JP4848028B2 - インクジェットヘッドおよびインクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 136
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 25
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- KZNRNQGTVRTDPN-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,4-dimethylbenzene Chemical group CC1=CC=C(C)C(Cl)=C1 KZNRNQGTVRTDPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
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- B41J2/01—Ink jet
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- B41J2/1621—Manufacturing processes
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- B41J2/01—Ink jet
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- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
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Description
本発明は、インク滴を吐出し画像形成を行うインクジェットヘッドおよびそのインクジェットヘッドの製造方法に関する。特に、インク滴を吐出させる圧力室の内部に絶縁膜を有するインクジェットヘッドに関する発明である。
特許文献１には、圧電部材のせん断モード変形を利用しノズルからインク滴を吐出させる、所謂、せん断モード型インクジェットヘッドが記載されている。図８はこのインクジェットヘッドの断面図である。
特許文献１にはインク室内に電極を保護する保護膜が形成されたインクジェットヘッドの構成が記載されている。そのインクジェットヘッドは、複数の溝１１７と側壁１１８が形成され、溝１１７の内面の側壁１１８上に電極１１９が形成されている圧電セラミックプレートと、溝を覆いインク室を形成するためのインク室プレートと予め複数のノズルが形成されたノズルプレートで形成されている。電極１１９を被覆するように溝１１７内面に、無機材料からなる無機絶縁膜１２１と有機材料からなる有機絶縁膜１２２とが順次形成された保護層１２０となっている。無機絶縁膜１２１の材料として、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を用い、膜厚は０．５μｍ以上である。有機絶縁膜１２２の材料としてモノクロロパラキシレンを用い、膜厚は５μｍ以上である。
そのヘッドの製造過程において、電極１１９が形成されている圧電セラミックプレートとインク室プレートとを接合した後、保護層１２０が形成され、この接合体の端面に予めノズルが形成されたノズルプレートを接合している。
ノズルのインク室に対する位置精度を高めるため、他のインクジェットヘッドの製造方法も行われている。複数の溝と側壁が形成され、溝内面の側壁上に電極が形成されている圧電セラミックプレートと、溝を覆いインク室を形成するためのインク室プレートを接合し、ノズルが形成されていないポリイミドプレートを接合体に接合した後に、エキシマレーザー加工によってインク室にあわせてノズルを形成する。この製造方法では、予めノズルが形成されたノズルプレートを接合体に接合する製法に比べ、インク室に対する位置精度を高めることが可能である。
インクによる電極劣化を防止するため、溝内面の側壁上に電極が形成され、電極保護のため無機絶縁膜と有機絶縁膜の２層膜による保護膜をその電極上に形成した圧電セラミックプレートを用いたインクジェットヘッドが特許文献１に記載されている。特許文献１に記載されたインクジェットヘッドの製法では、予めノズルが形成されたノズルプレートをインク室の端部に接合している。接着剤を用いて接合しているため、図９に示すように、インク室内部に接着剤１５１が入りこみ、場合によってはノズル１２７に流れ込みノズル形状を変形させるようなことになる。ノズル形状の変形は吐出させるインク滴の量や飛翔方向の乱れを起こす。
溝内に電極と２層の絶縁膜を形成した圧電セラミックプレートに、溝を覆いインク室を形成するためのインク室プレートを接合して接合体を作り、ノズルが形成されていないポリイミドプレートをその接合体に接合した後に、エキシマレーザー加工によってインク室にあわせてノズルを形成すると、保護膜がダメージを受ける問題がある。
保護膜がダメージを受けるメカニズムを説明する。レーザー光がポリイミドプレートを貫通した直後に、そのレーザー光が溝内壁に形成された保護膜に照射される。レーザー光が照射される部位において保護膜がダメージを受ける。保護膜は電極上に無機絶縁膜と有機絶縁膜とがこの順に２層で構成されているため、エキシマレーザーが有機絶縁膜に照射され、照射された部分の有機絶縁膜は蒸発して穴が開いてしまう。有機絶縁膜が失われ、絶縁性低下を起こす。
ノズルはインク室の深さのほぼ中心に形成されている。インク室の幅に対するインク室深さの比であるアスペクト比が高くなると、特許文献１に記載されている無機絶縁膜の成膜方法では、レーザー光が照射される部位に無機絶縁膜を０．５μｍ以上に成膜することが困難になる。
そのため、無機絶縁膜の厚さが薄くなるためレーザー光に対する耐性が不十分となり、インクと電極との間の絶縁性が低下する。水性インクのような電気導電性を有するインクを用いた場合、レーザー光が照射された部位で絶縁性が低いため、インクの電気分解が起こり、インクの特性変化やインク室内にガスが発生することがある。これらの現象によって、インクジェットヘッドの印字品質が低下する、またはインクを吐出できなくなる場合もある。
上記課題を解決するために、下記のような構成とした。
圧力室となる複数の溝と、前記圧力室内のインクをノズルから吐出させる圧力発生手段と、前記溝を覆い圧力室を形成する天板と、前記圧力室と連通するノズルがレーザー加工により形成されるとともに、前記圧力室の開口部を覆うように前記圧力室側面に接着されたノズルプレートと、前記圧力室にインクを供給するインク供給口と、前記圧力発生手段の圧力室の内面に形成され、前記圧力発生手段に駆動パルスを供給する電極と、前記電極上に、所定の厚さを維持して形成された無機絶縁材料からなる第１の保護膜と、前記第１の保護膜上および前記第１の保護膜により覆われていない前記電極上に形成されるとともに、有機絶縁材料からなる第２の保護膜と、を備えたインクジェットヘッドであって、前記ノズルは、前記第１の保護膜の所定の厚さを維持した領域に対応させて形成され、前記第２の保護膜は、前記ノズル形成時のレーザー加工によるレーザーダメージ穴が穿穴され、前記第１の保護膜は、少なくとも前記レーザーダメージ穴より広い範囲に亘って形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
本発明によれば、ノズルと圧力室（特許文献１におけるインク室に対応）の位置精度が向上し、インク滴の記録媒体への付着位置精度が向上する。また、圧力室内面に形成された絶縁性保護膜を有する構造のインクジェットヘッドにおいて、インク吐出用のノズルをレーザー加工により形成しても、水性インクのような電気導電性のインクに対する耐久性を保ちながら、印字品質を確保することが可能なインクジェットヘッドを提供することができる。
本発明の実施形態のインクジェットヘッドの構造と動作について説明する。図１及び図２はインクジェットヘッド１の断面図を示している。
インクジェットヘッド１は、基板１２、天板枠１３、天板蓋１７、ノズルプレート１６で構成されている。基板１２には複数の長溝１１が平行に形成されている。各々の長溝１１の内面には電極４が電気的に独立して形成されており、基板１２の上面を経てフレキシブルケーブル７に接続している。フレキシブルケーブル７はインクジェットヘッドを駆動する駆動パルスを発生させる駆動回路２０に接続されている。電極４（図２では４ａ、４ｂ、４ｃ）の表面には、絶縁性無機材料からなる第１の保護膜５、絶縁性有機材料からなる第２の保護膜６が順次成膜されている。各々の長溝１１は天板枠１３で封止され、長溝１１と天板枠１３で囲まれた部分は圧力室３（図２では３ａ、３ｂ、３ｃ）を形成する。隣接する圧力室３は、圧電部材８，９からなる側壁１０（図２では１０ａ、１０ｂ）を介して分離されている。側壁１０は、互いに反対方向に分極された圧電部材８，９で構成され、電極４に印加される駆動パルスによって、剪断モードで変形するアクチュエータとして動作する。圧力室３の端部にはノズルプレート１６が設けられ、ノズルプレート１６に形成されたノズル２（図２では２ａ、２ｂ、２ｃ）を介して各々の圧力室３と外部が連通している。インクは、天板蓋１７に形成されたインク供給口１４から共通圧力室１５、長溝１１、圧力室３、ノズル２の順に供給される。駆動回路２０から駆動パルスが供給されると、電極４ａ、４ｃと電極４ｂとの間に電位差が生じ、側壁１０ａ、１０ｂに電界が生じる。この電界により側壁１０ａ、１０ｂが剪断モードで変形し、圧力室３ｂ内のインクに圧力変動が生じてノズル２ｂからインクが吐出する。電気導電性を有するインクを用いた場合でも、インクと電極４との間は第１の保護膜及び第２の保護膜により電気的に絶縁されている。したがって、インクに電流が流れることによる電極４の腐食やインクの電気分解や顔料等のインク内の分散体の凝集等が防止される。
基板１２の材料としでは、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などを用いることが可能である。圧電部材８、９との膨張係数の差異と誘電率を考慮して、低誘電率のＰＺＴを用いた。圧電部材８、９は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ：Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）などである。この実施形態では、圧電定数の高いＰＺＴを用いている。
電極４は、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の２層構造になっている。電極４は長溝の内部にも均一に成膜するために、めっき法によって形成した。各々の長溝１１の内面に電極４を電気的に独立して形成するために必要なマスキングを行い、めっきを行っている。電極４の他の形成方法として、スパッタ法や、蒸着法を用いることも可能である。長溝１１は深さ３００μｍ、幅８０μｍの形状で、１６９μｍピッチで平行に配列されている。
ノズルプレート１６は、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムで、エキシマレーザー装置によって長溝数に相当するノズル２が形成されている。ノズル２の形状は、吐出側の開口径が３０μｍ、圧力室側の開口径が５０μｍで、吐出側に狭まった逆テーパになっている。ノズルプレート１６に形成されるノズル２は長溝１１の深さ方向で中央部より天板枠側に形成されている。無機絶縁膜の成膜方法にもよるが、無機絶縁膜５が長溝１１の開口側から深さ方向で中央部より側壁１０の上部に形成されやすい。そのため、ノズル２を長溝１１の深さ方向で中央部より天板枠側に形成することで、無機絶縁膜の上に成膜されている有機絶縁膜がエキシマレーザーによるノズル穴加工時にダメージを受けて蒸発してもインクと電極との間の絶縁性を維持することが可能である。
長溝１１の深さと幅の比（深さ／幅）をアスペクト比と呼んでいる。つまり、長溝１１の深さが深く幅が狭くなると、アスペクト比が高くなる。
本発明のインクジェットヘッド１の製造方法について説明する。
図３は実施形態のインクジェットヘッド１の製造工程を示す断面図である。図３（ａ）から図３（ｈ）の順に製造している。
図３（ａ）は基板１２の準備工程を示している。板厚方向に分極し、分極方向が反対向きになるように２枚の圧電部材８、９（ＰＺＴ）を接着し、それを基板１２に埋め込んで接着されている。基板１２の材料は、前述したように圧電部材８，９に比べ誘電率が低いＰＺＴを用いている。
図３（ｂ）は長溝１１の形成工程を示している。図３（ａ）で用意した基板１２に、ダイヤモンドカッタによる切削加工で、基板１２端面に平行でかつ圧電部材８、９を横切る方向に、一定間隔の複数の長溝１１を形成している。ダイヤモンドカッタの歯幅が８０μｍであり、長溝幅も８０μｍになる。長溝１１の深さはダイヤモンドカッタ歯の深さ方向への送り量によって決定され、３００μｍとしている。長溝間隔は、１６９μｍのピッチで形成している。アスペクト比は３００／８０の３．７５になっている。アスペクト比および長溝１１の間隔は、インクジェットヘッドに要求される解像度やインク吐出量によって、所定の値となる。
図３（ｃ）は電極４と無機絶縁膜５の成膜工程を示している。基板１２の表面と長溝１１の内面に無電解Ｎｉメッキ（無電解ニッケルメッキ）により電極パターンを形成し、さらにＮｉ電極上に電解Ａｕメッキ（電解金メッキ）を行っている。次に、無機絶縁材料からなる第１の保護膜５としてＳｉＯ２を長溝１１内に膜厚０．５μｍ以上で成膜する。
ＳｉＯ２の成膜は、ＲＦマグネトロンスパッタ法（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ マグネトロンスパッタ）により膜厚０．５μｍ以上に成膜する。なお、成膜時、基板１２の上面に引き出された電極４の一部をマスキングすることによって、フレキシブルケーブル７と電極４の接続部分には、ＳｉＯ２膜が成膜されないようにしている。
第１保護膜５の無機絶縁材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＹＢＣＯ、ムライト（Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２）、ＳｒＴｉＯ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｒＮ、ＡｌＮ、Fe3O4などを用いることが可能である。
成膜方法としては、ＲＦマグネトロンスパッタ法の他に、イオンビームスパッタ法、デジタルスパッタ法、ＰＬＤ（パルスレーザーアブレーション）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、ＣＶＤ（化学気相成長）法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、イオンプレーティング法、蒸着法、ＥＢ（電子ビーム共蒸着）法、ゾル■ゲル法、めっき法、塗布法、印刷法などを用いることが可能である。言い換えれば、真空中又は大気中において、金メッキ電極上で化学反応又は凝縮させることによってＳｉＯ２を含む前述の無機絶縁材料を堆積させる事が可能な方法であればどの方法を用いてもよい。
図３（ｄ）は天板枠１３の接着工程を示している。基板１２の上面に天板枠１３を接着する。
図３（ｅ）は図３（ｄ）で示す部材を切断する工程を示している。切削加工により基板１２を２つのインクジェットヘッド１に分割する。
図３（ｆ）はポリイミドフィルムの接着工程を示している。圧力室３の側面にノズルプレート１６となるポリイミドフィルムを接着する。ポリイミドフィルムを圧力室３の側面に接着する際、側壁１０とポリイミドフィルムとの間にある接着剤は、ポリイミドフィルムが側壁１０側に押圧されるため、圧力室３内にはみ出すことになる。はみ出した接着剤はポリイミドフィルムの圧力室側に薄い膜となって硬化する。接着剤はエポキシ接着剤を用いている。
図３（ｇ）は有機絶縁膜の成膜工程を示している。第２の保護膜として有機絶縁材料６であるパリレン（ポリパラキシリレン）を長溝内に膜厚３μｍ以上で成膜する。天板枠１３に形成される開口部、長溝１１および電極４のフレキシブルケーブル７との接続部となる端部をマスキングし、パリレンが付着しないようにしている。パリレンは着きまわりがよいため、天板枠１３の開口部をとおして、長溝１１内部にも十分に付着することが可能である。
パリレンの成膜方法を説明する。原料であるジパラキシリレンを気化させた後、高温で熱分解をすることによって、反応性の高いラジカルなモノマー（ジラジカルパラキシリレン）にする。そのモノマーが第１の保護膜又は金メッキ電極に吸着すると、そこで重合して高分子膜（パリレン膜）を形成する。
なお、パリレン以外の有機絶縁材料として、ポリイミドなどを用いることも可能である。
図３（ｅ）、図３（ｆ）で示すように、２つのインクジェットヘッド１に分割し、ポリイミドフィルムと天板枠１３を基板１２に接着した後に、図３（ｇ）で示すパリレン膜を形成している。図３（ｅ）で示す２つのインクジェットヘッドに切断したとき、側壁１１の切断部近傍で粗面となることがある。この場合であってもポリイミドフィルムを接着後にパリレン膜を成膜するので、図３（ｇ）で示すように長溝１１とポリイミドフィルムの境界近傍にも十分に有機絶縁膜が成膜される。
図３（ｈ）はノズル２の形成工程を示している。エキシマレーザーによりポリイミドフィルムに逆テーパ形状のノズルを形成する。ノズル２の逆テーバ形状とは、圧力室３側の開口径がインク吐出側の開口径より大きくなっていることである。エキシマレーザーで加工するノズルの位置は、圧力室の中心よりも開口部側である。ポリイミドフィルムを挟んで圧力室３とは反対側からエキシマレーザーをポリイミドフィルムに照射し、ポリイミドを化学的に分解しノズルを形成する。エキシマレーザーの焦点位置をポリイミドフィルムからずらすことで、レーザー光が広がるため吐出口側が狭く圧力室側が広い逆テーパ形状を形成している。
図４に、圧力室の幅と深さのアスペクト比が４の基板で成膜を行った場合、無機絶縁膜である第１の保護膜５の付き回りの観察結果を示す。
無機絶縁膜である第１の保護膜５は、ＲＦマグネトロンスパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタ法、ＣＶＤ法で成膜した。
各成膜方法で、溝柱上の膜厚を３μｍ〜２０μｍを狙って成膜した場合、圧力室の開口部から長溝の距離の半分までは、無機絶縁膜である第１の保護膜が０．５μｍ以上成膜させられることを確認した。
このように長溝１１の深さ方向で半分までは無機絶縁膜である第１の保護膜を０．５μｍ以上付着させた基板で、ノズル穴のレーザー加工の方法を、図５を用いて説明する。
図５は、エキシマレーザーによりポリイミドフィルムに逆テーパの穴加工をおこないノズル２を形成する場合の、ノズル２周辺の詳細断面図である。
圧力室３の側面にポリイミドフィルムを接着した時に、はみ出した接着剤１８は、エキシマレーザーによるノズル２の形成時に除去される。同時に、側壁１０上にエキシマレーザーが照射され、第２の保護膜である有機絶縁膜の一部も除去されて、有機絶縁膜の一部に穴が発生する。この穴はレーザー加工によって発生するので、レーザーダメージ穴１９と呼んでいる。有機絶縁膜に発生する穴とは、レーザー照射によって有機絶縁膜の表面から有機物質が変性、融解、蒸発、昇華等の現象を起こしてへこんだ状態、または、下地となっている無機絶縁膜が露出するほど有機絶縁膜が失われた状態を示している。レーザーダメージ穴１９が発生しても、レーザーダメージ穴１９の部位において、無機絶縁膜である第１の保護膜５の厚みは０．５μｍ以上を有するため、第１の保護膜５はレーザー光が照射されてもレーザーダメージを受けることはない。
レーザーダメージを抑え絶縁性が保たれるので、圧力室３の内部に導電性の水性インクが注入された場合でも、電極４とインクとは電気的な絶縁が保たれる。そのため、電極４の腐食やインクの電気分解等を防止することが可能である。
なお、第１の保護膜５は無機絶縁材料から成るためピンホールの発生を完全に防止することは難しい。しかし、レーザーダメージ穴１９以外の部分では第１の保護膜は第２の保護膜により保護されるため、ピンホールにより絶縁性が損なわれる可能性は低い。
図６は、有機絶縁膜である第２の保護膜と無機絶縁膜である第１の保護膜を有するインクジェットヘッドのレーザーダメージの様子を示している。エキシマレーザー光がノズルプレート１６を通してノズル２を形成する。エキシマレーザー光が、ノズル２形成後、圧力室３内壁に設けられた電極４、無機絶縁膜５、有機絶縁膜６上に照射され有機絶縁膜６上のノズル近傍にレーザーダメージ穴１９を形成する。エキシマレーザー光がノズルプレート側から圧力室に入射するので、レーザーダメージ穴は圧力室のインク吐出方向においてノズルプレート側に発生する。レーザーダメージ穴の大きさはエキシマレーザー光の強度、ノズルのテーパ角によって変化する。
第１の保護膜５をＲＦマグネトロンスパッタ法で厚み１．０μｍで成膜した時のレーザーダメージ穴の部位において組成分析を行った。
レーザーダメージ穴１９の部位において、第２の保護膜である有機絶縁材料のパリレンの成分である塩素（Ｃｌ）と炭素(Ｃ）が検出されなかった。このことから、第２の保護膜が除去されてレーザーダメージ穴１９が形成されていることが解った。
レーザーダメージ穴の部位において、第１の保護膜である無機絶縁材料のＳｉＯ２成分であるシリコン（Ｓｉ）と酸素(Ｏ）が検出された。このことから、第１の保護膜にはレーザー光が照射されてもレーザーダメージ穴が形成されないことが解った。
ＲＦマグネトロンスパッタ法を含む種々の成膜方法で第１の保護膜５の厚さを０．５〜３μｍの範囲で成膜し、レーザーダメージ穴の部位において組成分析を行っても同様の結果となった。
以上のことから、第１の保護膜５の厚みは０．５μｍ以上あればレーザーに耐性があることこが明確となった。
無機絶縁膜である第１の保護膜５の厚さは、０．５μｍ以上であれば、インクと電極４との間の絶縁性が保たれる。第１の保護膜５の厚さが３μｍを超えると圧力室の幅が狭くなり、インク吐出量が減少してしまう。また、ＳｉＯ２の剛性によって圧電部材の動作が抑えられ、インク吐出量の低下を起こす。したがって、第１の保護膜５の厚さは０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることがより好ましい。
有機絶縁膜である第２の保護膜６の厚さは、３μｍ以上であれば、インクと電極４との絶縁性を保つことが可能である。第２の保護膜６の厚さが５μｍを超えると、圧力室の内壁全面にパリレン膜が形成されるため実質的に圧力室の容積が小さくなり、インク吐出量が減少してしまう。そのため、第２の保護膜６の膜厚は３μｍ以上５μｍ未満であることが好ましい。インクと電極間の絶縁性を保ちかつ所望なインク吐出量を得るために、第１、第２保護膜の合計厚さは６μｍ未満にすることが必要である。
第２の実施の形態について説明する。
図７（ａ）は基板１２の準備工程を示している。板厚方向に互いに向きが反対方向になるように分極された２枚の圧電部材８、９（ＰＺＴ）を接着し、それが基板１２に埋め込まれている。基板１２の材料は、前述したように圧電部材８，９に比べ誘電率が低いＰＺＴを用いている。
図７（ｂ）は長溝１１の形成工程を示している。ダイヤモンドカッタによる切削加工で、基板１２端面に平行でかつ圧電部材８、９を横切る方向に、一定間隔の複数の長溝１１が形成されている。
図７（ｃ）は電極４と無機絶縁膜５と有機絶縁膜６の成膜工程を示している。基板の表面と長溝１１の内面に無電解Ｎｉメッキにより電極パターンを形成し、さらに電極上にＡｕメッキを行う。次に、無機絶縁材料からなる第１の保護膜としてＳｉＯ２を長溝１１内に膜厚０．５μｍ以上で成膜する。続いて、第２の保護膜として有機絶縁材料であるパリレン（ポリパラキシリレン）を長溝１１内に膜厚０．５μｍ以上で成膜する。ＳｉＯ２、パリレンの成膜は、第１の実施形態と同様に行った。
図７（ｄ）は天板枠１３の接着工程を示している。基板１２の上面に天板枠１３が接着されている。
図７（ｅ）は図７（ｄ）で形成した部材を切断する工程を示している。切削加工により基板１２を２つのインクジェットヘッドに分割する。
図７（ｆ）はポリイミドフィルムの接着工程を示している。圧力室３の側面にノズルプレート１６となるポリイミドフィルムをエポキシ接着剤で接着する。
図７（ｇ）はノズル２の形成工程を示している。エキシマレーザによりポリイミドフィルムに逆テーパ形状のノズルを形成し、ノズルプレート１６としている。ノズル加工は第１の実施形態で説明した加工と同じ条件で行った。
第２の実施形態においても、図５に示すレーザーダメージジ穴１９の部位において、第１の保護膜５の厚みは０．３μｍ以上を有するため、第１の保護膜５はレーザー光が照射されてもレーザーダメージ穴は形成されない。したがって、圧力室３の内部に導電性のインクが注入された場合でも、電極４とインクとは電気的な絶縁が保たれる。そのため、電極４の腐食やインクの電気分解等を防止することが可能である。
第１実施例で示したと同様に、第１の保護膜５の厚みは０．５μｍ以上あればレーザーに耐性があることこが解った。
無機絶縁膜、有機絶縁膜の厚さについては実施例１と同様である。
無機絶縁膜である第１の保護膜５の厚さは、０．５μｍ以上であれば、インクと電極４との間の絶縁性が保たれる。第１の保護膜５の厚さが３μｍを超えると圧力室の幅が狭くなり、インク吐出量が減少してしまう。また、ＳｉＯ２の剛性によって圧電部材の動作が抑えられ、インク吐出量の低下を起こす。したがって、第１の保護膜５の厚さは３μｍを超えないことが好ましい。０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることがより好ましい。
有機絶縁膜である第２の保護膜６の厚さは、３μｍ以上であれば、インクと電極４との絶縁性を保つことが可能である。第２の保護膜６の厚さが５μｍを超えると、圧力室の内壁全面にパリレン膜が形成されるため実質的に圧力室の容積が小さくなり、インク吐出量が減少してしまう。そのため、第２の保護膜６の膜厚は３μｍ以上５μｍ未満であることが好ましい。インクと電極間の絶縁性を保ちかつ所望なインク吐出量を得るために、第１、第２保護膜の合計厚さは６μｍ未満にすることが必要である。
本発明のインクジェットヘッド製造方法によって形成されたインクジェットヘッドは、水性インクのような電気導電性があるインクに対して好適である。また、インク吐出不良を低減できるため産業印刷用のインクジェットヘッドとしても利用可能である。
１ インクジェットヘッド
２ ノズル
３ 圧力室
４ 電極
５ 第１の保護膜
６ 第２の保護膜
７ フレキシブルケーブル
８、９ 圧電部材
１０ 側壁
１１ 長溝
１２ 基板
１３ 天板枠
１４ インク供給口
１５ 共通圧力室
１６ ノズルプレート
１７ 天板蓋
１８ 接着剤
１９ レーザーダメージジ穴
２ ノズル
３ 圧力室
４ 電極
５ 第１の保護膜
６ 第２の保護膜
７ フレキシブルケーブル
８、９ 圧電部材
１０ 側壁
１１ 長溝
１２ 基板
１３ 天板枠
１４ インク供給口
１５ 共通圧力室
１６ ノズルプレート
１７ 天板蓋
１８ 接着剤
１９ レーザーダメージジ穴
Claims (9)
- 圧力室となる複数の溝と、
前記圧力室内のインクをノズルから吐出させる圧力発生手段と、
前記溝を覆い圧力室を形成する天板と、
前記圧力室と連通するノズルがレーザー加工により形成されるとともに、前記圧力室の開口部を覆うように前記圧力室側面に接着されたノズルプレートと、
前記圧力室にインクを供給するインク供給口と、
前記圧力発生手段の圧力室の内面に形成され、前記圧力発生手段に駆動パルスを供給する電極と、
前記電極上に、所定の厚さを維持して形成された無機絶縁材料からなる第１の保護膜と、
前記第１の保護膜上および前記第１の保護膜により覆われていない前記電極上に形成されるとともに、有機絶縁材料からなる第２の保護膜と、
を備えたインクジェットヘッドであって、
前記ノズルは、前記第１の保護膜の所定の厚さを維持した領域に対応させて形成され、
前記第２の保護膜は、前記ノズル形成時のレーザー加工によるレーザーダメージ穴が穿穴され、
前記第１の保護膜は、少なくとも前記レーザーダメージ穴より広い範囲に亘って形成されている
ことを特徴とするインクジェットヘッド。 - 前記電極上に電解金メッキが為され、
前記電解金メッキ上に前記第１の保護膜が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のインクジェットヘッド。 - 前記第１の保護膜は、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＴｉＯ ２ 、Ｙ ２ Ｏ ３ 、ＹＢＣＯ、ムライト（Ａｌ ２ Ｏ ３ ・ＳｉＯ ２ ）、ＳｒＴｉＯ ３ 、Ｓｉ ２ Ｎ ４ 、ＺｒＮ、ＡｌＮ、Ｆｅ ３ Ｏ 4 から選択される材料である
ことを特徴とする請求項１記載のインクジェットヘッド。 - 前記第１の保護膜は、
デジタルスパッタ法、ＰＬＤ法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、塗布法から選択された方法で成膜される
ことを特徴とする請求項１記載のインクジェットヘッド。 - 圧力室となる複数の溝と、
前記圧力室内のインクをノズルから吐出させる圧力発生手段と、
前記溝を覆い圧力室を形成する天板と、
前記圧力室と連通するノズルがレーザー加工により形成されるとともに、前記圧力室の開口部を覆うように前記圧力室側面に接着されたノズルプレートと、
前記圧力室にインクを供給するインク供給口と、
前記圧力発生手段の圧力室の内面に形成され、前記圧力発生手段に駆動パルスを供給する電極と
を有するインクジェットヘッドの製造方法において、
前記圧力室となる複数の溝が形成され前記圧力発生手段を構成する圧電部材を含む基板を設ける工程と、
前記溝内面に前記電極を形成する工程と、
無機絶縁材料からなる第１の保護膜を前記電極上に所定の厚さを維持して成膜する工程と、
圧力室を形成するように前記天板を前記基板に接着する工程と、
前記ノズルを形成するためのプレートを前記圧力室の側面に接着により設ける工程と、
有機絶縁材料からなる第２の保護膜を前記第１の保護膜上および前記第１の保護膜により覆われていない前記電極上に成膜する工程と、
前記プレートに、前記第１の保護膜の所定の厚さを維持した領域に対応させてレーザー加工によりノズルを形成するレーザー加工工程と
を順におこない、
前記レーザー加工工程は、前記レーザー光が前記プレートを貫通した後に前記第２の保護膜に対して穿穴するレーザーダメージ穴が、前記第１の保護膜の所定の厚さを維持した領域より狭い範囲である
ことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - インクを吐出させる複数のノズルが形成されたノズルプレートと、
前記ノズルに各々連通する圧力室となる複数の溝と、
前記圧力室内のインクを前記ノズルから吐出させる圧力発生手段と、
前記溝を覆い圧力室を形成する天板と、
前記圧力室にインクを供給するインク供給口と、
前記圧力発生手段の圧力室の内面に形成され、前記圧力発生手段に駆動パルスを供給する電極と
を有するインクジェットヘッドの製造方法において、
前記圧力室となる複数の溝が形成され前記圧力発生手段を構成する圧電部材を含む基板を設ける工程と、
前記溝内面に前記電極を形成する工程と、
無機絶縁材料からなる第１の保護膜を前記電極上に所定の厚さを維持して成膜する工程と、
有機絶縁材料からなる第２の保護膜を前記第１の保護膜上および前記第１の保護膜により覆われていない前記電極上に成膜する工程と、
圧力室を形成するように前記天板を前記基板に接着する工程と、
前記ノズルを形成するためのプレートを前記圧力室の側面に接着により設ける工程と、
前記プレートに、前記第１の保護膜の所定の厚さを維持した領域に対応させてレーザー加工によりノズルを形成するレーザー加工工程とを順におこない、
前記レーザー加工工程は、前記レーザー光が前記プレートを貫通した後に前記第２の保護膜に対して穿穴するレーザーダメージ穴が、前記第１の保護膜の所定の厚さを維持した領域より狭い範囲である
ことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 前記電極上に電解金メッキが為され、
前記電解金メッキ上に前記第１の保護膜が形成されている
ことを特徴とする請求項５または６記載のインクジェットヘッド製造方法。 - 前記第１の保護膜は、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＴｉＯ ２ 、Ｙ ２ Ｏ ３ 、ＹＢＣＯ、ムライト（Ａｌ ２ Ｏ ３ ・ＳｉＯ ２ ）、ＳｒＴｉＯ ３ 、Ｓｉ ２ Ｎ ４ 、ＺｒＮ、ＡｌＮ、Ｆｅ ３ Ｏ 4 から選択される材料である
ことを特徴とする請求項５または６記載のインクジェットヘッド製造方法。 - 前記第１の保護膜は、デジタルスパッタ法、ＰＬＤ法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、塗布法から選択された方法で成膜される
ことを特徴とする請求項５または６に記載のインクジェットヘッド製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US12/689,199 US8469489B2 (en) | 2009-01-21 | 2010-01-18 | Inkjet print head and method therefor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009010602 | 2009-01-21 | ||
| JP2009010602 | 2009-01-21 | ||
| JP2009148355A JP4848028B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-06-23 | インクジェットヘッドおよびインクジェットヘッドの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2010188715A JP2010188715A (ja) | 2010-09-02 |
| JP4848028B2 true JP4848028B2 (ja) | 2011-12-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5776698B2 (ja) * | 2010-11-08 | 2015-09-09 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッドおよびインクジェットヘッドの製造方法 |
| JP2012192629A (ja) | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッドおよびインクジェットヘッドの製造方法 |
| JP5530968B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-06-25 | 日本碍子株式会社 | 流路部品 |
| JP5855645B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2016-02-09 | 日本碍子株式会社 | 流路部品 |
| JP5622653B2 (ja) * | 2011-05-12 | 2014-11-12 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッドおよびインクジェットヘッドの製造方法 |
| JP2013188892A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッド |
| JP2013188954A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法 |
| JP2013193394A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法及び画像形成装置 |
| JP2013193447A (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッド |
| JP6201313B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-09-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
| JP6163752B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-07-19 | セイコーエプソン株式会社 | ノズルプレートの製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射装置の製造方法 |
| JP2014124879A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Seiko Epson Corp | ノズルプレート、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
| JP6186721B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-08-30 | セイコーエプソン株式会社 | ノズルプレートの製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射装置の製造方法 |
| KR102161692B1 (ko) | 2013-12-06 | 2020-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 잉크젯 프린트 헤드 및 이의 제조 방법 |
| CN106457829A (zh) * | 2014-03-25 | 2017-02-22 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 打印头流体通道薄膜钝化层 |
| JP5789704B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2015-10-07 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド |
| GB2546832B (en) * | 2016-01-28 | 2018-04-18 | Xaar Technology Ltd | Droplet deposition head |
| JP2017136724A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド |
| WO2019180882A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
| JP2020082492A (ja) * | 2018-11-22 | 2020-06-04 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェット装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002160364A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Seiko Instruments Inc | インクジェットヘッド |
| JP3943971B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2007-07-11 | 東芝テック株式会社 | インクジェットプリンタヘッドおよびその製造方法 |
| JP2007123620A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体装置及びその製造方法、並びにアクティブマトリクス表示装置 |
| JP2009233927A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッドの製造方法 |
-
2009
- 2009-06-23 JP JP2009148355A patent/JP4848028B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-18 US US12/689,199 patent/US8469489B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100245475A1 (en) | 2010-09-30 |
| US8469489B2 (en) | 2013-06-25 |
| JP2010188715A (ja) | 2010-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110920 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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