CN104347536B - 晶片封装体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一晶片，具有上表面、下表面及侧壁，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构，位于信号接垫区外侧，并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。一接线，具有第一端点及第二端点，其中第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接。本发明可以降低晶片封装体中的封装层的覆盖厚度，增加感测区的敏感度，并且可以维持基底的结构强度。

Description

晶片封装体及其制造方法
技术领域
本发明有关于一种晶片封装技术，特别为有关于一种晶片封装体及其制造方法。
背景技术
晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使其免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。
传统具有感测功能的晶片封装体，如图4所揭示的指纹辨识晶片封装体，是将指纹辨识晶片520置于印刷电路板510上，并通过多条接线530自晶片520上表面的接垫区焊接至印刷电路板510上，之后再以封装层540覆盖指纹辨识晶片520。由于接线530突出的高度使得封装层540的厚度无法降低，为了避免因封装层540太厚而影响感测区523的敏感度，封装后的指纹辨识晶片520的周围侧边高度设计成高于中央的感测区523，因此无法形成平坦表面。此外，由于接线530邻近于指纹辨识晶片520的边缘，因此容易于焊接过程中因碰触晶片边缘而造成短路或断线，致使良率下降。
因此，有必要寻求一种新颖的晶片封装体及其制造方法，以降低封装层的厚度，进而提升晶片封装体的感测灵敏度，并提供一种具有扁平化接触表面的晶片封装体。
发明内容
本发明实施例提供一种晶片封装体，包括一晶片，具有上表面、下表面及侧壁，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构，位于信号接垫区外侧，并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。一接线，具有第一端点及第二端点，其中第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接。
本发明实施例提供一种晶片封装体的制造方法，包括提供一晶圆，该晶圆具有多个晶片，每个晶片具有上表面及下表面，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。于各晶片形成一浅凹槽结构，该浅凹槽结构位于信号接垫区外侧，并自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。于各晶片形成一重布线层，该重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。切割晶圆以分离该些晶片，使得每一晶片具有一侧壁，且浅凹槽结构沿着侧壁延伸。于各晶片焊接一接线，接线具有一第一端点及一第二端点，其中第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接。
本发明实施例提供一种晶片封装体，包括一晶片，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构位于信号接垫区外侧，并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。一接线具有一第一端点及一第二端点，第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接。晶片包括一半导体基底及一绝缘层，第一凹口的侧壁邻接绝缘层，第二凹口的侧壁邻接半导体基底，且第一凹口的底部暴露出半导体基底的表面。一封装层至少覆盖接线。
本发明实施例提供一种晶片封装体，包括一晶片，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构位于信号接垫区外侧，并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至第一凹口及第二凹口的侧壁及底部。一接线具有一第一端点及一第二端点，其中第一端点于第二凹口的底部电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接，且其中第一凹口的底部的横向宽度窄于第二凹口的底部的横向宽度。一封装层至少覆盖接线。
本发明实施例提供一种晶片封装体，包括一晶片，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构位于信号接垫区外侧，并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。一接线具有一第一端点及一第二端点，第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接，其中接线的一部分高于晶片的上表面。一封装层至少覆盖接线。
本发明可以降低晶片封装体中的封装层的覆盖厚度，增加感测区的敏感度，并且可以维持基底的结构强度。
附图说明
图1A至1F绘示出根据本发明一实施例的晶片封装体的制造方法的剖面示意图。
图2至3绘示出根据本发明各种实施例的晶片封装体的剖面示意图。
图4绘示传统晶片封装体的剖面示意图。
附图中符号的简单说明如下：
100 晶片
100a 上表面
100b 下表面
120 晶片区
140、260 绝缘层
150 基底
160 信号接垫区
180、320、340 开口
200、523 感测区/元件区
220 第一凹口
220a 第一侧壁
220b 第一底部
230 第二凹口
230a 第二侧壁
230b 第二底部
280 重布线层
300 保护层
360 粘着层
380 外部元件
400 接垫区
440、530 接线
440a 第一端点
440b 第二端点
440c 最高部分
460、540 封装层
480 装饰层
500 保护层
510 印刷电路板
520 指纹辨识晶片
D1、D2 深度
H1 距离
H2 深度
H3 覆盖厚度。
具体实施方式
以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。
本发明一实施例的晶片封装体可用以封装感测晶片，例如指纹辨识器等生物辨识晶片。然其应用不限于此，例如在本发明的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或模拟电路(digital oranalog circuits)等集成电路的电子元件(electronic components)，例如是有关于光电元件(opto electronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System，MEMS)、微流体系统(micro fluidic systems)、或利用热、光线、电容及压力等物理量变化来测量的物理感测器(Physical Sensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(wafer scalepackage，WSP)的部分或全部制程对影像感测元件、发光二极管(light-emitting diodes，LEDs)、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波元件(surface acoustic wavedevices)、压力感测器(process sensors)或喷墨头(ink printer heads)等半导体晶片进行封装。
其中上述晶圆级封装制程主要是指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于通过堆叠(stack)方式安排具有集成电路的多片晶圆，以形成多层集成电路(multi-layerintegrated circuit devices)的晶片封装体。
请参照图1F，其绘示出根据本发明一实施例的晶片封装体的剖面示意图。在本实施例中，晶片封装体包括一晶片100、一浅凹槽结构、一外部元件380及一接线(wire)440。晶片100具有一上表面100a及一下表面100b。在一实施例中，晶片100包括邻近于上表面100a的一绝缘层140以及其下方的基底150，一般而言，绝缘层140可由层间介电层(ILD)、金属间介电层(IMD)及覆盖的钝化层(passivation)组成。在本实施例中，绝缘层140可包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合，或其他适合的绝缘材料。在本实施例中，基底150可包括硅或其他半导体材料。
在本实施例中，晶片100包括一信号接垫区160以及一感测区/元件区200，其可邻近于上表面100a。在一实施例中，信号接垫区160包括多个导电垫，可为单层导电层或具有多层的导电层结构。为简化图式，此处仅以单层导电层作为范例说明，且仅绘示出绝缘层140内的一个导电垫作为范例说明。在本实施例中，绝缘层140内可包括一个或一个以上的开口180，暴露出对应的导电垫。
在一实施例中，晶片100的感测区/元件区200内含一感测元件。例如一生物感测晶片，其感测元件可用以感测生物特征。在另一实施例中，晶片100用以感测环境特征，例如可包括一温度感测元件、一湿度感测元件、一压力感测元件、一电容感测元件或其他适合的感测元件。又一实施例中，感测晶片100可包括一影像感测元件。在一实施例中，感测晶片100内的感测元件可通过绝缘层140内的内连线结构而与导电垫电性连接。
在一实施例中，浅凹槽结构由一第一凹口220组成，位于信号接垫区160外侧，并沿晶片100侧壁自上表面100a朝下表面100b延伸，第一凹口220包括一第一侧壁220a及一第一底部220b。在一实施例中，第一凹口220的第一侧壁220a邻接绝缘层140而暴露出其下方的基底150。在本实施例中，第一凹口220的深度D1(标示于图1B中)不大于15微米。在一实施例中，通过蚀刻绝缘层140所形成的第一凹口220，其侧壁220a大致上垂直于上表面100a，举例来说，第一凹口220的第一侧壁220a与上表面100a之间的夹角可大约为84°至90°的范围。此外，在另一实施例中，通过切割绝缘层140所形成的第一凹口220，第一凹口220的第一侧壁220a与上表面100a之间的夹角可大约为55°至90°的范围。
在一实施例中，可选择设置一绝缘层260以顺应性设置于晶片100的上表面100a上，且延伸至第一凹口220内的第一侧壁220a及第一底部220b，并暴露出部分的信号接垫区160。在本实施例中，绝缘层260可包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合，或其他适合的绝缘材料。
一图案化的重布线层(redistribution layer，RDL)280，顺应性延伸至开口180及第一凹口220的第一侧壁220a及第一底部220b上。重布线层280可经由开口180电性连接至信号接垫区160。在一实施例中，重布线层280设置于绝缘层260上，因此可避免与基底150电性接触。在一实施例中，重布线层280可包括铜、铝、金、铂、镍、锡、前述的组合、导电高分子材料、导电陶瓷材料(例如，氧化铟锡或氧化铟锌)或其他适合的导电材料。
一保护(protection)层300顺应性设置于重布线层280及绝缘层260上，且延伸至第一凹口220内。保护层300内包括一个或一个以上的开口，暴露出重布线层280的一部分。在本实施例中，保护层300内包括开口320及340，分别暴露出信号接垫区160及第一凹口220内的重布线层280。在其他实施例中，保护层300内可仅包括开口340，例如将信号接垫区160的开口320覆盖。在本实施例中，保护层300可包括无机材料，例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合，或其他适合的绝缘材料。
外部元件380可为一基底，通过一粘着层(例如，粘着胶(glue))360贴附于晶片100的下表面100b上。在本实施例中，外部元件380可为电路板、晶片或中介层(interposer)。以电路板为例，其表面可具有一个或一个以上的接垫区400。
接线440具有第一端点440a及第二端点440b，其中，第一端点440a于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点440b则用于外部元件的电性连接，且接线440的一部分突出于晶片上表面100a。举例而言，接线440可通过第二端点440b电性连接电路板380的接垫区400、及通过第一端点440a电性连接第一凹口220的第一底部220b上的重布线层280，其中接线440的最高部分440c突出于晶片上表面100a。本实施例虽以接线440的一部分突出于晶片上表面100a为例，但其并不以此为限，在各实施例中通过浅凹槽结构亦可使接线440低于上表面100a。
在本实施例中，晶片封装体可还包括一封装层(encapsulant)460，其可选择性(optionally)覆盖接线440、浅凹槽结构或延伸至晶片上表面100a上，以于感测区/元件区200上方形成一扁平化接触表面。封装层(encapsulant)460一般由形塑材料(moldingmaterial)或密封材料(sealing material)构成。
在一实施例中，可另外设置装饰层480于封装层460上，且可依据设计需求而具有色彩，以显示具有感测功能的区域。保护层(例如，蓝宝石基底或硬塑胶(hard rubber))500则可另外设置于装饰层480上，以进一步提供耐磨、防刮及高可靠度的表面，进而避免在使用晶片封装体的感测功能的过程中感测装置受到污染或破坏。
根据本发明的上述实施例，接线440的最高部分440c与浅凹槽结构的底部(亦即，第一凹口220的第一底部220b)之间具有一距离H1，且浅凹槽结构具有一深度H2(亦即，第一凹口220的深度D1)。封装层460于感测区/元件区200的覆盖厚度H3决定于接线440的最高部分440c与浅凹槽结构的底部之间的距离H1与浅凹槽结构的深度H2的差值(H1-H2)。因此通过调整浅凹槽结构的深度H2，可以降低封装层460的覆盖厚度，增加感测区的敏感度，同时形成扁平化的接触表面。此外，由于此种浅凹槽结构不需要除去过多基底材料，因此可以维持基底的结构强度。
请参照图2至图3，其绘示出根据本发明各种实施例的晶片封装体的剖面示意图，其中相同于图1F中的部件使用相同的标号并省略其说明。图2中的晶片封装体的结构类似于图1F中的晶片封装体的结构，差异在于图2中晶片封装体还包括一第二凹口230，自第一凹口220的第一底部220b朝下表面延伸，第二凹口230具有一第二侧壁230a及一第二底部230b，其中第二凹口230的第二侧壁230a邻接基底150。在下层的第二凹口230的横向宽度窄于上层的第一凹口220。在一实施例中，绝缘层260延伸至第二凹口230的第二侧壁230a及第二底部230b。
在本实施例中，接线440的最高部分440c与第一凹口220的第一底部220b之间具有一距离H1。封装层460于感测区/元件区200的覆盖厚度H3决定于接线440的最高部分440c与浅凹槽结构的底部之间的距离H1与第一凹口220的深度D1的差值(H1-D1)。
在本实施例中，接线440的第一端点440a电性接触上层第一凹口220的第一底部220b上的重布线层280，因此除能够进一步降低接线440的最高高度外，还由于第二凹口230增加了接线440与第一凹口220的第一底部220b之间距，因此可减少接线因碰触第一凹口220边缘而短路或断线的机率。
图3中的晶片封装体的结构类似于图2中的晶片封装体的结构，差异在于图3中在下层的第二凹口230的横向宽度宽于上层的第一凹口220，同时，重布线层280进一步延伸至下层的第二凹口230的第二侧壁230a及第二底部230b，接线440的第一端点440a则自开口340电性接触下层的第二凹口230的第二底部230b上的重布线层280。另外，上层的第一凹口220贯穿绝缘层140之外，还延伸至其下方的基底150内。
在本实施例中，接线440的最高部分440c与浅凹槽结构的底部(亦即，第二凹口230的第二底部230b)之间具有一距离H1，且浅凹槽结构具有一深度H2(亦即，第一凹口220的深度D1加上第二凹口230的深度D2)。封装层460于感测区/元件区200的覆盖厚度H3决定于接线440的最高部分440c与浅凹槽结构的底部之间的距离H1与浅凹槽结构的深度H2的差值(H1-H2)。
在本实施例中，利用第二凹口230进一步延伸至基底150内，因此能够进一步降低接线440的最高高度，但较不影响基底的结构强度，且可避免直接以第一凹口220向下延伸所致的过度蚀刻而造成绝缘层140与基底150介面的底切现象。
在其他实施例中，接线440以第二端点440b为起点焊接至重布线层280上形成第一端点440a。
以下配合图1A至1F说明本发明一实施例的晶片封装体的制造方法，其中图1A至1F绘示出根据本发明一实施例的晶片封装体的制造方法的剖面示意图。
请参照图1A，提供一具有晶片区120的晶圆，晶片区120包括多个晶片100，每个晶片100具有一上表面100a及一下表面100b。在一实施例中，晶片包括基底150及邻近于上表面100a的绝缘层140，一般而言，绝缘层140可由层间介电层(ILD)、金属间介电层(IMD)及覆盖的钝化层(passivation)组成。在本实施例中，绝缘层140可包括无机材料例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合或其他适合的绝缘材料。在本实施例中，基底150可包括硅或其他半导体材料。
在本实施例中，每一晶片内包括一个或一个以上的信号接垫区160，其可邻近于上表面100a且包括多个导电垫。为简化图式，此处仅绘示出单一晶片区120以及位于绝缘层140内的一个导电垫。在一实施例中，导电垫可为单层导电层或具有多层的导电层结构。此处，仅以单层导电层作为范例说明。在本实施例中，绝缘层140内可包括一个或一个以上的开口180，暴露出对应的导电垫。
在本实施例中，每一晶片100内具有一感测区/元件区200，其可邻近于上表面100a。在一实施例中，感测区/元件区200用以感测生物特征，例如可包括一指纹辨识元件。在另一实施例中，感测区/元件区200用以感测环境特征，且可包括一温度感测元件、一湿度感测元件、一压力感测元件、一电容感测元件或其他适合的感测元件。又一实施例中，感测区/元件区200可包括一影像感测元件。在一实施例中，感测区/元件区200内的感测元件可通过绝缘层140内的内连线结构而与导电垫电性连接。
请参照图1B，可通过微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、电浆蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程)，在每一晶片100的侧壁形成浅凹槽结构，例如自绝缘层140内形成第一凹口220，其沿着切割道(未绘示)自上表面100a朝下表面100b延伸，并贯穿绝缘层140而暴露出其下方的基底150，亦即，第一凹口220的深度约等于绝缘层140的厚度或更深一些。在本实施例中，第一凹口220的深度D1不大于15微米。在一实施例中，以蚀刻制程形成的第一凹口220的第一侧壁220a大致上垂直于上表面100a。举例来说，第一凹口220的侧壁与上表面100a之间的夹角可大约为84°至90°的范围。在另一实施例中，以切割制程形成的第一凹口220的侧壁大致上倾斜于上表面100a。举例来说，第一凹口220的侧壁与上表面100a之间的夹角可大约为55°至90°的范围。
请参照图1C，可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程或其他适合的制程)，在晶片100的上表面100a上顺应性形成一绝缘层260，其延伸至绝缘层140的开口180及第一凹口220内。在本实施例中，绝缘层260可包括无机材料例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合或其他适合的绝缘材料。
接着，可通过微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、电浆蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程)，去除开口180内的绝缘层260，以暴露出部分的信号接垫区160。接着，可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程或其他适合的制程)、微影制程及蚀刻制程，在绝缘层260上形成一图案化的重布线层280。
重布线层280顺应性延伸至开口180及第一凹口220的第一侧壁220a及第一底部220b上，且可经由开口180电性连接暴露出的接垫区160。在一实施例中，重布线层280未延伸至第一凹口220的第一底部220b边缘。再者，当基底150包括半导体材料时，重布线层280可通过绝缘层260电性隔离。在一实施例中，重布线层280可包括铜、铝、金、铂、镍、锡、前述的组合、导电高分子材料、导电陶瓷材料(例如，氧化铟锡或氧化铟锌)或其他适合的导电材料。
请参照图1D，可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程或其他适合的制程)，在重布线层280及绝缘层260上顺应性形成一保护层300，其延伸至第一凹口220内。在本实施例中，保护层300可包括无机材料例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合或其他适合的绝缘材料。
接着，可通过微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、电浆蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程)，在保护层300内形成一个或一个以上的开口，暴露出重布线层280的一部分。在本实施例中，开口320及340形成于保护层300内，以分别暴露出开口180及第一凹口220内的重布线层280。
在其他实施例中，保护层300内可仅形成开口340。可以理解的是，保护层300内的开口的数量及位置取决于设计需求而不限定于此。
接着，沿着切割道(未绘示)，对晶圆进行切割制程，以形成多个独立的晶片100。在进行切割制程之后，每一晶片的第一凹口220沿着侧壁自上表面100a朝下表面100b延伸。
请参照图1E，可通过一粘着层(例如，粘着胶)360，将一外部元件380贴附于独立的晶片中基底150的下表面100b上。在本实施例中，外部元件380可为电路板、晶片或中介层。以电路板为例，外部元件380内可具有一个或一个以上的接垫区400。相似地，接垫区400可包括多个导电垫，且导电垫可为单层导电层或具有多层的导电层结构。为简化图式，此处仅以单层导电层作为范例说明，且仅绘示出一个接垫区400的一个导电垫作为范例说明。
接着，可通过焊接(Wire Bonding)制程，以外部元件380的接垫区400为起始的第二端点440b，形成一接线440并以第一端点440a电性连接第一凹口220的第一底部220b上的重布线层280。在本实施例中，接线440具有一最高部分440c，其与第一凹口220的第一底部220b的距离为H1。在本实施例中，接线440可包括金或其他适合的导电材料。
在另一实施例中，如图2所示，其差异在于通过蚀刻或切割制程移除部分基底形成一第二凹口230，其自第一凹口220的第一底部220b朝下表面延伸，第二凹口230具有第二侧壁230a及第二底部230b，其中第二凹口230的第二侧壁230a邻接基底150，且在下层的第二凹口230的横向宽度窄于上层的第一凹口220。在一实施例中，绝缘层260延伸至第二凹口230的第二侧壁230a及第二底部230b。
在本实施例中，接线440的第一端点440a电性接触上层第一凹口220底部上的重布线层280，因此除能够进一步降低接线440的最高高度外，还由于第二凹口230增加了接线440与第一凹口220的第一底部220b的间距，因此可减少接线因碰触第一凹口220边缘而短路或断线的机率。
又另一实施例中，图3中的晶片封装体的结构类似于图2中的晶片封装体的结构，差异在于通过蚀刻或切割制程使在下层的第二凹口230的横向宽度宽于上层的第一凹口220，同时，重布线层280进一步延伸至下层的第二凹口230的第二侧壁230a及第二底部230b，但未延伸至底部边缘。而接线440的第一端点440a则自开口340电性接触下层的第二凹口230的第二底部230b上的重布线层280。
在本实施例中，由于第二凹口230进一步延伸至基底150内，因此能够进一步降低接线440的最高高度，但较不影响基底的结构强度，且可避免直接蚀刻上层的第一凹口220而因过度蚀刻造成绝缘层140与基底150介面的底切现象。
请参照图1F，可通过模塑成型(molding)制程或其他适合的制程，在晶片上表面100a上形成一封装层460，其可选择性覆盖第一凹口220、外部元件380及接线440或延伸至晶片上表面100a，于感测区/元件区200上方形成一扁平化接触表面。
接着，可通过沉积制程(例如，涂布制程或其他适合的制程)，在封装层460上形成一装饰层480，其可依据设计需求而具有色彩，以显示具有感测功能的区域。接着，可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程或其他适合的制程)，在装饰层480上形成一保护层(例如，蓝宝石基底或硬塑胶)500，以进一步提供耐磨、防刮及高可靠度的表面。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (25)

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：
一晶片，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中该晶片于该上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区；
一浅凹槽结构，位于该信号接垫区外侧，并沿着该侧壁自该上表面朝该下表面延伸，其中该浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，该第二凹口位于该第一凹口下方，且该第一凹口的一第一侧壁的长度大于该第二凹口的一第二侧壁的长度，且该第一凹口的一第一底部的横向宽度窄于该第二凹口的一第二底部，且该第二凹口自该第一凹口的该第一底部朝该下表面延伸；
一重布线层，电性连接该信号接垫区且延伸至该浅凹槽结构，且延伸至该第一凹口的该第一侧壁及该第一底部，且自该上表面延伸至该第二凹口的该第二侧壁及该第二底部；以及
一接线，具有一第一端点及一第二端点，其中该第一端点于该浅凹槽结构内电性连接该重布线层，该第二端点用于外部电性连接，且该第一端点电性连接至位于该第二底部的该重布线层上。
2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片包括一基底及一绝缘层，其中该第一凹口的该第一侧壁邻接该绝缘层及部分的该基底，该第二凹口的该第二侧壁邻接该基底。
3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一封装层，该封装层覆盖该接线及该上表面，并于该感测区或该元件区上方形成一扁平化接触表面，其中该接线的一最高部分突出于该晶片的该上表面，且该封装层于该感测区或该元件区上的覆盖厚度决定于该接线的该最高部分与该第一凹口的该第一底部之间的距离与该第一凹口的深度的差值。
4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片为一生物辨识晶片。
5.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一封装层，该封装层覆盖该接线及该上表面，并于该感测区或该元件区上方形成一扁平化接触表面，该接线的一最高部分突出于该晶片的该上表面，且该封装层于该感测区或该元件区上的覆盖厚度决定于该接线的该最高部分与该第二凹口的该第二底部之间的距离与该浅凹槽结构的深度的差值。
6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片为一指纹辨识晶片。
7.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层未延伸至该第二凹口的边缘。
8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一保护层，该保护层覆盖该重布线层，并于该浅凹槽结构内形成一开口，供该接线的该第一端点电性连接该重布线层。
9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该信号接垫区由该保护层覆盖。
10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该接线的该第二端点为焊接的起始点。
11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层未延伸至该浅凹槽结构的边缘。
12.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该接线的该第一端点及该第二端点低于该晶片的该上表面，该接线的一最高部分突出于该晶片的该上表面。
13.根据权利要求12所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一封装层，该封装层覆盖该接线及该上表面，并于该感测区或该元件区上方形成一扁平化接触表面，其中该封装层于该感测区或该元件区上的覆盖厚度决定于该接线的该最高部分与该浅凹槽结构的底部之间的距离与该浅凹槽结构的深度的差值。
14.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，该晶圆包括多个晶片，每一晶片具有一上表面及一下表面，其中该晶片于该上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区；
于该每一晶片形成一浅凹槽结构，该浅凹槽结构位于该信号接垫区外侧，并自该上表面朝该下表面延伸，其中该浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，该第二凹口位于该第一凹口下方，且该第一凹口的一第一侧壁的长度大于该第二凹口的一第二侧壁的长度，且该第一凹口的一第一底部的横向宽度窄于该第二凹口的一第二底部，且该第二凹口自该第一凹口的该第一底部朝该下表面延伸；
于该每一晶片形成一重布线层，该重布线层位于该上表面上，电性连接该信号接垫区且延伸至该浅凹槽结构，且延伸至该第一凹口的该第一侧壁及该第一底部，且还延伸至该第二凹口的该第二侧壁及该第二底部；
切割该晶圆以分离该多个晶片，使得该每一晶片具有一侧壁，且该浅凹槽结构沿着该侧壁延伸；以及
于该每一晶片焊接一接线，该接线具有一第一端点及一第二端点，其中该第一端点于该浅凹槽结构内电性连接该重布线层，该第二端点用于外部电性连接，且该第一端点电性连接至位于该第二底部的该重布线层上。
15.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括形成一封装层，该封装层覆盖该接线及该上表面，以于该感测区或元件区上方形成一扁平化接触表面，其中该晶片包括一基底及一绝缘层，其中该第一凹口的该第一侧壁邻接该绝缘层，该第二凹口的该第二侧壁邻接该基底，且该封装层于该感测区或元件区上的覆盖厚度决定于该接线的一最高部分与该第一凹口的该第一底部之间的距离与该第一凹口的深度的差值。
16.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括形成一封装层，该封装层至少覆盖该接线，其中该晶片包括一基底及一绝缘层，其中该第一凹口的该第一侧壁邻接该绝缘层及部分的该基底，该第二凹口的该第二侧壁邻接该基底，且该封装层的覆盖厚度决定于该接线的一最高部分与该第二凹口的该第二底部之间的距离与该浅凹槽结构的深度的差值。
17.根据权利要求16所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该晶片为一指纹辨识晶片。
18.根据权利要求17所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括形成一保护层，该保护层覆盖该重布线层，并于该第二凹口内形成一开口，供该接线的该第一端点电性连接该重布线层。
19.根据权利要求18所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该信号接垫区由该保护层覆盖。
20.根据权利要求18所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该接线的该第二端点为焊接的起始点。
21.根据权利要求20所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该重布线层未延伸至该第二凹口的边缘。
22.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括形成一封装层，该封装层覆盖该接线及该上表面，以于该感测区或元件区上方形成一扁平化接触表面，其中该接线的该第一端点及该第二端点低于该晶片的该上表面，该接线的一最高部分突出于该晶片的该上表面，且该封装层于该感测区或元件区上的覆盖厚度决定于该接线的该最高部分与该浅凹槽结构的底部之间的距离与该浅凹槽结构的深度的差值。
23.一种晶片封装体，其特征在于，包括：
一晶片，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中该晶片于该上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区；
一浅凹槽结构，位于该信号接垫区外侧，并沿着该侧壁自该上表面朝该下表面延伸，其中该浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，该第二凹口位于该第一凹口下方，且该第一凹口的一第一侧壁的长度大于该第二凹口的一第二侧壁的长度，且该第一凹口的一第一底部的横向宽度窄于该第二凹口的一第二底部，且该第二凹口自该第一凹口的该第一底部朝该下表面延伸；
一重布线层，电性连接该信号接垫区且延伸至该浅凹槽结构，且延伸至该第一凹口的该第一侧壁及该第一底部，且自该上表面延伸至该第二凹口的该第二侧壁及该第二底部；
一接线，具有一第一端点及一第二端点，该第一端点于该浅凹槽结构内电性连接该重布线层，且该第一端点电性连接至位于该第二底部的该重布线层上，该第二端点用于外部电性连接，其中该晶片包括一半导体基底及一绝缘层，该第一凹口的该第一侧壁邻接该绝缘层，该第二凹口的该第二侧壁邻接该半导体基底，且该第一凹口的底部暴露出该半导体基底的表面；以及
一封装层，至少覆盖该接线。
24.一种晶片封装体，其特征在于，包括：
一晶片，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中该晶片于该上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区；
一浅凹槽结构，位于该信号接垫区外侧，并沿着该侧壁自该上表面朝该下表面延伸，其中该浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且该第二凹口位于该第一凹口下方；
一重布线层，电性连接该信号接垫区且延伸至该第一凹口及该第二凹口的侧壁及底部；
一接线，具有一第一端点及一第二端点，其中该第一端点于该第二凹口的底部电性连接该重布线层，该第二端点用于外部电性连接，且其中该第一凹口的底部的横向宽度窄于该第二凹口的底部的横向宽度；以及
一封装层，至少覆盖该接线。
25.一种晶片封装体，其特征在于，包括：
一晶片，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中该晶片于该上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区；
一浅凹槽结构，位于该信号接垫区外侧，并沿着该侧壁自该上表面朝该下表面延伸，其中该浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，该第二凹口位于该第一凹口下方，且该第一凹口的一第一侧壁的长度大于该第二凹口的一第二侧壁的长度，且该第一凹口的一第一底部的横向宽度窄于该第二凹口的一第二底部，且该第二凹口自该第一凹口的该第一底部朝该下表面延伸；
一重布线层，电性连接该信号接垫区且延伸至该浅凹槽结构，且延伸至该第一凹口的该第一侧壁及该第一底部，且自该上表面延伸至该第二凹口的该第二侧壁及该第二底部；
一接线，具有一第一端点及一第二端点，该第一端点于该浅凹槽结构内电性连接该重布线层，且该第一端点电性连接至位于该第二底部的该重布线层上，该第二端点用于外部电性连接，其中该接线的一部分高于该晶片的该上表面；以及
一封装层，至少覆盖该接线。
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