JP2017212311A

JP2017212311A - 配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2017212311A
Application number: JP2016103953A
Authority: JP
Inventors: 悠季中村; Yuki Nakamura
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2016-05-25
Filing date: 2016-05-25
Publication date: 2017-11-30

Abstract

【課題】光焼結処理における照射光のエネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制する。【解決手段】銅粒子又は貴金属粒子が分散された液膜１４を基板１２上に形成し、基板１２上に形成された液膜１４を乾燥させて膜体１６を形成し、基板１２上に形成された膜体１６に光焼結処理を施すことにより、基板１２上に導電膜１８を形成する配線基板１０の製造方法であって、前記光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ３）Ｉ、前記照射光のエネルギー密度の下限値Ｉｍｉｎ及び上限値Ｉｍａｘ、前記基板の熱拡散率（ｍｍ２／ｓ）ｘが下記（１）〜（３）式を満足する。Ｉｍｉｎ≦Ｉ≦Ｉｍａｘ…（１），Ｉｍｉｎ＝１０５ln（ｘ）＋２１０ …（２），Ｉｍａｘ＝２８７ln（ｘ）＋５５２ …（３）【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。

基板上に導電性薄膜を形成する方法として、還元性金属化合物と還元剤とが分散された分散液を薄膜として基板上に堆積させ、当該薄膜を基板と共にパルス電磁放射線に曝露して還元性金属化合物と還元剤とを化学的に反応させることで、当該薄膜に導電性を付与する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特表２０１２−５０５９６６号公報

銅又は貴金属の粒子が分散された液膜を基板上に形成し、当該液膜を乾燥させて膜体を形成し、当該膜体に光焼結処理（Photo-sintering Process）を施すことにより、基板上に導電膜を形成する場合、照射光のエネルギー量が過剰になると、基板の溶融や導電性薄膜の基板からの剥離等が生じ、照射光のエネルギー量が不足すると、導電膜が高抵抗になる。

本発明が解決しようとする課題は、光焼結処理における照射光のエネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制できる配線基板の製造方法を提供することである。

［１］本発明に係る配線基板の製造方法は、銅粒子又は貴金属粒子が分散された液膜を基板上に形成し、前記基板上に形成された前記液膜を乾燥させて膜体を形成し、前記基板上に形成された前記膜体に光焼結処理を施すことにより、基板上に導電膜を形成する配線基板の製造方法であって、下記（１）〜（３）式を満足する。
Ｉ_ｍｉｎ≦Ｉ≦Ｉ_ｍａｘ …（１）
Ｉ_ｍｉｎ＝１０５ln（ｘ）＋２１０ …（２）
Ｉ_ｍａｘ＝２８７ln（ｘ）＋５５２ …（３）
但し、Ｉは、前記光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ^３）であり、Ｉ_ｍｉｎは、前記照射光のエネルギー密度の下限値であり、Ｉ_ｍａｘは、前記照射光のエネルギー密度の上限値であり、ｘは、前記基板の熱拡散率（ｍｍ^２／ｓ）である。

［２］上記発明において、前記光焼結処理における前記照射光のエネルギー密度Ｉを調整する工程を備えてもよい。

本発明では、光焼結処理における照射光のエネルギー密度を、基板の熱拡散率に基づいて設定することにより、光焼結処理における照射光のエネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制できる。

図１は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明するための工程図である。図２（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面図である。図３は、基板の室温での熱拡散率と成功最小値との関係を示すグラフである。図４は、体積抵抗率が、１０^−４Ω・ｃｍよりも高くなった試験体における基板の室温での熱拡散率と照射エネルギー密度との関係を示すグラフである。図５は、下記（２）式で表される光焼結処理での照射エネルギー密度の下限値と基板の室温での熱拡散率との関係を示すグラフである。図６は、基板の室温での熱拡散率と成功最大値との関係を示すグラフである。図７は、溶融が確認された試験体と剥離が確認された試験体とにおける基板の室温での熱拡散率と照射エネルギー密度との関係を示すグラフである。図８は、下記（３）式で表される光焼結処理での照射エネルギー密度の上限値と基板の室温での熱拡散率との関係を示すグラフである。

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。本発明の一実施形態に係る配線基板１０の製造方法は、光焼結処理を用いて配線基板１０を製造する方法である。この配線基板１０としては、メンブレンスイッチ等のフレキシブルプリント配線板を例示することができる。

図１は、本実施形態に係る配線基板１０の製造方法を説明するための工程図であり、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本実施形態に係る配線基板１０の製造方法を説明するための断面図である。

まず、図１のステップＳ１０において、図２（Ａ）に示すように、銅粒子又は貴金属粒子が分散された分散液を基板１２上に塗布することにより、銅粒子又は貴金属粒子が分散された液膜１４を基板１２上に形成する。基板１２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ＡＢＳ樹脂、ポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料、ガラス材料を例示することができる。

液膜１を構成する分散液は、銅粒子又は貴金属粒子、バインダ、溶剤を含有する。貴金属粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の粒子を例示することができる。銅粒子を含有する場合には、その含有率は、７０〜８０ｗｔ％であることが好ましい。貴金属粒子を含有する場合には、その含有率は、７５〜８５ｗｔ％であることが好ましい。

バインダとしては、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）形エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、アクリル樹脂等を例示することができる。バインダの含有率は、３〜７ｗｔ％であることが好ましい。溶剤としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート等のエステル系溶剤、エチレングリコール等の炭化水素系溶剤等を例示することができる。溶剤の含有率は、１０〜３０ｗｔ％であることが好ましい。

分散液を基板１２上に塗布する方法としては、特に限定されないが、接触塗布法又は非接触塗布法のいずれを用いてもよい。接触塗布法としては、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、グラビアオフセット印刷、フレキソ印刷等を例示することができる。非接触塗布法としては、インクジェット印刷、スプレー塗布法、ディスペンス塗布法、ジェットディスペンス法等を例示することができる。

なお、基板１２上への分散液の塗布回数は、特に１回に限定されず、分散液を基板１２上に複数回塗布してもよい。また、各回の塗布毎に、分散液の組成を異ならせてもよい。

次に、図１のステップＳ２０において、図２（Ｂ）に示すように、液膜１４を乾燥させて溶媒を除去することで、膜体１６を形成する。本工程では、液膜１４を形成した基板１２を、１００〜１２０℃の窒素雰囲気下において６０分間加熱する。溶剤が除去された膜体１６は、銅粒子又は金属粒子、及びバインダを含む層である。

次に、図１のステップＳ３０において、後述の光焼結処理で用いる光焼結装置１を調整する。光焼結装置１としては、特に限定されないが、キセノンランプ、水銀灯、メタルハイドランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、赤外線ランプ等を光源とするものや、レーザ照射装置等を例示することができる。光焼結装置１の光源から照射されるパルス光が含む波長成分としては、可視光線、紫外線、赤外線等を例示することができる。なお、パルス光が含む波長成分は、電磁波であれば特に限定されず、例えば、Ｘ線やマイクロ波等を含んでもよい。

本実施形態では、光焼結装置１として、ＮＯＶＡＣＥＮＴＲＩＸ社製の光焼成装置PulseForgeシリーズを使用する。本工程では、パルス光照射装置としての光焼結装置１の放射照度（単位面積当たりの照射エネルギー）（ｋＷ／ｍ^２）と、パルス照射時間（１パルス当りの照射時間）（μｓ）と、パルス照射間隔（μｓ）と、処理時間（ｍｓｅｃ）とを設定する。この処理時間（ｍｓｅｃ）は、照射がオン状態の時間（以下、照射時間という）（ｍｓｅｃ）と照射がオフの時間（ｍｓｅｃ）との合計時間である。

ここで、照射エネルギー密度（単位体積当たりの照射エネルギー量）Ｉ（ｋＪ／ｃｍ^３）が下記（１）式を満足するように、放射照度（ｋＷ／ｍ^２）と、パルス照射時間（１パルス当りの照射時間）（μｓ）と、パルス照射間隔（μｓ）と、処理時間（ｍｓｅｃ）とを設定する。
Ｉ_ｍｉｎ≦Ｉ≦Ｉ_ｍａｘ …（１）

上記（１）式のＩ_ｍｉｎは、下記（２）式を満足し、上記（１）式のＩ_ｍａｘは、下記（３）式を満足する。
Ｉ_ｍｉｎ＝１０５ln（ｘ）＋２１０ …（２）
Ｉ_ｍａｘ＝２８７ln（ｘ）＋５５２ …（３）
但し、Ｉ_ｍｉｎは、照射エネルギー密度の下限値であり、Ｉ_ｍａｘは、照射エネルギー密度の上限値であり、ｘは、基板１２の室温での熱拡散率（ｍｍ^２／ｓ）である。

基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ^２／ｓ）は下記（４）式を満足する。
ｘ＝ｋ／（ρ・Ｃ_ｐ） …（４）
但し、ｋは、基板１２の熱伝導率（Ｊ／（ｓ・ｍｍ・Ｋ））であり、ρは、基板１２の密度（ｋｇ／ｍｍ^３）であり、Ｃ_ｐは、基板１２の比熱容量（Ｊ／（ｋｇ・Ｋ））である。

照射エネルギー密度Ｉ（Ｊ／ｃｍ^３）は、下記（５）式で表される。
Ｉ＝Ｉ_Ａ・Ｉ_ｔ／ｔ …（５）
但し、Ｉ_Ａは、放射照度であり、Ｉ_ｔは、照射時間であり、ｔは、基板１２の厚さである。

次に、図１のステップＳ４０において、ステップＳ３０で設定した条件で、光焼結装置１により基板１２上の膜体１６に光焼結処理を施すことによって導電膜１８を形成する。図２（Ｃ）に示すように、本工程において、基板１２上の膜体１６に含まれる銅粒子又は貴金属粒子が焼結されることによって、導電膜１８が形成される。

ここで、本願の発明者は、以下に説明する実験を実施した結果、基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ^２／ｓ）に基づいて、照射エネルギー密度Ｉ（ｋＪ／ｃｍ^３）を設定することによって、基板１２の種類にかかわらず、光焼結処理における照射エネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制できるという知見を得た。以下、本願の発明者が実施した実験について説明する。

本実験では、下記表１に示す試験体１〜１９を作製し、これらの試験体１〜１９に対して照射エネルギー密度を増減させながら光焼結処理を施した後、基板１２の溶融の有無、基板１２からの導電膜１８の剥離の有無を目視にて確認し、導電膜１８の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。導電膜１８の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）は、導電膜１８のシート抵抗に導電膜１８の厚さを乗じた値である。導電膜１８のシート抵抗は、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製のロレスタＧＰＭＣＰ−Ｔ６１０型）を用いて測定した。また、導電膜１８の厚さは、マイクロメーターを用いて測定した。導電膜１８の体積抵抗率の評価では、メンブレンスイッチ等のフレキシブルプリント基板での使用を考慮して、１０^−４Ω・ｃｍ以上を高抵抗とした。

まず、下記Ａ、Ｂ、Ｃの分散液を作製した。
＜分散液Ａ＞
平均粒径５μｍの銅（Ｃｕ）粒子を７５ｗｔ％、ＢＰＡ型エポシキ樹脂を５ｗｔ％、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタートを２０ｗｔ％の比率で混合したもの
＜分散液Ｂ＞
平均粒径５μｍの銀（Ａｇ）粒子を８０ｗｔ％、ＢＰＡ型エポキシ樹脂を５ｗｔ％、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタートを１５ｗｔ％の比率で混合したもの
＜分散液Ｃ＞
平均粒径５μｍの銀（Ａｇ）粒子を８０ｗｔ％、ＢＰＡ型エポキシ樹脂を５ｗｔ％、エチレングリコールを１５ｗｔ％の比率で混合したもの

次に、分散液Ａ、Ｂ、Ｃの何れかを基板１２の一面に塗布した。塗布パターンはベタ塗であり、下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの基板１２を用いた。
＜基板Ａ＞
材料：ＰＥＴ、寸法（縦×横×厚み）：30ｍｍ×30ｍｍ×0.155ｍｍ、熱拡散率：0.16ｍｍ^２/ｓ
＜基板Ｂ＞
材料：ＡＢＳ、寸法（縦×横×厚み）：30ｍｍ×30ｍｍ×2.0ｍｍ、熱拡散率：0.17ｍｍ^２/ｓ
＜基板Ｃ＞
材料：ＰＩ、寸法（縦×横×厚み）：30ｍｍ×30ｍｍ×0.127ｍｍ、熱拡散率：0.21ｍｍ^２/ｓ
＜基板Ｄ＞
材料：無アルカリガラス、寸法（縦×横×厚み）：30ｍｍ×30ｍｍ×0.70ｍｍ、熱拡散率：0.60ｍｍ^２/ｓ

次に、分散液Ａ、Ｂ、Ｃの何れかによる液膜１４が形成された基板１２を、１００℃の窒素雰囲気下において６０分間加熱して液膜１４を乾燥させることによって、基板１２上に膜体１６を形成した。最後に、基板１２上に形成された膜体１６に光焼結処理を施すことによって、基板１２上に導電膜１８を形成した。光焼結処理は、novacentrix社製のPulseForge1300を用いて行った。

以上のようにして作製された試験体１〜１９の仕様、光焼結処理の条件、導電膜１８の抵抗値（体積抵抗率（Ω・ｃｍ））の測定結果、及び剥離・溶融の評価結果を、表１にまとめた。なお、導電膜１８の基板１２からの剥離は、光焼結処理の後に、導電膜１８が基板１２から浮き上がったり飛散したりしているか否かを目視で確認した。また、基板１２の溶融は、光焼結処理の後に、基板１２の表面に波形状の変形が生じたか否かを目視で確認した。

表１に示すように、試験体１〜１４では、導電膜１８の体積抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下となり、導電膜１８の基板１２からの剥離や基板１２の溶融は生じなかった。この結果から、試験体１〜１４の光焼結処理では、照射光のエネルギー量の過不足は生じなかったことを確認できる。一方、試験体１５〜１７では、導電膜１８の基板１２からの剥離や基板１２の溶融は生じなかったものの、導電膜１８の体積抵抗率が、１０^−４Ω・ｃｍよりも高くなった。この結果から、試験体１５〜１７の光焼結処理では、照射光のエネルギー量が不足したことを確認できる。また、試験体１８では、基板１２の溶融が生じ、試験体１９では、導電膜１８の基板１２からの剥離が生じた。なお、試験体１８、１９の体積抵抗率は測定できなかった。これらの結果から、試験体１８、１９の光焼結処理では、照射光のエネルギー量が過剰であったことを確認できる。

以上の実験結果に基づいて、本願の発明者は、光焼結処理での照射エネルギー密度Ｉの最適値について検討した。まず、光焼結処理での照射エネルギー密度の下限値Ｉ_ｍｉｎの設定方法について説明する。

体積抵抗率と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＡである試験体１、２、７、８、１０、１１のうち、照射エネルギー密度が最小であるのが試験体１０である。また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＢである試験体３、１２のうち、照射エネルギー密度が最小であるのが試験体１２である。また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＣである試験体９、１３のうち、照射エネルギー密度が最小であるのが試験体１３である。さらに、また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＤである試験体４、５、６、１４のうち、照射エネルギー密度が最小であるのが試験体５である。

以下、試験体１０の照射エネルギー密度を基板Ａの成功最小値と称し、試験体１２の照射エネルギー密度を基板Ｂの成功最小値と称し、試験体１３の照射エネルギー密度を基板Ｃの成功最小値と称し、試験体５の照射エネルギー密度を基板Ｄの成功最小値と称する。

図３は、基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘと成功最小値Ｉ_{ｍｉｎ＿ｓ}との関係を示すグラフである。このグラフに示すように、基板Ａ〜Ｄの熱拡散率ｘと成功最小値Ｉ_{ｍｉｎ＿ｓ}との関係は、下記（７）式で表される近似曲線で示される。
Ｉ_{ｍｉｎ＿ｓ}＝１３６．５８×ln（ｘ）＋２６９．７４ …（６）

図４は、体積抵抗率が、１０^−４Ω・ｃｍよりも高くなった試験体１５（基板Ｂ）、試験体１６（基板Ｄ）、試験体１７（基板Ｃ）の室温での熱拡散率ｘと照射エネルギー密度との関係を示すグラフである。以下、体積抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍよりも高くなった試験体の照射エネルギー密度を、下限越え値と称する。このグラフに示すように、基板Ｂ、Ｃ、Ｄの熱拡散率ｘと下限越え値Ｉ_{ｍｉｎ＿ｆ}との関係は、下記（７）式で表される近似曲線で示される。
Ｉ_{ｍｉｎ＿ｆ}＝７４．０５８×ln（ｘ）＋１４９．４１ …（７）

図５は、上記（２）式で表される光焼結処理での照射エネルギー密度の下限値Ｉ_ｍｉｎと基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘとの関係を示すグラフである。ここで、光焼結処理での照射エネルギー密度の下限値Ｉ_ｍｉｎと基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘとの関係を示す近似曲線は、基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘと成功最小値Ｉ_{ｍｉｎ＿ｓ}との関係を示す上記（６）式の近似曲線と、基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘと下限越え値Ｉ_{ｍｉｎ＿ｆ}との関係を示す上記（７）式の近似曲線との中間を通る曲線である。具体的には、上記（２）式の傾き（１０５）は、上記（６）式の傾き（１３６．５８）と上記（７）式の傾き（７４．０５８）との相加平均である。また、上記（２）式の切片（２１０）は、上記（６）式の切片（２６９．７４）と上記（８）式の切片（１４９．４１）との相加平均である。

次に、光焼結処理での照射エネルギー密度の上限値Ｉ_ｍａｘの設定方法について説明する。

抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＡである試験体１、２、７、８、１０、１１のうち、照射エネルギー密度が最大であるのが試験体１１である。また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＢである試験体３、１２のうち、照射エネルギー密度が最大であるのが試験体３である。また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＣである試験体９、１３のうち、照射エネルギー密度が最大であるのが試験体９である。さらに、また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＤである試験体４、５、６、１４のうち、照射エネルギー密度が最大であるのが試験体６である。

以下、試験体１１の照射エネルギー密度を基板Ａの成功最大値と称し、試験体３の照射エネルギー密度を基板Ｂの成功最大値と称し、試験体９の照射エネルギー密度を基板Ｃの成功最大値と称し、試験体６の照射エネルギー密度を基板Ｄの成功最大値と称する。

図６は、基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘと成功最大値Ｉ_{ｍａｘ＿ｓ}との関係を示すグラフである。このグラフに示すように、基板Ａ〜Ｄの熱拡散率ｘと成功最大値Ｉ_{ｍａｘ＿ｓ}との関係は、下記（８）式で表される近似曲線で示される。
Ｉ_{ｍａｘ＿ｓ}＝２６０．０１×ln（ｘ）＋４９０．６８ …（８）

図７は、溶融が確認された試験体１８（基板Ａ）、剥離が確認された試験体１９（基板Ｃ）の室温での熱拡散率ｘと照射エネルギー密度との関係を示すグラフである。以下、溶融又は剥離が確認された試験体の照射エネルギー密度を、上限越え値と称する。このグラフに示すように、基板Ａ、Ｃの熱拡散率ｘと上限越え値Ｉ_{ｍａｘ＿ｆ}との関係は、下記（９）式で表される近似曲線で示される。
Ｉ_{ｍａｘ＿ｆ}＝３１４．６７×ln（ｘ）＋６１３．１９ …（９）

図８は、上記（３）式で表される光焼結処理での照射エネルギー密度の上限値Ｉ_ｍａｘと基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘとの関係を示すグラフである。ここで、光焼結処理での照射エネルギー密度の上限値Ｉ_ｍａｘと基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘとの関係を示す近似曲線は、基板Ａ〜Ｄの熱拡散率ｘと成功最大値Ｉ_{ｍａｘ＿ｓ}との関係を示す上記（８）式の近似曲線と、基板Ａ〜Ｄの熱拡散率ｘと上限越え値Ｉ_{ｍａｘ＿ｆ}との関係を示す上記（９）式の近似曲線との中間を通る曲線である。具体的には、上記（３）式の傾き（２８７）は、上記（８）式の傾き（２６０．０１）と上記（９）式の傾き（３１４．６７）との相加平均である。また、上記（３）式の切片（５５２）は、上記（８）式の切片（４９０．６８）と上記（９）式の切片（６１３．１９）との相加平均である。

即ち、本願の発明者は、光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ^３）の過少な範囲と基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ^２／ｓ）との間に相関関係があると共に、光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ^３）の過剰な範囲と基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ^２／ｓ）との間に相関関係があるとの新規な知見を実験により得た。そこで、本願の発明者は、光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ^３）の下限値Ｉ_ｍｉｎ及び上限値Ｉ_ｍａｘを、基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ^２／ｓ）を変数とする近似曲線で規定した。これにより、基板１２の種類にかかわらず、照射エネルギー量の過不足に起因する光焼結処理での不良の発生を抑制できる。

本実施形態における「配線基板１０」が本実施形態における「配線基板」の一例に相当し、本実施形態における「基板１２」が本発明における「基板」の一例に相当し、本実施形態における「液膜１４」が本発明における「液膜」の一例に相当し、本実施形態における「膜体１６」が本発明における「膜体」の一例に相当し、本実施形態における「導電膜１８」が本発明における「導電膜」の一例に相当する。

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

１…光焼結装置
１０…配線基板
１２…基板
１４…液膜
１６…膜体
１８…導電膜

Claims

銅粒子又は貴金属粒子が分散された液膜を基板上に形成し、
前記基板上に形成された前記液膜を乾燥させて膜体を形成し、
前記基板上に形成された前記膜体に光焼結処理を施すことにより、前記基板上に導電膜を形成する配線基板の製造方法であって、
下記（１）〜（３）式を満足する配線基板の製造方法。
Ｉ_ｍｉｎ≦Ｉ≦Ｉ_ｍａｘ …（１）
Ｉ_ｍｉｎ＝１０５ln（ｘ）＋２１０ …（２）
Ｉ_ｍａｘ＝２８７ln（ｘ）＋５５２ …（３）
但し、Ｉは、前記光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ^３）であり、Ｉ_ｍｉｎは、前記照射光のエネルギー密度の下限値であり、Ｉ_ｍａｘは、前記照射光のエネルギー密度の上限値であり、ｘは、前記基板の熱拡散率（ｍｍ^２／ｓ）である。
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記光焼結処理における前記照射光のエネルギー密度Ｉを調整する工程を備える配線基板の製造方法。