CN103996488A - 电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供能够抑制因迁移发生短路的电子部件。电子部件(1A)具备由绝缘体层(22a～22s)构成的层叠体(20A)、由通孔导体(34a～34w)构成线圈导体(32a～32o)的线圈(30A)、以及外部电极(40a、40b)。夹着绝缘体层(22c～22p)中的任意一个邻接的线圈导体的一部分的组合具有从层叠方向观察重合而旋转的并行区间(P1～P14)。并行区间被以并联的方式连接。夹着绝缘体层中的任意一个邻接的两个线圈导体的各组合在连接通孔导体与并行区间以及线圈导体连接的部分以外，从层叠方向观察时不重叠。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及由内置有线圈导体的层叠体构成的电子部件。

背景技术

作为现有的电子部件，例如已知有专利文献1所记载的层叠片式电感器（Multilayer Chip Inductors）。以下，对专利文献1所记载的层叠片式电感器进行说明。图8是专利文献1所记载的层叠片式电感器500的分解立体图。

层叠片式电感器500是通过层叠多个长方形形状的铁氧体生片（Ferrite green sheet）501，并将线圈用图案503形成在ー部分的铁氧体生片501上而构成的。此外，各线圈用图案503通过通孔导体连接，线圈用导体图案503的起点以及终点与外部电极连接。

如图8所示，在层叠片式电感器500中，为了减少线圈用图案503的电阻，而使形成同一形状的线圈用图案503的铁氧体生片501各重叠两张，并通过通孔导体将上述同一形状的线圈用图案503的端部以并联的方式连接。换言之，层叠片式电感器500是所谓的多匝结构的层叠片式电感器。

然而，在层叠片式电感器500中，存在夹着一个铁氧体生片而对置并且被以串联的方式连接的线圈用图案503。例如，图8所示的线圈用图案503a、503b相当于该线圈用图案503。线圈用图案503a、503b被以串联的方式连接，因此在线圈用图案503a上的点P503a与线圈用图案503b上的点P503b之间存在电位差。另外，在点P503a、P503b之间仅存在一个铁氧体生片，且从层叠方向观察时点P503a、P503b重叠。换言之，点P503a、P503b接近。而且，层叠片式电感器为多匝结构的层叠片式电感器，因此通常假定流过1A以上的比较大的电流。根据以上那样的理由，在层叠片式电感器500中，在点P503a、P503b之间容易产生线圈用导体图案503所使用的银等的迁移（Migration）。由此，在层叠片式电感器500中，容易发生短路，其结果，存在层叠片式电感器500的允许电流被限制的问题。

专利文献1：日本实开平5-57817号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于提供能够抑制因迁移发生短路的电子部件。

本发明的一方式所涉及的电子部件的特征在于，具备：层叠体，其由多个绝缘体层层叠而构成；螺旋状的线圈，其是设置在上述层叠体，上述线圈是通过由贯通上述绝缘体层的通孔导体连接多个线圈导体而构成的线圈，上述线圈沿层叠方向行进而旋转；以及外部电极，其设置在上述层叠体的表面，夹着一个绝缘体层而邻接的两个上述线圈导体的组合内的至少一部分的组合具有从层叠方向观察重合而旋转的并行区间，上述并行区间通过上述通孔导体或者上述外部电极而以并联的方式连接，夹着一个绝缘体层而邻接的两个上述线圈导体的各组合在连接上述通孔导体与上述并行区间以及上述线圈导体的连接部分以外，从层叠方向观察时不重叠。

根据作为本发明的一方式的电子部件，能够抑制因迁移发生短路。

附图说明

图1是作为第一实施例以及第二实施例的电子部件的外观立体图。

图2是作为第一实施例的电子部件的分解立体图。

图3是作为第二实施例的电子部件的分解立体图。

图4是作为第三实施例以及第四实施例的电子部件的外观立体图。

图5是作为第三实施例的电子部件的分解立体图。

图6是将作为第三实施例的电子部件的螺旋状的线圈展开为平面的图。

图7是作为第四实施例的电子部件的分解立体图。

图8是专利文献1所记载的电子部件的分解立体图。

符号说明：P1～P14、P1C、P2C…区间；1A～1D…电子部件；20A～20D…层叠体；22a～22s、22eB、22gB、22iB、22kB、22mB、22oB、22qB、22aD～22eD…绝缘体层；30A、30C、30D…线圈；32a～32o、32aC～32jC、32aD～32eD…线圈导体；34a～34w、34aC～34oC、34aD～34lD…通孔导体；40a、40b…外部电极。

具体实施方式

（第一实施例）

以下，参照附图对作为本发明的第一实施例的电子部件1A的结构进行说明。图1是作为本发明的第一实施例的电子部件1A的外观立体图。图2是作为第一实施例的电子部件1A的分解立体图。以下，将电子部件1A的层叠方向定义为z轴方向。另外，在从z轴方向俯视观察时，将沿着电子部件1A的长边的方向定义为x轴方向，将沿着电子部件1A的短边的方向定义为y轴方向。此外，x轴、y轴以及z轴相互正交。

电子部件1A具备：层叠体20A、线圈30A、以及外部电极40a、40b。另外，如图1所示，电子部件1A的形状为长方体。

如图2所示，层叠体20A通过将绝缘体层22a～22s层叠为从z轴方向的正方向一侧依次排列而构成。另外，在从z轴方向俯视观察时，各绝缘体层22a～22s呈长方形形状。因此，通过层叠绝缘体层22a～22s而构成的层叠体20A的形状如图1所示为长方体。而且，层叠体20A内置有线圈30A。此外，以下，将各绝缘体层22a～22s的z轴方向的正方向一侧的表面称为上表面，并将各绝缘体层22a～22s的z轴方向的负方向一侧的表面称为下表面。另外，作为绝缘体层22a～22s的材料能够列举铁氧体等。

如图1所示，外部电极40a被设置成覆盖层叠体20A的z轴方向的正方向一侧的表面及其周围的表面的一部分。另外，外部电极40b被设置成覆盖层叠体20A的z轴方向的负方向一侧的表面及其周围的表面的一部分。此外，外部电极40a、40b的材料为Au、Ag、Pd、Cu、Ni等导电性材料。

如图2所示，线圈30A内置于层叠体20A，由线圈导体32a～32o以及通孔导体34a～34w构成。另外，线圈30A呈螺旋状，上述螺旋的中心轴与z轴平行。换言之，线圈30A呈沿层叠方向行进而旋转的螺旋状。此外，线圈30A的材料为Ag、Pd、Cu、Ni等导电性材料。

如图2所示，线圈导体32a是设置在绝缘体层22c的上表面的线状的导体。另外，线圈导体32a沿着绝缘体层22c的y轴方向的正方向一侧的外缘而设置。换言之，线圈导体32a在绝缘体层22c沿x轴方向延伸。另外，线圈导体32a的x轴方向的负方向一侧的一端在层叠体20A的表面露出，并与外部电极40a连接。而且，线圈导体32a的x轴方向的正方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22c的通孔导体34a连接。

如图2所示，线圈导体32b是设置在绝缘体层22d的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32b与线圈导体32a夹着绝缘体层22c而邻接。另外，线圈导体32b沿着y轴方向的正方向一侧的外缘以及x轴方向的正方向一侧的外缘而设置，并且在从层叠方向观察时呈L字状。此外，线圈导体32b被划分成区间P1、P2。

区间P1是沿着绝缘体层22d的y轴方向的正方向一侧的外缘设置的区间。因此，在从z轴方向观察时，区间P1与线圈导体32a重合而旋转。换言之，线圈导体32a与线圈导体32b的组合具有并行区间。另外，区间P1的x轴方向的负方向一侧的一端在层叠体20A的表面露出，并与外部电极40a连接。而且，区间P1的x轴方向的正方向一侧的另一端与通孔导体34a连接。由此，线圈导体32a与线圈导体32b在区间P1以并联的方式连接。另外，区间P2是沿着x轴方向的正方向一侧的外缘设置的区间。区间P2的y轴方向的正方向一侧的一端是与区间P1重复的端部，并在在z轴方向贯通绝缘体层22d的通孔导体34b连接。另外，区间P2的y轴的负方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22d的通孔导体34c连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32a与线圈导体32b在区间P1以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32c是设置在绝缘体层22e的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32c与线圈导体32b夹着绝缘体层22d而邻接。另外，线圈导体32c沿着绝缘体层22e的x轴方向的正方向一侧的外缘而设置。因此，在从层叠方向观察时，线圈导体32c与线圈导体32b的区间P2重合而旋转。换言之，线圈导体32b与线圈导体32c的组合具有并行区间。另外，线圈导体32c的y轴方向的正方向一侧的一端与通孔导体34b连接，y轴方向的负方向一侧的另一端与在z轴方向贯通通孔导体34c以及绝缘体层22e的通孔导体34d连接。由此，线圈导体32c与线圈导体32b的区间P2以并联的方式连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32b与线圈导体32c在区间P2以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32d是设置在绝缘体层22f的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32d与线圈导体32c夹着绝缘体层22e而邻接。另外，线圈导体32d沿着绝缘体层22f的y轴方向的负方向一侧的外缘而设置。而且，线圈导体32d的x轴方向的正方向一侧的一端与通孔导体34d以及在z轴方向贯通绝缘体层22f的通孔导体34e连接。由此，线圈导体32d与线圈导体32c电连接。

另外，线圈导体32d的x轴方向的负方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22f的通孔导体34f连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32c与线圈导体32d在与通孔导体34d连接的连接部分以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32e是设置在绝缘体层22g的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32e与线圈导体32d夹着绝缘体层22f而邻接。另外，线圈导体32e沿着绝缘体层22g的y轴方向的负方向一侧的外缘以及x轴方向的负方向一侧的外缘而设置，并且在从层叠方向观察时呈L字状。此外，线圈导体32e被划分成区间P3、P4。

区间P3是沿着绝缘体层22g的y轴方向的负方向一侧的外缘设置的区间。因此，在从z轴方向观察时，区间P3与线圈导体32d重合而旋转。换言之，线圈导体32d与线圈导体32e的组合具有并行区间。另外，区间P3的x轴方向的正方向一侧的一端与通孔导体34e连接，区间P3的x轴方向的负方向一侧的另一端与通孔导体34f连接。由此，线圈导体32d与线圈导体32e的区间P3以并联的方式连接。另外，区间P4是沿着x轴方向的负方向一侧的外缘设置的区间。区间P4的y轴方向的负方向一侧的一端是与区间P3的x轴方向的负方向一侧的另一端重复的部分，并与在z轴方向贯通绝缘体层22g的通孔导体34g连接。另外，区间P4的y轴的正方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22g的通孔导体34h连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32d与线圈导体32e在区间P3以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32f是设置在绝缘体层22h的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32f与线圈导体32e夹着绝缘体层22g而邻接。另外，线圈导体32f沿着绝缘体层22h的x轴方向的负方向一侧的外缘以及y轴方向的正方向一侧的外缘而设置，并且在从层叠方向观察时呈L字状。此外，线圈导体32f被划分成区间P5、P6。

区间P5是沿着绝缘体层22h的x轴方向的负方向一侧的外缘设置的区间。因此，在从z轴方向观察时，区间P5与线圈导体32e的区间P4重合而旋转。换言之，线圈导体32e与线圈导体32f的组合具有并行区间。另外，区间P5的y轴方向的负方向一侧的一端与通孔导体34g连接，区间P5的y轴方向的正方向一侧的另一端与通孔导体34h连接。由此，线圈导体32f的区间P5与线圈32e的区间P4以并联的方式连接。另外，区间P6是沿着y轴方向的正方向一侧的外缘设置的区间。区间P6的x轴方向的负方向一侧的一端是与区间P5的y轴方向的正方向一侧的另一端重复的部分，并与在z轴方向贯通绝缘体层22h的通孔导体34i连接。区间P6的x轴的正方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22h的通孔导体34j连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32e与线圈导体32f在区间P5（P4）以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32g是设置在绝缘体层22i的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32g与线圈导体32f夹着绝缘体层22h而邻接。另外，线圈导体32g沿着绝缘体层22i的y轴方向的正方向一侧的外缘而设置。因此，在从层叠方向观察时，线圈导体32g与线圈导体32f的区间P6重合而旋转。换言之，线圈导体32f与线圈导体32g的组合具有并行区间。另外，线圈导体32g的x轴方向的负方向一侧的一端与通孔导体34i连接，x轴方向的正方向一侧的另一端与通孔导体34j以及在z轴方向贯通绝缘体层22i的通孔导体34k连接。由此，线圈导体32f的区间P6与线圈32g以并联的方式连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32f与线圈导体32g在区间P6以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32h是设置在绝缘体层22j的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32h与线圈导体32g夹着绝缘体层22i而邻接。另外，线圈导体32h沿着绝缘体层22j的x轴方向的正方向一侧的外缘而设置。而且，线圈导体32h的y轴方向的正方向一侧的一端与通孔导体34k以及在z轴方向贯通绝缘体层22j的通孔导体341连接。由此，线圈导体32g与线圈导体32h电连接。另外，线圈导体32h的y轴方向的负方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22j的通孔导体34m连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32h与线圈导体32g在与通孔导体34k连接的连接部分以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32i是设置在绝缘体层22k的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32i与线圈导体32h夹着绝缘体层22j而邻接。另外，线圈导体32i沿着绝缘体层22k的x轴方向的正方向一侧的外缘以及y轴方向的负方向一侧的外缘而设置，并且在从层叠方向观察时呈L字状。此外，线圈导体32i被划分成区间P7、P8。

区间P7是沿着绝缘体层22k的x轴方向的正方向一侧的外缘设置的区间。因此，在从z轴方向观察时，区间P7与线圈导体32h重合而旋转。换言之，线圈导体32h与线圈导体32i的组合具有并行区间。另外，区间P7的y轴方向的正方向一侧的一端与通孔导体341连接，区间P7的y轴方向的负方向一侧的另一端与通孔导体34m连接。由此，线圈导体32h与线圈导体32i的区间P7以并联的方式连接。另外，区间P8是沿着y轴方向的负方向一侧的外缘设置的区间。区间P8的x轴方向的正方向一侧的一端是与区间P7的y轴方向的负方向一侧的另一端重复的部分，并与在z轴方向贯通绝缘体层22k的通孔导体34n连接。另外，区间P8的x轴的负方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22k的通孔导体34o连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32h与线圈导体32i在区间P7以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32j是设置在绝缘体层22l的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32i与线圈导体32j夹着绝缘体层22k而邻接。另外，线圈导体32j沿着绝缘体层22l的y轴方向的负方向一侧的外缘以及x轴方向的负方向一侧的外缘设置，并且在从层叠方向观察时呈L字状。此外，线圈导体32j被划分成区间P9、P10。

区间P9是沿着绝缘体层22l的y轴方向的负方向一侧的外缘设置的区间。因此，在从z轴方向观察时，区间P9与线圈导体32i的区间P8重合而旋转。换言之，线圈导体32i与线圈导体32j的组合具有并行区间。另外，区间P9的x轴方向的正方向一侧的一端与通孔导体34n连接，区间P9的x轴方向的负方向一侧的另一端与通孔导体34o连接。由此，线圈导体32j的区间P9与线圈32i的区间P8以并联的方式连接。另外，区间P10是沿着绝缘体层22l的x轴方向的负方向一侧的外缘设置的区间。区间P10的y轴的负方向一侧的一端是与区间P9的x轴方向的负方向一侧的另一端重复的部分，并与在z轴方向贯通绝缘体层22l的通孔导体34p连接。另外，区间P10的y轴方向的正方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22l的通孔导体34q连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32j与线圈导体32i在区间P9（P8）以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32k是设置在绝缘体层22m的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32k与线圈导体32j夹着绝缘体层22l而邻接。另外，线圈导体32k沿着绝缘体层22m的x轴方向的负方向一侧的外缘而设置。因此，在从层叠方向观察时，线圈导体32k与线圈导体32j的区间P10重合而旋转。换言之，线圈导体22j与线圈导体32k的组合具有并行区间。另外，线圈导体32k的y轴方向的负方向一侧的一端与通孔导体34p连接，y轴方向的正方向一侧的另一端与通孔导体34q以及在z轴方向贯通绝缘体层22m的通孔导体34r连接。由此，线圈导体32k与线圈导体32j的区间P10以并联的方式连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32j与线圈导体32k在区间P10以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32l是设置在绝缘体层22n的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32l与线圈导体32k夹着绝缘体层22m而邻接。另外，线圈导体32l沿着绝缘体层22n的y轴方向的正方向一侧的外缘而设置。而且，线圈导体32l的x轴方向的负方向一侧的一端与通孔导体34r以及在z轴方向贯通绝缘体层22n的通孔导体34s连接。由此，线圈导体32l与线圈导体32k电连接。另外，线圈导体32l的x轴方向的正方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22n的通孔导体34t连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32k与线圈导体32l在与通孔导体34r连接的连接部分以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32m是设置在绝缘体层22o的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32m与线圈导体32l夹着绝缘体层22n而邻接。另外，线圈导体32m沿着绝缘体层22o的y轴方向的正方向一侧的外缘以及x轴方向的正方向一侧的外缘而设置，并且在从层叠方向观察时呈L字状。此外，线圈导体32m被划分为区间P11、P12。

区间P11是沿着绝缘体层22o的y轴方向的正方向一侧的外缘设置的区间。因此，在从z轴方向观察时，区间P11与线圈导体32l重合而旋转。换言之，线圈导体32l与线圈导体32m的组合具有并行区间。另外，区间P11的x轴方向的负方向一侧的一端与通孔导体34s连接，区间P11的x轴方向的正方向一侧的另一端与通孔导体34t连接。由此，线圈导体32l与线圈导体32m的区间P11以并联的方式连接。另外，区间P12是沿着x轴方向的正方向一侧的外缘设置的区间。区间P12的y轴方向的正方向一侧的一端是与区间P11的x轴方向的正方向一侧的另一端重复的部分，并与在z轴方向贯通绝缘体层22o的通孔导体34u连接。区间P12的y轴的负方向一侧的另一端与在z轴方向贯通绝缘体层22o的通孔导体34v连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32l与线圈导体32m在区间P11以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32n是设置在绝缘体层22p的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32n与线圈导体32m夹着绝缘体层22o而邻接。另外，线圈导体32n沿着绝缘体层22p的x轴方向的正方向一侧的外缘以及y轴方向的负方向一侧的外缘而设置，并且在从层叠方向观察时呈L字状。此外，线圈导体32n被划分成区间P13、P14。

区间P13是沿着绝缘体层22p的x轴方向的正方向一侧的外缘设置的区间。因此，在从z轴方向观察时，区间P13与线圈导体32m的区间P12重合而旋转。换言之，线圈导体32m与线圈导体32n的组合具有并行区间。另外，区间P13的y轴方向的正方向一侧的一端与通孔导体34u连接，区间P13的y轴方向的负方向一侧的另一端与通孔导体34v连接。由此，线圈导体32m的区间P12与线圈导体32n的区间P13以并联的方式连接。区间P14的x轴方向的正方向一侧的一端是与区间P13的y轴方向的负方向一侧的另一端重复的部分，并与在z轴方向贯通绝缘体层22p的通孔导体34w连接。另外，区间P14的x轴方向的负方向一侧的另一端在层叠体20A的表面露出，并与外部电极40b连接。此外，在从z轴方向观察时，线圈导体32m与线圈导体32n在区间P13（Pl2）以外不重叠。

如图2所示，线圈导体32o是设置在绝缘体层22q的上表面的线状的导体。因此，线圈导体32n与线圈导体32o夹着绝缘体层22p而邻接。另外，线圈导体32o沿着绝缘体层22q的y轴方向的负方向一侧的外缘而设置。因此，在从层叠方向观察时，线圈导体32o与线圈导体32n的区间P14重合而旋转。换言之，线圈导体32n与线圈导体32o的组合具有并行区间。另外，线圈导体32o的x轴方向的正方向一侧的一端与通孔导体34w连接。而且，线圈导体22o的x轴方向的负方向一侧的另一端在层叠体20A的表面露出，并与外部电极40b连接。由此，线圈导体32o与线圈导体32n的区间P14以并联的方式连接。此外，线圈导体32n与线圈导体32o在从z轴方向观察时，在区间P14以外不重叠。

（制造方法）

以下，对如以上那样构成的电子部件1A的制造方法进行说明。此外，以下，对一个电子部件1A进行说明，但实际上，制成未烧制的多个层叠体20A连接的母层叠体，在对母层叠体进行切割后，形成外部电极40a、40b，从而获得多个电子部件1A。

首先，准备应成为绝缘体层22a～22s陶瓷生片。具体而言，在以规定的比率对三氧化二铁（Fe₂0₃）、氧化锌（Zn0）以及氧化镍（Ni0）进行称量后，将各个材料作为原材料投入球磨机，进行湿式混合。将得到的混合物干燥后粉碎，对得到的粉末进行预焙烧。而且，在通过球磨机对预焙烧粉末进行湿式粉碎后，干燥然后破碎，从而获得铁氧体陶瓷粉末。

向该铁氧体陶瓷粉末添加结合剂（醋酸乙烯、水溶性丙烯酸等）与可塑剂、润湿剂、分散剂，并通过球磨机进行混合，然后，通过减压进行脱泡。通过刮片法将得到的陶瓷浆液在载片上形成为片状并使其干燥，制成应成为绝缘体层22a～22s的陶瓷生片。

接下来，在应成为绝缘体层22c～22p的陶瓷生片的通孔导体34a～34w的位置照射激光束，从而形成通孔。而且，通过向通孔填充以Au、Ag、Pd、Cu、Ni等为主成分的导电性糊，来形成通孔导体34a～34w。此外，向通孔填充导电性糊的工序也可以与形成后述的线圈导体32a～32o的工序同时进行。

接下来，利用网板印刷、光刻法在应成为绝缘体层22c～22q的陶瓷生片的表面上涂覆以Au、Ag、Pd、Cu、Ni等为主成分的导电性糊，从而形成线圈导体32a～32o。

接下来，以依次排列的方式对应成为绝缘体层22a～22s的陶瓷生片进行层叠、压接，从而获得未烧制的母层叠体。然后，通过静液压挤压等对未烧制的母层叠体进行加压而进行正式压接。

接下来，通过切割刀将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体20A。然后，对未烧制的层叠体20A实施脱粘合剂处理以及烧制。脱粘合剂处理例如在低氧气氛中在500℃和两小时的条件下进行。烧制例如在800℃～900℃和2.5小时的条件下进行。

接下来，形成外部电极40a、40b。首先，在层叠体20A的表面涂覆由以Ag为主成分的导电性材料构成的电极糊。接下来，在约800℃的温度和一小时的条件下对已涂覆的电极糊进行烧制。由此，形成外部电极40a、40b的基底电极。

最后，对基底电极的表面实施镀Ni/Sn。由此，形成外部电极40a、40b。电子部件1A通过以上的工序完成。

（效果）

根据如以上那样构成的电子部件1A，能够抑制因迁移发生短路。具体而言，在电子部件1A中，夹着绝缘体层22c～22p中的任意一个而邻接的两个线圈导体32a～32o的各组合在被以并联的方式连接的区间P1～P14以及通过通孔导体34a～34w连接的连接部分以外不重叠。由此，电位不同的导体彼此不会接近。例如，线圈导体32c、32d的组合夹着绝缘体层22e而邻接，但除了连接线圈导体32c、32d与通孔导体34d的连接部分之外，从z轴方向观察不重叠。换言之，线圈导体32c、32d上的电位不同的部分不接近。因此，能够抑制在线圈导体32c、32d之间发生迁移。与此相伴，能够抑制在线圈导体32c、32d之间发生短路。对于其他的线圈导体的组合而言也相同。

另外，夹着绝缘体层22c～22p中的任意一个邻接并且在从z轴方向观察重叠的部分，例如线圈导体32a以及线圈导体32b的区间P1以并联的方式连接。因此，在线圈导体32a与线圈导体32b的区间P1之间原则上不存在电位差。由此，能够抑制在线圈导体32a与线圈导体32b的区间P1之间发生迁移。另外，因为线圈导体32a以及线圈导体32b的区间P1本来是以并联的方式连接的部分，所以即使在该部分因迁移发生短路也不成为问题。对于其他的线圈导体的组合而言也相同。如以上那样，根据电子部件1A，能够抑制因迁移发生短路。

另外，在电子部件1A中，如上述那样，电位不同的线圈导体彼此仅夹着一个绝缘体层而邻接，不会接近，因此能够抑制在上述线圈导体之间产生浮动容量。

而且，在电子部件1A中，除了线圈导体32c与线圈导体32d的一组、线圈导体32g与线圈导体32h的一组以及线圈导体32k与线圈导体32l这些组之外，夹着绝缘体层22c～22p中的任意一个而邻接的两个线圈导体32a～32o的各组合具有被以并联的方式连接的部分。由此，在电子部件1A中，与不具有被以并联的方式连接的部分的电子部件相比，电阻较低。

（第二实施例）

以下，参照附图对作为第二实施例的电子部件1B的结构进行说明。

图3是作为第二实施例的电子部件1B的分解立体图。此外，图3的x轴、y轴以及z轴的各方向的定义与图2相同。另外，第二实施例的外观图引用图1。

电子部件1B与作为第一实施例的电子部件1A的不同点是绝缘体层22e、22g、22i、22k、22m、22o、22q的材质。其他点而言电子部件1A与电子部件1B相同，因此省略说明。此外，将电子部件1B中的层叠体作为层叠体20B，将与电子部件1A材质不同的绝缘体层作为绝缘体层22eB、22gB、22iB、22kB、22mB、22oB、22qB。另外，在图3中，对与电子部件1A相同的结构标注与电子部件1A相同的附图标记。

电子部件1B的绝缘体层（第二绝缘体层）22eB、22gB、22iB、22kB、22mB、22oB、22qB的密度比其他的绝缘体层（第一绝缘体层）22a～22d、22f、22h、22j、22l、22n、22p、22r、22s的密度高。具体而言，绝缘体层22eB、22gB、22iB、22kB、22mB、22oB、22qB的空穴率比其他的绝缘体层22a～22d、22f、22h、22j、22l、22n、22p、22r、22s的空穴率低。

在如以上那样构成的电子部件1B中，与电子部件1A相比，能够进一步抑制发生迁移。具体而言，在电子部件1B中，在夹着绝缘体层22c～22p中的多个绝缘体层被隔开并且在从z轴方向观察重叠的被以串联的方式连接的线圈导体之间，例如在线圈导体32b的区间P1与线圈导体32f的区间P6之间存在高密度的绝缘体层22eB、22gB。由此，能够阻止作为线圈导体的材料的银等金属离子在电位不同的区间P1与区间P6之间迁移。换言之，在电子部件1B中，与电子部件1A相比，能够进一步抑制发生迁移。另外，在电子部件1B中，在线圈导体32b与线圈导体32f以外的线圈导体之间，也存在高密度的绝缘体层22iB、22kB、22mB、22oB，起到与上述相同的效果。

另外，在电子部件1B中，将绝缘体层22d、22f、22h、22j、22l、22n、22p、22r以及比上述绝缘体层密度高的绝缘体层22eB、22gB、22iB、22kB、22mB、22oB、22qB交替地层叠。换言之，在电子部件1B中，密度高的绝缘体层未在层叠体内被偏颇地配置。由此，在电子部件1B中，因为由烧制导致的残留应力未被偏颇地产生，所以能够抑制由烧制后的残留应力导致的破损。

（第三实施例）

以下，参照附图对作为第三实施例的电子部件1C的结构进行说明。图4是作为第三实施例的电子部件1C的外观立体图。图5是电子部件1C的分解立体图。图6是将电子部件1C的螺旋状的线圈30C展开为平面的图。此外，图4、图5的x轴、y轴以及z轴的各方向的定义与图1、图2相同。

电子部件1C与作为第一实施例的电子部件1A的主要的不同点是将夹着一个绝缘体层而邻接且构成从z轴方向观察重叠的线圈导体的组的线圈导体的每一个以并联的方式连接。另外，在电子部件1C中，相对于电子部件1A而言，绝缘体层的张数以及设置有线圈导体的绝缘体层的张数减少。而且，在电子部件1C中，外部电极40a、40b的设置位置与电子部件1A不同。除此之外，省略对与电子部件1A的内容重复的点的说明。此外，将电子部件1C的层叠体作为层叠体20C，并将线圈作为线圈30C。而且，将电子部件1C的各线圈导体作为线圈导体32aC～32jC，并将通孔导体作为通孔导体34aC～34pC。另外，在图4、图5中，对与电子部件1A相同的结构标注与电子部件1A相同的附图标记。

如图4所示，在电子部件1C中，在层叠体20C的x轴方向的正方向一侧的表面设置有外部电极40a，在层叠体20C的x轴方向的负方向一侧的表面设置有外部电极40b。

如图5所示，电子部件1C的层叠体20C通过将绝缘体层22a～22n层叠为从z轴方向的正方向一侧依次排列而构成。而且，线圈30C内置于层叠体20C，并以层叠方向为中心轴呈螺旋状的形状。而且，线圈30C的两端在层叠体20C的表面露出，并与外部电极40a、40b连接。

如图5所示，构成线圈30C的线圈导体32aC～32jC以从z轴方向的正方向一侧依次排列的方式设置在绝缘体层22c～22l的上表面。另外，位于线圈30C的两端的线圈导体32aC以及线圈导体32jC是与x轴平行的线状的导体，并具有1/4匝量的长度。线圈导体32bC～32iC是呈与x轴以及y轴平行的L字状的导体，并具有1/2匝量的长度。

如图5所示，线圈导体32aC在从z轴方向观察时与夹着绝缘体层22c而邻接的线圈导体32bC的和x轴方向平行的区间P1C重叠。而且，线圈导体32aC通过外部电极40a以及通孔导体34aC与线圈导体32bC的区间P1C以并联的方式连接。

如图5所示，线圈导体32bC～32iC在从z轴方向观察时，每个夹着一个绝缘体层而邻接的线圈导体彼此各重叠1/4匝量，整体呈螺旋状。另外，线圈导体彼此各重叠1/4匝量的部分分别通过通孔导体34bC～34oC以并联的方式连接。更详细而言，线圈导体32bC的下游侧的1/4匝量与线圈导体32cC的上游侧的1/4匝量重叠。而且，线圈导体32bC、32cC彼此各重叠1/4匝量的部分通过通孔导体34bC、34cC以并联的方式连接。此外，在沿z轴方向邻接的两个线圈导体32cC～32iC之间也成立与线圈导体32bC、32cC相同的关系。

如图5所示，线圈导体32jC在从z轴方向观察时与夹着绝缘体层22k而邻接的线圈导体32iC的和x轴方向平行的区间P2C重叠。而且，线圈导体32jC通过外部电极40b以及通孔导体34pC与线圈导体32jC的区间P2C以并联的方式连接。

在如以上那样构成的电子部件1C中，起到与作为第一实施例的电子部件1A相同的效果。另外，如图6所示，电子部件1C的线圈导体32aC～32jC的夹着一个绝缘体层邻接且从z轴方向观察重叠的线圈导体的组的每一个被以并联的方式连接。另一方面，电子部件1A的线圈导体的一部分，例如线圈导体32c以及线圈导体32d的组合不具有被以并联的方式连接的部分。由此，在电子部件1A中，电阻比电子部件1C大。换言之，电子部件1C的电阻比电子部件1A小。

另外，在电子部件1C中，线圈导体32cC、32eC、32gC是它们的长度分别具有1/2匝量的长度的大致同一形状的线圈导体。另外，对于线圈导体32dC、32fC、32hC而言也相同。因此，形成线圈导体32cC～32hC的情况下的线圈图案的数量也可以为两个。换言之，在电子部件1C中，能够简化该制造工序。

（第四实施例）

以下，参照附图对作为第四实施例的电子部件1D的结构进行说明。

图7是作为第四实施例的电子部件1D的分解立体图。此外，图7的x轴、y轴以及z轴的各方向的定义与图2相同。另外，外观图引用图4。

电子部件1D与作为第三实施例的电子部件1C的主要的不同点是通过追加线圈导体以及绝缘体层，来增加被以并联的方式连接的线圈导体的数量这点。除此之外，省略对与电子部件1C的内容重复的点的说明。此外，将电子部件1D的层叠体作为层叠体20D，并将线圈作为线圈30D。另外，在电子部件1D中，将对电子部件1C追加的线圈导体作为线圈导体32aD～32eD，并将被追加的绝缘体层作为绝缘体层22aD～22eD。而且，将伴随着追加线圈导体以及绝缘体层而被追加的通孔导体作为通孔导体34aD～34lD。另外，在图7中，对与电子部件1C相同的结构标注与电子部件1C相同的附图标记。

在电子部件1D中，相对于电子部件1C而言，绝缘体层、线圈导体以及通孔导体的数量增加。具体而言，如图7所示，在绝缘体层22c与绝缘体层22d之间追加设置有与线圈导体32aC同一形状的线圈导体32aD的绝缘体层22aD。另外，与此相伴地，用于连接线圈导体32aC、32bC、32aD的通孔导体34aD被追加。由此，线圈导体32aC、32bC、32aD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接。

而且，如图7所示，在电子部件1D中，在绝缘体层22e与绝缘体层22f之间追加设置有与线圈导体32cC同一形状的线圈导体32bD的绝缘体层22bD。另外，与此相伴地，用于连接线圈导体32cC、32dC、32bD的通孔导体34bD～34dD被追加。由此，线圈导体32bC、32cC、32bD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接，并且线圈导体32cC、32dC、32bD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接。

而且，如图7所示，在电子部件1D中，在绝缘体层22g与绝缘体层22h之间追加设置有与线圈导体32eC同一形状的线圈导体32cD的绝缘体层22cD。另外，与此相伴地，用于连接线圈导体32eC、32fC、32cD的通孔导体34eD～34gD被追加。由此，线圈导体32dC、32eC、32cD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接，并且线圈导体32eC、32fC、32cD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接。

而且，如图7所示，在电子部件1D中，在绝缘体层22i与绝缘体层22j之间追加设置有与线圈导体32gC同一形状的线圈导体32dD的绝缘体层22dD。另外，与此相伴地，用于连接线圈导体32gC、32hC、32dD的通孔导体34hD～34jD被追加。由此，线圈导体32fC、32gC、32dD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接，并且线圈导体32gC、32hC、32dD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接。

而且，如图7所示，在电子部件1D中，在绝缘体层22k与绝缘体层22l之间追加设置有与线圈导体32iC同一形状的线圈导体32eD的绝缘体层22eD。另外，与此相伴地，用于连接线圈导体32iC、32jC、32eD的通孔导体34lD、34kD被追加。由此，线圈导体32hC、32iC、32eD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接，并且线圈导体32iC、32jC、32eD的从z轴方向观察重叠的部分被以并联的方式连接。

在如以上那样构成的电子部件1D中，起到与作为第一实施例的电子部件1A相同的效果。另外，在电子部件1D中，通过如上所述那样地追加线圈导体以及绝缘体层，来将三个线圈导体作为一组，将上述三个线圈导体以并联的方式连接。因此，电子部件1D与将两个线圈导体作为一组而将上述两个线圈导体以并联的方式连接的电子部件1C相比，电阻较小。

（其他的实施例）

本发明所涉及的实施例不限定于上述实施例，能够在该主旨的范围内进行各种变更。例如，绝缘体层的材质、形状、尺寸可以根据用途适当地选择。另外，对于线圈的材质、形状、尺寸而言也可以在该主旨的范围内根据用途适当地选择。另外，也可以将本发明的一实施例的结构与其他的实施例的结构组合。

工业上的利用可能性

如以上那样，本发明对由内置有线圈导体的层叠体构成的电子部件有用，特别是在能够抑制因迁移发生短路这点优越。

Claims (4)

1.一种电子部件，其特征在于，具备:

层叠体，其由多个绝缘体层层叠而构成;

螺旋状的线圈，其设置在所述层叠体，所述线圈是通过由贯通所述绝缘体层的通孔导体连接多个线圈导体而构成的线圈，所述线圈沿层叠方向行进而旋转;以及

外部电极，其设置在所述层叠体的表面，

夹着一个所述绝缘体层而邻接的两个所述线圈导体的组合内的至少一部分的组合具有从层叠方向观察重合而旋转的并行区间，

所述并行区间通过所述通孔导体或者所述外部电极而以并联的方式连接，

夹着一个所述绝缘体层而邻接的两个所述线圈导体的各组合在连接所述通孔导体与所述并行区间以及所述线圈导体的连接部分以外，从层叠方向观察时不重叠。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，

夹着一个所述绝缘体层而邻接的两个所述线圈导体的组合的每一个都具有所述并行区间。

3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，

所述绝缘体层包括第一绝缘体层和密度比所述第一绝缘体层的密度高的第二绝缘体层，

在被多个所述绝缘体层隔开并从层叠方向观察重合而旋转且被以串联的方式连接的所述线圈导体之间设置有至少一个以上的所述第二绝缘体层。

4.根据权利要求3所述的电子部件，其特征在于，

所述层叠体包括所述第一绝缘体与所述第二绝缘体层交替层叠的部分。