CN105556649B - 碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法 - Google Patents

碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供评价碳化硅(SiC)单晶晶片的内应力的方法、以及评价晶片的内应力来预测研磨完成后的SiC单晶晶片的翘曲的方法。在SiC单晶晶片面内的两点测定拉曼散射光的波数位移量，通过其差量来评价内应力。另外，翘曲的预测方法是事前预测利用升华再结晶法制造的碳化硅单晶晶片的翘曲的方法，使用所述的评价指标来预测SiC单晶晶片的翘曲。

Description

碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲 预测方法
技术领域
本发明涉及碳化硅单晶晶片的内应力的评价方法、以及碳化硅单晶晶片的翘曲的预测方法。
背景技术
碳化硅(SiC)是具有2.2～3.3eV的宽的禁带宽度的宽带隙半导体，因其优异的物理、化学特性，正在作为耐环境性半导体材料进行研究开发。特别是近年来，SiC作为面向从蓝色到紫外的短波长光器件、高频电子器件、高耐电压·高输出电子器件的材料受到关注，研究开发变得活跃。但是，SiC难以制造出优质的大口径单晶，迄今为止妨碍了SiC器件的实用化。
以往，在研究室程度的规模下，利用例如升华再结晶法(Lely法)得到了能够制作半导体元件的尺寸的SiC单晶。但是，用该方法得到的单晶的面积小，其尺寸、形状、进而晶体多型(多型)、杂质载流子浓度的控制都不容易。另一方面，也曾进行了下述工作，即，通过使用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition：CVD)在硅(Si)等的异种基板上进行异质外延生长来使立方晶的SiC单晶生长出来。该方法能够得到大面积的单晶，但是由于SiC与Si的晶格失配度约有20％等等，只能生长出包含很多缺陷(约107/cm2)的SiC单晶，不能得到高品质的SiC单晶。
因此，为了解决这些问题，曾提出了使用SiC单晶晶片作为晶种来进行升华再结晶的改良型的Lely法(参照非专利文献1)。如果使用该改良Lely法，就能够一边控制SiC单晶的晶体多型(6H型、4H型、15R型等)、形状、载流子类型以及浓度一边使SiC单晶生长。再者，作为SiC存在200 种以上的晶体多型体(多型体)，但从晶体的生产率和电子器件性能方面出发最优选4H多型体，被商业生产的SiC单晶大多为4H型。另外，关于导电性，从氮作为掺杂物容易操作处理的方面出发，大部分情况是单晶锭以n型导电性被育成。但是，在通信器件用途中，也制造出几乎不含有掺杂元素的、电阻率高的晶体。
为了将SiC单晶锭作为半导体器件制造用SiC晶片使用，需要将利用上述的改良Lely法等方法制造的SiC单晶锭，经过主要包含切割和研磨的工序来加工成晶片状。即，利用线锯(wire saw)切割等的方法切割以使得期望的晶面露出的、薄板状的SiC单晶晶片，通过与对硅等等的其他的一般的半导体材料进行的方法大致同样的研磨工艺来镜面研磨加工，使用这样制造的SiC单晶晶片来制造各种电子器件。
现在，从利用改良Lely法制作的SiC单晶切出口径51mm(2英寸)至100mm的SiC单晶晶片，供电力电子领域等的器件制作用。进而还报告了150mm晶片的成功开发(参照非专利文献2)，正在实现使用了100mm或150mm晶片的器件的正式商业生产。
但是，一般地，表现为所谓的“翘曲”的晶片的平坦度，在器件工序上非常被重视。原因是平坦度差、即翘曲大的晶片，在曝光过程(光刻过程)中，晶片面内的一部分偏离焦点，未形成明确的掩模像。该焦点偏离的现象，理所当然地，电路越微细，影响越大。
在这里，如果能够在研磨工序完成之前预测研磨后的制品晶片的翘曲，则能够实现以下的工序选择，即，根据翘曲值按用途挑选来研磨晶片(大多情况是研磨规范根据器件种类而不同。)；从翘曲的大小就已知不能够进行制品化的晶片不投入到研磨工序；或者，实施高温的退火处理，按位错密度面向所允许的用途来分配；等等。这在将晶片高效地制品化的同时，省去了无用的高价格的研磨工序，也降低了成本，因此在工业上意义非常重大。
SiC单晶晶片的翘曲，一般由3个要素决定。它们是：(i)晶体的内应力，(ii)切割的精度和晶片表面和背面的加工残余应变，(iii)研磨工序中 的表面和背面的残余应变的除去和其过程。(i)由结晶生长的条件和其后的热处理决定。(ii)由线锯的钢丝、刀片的运动精度以及在切割过程中对表面赋予的加工应变决定。由(iii)引起的翘曲的变化一般被称为泰曼(Twyman)效应，晶片以应变大的面变为凸的方式翘曲。也就是说，根据生长条件、以及切割工序和研磨工序的精度和/或其内容，晶片的翘曲在行程中经历不同的过程，成为最终的研磨完成后的制品晶片的翘曲，研磨工序内的晶片的翘曲的大小、和最终的研磨完成了的晶片的翘曲的大小，岂止是数值不一致，在工序内的翘曲的变化倾向也是不一样的，以往没有在研磨完成前预测晶片的翘曲的技术。
另一方面，作为减少晶片的翘曲量的手段，例如，曾研究了如以下那样的方法。在专利文献1中报告了以下技术：通过将从SiC单晶锭切出的晶片在1300℃以上、2000℃以下的温度下进行退火(anneal)处理，除去由锭的磨削、切割导致的加工残余应力，降低晶片的翘曲量。另外，在专利文献2中报告了以下技术：通过将SiC单晶的锭或晶片在含有碳和氢的非腐蚀性气体气氛中、或者在向这些非腐蚀性气体混合氩气、氦气而成的气氛中、在超过2000℃且为2800℃以下的温度下进行退火，来缓和锭、晶片的内应力，防止锭的加工时、和晶片的在器件制造工艺中的开裂、裂纹。进而，在专利文献3中报告了以下技术：通过将从SiC单晶锭切出的晶片一边以10MPa以上0.5MPa以下进行加压一边在800℃～2400℃进行加热处理，使晶片的曲率半径达到35m以上。另外，作为降低翘曲的研磨、表面精加工的技术，专利文献4提出了方案，公开以下技术：通过气相蚀刻来除去由机械平面加工或者切削加工产生的加工变质层，消除SiC晶片的翘曲。
可以认为专利文献1、2或3在减轻生长晶体的内应力方面是有效的，但是对SiC单晶从外部施加超过2000℃的热负荷而使其进行原子的再配置，会造成产生新的晶体缺陷的结果。专利文献3实施例中的退火后的晶体的位错密度增加显示出该现象。进而，包括专利文献4在内可以共同地说并不是预测研磨后的晶片的翘曲的技术。在工业规模的生产中，不可能 使所有的的晶片的翘曲成为接近于0的小值，例如即使有减小翘曲的制造技术，也不会改变的是预测翘曲的评价技术仍很重要。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-131328号公报
专利文献2:日本特开2006-290705号公报
专利文献3:日本特开2005-93519号公报
专利文献4:日本特开2008-227534号公报
非专利文献
非专利文献1:Yu.M.Tairov and V.F.Tsvetkov,Journal of Crystal Growth,vols.52(1981)pp.146-150
非专利文献2:A.A.Burk et al.，Mater.Sci.Forum，717-720,(2012)pp75-80
发明内容
如上所述，预测SiC晶片的翘曲在工业上非常重要，但是以往没有确立翘曲的预测技术。
本发明是为了解决如上所述的课题而完成的，其目的是评价晶片的内应力，在研磨工序完成前预测研磨完成了的SiC单晶制品晶片的翘曲的值。
本发明人等为了解决如上所述的问题，基于前述的SiC晶片的翘曲的三大要素的想法，致力于弄清翘曲现象。其结果，令人惊讶地发现，采用某种一定的、高精度的、并且公知的切割、研磨条件制作的研磨完成后的晶片的翘曲量，能够表现为晶体的内应力值的函数。即，如果测定晶体的内应力，就应能够预测晶片的翘曲。但是，存在如何地评价内应力这样的问题。作为内应力的评价方法，一般已知例如通过X射线来精密测定晶格常数，但是为了施行该测定，还需要高价格的设备和高度的技能，而且还存在测定时间长这样的问题，不适合于在量产工厂中的检查。于是，本发明人等发现简便、并且以短时间评价SiC晶片的内应力的方法，从而完成 了本发明。
即，本发明包括以下的技术方案。
(1)一种碳化硅单晶晶片的内应力评价方法，使用在碳化硅单晶晶片的主面内的两点测定到的拉曼位移值的差量来进行评价，所述碳化硅单晶晶片是从采用升华再结晶法制造的碳化硅单晶锭切取的。
(2)根据(1)所述的评价方法，使用在中心测定到的拉曼位移值(A)与在外周部测定到的拉曼位移值(B)的拉曼位移差(A-B)来进行评价。
(3)一种碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，是事前预测采用升华再结晶法制造的碳化硅单晶晶片的翘曲的方法，使用在制备碳化硅单晶晶片时的最终研磨之前测定到的、表面和背面中的任一面内的两点的拉曼位移值的差量，来估算研磨工序完成后的晶片的翘曲。
(4)根据(3)所述的碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，使用在单晶薄板的表面和背面中的任一面内的两点测定到的拉曼位移值的差量来进行预测，所述单晶薄板是将采用升华再结晶法得到的碳化硅单晶锭进行切片分割而得到的。
(5)根据(3)或(4)所述的碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，预先求出拉曼位移值的差量与碳化硅单晶晶片的翘曲的关系，以所得到的关系式为基础，由拉曼位移值的差量预测碳化硅单晶晶片的翘曲。
使用本发明的评价方法，就能够事前预测完成了研磨的晶片的翘曲值，因此能够将从碳化硅单晶锭切片分割出的晶片高效地进行制品化，并且能够使生产成本降低。
附图说明
图1是SiC晶片的拉曼散射光测定数据的一例。
图2是SiC的{0008}X射线衍射数据的一例。
图3是表示拉曼指数与内应力的关系的图。
图4是表示拉曼指数与翘曲的关系的图。
具体实施方式
以下对本发明进行详细说明。
作为比较简便地、并且以短时间测定内应力的方法，有利用拉曼散射光的峰波数的变化、即利用所谓的拉曼位移的方法。当在晶体中存在内应力时，原子间距离发生变化，与之相伴，拉曼散射光的峰波数发生位移，这是广泛已知的事实。即，在压缩应力下向高波数侧位移，在拉伸应力下向低波数侧位移。
然而，SiC单晶具有强有力的共价键，由应力的差异引起的拉曼位移极小，因此也受到例如校正灯光的波数漂移等的影响，例如即使能够测定也难以得到可担负实用水平的值。因此，本发明人等发现，通过在晶片主面内的两点测定拉曼位移，取其差量(以下采用拉曼指数)，能够回避校正漂移等的影响，并得到能够评价晶片的内应力的数据。即，通常在精密拉曼测定中，环境的变化对测定值造成很大的影响(其代表性的例子是如上述那样的校正用氖(Ne)灯的波长峰的漂移)，但如果在晶片面内的两点进行测定来求其差量，则能够排除氖灯的漂移等的干扰影响，并能够评价晶片的内应力。
在这里，利用升华再结晶法制造的碳化硅单晶晶片(以下有时也仅称为“晶片”)的内应力，呈同心圆状分布。这是考虑到，利用升华再结晶法得到的SiC单晶锭，一般在呈中心轴线对称的温度梯度环境下制造，因此其内应力也呈中心轴线对称，应力从中心向外周部形成梯度。因此，基本是在中心侧和圆周部侧的两点进行拉曼位移的测定，并求其差量，例如，进行测定的点，只要以晶片的中心为基准，在径向上取第2点即可。如果取多个测定点，解析它们的拉曼指数，则也能够评价面内的应力分布。通常，晶片中心和外周成为内应力最小或最大的位置，因此通过使用在中心测定到的拉曼位移值(A)和在外周部测定到的拉曼位移值(B)的差(A-B)，就能够最简单且准确地表现晶片的内应力的大小。
外周部的测定点的位置并不特别限定，尽可能接近于边缘时拉曼指数扩大。另一方面，边缘附近是所谓的边缘排除区域(Edge Exclusion)，除 了有时晶体品质存在问题以外，还不能忽视由倒角加工引起的加工残余应变的影响。因此，作为外周部的测定点，从晶片的边缘向中心靠近1mm～10mm左右的位置是适当的。由于拉曼指数根据测定点的位置而变化，因此在求拉曼指数时希望测定点的位置固定。通过使用上述定义的(A-B)的值，能够预测研磨完成了的晶片(制品晶片)的翘曲值。即，如果预先求出拉曼位移值的差量与晶片的翘曲的关系，就能够以所得到的关系式为基础，由曼位移值的差量预测晶片的翘曲。
晶片的翘曲，由晶片面内的高低差表示，其测定有好几种方法，但在本发明中是指使用光学干涉计测定到的值。光学干涉计，一般是向晶片表面照射相干光使其反射，将晶片面内的高度的差以反射光的位相的偏移的形式来进行观测。使用该光学干涉计，测定在基准平面上无拘束力地放置的、将从周边部起直到2mm的区域除去后的SiC单晶晶片面内的、与基准平面垂直的方向的高度，将高度的最高点与最低点的差作为翘曲。
用于预测翘曲的拉曼测定，能够在晶片加工途中的任何阶段进行。一般地，为了得到SiC单晶晶片，在将SiC单晶锭进行切片分割，切出薄板状的SiC单晶(单晶薄板)的切割工序之后，例如通过用于除去其表面的凹凸的研磨(lapping)、提高表面的平滑度的金刚石抛光、除去晶片表面的加工应变的CMP(化学机械研磨)等的各种研磨处理的研磨工序而被加工。因此，要在事前预测研磨工序完成后的晶片的翘曲的话，只要在加工晶片的研磨工序中的最终研磨以前进行即可(关于最终研磨，研磨的种类根据对制品晶片要求的品质而改变，另外，也有时表面和背面(Si面、C面)的研磨种类相互不同)，但如果在从SiC单晶锭切割之后，也就是说，在完全没有进行研磨加工的单晶薄板的状态下，在其表面和背面的任一面内的两点进行测定，则其后的工序选择的自由度最大，因而最优选。再者，拉曼测定的装置、条件并没有特别的限定，但优选分辨率达+/-0.05cm-1左右。光源也没有特别的限定，但一般使用波长532nm的绿色激光。
另外，如上所述，SiC单晶晶片有时根据其用途等，所需要的厚度、最终研磨处理的种类会改变，因此在获得拉曼位移值的差量与SiC单晶晶 片的翘曲的关系式时，优选根据表面和背面(Si面、C面)的各研磨条件和所得到的SiC单晶晶片的厚度的组合，预先准备好各自的关系式。
实施例
以下使用实施例具体地说明本发明。
(实施例1)
对于利用升华再结晶法制造的、口径100mm的、以＜0001＞面为主面的SiC单晶晶片2片(晶片号码为11和12)进行拉曼指数测定，进而，还使用X射线衍射方法进行了该晶片的内应力测定。晶片的表面和背面最终都采用平均粒径0.5μm的金刚石浆液进行抛光，精加工成镜面，研磨后的厚度为约2.3mm。为了回避由变形引起的应力缓和、进行精密的测定，使用了这样的厚的晶片。
拉曼指数的测定在以下的条件下进行。拉曼测定的光源为532nm的绿色激光，使其照射到样品表面的Ф2μm的点。对于一个测定部位，使前述的测定光以点间隔10μm进行横8列×纵9列共计72点的照射，将其平均值作为其测定部位的数据。对于1片晶片，一个测定部位的中心为晶片的中心，另一个测定部位的中心为远离晶片的边缘(外周)2mm的位置(朝向晶片的中心远离边缘2mm的位置)，在上述这样的2个部位测定了SiC的拉曼散射光。然后，将SiC的拉曼散射光峰的波数(波长的倒数)的差量(中心处的值-离外周2mm处的值)作为拉曼指数。图1表示拉曼散射光的测定例。将氖灯的816cm-1的峰用于散射光测定的校正。测定时间对于1片晶片(2个测定部位)为4分钟到6分钟左右。再者，包括下述实施例2、3在内，拉曼测定使用拉曼光谱测定器(日本分光公司制NRS-7100，分辨率为±0.05cm-1)进行。
X射线衍射(以下记为XRD)在以下的条件下进行。X射线源为旋转对阴极(铜靶)，额定输出为18kW。X射线的入射和检测与晶片的<11-20>方向平行地进行。与拉曼测定的测定点同样地，在要测定的晶片的中心、和远离边缘2mm的位置这2个部位，用{00012}、{11-28}、{1-1010}这三个反射面进行精密X射线衍射，算出SiC的三个主面、即{0001}、{11-20}、 {1-100}的晶格应变(晶格畸变)。SiC的弹性模量，在＜0001＞方向为433GPa，在垂直于＜0001＞的方向为474GPa，由前述应变的值导出晶片的内应力值。根据X射线的入射方向与结晶取向的关系，例如结晶取向＜1-100＞方向的应力与晶片的周向应力相当。同样地，＜0001＞为厚度方向，＜11-20＞为径向。对于1片晶片的两个部位，为了实施前述的3个取向的衍射测定，大约需要6小时。再者，上述的{00012}表示{0,0,0,12}，{1-1010}表示{1,-1,0,10}。
将拉曼指数和内应力的测定结果示于表1以及图3。内应力，在周向最大，为其以外的方向的应力的10倍以上，因此表1仅记载了周向应力。
如表1以及图3所示可知，在拉曼指数中不包含应力的分布、方向的信息，但由于拉曼指数与内应力具有对应关系，因此能够利用拉曼指数来评价晶片的内应力的总体的大小。再者，拉曼测定、XRD都是在晶片的Si面、C面这两面进行，在表1以及图3中使用了Si面的数据。关于拉曼指数的Si面与C面之差在误差范围，未看到由面取向导致的倾向。对于XRD，关于周向应力的由面取向导致的差为小于1％，不是有意义的差。
表1
(实施例2)
接着，作为实施例2，准备16片厚度为500μm的4英寸晶片(单晶薄板)，进行拉曼指数的测定，上述这些晶片是从利用升华再结晶法得到的多个SiC单晶锭切割得到的。拉曼测定的位置与实施例1同样地为中心和距离边缘2mm处这两点。再者，测定SiC的拉曼散射光峰时，拉曼光谱测定装置的入射激光束的焦点深度调整为距离晶片表面约10μm的深度。焦点深度比其浅时，由于由切片分割引起的应变(原子结构的混乱)，因而 不能得到正确的拉曼位移值。另外，当焦点深度比其深时，拉曼散射光会被SiC吸收，因此不能得到充分的信号强度。
其后，顺次推进晶片的研磨加工，并且每当一个工序完成(例如，在研磨完成了的时间点等)就进行拉曼指数的测定。即，一般地，被切片分割出的晶片，进行用于除去切片的凹凸的研磨(lap)、用于提高表面的平滑度的金刚石抛光、进而用于除去晶片表面的加工应变的CMP(化学机械研磨)，在本发明例中也进行与其同样的工序过程，并且每当各工序完成就进行拉曼指数测定。具体为如下流程：关于研磨(lapping)，实施1小时～数小时的两面加工，所述两面加工使用了10～1μm尺寸的金刚石磨粒，关于金刚石抛光，使用1～0.1μm的金刚石磨粒实施3～5小时，关于CMP(化学机械研磨)，使用市售的SiC专用浆液实施7～10小时。
在从切割至CMP完成的期间，看到了晶片的拉曼指数稍微变小的倾向。可以认为这是由于晶片变薄、刚性变低，其结果在缓和内应力的方向发生变形(发生翘曲)的缘故。但是，如果该变化仅在1片晶片中看到，则是隐没于误差中的程度，并不明确。即，不论是研磨工序的哪个阶段，拉曼指数都大致恒定，能够作为共同的内应力的指标使用。
晶片的最终精加工，C面为CMP、Si面为金刚石抛光，精加工厚度为350μm。完成了的晶片的表面粗糙度，CMP处理过的Si面，Ra为0.05nm～0.15nm，金刚石抛光加工过的C面为0.2nm～1.0nm左右。在翘曲的测定中，使用コーニングトロペル公司制的トロペル，将下述区域的SORI作为基板的翘曲，所述区域是将边缘排除区域2mm除去了的区域。
图4是将纵轴设为完成了上述条件的研磨的晶片(制品晶片)的翘曲，将横轴设为切割晶片(单晶薄板)的拉曼指数，描绘前述的16片晶片的数据的图。对于拉曼指数和翘曲值采用最小二乘法进行线性近似，得到了Y(翘曲)＝561X(拉曼指数)-25。决定系数为0.873，具有良好的相关关系。
另外，除了改变表面和背面(Si面、C面)的最终研磨的种类和制品晶片的厚度以外，与上述同样地进行，对于共计4种研磨规范进行调查的 结果示于表2。仍然看到了拉曼指数与翘曲具有线性的相关关系，它们的决定系数也为0.8以上，为良好。
表2
(实施例3)
在实施例3中，使用在实施例2中得到的翘曲与拉曼指数的关系式来预测晶片的翘曲，其后，实际进行研磨，实测了翘曲。
首先，从利用升华再结晶法得到的多个SiC单晶锭切取厚度为0.5mm的切割晶片(单晶薄板)64片，从这些晶片中随机抽取7片来用于实施例3，与上述同样地进行了拉曼指数的测定。即，测定部位与实施例1同样地为中心和距离边缘2mm处这两个部位，测定面为Si面。其结果示于表3。
表3
接着，以表3的拉曼指数为基础，确定了晶片的研磨规范。首先，31号晶片，在本次的7片中拉曼指数最大，因此设为翘曲预测值最小的Si面 CMP、C面研磨、厚度350μm的规范。此时的翘曲的预测值，基于上述表2记载的式(2)为17μm，是满足该规范的翘曲的要求值(40μm以下)的值。接着，33号、34号晶片，是本次的7片中拉曼指数最小的晶片、和第3小的晶片，因此分配为翘曲容易变大的Si面CMP、C面金刚石抛光、厚度300μm的规范。此时的翘曲的预测值，33号为51μm，34号为52μm(都是根据上述表2所记载的式(3)得到)。由于低于该规范的一般要求值(60μm以下)，因此预测到不能够实现制品化。
35号和36号晶片，拉曼指数大大不同。对于这些晶片，根据翘曲的预测值和要求规范，设为在本次调查的4种研磨规范中，翘曲最容易变大的Si面CMP、C面金刚石抛光、厚度250μm的规范。35号晶片的翘曲预测值为173μm，估计能够投入到该研磨规范的晶片所投入的、翘曲基准宽松(200μm以下)的器件生产线中。另一方面，36号晶片的翘曲预测值为109μm，估计能够投入到该研磨规范的晶片所投入的、翘曲基准严格(150μm以下)的器件生产线中(预测值都根据上述表2所记载的式(4)得到)。
剩下的32号、37号晶片，设为Si面CMP、C面金刚石抛光、厚度350μm的规范。翘曲的预测值分别为13μm、29μm，认为满足该规范的翘曲的要求值(40μm以下)(预测值都根据上述表2所记载的式(1)得到)。
按照这些用途划分，实际地进行了研磨加工。表4汇总地示出翘曲的预测值和研磨后的翘曲的实测值。
表4
如表4所示，翘曲的实测值与预测值的误差，最大为11μm，显示出能够以充分高的精度来预测。7片晶片全部实现了满足各规范的翘曲要求值的值。另一方面，例如将31号晶片采用Si面CMP、C面金刚石抛光、厚度300μm的规范进行研磨的情况下，翘曲的预测值为86μm(采用上述表2所记载的式(3)预测)，同样地，在37号的情况下为82μm，都因翘曲过大而变得不合格。使用本发明的翘曲预测技术，能够对每个研磨规范都分配最适合的晶片从而使得制品晶片的翘曲在要求值内。

Claims (4)

1.一种碳化硅单晶晶片的内应力评价方法，使用在碳化硅单晶晶片的主面内的两点测定到的拉曼位移值的差量来进行评价，所述碳化硅单晶晶片是从采用升华再结晶法制造的碳化硅单晶锭切取的，
使用在中心测定到的拉曼位移值(A)与在外周部测定到的拉曼位移值(B)的拉曼位移差(A-B)来进行评价。
2.一种碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，是事前预测采用升华再结晶法制造的碳化硅单晶晶片的翘曲的方法，使用在制备碳化硅单晶晶片时的最终研磨之前测定到的、表面和背面中的任一面内的两点的拉曼位移值的差量，来估算研磨工序完成后的晶片的翘曲，
使用在中心测定到的拉曼位移值(A)与在外周部测定到的拉曼位移值(B)的拉曼位移差(A-B)来进行预测。
3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，使用在单晶薄板的表面和背面中的任一面内的两点测定到的拉曼位移值的差量来进行预测，所述单晶薄板是将采用升华再结晶法得到的碳化硅单晶锭进行切片分割而得到的。
4.根据权利要求2或3所述的碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，预先求出拉曼位移值的差量与碳化硅单晶晶片的翘曲的关系，以所得到的关系式为基础，由拉曼位移值的差量预测碳化硅单晶晶片的翘曲。
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