CN104659060A - 阵列基板和制造该阵列基板的方法 - Google Patents

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Abstract

阵列基板和制造该阵列基板的方法。一种阵列基板包括：基板；薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间；所述薄膜晶体管上的钝化层；所述像素区域中的所述钝化层上的第一电极；以及第一氢吸收层，该第一氢吸收层在所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上，该第一氢吸收层包括多个微粒，所述多个微粒彼此间隔开并且包括镍、钯和铂中的一种。

Description

阵列基板和制造该阵列基板的方法
技术领域
本公开涉及阵列基板，并且更具体地，涉及一种通过阻止氢流入到薄膜晶体管的氧化物半导体层中来防止氧化物半导体层的劣化的阵列基板和一种制造该阵列基板的方法。
背景技术
最近，随着信息社会进步，处理和显示大量信息的显示装置迅速地发展，并且已开发了各种平板显示器(FPD)。具体地，在薄外形、轻重量和低功耗方面具有优良性能的诸如液晶显示器(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置和场发射显示器(FED)装置的FPD已取代阴极射线管(CRT)。
在各种FPD当中，具有高对比度、显示运动图像方面的优点和低功耗的LCD装置已用在诸如笔记本、监视器和电视机的各种领域中。LCD装置使用液晶分子的光学各向异性和极化特性。因为液晶分子具有长且薄的外形，所以液晶分子具有布置定向的光学各向异性和极化，使得液晶分子的布置方向根据电场的强度而改变。
另外，OLED显示装置具有诸如高亮度和由低电压驱动的能力的优良特性。因为OLED显示装置具有发射类型，所以OLED显示装置具有高对比度和薄外形。OLED显示装置由于数微秒(μsec)的短响应时间而在显示运动图像方面具有优点。OLED显示装置对视角没有限制，并且即便在低温度下也是稳定的。因为OLED显示装置由直流(DC)的5V至15V的低电压驱动，所以易于制造和设计驱动电路。
LCD装置和OLED显示装置包括具有用于接通和断开像素区域的薄膜晶体管(TFT)的阵列基板。彼此交叉以限定像素区域的选通线和数据线形成在阵列基板上。另外，至少一个TFT形成在像素区域中。TFT当作用于接通和断开像素区域的开关元件并且当作用于驱动像素区域以显示图像的驱动元件。具体地，至少两个TFT形成在用于OLED显示装置的阵列基板的像素区域中。
像素区域中的TFT具有根据用于半导体层的材料的各种结构。半导体层可以包括非晶硅、氧化物半导体材料和多晶硅中的一种，并且阵列基板包括根据用于半导体层的材料而具有顶栅结构或底栅结构的TFT。
在具有各种材料的半导体层的TFT当中，具有氧化物半导体材料的氧化物半导体层的TFT是最近研究的主题。
具有氧化物半导体层的TFT的载流子的导电性优于具有非晶硅的半导体层的TFT。另外，具有氧化物半导体层的TFT与具有要求掺杂有杂质的多晶硅半导体层的TFT相比具有简化的制造工艺。
然而，具有氧化物TFT的阵列基板包括在氧化物半导体层上方或下方的有机材料或无机材料的多个绝缘层，诸如栅绝缘层、蚀刻阻挡层(etch stopper)和钝化层。另外，用于OLED显示装置的阵列基板还包括平整层(planarization layer)和堤层(banklayer)。
该多个绝缘层(具体地，氮化硅的绝缘层)具有大量氢，并且该多个绝缘层的氢扩散到氧化物半导体层中。结果，氧化物半导体层由于氢而劣化并且氧化物半导体层的使用寿命降低。另外，因为氢将氧化物半导体层改变为导体，所以氧化物半导体层不充当半导体层。结果，具有氧化物半导体层的TFT的特性劣化。
此外，TFT的电流和电压特性沿着负方向偏移(负阈值电压偏移)。当TFT的电流和电压特性沿着负方向偏移时，使用TFT作为驱动元件的发光二极管根据OLED显示装置中的位置而具有不同的发射亮度特性，并且OLED显示装置的显示质量由于亮度的非均匀性而劣化。
发明内容
本发明的实施方式涉及一种阵列基板和制造该阵列基板的方法。因此，一个示例性实施方式致力于一种基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个问题的阵列基板。
一个示例性实施方式是一种阵列基板以及制造该阵列基板的方法，在该阵列基板中，氢从绝缘层到氧化物半导体层中的扩散被抑制，使得能够防止氧化物半导体层的劣化并且能够防止薄膜晶体管的特性的劣化。
另外，一个示例性实施方式是一种阵列基板以及制造该阵列基板的方法，在该阵列基板中，氢从绝缘层到氧化物半导体层中的扩散被抑制，使得能够防止薄膜晶体管的电流和电压特性的负偏移。
本公开的优点和特征将在以下的说明书中部分地阐述，并且部分地对于研究了下文的本领域普通技术人员而言将变得显而易见，或者可以从本发明的实践中学习到。本文的实施方式的其它优点和特征可以由在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
为了依照根据本发明的一个方面的目的实现其它优点和特征，一个示例性实施方式是一种阵列基板，该阵列基板包括：包括像素区域的基板；所述像素区域中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及彼此间隔开的源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间；所述薄膜晶体管上的钝化层，该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔；所述像素区域中的所述钝化层上的第一电极，该第一电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极；以及第一氢吸收层，该第一氢吸收层在所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上，该第一氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒，该多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
在另一方面中，一个示例性实施方式是一种制造阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：在基板上的像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及彼此间隔开的源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间；在所述薄膜晶体管上形成钝化层，该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔；在所述像素区域中的所述钝化层上形成第一电极，该第一电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极；以及在所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上形成第一氢吸收层，该第一氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒，该多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
应当理解，以上总体描述和以下详细描述这二者都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本描述一起用来说明本发明的原理。
图1A至图1M是示出了制造根据本发明的第一实施方式的阵列基板的方法的截面图。
图2是示出了根据本发明的第一实施方式的阵列基板的氢吸收层的界面的截面图。
图3是示出了根据本发明的第二实施方式的阵列基板的氢吸收层的界面的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明的实施方式，其示例被例示在附图中。在以下描述中，当确定与本文献有关的公知的功能或配置的详细描述会不必要地使本发明的要点变得不清楚时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进度是示例；然而，除了必须以特定顺序发生的步骤和/或操作之外，步骤和/或操作的顺序不限于本文所阐述的顺序，并且可以如本领域公知的那样改变。相同的附图标记始终标明相同的元件。仅为了撰写本说明书的方便而选择以下说明中使用的相应元件的名称，进而这些名称可以与实际产品中使用的那些名称不同。
图1A至图1M是示出了制造根据本发明的第一实施方式的阵列基板的方法的截面图。
在图1A中，在第一金属层(未示出)通过沉积金属材料被形成在基板110上之后，选通线(未示出)和连接至该选通线的栅电极115通过经由光刻工艺使第一金属层图案化而形成在基板110上。基板110可以包括诸如玻璃或塑料的透明绝缘材料。用于选通线和栅电极115的金属材料可以包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金(例如，铝钕(AlNd))、钼(Mo)和钼合金(例如，钼钛(MoTi))中的至少一种。选通线和栅电极115可以具有单层结构或多层结构。光刻工艺可以包括光致抗蚀剂的涂覆步骤、使用光掩模的曝光步骤、已曝光光致抗蚀剂的显影步骤、使用光致抗蚀剂图案的第一金属层的蚀刻步骤以及光致抗蚀剂图案的剥离步骤。
在图1B中，在具有选通线和栅电极115的基板110被布置在化学气相沉积(CVD)设备的室193中之后，二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的栅绝缘层118通过利用反应气体产生等离子体而形成在整个基板110上。例如，反应气体可以包括硅烷(SiH4)和一氧化二氮(N2O)的混合物或硅烷(SiH4)和氨(NH3)的混合物。
在图1C中，第一氢吸收层120通过沉积诸如镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)的金属材料而形成在二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的栅绝缘层118上。第一氢吸收层120可以具有大约至大约(优选地，大约至大约)的厚度。
可以在溅射设备的室195中形成第一氢吸收层120。大约的第一氢吸收层120可能不被肉眼检查到，并且可以由用于金属材料的分析器检测到。因此，第一氢吸收层120可能不形成为具有大约至大约的均匀厚度。替代地，第一氢吸收层120可以被形成为具有金属材料的微粒121。
因为第一氢吸收层120包括彼此间隔开的微粒121，所以第一氢吸收层120不具有导电性。例如，即便当电压被施加于第一氢吸收层120的两个点时，电流也不在这两个点之间流动，因为微粒121未彼此电连接。
诸如镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)的金属材料的第一氢吸收层120可以吸收从诸如栅绝缘层118的绝缘层扩散的氢，以抑制氢到(图1D的)氧化物半导体层123中的渗透。
用于第一氢吸收层120的金属材料可以具有与氢的高亲和力。当用于第一氢吸收层120的金属材料遇到氢时，用于第一氢吸收层120的金属材料可以与氢结合以构成存储氢的间隙化合物(interstitial compound)。例如，镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)中的每一种都可以吸收并且存储其容积的大约10倍至大约900倍的氢。当用于第一氢吸收层120的金属材料吸收氢以构成间隙化合物时，金属材料的导电性几乎被去除，使得间隙化合物的金属材料具有绝缘特性。
因此，因为第一氢吸收层120被形成为使微粒彼此分离，所以第一氢吸收层120不具有导电性。另外，因为第一氢吸收层120吸收来自栅绝缘层118的氢以构成间隙化合物，所以第一氢吸收层120具有绝缘特性。
尽管在第一实施方式中第一氢吸收层120形成在栅绝缘层118上，但是在其它实施方式中第一氢吸收层可以形成在栅电极115与栅绝缘层118之间。例如，第一氢吸收层可以形成在具有选通线和栅电极115的整个基板上。另选地，在第一氢吸收层可以形成在具有第一金属层的整个基板上之后，可以使第一金属层和第一氢吸收层图案化，使得第一氢吸收图案选择性地形成在选通线和栅电极115上。另外，在另一实施方式中，第一氢吸收层可以形成在栅绝缘层118上方和下方。
在形成包括氢的无机绝缘材料的绝缘层之前或之后，诸如镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)的具有与氢的高亲和力的金属材料的第一氢吸收层120形成在绝缘层下方或上方，以包括彼此分离的微粒121。第一氢吸收层120可以被形成为与(图1D的)氧化物半导体层123相邻，使得能够通过第一氢吸收层120来防止氢到氧化物半导体层123中的渗透。
在图1D中，在氧化物半导体材料层(未示出)通过沉积氧化物半导体材料而形成在第一氢吸收层120上之后，岛状的氧化物半导体层123通过经由光刻工艺使氧化物半导体材料层图案化而形成在栅电极115上方的第一氢吸收层120上。氧化物半导体材料可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)和锌铟氧化物(ZIO)中的一种。
氧化物半导体层123的载流子浓度根据氧化物半导体层123的氧空位的量而改变，并且具有氧化物半导体层123的薄膜晶体管(TFT)的充电特性根据载流子浓度而改变。另外，当氢在制造工艺期间或者在制造工艺之后渗透到氧化物半导体层123中时，氧化物半导体层123的导电性增加，使得氧化物半导体层123的半导体特性劣化。结果，TFT的诸如开关特性和驱动特性的固有特性劣化。
此外，当氢渗透到氧化物半导体层123中时，具有氧化物半导体层123的TFT的电流电压特性在电流电压特性图中沿着负方向偏移(负阈值电压(Vth)偏移)，并且显示装置的亮度劣化。
然而，在根据本发明的第一实施方式的阵列基板中，因为具有镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)中的一种的微粒121的第一氢吸收层120抑制氢从栅绝缘层118渗透到氧化物半导体层123中，所以防止了TFT的特性的劣化。
在图1E中，第二氢吸收层125通过沉积诸如镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)的金属材料而形成在氧化物半导体层123上。第二氢吸收层125可以具有大约至大约(优选地，大约至大约)的厚度，使得第二氢吸收层125包括彼此分离的金属材料的微粒121。
尽管在第一实施方式中第二氢吸收层125形成在氧化物半导体层123上，但是在另一实施方式中第二氢吸收层可以形成在无机绝缘材料的(图1F的)蚀刻阻挡层128上。
在图1F中，在无机绝缘材料层(未示出)通过沉积无机绝缘材料而形成在具有氧化物半导体层123的整个基板上之后，岛状的蚀刻阻挡层128通过经由光刻工艺使无机绝缘材料层图案化而形成在氧化物半导体层123上。无机绝缘材料可以包括二氧化硅(SiO2)。
尽管在第一实施方式中蚀刻阻挡层128具有覆盖氧化物半导体层123的中央部分并且暴露氧化物半导体层123的端部的岛状，但是在另一实施方式中蚀刻阻挡层可以具有覆盖具有氧化物半导体层123的基板110的整个表面并且半导体接触孔暴露氧化物半导体层123的端部的板状。另外，在另一实施方式中，在形成了蚀刻阻挡层128之后，镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)中的一种的第三氢吸收层可以形成在蚀刻阻挡层128上。
在图1G中，在第二金属层(未示出)通过沉积金属材料而形成在蚀刻阻挡层128上之后，通过经由光刻工艺使第二金属层图案化来形成数据线(未示出)、源电极133和漏电极136。数据线与选通线交叉以限定像素区域P，并且源电极133和漏电极136在蚀刻阻挡层128上彼此间隔开。用于数据线、源电极133和漏电极136的金属材料可以包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金(例如，铝钕(AlNd))、钼(Mo)和钼合金(例如，钼钛(MoTi))中的至少一种。数据线、源电极133和漏电极136可以具有单层结构或多层结构。
源电极133和漏电极136接触暴露在蚀刻阻挡层128外部的氧化物半导体层123的端部。当蚀刻阻挡层128具有暴露氧化物半导体层123的端部的半导体接触孔时，源电极133和漏电极136可以通过半导体接触孔来接触氧化物半导体层123的端部。
栅电极115、栅绝缘层118、第一氢吸收层120、氧化物半导体层123、蚀刻阻挡层128、源电极133和漏电极136构成薄膜晶体管(TFT)Tr。
尽管未示出，但是TFT Tr可以是用于有机发光二极管(OLED)显示装置的阵列基板的驱动TFT，并且具有与驱动TFT相同的结构的开关TFT可以形成在用于OLED显示装置的阵列基板上。另外，TFT Tr可以是用于液晶显示器(LCD)装置的阵列基板的开关TFT。用于OLED显示装置或LCD装置的阵列基板的开关TFT可以具有连接至选通线的栅电极和连接至数据线的源电极。此外，用于OLED显示装置的阵列基板可以包括与选通线或数据线平行的电力线，并且具有与选通线或数据线相同的层。
在图1H中，钝化层140通过沉积诸如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料而形成在TFT Tr上。在另一实施方式中，第三氢吸收层可以形成在钝化层140下方或上方。
在图1I中，在具有平顶面的平整层150通过沉积诸如感光丙烯(photoacryl)的有机绝缘材料而形成在钝化层上之后，平整层150和钝化层140被图案化以形成暴露TFT Tr的漏电极136的漏接触孔153。
在图1J中，在透明导电材料层(未示出)或第三金属层(未示出)通过沉积透明导电材料或金属材料而形成在平整层150上之后，第一电极160通过经由光刻工艺使透明导电材料层或第三金属层图案化而形成在像素区域P中。透明导电材料可以包括具有相对高的功函数的铟锡氧化物(ITO)，并且金属材料可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)中的一种。第一电极160通过漏接触孔153连接至TFT Tr的漏电极136。
在图1K中，在有机绝缘材料层(未示出)通过涂覆有机绝缘材料而形成在第一电极160上之后，堤层163通过经由光刻工艺使有机材料层图案化而形成在第一电极160和平整层150上。有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺或树脂。堤层163可以覆盖第一电极160的边界部分并且可以暴露第一电极160的中央部分。
在图1L中，发射材料层165形成在通过堤层163暴露的第一电极160上。可以通过使用阴影掩模的热蒸发方法、通过喷墨方法或者通过喷嘴涂覆方法来形成发射材料层165。发射材料层165可以在不同的像素区域中包括不同的材料，以发射红色、绿色和蓝色光或者红色、绿色、蓝色和白色光。
尽管未示出，但是单层结构或多层结构的第一辅助发射层可以形成在发射材料层165下方，并且单层结构或多层结构的第二辅助发射层可以形成在发射材料层165上方。当第一电极160是(图1M的)发光二极管E的阳极时，第一辅助发射层可以包括顺序地形成在第一电极160上的空穴注入层和空穴传输层，第二辅助发射层可以包括顺序地形成在发射材料层165上的电子传输层和电子注入层。
在另一实施方式中，第一辅助发射层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的一个，第二辅助发射层可以包括电子传输层和电子注入层中的一个。在另一实施方式中，第一辅助发射层可以进一步包括电子阻挡层，第二辅助发射层可以进一步包括空穴阻挡层。另外，当第一电极160是发光二极管E的阴极时，第一辅助发射层可以形成在发射材料层165上方，第二辅助发射层可以形成在发射材料层165下方。
在图1M中，在透明导电材料层(未示出)或第四金属层(未示出)通过沉积透明导电材料或金属材料而形成在发射材料层165上之后，第二电极168通过经由光刻工艺使透明导电材料层或第四金属层图案化而形成基板110的整个表面上。透明导电材料可以包括具有相对高的功函数的铟锡氧化物(ITO)，金属材料可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)中的一种。
第一电极160、发射材料层165和第二电极168构成发光二极管E。尽管未示出，但是滤色器(color filter)层可以形成在钝化层140与平整层150之间的像素区域P中。滤色器层可以包括顺序地且重复地布置在像素区域P中的红色、绿色和蓝色滤色器。
当滤色器层形成在钝化层140与平整层150之间时，发射材料层165可以形成在基板110的整个表面上以发射白色光，并且OLED显示装置可以通过使用通过红色、绿色和蓝色滤色器的光来显示全彩色图像。在另一实施方式中，阵列基板可以具有滤色器层未形成为显示白色的像素区域，并且OLED显示装置可以利用红色、绿色、蓝色和白色光来显示图像，以改进对比度。
当基板110是用于LCD装置的阵列基板时，堤层163、发射材料层165和第二电极168被省略，并且第一电极160可以在没有平整层150的情况下形成在钝化层140上。另外，绝缘层和公共电极可以顺序地形成在第一电极160上，并且公共电极可以具有各自具有条状的多个开口。
在根据本发明的第一实施方式的阵列基板中，具有与氢的相对高的亲和力的金属材料的氢吸收层120和125可以形成在具有氢的无机绝缘层118和128下方或上方。氢吸收层120和125可以包括镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)中的一种。另外，氢吸收层120和125可以具有大约至大约(优选地，大约至大约)的厚度，以使微粒121彼此分离。因为来自无机绝缘层118和128的氢被氢吸收层120和125吸收，所以氢从无机绝缘层118和128到氧化物半导体层123中的渗透被抑制。结果，防止了由于氢的流入而导致的氧化物半导体层123的劣化，并且防止了TFT Tr的特性的劣化。此外，因为防止了TFT Tr的电流和电压特性的负偏移，所以防止了由于非均匀亮度而导致的显示质量的劣化。
图2是示出了根据本发明的第一实施方式的阵列基板的氢吸收层的界面的截面图。
在图2中，氢吸收层可以形成在栅电极115与栅绝缘层118之间的第一界面IF1、栅绝缘层118与氧化物半导体层123之间的第二界面IF2、氧化物半导体层123与蚀刻阻挡层128之间的第三界面IF3、蚀刻阻挡层128与源电极133和漏电极136之间的第四界面IF4、源电极133和漏电极136与钝化层140之间的第五界面IF5以及钝化层140与平整层150之间的第六界面IF6中的至少一个内。因此，氢吸收层可以形成在栅绝缘层118的顶面和底面、蚀刻阻挡层128的顶面和底面以及钝化层140的顶面和底面中的至少一个上。
例如，氢吸收层可以形成在氧化物半导体层123下方的第一界面IF1和第二界面IF2中的至少一个内以及氧化物半导体层123上方的第三界面IF3至第六界面IF6中的至少一个内，使得能够阻挡来自氧化物半导体层123下方的栅绝缘层118的氢以及来自氧化物半导体层123上方的蚀刻阻挡层128和钝化层140的氢。
尽管在第一实施方式中氢吸收层形成在具有交错型TFT Tr的基板110上，但是在另一实施方式中氢吸收层可以形成在具有共面型TFT的基板上。
图3是示出了根据本发明的第二实施方式的阵列基板的氢吸收层的界面的截面图。
在图3中，共面型薄膜晶体管(TFT)Tr形成在基板210上。TFT Tr包括氧化物半导体层213、栅绝缘层218、栅电极219、层间绝缘层221以及源电极233和漏电极236。层间绝缘层221包括暴露氧化物半导体层213的两个端部的半导体接触孔224，并且彼此间隔开的源电极233和漏电极236通过半导体接触孔224连接至氧化物半导体层213。
无机绝缘材料的钝化层240形成在TFT Tr上，并且平整层250、堤层263和发光二极管E形成在钝化层240上。尽管未示出，但是无机绝缘材料的缓冲层可以形成在基板210与氧化物半导体层213之间。
尽管未示出，但是氢吸收层可以形成在氧化物半导体层213与栅绝缘层218之间的第一界面IF1、栅绝缘层218与栅电极219之间的第二界面IF2、栅电极219与层间绝缘层221之间的第三界面IF3、层间绝缘层221与源电极233和漏电极236之间的第四界面IF4、源电极233和漏电极236与钝化层240之间的第五界面IF5以及钝化层240与平整层250之间的第六界面IF6中的至少一个内。因此，氢吸收层可以形成在栅绝缘层218的顶面和底面、层间绝缘层221的顶面和底面以及钝化层240的顶面和底面中的至少一个上。
例如，氢吸收层可以形成在氧化物半导体层213上方的第一界面IF1至第六界面IF6中的至少一个内，使得能够阻挡来自氧化物半导体层213上方的栅绝缘层218、层间绝缘层221和钝化层240的氢。
氢吸收层可以包括诸如镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)的金属材料并且可以具有大约至大约(优选地，大约至大约)的厚度，使得氢吸收层具有彼此分离的金属材料的微粒121。
在根据本发明的第二实施方式的阵列基板中，具有与氢的相对高的亲和力的金属材料的氢吸收层可以形成在具有氢的无机绝缘层218、221和240下方或上方。氢吸收层可以包括镍(Ni)、钯(Pd)和铂(Pt)中的一种。另外，氢吸收层可以具有大约至大约(优选地，大约至大约)的厚度，以使微粒彼此分离。因为来自无机绝缘层218、221和240的氢被氢吸收层吸收，所以氢从无机绝缘层218、221和240到氧化物半导体层213中的渗透被抑制。结果，防止了由于氢的流入而导致的氧化物半导体层213的劣化，并且防止了TFT Tr的特性的劣化。此外，因为防止了TFT Tr的电流和电压特性的负偏移，所以防止了由于非均匀亮度而导致的显示质量的劣化。
以上已经描述了许多示例。然而，应当理解，可以做出各种修改。例如，如果以不同的顺序执行所描述的技术以及/或者如果描述的系统、架构、装置或电路中的部件被以不同的方式组合和/或被其它部件或它们的等同物代替或补充，则可以实现适合的结果。因此，其它实现在以下权利要求的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年11月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0143736的权益，通过引用将其全部内容并入本文。

Claims (20)

1.一种阵列基板，该阵列基板包括：
包括像素区域的基板；
所述像素区域中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及彼此间隔开的源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间；
所述薄膜晶体管上的钝化层，该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔；
所述像素区域中的所述钝化层上的第一电极，该第一电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极；以及
第一氢吸收层，该第一氢吸收层位于所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上，该第一氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒，所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一氢吸收层吸收从所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述钝化层扩散的氢，以构成存储所述氢的间隙化合物。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述间隙化合物具有绝缘特性。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘层位于所述栅电极与所述氧化物半导体层之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的蚀刻阻挡层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述蚀刻阻挡层具有覆盖所述氧化物半导体层的中央部分的岛状和覆盖具有所述氧化物半导体层的所述基板的整个表面并且半导体接触孔暴露所述氧化物半导体层的端部的板状中的一个。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘层位于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的层间绝缘层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，该阵列基板还包括所述基板与所述氧化物半导体层之间的无机绝缘材料的缓冲层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，该阵列基板还包括所述缓冲层的顶面和底面中的一个上的第二氢吸收层，其中，该第二氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒，并且所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括：
所述第一电极上的堤层，该堤层覆盖所述第一电极的边界部分；
所述第一电极上的发射材料层；以及
所述发射材料层上的第二电极。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，该阵列基板还包括所述钝化层上的平整层，其中，所述平整层和所述钝化层具有所述漏接触孔，并且所述第一电极被布置在所述平整层上。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，该阵列基板还包括所述钝化层与所述平整层之间的滤色器层。
12.一种制造阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上的像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及彼此间隔开的源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间；
在所述薄膜晶体管上形成钝化层，该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔；
在所述像素区域中的所述钝化层上形成第一电极，该第一电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极；以及
在所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上形成第一氢吸收层，该第一氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒，所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一氢吸收层的步骤包括以下步骤：沉积包括镍、钯和铂中的一种的金属材料，使得所述第一氢吸收层具有大约至大约的厚度。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘层位于所述栅电极与所述氧化物半导体层之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的蚀刻阻挡层。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘层位于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的层间绝缘层。
16.根据权利要求15所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述基板与所述氧化物半导体层之间形成无机绝缘材料的缓冲层。
17.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成被布置在所述缓冲层的顶面和底面中的一个上的第二氢吸收层，其中，该第二氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒，并且所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
18.根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在所述第一电极上形成堤层，该堤层覆盖所述第一电极的边界部分；
在所述第一电极上形成发射材料层；以及
在所述发射材料层上形成第二电极。
19.根据权利要求18所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述钝化层上形成平整层，其中，所述平整层和所述钝化层具有所述漏接触孔，并且所述第一电极被布置在所述平整层上。
20.根据权利要求19所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述钝化层与所述平整层之间形成滤色器层。
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