CN104150940A - 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 - Google Patents
氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104150940A CN104150940A CN201310178105.1A CN201310178105A CN104150940A CN 104150940 A CN104150940 A CN 104150940A CN 201310178105 A CN201310178105 A CN 201310178105A CN 104150940 A CN104150940 A CN 104150940A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sic
- sintering
- powder
- porous ceramics
- complex phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 45
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title description 45
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 21
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 2
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 claims 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 2
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 27
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007873 sieving Methods 0.000 abstract description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明公开了一种Si3N4与SiC复相多孔陶瓷，其氮化率高于85%，孔隙率为30～60%。其制备方法为：①以Si和SiC为原料，添加烧结助剂，球磨混合均匀成浆料；②将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；③将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先升温至900～1200℃，再升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，烧结完毕降温，最后随炉冷却。本发明的烧结方法具有烧结时间快、工艺简单、能耗低等特点，易得到净尺寸成型、复杂形状，孔隙率高、空隙可控、空隙结构定向互连的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷材料，且成型简单，最高抗弯强度可达150MPa。
Description
技术领域
本发明属于多孔陶瓷技术领域，具体涉及一种Si3N4与SiC复相多孔陶瓷及其制备方法。
背景技术
氮化硅与碳化硅（Si3N4与SiC，Si3N4/SiC）复相多孔陶瓷由于具有高强高韧、耐磨、耐腐蚀和化学稳定性好等优点，在高温气体过滤、传感器、催化剂载体、分离膜、热绝缘材料等领域都表现出了广阔的应用前景。
何新波等人（中国专利ZL101913878）采用SiC粉末、Si3N4粉末及烧结助剂与石蜡基多组元粘结剂混合成均匀的喂料，喂料经注射成形所得的预成形坯经溶脱、热脱、1150～1200℃预烧结后，置于真空碳管炉在1800～1900℃、Ar气氛下常压烧结，得到了尺寸复杂的SiCp/Si3N4复合陶瓷零件材料。Jian-Feng Yang等人（Jian-Feng Yang,Tohro Sekino,Yong-Ho Choa,J AmCeram Soc84(2001)406-12）采用α-Si3N4和SiC粉，添加烧结助剂MgAlO4和ZrO2，经20MPa预压和200MPa等静压，放入石墨电阻炉中于0.6Mpa的高纯氮气中1800℃保温2-16h进行气氛烧结，然后放入1800℃热等静压炉中保温2h，施加150MPa的氮气压力，最终得到了不同微观结构形貌的简单形状的Si3N4/SiC复合陶瓷，其不但工艺复杂、温度高（1800℃）、反应时间长（4～18h）。且氮化反应时，局部温度过高，超过了Si的熔点，使Si熔解挥发，降低了氮化率，虽然孔隙率提高了，但是力学性能也降低了。
上述两种反应烧结工艺复杂、耗能耗时，且难以控制Si3N4/SiC复相多孔陶瓷的空隙分布；且出现了Si3N4/SiC复相多孔陶瓷材料空隙结构不均匀、定向互连性差，净尺寸成型差、抗弯强度低等技术问题。
发明内容
本发明针对现有技术中Si3N4/SiC复相多孔陶瓷的空隙结构不均匀、定向互连性差，净尺寸成型差、抗弯强度低等技术问题，目的在于提供一种Si3N4与SiC复相多孔陶瓷，所述Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的氮化率高于85%，优选地高于87%，更优选地高于90%；孔隙率为30～60%，优选为32～40%，更优选为35～38%。较佳地是，所述Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的孔径大小为0.5～3μm，优选0.5～1μm，或者优选1～3μm。本发明的Si3N4与SiC复相多孔陶瓷由于具有较高的氮化率如高于85%，使得其抗弯性能好，且孔隙率亦高。
本发明针对现有技术中Si3N4/SiC复相多孔陶瓷反应烧结工艺复杂、耗能耗时，且难以控制Si3N4/SiC复相多孔陶瓷的空隙分布，目的在于提供一种制备Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的方法，具体包括如下步骤：
①浆料的制备：以Si粉和SiC粉为原料，添加烧结助剂，机械湿法球磨混合均匀成浆料，其中，所述烧结助剂包括占Si粉和SiC粉原料总重量计的6～10%的Y2O3和不超过20%的ZrO2；
②素坯体的制作：将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；
③快速氮化反应烧结：将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先快速升温至900～1200℃，再缓慢升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，烧结完毕降温至600～1000℃，最后随炉冷却得到Si3N4与SiC复相多孔陶瓷。
本发明通过添加烧结助剂ZrO2并控制其含量不超过Si粉和SiC粉原料总重量的20%，在烧结时产生了中间产物ZrN，起到降低局部温度的作用，例如本发明在低温下如不超过1500℃尤其是1400℃下进行快速氮化反应，而且这种快速氮化反应烧结可使素坯体中的硅经过氮化反应完全转化为Si3N4，并使得其中的硅没有残留。本发明由于控制烧结助剂ZrO2的添加量和氮化温度在1300～1500℃，使得氮化反应完全，通常一般大于90%可以认为氮化完全，由于还是会有部分Si挥发，以及理论计算时存在的缺失。
本发明的快速氮化反应工艺通过很短的时间在低温下进行完全的氮化反应，减少了气氛烧结和热压烧结长加热时间、高温、高气压等苛刻的工艺，同时具有工艺简单、能耗低等特点，利用氮化反应易得到净尺寸成型、复杂形状，收缩率低、空隙结构定向、互连、抗弯强度和耐磨等力学性能良好的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷。
其中，步骤①中，Si粉的粒径为1.0～10微米优选为1.3～4.5微米，SiC粉的粒径为0.2～40微米优选0.5～20微米，Si粉和SiC粉的质量比为60～80:20～40，优选65～75:25～35，更优选70:30；用SiC球进行机械湿法球磨10～30h优选12～24h，其中，湿法球磨时以无水乙醇为分散剂，Si粉、SiC粉与烧结助剂:分散剂:SiC球的重量比为1:0.8～1.2:0.8～2.5优选为1:1:1～2。
步骤②中，浆料在40～150℃优选60～110℃干燥8～30h优选干燥12～24h，用100～300目的筛网过筛，在0.5～20MPa下干压成型，在施加压力时为单轴加压，并经15～200MPa冷等静压处理形成素坯体。
本发明将步骤①中的烧结助剂的用量控制在占Si粉和SiC粉原料总重量计的6～10%Y2O3和不超过20%的ZrO2，可实现快速的完全氮化反应，较佳地是，所述烧结助剂为占Si粉和SiC粉原料总重量计的7～9%优选8%的Y2O3和0.5～15%优选2～12%更优选5～10%的ZrO2。
步骤③中，将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先以12～25℃/min优选以15～20℃/min速率快速升温至900～1200℃优选至1000～1150℃更优选至1100℃，再以2～12℃/min优选以5～10℃/min速率缓慢升温至1300～1500℃优选至1350～1450℃更优选至1400℃，然后进行氮化反应烧结1～6h优选1.5～3h更优选2h，烧结完毕以5～20℃/min优选以10℃/min速率降温至600～1000℃优选800℃，最后随炉冷却得到Si3N4与SiC复相多孔陶瓷。
步骤③中，氮气压力为0.02MPa～0.5MPa，优选为0.05MPa～0.1Mpa；氮化反应烧结优选3～6h。
本发明的积极进步效果在于：
1）利用快速反应烧结的工艺，在短时间内制备出了净尺寸成型的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷。
2）采用Si粉与SiC粉为原料，在烧结助剂ZrO2的作用下，制备出了孔隙率较高、孔隙结构定向互连的复相多孔陶瓷。
3）由于氮化硅与碳化硅相结合，Si3N4/SiC复相多孔陶瓷具有高抗弯强度、耐磨损和耐腐蚀性能好的优点。
附图说明
图1A为ZrO2含量为0wt%，经1400℃快速氮化应烧结得到的复相多孔陶瓷的典型断面微观结构图。
图1B为ZrO2含量为5wt%，经1400℃快速氮化应烧结得到的复相多孔陶瓷的典型断面微观结构图。
图1C为ZrO2含量为10wt%，经1400℃快速氮化应烧结得到的复相多孔陶瓷的典型断面微观结构图。
图2为ZrO2含量为5wt%，经1400℃快速氮化应烧结得到复相多孔陶瓷的XRD图谱，横坐标为2倍衍射角，单位为度，纵坐标为衍射强度的相对值。
图3为ZrO2含量为0～20wt%，经1350～1450℃快速氮化反应烧结时，ZrO2含量对复相多孔陶瓷氮化率的影响。
图4为ZrO2含量为5、10wt%时，快速氮化反应温度对制备的复相多孔陶瓷的开口孔隙率的影响。
图5为快速氮化反应温度为1400℃时，ZrO2含量对制备的复相多孔陶瓷的抗弯曲强度的影响。
图6为快速氮化反应温度为1400℃时，ZrO2含量对制备的复相多孔陶瓷的线收缩率的影响。
具体实施方式
对照实施例1～3及实施例1～12
称取70.588g1.3微米的Si粉和29.412g0.5微米的SiC粉为原料，再称取ZrO2与8g Y2O3烧结助剂，用无水乙醇作分散剂，总的原料粉末（Si粉、SiC粉和烧结助剂三者之和）：无水乙醇：SiC球的重量比为1:1:2，混合后经过24h的机械湿法球磨使其混合均匀制备成浆料。将所得的浆料放入恒温干燥箱经60℃干燥24h，再经过100目的筛网过筛处理，并在10MPa的压力下干压成型，最后经200MPa冷等静压处理形成素坯体。将经过冷等静压所得的素坯体放入真空热压烧结炉中进行快速氮化反应烧结，先以15℃/min的速率升温至1100℃，后以10℃/min速率缓慢升温至T，再经快速氮化反应烧结2h，烧结后以10℃/min的速率降温至800℃，然后随炉冷却得到Si3N4/SiC复相多孔陶瓷。具体参数如表1所示。
表1实施例1～12及对照实施例1～3制备Si3N4/SiC复相多孔陶瓷
性能测试实施例
将实施例1～12以及对照实施例1～3所得的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷按照常规方法进行观察和测试。
对照实施例1以及实施例1和2所得的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷的典型断面微观结构图分别如图1A、图1B和图1C所示。步骤③包括升温及降温在内的总氮化反应时间仅为3h左右，在这么短的时间内，最终制备出了Si3N4/SiC复相多孔陶瓷。对照实施例1的抗弯曲强度为126.5±4.9MPa，孔隙率为37.0%，孔径大小1～3μm。而实施例1和2的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷的抗弯曲强度分别高达150.0±4.2MPa，139.5±3.5MPa，它们的孔隙率也达到了35.0%和35.4%，孔径大小分别达到1～3μm，0.5～1μm，并且实施例1和2的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷的净尺寸成型，且孔隙结构定向互连。
表2实施例1～4以及对照1中制备的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷的性能
图3表明，随着ZrO2含量和烧结温度的变化，经快速氮化反应烧结后的氮化率不同，并在1400℃、5wt%ZrO2时出现了峰值。说明在一定的温度下，添加一定量的烧结助剂ZrO2，有助于促进快速氮化反应的完全进行。
图4表明烧结助剂ZrO2的用量分别为5wt%与10wt%时，也是氮化反应的氮化率出现峰值的附近，复相多孔陶瓷的孔隙率达34～37%；在峰值以外孔隙率更高。但是孔隙率越高，力学性能则降低即抗弯曲强度降低。在保证具备一定孔隙率的前提下又能保证最高的抗弯曲强度，烧结助剂ZrO2的用量为5wt%～10wt%是最佳范围，也即是氮化反应越完全的烧结助剂ZrO2的用量范围，氮化反应越完全，复相多孔陶瓷中晶粒的填充就越紧密。
图5表明氮化率越高即氮化反应越完全，复相多孔陶瓷的抗弯曲强度越高。
图6表明尽管烧结助剂ZrO2的用量不同，但是得到的复相多孔陶瓷的收缩率都很低，基本实现了净尺寸成型制备复相多孔陶瓷。
Claims (8)
1.一种Si3N4与SiC复相多孔陶瓷，其特征在于所述Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的氮化率高于85%，优选地高于87%，更优选地高于90%；孔隙率为30～60%，优选为32～40%，更优选为35～38%。
2.如权利要求1所述的Si3N4与SiC复相多孔陶瓷，其特征在于所述Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的孔径大小为0.5～3μm，优选0.5～1μm，或者优选1～3μm。
3.一种制备Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的方法，其特征在于包括如下步骤：
①以Si粉和SiC粉为原料，添加烧结助剂，机械湿法球磨混合均匀成浆料，其中，所述烧结助剂包括占Si粉和SiC粉原料总重量计的6～10%的Y2O3和不超过20%的ZrO2；
②将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；
③将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先快速升温至900～1200℃，再缓慢升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，烧结完毕降温至600～1000℃，最后随炉冷却得到Si3N4与SiC复相多孔陶瓷。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤③中，将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先以12～25℃/min优选以15～20℃/min速率快速升温至900～1200℃优选至1000～1150℃更优选至1100℃，再以2～12℃/min优选以5～10℃/min速率缓慢升温至1300～1500℃优选至1350～1450℃更优选至1400℃，然后进行氮化反应烧结1～6h优选1.5～3h更优选2h，烧结完毕以5～20℃/min优选以10℃/min速率降温至600～1000℃优选800℃，最后随炉冷却得到Si3N4与SiC复相多孔陶瓷。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤①中，Si粉的粒径为1.0～10微米优选为1.3～4.5微米，SiC粉的粒径为0.2～40微米优选0.5～20微米，Si粉和SiC粉的质量比为60～80:20～40，优选65～75:25～35，更优选70:30；用SiC球进行机械湿法球磨10～30h优选12～24h，其中，湿法球磨时以无水乙醇为分散剂，Si粉、SiC粉与烧结助剂:分散剂:SiC球的重量比为1:0.8～1.2:0.8～2.5优选为1:1:1～2。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤②中，浆料在40～150℃优选60～110℃干燥8～30h优选干燥12～24h，用100～300目的筛网过筛，在0.5～20MPa下干压成型，并经15～200MPa冷等静压处理形成素坯体。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤①中，所述烧结助剂包括占Si粉和SiC粉原料总重量计的7～9%优选8%的Y2O3和0.5～15%优选2～12%更优选5%～10%的ZrO2。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤③中，氮气压力为0.02MPa～0.5MPa，优选为0.05MPa～0.1MPa。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310178105.1A CN104150940B (zh) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310178105.1A CN104150940B (zh) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104150940A true CN104150940A (zh) | 2014-11-19 |
| CN104150940B CN104150940B (zh) | 2015-10-28 |
Family
ID=51876605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310178105.1A Active CN104150940B (zh) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104150940B (zh) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105727755A (zh) * | 2014-12-09 | 2016-07-06 | 中国科学院金属研究所 | 一种梯度孔隙氮化硅结合碳化硅膜管及其制备方法 |
| CN106999857A (zh) * | 2014-12-18 | 2017-08-01 | 欧洲技术研究圣戈班中心 | 具有SiC‑氮化物或SiC‑氧氮化物复合膜的过滤器 |
| CN106999858A (zh) * | 2014-12-18 | 2017-08-01 | 欧洲技术研究圣戈班中心 | 包括含氮sic膜的过滤器 |
| CN107805082A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-16 | 安徽安凯汽车股份有限公司 | 一种具有调温性能的绝缘纯电动客车燃料电池箱 |
| CN108503343A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-09-07 | 北京英华高科技有限公司 | 一种新型多孔陶瓷气体分布器及其制备方法 |
| CN108585917A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-09-28 | 中国人民解放军国防科技大学 | 氮化硅-碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法 |
| CN109265172A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-01-25 | 济宁泉达实业有限责任公司 | 一种高性能Si3N4结合SiC蜂窝陶瓷及其制备方法 |
| CN109320256A (zh) * | 2017-08-01 | 2019-02-12 | 张家港市五湖新材料技术开发有限公司 | 一种氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法 |
| CN110142060A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-20 | 国家能源投资集团有限责任公司 | 碳化硅/氮化硅载体及其制备方法、费托合成催化剂及其制备方法和应用 |
| CN111747752A (zh) * | 2020-07-15 | 2020-10-09 | 山田研磨材料有限公司 | 一种表面改性的反应烧结碳化硅陶瓷及制备工艺 |
| CN111906315A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-10 | 歌尔光学科技有限公司 | 粉末冶金方法 |
| CN111960826A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-20 | 景德镇庆融合鑫陶瓷有限公司 | 一种陶瓷火罐制备及其使用方法 |
| CN114262230A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种氮化硅-碳化硅多孔陶瓷吸波材料及其制备方法 |
| CN116874305A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-10-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种Si3N4-SiC-Zr2CN复相陶瓷吸波材料及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374962A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-05 | 黒崎窯業株式会社 | 多孔質反応焼結Ｓｉ↓３Ｎ↓４−ＳｉＣ系複合セラミツクス材料並びにその製造方法及び接合方法 |
| JPH03159970A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 耐熱性多孔質非酸化物系セラミックス焼結体とその製造方法 |
| DE3504393C2 (zh) * | 1984-02-10 | 1993-06-03 | Kurosaki Refractories Co., Ltd., Kitakyushu, Fukuoka, Jp | |
| CN1654432A (zh) * | 2004-10-11 | 2005-08-17 | 西安交通大学 | 一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法 |
| CN102795859A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-11-28 | 湖北红花高温材料有限公司 | 一种环形炉用SiC-Si3N4质高温陶瓷炉底板及其制备方法 |
| CN103058708A (zh) * | 2013-01-07 | 2013-04-24 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种低热导率氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法 |
-
2013
- 2013-05-14 CN CN201310178105.1A patent/CN104150940B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3504393C2 (zh) * | 1984-02-10 | 1993-06-03 | Kurosaki Refractories Co., Ltd., Kitakyushu, Fukuoka, Jp | |
| JPS6374962A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-05 | 黒崎窯業株式会社 | 多孔質反応焼結Ｓｉ↓３Ｎ↓４−ＳｉＣ系複合セラミツクス材料並びにその製造方法及び接合方法 |
| JPH03159970A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 耐熱性多孔質非酸化物系セラミックス焼結体とその製造方法 |
| CN1654432A (zh) * | 2004-10-11 | 2005-08-17 | 西安交通大学 | 一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法 |
| CN102795859A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-11-28 | 湖北红花高温材料有限公司 | 一种环形炉用SiC-Si3N4质高温陶瓷炉底板及其制备方法 |
| CN103058708A (zh) * | 2013-01-07 | 2013-04-24 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种低热导率氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 孙宏荣等: "氮化硅陶瓷的增韧研究", 《航空学报》, vol. 14, no. 10, 31 October 1993 (1993-10-31), pages 491 * |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105727755B (zh) * | 2014-12-09 | 2018-08-28 | 中国科学院金属研究所 | 一种梯度孔隙氮化硅结合碳化硅膜管及其制备方法 |
| CN105727755A (zh) * | 2014-12-09 | 2016-07-06 | 中国科学院金属研究所 | 一种梯度孔隙氮化硅结合碳化硅膜管及其制备方法 |
| CN106999857A (zh) * | 2014-12-18 | 2017-08-01 | 欧洲技术研究圣戈班中心 | 具有SiC‑氮化物或SiC‑氧氮化物复合膜的过滤器 |
| CN106999858A (zh) * | 2014-12-18 | 2017-08-01 | 欧洲技术研究圣戈班中心 | 包括含氮sic膜的过滤器 |
| CN109320256A (zh) * | 2017-08-01 | 2019-02-12 | 张家港市五湖新材料技术开发有限公司 | 一种氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法 |
| CN107805082A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-16 | 安徽安凯汽车股份有限公司 | 一种具有调温性能的绝缘纯电动客车燃料电池箱 |
| CN107805082B (zh) * | 2017-11-01 | 2020-11-06 | 安徽安凯汽车股份有限公司 | 一种具有调温性能的绝缘纯电动客车燃料电池箱 |
| CN108503343A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-09-07 | 北京英华高科技有限公司 | 一种新型多孔陶瓷气体分布器及其制备方法 |
| CN108585917B (zh) * | 2018-05-08 | 2020-06-26 | 中国人民解放军国防科技大学 | 氮化硅-碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法 |
| CN108585917A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-09-28 | 中国人民解放军国防科技大学 | 氮化硅-碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法 |
| CN109265172A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-01-25 | 济宁泉达实业有限责任公司 | 一种高性能Si3N4结合SiC蜂窝陶瓷及其制备方法 |
| CN110142060A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-20 | 国家能源投资集团有限责任公司 | 碳化硅/氮化硅载体及其制备方法、费托合成催化剂及其制备方法和应用 |
| CN110142060B (zh) * | 2019-06-13 | 2022-06-28 | 国家能源投资集团有限责任公司 | 碳化硅/氮化硅载体及其制备方法、费托合成催化剂及其制备方法和应用 |
| CN111747752A (zh) * | 2020-07-15 | 2020-10-09 | 山田研磨材料有限公司 | 一种表面改性的反应烧结碳化硅陶瓷及制备工艺 |
| CN111906315A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-10 | 歌尔光学科技有限公司 | 粉末冶金方法 |
| CN111960826A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-20 | 景德镇庆融合鑫陶瓷有限公司 | 一种陶瓷火罐制备及其使用方法 |
| CN111960826B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-02-18 | 景德镇庆融合鑫陶瓷有限公司 | 一种陶瓷火罐制备及其使用方法 |
| CN114262230A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种氮化硅-碳化硅多孔陶瓷吸波材料及其制备方法 |
| CN116874305A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-10-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种Si3N4-SiC-Zr2CN复相陶瓷吸波材料及其制备方法 |
| CN116874305B (zh) * | 2023-06-02 | 2024-09-17 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种Si3N4-SiC-Zr2CN复相陶瓷吸波材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104150940B (zh) | 2015-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104150940B (zh) | 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 | |
| CN106478105B (zh) | 一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法 | |
| CN101215173B (zh) | 一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法 | |
| CN101462880B (zh) | 一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法 | |
| CN102746013B (zh) | 一种轻质高强氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法 | |
| CN103011827A (zh) | 一种原位引入硼为添加剂的二硼化锆陶瓷的制备方法 | |
| CN103130508B (zh) | 一种制备织构化硼化物基超高温陶瓷的方法 | |
| CN102010222A (zh) | 一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法 | |
| CN101456737A (zh) | 一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法 | |
| CN103833403B (zh) | 一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品 | |
| CN104402441B (zh) | 一种低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法 | |
| CN105237034A (zh) | 一种基于模板制备多孔碳化硅陶瓷的方法 | |
| CN104045350B (zh) | 一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法 | |
| CN106565245A (zh) | 一种微波原位烧结技术制备碳化硅多孔陶瓷的方法 | |
| CN102115332A (zh) | 一种高强度β-SiAlON陶瓷及其无压烧结制备方法 | |
| CN109320259A (zh) | 一种氮化硅基金刚石复合材料及其制备方法 | |
| CN105198437A (zh) | 一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法 | |
| CN103803972A (zh) | 一种大尺寸块体La2Zr2O7陶瓷材料及其热压烧结制备工艺 | |
| Yu et al. | Fabrication of Si3N4–SiC/SiO2 composites using 3D printing and infiltration processing | |
| CN111848196B (zh) | 一种原位碳化硅纳米线增韧碳化硅陶瓷的制备方法 | |
| CN103058701A (zh) | 一种多孔氮化硅复合陶瓷的制备方法 | |
| CN107337453A (zh) | 一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法 | |
| CN106542829B (zh) | 一种碳化硅晶须/碳化硅颗粒复合粉体的制备与应用 | |
| CN104744048A (zh) | 致密原位Si4N3-SiC复合材料的制备方法 | |
| CN101734920B (zh) | 一种氮化钛多孔陶瓷及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Hu Hailong Inventor after: Zeng Yuping Inventor after: Zuo Kaihui Inventor after: Xia Yongfeng Inventor after: Yao Dongxu Inventor after: Sun Qingbo Inventor before: Hu Hailong Inventor before: Zeng Yuping Inventor before: Zuo Kaihui Inventor before: Xia Yongfeng Inventor before: Yao Dongxu Inventor before: Sun Qingbo |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220726 Address after: 333032 acceleration base of Changnan new area, Jingdezhen City, Jiangxi Province Patentee after: Jiangxi Zhongke Shangyu Technology Co.,Ltd. Address before: 200050 No. 1295 Dingxi Road, Shanghai, Changning District Patentee before: SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES |