CN103895347A - 喷嘴板、液体喷射头以及液体喷射装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供喷嘴板、液体喷射头以及液体喷射装置。本发明的硅喷嘴板的喷嘴开口内表面、排出面的耐液性优异。在喷嘴板的硅基板设置有多个喷嘴开口。在所述硅基板的两面以及所述喷嘴开口的内表面设置有通过原子层堆积的方式而形成的氧化钽膜。
Description
技术领域
本发明涉及具有用于排出液滴的喷嘴开口的喷嘴板、具备该喷嘴板的液体喷射头以及液体喷射装置。
背景技术
一般情况下，作为液体喷射头的代表例而众所周知的喷墨式记录头具备：喷嘴板，该喷嘴板形成有用于排出液滴的多个喷嘴开口；以及流路形成基板，该流路形成基板形成有与喷嘴开口连通的产生压力室。在这种液体喷射头中，伴随着喷嘴的高密度化，将硅基板用于流路形成基板、喷嘴板，并利用粘结剂使两者接合而加以使用。
在这种硅喷嘴板（slilicon nozzle plate）的与流路形成基板的接合面、喷嘴开口的内表面具备由基于热氧化而产生的硅膜构成的第一耐墨水保护膜、以及由通过热CVD、等离子体CVD的方式形成的五氧化二钽膜等的金属氧化物构成的第二耐墨水保护膜，另外，在墨水的排出面还形成有由通过热CVD、等离子体CVD的方式形成的五氧化二钽膜等的金属氧化物构成的第三耐墨水保护膜（底膜）以及疏液膜（疏墨水膜），上述抑制墨水残留的方法广为人知（例如参照专利文献1）。
另外，作为喷嘴排出面的疏液膜而已知有如下结构：设置有硅材料的等离子体聚合膜等的底膜和设置于底膜上的金属醇化物（alkoxide）聚合而成的分子膜等的疏液膜（参照专利文献2）。
专利文献1：日本特开2009-184176号公报
专利文献2：日本特开2004-351923号公报
然而，特别是在喷嘴高密度化的情况下，如果利用CVD的方式而设置由金属氧化物构成的耐墨水保护膜，则难以使均匀的膜形成到喷嘴开口内表面的特别是排出面附近，从而容易在耐墨水性方面产生问题，另外，若欲在整个面上形成足够的膜，则容易形成膜厚增加且不均匀的状态，从而有时会产生被排出的墨滴变得不均匀等的问题。当上述的喷嘴板是利用各向异性蚀刻法而在硅基板形成喷嘴孔的硅喷嘴板时，有时在墨水保护膜的密接性方面出现问题。
另外，专利文献2的硅材料的等离子体聚合膜等的底膜有可能产生微小的缺陷，从而有时会因这种微小的缺陷而产生疏液膜剥离等问题。
发明内容
本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种喷嘴开口内表面、排出面的耐液性优异的喷嘴板和使用该喷嘴板的液体喷射头以及液体喷射装置。
解决上述课题的本发明的一种实施方式是在硅基板设置有多个喷嘴开口的喷嘴板，该喷嘴板的特征在于，在所述硅基板的两面以及所述喷嘴开口内表面设置有通过原子层堆积的方式所形成的氧化钽膜，在排出面的所述氧化钽膜层叠有硅材料的等离子体聚合膜。
对于这样的实施方式而言，即便在喷嘴开口内周面等的较小的区域也均匀且致密地形成通过原子层堆积的方式而成膜的氧化钽膜，因此能作为针对强碱液、强酸液的保护膜而有效地发挥功能。
此处，所述氧化钽膜的厚度优选处于
以上50nm以下的范围。由此，充分确保了耐液性，另外，还不会对喷嘴开口内的开口状态产生影响。
另外，优选在所述氧化钽膜的下层形成硅的热氧化膜。由此进一步提高耐液性。
另外，优选在所述硅材料的等离子体聚合膜上层叠对金属醇化物膜进行退火处理而形成的疏液膜。由此，排出面的疏液性进一步提高，另外，高度确保了在喷嘴开口内、与喷嘴开口附近的形成有疏液膜的区域的边界部未形成疏液膜的部分的耐液性，从而消除了因硅基板被液体侵蚀等问题而引起的疏液膜剥离等问题。
此外，本发明的其他实施方式为一种液体喷射头，其特征在于，该液体喷射头具备：所述实施方式的喷嘴板；流路形成基板，该流路形成基板与所述喷嘴板接合，且设置有与所述喷嘴开口连通的产生压力室；以及产生压力单元，该产生压力单元设于所述流路形成基板的与所述喷嘴板相反的一侧，利用该产生压力单元而使所述产生压力室内的压力发生变化。
对于所述实施方式而言，由于具有耐液性优异、不存在疏液膜剥离的问题、且喷嘴开口的开口偏差较小的喷嘴板，因此，能够实现耐久性优异且不存在排出偏差的液体喷射头。
另外，本发明的其他实施方式为一种液体喷射装置，其特征在于，该液体喷射装置具备所述实施方式的液体喷射头。由此，能够实现耐久性优异且不存在排出偏差的液体喷射装置。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的喷嘴板的立体图以及主要部分放大剖视图。
图2是示出实施方式1所涉及的喷嘴板的制造工序的图。
图3是实施方式2所涉及的记录头的分解立体图。
图4是实施方式2所涉及的记录头的俯视图以及剖视图。
图5是实施方式2所涉及的记录头的剖视图。
图6是示出一个实施方式所涉及的记录装置的简要结构的图。
具体实施方式
（实施方式1）
首先，对本发明的实施方式1所涉及的喷嘴板的一个例子进行说明。图1是喷嘴板的立体图以及该喷嘴板的主要部分放大剖视图。
如图1所示，喷嘴板20是由硅单晶基板构成的部件，对于该硅单晶基板而言，以与点（dot）形成密度对应的间距而使得喷嘴开口21形成为列状。在本实施方式中，以180dpi的间距而将180个喷嘴开口21设置成列状，由此构成喷嘴列。另外，各喷嘴开口21通过干法蚀刻的方式形成，并由内径不同的连续的两个圆筒状的空部构成。即，喷嘴开口21构成为包括：内径较小的第一圆筒部22，该第一圆筒部22在喷嘴板20的板厚方向上形成于排出墨水的一侧；和内径较大的第二圆筒部23，该第二圆筒部23形成于同排出墨水的一侧相反的一侧（墨水流路侧）。对于喷嘴开口21的形状而言，并不限于举例示出的形状，例如，喷嘴开口21也可以构成为包括：内径恒定的圆筒部（笔直（straight）部）；以及内径从喷射侧朝向墨水流路侧逐渐扩大的锥形部。在上述喷嘴板20的两面以及喷嘴开口21的内周面依次形成有硅的热氧化膜200以及由通过原子层堆积的方式而形成的氧化钽膜构成的保护膜201。另外，在喷嘴板20的排出墨水的一侧的面（以下称为排出侧表面）依次层叠有：通过对硅材料实施等离子体聚合而形成的等离子体聚合膜（PPSi（Plasma Polymerization Silicone）膜）202；和对具有疏液性的金属醇化物的分子膜进行成膜、之后再对该分子膜实施干燥处理、退火处理等而形成的疏液膜（SCA（silane coupling agent）膜）203。
此处，硅的热氧化膜200是通过对硅基板进行热氧化而形成的，因此，该硅的热氧化膜200形成于硅基板的两面以及喷嘴开口21的内周面。厚度例如为100nm左右。
并非一定需要设置所述热氧化膜200，此处是在硅基板直接形成保护膜201。另外，即便在未设置热氧化膜200的情况下，有时也会在硅基板与保护膜201之间形成硅的自然氧化膜，当然这也涵盖于本发明中。
另一方面，保护膜201是含有以五氧化二钽为代表的氧化钽（TaOx）的膜。这样的保护膜201是通过原子层堆积的方式而形成的，其特征在于，该保护膜201能够以与利用CVD法等其他的气相法形成的膜相比更薄的膜厚而形成，另外，在较小的喷嘴开口21的内周面也能够可靠且以均匀的膜厚而形成该保护膜201。另外，通过原子层堆积的方式而形成是指利用原子层堆积法（ALD法）来形成膜的情况。进而，若利用ALD法，还具有能够以较高的膜密度来形成膜这一优点。即，通过以较高的膜密度形成保护膜201，能够提高保护膜201的耐墨水性（耐液体性），从而能够抑制硅基板被墨水（液体）侵蚀。特别地，由于在因耐墨水性而易于产生问题的喷嘴开口21的内周面、排出面侧的表面与喷嘴开口21的边界的角部也可靠且以较高的膜密度形成保护膜201，因此显著提高了喷嘴板20的耐墨水性。
这种保护膜201的厚度只要处于
以上50nm以下的范围即可，优选处于10nm以上30nm以下的范围。这样，通过原子层堆积法而形成的保护膜201成为与通过CVD法等形成的100nm左右的膜相比也相当薄的膜。若比上述厚度还薄，则存在无法形成整体均匀的膜的担忧，另外，若比上述厚度还厚，则成膜所需时间会加长而导致成本提升，上述两种情况均非优选。
对于等离子体聚合膜202而言，作为其原料例如能够举出硅油、烷氧基硅烷（alkoxysilane），具体而言，能够举出二甲基聚硅氧烷（dimethylpolysiloxane）等，作为产品，使用TSF451（GE東芝シリコーン公司制）、SH200（东レ道康宁公司制）等并借助成膜装置实施等离子体聚合而制成该等离子体聚合膜202。
疏液膜203是对具有疏液性（疏水性以及疏油性）的金属醇化物进行成膜，然后再实施干燥处理、退火处理等而形成的分子膜。
成为原料的金属醇化物，只要具有疏水性以及疏油性即可，可以是任何醇化物，但优选使用具有含氟的长链高分子基（以下，称为长链RF基）的金属醇化物或具有疏液基的金属酸盐。虽然作为所述金属醇化物存在使用了例如Ti、Li、Si、Na、K、Mg、Ca、St、Ba、Al、In、Ge、Bi、Fe、Cu、Y、Zr、Ta等的各种醇化物，但通常使用硅、钛、铝、锆等。在本实施方式中采用的是使用了硅的醇化物，优选使用具有含氟的长链RF基的烷氧基硅烷、或者具有疏液基的金属酸盐。
作为长链RF基，其分子量为1000以上，例如，能够举出全氟烷基链、全氟聚醚链等。
作为具有该长链RF基的烷氧基硅烷，例如能够举出具有长链RF基的硅烷耦合剂等。
作为具有适用于形成疏液膜203的长链RF基的硅烷耦合剂，例如能够举出三十七氟二十碳烷基三甲氧基硅烷等，作为产品，能够举出OPTOOL DSX（商标，daikin工业公司制）、KY-130（商标，信越化学工业公司制）。
由于氟化碳基（RF基）的表面自由能比烷基的表面自由能小，因此通过使金属醇化物含有RF基，能够提高所形成的疏液膜的疏液性，并且还能够提高耐药性、耐候性、耐摩擦性等特性。另外，作为RF基，具有较长的长链结构的RF基能够进一步维持疏液性。进而，作为具有疏液基的金属酸盐，例如能够举出铝酸盐以及钛酸盐等。
接下来，对喷嘴板20的详细情况、特别是对其制造工序进行说明。
图2是对喷嘴板20的制造工序进行说明的示意图。
作为本实施方式中的喷嘴板20的材料，使用上述的硅单晶基板（硅基板）25，由一个硅基板25制作出多个喷嘴板20。如图2（a）所示，对于该硅基板25，首先通过干法蚀刻的方式形成包括第一圆筒部22以及第二圆筒部23的喷嘴开口21。
接下来，如图2（b）所示，在墨水被排出的一侧的排出侧面（图中的下侧的面。以下称为第一面）、上述面的相反侧的面（图中的上侧的面。以下称为第二面）、以及喷嘴开口21的内周面通过进行热处理而形成硅的热氧化膜200。热氧化膜200由二氧化硅构成，其厚度约为100nm。
另外，也可以省略这样的热氧化膜200的形成工序。
接下来，如图2（c）所示，利用原子层堆积法在墨水被排出的一侧的第一面、第二面以及喷嘴开口21的内周面形成由氧化钽构成的保护膜201。利用原子层堆积法对氧化钽进行成膜时的氧化剂采用H2O或者O3，成膜温度为120℃～350℃。另外，由于利用原子层堆积法而均匀且致密（高膜密度）地进行成膜，因此保护膜201的厚度只要处于
以上50nm以下的范围即可，优选处于10nm以上30nm以下的范围。另外，Ta2O5（TaOx）虽然可溶于碱，但如果膜密度较高（7g/cm2左右）则变得难以溶于碱，对于耐酸性而言，Ta2O5具有不溶于除氢氟酸之外的溶液的特征，因此Ta2O5作为针对强碱液、强酸液的保护膜是有效的。
接下来，如图2（d）所示，在第一面的保护膜201上形成通过对硅材料进行等离子体聚合而形成的等离子体聚合膜202，在该等离子体聚合膜202上形成具有疏液性的金属醇化物的分子膜，之后再实施干燥处理、退火处理等而形成疏液膜203。
此处，与保护膜201相比，上述等离子体聚合膜202以及疏液膜203的电绝缘性更高，因此，当将导电部件安装于第一面而使其导通时，等离子体聚合膜202以及疏液膜203仅形成于导通区域以外的区域。关于该导通区域，可以在第一面的整体形成了疏液膜203之后再仅针对适当的部分而将等离子体聚合膜202以及疏液膜203除去，也可以在形成等离子体聚合膜202以及疏液膜203时仅将适当的部分遮罩从而从最开始就不在所述适当的部分形成等离子体聚合膜202以及疏液膜203。
在形成了疏液膜203之后，通过对硅基板25进行分割而获得多个喷嘴板20。经过这样的工序而制成喷嘴板20。
（实施方式2）
以下，对作为使用了上述实施方式1的喷嘴板20的液体喷射头的一个例子的喷墨式记录头进行说明。
图3是本实施方式的喷墨式记录头的分解立体图，图4是图3的俯视图及其A-A′线剖视图，图5是图4（b）的B-B′线剖视图。
如图所示，对于作为本实施方式的液体喷射头的一个例子的喷墨式记录头Ⅰ所具备的流路形成基板10而言，在本实施方式中，例如由硅单晶基板构成。在该流路形成基板10，由多个间隔壁划分而成的产生压力室12沿着排出相同颜色的墨水的多个喷嘴开口21并列设置的方向而并列设置。在以下的说明中，将所述方向称为产生压力室12的并列设置方向、或第一方向X。另外，在以下的说明中将与该第一方向X正交的方向称为第二方向Y。
另外，在流路形成基板10的产生压力室12的长边方向的一端部侧、亦即在与第一方向X正交的第二方向Y的一端部侧，被多个间隔壁11划分出墨水供给路13与连通路14。在连通路14的外侧（第二方向Y上的与产生压力室12相反的一侧）形成有连通部15，其中，该连通部15构成成为各产生压力室12的共同的墨水室（液体室）的歧管100的一部分。即，在流路形成基板10设置有包括产生压力室12、墨水供给路13、连通路14以及连通部15的液体流路。
此处，在流路形成基板10的包括产生压力室12、墨水供给路13、连通路14以及连通部15的液体流路的内壁表面（内表面），设置有由具有耐墨水性（耐液性）的材料、例如五氧化二钽等的氧化钽（TaOx：非晶体）构成的耐液膜210。另外，这种耐液膜210的材料并不限定于氧化钽，也可以根据所使用的墨水的PH值而使用例如氧化硅（SiO2）、氧化锆（ZrO2）、氧化铪（HfO2）、镍（Ni）、铬（Cr）等。
另外，对于耐液膜210而言，虽然可以利用溅射（spattering）法、原子层堆积法（ALD）等的气相法来形成耐液膜210，但尤其对于耐液膜210而言，优选使用原子层堆积法（ALD）来形成。根据原子层堆积法，能够以较薄的膜厚以及较高的膜密度来形成耐液膜210。即，通过以较高的膜密度来形成耐液膜210，能够提高耐液膜210的耐墨水性（耐液性），从而能够抑制振动板50、流路形成基板10等被墨水（液体）侵蚀。因此，能够将耐液膜210的厚度减薄。另外，利用原子层堆积法形成耐液膜210，与CVD法等相比，能够形成较薄的耐液膜210。但是，对于原子层堆积法而言，与溅射法相比，成膜所需时间较长，因此不利于形成厚度较厚的膜。
在流路形成基板10的一面侧、即在产生压力室12等的液体流路开口的一面，使用粘结剂、热熔膜等对形成有与各产生压力室12连通的喷嘴开口21的实施方式1的喷嘴板20进行接合。即，在喷嘴板20沿第一方向X并列设置有喷嘴开口21。
在流路形成基板10的另一面侧层叠有弹性模51以及在弹性模51上形成的绝缘体层52，其中，弹性膜51由通过热氧化的方式而形成的氧化硅（SiO2）构成，绝缘体层52由含有氧化锆（ZrO2）的材料形成。另外，产生压力室12等的液体流路通过从一面侧（接合有喷嘴板20的一面侧）对流路形成基板10进行各向异性蚀刻而形成，产生压力室12等的液体流路的另一面由弹性膜51形成。
在绝缘体层52上形成有压电致动器300，该压电致动器300具有第一电极60、压电体层70以及第二电极80。此处，压电致动器300是指包括第一电极60、压电体层70以及第二电极80的部分。一般而言，压电致动器300构成为：将该压电致动器300的任意一方的电极作为共用电极，并将另一方的电极以及压电体层分别刻设（patterning）于各产生压力室12。并且，此处将由刻设而成的任意一方的电极以及压电体层70所构成、且通过向两电极施加电压而产生压电应变的部分称为压电体能动部320。在本实施方式中，虽然将第一电极60作为压电致动器300的共用电极、且将第二电极80作为压电致动器300的个别电极，但即使根据驱动电路、配线的情况而进行相反的设置也不会产生障碍。
压电体层70由在第一电极60上形成的具有分极结构的氧化物的压电材料构成，例如，能够由以一般式ABO3来表示的钙钛矿（perovskite）型氧化物构成，A能够含有铅，B能够含有锆以及钛中的至少一方。所述B例如还能够含有铌。具体而言，作为压电体层70，能够使用例如锆钛酸铅（Pb（Zr，Ti）O3：PZT）、含有硅的硅酸锆钛酸铅（Pb（Zr，Ti，Nb）O3：PZTNS）等。
另外，压电体层70也可以设为含有不含铅的非铅系压电材料、例如含有铁酸铋或铁酸锰酸铋、以及钛酸钡或钛酸铋钾且具有钙钛矿构造的复合氧化物等。
进而，在作为这种压电致动器300的个别电极的各第二电极80连接有例如由金（Au）等构成的引线电极90，该引线电极90从墨水供给路13侧的端部附近引出并延伸设置至振动板50上。
在形成有这种压电致动器300的流路形成基板10上、亦即在第一电极60、振动板50以及引线电极90上借助粘结剂35而接合有具有构成歧管100的至少一部分的歧管部31的保护基板30。在本实施方式中，该歧管部31形成为在厚度方向上贯穿保护基板30且遍及产生压力室12的宽度方向，如上所述，上述歧管部31与流路形成基板10的连通部15连通而构成成为各产生压力室12的共用的墨水室的歧管100。另外，也可以针对每个产生压力室12而将流路形成基板10的连通部15分割成多个，并仅将歧管部31作为歧管。进而，例如也可以在流路形成基板10仅设置产生压力室12，并在夹装于流路形成基板10与保护基板30之间的振动板50设置将歧管和各产生压力室12连通的墨水供给路13。
在保护基板30的与压电致动器300对置的区域设置有压电致动器保持部32，该压电致动器保持部32具有不妨碍压电致动器300的运动的程度的空间。另外，压电致动器保持部32只要是具有不妨碍压电致动器300的运动的程度的空间即可，该空间既可以被密封，也可以不被密封。
另外，在保护基板30设置有在厚度方向上贯穿保护基板30的贯通孔33。并且，从各压电致动器300所引出的引线电极90的端部附近被设置为在贯通孔33内露出。
另外，在保护基板30上固定有作为信号处理部而发挥功能的驱动电路120。例如能够将电路基板、半导体集成电路（IC）等用作驱动电路120。并且，借助由穿过贯通孔33的焊丝等的导电性线材构成的连接配线121而将驱动电路120与引线电极90电连接。
作为保护基板30，优选使用热膨胀率与流路形成基板10的热膨胀率大致相同的材料，例如优选使用玻璃、陶瓷材料等，在本实施方式中，使用与流路形成基板10的材料相同的硅单晶基板而形成保护基板30。
另外，在保护基板30上接合有包括密封膜41以及固定板42的柔性基板40。此处，密封膜41由刚性较低且具有可挠性的材料、例如聚苯硫醚（PPS）膜构成，利用该密封膜41将歧管部31的一面密封。另外，固定板42由金属等的硬质的材料、例如不锈钢（SUS）等形成。该固定板42的与歧管100对置的区域成为在厚度方向上被完全除去的开口部43，因此歧管100的一面仅被具有可挠性的密封膜41密封。
对于这样的本实施方式的喷墨式记录头Ⅰ而言，从与未图示的外部墨水供给单元连接的墨水导入口将墨水引入，在使墨水充满内部的从歧管100至喷嘴开口21的部分之后，根据来自驱动电路120的记录信号而对对应于产生压力室12的各第一电极60与第二电极80之间施加电压，通过使振动板50、第一电极60以及压电体层70发生弯曲变形，使得各产生压力室12内的压力升高，从而从喷嘴开口21将墨滴排出。
如以上说明的那样，由于在本实施方式的喷墨式记录头Ⅰ中具备实施方式1的喷嘴板20，因此其耐墨水性优异，且能够实现墨滴的均匀的排出。即，在喷嘴板20的两面以及喷嘴开口21的内周面形成有保护膜201，其中，该保护膜201由利用原子层堆积法而形成的氧化钽膜构成，在保护膜201的上方的排出面形成有等离子体聚合膜202以及疏液膜203，因此，能够使由均匀的氧化钽膜构成的保护膜201形成到喷嘴开口21的内表面的特别是排出面附近，从而使得其耐墨水性优异。另外，由氧化钽膜所形成的保护膜201以较薄的膜厚均匀地形成于喷嘴开口21的内周面，因此不存在被排出的墨滴不均匀的问题。
（其他实施方式）
以上，对本发明的实施方式1、2进行了说明，但本发明的基本结构并不限定于上述情况。
在上述实施方式2中，对将薄膜型的压电致动器300用作从喷嘴开口21排出墨滴的产生压力单元的情况进行了说明，但并不特别限定于此，例如可以使用通过粘贴绿色片材（green sheet）等的方法而形成的厚膜型的压电致动器，或者也可以使用通过使压电材料和电极形成材料交替层叠并使它们在轴向上伸缩而形成的纵向振动型压电致动器。
另外，在上述实施方式2中，对将薄膜型的压电致动器300用作使产生压力室12产生压力变化的产生压力单元的情况进行了说明，但并不特别限定于此，例如可以使用通过粘贴绿色片材等的方法而形成的厚膜型的压电致动器，或者也可以使用通过使压电材料和电极形成材料交替层叠并使它们沿轴向伸缩而形成的纵向振动型压电致动器。另外，作为产生压力单元，能够使用将发热元件配置于产生压力室内并利用因发热元件的发热所产生的气泡而将液滴从喷嘴开口排出的装置，或者能够使用在振动板与电极之间产生静电并利用静电力使振动板变形从而使得液滴从喷嘴开口排出的所谓的静电式致动器等。
另外，在上述实施方式2中，作为流路形成基板10而举例示出了硅单晶基板，但并不特别限定于此，例如也可以使用SOI基板、玻璃等材料。
另外，上述各实施方式的喷墨式记录头构成具备与墨盒等连通的墨水流路的记录头单元的一部分，并搭载于喷墨式记录装置。图6是示出该喷墨式记录装置的一个例子的简图。
如图6所示，具有喷墨式记录头的记录头单元1A以及1B，以能够装卸的方式而设置有构成墨水供给单元的墨盒2A以及2B，搭载有该记录头单元1A以及1B的滑架（carriage）3以沿轴向移动自如的方式设置于安装在装置主体4的滑架轴5。该记录头单元1A以及1B例如设为分别排出黑色墨水组成物以及彩色墨水组成物的单元。
并且，经由未图示的多个齿轮以及正时带（timing belt）7而将驱动马达6的驱动力传递至滑架3，由此使搭载有记录头单元1A以及1B的滑架3沿滑架轴5移动。另一方面，在装置主体4沿滑架轴5设置有压板（platen）8，利用未图示的供纸辊等而供给的纸张等的作为记录介质的记录片材S被绕挂于压板8而输送。
另外，对于上述的喷墨式记录装置Ⅱ而言，虽然举例示出了喷墨式记录头Ⅰ（记录头单元1A、1B）搭载于滑架3而沿主扫描方向移动的结构，但并不特别限定于此，本发明例如也能够应用于所谓的线式记录装置，在该线式记录装置中固定有喷墨式记录头Ⅰ，使纸张等记录片材S沿副扫描方向移动而进行打印。
另外，在上述实施方式中，作为液体喷射头的一个例子而举出喷墨式记录头进行了说明，并且作为液体喷射装置的一个例子而举出喷墨式记录装置进行了说明，但本发明是以广泛的液体喷射头以及液体喷射装置整体作为对象，当然也能够应用于喷射墨水之外的液体的液体喷射头、液体喷射装置。作为其他的液体喷射头，例如能够举出用于打印机等的图像记录装置的各种记录头、用于液晶显示器的彩色滤波器（colorfilter）的制造的彩色材料喷射头、用于有机EL显示器、FED（电场放射显示器）等的电极形成的电极材料喷射头、用于生物芯片（bio chip）的生物体有机物喷射头等，本发明应用于具备上述这些液体喷射头的液体喷射装置。
附图标记说明
Ⅰ：喷墨式记录头（液体喷射头）；Ⅱ：喷墨式记录装置（液体喷射装置）；10：流路形成基板；12：产生压力室；13：墨水供给路；14：连通路；15：连通部；20：喷嘴板；21：喷嘴开口；30：保护基板；40：柔性基板；50：振动板；51：弹性膜；52：绝缘体层；60：第一电极；70：压电体层；80：第二电极；90：引线电极；100：歧管；120：驱动电路；200：热氧化膜；201：保护膜；202：等离子体聚合膜；203：疏液膜；210：耐液膜；300：压电致动器。
Claims (6)
1.一种在硅基板设置有多个喷嘴开口的喷嘴板，
所述喷嘴板的特征在于，
在所述硅基板的两面以及所述喷嘴开口内表面设置有通过原子层堆积的方式所形成的氧化钽膜，在排出面的所述氧化钽膜层叠有硅材料的等离子体聚合膜。
2.根据权利要求1所述的喷嘴板，其特征在于，
所述氧化钽膜的厚度处于
以上50nm以下的范围。
3.根据权利要求1或2所述的喷嘴板，其特征在于，
在所述氧化钽膜的下层形成有硅的热氧化膜。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的喷嘴板，其特征在于，
在所述硅材料的等离子体聚合膜上层叠有通过对金属醇化物膜实施退火处理而形成的疏液膜。
5.一种液体喷射头，其特征在于，
所述液体喷射头具备：
权利要求1～4中任一项所述的喷嘴板；流路形成基板，该流路形成基板与所述喷嘴板接合、且设置有与所述喷嘴开口连通的产生压力室；以及产生压力单元，该产生压力单元设置于所述流路形成基板的与所述喷嘴板相反的一侧，利用该产生压力单元而使所述产生压力室内的压力发生变化。
6.一种液体喷射装置，其特征在于，
所述液体喷射装置具备权利要求5所述的液体喷射头。
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