CN103895348B - 喷嘴板、液体喷头和液体喷射装置 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 33
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 18
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 alkoxy silane Chemical compound 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 229910020294 Pb(Zr,Ti)O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N [K].[Bi] Chemical compound [K].[Bi] YPQJHZKJHIBJAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWXBAFPAYLDYOJ-UHFFFAOYSA-N [Pb].[Zr].[Ti] Chemical compound [Pb].[Zr].[Ti] IWXBAFPAYLDYOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- QNZFKUWECYSYPS-UHFFFAOYSA-N lead zirconium Chemical compound [Zr].[Pb] QNZFKUWECYSYPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical group C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
- B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
- B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
- B41J2/055—Devices for absorbing or preventing back-pressure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/1606—Coating the nozzle area or the ink chamber
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- B41J2/1621—Manufacturing processes
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- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
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- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
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- B41J2002/14241—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm having a cover around the piezoelectric thin film element
Abstract
本发明提供喷嘴板、液体喷头和液体喷射装置。本发明的硅喷嘴板的喷嘴开口内面、喷出面的耐液性优异。在喷嘴板的硅基板设有多个喷嘴开口。在上述硅基板的两面和上述喷嘴开口内面设有通过原子层沉积而形成的氧化钽膜。
Description
技术领域
本发明涉及具有用于喷出液滴的喷嘴开口的喷嘴板以及具备它的液体喷头和液体喷射装置。
背景技术
作为液体喷头的代表例而已知的喷墨式记录喷头一般具备形成有用于喷出液滴的多个喷嘴开口的喷嘴板和形成有与喷嘴开口连通的压力产生室的流路形成基板。对于这样的液体喷头而言,随着喷嘴的高密度化,在流路形成基板、喷嘴板中使用硅基板,二者利用粘接剂接合而使用。
已知有如下方法,即,在上述硅喷嘴板的与流路形成基板的接合面、喷嘴开口的内面具备由通过热氧化形成的氧化硅膜构成的第1耐油墨保护膜和通过热CVD、等离子体CVD而形成的五氧化二钽膜等由金属氧化物构成的第2耐油墨保护膜,另外,在油墨的喷出面进一步形成通过热CVD、等离子体CVD而形成的五氧化二钽膜等由金属氧化物构成的第3油墨保护膜(基底膜)和防液膜(防油墨膜),抑制上述的油墨残留的方法(例如,参照专利文献1)。
另外,作为喷嘴喷出面的防液膜,已知设有硅材料的等离子体聚合膜等基底膜和在基底膜上设置的金属醇盐聚合而成的分子膜等防液膜的结构(参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2009-184176号公报
专利文献2:日本特开2004-351923号公报
发明内容
然而,特别是喷嘴高密度化时,如果通过CVD设置由金属氧化物构成的耐油墨保护膜,则均匀的膜难以形成至喷嘴开口内面尤其是喷出面附近,耐油墨性容易产生问题,另外,如果想要在整面形成足够的膜,则有时产生容易成为膜厚厚且不均匀的状态、被喷出的油墨滴变得不均匀等问题。上述喷嘴板是使用各向异性蚀刻在硅基板形成喷嘴孔的硅喷嘴板时,有时油墨保护膜的密合性成为问题。
另外,专利文献2的硅材料的等离子体聚合膜等基底膜有产生微细缺陷的可能性,有时产生这样的微细缺陷引起防液膜剥离等问题。
本发明鉴于上述情况,其目的在于提供喷嘴开口内面、喷出面的耐液性优异的喷嘴板以及使用它的液体喷头和液体喷射装置。
解决上述课题的本发明的方式涉及一种喷嘴板,其特征在于,是在硅基板设有多个喷嘴开口的喷嘴板,在上述硅基板的两面和上述喷嘴开口内面设有通过原子层沉积而形成的氧化钽膜。
在上述方式中,通过原子层沉积成膜的氧化钽膜即便在喷嘴开口内周面等小的区域也能均匀且致密地形成,因此作为对强碱液、强酸液的保护膜而有效发挥功能。
在此,上述氧化钽膜的厚度优选在0.3~50nm的范围。由此,充分确保耐液性,另外,对喷嘴开口内的开口状态没有影响。
另外,优选在上述氧化钽膜下形成硅的热氧化膜。由此,进一步提高耐液性。
另外,优选在喷出面的上述氧化钽膜上层积有将金属醇盐膜退火而成的防液膜。由此,提高喷出面的防液性,另外,在与喷嘴开口内、喷嘴开口附近的形成有防液膜的区域的边界部,高度确保没形成防液膜的部分的耐液性,消除硅基板浸蚀在液体中等问题引起的防液膜的剥离等问题。
此外,本发明的其他方式涉及一种液体喷头,其特征在于,具备:上述方式的喷嘴板、流路形成基板和压力产生机构,上述流路形成基板与该喷嘴板接合且设有与上述喷嘴开口连通的压力产生室,上述压力产生机构在该流路形成基板的与上述喷嘴板相反的一侧设置并使上述压力产生室内发生压力变化。
在上述方式中,由于具有耐液性优异、不产生防液膜的剥离的问题、喷嘴开口的开口偏差少的喷嘴板,所以能够实现耐久性优异且无喷出偏差的液体喷头。
另外,本发明的其他方式涉及一种液体喷射装置,其特征在于,具备上述方式的液体喷头。由此,能够实现耐久性优异且无喷出偏差的液体喷射装置。
附图说明
图1是实施方式1涉及的喷嘴板的立体图和主要部位放大截面图。
图2是表示实施方式1涉及的喷嘴板的制造工艺的图。
图3是实施方式2涉及的记录喷头的分解立体图。
图4是实施方式2涉及的记录喷头的俯视图和截面图。
图5是实施方式2涉及的记录喷头的截面图。
图6是表示一个实施方式涉及的记录装置的简要结构的图。
具体实施方式
实施方式1
首先,对本发明的实施方式1涉及的喷嘴板的一个例子进行说明。图1是喷嘴板的立体图及其主要部位放大截面图。
如图1所示,喷嘴板20是由以与点形成密度对应的间距呈列状形成有多个喷嘴开口21的硅单晶基板形成的部件。在本实施方式中,通过以180dpi的间距列设180个喷嘴开口21而构成喷嘴列。另外,各喷嘴开口21由通过干法蚀刻形成的内径不同的连续2个圆筒状的空部构成。即,由内径小的第1圆筒部22和内径大的第2圆筒部23构成喷嘴开口21,上述第1圆筒部22在喷嘴板20的板厚方向的喷出油墨的一侧形成,上述第2圆筒部23在与喷出油墨的一侧相反的一侧(油墨流路侧)形成。对于喷嘴开口21的形状,不限于例示的形状,例如,可以由内径恒定的圆筒部(笔直部)和从喷射侧向油墨流路侧内径逐渐扩大的锥形部构成喷嘴开口21。在上述喷嘴板20的两面和喷嘴开口21的内周面依次形成有硅的热氧化膜200、和由通过原子层沉积而形成的氧化钽膜构成的保护膜201。
另外,在喷嘴板20的喷出油墨的一侧的面(以下称为喷出侧表面),在保护膜201上,将具有防液性的金属醇盐的分子膜成膜,其后,经过干燥处理、退火处理等而层叠防液膜(SCA(silane coupling agent)膜)202。
在此,硅的热氧化膜200是通过将硅基板热氧化而形成的,在两面和喷嘴开口21的内周面形成。厚度例如为100nm左右。
上述热氧化膜200不一定需要设置,此时在硅基板直接形成保护膜201。应予说明,不设置热氧化膜200时,有时在硅基板与保护膜201之间形成硅的自然氧化膜,当然这种方式也包含在本发明中。
另一方面,保护膜201含有以五氧化二钽为代表的氧化钽(TaOx)。所述保护膜201通过原子层沉积而形成,具有下述特征,即,与用CVD法等其他的气相法形成的膜相比能够以较薄的膜厚形成,另外,在小的喷嘴开口21的内周面也能够可靠地且以均匀的膜厚形成。应予说明,通过原子层沉积而形成是指利用原子层沉积法(ALD法)成膜。并且,如果利用ALD法,则有能够以高的膜密度形成这样的优点。换言之,通过以高的膜密度形成保护膜201,从而能够提高保护膜201的耐油墨性(耐液体性),抑制硅基板受到油墨(液体)侵蚀。特别是在耐油墨性上容易产生问题的喷嘴开口21的内周面、喷出面侧的表面与喷嘴开口21的边界的角部也能够可靠地形成膜密度高的保护膜201,因此喷嘴板20的耐油墨性显著提高。
这样的保护膜201的厚度可以为0.3~50nm的范围,优选为10nm~50nm的范围。这样利用原子层沉积法形成的保护膜201是比利用CVD法等形成的100nm左右的膜薄很多的膜。如果比其薄则可能无法形成整体均匀的膜,另外,如果比其厚,则成膜耗费时间成本变高,均不优选。
防液膜202是将具有防液性(防水性和防油性)的金属醇盐成膜,其后经过干燥处理、退火处理等而成膜的分子膜。在形成防液膜202之前,优选用紫外线(UV)照射、等离子体处理、臭氧处理等对保护膜201的表面进行表面重整。
作为原料的金属醇盐只要具有防水性和防油性任何物质均可,优选使用具有含氟的长链高分子基团(以下称为长链RF基)的金属醇盐或者具有防液基团的金属酸盐。作为上述金属醇盐,例如有使用Ti、Li、Si、Na、K、Mg、Ca、St、Ba、Al、In、Ge、Bi、Fe、Cu、Y、Zr、Ta等的各种醇盐,一般使用硅、钛、铝、锆等。在本实施方式中使用采用硅的物质,优选具有含氟的长链RF基的烷氧基硅烷、或者具有防液基团的金属酸盐。
作为长链RF基,分子量为1000以上,例如,可举出全氟烷基链、全氟聚醚链等。
作为具有该长链RF基的烷氧基硅烷,例如,可举出具有长链RF基的硅烷偶联剂等。
作为适合成膜为防液膜202的具有长链RF基的硅烷偶联剂,例如,可举出三十七氟二十烷基三甲氧基硅烷等,作为制品,可举出OPTOOL DSX(商标,Daikin Industries公司制)、KY-130(商标,信越化学工业社制)。
氟化碳基(RF基)受烷基影响表面自由能小,因此通过使金属醇盐含有RF基,从而能够提高形成的防液膜的防液性,同时还能够提高耐药品性、耐候性、耐摩擦性等特性。另外,作为RF基,长链结构长的RF基能够进一步持续防液性。此外,作为具有防液基团的金属酸盐,例如可举出铝酸盐和钛酸盐等。
接下来,对喷嘴板20的详细内容特别是其制造工序进行说明。
图2是对喷嘴板20的制造工序进行说明的示意图。
作为本实施方式中的喷嘴板20的材料,使用上述硅单晶基板(硅基板)25,由1个硅基板25制作多个喷嘴板20。如图2(a)所示,首先通过干法蚀刻在该硅基板25形成由第1圆筒部22和第2圆筒部23构成的喷嘴开口21。
接下来,如图2(b)所示,在喷出油墨的一侧的喷出侧面(图中为下侧面。以下称为第1面)、与该面相反的一侧的面(图中为上侧面。以下为第2面)、以及喷嘴开口21的内周面,通过热处理形成硅的热氧化膜200。热氧化膜200由二氧化硅构成,厚度约为100nm。
应予说明,上述热氧化膜200的形成工序可以省略。
接下来,如图2(c)所示,在喷出油墨的一侧的第1面、第2面以及喷嘴开口21的内周面,利用原子层沉积法将由氧化钽构成的保护膜201成膜。利用原子层沉积法将氧化钽成膜时的氧化剂使用H2O或O3,成膜温度为120℃~350℃。另外,由于原子层沉积法中均匀且致密(高膜密度)地成膜,所以保护膜201的厚度可以在0.3~50nm的范围,优选10nm~30nm的范围。另外,由于Ta2O5(TaOx)可溶于碱,但如果膜密度高(7g/cm2左右)则变得难溶于碱,耐酸性具有不溶于氢氟酸以外的溶液这类特征,所以作为对强碱液、强酸液的保护膜有效。
接着,如图2(d)所示,用紫外线(UV)照射、等离子体处理、臭氧处理等对第1面的保护膜201的表面进行表面重整后,在其上,将具有防液性的金属醇盐的分子膜成膜,其后,经过干燥处理、退火处理等形成防液膜202。
在此,由于上述防液膜202与保护膜201比较电绝缘性高,所以在第1面安装导电部件并导通时,仅在导通区域以外的区域形成。关于该导通区域,可以在第1面的整体形成防液膜202后仅在对应的部分除去防液膜202,也可以在形成防液膜202时仅在对应的部分形成掩模从最初就不在对应的部分形成防液膜202。
形成防液膜202后,通过将硅基板25分割而得到多个喷嘴板20。经过这样的工序,制作喷嘴板20。
实施方式2
以下,对作为使用了上述实施方式1的喷嘴板20的液体喷头的一个例子的喷墨式记录喷头进行说明。
图3是本实施方式的喷墨式记录喷头的分解立体图,图4是图3的俯视图及其A-A’线截面图,图5是图4(b)的B-B’线截面图。
如图所示,作为本实施方式的液体喷头的一个例子的喷墨式记录喷头I具备的流路形成基板10在本实施方式中例如由硅单晶基板构成。被多个隔壁11划分的压力产生室12沿着喷出相同颜色的油墨的多个喷嘴开口21并排设置的方向并排设置在该流路形成基板10。以下,将该方向称为压力产生室12的并排设置方向或者第1方向X。另外,以下,将与该第1方向X正交的方向称为第2方向Y。
另外,在流路形成基板10的压力产生室12的长边方向的一端部侧,即与第1方向X正交的第2方向Y的一端部侧,油墨供给路13和连通路14被多个隔壁11划分。构成作为各压力产生室12共用的油墨室(液体室)的歧管100的一部分的连通部15在连通路14的外侧(在第2方向Y与压力产生室12相反的一侧)形成。即,在流路形成基板10设有由压力产生室12、油墨供给路13、连通路14以及连通部15构成的液体流路。
此处,在流路形成基板10的由压力产生室12、油墨供给路13、连通路14以及连通部15构成的液体流路的内壁表面(内面)设有具有耐油墨性(耐液性)的材料,例如由五氧化二钽等氧化钽(TaOx;非晶态)构成的耐液膜210。应予说明,这样的耐液膜210的材料不限于氧化钽,根据使用的油墨的pH值,例如,可以使用二氧化硅(SiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、镍(Ni)、铬(Cr)等。
另外,耐液膜210可以利用溅射法、原子层沉积法(ALD)等气相法形成,耐液膜210特别优选使用原子层沉积法(ALD)形成。采用原子层沉积法,能够以较薄的膜厚、高的膜密度形成耐液膜210。换言之,通过以高的膜密度形成耐液膜210,从而能够提高耐液膜210的耐油墨性(耐液性),抑制振动板50、流路形成基板10等被油墨(液体)侵蚀。因此,能够使耐液膜210的厚度变薄。另外,通过利用原子层沉积法形成耐液膜210,从而与CVD法等相比能够较薄地形成。但是,原子层沉积法与溅射法相比成膜耗费时间,因此有厚度的膜的形成中不适合。
形成有与各压力产生室12连通的喷嘴开口21的实施方式1的喷嘴板20通过粘接剂、热熔接膜等与流路形成基板10的一侧,即压力产生室12等液体流路开口的面接合。即,在第1方向X喷嘴开口21并排设置在喷嘴板20。
在流路形成基板10的另一侧层叠有由通过热氧化而形成的二氧化硅(SiO2)构成的弹性膜51、和在弹性膜51上形成的由含氧化锆(ZrO2)的材料形成的绝缘体层52。应予说明,压力产生室12等液体流路是通过从一侧(与喷嘴板20接合的面侧)对流路形成基板10进行各向异性蚀刻而形成的,压力产生室12等液体流路的另一面被弹性膜51界定(画成)。
在绝缘体层52上形成具有第1电极60、压电体层70和第2电极80的压电致动器300。在此,压电致动器300是指包括第1电极60、压电体层70和第2电极80的部分。一般而言,将压电致动器300的任一个电极作为共用电极,对各压力产生室12形成图案而构成另一个电极和压电体层70。而且,在此将由形成有图案的任一个电极和压电体层70构成的、通过对两个电极施加电压而产生压电形变的部分称为压电体能动部320。在本实施方式中,将第1电极60作为压电致动器300的共用电极,将第2电极80作为压电致动器300的独立电极,但为了驱动电路、布线的方便,将其倒过来也无妨。
压电体层70可以由在第1电极60上形成的具有极化结构的氧化物的压电材料构成,例如,可以由通式ABO3表示的钙钛矿型氧化物构成,A可以包含铅,B可以包含锆和钛中的至少一个。上述B例如可以进一步包含铌。具体而言,作为压电体层70,例如,可以使用锆钛酸铅(Pb(Zr,Ti)O3:PZT)、含硅的锆钛铌酸铅(Pb(Zr,Ti,Nb)O3:PZTNS)等。
另外,压电体层70可以为不含铅的非铅系压电材料,例如,含铁酸铋或铁锰酸铋、钛酸钡或钛酸铋钾的具有钙钛矿结构的复合氧化物等。
此外,作为这样的压电致动器300的独立电极的各第2电极80与从油墨供给路13侧的端部附近引出并延伸设置到振动板50上的例如由金(Au)等构成的导线电极90连接。
具有构成歧管100的至少一部分的歧管部31的保护基板30介由粘接剂35接合在形成有上述压电致动器300的流路形成基板10上,即,接合在第1电极60、振动板50和导线电极90上。在本实施方式中,该歧管部31在厚度方向贯通保护基板30遍及压力产生室12的宽度方向形成,如上所述与流路形成基板10的连通部15连通而构成作为各压力产生室12的共用油墨室的歧管100。另外,可以对应压力产生室12将流路形成基板10的连通部15分割成多个,仅将歧管部31作为歧管。并且,例如,可以在流路形成基板10仅设置压力产生室12,在存在于流路形成基板10和保护基板30之间的振动板50设置连通歧管和各压力产生室12的油墨供给路13。
在保护基板30,在与压电致动器300对置的区域,设置具有不阻碍压电致动器300运动的程度的空间的压电致动器保持部32。应予说明,压电致动器保持部32可以具有不阻碍压电致动器300运动的程度的空间,当该空间可以被密封或不被密封。
另外,在保护基板30设有在厚度方向贯通保护基板30的贯通孔33。而且,从各压电致动器300引出的导线电极90的端部附近以在贯通孔33内露出的方式设置。
另外,在保护基板30上固定有作为信号处理部而发挥功能的驱动电路120。作为驱动电路120,例如,可以使用电路基板、半导体集成电路(IC)等。而且,驱动电路120和导线电极90介由插入贯通孔33的由焊线等导电性金属线构成的连接布线121电连接。
作为保护基板30,优选使用与流路形成基板10的热膨胀率大致相同的材料,例如,玻璃、陶瓷材料等,在本实施方式中,使用与流路形成基板10相同材料的硅单晶基板形成。
另外,在保护基板30上接合有由密封膜41和固定板42构成的柔性基板40。在此,密封膜41由刚性低且具有挠性的材料,例如聚苯硫醚(PPS)膜构成,歧管部31的一面被该密封膜41密封。另外,固定板42用金属等硬质的材料,例如不锈钢(SUS)等形成。该固定板42的与歧管100对置的区域成为在厚度方向完全被除去的开口部43,因此歧管100的一面仅被具有挠性的密封膜41密封。
在这样的本实施方式的喷墨式记录喷头I中,从与未图示的外部油墨供给机构连接的油墨导入口获取油墨,从歧管100至喷嘴开口21用油墨填满内部后,根据来自驱动电路120的记录信号,在与压力产生室12对应的各第1电极60和第2电极80之间施加电压,使振动板50、第1电极60和压电体层70发生挠曲变形,从而各压力产生室12内的压力升高,从喷嘴开口21喷出油墨滴。
如上说明,由于在本实施方式的喷墨式记录喷头I中具备实施方式1的喷嘴板20,所以耐油墨性优异,可实现油墨滴均匀的喷出。即,在喷嘴板20的两面和喷嘴开口21的内周面形成由利用原子层沉积法而形成的氧化钽膜构成的保护膜201,在其上的喷出面直接形成防液膜202,因此直到喷嘴开口21内面尤其是喷出面附近均能形成由均匀的氧化钽膜构成的保护膜201,耐油墨性变得优异。另外,由氧化钽膜构成的保护膜201以较薄的膜在喷嘴开口21的内周面均匀地形成,因此不存在被喷出的油墨滴变得不均匀等问题。并且,由于在耐液性优异且耐摩擦性优异的保护膜201上直接设置防液膜202,所以也消除了防液膜202剥离的问题。
其他实施方式
以上,对本发明的实施方式1、2进行了说明,但本发明的基本构成不限于上述实施方式。
在上述的实施方式2中,作为从喷嘴开口21喷出油墨滴的压力产生机构,使用薄膜型的压电致动器300进行了说明,但不特别限定于此,例如,可以使用利用贴付印制电路基板等方法形成的厚膜型的压电致动器、使压电材料和电极形成材料交替层叠而在轴向伸缩的纵振动型的压电致动器。
另外,在上述的实施方式2中,作为使压力产生室12发生压力变化的压力产生机构,使用薄膜型的压电致动器300进行了说明,但不特别限定于此,例如,可以使用利用贴付印制电路基板等方法形成的厚膜型的压电致动器、使压电材料和电极形成材料交替层叠而在轴向伸缩的纵振动型的压电致动器等。另外,作为压力产生机构,可以使用在压力产生室内配置发热元件,利用由发热元件的发热产生的泡,从喷嘴开口喷出液滴的压力产生机构;使振动板与电极之间产生静电,利用静电力使振动板变形,从喷嘴开口喷出液滴的所谓的静电式致动器等。
另外,在上述的实施方式2中,作为流路形成基板10,例示了硅单晶基板,但不特别限定于此,例如,可以使用SOI基板、玻璃等材料。
另外,这些各实施方式的喷墨式记录喷头构成具备与墨盒等连通的油墨流路的记录喷头单元的一部分,搭载于喷墨式记录装置。图6是表示该喷墨式记录装置的一个例子的示意图。
如图6所示,具有喷墨式记录喷头的记录喷头单元1A和1B可装卸地设有构成油墨供给机构的盒2A和2B,搭载了该记录喷头单元1A和1B的滑架3在轴向自由移动地设置在安装于装置主体4的滑架轴5。该记录喷头单元1A和1B例如分别喷出黑色油墨组合物和彩色油墨组合物。
而且,驱动电机6的驱动力介由未图示的多个齿轮和同步带7传到滑架3,由此使搭载了记录喷头单元1A和1B的滑架3沿滑架轴5移动。另一方面,沿滑架轴5在装置主体4设置压纸卷筒8,通过未图示的送纸辊等送出的纸等作为记录介质的记录片S被卷绕到压纸卷筒8而传送。
另外,在上述的喷墨式记录装置II中,例示了喷墨式记录喷头I(液体喷头单元1A、1B)搭载于滑架3并在主扫描方向移动的方式,但不特别限定于此,例如,喷墨式记录喷头I被固定,使纸等记录片S仅在副扫描方向移动而进行印刷的所谓行式记录装置也可适用本发明。
应予说明,在上述实施方式中,作为液体喷头的一个例子举出喷墨式记录喷头进行了说明,另外作为液体喷射装置的一个例子举出喷墨式记录装置进行了说明,但本发明广泛以液体喷头和液体喷射装置全体作为对象,喷射油墨以外的液体的液体喷头、液体喷射装置自然也可适用。作为其他液体喷头,例如,可举出打印机等图像记录装置中使用的各种记录喷头、液晶显示器等滤色器的制造中使用的色料喷头、有机EL显示器、FED(场致发射显示器)等的电极形成中使用的电极材料喷头、生物芯片制造中使用的生物体有机物喷头等,具备所述液体喷头的液体喷射装置也可适用。
符号说明
I…喷墨式记录喷头(液体喷头)、II…喷墨式记录装置(液体喷射装置)、10…流路形成基板、12…压力产生室、13…油墨供给路、14…连通路、15…连通部、20…喷嘴板、21…喷嘴开口、30…保护基板、40…柔性基板、50…振动板、51…弹性膜、52…绝缘体层、60…第1电极、70…压电体层、80…第2电极、90…导线电极、100…歧管、120…驱动电路、200…热氧化膜、201…保护膜、202…防液膜、210…耐液膜、300…压电致动器。
Claims (4)
1.一种喷嘴板,其特征在于,是在硅基板设有多个喷嘴开口的喷嘴板,
在所述硅基板的两面和所述多个喷嘴开口的整个内面设有通过原子层沉积而形成的氧化钽膜,
所述氧化钽膜的厚度在的范围,
在喷出面的所述氧化钽膜上层积有将金属醇盐膜退火而成的防液膜。
2.根据权利要求1所述的喷嘴板,其特征在于,在所述氧化钽膜的下层形成有硅的热氧化膜。
3.一种液体喷头,其特征在于,具备权利要求1或2中任一项所述的喷嘴板、流路形成基板和致动器,所述流路形成基板与该喷嘴板接合且设有与所述喷嘴开口连通的压力产生室,所述致动器设置在该流路形成基板的与所述喷嘴板相反的一侧并使所述压力产生室内发生压力变化。
4.一种液体喷射装置,其特征在于,具备权利要求3所述的液体喷头。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012284501A JP2014124879A (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | ノズルプレート、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP2012-284501 | 2012-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103895348A CN103895348A (zh) | 2014-07-02 |
CN103895348B true CN103895348B (zh) | 2018-02-27 |
Family
ID=50987067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310739191.9A Active CN103895348B (zh) | 2012-12-27 | 2013-12-26 | 喷嘴板、液体喷头和液体喷射装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9302481B2 (zh) |
JP (1) | JP2014124879A (zh) |
CN (1) | CN103895348B (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN103895348A (zh) | 2014-07-02 |
US20140184698A1 (en) | 2014-07-03 |
US9302481B2 (en) | 2016-04-05 |
JP2014124879A (ja) | 2014-07-07 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |