CN105210155A - 铜微粒分散体、导电膜形成方法以及电路板 - Google Patents

铜微粒分散体、导电膜形成方法以及电路板 Download PDF

Info

Publication number
CN105210155A
CN105210155A CN201480025664.1A CN201480025664A CN105210155A CN 105210155 A CN105210155 A CN 105210155A CN 201480025664 A CN201480025664 A CN 201480025664A CN 105210155 A CN105210155 A CN 105210155A
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper
microparticle dispersion
coating
sintering aid
conducting film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480025664.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105210155B (zh
Inventor
川户祐一
有村英俊
工藤富雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ishihara Chemical Co Ltd
Original Assignee
Ishihara Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ishihara Chemical Co Ltd filed Critical Ishihara Chemical Co Ltd
Publication of CN105210155A publication Critical patent/CN105210155A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105210155B publication Critical patent/CN105210155B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/10—Formation of a green body
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
    • B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0386—Paper sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0508—Flood exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H05K2203/108—Using a plurality of lasers or laser light with a plurality of wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1131—Sintering, i.e. fusing of metal particles to achieve or improve electrical conductivity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25—Process efficiency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

本发明要解决的技术问题是提供一种铜微粒分散体，所述铜微粒分散体通过光烧结能够促进具有低电阻的导电膜的形成。本发明提供的解决方案是提供包含分散介质和分散于该分散介质中的铜微粒11的铜微粒分散体1。铜微粒分散体1含有烧结助剂。烧结助剂是在高于环境温度的温度下从铜除去铜氧化物的化合物。由此，烧结助剂能够在铜微粒11的光烧结期间从铜微粒11除去表面氧化物涂层。

Description

铜微粒分散体、导电膜形成方法以及电路板
技术领域
本发明涉及铜微粒分散体、使用该铜微粒分散体的导电膜形成方法以及通过使用该导电膜形成方法而制备的电路板。
背景技术
传统上，印刷电路板通过光刻在基材上形成铜箔电路。光刻需要蚀刻铜箔的步骤，其招致例如处理由蚀刻产生的废水的费用。
作为无需蚀刻的技术，已知一种使用铜微粒分散体(铜油墨)在基材上形成导电膜(conductivemembrane)(导电膜(conductivefilm))的方法，该铜微粒分散体含有在分散介质中的铜微粒(铜纳米微粒)(例如参见专利文献1)。根据该方法，在基材上形成铜微粒分散体的涂层，并且使涂层干燥以形成铜微粒层。使铜微粒层通过用光辐照而进行光烧结，从而形成具有低电阻的导电膜。
然而，即使提高上述方法中用于光烧结的辐照光的能量，光烧结有可能进行不充分，从而不能形成具有低电阻的导电膜。
引用列表
专利文献1:美国专利申请号2008/0286488
发明概述
技术问题
提出本发明以解决上述问题，且本发明的目的在于提供铜微粒分散体，其能够通过光烧结促进具有低电阻的导电膜的形成。
解决问题的方案
根据本发明的铜微粒分散体包含分散介质和分散于该分散介质中的铜微粒。铜微粒分散体含有烧结助剂。烧结助剂是在高于环境温度的温度下从铜除去铜氧化物的化合物。
在铜微粒分散体中，该高于环境温度的温度优选通过用使所述铜微粒光烧结的光辐照而获得。
在铜微粒分散体中，烧结助剂优选是在高于环境温度的温度下与铜形成络合物的化合物。
在铜微粒分散体中，该化合物优选选自醇、磷酸酯、羧酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、胺、膦酸、β-二酮、乙炔二醇、硫醚和硫酸酯。
在铜微粒分散体中，烧结助剂可以是在高于环境温度的温度下溶解铜氧化物的酸。
在铜微粒分散体中，该酸优选为乙酸。
在铜微粒分散体中，烧结助剂可以是在高于环境温度的温度下溶解铜氧化物的碱。
在铜微粒分散体中，该碱优选为氢氧化钾。
根据本发明的导电膜形成方法包括以下步骤：在基体材料上形成包含铜微粒分散体的涂层；和用光辐照该涂层以使该涂层中的铜微粒光烧结，由此形成导电膜。
在根据本发明的电路板中，在含有基体材料的基材上提供具有导电膜的电路，该导电膜通过该导电膜形成方法而形成。
发明的有益效果
根据本发明的铜微粒分散体，通过光烧结可以很容易地形成具有低电阻的导电膜，因为烧结助剂在铜微粒的光烧结期间从铜微粒除去表面氧化物涂层。
附图简要说明
[图1]
图1(a)至1(d)是以时间顺序显示使用根据本发明的一个实施方式的铜微粒分散体形成导电膜的横截面示意图。
实施方式描述
描述根据本发明的一个实施方式的铜微粒分散体。铜微粒分散体包含分散介质和铜微粒。铜微粒分散于分散介质中。铜微粒分散体含有烧结助剂。烧结助剂是在高于环境温度的温度下从铜除去铜氧化物的化合物。铜氧化物包括铜(I)氧化物和铜(Ⅱ)氧化物。高于环境温度的温度通过用使铜微粒光烧结的光辐照而获得。
烧结助剂是例如在高于环境温度的温度下与铜形成络合物的化合物。这样的化合物通过与铜形成络合物而从铜除去氧化物。该化合物的实例包括但不限于醇、磷酸酯、羧酸、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、胺、膦酸、β-二酮、乙炔二醇、硫醚、硫酸酯和类似物。
烧结助剂可以是在高于环境温度的温度下溶解铜氧化物的酸。这样的酸通过溶解铜氧化物而从铜除去氧化物。该酸例如为乙酸，但不限于此。
烧结助剂可以是在高于环境温度的温度下溶解铜氧化物的碱。这样的碱通过溶解铜氧化物而从铜除去氧化物。该碱例如为氢氧化钾，但不限于此。
烧结助剂可以是在高于环境温度的温度下还原铜氧化物而从铜除去氧化物的化合物。
这些烧结助剂可以单独使用或以两种或更多种的混合物形式使用。
在本实施方式中，铜微粒是平均粒径为约20nm或更大至约1500nm或更少的铜颗粒。对铜微粒的粒径没有限制，只要铜微粒是分散于分散介质中。可以单独使用具有一个平均粒径的铜微粒，或者可以以混合物的形式使用具有两种或更多种平均粒径的铜微粒。铜微粒分散体是液体分散体系，其中铜微粒分散在分散介质中。该分散介质是液体，例如醇，但不限于此。
向例如分散介质添加烧结助剂。可以在铜微粒分散体的制造期间添加烧结助剂，或在制造铜微粒分散体之后并在其使用之前添加烧结助剂。烧结助剂的实例包括但不限于羧酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、胺、膦酸、β-二酮、乙炔二醇、硫醚、硫酸酯和类似物。
在本实施方式中，向分散介质添加分散剂。分散剂使铜微粒分散于分散介质中。当不使用分散剂而分散铜微粒时，可以不添加分散剂。
烧结助剂可以是也用作分散剂的化合物。这样的烧结助剂的实例包括但不限于磷酸酯和类似物。
烧结助剂可以是也用作分散介质的化合物。这样的烧结助剂的实例包括但不限于醇，如二甘醇和二甘醇单乙醚。
将参照图1(a)至1(d)描述使用该实施方式的铜微粒分散体的导电膜形成方法。如图1(a)和1(b)中所示，首先在基体材料3上形成包含铜微粒分散体1的涂层2。在涂层2中，分散有铜微粒11。涂层2通过例如印刷法形成。在印刷法中，铜微粒分散体1用作印刷油墨，通过印刷设备在物体上印刷预先确定的图案，由此形成该图案的涂层2。印刷设备是例如丝网印刷机、喷墨印刷机或类似物。涂层2可以通过旋涂或类似方法形成。基体材料3的实例包括但不限于玻璃、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、玻璃环氧树脂、陶瓷、金属、纸和类似物。
接着，使涂层2干燥。涂层2的干燥是在环境温度下进行或通过加热至烧结助剂几乎不发生化学变化的温度范围内进行。如图1(c)中所示，涂层2的液体组分是通过干燥涂层2而蒸发；然而铜微粒11和烧结助剂保留在涂层2中。可以省略用于干燥涂层2的干燥步骤。例如，当分散介质还用作烧结助剂时，省略干燥步骤。
在随后的步骤中，用光辐照干燥涂层2。在涂层2中的铜微粒11通过光能被光烧结。铜微粒11在光烧结期间相互熔合，并焊接至基体材料3。光烧结是在室温下在空气中进行。用于光烧结的光源是例如氙灯。光源可以用激光装置代替。光源发射的光的能量范围为0.5J/cm2或更多至30J/cm2或更少。辐照时间为0.1ms或更多至100ms或更少。辐照频率可以为一次或多于一次(多步骤辐照)。可以用不同量的光能量进行几次辐照。光能量和辐照频率不限于这些值。如图1(d)所示，由于涂层2中铜微粒11的光烧结，涂层2经历块化(bulking)，由此形成导电膜4。所形成的导电膜4的结构是连续涂层。当省略光辐照之前的涂层2的干燥时，当涂层2中的铜微粒11被光烧结时，涂层2同时通过光辐照而干燥。
铜微粒11的表面被氧氧化并且被表面氧化物涂层覆盖。表面氧化物涂层在光烧结期间防止包含铜微粒11的涂层2的块化。常规上认为，铜微粒11的表面氧化物涂层在光烧结期间通过光还原被光的能量还原为金属铜。然而，根据本发明的发明人的实验，即使提高光烧结期间用于辐照的光能，涂层2的块化可能是不充分的。此外，当辐照的光能过大时，涂层2可能被损坏；因此，对于光烧结期间用于辐照的光能的量是有限制的。本发明的发明人认为，由于单独的光能不足以从铜微粒11除去表面氧化物涂层，因此光烧结进行不充分，并且涂层2的块化可能是不充分的。
本发明的发明人通过大量的实验发现，通过经由化学反应从铜微粒11除去表面氧化涂层可促进光烧结。在本实施方式中，烧结助剂在涂层2用光辐照之前的温度(即，环境温度)下几乎不与铜微粒11的表面氧化物涂层发生化学反应。铜微粒11的表面氧化涂层防止微粒内部的氧化。当用使铜微粒11光烧结的光辐照涂层2时，铜微粒11吸收光能而变为高温。存在于涂层2中的烧结助剂被高温的铜微粒11加热至高温(高于环境温度的温度)。由于化学反应在高温下被促进，烧结助剂通过化学反应从铜微粒11除去表面氧化物涂层。已除去表面氧化物涂层的铜微粒11通过光能被烧结，由此形成具有低电阻的导电膜4。
如上所述，由于使用根据本实施方式的铜微粒分散体1，烧结助剂在铜微粒11的光烧结期间从铜微粒11除去表面氧化物涂层；因此，可以通过光烧结容易地形成具有低电阻的导电膜4。此外，由于使用铜微粒分散体1，可以容易地在电路板上形成具有低电阻的导电膜4。
如本发明的实施例制备含有烧结助剂的铜微粒分散体1，并且制备不含有烧结助剂的铜微粒分散体作为比较实施例。这些铜微粒分散体被用来研究通过光烧结是否在基材上形成导电膜。
实施例1
制备铜微粒分散体，其中添加分散剂以分散分散介质中的铜微粒。分散介质是醇(二甘醇)。该分散介质在本实施例中也用作烧结助剂。分散剂是磷酸酯(商品名：“DISPERBYK(注册商标)-102”，购自BYK-Chemie)。分散剂的浓度相对于铜微粒分散体为2质量％。使用的铜微粒具有50nm的平均粒度，并且该铜微粒的浓度为40质量％。载玻片用作基材。
通过旋涂法将铜颗粒分散体施加至基材以形成厚度为1μm的涂层。涂层颜色为黑色。在未干燥的情况下用光辐照涂层。光辐照能量为14J/cm2。
涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。测量所形成的导电膜的薄层电阻作为薄膜电阻。导电膜的薄层电阻低至480mΩ/sq。
实施例2
使用的分散介质是不同于实施例1的醇(二甘醇单乙醚)。该分散介质在本实施例中也用作烧结助剂。不同于实施例1，所使用的分散剂是磷酸酯(商品名：“DISPERBYK(注册商标)-111”，购自BYK-Chemie)。其它条件与实施例1相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为500mΩ/sq。
实施例3
使用平均粒度为70nm的铜微粒制备铜微粒分散体。然后，向铜微粒分散体添加磷酸酯(商品名：“DISPERBYK(注册商标)-111”，购自BYK-Chemie)作为烧结助剂。该烧结助剂也用作分散剂。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为10质量％。使用玻璃基材(商品名“EAGLEXG(注册商标)”，购自Corning)作为基材。其它条件与实施例2相同。在基材上形成包含铜微粒分散体的涂层。在涂层干燥之后，用光辐照该涂层。光辐照的能量为11J/cm2。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为170mΩ/sq。
实施例4
使用磷酸酯(商品名：“DISPERBYK(注册商标)-102”，购自BYK-Chemie)作为分散剂制备铜微粒分散体。然后，向铜微粒分散体添加羧酸(商品名：“DISPERBYK(注册商标)-P-105”，购自BYK-Chemie)作为烧结助剂。其它条件与实施例3相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为350mΩ/sq。
实施例5
制备铜微粒分散体之后，添加聚酰胺酰亚胺(商品名：“SOXR-U”，购自NipponKodoshiCorporation)作为烧结助剂。其它条件与实施例4相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为240mΩ/sq。
实施例6
制备铜微粒分散体之后，添加聚酰亚胺(聚酰亚胺清漆(polyimidevarnish))作为烧结助剂。其它条件与实施例5相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为250mΩ/sq。
实施例7
制备铜微粒分散体之后，添加醇(聚乙二醇；分子量为600)作为烧结助剂。其它条件与实施例6相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为300mΩ/sq。
实施例8
制备铜微粒分散体之后，添加胺(三乙醇胺)作为烧结助剂。其它条件与实施例7相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为350mΩ/sq。
实施例9
如下制备铜微粒分散体：使用平均粒度为50nm的铜微粒，并且向分散介质添加胺(商品名：“Discole(注册商标)N509”，购自Dai-ichiKogyoSeiyakuCo.,Ltd.)作为烧结助剂。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为2质量％。所使用的基材为载玻片。其它条件与实施例8相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为150mΩ/sq。
实施例10
如下制备铜微粒分散体：使用聚氧乙烯十三烷基醚磷酸酯(商品名：“Plysurf(注册商标)A212C”，购自Dai-ichiKogyoSeiyakuCo.,Ltd.)作为分散剂，并且向分散介质添加聚酰胺(聚乙烯吡咯烷酮；商品名：“PVPK25”)作为烧结助剂。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为10质量％。铜微粒的浓度为60质量％。铜微粒分散体为糊状。通过拉伸(drawdown)涂布将该铜微粒分散体施加至基材以形成厚度为2μm的涂层。其它条件与实施例9相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为240mΩ/sq。
实施例11
使用平均粒度为1500nm的铜微粒制备铜微粒分散体。铜微粒分散体为糊状。光辐照能量为20J/cm2。其它条件与实施例10相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为150mΩ/sq。
实施例12
如下制备铜微粒分散体：使用平均粒度为20nm的铜微粒，并且向分散介质添加聚酰胺(聚乙烯吡咯烷酮；商品名：“PVPK90”)作为烧结助剂。铜微粒分散体为糊状。光辐照能量为10J/cm2。其它条件与实施例11相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为250mΩ/sq。
实施例13
如下制备铜微粒分散体：使用平均粒度为1500nm的铜微粒，并且使用乙二醇作为分散介质。铜微粒的浓度为40质量％。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为30质量％。铜微粒分散体为糊状。光辐照能量为20J/cm2。其它条件与实施例12相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为770mΩ/sq。
实施例14
如下制备铜微粒分散体：使用平均粒度为70nm的铜微粒，并且使用N-甲基吡咯烷酮作为分散介质。铜微粒分散体为糊状。然后，向铜微粒分散体添加聚酰胺(聚乙烯吡咯烷酮；商品名：“PVPK25”)作为烧结助剂。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为10质量％。光辐照能量为11J/cm2。其它条件与实施例13相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为200mΩ/sq。
实施例15
使用二甘醇作为分散介质制备铜微粒分散体。然后，向铜微粒分散体添加膦酸(60质量％的羟基乙叉二膦酸水溶液)作为烧结助剂。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为10质量％。其它条件与实施例9相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为270mΩ/sq。
实施例16
使用二乙二醇单乙醚作为分散介质制备铜微粒分散体。然后，向铜微粒分散体添加乙酸作为烧结助剂。其它条件与实施例15相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为240mΩ/sq。
实施例17
制备铜微粒分散体后，添加β-二酮(乙酰丙酮)作为烧结助剂。其它条件与实施例16相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为250mΩ/sq。
实施例18
制备铜微粒分散体后，添加乙炔二醇(商品名：“Surfynol(注册商标)420”)作为烧结助剂。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为1质量％。其它条件与实施例17相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为340mΩ/sq。
实施例19
制备铜微粒分散体后，添加硫醚和醇(硫二甘醇)作为烧结助剂。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为10质量％。其它条件与实施例18相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为160mΩ/sq。
实施例20
制备铜微粒分散体后，添加硫酸酯(商品名：“SundetEN”)作为烧结助剂。其它条件与实施例19相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为200mΩ/sq。
实施例21
制备铜微粒分散体后，添加胺和羧酸(甘氨酸)作为烧结助剂。其它条件与实施例20相同。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为180mΩ/sq。
实施例22
使用水作为分散介质以及使用具有酸性基团的共聚物的烷基醇铵盐(商品名：“DISPERBYK(注册商标)-180”)作为分散剂制备铜微粒分散体。然后，向铜微粒分散体添加碱(氢氧化钾)作为烧结助剂。烧结助剂的浓度相对于铜微粒分散体为1质量％。其它条件与实施例21相同。所制备的铜微粒分散体是分散的，然而，由于铜微粒在水中进行溶解，分散体在一天之后变为蓝色液体。因此，铜微粒分散体在其制备之后立即使用。涂层的外观通过光辐照变为金属铜的外观，并在基材上形成导电膜。所形成的导电膜的薄层电阻为260mΩ/sq。
比较实施例1
所使用的铜微粒分散体和基材与实施例1相同。在基材上形成厚度为1μm的涂层。涂层颜色为黑色。在涂层干燥后，用光辐照涂层。因为在用光辐照之前涂层被干燥，因此分散介质未起到烧结助剂的作用。光辐照的能量与实施例1相同。
通过光的辐照，涂层的颜色变成蓝色。因为该蓝色是铜氧化物涂层的干扰色，因此在基材上没有形成导电膜。认为由于铜微粒的烧结进行的不充分，所以涂层通过与空气中的氧反应而被氧化。
比较实施例2
使用二甘醇二丁醚作为分散介质并且使用平均粒度为70nm的铜微粒制备铜微粒分散体。在分散介质中既不添加分散剂也不添加烧结助剂。铜微粒的浓度为40质量％。铜微粒在此铜微粒分散体中的分散稳定性低。铜微粒在搅拌后分散一会，但是在约1小时内沉淀。使用的基材是与实施例3相同的玻璃基材。在基材上形成包含铜微粒分散体的涂层。涂层干燥之后，用光辐照涂层。光辐照能量为11J/cm2。光辐照的结果是，聚集的铜微粒以附聚体形式保持在基材上。这种状态被称为“吹离(blow-off)”。虽然铜微粒的烧结进行到一定程度，但是没有形成导电膜。
比较实施例3
使用正己烷作为分散介质。使用磷酸酯(商品名：“DISPERBYK(注册商标)-102”)作为分散剂。分散剂的浓度相对于铜微粒分散体为2质量％。其它条件与比较实施例2相同。在基材上形成包含铜微粒分散体的涂层。涂层干燥之后，用光辐照涂层。光辐照后，基材上的涂层颜色为黑色，且其薄层电阻高达1Ω/sq。当光辐照能量提高至高于11J/cm2时，涂层颜色变为蓝色，发生涂层表面的氧化。
比较实施例4
使用1,3-二甲基-2-咪唑啉酮作为分散介质。其它条件与比较实施例3相同。光辐照之后，基材上的涂层颜色为黑色，并且其薄层电阻为1Ω/sq。当光辐照能量提高至高于11J/cm2时，涂层颜色变为蓝色，发生涂层表面的氧化。
比较实施例5
使用N-甲基吡咯烷酮作为分散介质。其它条件与比较实施例4相同。光辐照之后，基材上的涂层颜色为黑色，并且其薄层电阻为1Ω/sq。当光辐照能量提高至高于11J/cm2时，涂层颜色变为蓝色，发生涂层表面的氧化。
比较实施例6
使用碳酸亚丙酯作为分散介质。其它条件与比较实施例5相同。光辐照之后，基材上的涂层颜色为黑色，并且其薄层电阻为1Ω/sq。当光辐照能量提高至高于11J/cm2时，涂层颜色变为蓝色，发生涂层表面的氧化。
比较实施例7
使用水作为分散介质。使用具有酸性基团的共聚物的烷基醇铵盐(商品名：“DISPERBYK(注册商标)-180”)作为分散剂。其它条件与比较实施例6相同。由于铜微粒在水中进行溶解，所制备的铜微粒分散体在一天之后变为蓝色液体。因此，铜微粒分散体在其制备之后立即使用。光辐照之后，基材上的涂层颜色为黑色，并且其薄层电阻为1Ω/sq。当光辐照能量提高至高于11J/cm2时，涂层颜色变为蓝色，发生涂层表面的氧化。
如上面实施例1至22所示，当使用含有烧结助剂的铜微粒分散体时，通过光烧结在基材上形成具有低电阻的导电膜。如上面比较实施例1至7所示，当使用不含有烧结助剂的铜微粒分散体时，在基材上未形成具有低电阻的导电膜。
本发明不限于上述实施方式的配置，可以在不改变本发明的主题的情况下进行各种修改。例如，基体材料3的形式不限于平板形状并可以是任何三维形状。
数字和符号说明
1：铜微粒分散体
11：铜微粒
2：涂层
3：基体材料
4：导电膜

Claims (10)

1.一种铜微粒分散体，包含分散介质和分散于所述分散介质中的铜微粒，其特征在于：
所述铜微粒分散体含有烧结助剂；且
所述烧结助剂是在高于环境温度的温度下从铜除去铜氧化物的化合物。
2.根据权利要求1所述的铜微粒分散体，其中所述高于环境温度的温度是通过用使所述铜微粒光烧结的光辐照而获得的。
3.根据权利要求1或2所述的铜微粒分散体，其中所述烧结助剂是在高于环境温度的温度下与铜形成络合物的化合物。
4.根据权利要求3所述的铜微粒分散体，其中所述化合物选自醇、磷酸酯、羧酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、胺、膦酸、β-二酮、乙炔二醇、硫醚和硫酸酯。
5.根据权利要求1或2所述的铜微粒分散体，其中所述烧结助剂是在高于环境温度的温度下溶解铜氧化物的酸。
6.根据权利要求5所述的铜微粒分散体，其中所述酸是乙酸。
7.根据权利要求1或2所述的铜微粒分散体，其中所述烧结助剂是在高于环境温度的温度下溶解铜氧化物的碱。
8.根据权利要求7所述的铜微粒分散体，其中所述碱是氢氧化钾。
9.一种导电膜的形成方法，其特征在于包括以下步骤：
在基体材料上形成包含根据权利要求1至8中任一项所述的铜微粒分散体的涂层；和
用光辐照所述涂层以使所述涂层中的铜微粒光烧结，由此形成导电膜。
10.一种电路板，其中在含有基体材料的基材上提供有具有导电膜的电路，所述导电膜是通过权利要求9所述的导电膜形成方法而形成的。
CN201480025664.1A 2013-05-15 2014-01-31 铜微粒分散体、导电膜形成方法以及电路板 Active CN105210155B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-102916 2013-05-15
JP2013102916A JP5700864B2 (ja) 2013-05-15 2013-05-15 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板
PCT/JP2014/052222 WO2014185102A1 (ja) 2013-05-15 2014-01-31 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105210155A true CN105210155A (zh) 2015-12-30
CN105210155B CN105210155B (zh) 2018-03-13

Family

ID=51898090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480025664.1A Active CN105210155B (zh) 2013-05-15 2014-01-31 铜微粒分散体、导电膜形成方法以及电路板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20160007455A1 (zh)
EP (1) EP2998967A1 (zh)
JP (1) JP5700864B2 (zh)
KR (1) KR101840917B1 (zh)
CN (1) CN105210155B (zh)
TW (1) TWI534834B (zh)
WO (1) WO2014185102A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5275498B1 (ja) * 2012-07-03 2013-08-28 石原薬品株式会社 導電膜形成方法及び焼結進行剤
WO2015012264A1 (ja) * 2013-07-23 2015-01-29 旭化成株式会社 銅及び／又は銅酸化物分散体、並びに該分散体を用いて形成された導電膜
JP2015133317A (ja) * 2013-12-10 2015-07-23 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜の製造方法
JP6573903B2 (ja) 2014-03-25 2019-09-11 ストラタシス リミテッド 層交差パターンを製作する方法及びシステム
WO2016013426A1 (ja) * 2014-07-22 2016-01-28 住友電気工業株式会社 金属微粒子分散液及び金属被膜
KR101976300B1 (ko) * 2015-01-22 2019-05-07 알프스 알파인 가부시키가이샤 압분 코어, 그 압분 코어의 제조 방법, 그 압분 코어를 구비하는 전기·전자 부품, 및 그 전기·전자 부품이 실장된 전기·전자 기기
FR3033666B1 (fr) * 2015-03-10 2019-06-07 Ecole Nationale Superieure Des Mines Realisation d'objets electroniques par utilisation combinee de l'impression 3d et de l'impression par jet de matiere
EP3274172B1 (en) * 2015-03-25 2023-04-26 Stratasys Ltd. Method and system for in situ sintering of conductive ink
US9649730B2 (en) * 2015-08-12 2017-05-16 E I Du Pont De Nemours And Company Paste and process for forming a solderable polyimide-based polymer thick film conductor
US20170044382A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming a solderable polyimide-based polymer thick film conductor
US9637648B2 (en) * 2015-08-13 2017-05-02 E I Du Pont De Nemours And Company Photonic sintering of a solderable polymer thick film copper conductor composition
US9637647B2 (en) * 2015-08-13 2017-05-02 E I Du Pont De Nemours And Company Photonic sintering of a polymer thick film copper conductor composition
JP2017212311A (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 株式会社フジクラ 配線基板の製造方法
JPWO2018003399A1 (ja) * 2016-06-30 2018-07-05 株式会社コイネックス 銅配線およびそれを用いた電子機器、タッチパッド、タッチパネル
WO2018075032A1 (en) * 2016-10-19 2018-04-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Three-dimensional (3d) printing
CN110870392B (zh) 2017-07-18 2023-04-14 旭化成株式会社 具有导电性图案区域的结构体及其制造方法、层积体及其制造方法、以及铜布线
JP7280665B2 (ja) * 2018-05-08 2023-05-24 石原ケミカル株式会社 銅ナノ粉、銅ナノインク、および導電膜形成方法
US11539053B2 (en) 2018-11-12 2022-12-27 Utility Global, Inc. Method of making copper electrode
US11453618B2 (en) * 2018-11-06 2022-09-27 Utility Global, Inc. Ceramic sintering
JP7419676B2 (ja) * 2019-06-04 2024-01-23 株式会社レゾナック 電子部品の製造方法及び電子部品
WO2021231846A1 (en) * 2020-05-14 2021-11-18 Utility Global, Inc. Copper electrode and method of making
WO2022176926A1 (ja) * 2021-02-22 2022-08-25 三菱マテリアル株式会社 接合用ペースト、接合層、接合体及び接合体の製造方法
US20230092683A1 (en) * 2021-09-10 2023-03-23 Utility Global, Inc. Method of making an electrode

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1736593A (zh) * 2005-07-28 2006-02-22 武汉理工大学 掺铜的铌钾复合氧化物光催化剂及其制备方法
JP2010118449A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Toray Ind Inc 導電膜の製造方法
JP2010146995A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Hitachi Maxell Ltd 透明導電性シートの製造方法
CN101801568A (zh) * 2007-09-21 2010-08-11 三井金属矿业株式会社 铜粉的制造方法及铜粉
CN101801674A (zh) * 2007-05-18 2010-08-11 应用纳米技术控股股份有限公司 金属油墨
CN101903959A (zh) * 2007-12-18 2010-12-01 日立化成工业株式会社 铜导体膜及其制造方法、导电性基板及其制造方法、铜导体布线及其制造方法、以及处理液
JP5088760B1 (ja) * 2011-11-14 2012-12-05 石原薬品株式会社 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6157480A (en) * 1998-09-21 2000-12-05 Gentex Corporation Seal for electrochromic devices
DE10019599A1 (de) * 2000-04-20 2001-10-31 Wacker Chemie Gmbh Selbsthaftende additionsvernetzende Siliconzusammensetzungen
US20100233146A1 (en) * 2002-09-09 2010-09-16 Reactive Surfaces, Ltd. Coatings and Surface Treatments Having Active Enzymes and Peptides
JP4978844B2 (ja) * 2005-07-25 2012-07-18 住友金属鉱山株式会社 銅微粒子分散液及びその製造方法
US20090111948A1 (en) * 2007-10-25 2009-04-30 Thomas Eugene Dueber Compositions comprising polyimide and hydrophobic epoxy and phenolic resins, and methods relating thereto
US8506849B2 (en) * 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
US20100000762A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic pastes and inks
JP2010135205A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Hitachi Cable Ltd 同軸ケーブル及びその製造方法
CA2774435C (en) * 2009-10-23 2017-05-09 Henkel Ireland Ltd. Aqueous-based composition suitable for use in threadlocking applications
US8558117B2 (en) * 2010-02-13 2013-10-15 Aculon, Inc. Electroconductive inks made with metallic nanoparticles
JP5715851B2 (ja) * 2011-02-24 2015-05-13 東芝テック株式会社 ナノ粒子インク組成物を用いた印刷物の製造方法
JP5088761B1 (ja) * 2011-11-14 2012-12-05 石原薬品株式会社 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板
TW201339279A (zh) * 2011-11-24 2013-10-01 Showa Denko Kk 導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1736593A (zh) * 2005-07-28 2006-02-22 武汉理工大学 掺铜的铌钾复合氧化物光催化剂及其制备方法
CN101801674A (zh) * 2007-05-18 2010-08-11 应用纳米技术控股股份有限公司 金属油墨
CN101801568A (zh) * 2007-09-21 2010-08-11 三井金属矿业株式会社 铜粉的制造方法及铜粉
CN101903959A (zh) * 2007-12-18 2010-12-01 日立化成工业株式会社 铜导体膜及其制造方法、导电性基板及其制造方法、铜导体布线及其制造方法、以及处理液
JP2010118449A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Toray Ind Inc 導電膜の製造方法
JP2010146995A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Hitachi Maxell Ltd 透明導電性シートの製造方法
JP5088760B1 (ja) * 2011-11-14 2012-12-05 石原薬品株式会社 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP5700864B2 (ja) 2015-04-15
CN105210155B (zh) 2018-03-13
KR20150138332A (ko) 2015-12-09
TWI534834B (zh) 2016-05-21
EP2998967A1 (en) 2016-03-23
US20160007455A1 (en) 2016-01-07
TW201511034A (zh) 2015-03-16
JP2014225338A (ja) 2014-12-04
WO2014185102A1 (ja) 2014-11-20
KR101840917B1 (ko) 2018-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105210155A (zh) 铜微粒分散体、导电膜形成方法以及电路板
CN104588643B (zh) 金属微粒分散体、导电性基板的制造方法及导电性基板
US10477680B2 (en) Ink composition for light sintering, wiring board using same and manufacturing method therefor
KR101494045B1 (ko) 금속 구리 분산액 및 그 제조 방법 그리고 그것을 사용하여 형성한 전극, 배선 패턴, 도막, 그 도막을 형성한 장식 물품, 항균성 물품 및 그들의 제조 방법
CN105210156A (zh) 铜微粒分散体、导电膜形成方法以及电路板
TWI597004B (zh) 導電材料及方法
WO2015166755A1 (ja) 銅ナノ粒子分散体、及び導電性基板の製造方法
CN105705594A (zh) 铜粒分散液和使用该铜粒分散液的导电膜的制造方法
CN105517788A (zh) 层叠体、导电性图案、电子电路及层叠体的制造方法
KR20110028632A (ko) 코어-쉘 금속 나노입자, 그 제조 방법, 및 이를 함유하는 잉크 조성물들
JP2005507452A5 (zh)
CN106232267A (zh) 芯壳型金属微粒的制造方法、芯壳型金属微粒、导电性油墨以及基板的制造方法
CN105733366A (zh) 一种喷墨印刷用纳米银导电墨水的制备方法
KR20200018583A (ko) 산화구리 잉크 및 이것을 이용한 도전성 기판의 제조 방법, 도막을 포함하는 제품 및 이것을 이용한 제품의 제조 방법, 도전성 패턴을 갖는 제품의 제조 방법, 및 도전성 패턴을 갖는 제품
CN104303243B (zh) 导电膜形成方法和烧结助剂
JP6562196B2 (ja) 銅微粒子焼結体と導電性基板の製造方法
WO2018221181A1 (ja) 導電性インク及び導電性基板の製造方法
JPWO2016125355A1 (ja) 導電性の微小粒子
JP6404261B2 (ja) 銀粉
WO2016047306A1 (ja) 金属酸化物粒子膜の製造方法、金属膜の製造方法
WO2018092598A1 (ja) 亜酸化銅粒子、その製造方法、光焼結型組成物、それを用いた導電膜の形成方法及び亜酸化銅粒子ペースト
KR101545607B1 (ko) 은 나노 파우더를 이용한 600도 이하의 열처리를 통한 연성인쇄회로기판 제조방법 및 그 연성회로기판
JP7158819B1 (ja) 銅インク、導電膜形成方法、及びｒｆタグ
JP6111587B2 (ja) 導電性基板の製造方法
KR20020085168A (ko) 미립자 금속도전잉크 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant