CN106029948A - 用于形成具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法和由此形成的陶瓷涂层 - Google Patents

用于形成具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法和由此形成的陶瓷涂层 Download PDF

Info

Publication number
CN106029948A
CN106029948A CN201480075571.XA CN201480075571A CN106029948A CN 106029948 A CN106029948 A CN 106029948A CN 201480075571 A CN201480075571 A CN 201480075571A CN 106029948 A CN106029948 A CN 106029948A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic
particle
coating
granularity
ceramic coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480075571.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106029948B (zh
Inventor
李文基
金秉基
朴载赫
金大根
李明鲁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Iones Corp
Original Assignee
Iones Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR20140006148A external-priority patent/KR101476604B1/ko
Priority claimed from KR20140006149A external-priority patent/KR101476605B1/ko
Priority claimed from KR20140006146A external-priority patent/KR101476602B1/ko
Priority claimed from KR1020140006147A external-priority patent/KR101476603B1/ko
Application filed by Iones Corp filed Critical Iones Corp
Publication of CN106029948A publication Critical patent/CN106029948A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106029948B publication Critical patent/CN106029948B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/447—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on phosphates, e.g. hydroxyapatite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62222—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining ceramic coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Prostheses (AREA)

Abstract

本发明的一个实施方式涉及用于形成具有粒度改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法及由此形成的陶瓷涂层。本发明公开了用于形成具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法及由此形成的陶瓷涂层，该方法包括如下步骤：从粉末供给部分接收具有第一粉末粒度范围的多个陶瓷粉末，并利用输送气体输送该粉末；以及使输送的陶瓷粉末以100至500m/s速度碰撞处理室中的基板以被粉碎而形成涂层，其中多个第一陶瓷颗粒在第一涂层粒度范围内且多个第二陶瓷颗粒在第二涂层粒度范围内，第二涂层粒度范围大于第一涂层粒度范围，其中第一颗粒的第一陶瓷涂层粒度范围为200nm至900nm，且其中第二颗粒的第二陶瓷涂层粒度范围为900nm至10μm。

Description

用于形成具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法和由此形成的陶瓷涂层
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年1月17日向韩国国家知识产权局提交的申请号为10-2014-0006146、10-2014-0006147、10-2014-0006148和10-2014-0006149的韩国专利申请的优先权和权益以及由此根据35U.S.C.119所产生的全部权益，其内容通过引用全部并入本文。
技术领域
本发明涉及一种具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的形成方法及其陶瓷涂层。
背景技术
为了达到非常高的蚀刻速率和精细的线宽，在半导体和/或显示器的制造过程中使用具有强腐蚀性的Cl-或F-基气体。为了开发在恶劣环境中所使用的加工设备的操作优势并延长加工设备的循环寿命的目的，在金属制品的表面上沉积具有优良的等离子体耐受性的钇基陶瓷氧化物。
钇基陶瓷氧化物与腐蚀气体在陶瓷涂层表面反应形成不溶的氟化钇(YF)，由于在陶瓷涂层的整个表面上形成的YF层的高粘结强度，抑制了腐蚀气体对钇基陶瓷氧化物的刻蚀。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种具有增强的等离子体耐受性粒度的陶瓷涂层的形成方法及其陶瓷涂层。
本发明的实施方式还提供了一种具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的形成方法及其陶瓷涂层，其中孔隙率相当小(或紧密度相当高)，不存在表面微裂纹，且易于陶瓷粉末控制。
本发明的实施方式还提供了一种具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的形成方法及其陶瓷涂层，其中硬度、粘结强度和耐受电压特性得到改善。
本发明的以上方面和其它方面将在以下示例性实施方式的说明中进行描述或从以下示例性实施方式的说明来看，它是明显的。
根据本发明的一个方面，提供了一种具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的形成方法，该形成方法包括从粉末供给单元接收包含多个陶瓷粉末颗粒的陶瓷粉末，并利用输送气体输送所述陶瓷粉末，所述陶瓷粉末具有陶瓷粉末粒度范围；以及使输送的陶瓷粉末以100至500m/s速度碰撞处理室中提供的基材，然后被粉碎并形成陶瓷涂层；所述陶瓷涂层具有混合存在于其中的多个第一陶瓷颗粒和多个第二陶瓷颗粒，该多个第一陶瓷颗粒具有第一涂层粒度且该多个第二陶瓷颗粒具有第二涂层粒度，其中该第一陶瓷颗粒的第一涂层粒度的范围为200nm至900nm，且该第二陶瓷颗粒的第二涂层粒度的范围为900nm至10μm。
陶瓷粉末颗粒的第一粉末粒度在0.1μm至50μm范围内。
第一陶瓷颗粒的最大数量存在于第一涂层粒度范围中在250nm和350nm之间，且第二陶瓷颗粒的最大数量存在于第二涂层粒度范围中在1.0μm和1.2μm之间。
第一陶瓷颗粒的最大数量可以大于第二陶瓷颗粒的最大数量。
陶瓷涂层的孔隙率可以在0.01％至1.0％范围内。
第一陶瓷颗粒与第二陶瓷颗粒的横截面比可以在9:1至5:5范围内。
在陶瓷涂层的形成中，输送气体或基材可以保持在0℃至1000℃范围内的温度下。
陶瓷粉末可以为脆性材料。
陶瓷粉末可以为选自由钇基氧化物、氮化铝、氮化硅、氮化钛、Y2O3-Al2O3-基化合物、B4C、ZrO2和Al2O3所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物。
根据本发明的另一方面，提供了一种采用粉末粒度在0.1μm至50μm范围内的陶瓷粉末形成的具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层，该陶瓷涂层包含：具有第一粒度的多个第一陶瓷颗粒；和具有第二粒度的多个第二陶瓷颗粒，第二粒度大于第一粒度，其中将多个第一陶瓷颗粒和多个第二陶瓷颗粒混合，然后涂覆在基材上以形成陶瓷涂层，第一陶瓷颗粒的第一粒度的范围为200nm至900nm，且第二陶瓷颗粒的第二粒度的范围为900nm至10μm。
第一陶瓷颗粒的最大数量可以存在于第一粒度范围中在250nm至350nm之间，且第二陶瓷颗粒的最大数量存在于第二粒度范围中在1.0μm和1.2μm之间。
第一陶瓷颗粒的最大数量可以大于第二陶瓷颗粒的最大数量。
陶瓷涂层的孔隙率可以在0.01％至1.0％范围内。
第一陶瓷颗粒与第二陶瓷颗粒的横截面比可以在9:1至5:5范围内。
陶瓷粉末可以为脆性材料。
第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒可以包含选自由钇基氧化物、氮化铝、氮化硅、氮化钛、Y2O3-Al2O3-基化合物、B4C、ZrO2和Al2O3所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物。
基材可以为暴露于等离子环境的元件。
元件可以为用于制造半导体或显示器的处理室的内部元件。元件可以包含选自由静电吸盘、加热器、腔室衬垫、淋浴头、化学气相沉积(化学气相沉积)的舟皿、聚焦环、壁衬、屏蔽、冷垫、离子源(source head)、外衬、沉积罩、上衬、排气板(exhaust plate)、边缘环(edge ring)、掩模架(mask frame)及其等同物所组成的组中的一种。
根据本发明的另一方面，提供了一种采用粉末粒度在0.1μm至50μm范围内的陶瓷粉末形成的具有多涂层粒度的陶瓷涂层，所述陶瓷涂层包括：具有第一粒度的多个第一陶瓷颗粒和具有第二粒度的多个第二陶瓷颗粒，第二粒度大于第一粒度，其中将多个第一陶瓷颗粒和多个第二陶瓷颗粒混合，然后涂覆在基材上以形成陶瓷涂层，第一陶瓷颗粒的第一粒度的范围为200nm至900nm，且第二陶瓷颗粒的第二粒度的范围为900nm至10μm。
如上所述，在根据本发明的一个实施方式的用于形成粒度陶瓷涂层的方法及其陶瓷涂层中，等离子体耐受性得到改善。
此外，在根据本发明的一个实施方式的用于形成陶瓷涂层的方法及其陶瓷涂层中，孔隙率相当低(或紧密度相当高)，不存在表面微裂纹，且易于陶瓷粉末控制。
此外，在根据本发明的一个实施方式的用于形成具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法及其陶瓷涂层中，硬度、粘结强度和耐受电压特性得到改善。
附图说明
通过参考附图对本发明的示例性实施方式进行更加详细地描述，本发明的以上特征和其它特征将变得更加明显，其中：
图1为说明根据本发明的一个实施方式的用于形成具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的装置的示意图；
图2为说明根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的形成方法的流程图；
图3为说明根据本发明的一个实施方式的陶瓷粉末的粒度分布的曲线图；
图4为说明根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的横截面的示意图；
图5为说明根据本发明的一个实施方式的陶瓷涂层中的第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的粒度分布的曲线图；
图6A至6C为根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的耐等离子体Y2O3陶瓷涂层的SEM照片；
图7A至7C为根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的Al2O3陶瓷涂层的SEM照片；
图8A至8C为根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的羟基磷灰石[Ca10(PO4)6(OH)2]陶瓷涂层的SEM照片；
图9A为说明现有技术的陶瓷涂层的SEM照片；
图9B为说明根据本发明的一个实施方式的陶瓷涂层的SEM照片。
具体实施方式
以下将参考附图详细描述本发明的实施方式的实施例以使本领域技术人员可以容易地制备和使用它们。
然而，本发明可以以多种不同的形式呈现且不应被解释为仅限于本文所阐述的实施方式。当然，提供这些实施方式以便本公开是彻底和完整的，并向本领域技术人员充分表达本发明的理念，本发明仅由所附的权利要求限定。
本文所用的术语仅用于描述具体实施方案的目的，并非意在限制本发明。除非上下文另有明确说明，如本文中所使用的单数形式也意图包含复数形式。进一步需要理解的是，当用于本说明书中时，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”说明存在所述的特征、整数、步骤、操作、要素和/或元件，但不排除存在或附加一个以上的其它特征、整数、步骤、操作、要素、元件和/或其群组。在附图中，为了清楚起见放大了层和区域的厚度。如本文中所使用的，术语“和/或”包含一个以上的所列出的相关项目的任意组合和所有组合。
需要理解的是，尽管在本文中术语第一、第二等可用于描述各种构件、要素、区域、层和/或部分，但是这些构件、元件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于对一个构件、要素、区域、层和/或部分与另一个进行区分。因此，例如，可以将以下讨论的第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分称为第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不脱离该教导。
此外，在本发明的整个说明书中，需要注意的是，术语“粉末”用于尚未形成陶瓷涂层的情况下，术语“颗粒”用于形成陶瓷涂层的情况下。此外，术语“模态或模态值”，作为代表数据的集中趋势的统计之一，是指最经常出现的数据的值。
图1为说明根据本发明的一个实施方式的用于形成具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的装置的示意图，图2为说明根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的形成方法的流程图。
如图1所示，根据本发明的陶瓷涂层形成装置200包含输送气体供给单元210、储存和供给陶瓷粉末的粉末供给单元220、利用输送气体以高速输送来自粉末供给单元220的陶瓷粉末的输送管222、将来自输送管222的陶瓷粉末涂覆/堆叠或喷涂到基材231上的喷嘴232，和使来自喷嘴232的陶瓷粉末与基材231的表面碰撞以被压碎和/或粉碎而形成具有预定厚度的陶瓷涂层的处理室230。
现参考图1和图2描述根据本发明的陶瓷涂层形成方法。
存储在输送气体供给单元210中的输送气体可以包含选自由氧气、氦气、氮气、氩气、二氧化碳、氢气及其等同物所组成的组的一种成分或两种成分的混合物，但是本发明的方面不限于此。通过管211将输送气体从输送气体供给单元210直接供给至粉末供给单元220，且通过流速控制器250可以控制输送气体的流速和压力。
粉末供给单元220储存并供给大量的陶瓷粉末。陶瓷粉末的粒度可以在约0.1μm至约50μm范围内。例如，陶瓷粉末可以具有第一粒度范围和第一模态值并可以显示出与正态分布相似的特征。
如果陶瓷粉末粒度范围小于约0.1μm，则难以储存和供给粉末。此外，由于在陶瓷粉末的储存和供给过程中发生凝聚，当喷涂陶瓷粉末以及陶瓷粉末与基材发生碰撞并被压碎和/或粉碎时，很容易形成粉末压块，其中尺寸小于0.1μm的颗粒凝聚成团。而且，也难以形成具有相对大的面积的陶瓷涂层。
此外，如果陶瓷粉末粒度范围大于约50μm，则当喷涂陶瓷粉末以及陶瓷粉末与基材发生碰撞并被压碎和/或粉碎时，可能发生喷砂现象。由于即使部分形成的陶瓷涂层具有相对大的粉末粒度范围，陶瓷涂层变得不稳定且陶瓷涂层的内部或表面的孔隙率可能增加，不能完全实现材料特性。
如果陶瓷粉末粒度范围在约0.1μm至约50μm之间，可以获得具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层，其中孔隙率相当小(或紧密度相当高)，不存在表面微裂纹，且易于陶瓷粉末控制。此外，如果陶瓷粉末粒度范围在约0.1μm至约50μm之间，可以获得具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层，其中陶瓷涂层的复膜速度相当高，具有半透明度，且可以容易地实现材料特性。
陶瓷粉末可以为脆性材料。脆性材料容易断裂且少有弹性。
陶瓷粉末可以包含选自由钇基氧化物、氟化物、氮化物、Y2O3-Al2O3-基化合物(例如YAG、YAP或YAM)、B4C、ZrO2、氧化铝(Al2O3)及其等同物所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物，但本发明的方面不限于此。
详细地，作为脆性材料的陶瓷粉末可以包含选自由氧化钇(Y2O3)、YAG(Y3Al5O12)、稀土金属(元素号为57至71的元素，包含Y和Sc)基氧化物、氧化铝(Al2O3)、生物玻璃、二氧化硅(SiO2)、羟基磷灰石Ca10(PO4)6(OH)2、二氧化钛(TiO2)及其等同物所组成的组的一种成分或两种成分的混合物。但本发明的方面不限于此。
更详细地，作为脆性材料的陶瓷粉末可以包含选自如下所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物：羟基磷灰石(Ca10(PO4)6(OH)2)、磷酸钙、生物玻璃、Pb(Zr,Ti)O3(PZT)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)、氧化镝(Dy2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化铈(CeO2)、氧化钆掺杂氧化铈(GDC)、氧化镁(MgO)、钛酸钡(BaTiO3)、锰酸镍(NiMn2O4)、铌酸钠钾(KNaNbO3)、钛酸铋钾(BiKTiO3)、钛酸铋钠(BiNaTiO3)、CoFe2O4、NiFe2O4、BaFe2O4、NiZnFe2O4、ZnFe2O4、MnxCo3-xO4(其中x是3以下的实数)、铁酸铋(BiFeO3)、铌酸铋锌(Bi1.5Zn1Nb1.5O7)、磷酸锂铝钛玻璃陶瓷、Li-La-Zr-O-基石榴石氧化物、Li-La-Ti-O-基钙钛矿氧化物、La-Ni-O-基氧化物、磷酸铁锂、锂钴氧化物、Li-Mn-O-基尖晶石氧化物(锂锰氧化物)、磷酸锂铝氧化镓、氧化钨、氧化锡、镍酸镧、镧-锶-锰氧化物、镧-锶-铁-钴氧化物、硅酸盐-基磷光体、SiAlON-基磷光体、氮化铝、氮化硅、氮化钛、AlON、碳化硅、碳化钛、碳化钨、硼化镁、硼化钛、金属氧化物-金属氮化物混合物、金属氧化物-金属碳化物混合物，陶瓷-聚合物混合物、金属-陶瓷混合物、镍、铜、硅及其等同物，但是本发明的方面不限于此。
图3为说明根据本发明的一个实施方式的陶瓷粉末的粒度分布的曲线图。现参考图3更加详细地描述陶瓷粉末的粒度特征。在图3中，X轴表示用对数范围表示的陶瓷粉末粒度(μm)，Y轴表示粉末粒度(nm)的数量(ea)或粉末粒度(nm)的比例(％)。
通过激光衍射对陶瓷粉末粒度进行分析。用于测量陶瓷粉末粒度的装置的一个示例为Beckman Coulter公司制造的LS 13 320。
详细地，现对分析陶瓷粉末粒度的方法进行描述。首先，将粉末加入溶剂(如水)中稀释成浓度为约10％的悬浮液以形成淤浆。然后，采用超声波或转子对淤浆进行处理以均匀地分散陶瓷粉末。接下来，向处于分散的淤浆状态的陶瓷粉末施加激光束，同时循环淤浆粉末。在本文中，对通过陶瓷粉末并散射的激光束的强度进行测量以分析陶瓷粉末粒度。根据所用的分析设备的模式可以改变陶瓷粉末分析的范围，但该范围通常在约0.017μm至约2000μm。
如图3所示，陶瓷粉末可以具有第一粒度范围和第一模态值。更加详细地，陶瓷粉末的第一粒度范围可以在0.1μm至25μm范围内且陶瓷粉末的第一模态值可以在约1μm至约10μm之间的范围内。
此外，陶瓷粉末还可以具有第二粒度范围和第二模态值。更加详细地，陶瓷粉末的第二粒度范围可以在15μm至50μm范围内且陶瓷粉末的第二模态值可以在约20μm至约40μm之间的范围内，优选地在约30μm至约35μm之间的范围内。
作为示例，陶瓷粉末的第一模态值的最大数量可以小于约5(或5％)且陶瓷粉末的第二模态值的最大数量可以小于约0.5(或0.5％)。
事实上，如果陶瓷粉末的第一粒度范围和第二粒度范围、第一模态值和第二模态值和最大数量(比例)超过上述数值，则难以获得孔隙率为0.01％至1.0％的陶瓷涂层。此外，如果陶瓷粉超出上述范围，则难以获得以下描述的具有预定水平的硬度、粘结强度和耐受电压的陶瓷涂层，如下所述。
作为示例，如果仅采用粒度范围小于约0.1μm的陶瓷粉末形成陶瓷涂层，则粉末自身具有相当小的粒度范围。由此，陶瓷涂层具有良好的透光率和低的孔隙率。然而，陶瓷涂层的形成速度相当低且陶瓷粉末颗粒凝聚成团，使陶瓷粉末控制难以实现。
作为另一个示例，如果采用粒度范围大于约50μm的陶瓷粉末形成陶瓷涂层，则粉末自身具有相当大的粒度范围。由此，陶瓷涂层的复膜速度相当高且陶瓷涂层具有高的孔隙率，由于表面微裂纹使陶瓷涂层变得不稳定。
事实上，如果采用粒度范围大于约50μm的陶瓷粉末形成用于半导体工艺的耐等离子氧化钇陶瓷涂层，尽管氧化钇具有高等离子体耐受性，由于在形成陶瓷涂层的过程中产生不稳定的微结构，微结构中的粗颗粒之间存在的孔是大尺寸的且由于该孔陶瓷涂层具有增加的表面积。因此，由于引入到该孔之中的空间中的腐蚀气体，加速了等离子腐蚀，且被腐蚀的氧化钇颗粒与陶瓷涂层分离成为污染物颗粒。
同时，陶瓷粉末可以为大致球形，其有利于高速输送，但本发明的方面不限于此。陶瓷粉末还可以具有层状结构、针状结构或多边形结构。
此外，在以上描述中具有一种粒度范围和一个模态值的陶瓷粉末和具有两种粒度范围和两个模态值的陶瓷粉末是示例性的。然而，当有必要时，具有三种以上粒度范围和三个以上模态值的陶瓷粉末也可以应用于本发明中。
当然，本发明中所采用的陶瓷粉末的粒度范围和模态值不限于第一粒度范围和第二粒度范围以及第一模态值和第二模态值。如上所述，根据本发明的陶瓷涂层可以具有一个模态值且可以利用粒度在约0.1μm至约50μm范围内的陶瓷粉末来形成。本文中，模态值可以在约1μm至约10μm范围内，更优选地在约4μm至约10μm范围内.
本文中，根据本发明的陶瓷粉末可以通过专利号为10-1075993的韩国专利(注册于2011年10月17日)中所公开的方法来形成，但本发明的方面不限于此。
再次参考图1和图2对根据本发明的陶瓷涂层形成方法进行进一步描述。
在形成陶瓷涂层的过程中处理室230保持在真空中，为此，可以将真空单元连接至处理室230。更加详细地，处理室230可以保持在约1Pa至约800Pa压力范围内，且通过高速输送管222输送的陶瓷粉末可以在约500Pa至约2000Pa范围内。然而，不管怎样，高速输送管222的压力应该高于处理室230的压力。
此外，由于处理室230的内部温度在约0℃至约30℃的范围内，有利的是，不必需设置用于增加或降低处理室230的内部温度的单独元件。也就是说，可以对输送气体或/和基材进行单独加热并将输送气体或/和基材保持在约0℃至约30℃温度范围内。
然而，在某些情况下，为了提高陶瓷涂层的沉积效率和紧密度，可以在约300℃至约1000℃温度范围内对输送气体或/和基材进行加热。也就是说，可以通过单独的加热器(未示出)对输送气体供给单元210中的输送气体或处理室230中的基材231进行加热。通过加热输送气体或/和基材231可以降低在形成陶瓷涂层时施加到陶瓷粉末上的应力，由此获得具有小孔隙率和高紧密度的陶瓷涂层。本文中，当输送气体或/和基材的温度高于约1000℃时，陶瓷粉末被熔化以引起快速相变。因此，陶瓷涂层的孔隙率可能增加且陶瓷涂层的内部结构可能变得不稳定。此外，当输送气体或/和基材的温度低于约300℃时，施加到陶瓷粉末上的应力可能未降低。
然而，本发明并不限制温度范围于本文中所公开的温度范围。根据形成陶瓷涂层的基材的特性，可以在0℃和1000℃之间调节输送气体和基材的内部温度和/或处理室230的内部温度。
同时，如上所述，处理室230和高速输送管222(或输送气体供给单元210或陶瓷粉末供给单元220)之间的压力差可以为约1.5倍至约2000倍。如果压力差小于1.5倍，则可能难以高速输送陶瓷粉末。如果压力差大于2000倍，则基材的表面由于陶瓷粉末的存在可能被过度蚀刻。
基于处理室230和输送管222之间的压力差，粉末供给单元220中的陶瓷粉末，通过输送管222然后输送至处理室230，并以高速被喷涂。
此外，处理室230设有连接至输送管222的喷嘴232，使陶瓷粉末与基材231以约100至约500m/s速度碰撞。也就是说，通过在输送陶瓷粉末的过程中获得的动能以及在高速碰撞过程中产生的碰撞能将通过喷嘴232的陶瓷粉末压碎和/或粉碎，由此在基材231的表面形成具有预定厚度的陶瓷涂层。
如下所述，将陶瓷粉末碎裂成具有第一粒度范围和第一模态值的第一陶瓷颗粒和具有第二粒度范围和第二模态值的第二陶瓷颗粒。并将第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒彼此无规混合并被层压在基材231的表面，由此形成具有小的孔隙率和高紧密度的陶瓷涂层。
换言之，使具有第一粒度范围和第一模态值并具有正态分布的陶瓷粉末以约100至约500m/s速度与基材碰撞并被压碎和/或粉碎，由此获得具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层，即具有第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的至少两个颗粒峰的陶瓷涂层，第一陶瓷颗粒具有第一粒度范围和第一模态值，第二陶瓷颗粒具有第二粒度范围和第二模态值。本文中，第一陶瓷颗粒的第一粒度范围小于第二陶瓷颗粒的第二粒度范围，且第一陶瓷颗粒的第一模态值小于第二陶瓷颗粒的第二模态值，从而提供具有小的粒度的沙粒位于具有大的粒度的碎石粒之间的结构的陶瓷涂层，即具有极小孔隙率和高复膜速度/涂覆速度的陶瓷涂层。以下将描述陶瓷涂层的结构。
图4为说明根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的横截面的示意图，以及图5为说明根据本发明的一个实施方式的陶瓷涂层中的第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的粒度分布的曲线图。
在图5中，X轴表示陶瓷涂层的粒度(nm)且Y轴表示陶瓷涂层的粒度(nm)的数量(ea)或比例(％)。在图5中，尽管可以将X轴的粒度表示至高达10000nm，但为了简便起见简略图5的曲线图。
在本文中，通过扫描电镜(SEM)，诸如SNE-4500M设备，可以分析形成陶瓷涂层的第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的粒度。更加详细地，现将描述分析陶瓷涂层粒度的方法。首先，切割具有待分析的陶瓷涂层的试样以得到横截面并研磨横截面。接下来，利用SEM拍摄陶瓷涂层并通过图像处理软件对拍摄的陶瓷涂层图像进行处理以分析第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的粒度。在本发明中，对横截面积为约110μm2的陶瓷涂层的横截面进行拍摄以分析第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的粒度。此外，通过计算第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的最长轴的长度获得在约50nm至约2200nm范围内的第一粒度和第二粒度的数量。然而，观察到粒度为10μm以下的第二陶瓷颗粒。
如图4和5所示，根据本发明具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层120包含形成在基材110表面的多个第一陶瓷颗粒121和多个第二陶瓷颗粒122，第一陶瓷颗粒121具有第一粒度，第二陶瓷颗粒122具有不同于第一粒度的第二粒度并设置在多个第一陶瓷颗粒121的每一个之间。也就是说，根据本发明的陶瓷涂层120配置为使粒度相当小的第一陶瓷颗粒121紧密填充在粒度相当大的第二陶瓷颗粒122中形成的裂缝、空间或间隙中。
更加详细地，第一陶瓷颗粒121具有第一粒度范围和第一模态值，且第二陶瓷颗粒122具有大于第一粒度范围的第二粒度范围和大于第一模态值的第二模态值。此外，将第一陶瓷颗粒121和第二陶瓷颗粒122彼此混合并层压/涂覆在基材上，由此形成具有小的孔隙率和紧密度的陶瓷涂层120。
更加详细地，第一陶瓷颗粒121的第一粒度范围在约1nm至约900nm范围内，且第一陶瓷颗粒121的第一模态值在约250nm至约800μm，优选地约250nm至约350nm范围内，但并不限于此。作为示例，第一陶瓷颗粒121的第一模态值可以略微小于或大于所述的粒度范围。
在本文中，第一陶瓷颗粒121在约200nm至约900nm范围内显示出与第一陶瓷颗粒121的第一模态值(在250nm和800nm之间)的正态分布相似的特征。然而，第一陶瓷颗粒121的主要存在尺寸小于200nm。也就是说，随着第一陶瓷颗粒121的粒度范围的减小，第一陶瓷颗粒121的数量(比例)逐渐增加。然而，在本发明中，由于测量设备的限制，小于200nm的第一陶瓷颗粒121的数量(比例)或模态值被忽略。
然而，第一陶瓷颗粒121的第一粒度小于约1nm至约200nm是指用于形成第一陶瓷颗粒121的陶瓷粉末还具有比约1nm至约200nm小的粒度。在这种情况下，实现陶瓷粉末控制相当困难。此外，第一陶瓷颗粒121的第一粒度大于900nm意味着陶瓷涂层120的透光率开始下降。
此外，第二陶瓷颗粒122的第二粒度范围可以在约900nm至约10μm范围内，优选地在约900nm至约3μm范围内，且第二陶瓷颗粒122的第二模态值可以在约1.0μm至约5.0μm范围内，优选地在约1.0μm至约1.2μm范围内，但本发明的方面不限于此。作为示例，第二陶瓷颗粒122的第二模态值可以略微小于或大于上述数值。
然而，第二陶瓷颗粒122的第二粒度小于约900nm意味着陶瓷涂层的复膜速度降低，且第二陶瓷颗粒122的第二粒度大于约10μm意味着陶瓷涂层120的透光率下降，孔隙率增加，并且陶瓷涂层120的内部结构变得不稳定。
由于测量设备的限制，第二陶瓷颗粒122的第二粒度范围限于3μm以上，但本发明的方面不限于此。
此外，第一陶瓷颗粒也可以称为第一粒子且第二陶瓷颗粒也可以称为第二粒子，本发明不限于本文中所用的这些术语。
同时，第一模态值的最大数量可以比第二模态值的最大数量大约2至约10倍，优选2至5倍。
更加详细地，如图5所示，第一陶瓷颗粒中的第一模态值的最大数量在约300nm处为约40，第二陶瓷颗粒中的第二模态值的最大数量在约1100nm处为约10。也就是说，第一模态值的最大数量比第二模态值的最大数量大约4倍，但本发明的方面不限于此。此外，用于区分第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的粒度范围为约900nm，且在粒度范围为约900nm处，粒度的数量为约2或3。换言之，在用于区分第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒的粒度范围处，粒度的数量(比例)为第二模态值的最大数量的约20至30％。
此外，如果比例(第一模态值的最大数量为约2至10倍，优选地约2至5倍)超过上述比例，例如，如果第一模态值的最大数量大于上述比例，则陶瓷涂层的透光率可以得到改善，这有利于实现材料特性，但降低了陶瓷涂层的复膜速度。作为另一个示例，如果第一模态值小于上述比例，则陶瓷涂层的复膜速度增加，孔隙率变大，以致表面微裂纹增加，使陶瓷涂层不稳定。
通过陶瓷涂层120的形成方法形成的陶瓷涂层120的孔隙率可以在约0.01％至约1.0％范围内，优选地在约0.01％至约0.2％范围内。也就是说，通过第一陶瓷颗粒121的第一粒度范围和第一模态值、第二陶瓷颗粒122的第二粒度范围和第二模态值以及第一陶瓷颗粒121和第二陶瓷颗粒122的第一模态值和第二模态值的数量(比例)确定孔隙率。如果数值超出上述范围，则可能显著降低陶瓷涂层120的复膜速度或显著增加孔隙率。也就是说，当通过陶瓷涂层120的形成方法形成的陶瓷涂层120具有约0.01％至约1.0％的孔隙率时，表面微裂纹变小，从而稳定陶瓷涂层120的微结构。
本文中，通过图像处理软件测量陶瓷涂层120的孔隙率，这对本领域技术人员来说是公知的，不再进行详细描述。
此外，陶瓷涂层120的厚度可以在约1μm至约100μm范围内。如果陶瓷涂层120的厚度小于约1μm，则对于基材110来说难以工业使用。此外，如果陶瓷涂层120的厚度大于约100μm，则显著降低透光率。
此外，可以将陶瓷涂层120的透光率调节为在约1％至约99％范围内，且通过陶瓷涂层120的整体厚度、第一陶瓷颗粒121和第二陶瓷颗粒122的第一粒度范围和第二粒度范围以及第一模态值和第二模态值可以控制陶瓷涂层120的透光率。作为示例，假设陶瓷涂层120具有均匀的厚度且第二模态值的最大数量是固定的，则随着第一陶瓷颗粒121和第二陶瓷颗粒122中的第一陶瓷颗粒121的第一模态值的最大数量的增加，透光率可以变大，且随着第一陶瓷颗粒121的第一模态值的最大数量的降低，透光率可以变小。此外，假设第二模态值的最大数量是固定的，不论陶瓷涂层120的厚度，则随着第一陶瓷颗粒121的第一模态值的最大数量增加，孔隙率可以变小，且随着第一陶瓷颗粒121的第一模态值的最大数量降低，孔隙率可以变大。
同时，第一陶瓷颗粒121与第二陶瓷颗粒122的横截面比在9:1至5:5范围内，优选地在7.7:2.3的范围内。如上所述，待分析的横截面积可以为110μm2。当第一陶瓷颗粒121与第二陶瓷颗粒122的横截面比在上述范围内时，则孔隙率可能相当低，不存在表面微裂纹，陶瓷涂层120是半透明的且可以容易地实现材料特性。作为示例，当第一陶瓷颗粒121与第二陶瓷颗粒122的横截面比超出上述范围时，即当第一陶瓷颗粒121的比例相当大时，则可以延长形成/层压陶瓷涂层120所消耗的时间，且当第一陶瓷颗粒121的比例相当小时，则可以增加孔隙率。然而，当第一陶瓷颗粒121与第二陶瓷颗粒122的横截面比超出上述范围时，即当第二陶瓷颗粒122的比例相当大时，则可以缩短形成/层压陶瓷涂层120所消耗的时间同时增加孔隙率，且当第二陶瓷颗粒122的比例相当小时，则可以延长形成/层压陶瓷涂层120所消耗的时间。
同时，如上所述，第一陶瓷颗粒121或第二陶瓷颗粒122可以为脆性材料。为脆性材料的第一陶瓷颗粒121或第二陶瓷颗粒122可以包含选自由钇基氧化物、氟化物、氮化物、Y2O3-Al2O3-基化合物(诸如YAG、YAP或YAM)、B4C、ZrO2、氧化铝(Al2O3)及其等同物所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物，但本发明的方面不限于此。
详细地，为脆性材料的第一陶瓷颗粒121或第二陶瓷颗粒122可以包含选自由氧化钇(Y2O3)、YAG(Y3Al5O12)、稀土金属(元素号为57至71的元素，包含Y和Sc)基氧化物、氧化铝(Al2O3)及其等同物所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物。但本发明的方面不限于此。
更详细地，为脆性材料的第一陶瓷颗粒121或第二陶瓷颗粒122可以包含选自由氧化钇(Y2O3)、YAG(Y3Al5O12)、稀土金属(元素号为57至71的元素，包含Y和Sc)基氧化物、氧化铝(Al2O3)、生物玻璃、二氧化硅(SiO2)、羟基磷灰石Ca10(PO4)6(OH)2、二氧化钛(TiO2)及其等同物所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物。但本发明的方面不限于此。
更详细地，作为脆性材料的第一陶瓷颗粒121或第二陶瓷颗粒122可以包含选自由如下所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物：羟基磷灰石(Ca10(PO4)6(OH)2)、磷酸钙、生物玻璃、Pb(Zr,Ti)O3(PZT)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)、氧化镝(Dy2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化铈(CeO2)、氧化钆掺杂氧化铈(GDC)、氧化镁(MgO)、钛酸钡(BaTiO3)、锰酸镍(NiMn2O4)、铌酸钠钾(KNaNbO3)、钛酸铋钾(BiKTiO3)、钛酸铋钠(BiNaTiO3)、CoFe2O4、NiFe2O4、BaFe2O4、NiZnFe2O4、ZnFe2O4、MnxCo3-xO4(其中x是3以下的实数)、铁酸铋(BiFeO3)、铌酸铋锌(Bi1.5Zn1Nb1.5O7)、磷酸锂铝钛玻璃陶瓷、Li-La-Zr-O-基石榴石氧化物、Li-La-Ti-O-基钙钛矿氧化物、La-Ni-O-基氧化物、磷酸铁锂、锂钴氧化物、Li-Mn-O-基尖晶石氧化物(锂锰氧化物)、磷酸锂铝氧化镓、氧化钨、氧化锡、镍酸镧、镧-锶-锰氧化物、镧-锶-铁-钴氧化物、硅酸盐-基磷光体、SiAlON-基磷光体、氮化铝、氮化硅、氮化钛、AlON、碳化硅、碳化钛、碳化钨、硼化镁、硼化钛、金属氧化物-金属氮化物混合物、金属氧化物-金属碳化物混合物，陶瓷-聚合物混合物、金属-陶瓷混合物、镍、铜、硅及其等同物，但是本发明的方面不限于此。
本文中，基材110可以包含选自由玻璃、金属、塑料材料、聚合物树脂、陶瓷及其等同物所组成的组中的一种材料，但本发明的方面不限于此。
图6A至6C为根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的耐等离子体Y2O3陶瓷涂层的SEM照片，图7A至7C为根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的Al2O3粒度陶瓷涂层的SEM照片，以及图8A至8C为根据本发明的一个实施方式的具有增强的等离子体耐受性的羟基磷灰石[Ca10(PO4)6(OH)2]陶瓷涂层的SEM照片。
在图6A至图8C所示的照片中，由“纳米颗粒”所表示的部分是指本文所描述的第一陶瓷颗粒，且由“微米颗粒”所表示的部分是指本文所描述的第二陶瓷颗粒。
从图6A至图8C所示的多张照片中可以确认，根据本发明的陶瓷涂层的第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒配置为形成于玻璃基板上的水平(左到右)延伸的层或横向平放的针，而不是圆形或球体。通过这种配置，显著降低了根据本发明的陶瓷涂层的孔隙率并降低了表面微裂纹，从而提供稳定的微结构。
因此，在采用根据本发明的陶瓷涂层的产品的半导体制造方法中，例如，证明了改善的等离子体耐受性并且腐蚀速度降低，从而降低了分散在半导体处理室中的颗粒的比例。
此外，尽管已经描述了第二陶瓷颗粒具有约3μm的第二粒度，这是由于分析设备的限制，但本领域技术人员应当理解的是，第二陶瓷颗粒的第二粒度可以为10μm以下。
图9A为说明现有技术的陶瓷涂层的SEM照片，图9B为说明根据本发明的一个实施方式的陶瓷涂层的SEM照片。
更详细地，图9A为通过大气等离子喷涂(APS)形成于基材表面的耐等离子陶瓷涂层的SEM照片。在APS中，通过创建对在空气中施加高电压所产生的高能量DC放电惰性的气体环境而产生等离子体。等离子体具有热能，所述热能具有在约10000℃至约20000℃范围内的超高温度。此外，在基材中粒度范围在约30μm至约50μm范围内的陶瓷粉末暴露于具有超高温度的等离子体以被熔化并被喷涂以形成粒度范围在约5μm至约10μm范围内的陶瓷涂层。然而，由于暴露于超高温度区域的陶瓷粉末的极其快速的相变和非均匀的熔化时间，通过APS形成的陶瓷涂层可以具有高孔隙率(诸如2至5％)，如图9A所示，且由于耐等离子陶瓷涂层的高温碰撞，可以产生许多微裂纹。如上所述，通过APS形成的耐等离子陶瓷涂层可以具有高比表面积和许多微裂纹。因此，当将耐等离子陶瓷涂层应用于半导体/显示器制造方法中时，耐等离子涂层的颗粒可能被腐蚀，导致加工零件的污染，并最终造成对半导体/显示器制造方法的产品的损坏。
同时，如图9B所示，根据本发明的耐等离子陶瓷涂层显示出紧密度和小的比表面积。如上所述，根据本发明的耐等离子陶瓷涂层具有在约0.01％至约1.0％范围内的孔隙率，其比常规孔隙率小得多。换言之，根据本发明的耐等离子陶瓷涂层具有在约99％至约99.99％范围内的紧密度，其比常规的紧凑度高得多。因此，根据本发明的耐等离子陶瓷涂层具有比现有技术的耐等离子陶瓷涂层更高的等离子体耐受性。
表1示出了根据现有技术通过APS形成的耐等离子陶瓷涂层与根据本发明的耐等离子陶瓷涂层的各物理性能的对比结果。
表1
现有技术(APS) 本发明
硬度 1～2GPa 9～13GPa
粘结强度 5～6MPa 70～90MPa
孔隙率 2～4％ 0.01～1.0％
耐受电压 10～20V/μm 80～120V/μm
如在表1中列出的，现有技术的耐等离子陶瓷涂层具有1至2GPa的硬度，然而根据本发明的耐等离子陶瓷涂层具有9至13GPa的硬度。此外，现有技术的耐等离子陶瓷涂层具有5至6MPa的粘结强度，然而根据本发明的耐等离子陶瓷涂层具有70至90MPa的粘结强度。此外，现有技术的耐等离子陶瓷涂层具有2至4％的孔隙率，然而根据本发明的耐等离子陶瓷涂层具有0.01至1.0％的孔隙率。最后，现有技术的耐等离子陶瓷涂层具有10至20V/μm的耐受电压，然而根据本发明的耐等离子陶瓷涂层具有80至120V/μm的耐受电压。
如上所述，相比于现有技术，本发明提供的具有增强的等离子体耐受性的耐等离子陶瓷涂层具有优异的硬度、粘结强度、孔隙率和耐受电压。因此，耐等离子陶瓷涂层在等离子环境下具有改善的等离子体耐受性。
本文中，通过使用金刚石四角锥工具按压耐等离子陶瓷涂层形成的标记来测量硬度，通过使用杆孔(rod cell)拉形成在基材上的耐等离子涂层来测量粘结强度，通过在耐等离子陶瓷涂层上安装两个电极来测量耐受电压，通过获取由剪切耐等离子陶瓷涂层、拍摄切割的耐等离子陶瓷涂层而获得图像并利用具有图像处理软件的计算机分析图像来测量孔隙率。由于测量方法对本领域技术人员来说是众所周知的，因此不再给出其详细描述。
同时，其上形成有根据本发明的耐等离子陶瓷涂层的基材可以为暴露于等离子环境的部件。也就是说，该部件可以为用于制造半导体或显示器的处理室的内部部件。更加详细地，该部件可以包含选自由静电吸盘、加热器、腔室衬垫、淋浴头、化学气相沉积(CVD)的舟皿、聚焦环、壁衬、屏蔽、冷垫、源头、外衬、沉积罩、上衬、排气板、边缘环、掩模架及其等同物所组成的组中的一种部件。然而，本发明并不将其上形成有耐等离子陶瓷涂层的基材或部件限制于本文中所列出的这些部件。
如上所述，根据本发明，具有第一粒度范围和第一模态值的第一陶瓷颗粒和具有大于第一粒度范围的第二粒度范围和大于第一模态值的第二模态值的第二陶瓷颗粒以混合状态共存而形成陶瓷涂层，从而得到具有增大的透光率(半透明度)同时在形成陶瓷涂层中具有高的复膜速度的基材。
而且，由于将具有第一粒度范围和第一模态值的第一陶瓷颗粒与具有第二粒度范围和第二模态值的第二陶瓷颗粒适当地混合以形成涂层，因此可以形成孔隙率小于1.0％的稳定的涂层结构(即高度紧密的涂层结构)同时抑制表面微裂纹。
此外，根据本发明，通过调节粉末粒度范围和压力差可以容易地将形成于基材表面的涂层的应力调节至所需值。
此外，本发明提供了具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层，其具有优于现有技术的陶瓷涂层的硬度、粘结强度和耐受电压特性。
本发明还可以应用于耐等离子涂层、生物陶瓷涂层和/或绝缘涂层。
尽管参考其示例性实施方式特别地示出和描述了根据本发明的具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的形成方法及其陶瓷涂层，但本领域技术人员可以理解的是，在其形式和细节方面可以做出多种变化而不偏离如通过以下权利要求所限定的本发明的精神和范围。

Claims (20)

1.一种具有增强的等离子体耐受性的陶瓷涂层的形成方法，所述形成方法包括：
从粉末供给单元接收包含多个陶瓷粉末颗粒的陶瓷粉末，并利用输送气体输送所述陶瓷粉末，所述陶瓷粉末具有陶瓷粉末粒度范围；和
使输送的陶瓷粉末以100至500m/s速度碰撞处理室中提供的基材，然后被粉碎并形成陶瓷涂层，所述陶瓷涂层具有混合存在于其中的多个第一陶瓷颗粒和多个第二陶瓷颗粒，所述多个第一陶瓷颗粒具有第一涂层粒度且所述多个第二陶瓷颗粒具有第二涂层粒度，
其中所述第一陶瓷颗粒的第一涂层粒度的范围为200nm至900nm，且所述第二陶瓷颗粒的第二涂层粒度的范围为900nm至10μm。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述陶瓷粉末的第一粉末粒度的范围为0.1μm至50μm。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述第一陶瓷颗粒的最大数量存在于第一涂层粒度范围中在250nm至350nm之间，且所述第二陶瓷颗粒的最大数量存在于第二涂层粒度范围中在1.0μm至1.2μm之间。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述第一陶瓷颗粒的最大数量大于所述第二陶瓷颗粒的最大数量。
5.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述陶瓷涂层的孔隙率在0.01％至1.0％范围内。
6.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述第一陶瓷颗粒与所述第二陶瓷颗粒的横截面比在9:1至5:5范围内。
7.根据权利要求1所述的形成方法，其中在所述陶瓷涂层的形成中，所述输送气体或所述基材保持在0℃至1000℃范围内的温度下。
8.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述陶瓷粉末为脆性材料。
9.根据权利要求1所述的形成方法，其中所述陶瓷粉末为选自由钇基氧化物、氮化铝、氮化硅、氮化钛、Y2O3-Al2O3-基化合物、B4C、ZrO2和Al2O3所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物。
10.一种采用粉末粒度在0.1μm至50μm范围内的陶瓷粉末形成的具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层，所述陶瓷涂层包括：
具有第一粒度的多个第一陶瓷颗粒；和
具有第二粒度的多个第二陶瓷颗粒，所述第二粒度大于所述第一粒度，
其中将所述多个第一陶瓷颗粒和所述多个第二陶瓷颗粒混合，然后涂覆在基材上以形成陶瓷涂层，所述第一陶瓷颗粒的第一粒度的范围为200nm至900nm，且所述第二陶瓷颗粒的第二粒度的范围为900nm至10μm。
11.根据权利要求10所述的陶瓷涂层，其中所述第一陶瓷颗粒的最大数量存在于第一粒度范围中在250nm和350nm之间，且所述第二陶瓷颗粒的最大数量存在于第二粒度范围中在1.0μm和1.2μm之间。
12.根据权利要求10所述的陶瓷涂层，其中所述第一陶瓷颗粒的最大数量大于所述第二陶瓷颗粒的最大数量。
13.根据权利要求10所述的陶瓷涂层，其中所述陶瓷涂层的孔隙率在0.01％至1.0％范围内。
14.根据权利要求10所述的陶瓷涂层，其中所述第一陶瓷颗粒与所述第二陶瓷颗粒的横截面比在9:1至5:5范围内。
15.根据权利要求10所述的陶瓷涂层，其中所述陶瓷粉末为脆性材料。
16.根据权利要求10所述的陶瓷涂层，其中所述第一陶瓷颗粒和所述第二陶瓷颗粒包含选自由钇基氧化物、氮化铝、氮化硅、氮化钛、Y2O3-Al2O3-基化合物、B4C、ZrO2和Al2O3所组成的组中的一种成分或两种成分的混合物。
17.根据权利要求10所述的陶瓷涂层，其中所述基材为暴露于等离子环境的元件。
18.根据权利要求17所述的陶瓷涂层，其中所述元件为用于制造半导体或显示器的处理室的内部元件。
19.根据权利要求18所述的陶瓷涂层，其中所述元件包含选自由静电吸盘、加热器、腔室衬垫、淋浴头、用于化学气相沉积(CVD)的舟皿、聚焦环、壁衬、屏蔽、冷垫、离子源、外衬、沉积罩、上衬、排气板、边缘环、掩模架及其等同物所组成的组中的一种。
20.一种采用粉末粒度在0.1μm至50μm范围内的陶瓷粉末形成的具有多涂层粒度的陶瓷涂层，所述陶瓷涂层包括：
多个具有第一粒度的第一陶瓷颗粒；和
多个具有第二粒度的第二陶瓷颗粒，所述第二粒度大于所述第一粒度，
其中将多个所述第一陶瓷颗粒和多个所述第二陶瓷颗粒混合，然后涂覆在基材上以形成陶瓷涂层，所述第一陶瓷颗粒的第一粒度的范围为200nm至900nm，且所述第二陶瓷颗粒的第二粒度的范围为900nm至10μm。
CN201480075571.XA 2014-01-17 2014-12-04 用于形成具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法和由此形成的陶瓷涂层 Active CN106029948B (zh)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0006147 2014-01-17
KR20140006148A KR101476604B1 (ko) 2014-01-17 2014-01-17 복합 피막 입자 입경을 갖는 바이오 세라믹 피막의 형성 방법 및 이에 따른 바이오 세라믹 피막
KR20140006149A KR101476605B1 (ko) 2014-01-17 2014-01-17 복합 피막 입자 입경을 갖는 절연 피막의 형성 방법 및 이에 따른 절연 피막
KR20140006146A KR101476602B1 (ko) 2014-01-17 2014-01-17 복합 피막 입자 입경을 갖는 피막의 형성 방법 및 이에 따른 피막
KR10-2014-0006148 2014-01-17
KR10-2014-0006146 2014-01-17
KR10-2014-0006149 2014-01-17
KR1020140006147A KR101476603B1 (ko) 2014-01-17 2014-01-17 플라즈마 저항성이 향상된 세라믹 피막의 형성 방법 및 이에 따른 세라믹 피막
PCT/KR2014/011796 WO2015108277A1 (ko) 2014-01-17 2014-12-04 플라즈마 저항성이 향상된 세라믹 피막의 형성 방법 및 이에 따른 세라믹 피막

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106029948A true CN106029948A (zh) 2016-10-12
CN106029948B CN106029948B (zh) 2020-02-21

Family

ID=53543124

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480075571.XA Active CN106029948B (zh) 2014-01-17 2014-12-04 用于形成具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法和由此形成的陶瓷涂层
CN201480075369.7A Active CN106029949B (zh) 2014-01-17 2014-12-04 用于形成具有复合涂层粒度的涂层的方法和由此形成的涂层

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480075369.7A Active CN106029949B (zh) 2014-01-17 2014-12-04 用于形成具有复合涂层粒度的涂层的方法和由此形成的涂层

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10982331B2 (zh)
JP (2) JP6058821B2 (zh)
CN (2) CN106029948B (zh)
WO (2) WO2015108277A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108623330A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 应用材料公司 多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层
CN114225114A (zh) * 2021-12-22 2022-03-25 西南大学 一种高强柔韧耐磨仿生复合关节材料及其制备方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6985267B2 (ja) 2015-11-16 2021-12-22 クアーズテック，インコーポレイティド 耐食性構成部品および製造方法
KR102084235B1 (ko) * 2015-12-28 2020-03-03 아이원스 주식회사 투명 불소계 박막의 형성 방법 및 이에 따른 투명 불소계 박막
KR101811534B1 (ko) * 2016-06-23 2017-12-21 에스케이씨솔믹스 주식회사 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치 및 그 부품의 제조방법
KR101818351B1 (ko) * 2016-06-23 2018-01-12 에스케이씨솔믹스 주식회사 전기전도성 부품을 포함하는 플라즈마 처리장치 및 그 부품의 제조방법
US20180016678A1 (en) 2016-07-15 2018-01-18 Applied Materials, Inc. Multi-layer coating with diffusion barrier layer and erosion resistant layer
EP3526177B1 (en) 2016-11-16 2021-06-09 Coorstek Inc. Corrosion-resistant components and methods of making
US20190024242A1 (en) * 2017-07-19 2019-01-24 United Technologies Corporation Hydrogen based cold spray nozzle and method
KR102082602B1 (ko) 2018-03-08 2020-04-23 토토 가부시키가이샤 복합 구조물 및 복합 구조물을 구비한 반도체 제조 장치 그리고 디스플레이 제조 장치
JP6597922B1 (ja) 2018-03-08 2019-10-30 Ｔｏｔｏ株式会社 複合構造物および複合構造物を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置
JP7035726B2 (ja) * 2018-03-30 2022-03-15 日本製鉄株式会社 セラミックス積層体
CN111164237A (zh) * 2018-07-17 2020-05-15 Ｋｏｍｉｃｏ有限公司 耐电浆涂层的气胶沉积涂布法
CN110754951B (zh) * 2018-07-27 2022-04-12 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 涂层和烹饪设备
CN109111127B (zh) * 2018-09-18 2021-06-29 陕西科技大学 一种具有电阻开关效应的blsfmc/cmfo薄膜及其制备方法
RU2730725C1 (ru) * 2020-03-03 2020-08-25 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук Способ получения пленок феррита висмута и установка для электростатического распыления
CN111876811B (zh) * 2020-07-27 2022-02-25 上海交通大学 一种铝锂合金微弧氧化方法及其采用的电解液
CN113337815A (zh) * 2021-06-24 2021-09-03 西安文理学院 一种基于高速激光熔覆法制备双尺度铁基复合梯度涂层的方法
CN114146733B (zh) * 2021-09-29 2023-06-30 凯龙蓝烽新材料科技有限公司 一种壁流式载体催化剂的制备方法
CN113941372A (zh) * 2021-09-29 2022-01-18 凯龙蓝烽新材料科技有限公司 一种壁流式载体催化剂的生产系统
EP4224521A1 (de) * 2022-02-07 2023-08-09 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiteranordnung mit einem halbleiterelement mit einem durch thermisches spritzen hergestellten kontaktierungselement sowie ein verfahren zur herstellung desselben
EP4253599A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-04 General Electric Company Yttria-stabilized zirconia slurry and methods of application thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040202885A1 (en) * 2001-08-01 2004-10-14 Seth Brij B. Component having wear coating applied by cold spray process
JP2008106363A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Applied Materials Inc 耐プラズマ層の低温エアロゾル堆積
CN102239274A (zh) * 2008-10-03 2011-11-09 史密夫和内修整形外科股份公司 等离子体喷雾法以及由该方法形成的产品
CN102912279A (zh) * 2012-10-08 2013-02-06 北京工业大学 兼具高致密性和低脱碳的准纳米结构WC-Co涂层的制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4963291A (en) * 1988-06-13 1990-10-16 Bercaw Robert M Insulating electromagnetic shielding resin composition
US5403795A (en) * 1992-04-23 1995-04-04 Mitsubishi Materials Corporation Platelet α-Al2 O3 based ceramic composite
JPH10273609A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 I & P Kk 電磁波遮へい塗料
JP3597098B2 (ja) * 2000-01-21 2004-12-02 住友電気工業株式会社 合金微粉末とその製造方法、それを用いた成型用材料、スラリーおよび電磁波シールド材料
NO20026107L (no) * 2001-12-20 2003-06-23 Rwe Schott Solar Gmbh Fremgangsmåte for dannelse av en sjiktstruktur på et substrat
JP4029321B2 (ja) 2002-01-16 2008-01-09 日産自動車株式会社 多孔質酸化物膜、その製造方法及びそれを用いた燃料電池セル
GB2430197B (en) * 2004-05-04 2008-10-22 Tibone Ltd A composite of bioactive ceramic and a biocompatible metal
US20090314824A1 (en) 2007-01-26 2009-12-24 Kazuo Sawaguchi Metal surface treatment method
KR100989451B1 (ko) 2008-05-28 2010-10-26 한국기계연구원 표면 거칠기가 향상된 생체활성 코팅층 및 이의 제조방법
KR101075993B1 (ko) 2008-12-26 2011-10-21 아이원스 주식회사 세라믹 분말 및 그 제조방법
KR101122494B1 (ko) 2009-02-12 2012-02-29 서울대학교산학협력단 생체 비활성 재료의 표면 개질방법
JP2011208166A (ja) 2010-03-27 2011-10-20 Iwate Industrial Research Center 皮膜形成方法及び皮膜形成部材
KR101380836B1 (ko) 2011-01-18 2014-04-09 한국기계연구원 상온진공과립분사 공정을 위한 취성재료 과립 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법
JP2012243629A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 製膜方法、製膜体、及び色素増感太陽電池

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040202885A1 (en) * 2001-08-01 2004-10-14 Seth Brij B. Component having wear coating applied by cold spray process
JP2008106363A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Applied Materials Inc 耐プラズマ層の低温エアロゾル堆積
CN102239274A (zh) * 2008-10-03 2011-11-09 史密夫和内修整形外科股份公司 等离子体喷雾法以及由该方法形成的产品
CN102912279A (zh) * 2012-10-08 2013-02-06 北京工业大学 兼具高致密性和低脱碳的准纳米结构WC-Co涂层的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王群等: "超音速火焰喷涂制备双峰WC-12涂层组织性能研究", 《湖南大学学报（自然科学版）》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108623330A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 应用材料公司 多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层
CN114225114A (zh) * 2021-12-22 2022-03-25 西南大学 一种高强柔韧耐磨仿生复合关节材料及其制备方法
CN114225114B (zh) * 2021-12-22 2022-07-26 西南大学 一种高强柔韧耐磨仿生复合关节材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106029949A (zh) 2016-10-12
US10590542B2 (en) 2020-03-17
US10982331B2 (en) 2021-04-20
JP2016515164A (ja) 2016-05-26
WO2015108276A1 (ko) 2015-07-23
JP6058822B2 (ja) 2017-01-11
US20160333471A1 (en) 2016-11-17
JP6058821B2 (ja) 2017-01-11
CN106029948B (zh) 2020-02-21
CN106029949B (zh) 2020-02-21
WO2015108277A1 (ko) 2015-07-23
US20160362795A1 (en) 2016-12-15
JP2016511796A (ja) 2016-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106029948A (zh) 用于形成具有改善的等离子体耐受性的陶瓷涂层的方法和由此形成的陶瓷涂层
KR101860896B1 (ko) 세라믹 코팅막 및 그 형성 방법
KR101476603B1 (ko) 플라즈마 저항성이 향상된 세라믹 피막의 형성 방법 및 이에 따른 세라믹 피막
CN107107096A (zh) 在基底上施加涂层；通过施加涂层形成的复合结构
JP5093745B2 (ja) 複合構造物
TWI710525B (zh) 成膜用材料及製造膜之方法
TWI724797B (zh) 半導體製造裝置用構件及具備半導體製造裝置用構件之半導體製造裝置以及顯示器製造裝置
KR102087058B1 (ko) 내플라즈마성 부재
JP2008115407A (ja) 溶射用粉末及び溶射皮膜の形成方法
CN110819933A (zh) 用于悬浮液等离子喷涂的浆料和用于形成喷涂涂层的方法
JP7089707B2 (ja) 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置
JP2021077900A (ja) 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置
JP2019069889A (ja) アルミナ質焼結体及びその製造方法
US20200273675A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus member, and display manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus comprising semiconductor manufacturing apparatus member
KR101525486B1 (ko) 복합 구조물
KR20170078505A (ko) 서스펜션 플라즈마 용사를 이용한 희토류가 저감된 저열전도성 복합산화물 열차폐코팅층의 제조방법
US20220285164A1 (en) Plasma Etching Apparatus Component for Manufacturing Semiconductor Comprising Composite Sintered Body and Manufacturing Method Therefor
KR101476602B1 (ko) 복합 피막 입자 입경을 갖는 피막의 형성 방법 및 이에 따른 피막
US11142829B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus member, and display manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus comprising semiconductor manufacturing apparatus member
KR102411792B1 (ko) 복합 소결체를 포함하는 반도체 제조용 플라즈마 식각 장치 부품 및 그 제조방법
CN115223837A (zh) 半导体制造装置用构件及半导体制造装置
JP2003342059A (ja) アルミナ質仮焼粉及びその製造法並びにアルミナ質焼結体及びその製造法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant