JP2007147607A - 試料の応力または歪みを測定する方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 紫外レーザ光を用いた近接場光利用紫外共鳴ラマン分光装置を用いてSiや多結晶Si 、GaN、ZnOなどの最先端材料とこれらを用いたデバイスの応力(歪み)分布をナノメータスケールの空間分解能や深さ分解能で検出する方法を提供すること。
【解決手段】以下の工程を含むことを特徴とする試料の応力または歪みを検出する方法。1)近接場プローブを有する顕微ラマン分光装置において、試料に対し電磁波を照射して、当該試料から発生した近接場共鳴ラマン散乱光を検出する工程。2)検出された近接場共鳴ラマン散乱光の波数シフト量から試料の応力又は歪みを算出する工程。
【選択図】 なし
Description
本発明は、測定手法に関するものであり、特に試料に紫外レーザ光を照射して試料から発生した共鳴ラマン散乱光を検出することにより、バンドギャップ(光学ギャップ)を有する最先端材料、例えばバンドギャップが約3.4eVの最先端材料、例えば、Siや多結晶Si 、GaN、ZnOなどの最先端材料、ダイヤモンド等のワイドギャップ半導体やSiCなどの最先端材料、およびこれらを用いた電子デバイス材料についての応力または歪みとをナノメータスケールの空間分解能や深さ分解能の手段で分析する方法に関するものである。
半導体の開発および製造工程において、半導体ウェハなどの基板の応力や歪みを測定することが重要視されている。そして、従来からシリコンなどの半導体材料の応力測定に関してはラマン分光技術が知られている。このラマン分光技術を用いた応力測定は、応力が作用した場合ラマンスペクトルがシフトすることを利用し、ラマンスペクトルのピーク位置の変化から測定点における応力を推定するものである(特許文献1,2)。
本発明は、紫外共鳴ラマン効果を利用した近接場光利用紫外共鳴ラマン分光装置を用いてナノメータスケールの空間分解能や深さ分解能で次世代半導体、ナノテク材料やナノテク関連デバイスの微小部の応力または歪み(以下併せて応力(歪み)と表現する。)を評価できるようにすることを課題とする。ナノメーターレベルでの分析が可能になれば、ナノデバイスの歩留まり向上や生産に分析結果をフィードバックできるため、ナノデバイスの歩留まり向上や生産性の向上、ナノテク材料の開発に多大の貢献ができ、ナノ材料等の研究開発スピードも一段と加速される。
課題を解決するために本発明は以下の構成からなる。
(1)以下の工程を含むことを特徴とする試料の応力または歪みを検出する方法、
1)照射および集光部分に近接場プローブを有する顕微ラマン分光装置において、試料に対し電磁波を照射して、当該試料から発生した近接場共鳴ラマン散乱光を検出する工程、
2)検出された近接場共鳴ラマン散乱光の波数シフト量から試料の応力又は歪みを算出する工程、
(2)試料のバンドギャップが3.3eV〜3.5eVであって、照射する電磁波のエネルギーが試料のバンドギャップに近いものである前記の試料の応力または歪みを測定する方法、
(3)試料がワイドギャップ半導体またはSiCである(1)記載の試料の応力または歪みを測定する方法、
(4)第2の工程が下記数式(1)〜(2)のいずれかの式又はそれを変形した数式を用いることを特徴とする前記いずれかに記載の試料の応力または歪みを測定する方法、
σ=C1×Δν (1)
ε=C2×σ (2)
(ここで、σは試料の応力、Δνはピーク波数のシフト、εは歪み、C1とC2は定数である。)
(5) 開口径が250nm以下の近接場プローブを用い、また顕微ラマン分光装置の空間分解能が250nm以下または深さ分解能が5nm以下である前記いずれかの方法、(6)顕微ラマン分光装置が有する近接場プローブの表面に、0.1nm〜100nmの厚みの金属薄膜が存在している前記いずれかの方法、
(7)金属薄膜の主たる構成金属元素が銀、アルミニウムまたは金であることを特徴とする前記方法、
(8)顕微ラマン分光装置が有する近接場プローブによって集光した光を分光する分光器が、回折格子型分光器、プリズム型分光器、誘電体多層膜光学フィルター利用光学フィルター分光器およびダイクロイックミラー型分光器よりなる群から選ばれたものである前記いずれかの方法、
(9)測定される試料がSi 、GaNおよびZnOから選ばれる材料またはそれを含む材料であることを特徴とする前記いずれかの方法。
本発明を用いれば、光の回折限界を超えた空間分解能で、しかもシリコン系、GaN系およびZnO系半導体等の半導体デバイスの微小部の応力や歪みを、試料を破壊することなく、かつ高感度で算出できる。
まず本発明の第1の工程に用いることができる顕微ラマン分光装置について説明する。
当該装置は試料に電磁波を照射する光源を有する。光源はとしては、共鳴ラマン効果による散乱光の波数シフトを観測しうる波長を発するものであれば任意である。好ましくはレーザ光の波長が、試料のバンドギャップ(光学ギャップ)に近い3.3〜3.5eV、さらには約3.4eVを有するエネルギーに近いのもが好ましく使用される。バンドギャップと照射電磁波のエネルギーが極めて近ければ、非共鳴状態のラマン散乱光の強度と比べて最大で2桁以上の共鳴散乱光の増大が期待できる。もちろんバンドギャップと照射電磁波のエネルギーが離れていても、本発明の方法によってラマン散乱光を検出できれば本発明の目的を達成することができる。
ε(%)=C2×σ(Pa) (2)
ここで、σは試料の応力であり、単位は例えばPaで表現される。Δνはピーク波数のシフトであり、単位は例えばcm-1で表現される。εは歪みであり、無単位であり、例えば%で表現される。C1とC2は定数であり、理論的にはその物質の弾性コンプライアンス定数や変形ポテンシャル係数などによる関数で定まる値であるが、別途蓄積したデータに基づいてC1又はC2を定めてもよい。
以下、実施例を挙げて本発明の効果をさらに説明する。
波長364nm(約3.4eV)の紫外レーザ光を光源とする近接場光利用紫外共鳴ラマン分光装置を試作した。
(なお式中の係数の2.3×102はSiの弾性コンプライアンス定数や変形ポテンシャル係数を用いて計算された定数である(参考文献M.Yoshikawa and N.Nagai, in “Handbook of Vibrational Spectroscopy”, edited by J.M.Chalmers and P.R.Griffiths(Wiley, Chichester, 2002), p.2593.)。)。
<実施例2> 実施例1で、作製した装置を用いてワイドギャップ半導体であるダイヤモンドについて、実施例1と同様にの近接場ラマンスペクトルの測定を行った。レーザ出力20mWの条件で、200nmφの開口径を有する近接場プローブを用いて約60秒間露光、観測したところ、S/N比の良好なダイヤモンドに起因する近接場ラマンスペクトルを測定することができた。得られた近接場共鳴ラマン散乱光の波数シフト量から(1)’‘式を用いることで、ダイヤモンド微小部の応力分布を算出することが可能である。
(なお式中の係数の2.6×103はダイヤモンドの上述の参考文献により弾性コンプライアンス定数や変形ポテンシャル係数を用いて計算された定数である。)
Claims (9)
- 以下の工程を含むことを特徴とする試料の応力または歪みを検出する方法。1)近接場プローブを有する顕微ラマン分光装置を使用して、試料に対し電磁波を照射して、当該試料から発生した近接場共鳴ラマン散乱光を検出する工程。
2)検出された近接場共鳴ラマン散乱光の波数シフト量から試料の応力又は歪みを算出する工程。 - 試料のバンドギャップが3.3〜3.5eVであって照射する電磁波のエネルギーが試料のバンドギャップに近いものである請求項1記載の試料の応力または歪みを測定する方法。
- 試料がワイドギャップ半導体またはSiCである請求項1記載の試料の応力または歪みを測定する方法。
- 第2の工程が下記数式(1)〜(2)のいずれかの数式又はそれを変形した数式を用いることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の試料の応力または歪みを測定する方法。
σ=C1×Δν (1)
ε=C2×σ (2)
ここで、σは試料の応力、Δνはピーク波数のシフト、εは歪み、C1とC2は定数である。 - 開口径が250nm以下の近接場プローブを用い、また顕微ラマン分光装置の空間分解能が250nm以下または深さ分解能が5nm以下である請求項1〜4いずれかに記載の方法。
- 顕微ラマン分光装置が有する近接場プローブの表面に、0.1nm〜100nmの厚みの金属薄膜が存在していることを特徴とする請求項1〜5記載のいずれかの方法。
- 金属薄膜の主たる構成金属元素が銀、アルミニウムまたは金であることを特徴とする請求項6記載の方法。
- 顕微ラマン分光装置が有する近接場プローブによって集光した光を分光する分光器が、回折格子型分光器、プリズム型分光器、誘電体多層膜光学フィルター利用光学フィルター分光器およびダイクロイックミラー型分光器よりなる群から選ばれたものである請求項1〜7記載いずれかの方法。
- 測定される試料がSi 、GaNおよびZnOから選ばれる材料またはそれを含む材料であることを特徴とする請求項1、3〜8から選ばれるいずれかの方法。
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