JPH03159970A - 耐熱性多孔質非酸化物系セラミックス焼結体とその製造方法 - Google Patents
耐熱性多孔質非酸化物系セラミックス焼結体とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐熱性多孔質非酸化物系セラミソクス焼結体
とその製造方法に関し、ｉｌｉｉ４熱性，耐熱衝撃生．
而４食性が必要とされる枦通４れ散気材、とくに金属冫
容湯中にカス吹込みを行うためのボーラスプラグ、ある
いは金属溶湯を枦過するためのが過材、さらにはマイク
ロ波吸収発熱体やＪ攻則性産業廃棄物焼却灰枦過利など
として有利に使用することのできる、ＳｉＣ Ｓｉ：
＋ｔＬ焼結体を提供するものである。
とその製造方法に関し、ｉｌｉｉ４熱性，耐熱衝撃生．
而４食性が必要とされる枦通４れ散気材、とくに金属冫
容湯中にカス吹込みを行うためのボーラスプラグ、ある
いは金属溶湯を枦過するためのが過材、さらにはマイク
ロ波吸収発熱体やＪ攻則性産業廃棄物焼却灰枦過利など
として有利に使用することのできる、ＳｉＣ Ｓｉ：
＋ｔＬ焼結体を提供するものである。
一般に、ＳｉＣやＳｉ３Ｎａなどのセラミソクスは、耐
熱性や耐食性に優れ、熱膨張が小さくかつ熱衝撃に比較
的よく耐えるという長所のために、熔融金属と接触する
ブレークリング、脱ガス装置、熱電対保蟲管などの用途
に用いられている。また、これらのセラミソクスの“多
孔質体”は、溶融金属脱ガス装置のボーラスプラグとし
ても用いられている。
熱性や耐食性に優れ、熱膨張が小さくかつ熱衝撃に比較
的よく耐えるという長所のために、熔融金属と接触する
ブレークリング、脱ガス装置、熱電対保蟲管などの用途
に用いられている。また、これらのセラミソクスの“多
孔質体”は、溶融金属脱ガス装置のボーラスプラグとし
ても用いられている。
従来、この用途に適合する、例えば、多孔質のＳｉＣセ
ラコソクスとしては、次のような製造方法によって得ら
れるものが知られている。
ラコソクスとしては、次のような製造方法によって得ら
れるものが知られている。
■ ＳｉＣ母粒子に金属Ｓｉ微粉末を混合することによ
り、ＳｉＣ母粒子のまわりに金属Ｓｉ粉末を付着させ、
その後Ｎ２雰囲気中にて高温で反応させ、ＳｉＣ母粒子
間を、金属Ｓｉ粉末のＮ化によって生ずる反』芯焼結Ｓ
ｉＪＮ４で結合したＳｊＣ焼結体を１１｝る方法、 ■ ＳｉＣ母粒子のまわりを低融点ガラスでコーティン
グし、これを威形後焼結する方法、などの方法。
り、ＳｉＣ母粒子のまわりに金属Ｓｉ粉末を付着させ、
その後Ｎ２雰囲気中にて高温で反応させ、ＳｉＣ母粒子
間を、金属Ｓｉ粉末のＮ化によって生ずる反』芯焼結Ｓ
ｉＪＮ４で結合したＳｊＣ焼結体を１１｝る方法、 ■ ＳｉＣ母粒子のまわりを低融点ガラスでコーティン
グし、これを威形後焼結する方法、などの方法。
上述した各従来技術の実施下に製造される多孔質非酸化
物系セラミソクス、例えばＳｉＣについては、次のよう
なセラミソクス自体ならびに その製造上の問題点があ
った。すなわち、上記第■の方法によれば、Ｓｉ微粉末
とＮ２ガスとが同気反応するとき、各ＳｉＣ母粒子間境
界部分にＳｉ３Ｎ４針状晶が律或戒長するため、気孔径
のコン１・ロールが難しいばかりでな《、均一な気孔（
径）を形成させることができない。したがって、戒形体
の場所によって圧撰が異なり、成形焼結体く例えば、ボ
ラスプラグ）として均一な気孔径をイ了するものを得る
ことができないという課題を抱えていた。
物系セラミソクス、例えばＳｉＣについては、次のよう
なセラミソクス自体ならびに その製造上の問題点があ
った。すなわち、上記第■の方法によれば、Ｓｉ微粉末
とＮ２ガスとが同気反応するとき、各ＳｉＣ母粒子間境
界部分にＳｉ３Ｎ４針状晶が律或戒長するため、気孔径
のコン１・ロールが難しいばかりでな《、均一な気孔（
径）を形成させることができない。したがって、戒形体
の場所によって圧撰が異なり、成形焼結体く例えば、ボ
ラスプラグ）として均一な気孔径をイ了するものを得る
ことができないという課題を抱えていた。
次に、上記第■の方法については、上記■の方法に比べ
て、気孔径のコン１一ロールし上容易となるが、各Ｓｉ
Ｃ母粒子の境界にそれらを包囲するように生或したガラ
ス相が耐熱衝撃性が著しく悪い」一、耐熱性も劣ること
と、上記ＳｉＪａ母粒子とガラス相の熱膨張係数が異な
るため母粒子・ガラス相聞での剥離があり、前記ボーラ
スプラグのような高温構造材料としては好ましくないこ
とが指摘されていた。
て、気孔径のコン１一ロールし上容易となるが、各Ｓｉ
Ｃ母粒子の境界にそれらを包囲するように生或したガラ
ス相が耐熱衝撃性が著しく悪い」一、耐熱性も劣ること
と、上記ＳｉＪａ母粒子とガラス相の熱膨張係数が異な
るため母粒子・ガラス相聞での剥離があり、前記ボーラ
スプラグのような高温構造材料としては好ましくないこ
とが指摘されていた。
そこで、本発明は、多孔質の非酸化物系セラξソクス焼
結体を製造する上で最も重要な気孔率（気孔径）のコン
トロールが難しいという従来技術の主要な課題を克服で
きる技術の提案を目的とする。
結体を製造する上で最も重要な気孔率（気孔径）のコン
トロールが難しいという従来技術の主要な課題を克服で
きる技術の提案を目的とする。
さて、上述した課題、とくに気孔率（気孔径）のコント
ロールができないということについては、上述したよう
に、その主たる原因が母粒子の方ではなく、各母粒子の
粒界相の部分の方にあることが判った。すなわち、各母
粒子をつなぐ粒界の緻密化相に、Ｓｉ３Ｎ＜の針状晶が
生戒するためであることが判ったのである。
ロールができないということについては、上述したよう
に、その主たる原因が母粒子の方ではなく、各母粒子の
粒界相の部分の方にあることが判った。すなわち、各母
粒子をつなぐ粒界の緻密化相に、Ｓｉ３Ｎ＜の針状晶が
生戒するためであることが判ったのである。
その解決法について種々研究した結果、本発明者らは、
粒界相について、それらが主としてＳｉ３Ｎｎの常圧焼
結物で構威した場合には上述した欠点が解消できること
をつきとめ、以下に述べるような要旨構戒の副熱性多孔
質非酸化物系セラミソクス焼結体に想到した。すなわち
、この発明は、平均粒子径が１０μｍ〜１０鮪のＳｉＣ
もしくはＳｉ３Ｎａ各母粒子の粒界相が、平均粒子径が
２μｍ未満のＳｉ３Ｎｎ微粉末と焼結助剤との常圧焼結
結合にかかる緻密結晶相で構威されたものである耐熱性
多孔質非酸化物系セラごソクス、 である。そして、このものは、 平均粒子径がＩＯμｍ〜１０帥のＳｉＣもしくはＳｉ３
Ｎ４の母粒子に対し、それの５〜５０帆％に当たる量の
平均粒子径２μｍ未満のＳｊ：＋／Ｌ微粉末と、０．１
〜１５社％に当たる量のハインダーならびに、前記Ｓｉ
Ｊａ微粉末の５〜３０ｗｔ％に当たる量の焼結助剤から
なる混合粉末を添加して混合し、その後威形し、そして
大気圧下またはＩＯ気圧以下の加圧下不活性ガス雰囲気
中にて １５００〜１８００゜Ｃで焼成することにより
製造することができる。
粒界相について、それらが主としてＳｉ３Ｎｎの常圧焼
結物で構威した場合には上述した欠点が解消できること
をつきとめ、以下に述べるような要旨構戒の副熱性多孔
質非酸化物系セラミソクス焼結体に想到した。すなわち
、この発明は、平均粒子径が１０μｍ〜１０鮪のＳｉＣ
もしくはＳｉ３Ｎａ各母粒子の粒界相が、平均粒子径が
２μｍ未満のＳｉ３Ｎｎ微粉末と焼結助剤との常圧焼結
結合にかかる緻密結晶相で構威されたものである耐熱性
多孔質非酸化物系セラごソクス、 である。そして、このものは、 平均粒子径がＩＯμｍ〜１０帥のＳｉＣもしくはＳｉ３
Ｎ４の母粒子に対し、それの５〜５０帆％に当たる量の
平均粒子径２μｍ未満のＳｊ：＋／Ｌ微粉末と、０．１
〜１５社％に当たる量のハインダーならびに、前記Ｓｉ
Ｊａ微粉末の５〜３０ｗｔ％に当たる量の焼結助剤から
なる混合粉末を添加して混合し、その後威形し、そして
大気圧下またはＩＯ気圧以下の加圧下不活性ガス雰囲気
中にて １５００〜１８００゜Ｃで焼成することにより
製造することができる。
（作 用〕
本発明において、焼結体としての骨材となる母粒子とし
ては、使途に適合する構造材料用のもの、例えば耐熱性
．耐熱衝撃性，高強度などに優れていることが必要であ
り、そのために非酸化物系セラξソクスとして、ＳｉＣ
またはＳＩ３Ｎ４を用いる。
ては、使途に適合する構造材料用のもの、例えば耐熱性
．耐熱衝撃性，高強度などに優れていることが必要であ
り、そのために非酸化物系セラξソクスとして、ＳｉＣ
またはＳＩ３Ｎ４を用いる。
このＳｉＣまたはＳ１，Ｎａは、その粒度が、平均粒子
径でｌＯμｍ〜１０ｍのものを用いる。該平均粒径がｌ
Ｏμｍ未満のものでは、母粒子が焼結してしまい、気孔
が小さくなりｉ！！！続気孔が得られないし、気孔径の
制御も難しい。また、１０關を超える大きさのものでは
、或形したときの強度が小さく、その後取扱い中に破損
したり、常圧焼結後の強度が小さくなるからである。
径でｌＯμｍ〜１０ｍのものを用いる。該平均粒径がｌ
Ｏμｍ未満のものでは、母粒子が焼結してしまい、気孔
が小さくなりｉ！！！続気孔が得られないし、気孔径の
制御も難しい。また、１０關を超える大きさのものでは
、或形したときの強度が小さく、その後取扱い中に破損
したり、常圧焼結後の強度が小さくなるからである。
一方、本発明焼結体は、上記母粒子の粒界相を、Ｓｉａ
Ｎ４微粉末と焼結助剤との混合粉末についての常圧焼結
にかかる緻密な結晶相で横戒ずるとい・）点が特徴であ
る。このように、粒界相が従来技術で見られたような針
状晶でなく、Ｓｒ−＋Ｎａ等の緻密結晶相Ｇこなると、
次のような現象が見られる。それは、第１乙こ粒界結合
が強固になることであり、第２に、粒界に形造られる気
孔形状が明確に現われるので、材料としての母粒子の粒
径とＳ ｉ ：Ｉ Ｎ ａ ｍｌ粉末の粒径さえ決定す
れば、それだけで生戒ずる焼結体の気孔径，気孔率をあ
る程度制御することができることである。
Ｎ４微粉末と焼結助剤との混合粉末についての常圧焼結
にかかる緻密な結晶相で横戒ずるとい・）点が特徴であ
る。このように、粒界相が従来技術で見られたような針
状晶でなく、Ｓｒ−＋Ｎａ等の緻密結晶相Ｇこなると、
次のような現象が見られる。それは、第１乙こ粒界結合
が強固になることであり、第２に、粒界に形造られる気
孔形状が明確に現われるので、材料としての母粒子の粒
径とＳ ｉ ：Ｉ Ｎ ａ ｍｌ粉末の粒径さえ決定す
れば、それだけで生戒ずる焼結体の気孔径，気孔率をあ
る程度制御することができることである。
このような理由で、本発明において用いる上記Ｓｉ．３
Ｎ．微粉末の粒度は、平均粒子径で２μｍ未満とする。
Ｎ．微粉末の粒度は、平均粒子径で２μｍ未満とする。
もともと、このＳｉ３Ｎ４微粉末は前記各母粒子の粒界
にあって、この母粒子のまわりに付着してこれを包被す
るものであるから、あまり太きいとその作用か有効に発
揮できなくなるからであり、母粒子の平均粒子径との関
連で、２μｎ１よりも大きくなれＬま上記の作用が害さ
れ、がっ２μｍ以上の大きさとなると強度の高い常圧焼
結品を得ることができないので、２μＩｌｌ未満とした
。好ましくは平均粒子径ｌｐｍ未満の大きさがよい。
にあって、この母粒子のまわりに付着してこれを包被す
るものであるから、あまり太きいとその作用か有効に発
揮できなくなるからであり、母粒子の平均粒子径との関
連で、２μｎ１よりも大きくなれＬま上記の作用が害さ
れ、がっ２μｍ以上の大きさとなると強度の高い常圧焼
結品を得ることができないので、２μＩｌｌ未満とした
。好ましくは平均粒子径ｌｐｍ未満の大きさがよい。
また、前記緻密結晶相を構或する焼結助剤としてば、Ｓ
ｉ：ｌＮ４常圧焼結に用いるＭｇＯ ＡｌｚＯ＊
Ｙ２０３などでよい。
ｉ：ｌＮ４常圧焼結に用いるＭｇＯ ＡｌｚＯ＊
Ｙ２０３などでよい。
なお、かかるＳｉ３Ｎ４緻密結晶相は、強度が高く、熱
膨張係数が小さく、剛熱衝撃性が優れており、この緻密
結晶相で母粒子を結合することにより得られる多孔質体
の強度、耐熱衝撃性を向Ｊ−．ずろことかできる。
膨張係数が小さく、剛熱衝撃性が優れており、この緻密
結晶相で母粒子を結合することにより得られる多孔質体
の強度、耐熱衝撃性を向Ｊ−．ずろことかできる。
次に、本発明の上記焼結体の製造方法について説明する
。
。
まず、出発材料として、骨相母粒子として１０μｍ〜１
０ｌＩＩ１の範囲の適当な大きさのＳｉＣまたはＳｉ３
Ｎｎを準備し、この母粒子に対して５〜５０ｗｔ％の２
μｍ以下のＳｉＪｓ微粉末と、０．１〜１５帆％のハイ
ンダと、前記Ｓｉ ３Ｎ，微粉末ムこ対して５〜３ｈ＋
ｔ％の焼桔助剤とからなる粒界相形或用混合物を用意す
る。
０ｌＩＩ１の範囲の適当な大きさのＳｉＣまたはＳｉ３
Ｎｎを準備し、この母粒子に対して５〜５０ｗｔ％の２
μｍ以下のＳｉＪｓ微粉末と、０．１〜１５帆％のハイ
ンダと、前記Ｓｉ ３Ｎ，微粉末ムこ対して５〜３ｈ＋
ｔ％の焼桔助剤とからなる粒界相形或用混合物を用意す
る。
ここで、Ｓ ｒ ｓ Ｎ ４ＪＪ粉末の配合量を５〜５
０ｗｔ％の範囲とした理由は、５ｔｍｔ％以下だと多孔
質体の強度が小さ＜ 、３０ｖ？．％以上だと気孔が閉
塞するからである。
０ｗｔ％の範囲とした理由は、５ｔｍｔ％以下だと多孔
質体の強度が小さ＜ 、３０ｖ？．％以上だと気孔が閉
塞するからである。
また、幻ｈｉ！ｉ助斉１ｊの量６こついては、−Ｊ二Ｓ
己Ｓｉ３Ｎ４彷ｋ粉末に対して５〜３０ｔｉｔ％の範囲
が好ましく、５ｗｔ．％以丁だと焼結後の多孔質体の強
度が小さ＜、３０＋ｕｔ％以上だと粒界緻密結晶相の強
度が小さく、かつ耐熱性が劣るからであり、そしてパイ
ンダーについては、固相粒子全量に対して０．１〜１５
ｗｔ％が好ましく、０．ｈｌ．％以下だとグリーン戒形
体の強度が小さく、１５ ｗ ｔ．％以上だと加熱して
ハインダを除去するのに時間を要し、かつ脱パイングー
の後の戒形体の強度が小さいからである。
己Ｓｉ３Ｎ４彷ｋ粉末に対して５〜３０ｔｉｔ％の範囲
が好ましく、５ｗｔ．％以丁だと焼結後の多孔質体の強
度が小さ＜、３０＋ｕｔ％以上だと粒界緻密結晶相の強
度が小さく、かつ耐熱性が劣るからであり、そしてパイ
ンダーについては、固相粒子全量に対して０．１〜１５
ｗｔ％が好ましく、０．ｈｌ．％以下だとグリーン戒形
体の強度が小さく、１５ ｗ ｔ．％以上だと加熱して
ハインダを除去するのに時間を要し、かつ脱パイングー
の後の戒形体の強度が小さいからである。
次に、母粒子ＳｉＣまたばＳｉ３Ｎ４と粒界相形或用混
合物およひハインダーとをよく混合し所定の形に或形ず
る。
合物およひハインダーとをよく混合し所定の形に或形ず
る。
次に、上述の工程を経て得られた生或形体は、９
大気圧下′または１０気圧以下の加圧下の不活性カス雰
囲気中にて１５００ 〜１８００’ｃの温度で１〜ｌ．
Ｏｈｒ焼結ずる。不活性ガスとしては、Ｎ２ガス、Ａｒ
カス等のガスが使用できる。
囲気中にて１５００ 〜１８００’ｃの温度で１〜ｌ．
Ｏｈｒ焼結ずる。不活性ガスとしては、Ｎ２ガス、Ａｒ
カス等のガスが使用できる。
この工程乙こおいて、前記ηミ成形体を不活性ガス雰囲
気中で焼結すると、緻密な常圧焼結ＳｉＪａで母粒子が
結合された多孔質体を得ることができる。
気中で焼結すると、緻密な常圧焼結ＳｉＪａで母粒子が
結合された多孔質体を得ることができる。
母粒子とずるＳｉＣとして、＃４６ ＳｉＣ（太平洋
ランダム（株製−５９０ ／Ｊ ｍ） １００ｔｕＬ％
に対し、２１ｗＬ％のＳｉ：＋Ｎ４（日本重化学工業＠
製ＳＮＰ−１０Ｐ．平均粒径０．６，ｕ＋ｎ）と、４ｗ
Ｌ％の［Δ１２０３ ・ＹｚＯ：＋Ｊと、ハインダーと
して５ｔｕｆ．％のワノクス（中京油ＡＮ （＋ｊｔｌ
製）とを加熱混練機にて混合し、その後第１図に示す形
状に成形し、嵩密度： ２．０ｇ／ｃｍ３の生成形体と
した。この生或形体を大気圧下の窒素雰囲気中にて１７
５０゜Ｃで５時間焼或した。
ランダム（株製−５９０ ／Ｊ ｍ） １００ｔｕＬ％
に対し、２１ｗＬ％のＳｉ：＋Ｎ４（日本重化学工業＠
製ＳＮＰ−１０Ｐ．平均粒径０．６，ｕ＋ｎ）と、４ｗ
Ｌ％の［Δ１２０３ ・ＹｚＯ：＋Ｊと、ハインダーと
して５ｔｕｆ．％のワノクス（中京油ＡＮ （＋ｊｔｌ
製）とを加熱混練機にて混合し、その後第１図に示す形
状に成形し、嵩密度： ２．０ｇ／ｃｍ３の生成形体と
した。この生或形体を大気圧下の窒素雰囲気中にて１７
５０゜Ｃで５時間焼或した。
また、比較のために、焼成後の組威ならびに嵩密度が同
しになるように設計された配合原料を用いて反応焼結法
によっても製造し、それらの結果１０ をまとめて第１表に示した。
しになるように設計された配合原料を用いて反応焼結法
によっても製造し、それらの結果１０ をまとめて第１表に示した。
また、本発明焼結体の気孔径分布を水銀圧人式ボロシメ
ーター法によって測定した結果を第２図、第３図に示す
。この図から判るように、本発明焼結体は、中心気孔径
が１５０μｍであり、ばらつきが０．５倍から３倍の範
囲にとどまっているのに対し、比較例の焼結体は、中心
気孔径が９．４μｍと気孔径が小さく、かつ、気孔径が
中心気孔径から０．０８倍から５０倍の範囲にばらつい
ている。このことから本発明焼結体は気孔の大きさがよ
く揃っていることが明らかとなった。
ーター法によって測定した結果を第２図、第３図に示す
。この図から判るように、本発明焼結体は、中心気孔径
が１５０μｍであり、ばらつきが０．５倍から３倍の範
囲にとどまっているのに対し、比較例の焼結体は、中心
気孔径が９．４μｍと気孔径が小さく、かつ、気孔径が
中心気孔径から０．０８倍から５０倍の範囲にばらつい
ている。このことから本発明焼結体は気孔の大きさがよ
く揃っていることが明らかとなった。
１
１
１
２
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、溶融金属用ボーラスプラ
グの如き多孔質の高温構造材料用ＳｉＣＳｉ３Ｎ４各焼
結体の耐熱性，耐熱衝撃性，強度を向上させることがで
きる。しかも、本発明によれば、製造工程において、多
孔形状のコントロールが比較的容易にできるから、使途
に適合した任意の気孔率と気孔径を有する焼結体を製造
できる。
グの如き多孔質の高温構造材料用ＳｉＣＳｉ３Ｎ４各焼
結体の耐熱性，耐熱衝撃性，強度を向上させることがで
きる。しかも、本発明によれば、製造工程において、多
孔形状のコントロールが比較的容易にできるから、使途
に適合した任意の気孔率と気孔径を有する焼結体を製造
できる。
第１図は、実施例に用いた戒形体の断面図、第２図は、
本発明焼結体の気孔径分布図、第３図は、比較例焼結体
の気孔径分布図である。
本発明焼結体の気孔径分布図、第３図は、比較例焼結体
の気孔径分布図である。
Claims (2)
- １．平均粒子径が１０μｍ〜１０ｍｍのＳｉＣもしくは
Ｓｉ＿３Ｎ＿４の各母粒子の粒界相が、平均粒子径が２
μｍ未満のＳｉ＿３Ｎ＿４微粉末と焼結助剤との常圧焼
結結合にかかる緻密結晶相で構成されたものである耐熱
性多孔質非酸化物系セラミックス焼結体。 - ２．平均粒子径が１０μｍ〜１０ｍｍのＳｉＣもしくは
Ｓｉ＿３Ｎ＿４の母粒子に対し、それの５〜５０ｗｔ％
に当たる量の平均粒子径２μｍ未満のＳｉ＿３Ｎ＿４微
粉末と、０．１〜１５ｗｔ％に当たる量のバインダーな
らびに、前記Ｓｉ＿３Ｎ＿４微粉末の５〜３０ｗｔ％に
当たる量の焼結助剤からなる混合粉末を添加して混合し
、その後成形し、そして大気圧下または１０気圧以下の
加圧下の不活性ガス雰囲気中にて１５００〜１８００℃
で焼成することを特徴とする耐熱性多孔質非酸化物系セ
ラミックス焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296161A JPH03159970A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 耐熱性多孔質非酸化物系セラミックス焼結体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296161A JPH03159970A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 耐熱性多孔質非酸化物系セラミックス焼結体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03159970A true JPH03159970A (ja) | 1991-07-09 |
Family
ID=17829949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1296161A Pending JPH03159970A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 耐熱性多孔質非酸化物系セラミックス焼結体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03159970A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712820A1 (en) | 1994-11-08 | 1996-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic porous body and method for preparing the same |
| WO2000037391A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-06-29 | Cfi Ceramics For Industry Gmbh & Co. Kg | Werkstoff auf basis von siliciumnitrid, dessen herstellung und verwendung in mikrowellenprozessen |
| KR100369210B1 (ko) * | 2000-06-07 | 2003-01-24 | 한국과학기술연구원 | 다공성 세라믹 발열체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 배기가스 필터 |
| CN104150940A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1296161A patent/JPH03159970A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712820A1 (en) | 1994-11-08 | 1996-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic porous body and method for preparing the same |
| US5696042A (en) * | 1994-11-08 | 1997-12-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic porous body and method for preparing the same |
| WO2000037391A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-06-29 | Cfi Ceramics For Industry Gmbh & Co. Kg | Werkstoff auf basis von siliciumnitrid, dessen herstellung und verwendung in mikrowellenprozessen |
| KR100369210B1 (ko) * | 2000-06-07 | 2003-01-24 | 한국과학기술연구원 | 다공성 세라믹 발열체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 배기가스 필터 |
| CN104150940A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 |
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