CN105810558B - 液体处理方法和液体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。

Description

液体处理方法和液体处理装置
技术领域
本发明涉及液体处理方法、液体处理装置和记录介质。
背景技术
例如在半导体的制造工艺中，对基板实施各种各样的液体处理。在液体处理中，存在对基板涂敷的处理液中混入了气泡的情况。作为用于除去混入在处理液中的气泡的装置，例如在专利文献1中，公开有在供给处理液的供给配管中设置有去泡用配管的液体处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2－119929号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，通过专利文献1记载的液体处理装置，即使除去处理液中的气泡，也存在处理液到达基板时气泡混入到处理液中的情况。当该气泡残留在基板上时，基板上的处理液的涂敷状态有可能变得不均匀。
本公开的目的在于提供一种液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对于基板的处理液的涂敷状态的均匀性。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的液体处理方法包括：使基板以第一转速旋转，同时在偏离基板的旋转中心的位置开始向基板的表面供给处理液，并使处理液的供给位置向所述旋转中心侧移动；和在处理液的供给位置到达旋转中心后，通过使基板以比所述第一转速大的第二转速旋转，将处理液涂敷扩展到基板的外周侧。
向处理液中的气泡的混入有在处理液到达基板时容易发生的倾向。对此，在本发明的公开中，通过在从旋转中心偏离的位置开始向基板的表面供给处理液，由此供给开始时的气泡的混入在从旋转中心偏离的位置发生。在以第二转速涂敷扩展处理液时，在从旋转中心偏离的位置产生的离心力比在旋转中心附近产生的离心力大。另外，从旋转中心偏离的位置直至基板的周缘的距离比自旋转中心到基板的周缘的距离短。因此，供给开始时混入的气泡容易到达基板的周缘，所以难以残留在基板的表面。
另外，在处理液的供给开始后，在基板旋转的状态下，供给位置向旋转中心侧移动，因此在基板的表面，处理液呈螺旋状地被涂敷。直至处理液的供给位置达到旋转中心的基板的转速是比将处理液涂敷扩展时的第二转速小的第一转速。因此，能够抑制螺旋状地涂敷时的处理液的扩散。由此，在以第二转速涂敷扩展处理液之前，形成大致圆形的处理液的液积存。由此，在使基板以第二转速旋转时，处理液容易在基板整周均匀地扩散。如上所述，基板上的气泡的残留被抑制，并且由于处理液容易在基板的整周扩散，所以能够提高处理液的涂敷状态的均匀性。
还包括：在基板的表面中，在比处理液的供给开始位置靠外周侧的区域中，涂敷促进处理液向外周侧的扩散的液体。在涂敷有促进处理也的扩散的液体的区域中，处理液容易在基板的表面上扩散。因此，上述气泡更容易到达基板的周缘。因此，能够进一步抑制基板上的气泡的残留。
在距旋转中心的距离相对于基板的半径为大于0％且小于等于40％的位置开始处理液的供给。如上所述，在从旋转中心偏离的位置开始处理液的供给，由此，供给开始时混入的气泡容易到达基板的周缘。另一方面，当使供给位置与旋转中心过于疏远(远离)时，以第一转速形成液积存时需要长时间，直至完成涂敷的处理时间变长。与此不同，通过使处理液的供给开始位置在相对于基板的半径为大于0％且小于等于40％的位置，能够将处理时间保持在容许范围内，并且能够抑制气泡的残留。
当使基板以第一转速旋转时，与使基板以第二转速旋转时相比，使每单位时间向基板的表面供给的处理液的供给量减少。在该情况下，能够抑制在液积存的形成中的气泡的混入。因此，能够进一步抑制基板上的气泡的残留。
当开始处理液的供给时，与向旋转中心侧移动时供给的处理液的供给量相比，使每单位时间向基板的表面供给的处理液的供给量减少。在该情况下，能够进一步抑制供给开始时的气泡的混入。因此，能够进一步抑制气泡的残留。
在开始处理液的供给之后，在将处理液的供给位置向旋转中心侧移动前，使基板至少旋转一周。在该情况下，在基板的表面螺旋状地涂敷处理液之后，在其内侧螺旋状地涂敷处理液。因此，液积存的形状更接近圆形。由此，能够抑制处理液的液积存在周向上变得不均匀，因此，在使基板以第二转速旋转时，处理液容易相对于基板整周更均匀地扩散。
随着处理液的供给位置靠近旋转中心，使处理液的供给位置的移动速度提高。在该情况下，上述液积存中的液体的厚度的均匀性提高，因此在使基板以第二转速旋转时，处理液更加容易扩散。
随着处理液的供给位置靠近旋转中心，使基板的转速提高。在该情况下，上述液积存中的液体的厚度的均匀性提高，因此在使基板以第二转速旋转时，处理液更加容易扩散。
当使基板以第二转速旋转时，与使基板以第一转速旋转时相比，缩短向基板的处理液的排出口与基板的所述表面的距离。当使基板的转速从第一转速提高到第二转速时，从排出口到基板的处理液的液柱被基板的旋转拖拉而倾斜，由此存在基板的表面的处理液的涂敷状态变得不均匀的情况。与此不同，当使基板以第二转速旋转时，处理液的排出口与基板的表面的距离缩短，由此上述液柱的倾斜消失，因此能够进一步提高基板上的处理液的涂敷状态的均匀性。
本发明公开的液体处理装置包括：保持基板并使其旋转的旋转保持部；配置在基板的上方的喷嘴；移动喷嘴的喷嘴移动部；向喷嘴供给处理液的处理液供给部；和控制部，该控制部执行：控制旋转保持部使基板以第一转速旋转，控制喷嘴移动部使喷嘴移动到从基板的旋转中心偏离的位置，控制处理液供给部，在从基板的旋转中心偏离的位置向基板的表面开始供给处理液，控制喷嘴移动部，使处理液的供给位置向旋转中心侧移动；和在处理液的供给位置到达旋转中心后，控制旋转保持部，使基板以比第一转速大的第二转速旋转，由此涂敷扩展处理液。
本发明公开一种记录介质，记录有用于使上述的液体处理方法在装置中执行的程序。
发明效果
根据本发明的公开，能够提高处理液对基板的涂敷状态的均匀性。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略机构的立体图。
图2是沿图1中的Ⅱ-Ⅱ线的截面图。
图3是沿图2中的Ⅲ-Ⅲ线的截面图。
图4是表示涂敷单元的概略结构的示意图。
图5是表示液体处理方法的执行步骤的流程图。
图6是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。
图7是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。
图8是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。
图9是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。
图10是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。
图11是表示基板的转速与处理液的供给速率的关系的图表。
图12是示意性表示喷嘴与基板的侧视图。
图13是表示参考方式的液体处理方法的执行步骤的流程图。
图14是表示基板的转速和处理液的供给速率的关系的图表。
附图标记的说明
20 旋转保持部
22 保持部
24 旋转部
26 升降部
28 杯
30 处理液供给部
31 处理液供给源
32 喷嘴
33 阀
40 预湿润液供给部
41 预湿润液供给源
42 喷嘴
43 阀
50 喷嘴移动部
60 控制部
U1 涂敷单元
W 晶片
具体实施方式
[基板处理系统]
首先，参照图1、图2和图3，说明本实施方式的基板处理系统1的概要。如图1所示，基板处理系统1具有涂敷/显影装置2和曝光装置3。曝光装置3进行抗蚀剂膜(感光性覆膜)的曝光处理。具体而言，利用液浸式曝光等的方法对抗蚀剂膜的曝光对象部份照射能量线。
涂敷/显影装置2在基于曝光装置3的曝光处理之前，对晶片W(基板)的表面进行形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。
进一步如图2和图3所示，涂敷/显影装置2包括载体模块4、处理模块5和接口模块6。载体模块4、处理模块5和接口模块6在水平方向上排列。
载体模块4具有载体站12和搬入/搬出部13。搬入/搬出部13设置在载体站12与处理模块5之间。载体站12支承多个载体11。载体11例如将圆形的多个晶片W以密封状态收容。载体11在一个侧面11a侧具有用于送出送入晶片W的开闭门。载体11以侧面11a面对搬入/搬出部13侧的方式，能够自由安装拆卸地设置在载体站12上。
搬入/搬出部13具有与载体站12上的多个载体11分别对应的多个开闭门13a。通过将侧面11a的开闭门和开闭门13a同时开放，载体11内与搬入/搬出部13内连通。搬入/搬出部13内置有交接臂A1(参照图2和图3)。交接臂A1从载体11取出晶片W交送到处理模块5，从处理模块5接收晶片W送回载体11内。
处理模块5具有多个处理组件14、15、16、17。多个处理组件14、15、16、17内置有多个涂敷单元U1、多个热处理单元U2、向这些单元搬送晶片W的搬送臂A3(参照图3)。处理组件17还内置有直接搬送臂A6，其不经由涂敷单元U1和热处理单元U2地搬送晶片W(参照图2)。涂敷单元U1在晶片W的表面涂敷抗蚀剂液。
处理组件14是BCT组件，其通过涂敷单元U1和热处理单元U2在晶片W的表面上形成下层膜。处理组件14的涂敷单元U1在晶片W上涂敷下层膜形成用的液体。处理组件14的热处理单元U2进行伴随着下层膜的形成的各种热处理。
处理组件15是COT组件，其通过涂敷单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。处理组件15的涂敷单元U1在下层膜上涂敷抗蚀剂膜形成用的液体。处理组件15的热处理单元U2进行伴随着抗蚀剂膜的形成的各种热处理。
处理组件16是TCT组件，其通过涂敷单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜上形成上层膜。处理组件16的涂敷单元U1在抗蚀剂膜之上涂敷上层膜形成用的液体。处理组件16的热处理单元U2进行伴随着上层膜的形成的各种热处理。
处理组件17是DEV组件，其通过涂敷单元U1和热处理单元U2进行曝光后的抗蚀剂膜的显影处理。显影单元在曝光完成的晶片W的表面上涂敷显影液之后，利用冲洗液对其进行冲洗，由此进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元进行伴随显影处理的各种热处理。热处理例如是显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake)或者显影处理后的加热处理(PB：Post Bake)等。
在处理模块5中，在载体模块4侧设置有架单元U10，在接口模块6侧设置有架单元U11(参照图2和图3)。架单元U10以从地面直至处理组件16的方式设置，被区划为在上下方向上排列的多个隔室。架单元U10的附近设置有升降臂A7。升降臂A7在架单元U10的隔室彼此之间使晶片W升降。架单元U11以从地面到处理组件17的上部的方式设置，被区划为在上下方向上排列的多个隔室。
接口模块6内置有交接臂A8，与曝光装置3连接。交接臂A8将配置在架单元U11的晶片W交送到曝光装置3，从曝光装置3接收晶片W送回架单元U11。
基板处理系统1按照如下所示的步骤实施涂敷/显影处理。首先，交接臂A1将载体11内的晶片W搬送到架单元U10。升降臂A7将该晶片W配置在处理组件14用的隔室中，搬送臂A3将该晶片W搬送到处理组件14内的各单元。处理组件14的涂敷单元U1和热处理单元U2在通过搬送臂A3搬送的晶片W的表面上形成下层膜。当下层膜的形成完成了时，搬送臂A3将晶片W送回架单元U10。
接着，升降臂A7将被送回到架单元U10的晶片W配置在处理组件15用的隔室，搬送臂A3将上述晶片W搬送到处理组件15内的各单元。处理组件15的涂敷单元U1和热处理单元U2在通过搬送臂A3所搬送的晶片W的下层膜上形成抗蚀剂膜。当抗蚀剂膜的形成完成时，搬送臂A3将晶片W送回道架单元U10。
接着，升降臂A7将被送回到架单元U10的晶片W配置在处理组件16用的隔室，搬送臂A3将上述晶片W搬送到处理组件16内的各单元。处理组件16的涂敷单元U1和热处理单元U2在由搬送臂A3搬送来的晶片W的抗蚀剂膜上形成上层膜。当上层膜的形成完成了时，搬送臂A3将晶片W送回架单元U10。
接着，升降臂A7将被送回到架单元U10的晶片W配置在处理组件17用的隔室，直接搬送臂A6将上述晶片W搬送到架单元U11。交接臂A8将该晶片W送出到曝光装置3。当在曝光装置3中的曝光处理完成时，交接臂A8从曝光装置3接收晶片W，送回到架单元U11。
接着，处理组件17的搬送臂A3将被送回到架单元U11中的晶片W搬送到处理组件17内的各单元。处理组件17的涂敷单元U1和热处理单元U2进行由搬送臂A3搬送来的晶片W的抗蚀剂膜的显影处理和与此相伴的热处理。当抗蚀剂膜的显影处理完成时，搬送臂A3将晶片W搬送到架单元U10。
接着，升降臂A7将被搬送到架单元U10的晶片W配置在交接用的隔室，交接臂A1将该晶片W送回到载体11内。以上，涂敷/显影处理完成。
[液体处理装置]
接着，作为液体处理装置的一例，对涂敷单元U1的结构进行详细的说明。如图4所示，涂敷单元U1具有旋转保持部20、处理液供给部30、预湿润液供给部40、喷嘴移动部50和控制部60。
旋转保持部20具有保持部22、旋转部24和升降部26，保持晶片W并使其旋转。保持部22例如从下方吸附保持被保持为水平的晶片W的中心部。旋转部24例如通过电动机等的动力源，使保持部22围绕铅直的轴线旋转。升降部26使保持部22升降。
保持部22被收容在杯28中。杯28向上方开口。杯28收容从晶片W上甩落的处理液。在杯28的底部28a设置有排液口28b。在排液口28b连接有导管(未图示)。
处理液供给部30具有处理液供给源31、喷嘴32和阀33。处理液供给源31经由管路34与喷嘴32连接。处理液供给源31通过泵(未图示)将处理液压送到喷嘴32。处理液例如是用于在晶片W的表面Wa形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液。抗蚀剂液的粘度例如为20～220cp。
喷嘴32配置在保持部22的上方。喷嘴32具有向下方开口的排出口32a，将从处理液供给源31供给的处理液向下方排出。喷嘴33设置在管路34上。喷嘴33调节管路34的开度。
在以上的结构中，当从处理液供给源31向喷嘴32压送处理液时，处理液被从喷嘴32向下放排出，被供给到被保持部22所保持的晶片W的表面Wa上。
预湿润液供给部40具有预湿润液供给源41、喷嘴42和阀43。预湿润液供给源41经由管路44与喷嘴42连接。预湿润液供给源41利用泵将预湿润液压送到喷嘴42。预湿润液为促进处理液的扩散的液体。作为预湿润液，例如优选使用相比于处理液对于晶片W的表面Wa的濡湿性良好的液体。作为这样的液体，例如能够举例稀释剂。
喷嘴42配置在保持部22的上方。喷嘴42向下方开口，将从预湿润液供给源41供给的预湿润液向下方排出。阀43设置在管路44中。阀43调节管路44的开度。
在以上的结构中，当从预湿润液供给源41向喷嘴42压送预湿润液时，预湿润液从喷嘴42向下方排出，被供给到由保持部22保持的晶片W的表面Wa。
喷嘴移动部50具有导轨51、移动体52和53、驱动部54～56。
导轨51在杯28的周围以沿着水平方向的方式配置。移动体52安装于导轨51。移动体52具有保持喷嘴32的臂52a。移动体53安装于导轨51。移动体53具有保持喷嘴42的臂53a。
驱动部54沿着导轨51使移动体52移动，由此使喷嘴32移动。驱动部55使臂52a升降，由此使喷嘴32升降。驱动部56沿着导轨51使移动体53移动，由此使喷嘴42移动。驱动部54～56例如将电动机等作为动力源构成。
控制部60具有搬送控制部61、旋转控制部62、第一供给位置控制部63、第二供给位置控制部64、第一供给量控制部65、第二供给量控制部66。
搬送控制部61控制保持部22、升降部26和搬送臂A3，使其进行向涂敷单元U1内的晶片W的搬入和搬出。旋转控制部62控制旋转部24以使晶片W旋转。第一供给位置控制部63以使喷嘴32移动的方式控制驱动部54，以使喷嘴32升降的方式控制驱动部55。第二供给位置控制部64以使喷嘴42移动的方式控制驱动部56。第一供给量控制部65以调整从喷嘴32供给的处理液的供给量的方式控制处理液供给源31和喷嘴33。第二供给量控制部66以调整从喷嘴42供给的预湿润液的供给量的方式控制预湿润液供给源41和阀43。
控制部60例如由一个或者多个的控制用的计算机构成。在该情况下，控制部60的各要素通过控制用计算机的处理器、存储器和监视器等的协作而构成。此外，构成控制部60的各要素的硬件，并不一定限定于处理器、存储器和监视器。例如，控制部60的各要素也可以由其功能特定的电路构成，也可以由集成该电路的ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit：专用集成电路)构成。
使控制用计算机作为控制部60发挥功能的程序，可以记录在计算机可读的记录介质中。即，在记录介质中记录有在液体处理装置中使用的、用于使后述的液体处理方法在装置中执行的软件。作为计算机可读取的记录介质，例如是硬盘、光盘、闪存、软盘和存储卡等。
[液体处理方法]
接着，作为液体处理方法的一例，说明涂敷单元U1的处理液的涂敷步骤。
如图5所示，首先，控制部60执行步骤S01。在步骤S01中，搬送控制部61以将晶片W搬入涂敷单元U1的方式控制保持部22、升降部26和搬送臂A3。具体而言，搬送控制部61以使保持部22上升到杯28外的方式控制升降部26，以将晶片W载置在保持部22上的方式控制搬送臂A3，以吸附所载置的晶片W的方式控制保持部22，以使晶片W下降到杯28内的方式控制升降部26。
接着，控制部60执行步骤S02。在步骤S02中，旋转控制部62以使处理对象的晶片W以第一转速ω1旋转的方式控制旋转部24。第一转速ω1例如为超过0rpm且为120rpm以下。
接着，控制部60执行步骤S03。在步骤S03中，第二供给位置控制部64控制驱动部56，以使喷嘴42移动到比处理液R的供给开始位置(后述)靠晶片W的外周侧的位置。之后，第二供给量控制部66控制预湿润液供给源41和阀43，以使预湿润液S从喷嘴42排出(图6的(a))。由此，在晶片W的表面Wa中，在比处理液R的供给开始位置靠外周侧的区域涂敷预湿润液(参照图8)。预湿润液S的每单位时间的供给量例如为25～125ml/sec。
接着，控制部60执行步骤S04。在步骤S04中，第一供给位置控制部63控制驱动部54，以使喷嘴32移动到从晶片W的旋转中心CL1偏离的位置。例如，第一供给位置控制部63控制驱动部54，以使喷嘴32移动到距晶片W的旋转中心CL1的距离相对于晶片W的半径为超过0％且为40％以下的位置。
接着，控制部60执行步骤S05、S06。在步骤S05中，第一供给量控制部65控制处理液供给源31和阀33，以使处理液R从喷嘴32排出。由此，在从晶片W的旋转中心CL1偏离的位置，开始向晶片W的表面Wa供给处理液R(参照图6的(a))。
在步骤S05中，在每单位时间从喷嘴32供给到晶片W的处理液R的量(以下称为“供给速率”)，在以后的处理中设定为比必要的供给速率小。因此，在步骤S06中，第一供给量控制部65控制处理液供给源31和阀33的至少一方，以使处理液R的供给速率提高。图11的(a)是例示供给速率的经时变化的图表。在该图表中，时刻t1表示步骤S06的执行时。此外，第一供给量控制部65通过逐渐打开阀33，使供给速率缓缓地上升。以上的供给速率例如基于处理液R的粘度等适当设定。
接着，控制部60执行步骤S07。在步骤S07中，控制部60等待晶片W至少旋转一周。由此，在晶片W的表面W环状地涂敷处理液R(参照图8)。
接着，控制部60执行步骤S08。在步骤S08中，第一供给位置控制部63控制驱动部54以使喷嘴32向旋转中心CL1侧移动(参照图6的(b))。由此，由于处理液R的供给位置移动到旋转中心CL1侧，所以在晶片W的表面Wa呈螺旋状地涂敷处理液R(参照图9)。喷嘴32移动到旋转中心CL1时的移动速度在本例中例如为4mm/sec。
在步骤S08中，旋转控制部62随着处理液R的供给位置靠近旋转中心CL1控制旋转部24，使晶片W的转速变大。这时，旋转控制部62也可以控制旋转部24，以使喷嘴32的正下方的晶片W的移动速度(线速度)一定。另外，在步骤S08中，第一供给位置控制部63随着处理液R的供给位置靠近旋转中心CL1控制旋转部54，使该供给位置的移动速度提高。当随着处理液R的供给位置靠近旋转中心CL1地控制晶片W的转速时，也可以与随着处理液R的供给位置靠近旋转中心CL地提高该供给位置的移动速度的控制相组合地执行。
接着，控制部60执行步骤S09。在步骤S09中，控制部60等待喷嘴32达到晶片W的旋转中心CL1。
接着，控制部60执行步骤S10(参照图10)。在步骤S10中，第一供给位置控制部63控制驱动部55，以使喷嘴32的排出口32a与晶片W的表面Wa的距离缩短(参照图6的(c))。例如，排出口32a与表面Wa的距离在步骤S10的执行前为4～6mm，在步骤S10的执行后为2～4mm。
接着，控制部60执行步骤S11。在步骤S11中，旋转控制部62控制旋转部24，以使晶片W的转速变更为第二转速ω2。图11的(b)是例示晶片W的转速的经时变化的图表。在该图表中，时刻t2表示步骤S11的执行时。如该图表所示，第二转速ω2比第一转速ω1大。因此，处理液R被涂敷扩展到晶片W的外周侧(参照图6的(d))。第二转速ω2例如为1500～4000rpm。此外，如上所述，在步骤S10中，喷嘴32的排出口32a靠近晶片W的表面Wa。因此，当以第二转速ω2使晶片W旋转时，与以第一转速ω1使晶片W旋转相比，排出口32a与表面Wa的距离缩短。
接着，控制部60执行步骤S12。在步骤S12中，第一供给量控制部65控制处理液供给源31，以使处理液R的供给速率提高。图11的(a)表示的图表中，表示在时刻t3，步骤S12的执行时。
接着，控制部60执行步骤S13。在步骤S13中，控制部60等待预先设定了的基准时间T1的经过。基准时间T1例如以处理液R在晶片W的表面Wa上充分地扩散的方式设定。基准时间T1在本例中例如为1秒。
接着，控制部60执行步骤S14、S15。在步骤S14中，旋转控制部62控制旋转部24，以使晶片W的转速变更为第三转速ω3(参照图7的(a))。在图11的(b)中，时刻t4表示步骤S14的执行时。如图11的(b)所示，第三转速ω3比第二转速ω2小。作为一例，第三转速ω3设定为与步骤S11中的第一转速ω1相等。
在步骤S15中，第一供给量控制部65控制处理液供给源31和阀33，以使处理液R的供给停止(参照图7的(b))。在图11的(a)中，时刻t5表示步骤S15的执行时。
此外，在步骤S15的执行时或者执行后，第一供给位置控制部63控制驱动部55，使喷嘴32的排出口32a与晶片W的表面Wa的距离恢复到步骤S10执行前。
接着，控制部60执行步骤S16。在步骤S16中，旋转控制部62控制旋转部24，使晶片W以第四转速ω4旋转(参照图7的(c))。在图11的(b)中，时刻t6表示步骤S16的执行时。如图11的(b)所示，第四转速ω4比第三转速ω3大、比第二转速ω2小。
接着，控制部60执行步骤S17。在步骤S17中，控制部60等待预先设定的基准时间T2的经过(参照图7的(c))。基准时间T2设定为能够使晶片W的表面Wa上的液膜干燥。基准时间T2例如为20～60秒。由此，在晶片W的表面Wa形成涂敷膜。
接着，控制部60执行步骤S18。在步骤S18中，搬送控制部61控制保持部22、升降部26和搬送臂A3，以使晶片W从涂敷单元U1搬出。具体而言，搬送控制部61控制升降部26使保持部22上升到杯28外，控制保持部22使晶片W的吸附解除，控制搬送臂A3从保持部22接收晶片W并搬出，控制升降部26使保持部22下降到杯28内。
以上，关于基于涂敷单元U1的处理液的涂敷步骤进行说明，但是上述的各步骤也可以适当改变顺序实施。
如以上所说明，本发明公开的液体处理方法包括：在使晶片W以第一转速ω1旋转的同时，在从晶片W的旋转中心CL1偏离的位置向晶片W的表面Wa开始供给处理液R，使处理液R的供给位置移动到旋转中心CL1侧；和在处理液R的供给位置到达旋转中心CL1后，以比第一转速ω1大的第二转速ω2使晶片W旋转，由此将处理液R涂敷扩展在晶片W的外周侧。
向处理液R中的气泡的混入有处理液R达到晶片W时容易发生的倾向。对此，如上所述，在从旋转中心CL1偏离的位置开始对晶片W的表面Wa供给处理液R，由此，供给开始时的气泡的混入变成在从旋转中心CL1偏离的位置发生。在以第二转速ω2涂敷扩展处理液时，从旋转中心CL1偏离的位置产生的离心力比在旋转中心CL1附近产生的离心力大。另外，从旋转中心CL1偏离的位置直至晶片W的周边的距离，比从旋转中心CL1至晶片W的周边的距离短。因此，在供给开始时混入的气泡容易到达晶片W的周边，因此残留在晶片W的表面Wa。
在处理液R的供给开始后，在晶片W旋转的状态下，供给位置向旋转中心CL1侧移动，因此，处理液R呈螺旋状地被涂敷在晶片W的表面Wa。另外，直至处理液R的供给位置到达旋转中心CL1的晶片W转速是比涂敷扩展处理液R时的第二转速ω2小的第一转速ω1。因此，螺旋状地涂敷时的处理液R的扩散被抑制。据此，在以第二转速ω2涂敷扩展处理液R之前，形成大致圆形的处理液R的液积存。由此，在以第二转速ω2使晶片W旋转时，处理液R容易在晶片W整周均匀地扩散。如上所述，能够抑制晶片W上的气泡的残留，并且处理液R容易在晶片W整周扩散，所以能够提高处理液R的涂敷状态的均匀性。
还可以包括：在晶片W的表面Wa中，在比处理液R的供给开始位置靠外周侧的区域中，涂敷促进处理液R向外周侧扩散的液体的步骤。在涂敷有处理处理液R的扩散的液体的区域中，处理液R变得容易在晶片W的表面Wa上扩散。因此，上述气泡更容易到达晶片W的周边。因此，能够抑制晶片W上的气泡的残留。
也可以在距离旋转中心CL1的距离相对于晶片W的半径为超过0％且为40％以下的位置开始处理液R的供给。如上所述，通过在从旋转中心CL1偏离的位置开始处理液R的供给，在供给开始时混入的气泡容易到达晶片W的周边。另一方面，当使供给位置距离旋转中心CL1过于疏远时，在以第一转速ω1形成液积存时需要花费长时间，直至完成涂敷的处理时间变长。与此相对，使处理液R的供给开始位置在相对于晶片W的半径为超过0％且为40％以下的位置，能够将处理时间保持在允许范围，并且能够抑制气泡的残留。
当以第一转速ω1使晶片W旋转时，与以第二转速ω2使晶片W旋转时相比，可以使每单位时间向晶片W的表面Wa供给的处理液R的供给量减少。在该情况下，能够抑制液积存的形成中的气泡的混入。因此，能够进一步抑制晶片W上的气泡的残留。
当开始处理液R的供给时，与向旋转中心CL1侧移动时供给的处理液R的供给量相比，可以使每单位时间向晶片W的表面Wa供给的处理液R的供给量减少。在该情况下，能够进一步抑制供给开始时的气泡的混入。因此，能够进一步抑制晶片W上的气泡的残留。
另外，在上述的实施方式中，第一供给量控制部65也可以控制阀33的开栓速度，使处理液R的供给速率缓慢上升。由此，由于供给速率的变化缓慢，因此能够进一步抑制供给开始时的气泡的混入。因此，能够进一步抑制气泡的残留。
也可以在开始处理液R的供给之后，使处理液R的供给位置移动到旋转中心CL1侧前，使晶片W至少旋转一周。在该情况下，在晶片W的表面Wa环状地涂敷处理液R之后，在其内侧螺旋状地涂敷处理液R。因此，液积存的形状更接近圆形。由此，能够抑制处理液R的液积存在周向上变得不均匀，因此在使晶片W以第二转速ω2旋转时，处理液R相对于晶片W容易变得更加均匀。
随着处理液R的供给位置靠近旋转中心CL1，可以提高处理液R的供给位置的移动速度。在该情况下，上述液积存中的液体的厚度的均匀性提高，因此在使晶片W以第二转速ω2旋转时，处理液R更容易扩散。
随着处理液R的供给位置靠近旋转中心CL1，也可以提高晶片W的转速。在该情况下，上述液积存中的液体的厚度的均匀性提高，因此在使晶片W以第二转速ω2旋转时，处理液R更容易扩散。
当以第二转速ω2使晶片旋转时，与以第一转速ω1使晶片W旋转时相比，可以缩短向晶片W的处理液R的排出口32a与晶片W的表面Wa的距离h。图12是例示从排出口32a至晶片W的处理液R的液柱的示意图。图12的(a)表示使晶片W以第一转速ω1旋转的状态，图12的(b)是表示使晶片W以第二转速ω2旋转的状态。如图12所示，当使晶片W的转速从第一转速ω1上升到第二转速ω2时，从排出口32a到晶片W的处理液R的液柱被晶片W的旋转拖拉而倾斜，由此存在晶片W的表面Wa的处理液R的涂敷状态变得不均匀的情况。与此相对，当以第二转速ω2使晶片W旋转时，通过缩短处理液R的排出口32a与晶片W的表面Wa的距离h，上述液柱变得难以倾斜，因此能够使晶片W上的处理液R的涂敷状态的均匀性进一步提高。
此外，在向晶片W的处理液R的供给量不足的范围中，使喷嘴32的内径变细，对抑制向处理液R的气泡的混入是有效的。当使喷嘴32的内径变细时，喷嘴32的内面与抗蚀剂液的接触面积变少。因此，喷嘴32内的流动的紊乱难以产生，所以气泡的混入被抑制。
另外，使喷嘴32的内周面平滑化的情况，按照与使喷嘴32的内径变细同样的观点，对抑制向处理液R的气泡的混入是有效的。并且，从将处理液R的位置尽可能保持在喷嘴32的端面附近的状态，开始处理液R的供给，对抑制向处理液R的气泡的混入是有效的。
本发明公开的涂敷单元U1包括：保持晶片W并使其旋转的旋转保持部20；配置在晶片W的上方的喷嘴32；使喷嘴32移动的喷嘴移动部50；向喷嘴32供给处理液R的处理液供给部30；和控制部60，该控制部60执行如下控制，即：控制旋转保持部20使晶片W以第一转速ω1旋转；控制喷嘴移动部50使喷嘴32移动到从晶片W的旋转中心CL1偏离的位置；控制处理液供给部，使得在从晶片W的旋转中心CL1偏离的位置开始向晶片W的表面Wa供给处理液R；控制喷嘴移动部50使处理液R的供给位置向旋转中心CL1侧移动；和在处理液R的供给位置到达旋转中心CL1之后，控制旋转保持部20使晶片W以比第一转速ω1大的第二转速ω2旋转，由此，涂敷扩展处理液R。
本发明公开的记录介质是用于记录使上述的液体处理方法在装置中执行的程序的记录介质。
[参考例]
以下，对于参考方式进行说明。该参考方式是以与上述的实施方式不同的方法抑制向晶片W上的气泡的残留的方式。本参考方式能够用与上述实施方式相同的涂敷单元U1实现。因此，本参考方式的涂敷单元的结构构成为与上述的实施方式相同，仅对于处理液R的涂敷步骤进行说明。
本参考方式的控制部60如图13所示，首先执行步骤S21。在步骤S21中，与上述的步骤S01同样地，控制保持部22、升降部26和搬送臂A3，以使晶片W搬入到涂敷单元U1。
接着，控制部60执行步骤S22。步骤S33中，旋转控制部62控制旋转部24，使晶片W以第一转速ω21旋转。第一转速ω21例如超过0rpm且为120rpm以下。
接着，控制部60执行步骤S23。在步骤S23中，第二供给位置控制部64控制驱动部56，使喷嘴42移动到从晶片W的旋转中心CL1偏离的位置。之后，第二供给量控制部66控制预湿润液供给源41和阀43，以使预湿润液S从喷嘴42排出。由此，在包围晶片的旋转中心CL1的区域中涂敷预湿润液。预湿润液S的每单位时间的供给量例如为25～125ml/sec。
接着，控制部60执行步骤S24。在步骤S24中，第一供给位置控制部63控制驱动部54，使喷嘴32移动到晶片W的旋转中心CL1的上方。
接着，控制部60执行步骤S25。在步骤S25中，第一供给量控制部65控制处理液供给源31和阀33，使处理液R从喷嘴32排出。由此，在晶片W的表面Wa中旋转中心CL1上的位置开始处理液R的供给。在步骤S25中，处理液R的供给速率在本例中例如为1ml/sec。
接着，控制部60执行步骤S26。在步骤S26中，第一供给量控制部65控制处理液供给源31和阀33的至少一方，使处理液R的供给速率降低。图14的(a)是表示供给速率的经时变化的图表。在该图表中，时刻t21表示步骤S26的执行时。在步骤S26的执行后的处理液R的供给速率在本例中例如为0.5ml/sec。
接着，控制部60执行步骤S27。在步骤S27中，旋转控制部62控制旋转部24，使晶片W的转速变更为第二转速ω22。图14的(b)是表示晶片W的转速的经时变化的图表。在该图表中，时刻t22表示步骤S27的执行时。如该图表所示，第二转速ω22比第一转速ω21大。第二转速ω22例如为1500～4000rpm。另外，时刻t22例如设定为与时刻t21相同。
接着，控制部60执行步骤S28。在步骤S28中，控制部60等待预先设定的基准时间T3的经过。基准时间T3例如设定为使处理液R在晶片W的表面Wa上充分地扩散。基准时间T3在本例中例如为2秒。步骤S28相当于上述的步骤S13。
接着，控制部60执行步骤S29。在步骤S29中，旋转控制部62控制旋转部24，使晶片W的转速变更为第三转速ω23。图14的(b)中，时刻t23表示步骤S29的执行时。如图14的(b)所示，第三转速ω23比第二转速ω22小。作为一例，将第三转速ω23设定为与步骤S22中的第一转速ω21相同。步骤S29相当于上述的步骤S14。
在步骤S30中，第一供给量控制部65控制处理液供给源31和阀33，使处理液R的供给停止。在图14的(a)中，时刻t24表示步骤S30的执行时。
接着，控制部60执行步骤S31。步骤S31中，旋转控制部62控制旋转部24，使晶片W以第四转速ω24旋转。在图14的(b)中，时刻t25表示步骤S31的执行时。如图14的(b)所示，第四转速ω24比第三转速ω23大，比第二转速ω22小。步骤S30相当于上述的步骤S16。
接着，控制部60执行步骤S32。在步骤S32中，控制部60等待预先设定的基准时间T4。基准时间T4设定为使晶片W的表面Wa上的液膜干燥。基准时间T4例如为20～60秒。由此，在晶片W的表面Wa形成涂敷膜。步骤S32相当于上述的步骤S17。
接着，控制部60执行步骤S33。在步骤S33中，搬送控制部61与上述的步骤S18同样地，控制保持部22、升降部26和搬送臂A3，使晶片W从涂敷单元U1搬出。
如以上所说明，液体处理方法的参考例包括：使晶片W以第一转速ω21旋转，同时在晶片W的旋转中心CL1上的位置开始向晶片W的晶片Wa供给处理液R；和使晶片W以比第一转速ω21大的第二转速ω22旋转，由此使处理液R向晶片W的外周侧涂敷扩展。在以第二转速ω22涂敷扩展处理液时，与以第一转速ω21供给处理液R时相比，降低了处理液R的供给速率。因此，能够抑制处理液R的消耗量，同时能够延长以第二转速ω22涂敷扩展处理液的时间。由此，能够抑制基板上的气泡的残留。
以上，对实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。

Claims (9)

1.一种液体处理方法，其特征在于，包括：
使基板以第一转速旋转，同时在从基板的旋转中心偏离的位置开始向所述基板的表面供给处理液，并使所述处理液的供给位置向所述旋转中心侧移动；和
在所述处理液的供给位置到达所述旋转中心后，使所述基板以比所述第一转速大的第二转速旋转，由此使所述处理液涂敷扩展到所述基板的外周侧，
所述从基板的旋转中心偏离的位置设定为该偏离的位置至所述基板的周边的距离比所述旋转中心至所述基板的周边的距离短，
当使所述基板以所述第一转速旋转时，与使所述基板以所述第二转速旋转时相比，使每单位时间向所述基板的表面供给的所述处理液的供给量减少，
在以所述第二转速使所述处理液涂敷扩展之前，形成圆形的所述处理液的积液。
2.如权利要求1所述的液体处理方法，其特征在于,还包括：
在所述基板的表面中，在比所述处理液的供给开始位置靠所述基板的外周侧的区域中，涂敷促进所述处理液的扩散的液体。
3.如权利要求1或2所述的液体处理方法，其特征在于：
在距所述旋转中心的距离相对于所述基板的半径为大于0％且小于等于40％的位置开始所述处理液的供给。
4.如权利要求1或2所述的液体处理方法，其特征在于：
当开始所述处理液的供给时，与向所述旋转中心侧移动时相比，使每单位时间向所述基板的表面供给的所述处理液的供给量减少。
5.如权利要求1或2所述的液体处理方法，其特征在于：
在开始所述处理液的供给之后，在使所述处理液的供给位置向所述旋转中心侧移动前，使所述基板至少旋转一周。
6.如权利要求1或2所述的液体处理方法，其特征在于：
随着所述处理液的供给位置靠近所述旋转中心，使所述处理液的供给位置的移动速度提高。
7.如权利要求1或2所述的液体处理方法，其特征在于：
随着所述处理液的供给位置靠近所述旋转中心，使所述基板的转速提高。
8.如权利要求1或2所述的液体处理方法，其特征在于：
当使所述基板以所述第二转速旋转时，与使所述基板以所述第一转速旋转时相比，缩短向所述基板排出所述处理液的排出口与所述基板的所述表面的距离。
9.一种液体处理装置，其特征在于，包括：
保持基板并使该基板旋转的旋转保持部；
配置在所述基板的上方的喷嘴；
移动所述喷嘴的喷嘴移动部；
向所述喷嘴供给处理液的处理液供给部；和
控制部，该控制部执行：
控制所述旋转保持部使所述基板以第一转速旋转，控制所述喷嘴移动部使所述喷嘴移动到从基板的旋转中心偏离的位置，控制所述处理液供给部，在从所述基板的旋转中心偏离的位置向所述基板的表面开始供给所述处理液，控制所述喷嘴移动部，使所述处理液的供给位置向所述旋转中心侧移动；和
在所述处理液的供给位置到达所述旋转中心后，控制所述旋转保持部，使所述基板以比所述第一转速大的第二转速旋转，由此涂敷扩展所述处理液，
所述从基板的旋转中心偏离的位置设定为该偏离的位置至所述基板的周边的距离比所述旋转中心至所述基板的周边的距离短，
所述控制部在使所述基板以所述第一转速旋转时，与使所述基板以所述第二转速旋转时相比，使每单位时间向所述基板的表面供给的所述处理液的供给量减少，
在以所述第二转速使所述处理液涂敷扩展之前，形成圆形的所述处理液的积液。
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