 2013-05-14 2015-10-28 中国科学院上海硅酸盐研究所 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
CN104150940A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 中国科学院上海硅酸盐研究所 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
CN105439620A (zh) * 2014-09-28 2016-03-30 盐城工学院 放电等离子烧结制备多孔氮化硅的方法
CN104311102B (zh) * 2014-10-22 2016-04-20 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合六硼化镧泡沫陶瓷的制备方法
CN104311140B (zh) * 2014-10-22 2016-04-20 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化钛泡沫陶瓷的制备方法
CN104311131A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化铌泡沫陶瓷的制备方法
CN104311133A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化二钼泡沫陶瓷的制备方法
CN104311103A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化二钨泡沫陶瓷的制备方法
CN104311136A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化硼泡沫陶瓷的制备方法
CN104311101A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷的制备方法
CN104311140A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化钛泡沫陶瓷的制备方法
CN104311102A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合六硼化镧泡沫陶瓷的制备方法
CN104311133B (zh) * 2014-10-22 2016-02-24 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化二钼泡沫陶瓷的制备方法
CN104311136B (zh) * 2014-10-22 2016-02-24 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化硼泡沫陶瓷的制备方法
CN104311131B (zh) * 2014-10-22 2016-02-24 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合碳化铌泡沫陶瓷的制备方法
CN104311101B (zh) * 2014-10-22 2016-02-24 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷的制备方法
CN104311103B (zh) * 2014-10-22 2016-02-24 山东理工大学 一种氮化硅、碳化硅结合硼化二钨泡沫陶瓷的制备方法
CN104529507A (zh) * 2015-01-19 2015-04-22 武汉科技大学 一种多孔氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法
CN104529507B (zh) * 2015-01-19 2016-07-13 武汉科技大学 一种多孔氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法
CN104926310A (zh) * 2015-06-12 2015-09-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法
CN104926310B (zh) * 2015-06-12 2016-11-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法
CN104926309A (zh) * 2015-06-12 2015-09-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法
CN106478107B (zh) * 2016-10-17 2019-05-10 武汉科技大学 一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
CN106478107A (zh) * 2016-10-17 2017-03-08 武汉科技大学 一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
CN108585917A (zh) * 2018-05-08 2018-09-28 中国人民解放军国防科技大学 氮化硅-碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法
CN108641293A (zh) * 2018-05-08 2018-10-12 中国人民解放军国防科技大学 环氧树脂基复合材料及其制备方法和应用
CN108585917B (zh) * 2018-05-08 2020-06-26 中国人民解放军国防科技大学 氮化硅-碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法
CN108641293B (zh) * 2018-05-08 2021-01-15 中国人民解放军国防科技大学 环氧树脂基复合材料及其制备方法和应用
CN112851395A (zh) * 2021-03-02 2021-05-28 武汉理工大学 定向层状多孔SiC材料及其原位合成方法
CN112939606A (zh) * 2021-03-18 2021-06-11 西安交通大学 一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
CN113548903A (zh) * 2021-08-27 2021-10-26 广东工业大学 一种碳化硅增强氮化硅陶瓷及其制备方法
CN114478023A (zh) * 2022-04-07 2022-05-13 鼎固新材料(天津)有限公司 一种烧嘴套用复合材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1288112C (zh) 2006-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1288112C (zh) 一种纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法
CN1778757A (zh) 多相陶瓷纳米复合材料和其制造方法
CN107082628B (zh) 一种基于分子筛膜合成残液的多孔陶瓷支撑体制备方法
CN109987941A (zh) 一种具有抗氧化性的高熵陶瓷复合材料及其制备方法和应用
CN102391012B (zh) 结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法
CN1807347A (zh) 硼化物—碳化硅复相陶瓷及其制备方法
JP2008024585A (ja) ムライト−アルミナセラミック基質、酸化物ベースのセラミック基複合材、および酸化物ベースのセラミック基複合材を製造する方法
CN1646448A (zh) 碳化硅和无粘结剂碳的复合体及其制造方法
CN103724014A (zh) 一种高热导金刚石掺杂SiC陶瓷的制备方法
CN1699285A (zh) 一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法
CN1724473A (zh) 碳纳米管/纳米氧化锆复合增韧材料及其制备方法
CN1884189A (zh) 纤维增韧氧化铝陶瓷基复合材料及其制备方法
CN1800097A (zh) 一种碳化硅─堇青石复合多孔陶瓷及其制备方法
JP5036008B2 (ja) コージエライトの形成
CN1807345A (zh) 矾土基莫来石均质料的制备方法
CN113135742A (zh) 一种通过陶瓷前驱体骨架成型的精细陶瓷材料及其制备方法和应用
CN1793042A (zh) 一种原位增韧氮化硅基陶瓷及其超快速烧结方法
CN113121242A (zh) 一种短切碳纤维增韧碳化硅复合材料及其制备方法
CN109851362A (zh) 一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法
CN1686923A (zh) 纳米α-Al2O3复合刚玉砖的制备方法
CN1076012C (zh) 透明氮化铝陶瓷的制备方法
WO2011011603A2 (en) Glass encapsulated hot isostatic pressed silicon carbide
CN110627507A (zh) 一种低温碳化硅陶瓷及其制备方法和应用
CN112521177A (zh) 一种低熔点多孔陶瓷材料及其制备方法
CN1125211A (zh) 大块体致密纳米陶瓷材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20061206

Termination date: 20111011