JP2011091234A - 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びアクチュエーター装置 - Google Patents
液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びアクチュエーター装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011091234A JP2011091234A JP2009244172A JP2009244172A JP2011091234A JP 2011091234 A JP2011091234 A JP 2011091234A JP 2009244172 A JP2009244172 A JP 2009244172A JP 2009244172 A JP2009244172 A JP 2009244172A JP 2011091234 A JP2011091234 A JP 2011091234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- additive
- layer
- electrode
- piezoelectric
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
【解決手段】圧電素子300は、第1電極60と、チタン、ジルコニウム及び鉛を含み、菱面体晶系の結晶構造を有する圧電体層70と、圧電体層70の第1電極60とは反対側に形成された第2電極80と、を具備し、圧電体層70は、ニッケル及びストロンチウムの少なくとも一方の添加物が添加されている添加層72と添加物が添加されていない無添加層75との積層体からなり、添加層72は、無添加層75の第1電極60側及び第2電極80側の少なくとも一方に形成されている。
【選択図】図3
Description
置に関し、特にインクを吐出するインクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録
装置並びにアクチュエーター装置に関する。
圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を下電極と上電極とを有する圧電素子に
より変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるイン
クジェット式記録ヘッド等がある。また、このようなインクジェット式記録ヘッドには、
圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードのアクチュエーター装置を使用したもの
と、たわみ振動モードのアクチュエーター装置を使用したものの2種類が実用化されてい
る。
表面全体に亘って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラ
フィー法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて圧力発生室毎に独立するように圧
電素子を形成したものがある。
る。
圧が制限されてしまうという問題があった。
る少なくとも1つの添加物を有する圧電体層を設けた圧電素子を提案している(特許文献
1参照)。
位特性に優れたものが求められている。
する液体噴射ヘッドにおいても同様に存在する。また液体噴射ヘッドだけでなく、圧電素
子を具備するアクチュエーター装置においても、このような問題は同様に存在する。
体噴射装置及びアクチュエーター装置を提供することを課題とする。
発生室が並設された流路形成基板と、前記流路形成基板の上方に設けられた圧電素子とを
備え、圧電素子の変形によってノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドにおいて、
前記圧電素子は、第1電極と、チタン、ジルコニウム及び鉛を含み菱面体晶系の結晶構造
を有する圧電体層と、該圧電体層の前記第1電極とは反対側に形成された第2電極と、を
具備し、前記圧電体層は、ニッケル及びストロンチウムの少なくとも一方の添加物が添加
されている添加層と前記添加物が添加されていない無添加層との積層体からなり、前記添
加層は、前記無添加層の前記第1電極側及び前記第2電極側の少なくとも一方に形成され
ていることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第1の態様では、無添加層により圧電体層の変位特性を確保しつつ、所定の添加
物が添加されている添加層により、圧電体層の耐電圧を高くすることができる。すなわち
、変位特性が良好で、耐電圧が高いものとすることができ、駆動の際にクラックが発生し
にくく、信頼性の高い液体噴射ヘッドとすることができる。
さらに耐電圧を向上させることができる。
れによれば、さらに変位特性が良好なものとすることができる。
れば、さらに変位特性が良好なものとすることができる。
性が良好で耐電圧が高いものとすることができる。
装置にある。
かかる態様では、信頼性を向上した液体噴射装置を実現できる。
晶系の結晶構造を有する圧電体層と、該圧電体層の前記第1電極とは反対側に形成された
第2電極と、からなる圧電素子を具備し、前記圧電体層は、ニッケル及びストロンチウム
の少なくとも一方の添加物が添加されている添加層と、前記添加物が添加されていない無
添加層との積層体からなり、前記無添加層の前記第1電極側及び前記第2電極側の少なく
とも一方に、前記添加層が形成されていることを特徴とするアクチュエーター装置にある
。
かかる態様では、無添加層により圧電体層の変位特性を確保しつつ、所定の添加物が添
加されている添加層により、圧電体層の耐電圧を高くすることができる。すなわち、変位
特性が良好で、耐電圧が高いものとすることができる。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録
ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、流路形成基板の平面図及びそのA−
A′断面図であり、図3は、図2(b)のB−B’断面図である。
その一方の面には酸化膜からなる弾性膜50が形成されている。
流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連
通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及
び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のリザーバー部
31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバーの一部を構成する。
インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧
力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では
、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞
ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向か
ら絞ることでインク供給路を形成してもよい。
対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や
熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えばガラス
セラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
50が形成され、この弾性膜50上には、絶縁体膜55が形成されている。さらに、この
絶縁体膜55上には、第1電極60と圧電体層70と第2電極80とが、後述するプロセ
スで積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1
電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子30
0の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12
毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通
電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都
合でこれを逆にしても支障はない。
をアクチュエーター装置と称する。本実施形態では、弾性膜50、絶縁体膜55及び第1
電極60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性
膜50及び絶縁体膜55を設けずに、第1電極60のみが振動板として作用するようにし
てもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよく、この
場合は、圧電素子300がアクチュエーター装置となる。
鉛を含み菱面体晶系の結晶構造を有するものであり、ニッケル及びストロンチウムの少な
くとも一方の添加物が添加されている添加層72と、添加物が添加されていない無添加層
75とからなる。
晶構造を有するものであり、ペロブスカイト構造の結晶膜が挙げられる。例えば、チタン
酸ジルコン酸鉛(PZT)等の強誘電体材料や、これに酸化ニオブ、酸化ニッケル又は酸
化マグネシウム等の金属酸化物を添加したもの等が好適である。具体的には、チタン酸ジ
ルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン((Pb,La
)(Zr,Ti)O3)又は、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛(Pb(Z
r,Ti)(Mg,Nb)O3)等を用いることができる。本実施形態では、圧電体層7
0は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)からなるものとした。また、圧電体層70は、P
b(鉛)、Zr(ジルコニウム)及びTi(チタン)を含む材料からなり、焼成後の組成
比がPb/(Zr+Ti)=1.0〜1.3となるようにするのが好ましい。すなわち、
圧電体層70には、余剰鉛が30%以下含有されているのが好ましい。これにより、余剰
鉛が粒界に集まってリーク電流が大きくなるのを防止して、所定のリーク電流にすること
ができる。
るものであり、これに加えてさらにマンガンが添加物として添加されていてもよい。添加
層72は、所定の添加物が添加されていることで、電気抵抗率、比誘電率、残留分極強度
、抗電界などが所定の値となると共に、耐電圧が高いものとなるが、十分な変位特性が得
られない。ここで、添加層72の変位特性について、ニッケルを添加したものを例に挙げ
て説明する。表1に、ニッケルの添加量を変化させた際の添加層72の圧電係数d31の
値を示す。なお、圧電定数d31は、ひずみ易さの指標となるものである。
いものと比較して、圧電係数d31が低下して変位特性が低下する傾向にあり、添加物の
添加量が増加すると圧電係数d31が大きく低下してしまう。本実施形態の圧電体層70
は、添加層72と無添加層75とを具備することにより、添加層72により耐電圧を高く
すると共に、無添加層75により変位特性を確保することができ、耐電圧が高く、変位特
性が良好なものとなる。
らに好ましくは5〜15%である。二層の添加層72を設ける場合は、その合計の厚さが
圧電体層70の厚さの20%以下であるのが好ましい。添加層72の厚さが、圧電体層7
0の厚さの20%以下であると、圧電体層70は、変位特性の低下がほとんどないものと
することができる。圧電体層70の厚さの80%以上で良好な変位特性を確保しつつ、厚
さの20%以下で耐電圧を高くすることにより、より変位特性が良好で、耐電圧が高いも
のとすることができる。
の耐電圧を表2に示す。
n)が添加された添加層、及び無添加層からなる圧電体層(サンプル2〜12)は、添加
物を添加していない無添加層のみからなる圧電体層(サンプル1)と比較して耐電圧が高
くなる。ニッケルが添加された添加層を有する圧電体層も、ストロンチウム及びマンガン
が添加された添加層を有する圧電体層も、圧電体層における添加層の膜厚が大きくなるに
つれて、耐電圧が高くなる。また、ニッケルが添加された添加層を有する圧電体層も、ス
トロンチウム及びマンガンを添加した添加層を有する圧電体層も、添加層の膜厚が同じ場
合、それぞれ添加物の含有量(mol%)が増加すると耐電圧が高くなる。
好ましくは1mol%〜10mol%である。添加層72に2つの添加物を添加する場合
は、添加層72における添加物の総含有量が、10mol%以下であるのが好ましい。添
加層72における添加物の含有量が、10mol%以下であると、圧電体層70は、変位
特性の低下がほとんどないものとすることができる。なお、添加物の含有量が多くなりす
ぎると、圧電体層70の変位特性が低下してしまう虞がある。また、添加物の含有量が少
なくなりすぎると、十分な効果が得られなくなってしまう虞がある。
加されていない無添加層75を第1電極60側から順に積層したもの、すなわち、添加層
72を、無添加層75の第1電極60側に設けたものとした。添加層72は、無添加層7
5の第1電極60側及び第2電極80側のいずれに設けても耐電圧は変わらないが、無添
加層75の第1電極60側に設ける場合、無添加層75の第2電極80側に設ける場合と
比較して、変位特性がより良好なものとなる。
層70を1〜2μm前後の厚さで形成するのが好ましく、本実施形態では、1.1μmと
した。
端部近傍から引き出され、絶縁体膜55上まで延設される、例えば、金(Au)等からな
るリード電極90が接続されている。
、絶縁体膜55及びリード電極90上には、リザーバー100の少なくとも一部を構成す
るリザーバー部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このリ
ザーバー部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12
の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通さ
れて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバー100を構成しているが、流路
形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、リザーバー部31のみ
をリザーバーとしてもよい。また、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設
け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材(例えば、弾性膜50、絶縁
体膜55)にリザーバー100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設け
るようにしてもよい。
害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32
は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封
されていても、密封されていなくてもよい。
ば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板
10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
いる。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔
33内に露出するように設けられている。
0が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路
(IC)等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボン
ディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続され
ている。
イアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する
材料からなり、この封止膜41によってリザーバー部31の一方面が封止されている。ま
た、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のリザーバー1
00に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザ
ーバー100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバー100からノズル開口2
1に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発
生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性
膜50、絶縁体膜55、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、
各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
する。なお、図4〜図6は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である
。
ウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリ
コン(SiO2)からなる二酸化シリコン膜51を形成する。次いで、図4(b)に示す
ように、弾性膜50(二酸化シリコン膜51)上に、例えば、酸化ジルコニウムからなる
絶縁体膜55を形成する。
共に、所定形状にパターニングする。第1電極60の形成方法は特に限定されないが、例
えば、スパッタリング法、化学蒸着法(CVD法)、物理蒸着法(PVD法)などが挙げ
られる。この第1電極60の材料は、特に限定されず、白金、イリジウム、これらの材料
以外の金属又は金属酸化物を用いることができる。本実施形態のように圧電体層70とし
てチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を用いる場合には、酸化鉛の拡散による導電性の変化
が少ない材料であることが望ましいため、第1電極60の材料としては白金、イリジウム
等が好適に用いられる。
れていない無添加層75とからなる圧電体層70を形成する。ここで、本実施形態では、
金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で
焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて
圧電体層70を形成した。なお、圧電体層70の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず
、例えば、MOD(Metal-Organic Decomposition)法等を用いてもよい。
実施形態では、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)で形成した。この圧電体層70は、ニッ
ケル(Ni)及びストロンチウム(Sr)の少なくとも一方の添加物が添加された添加層
72と、添加物が添加されていない無添加層75とからなる。これにより、耐電圧が高く
、変位特性の良好なものとすることができる。なお、本実施形態では、添加層72は添加
物の添加濃度が均一となるようにした。
5(a)に示すように、第1電極60上に添加層前駆体膜(圧電体前駆体膜)71を成膜
する。具体的には、第1電極60が形成された流路形成基板10上に、金属有機化合物を
含むゾル(溶液)に、硝酸ニッケル及び硝酸ストロンチウムの少なくも1つと、必要に応
じて硝酸マンガンとを混ぜた塗布液を塗布する。このように、硝酸ニッケル、硝酸ストロ
ンチウム、硝酸マンガン等をゾルに混ぜることで、詳しくは後述するが、焼成により、ニ
ッケル、ストロンチウム、マンガン等が存在する添加層72が形成される。なお、添加層
72に添加したい添加物に応じて、ゾルに混合する物質(硝酸ニッケル、硝酸ストロンチ
ウム、硝酸マンガン)は適宜選択する(塗布工程1)。
)。次に、乾燥した添加層前駆体膜71を所定温度に加熱して一定時間保持することによ
って脱脂する(脱脂工程)。なお、ここでいう脱脂とは、添加層前駆体膜71に含まれる
有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。
させ、添加層(圧電体膜)72を形成する(焼成工程)。焼成工程では、添加層前駆体膜
71を600〜800℃で1〜60分加熱するのが好ましく、本実施形態では、700℃
で30分加熱するようにした。また、焼成工程では、昇温レートを15℃/sec以下と
するのが好ましい。このように、添加層72を焼成により形成する際には、添加層前駆体
膜(圧電体前駆体膜)71を30分以上加熱するのが好ましい。これにより優れた特性の
添加層72を得ることができる。以下、塗布工程1、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を
添加層膜形成工程とする。
えば、ホットプレートや、赤外線ランプの照射により加熱するRTA(Rapid Thermal An
nealing)装置などを用いることができる。
膜)73を成膜する。具体的には、添加層72上に、金属有機化合物を含むゾル(溶液)
を塗布する(塗布工程2)。このとき、ゾルには硝酸ストロンチウム及び硝酸マンガン等
を混合しないようにする。その後は、同様に乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を行うこと
により、無添加層膜74を得ることができる。塗布工程2、乾燥工程、脱脂工程及び焼成
工程からなる無添加層膜形成工程を複数回、本実施形態では9回繰り返すことで、図5(
c)に示すように、9層の無添加層膜74からなる所定厚さの無添加層75を形成する。
これにより、添加層72と、無添加層75からなる圧電体層70となる。例えば、ゾルの
1回あたりの膜厚が0.1μm程度の場合には、圧電体層70全体の膜厚は約1.1μm
程度となる。
程、乾燥工程及び脱脂工程を3回行った後、3層ずつ焼成することで形成する。すなわち
、9層の無添加層膜74からなる無添加層75は、3回焼成することで形成することがで
きる。そして、このような圧電体層70の総焼成時間は、3時間以下とするのが好ましい
。これにより優れた特性の圧電体層70を形成することができる。なお、添加層の膜厚及
び無添加層の膜厚は、添加層膜形成工程、無添加層膜形成工程それぞれの回数を調整する
ことにより、調整することができる。
6(a)に示すように、例えば、イリジウムからなる第2電極80を形成する。そして、
図6(b)に示すように、圧電体層70及び第2電極80を、各圧力発生室12に対向す
る領域にパターニングして圧電素子300を形成する。圧電体層70及び第2電極80の
パターニングとしては、例えば、反応性イオンエッチングやイオンミリング等のドライエ
ッチングが挙げられる。
板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金(Au)等からなる金属膜を形成後、例
えば、レジスト等からなるマスクパターン(図示なし)を介して各圧電素子300毎に金
属膜をパターニングすることでリード電極90が形成される。
ンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハーを接着剤35によって接
合する。なお、保護基板30には、リザーバー部31、圧電素子保持部32等が予め形成
されている。また、保護基板30は、例えば、400μm程度の厚さを有するシリコン単
結晶基板からなり、保護基板30を接合することで流路形成基板10の剛性は著しく向上
することになる。その後、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さにする。
ニングする。そして、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜を介してKOH等のアル
カリ溶液を用いた異方性エッチング(ウェットエッチング)することにより、圧電素子3
00に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成
する。
を除去し、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハーの外周縁部の不要部分
を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板
用ウェハー110の保護基板用ウェハーとは反対側の面にノズル開口21が穿設されたノ
ズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハーにコンプライアンス基板40を
接合し、これら流路形成基板用ウェハー110等を、図1に示すような一つのチップサイ
ズの流路形成基板10等に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘ
ッドが製造される。
ンク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に
搭載される。図7は、そのインクジェット式記録装置の概略構成を示す斜視図である。
例えば、ブラック(B)、シアン(C)、マゼンダ(M)、イエロー(Y)等の複数の異
なる色のインクが貯留される貯留室を有するインクカートリッジ(液体貯留手段)2が装
着されたインクジェット式記録ヘッド1(以下、記録ヘッド)を具備する。記録ヘッド1
はキャリッジ3に搭載されており、記録ヘッド1が搭載されたキャリッジ3は、装置本体
4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。そして、駆動モ
ーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ
3に伝達されることで、キャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置
本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙装置等
により給紙された紙等の被記録媒体Sがプラテン8上を搬送されるようになっている。
ル及びストロンチウムの少なくとも一方の添加物が添加されている添加層72と、添加物
が添加されていない無添加層75とからなるものとすることにより、耐電圧が高く、変位
特性の高いものとなる。これにより、駆動の際にクラックが発生しにくく、信頼性の高い
液体噴射ヘッドとすることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定される
ものではない。
に積層したものとしたが、これに限定されず、無添加層、添加層の順に第1電極60側か
ら順に積層してもよい。すなわち、無添加層の第2電極80側に添加層を設けるようにし
てもよい。
無添加層75、添加層72Aを積層してもよい。すなわち、無添加層の第1電極60側と
第2電極80側のそれぞれに、添加層を設けてもよい。圧電体層において、添加層を二層
設ける場合は、その合計の厚さが圧電体層70の厚さの20%以下であるのが好ましい。
添加層72の厚さが、圧電体層70の厚さの20%以下であると、圧電体層70は、変位
特性の低下がほとんどないものとすることができる。
体層70は、スパッタリング法により製造してもよく、例えば、マルチチャンバー型のス
パッタリング装置を用いて形成することができる。実施形態1の圧電体層70を形成する
場合は、ニッケル、ストロンチウム、マンガン等の添加物を添加したチタン酸ジルコン酸
鉛ターゲットを所定の厚さまでスパッタリングして添加層72を成膜した後、添加物を添
加していないチタン酸ジルコン酸鉛ターゲットをスパッタリングして無添加層75を成膜
することにより、添加層72、無添加層75からなる圧電体層70を形成することができ
る。
加物を含まないチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)からなる層をゾル−ゲル法等により形成
した後、イオン注入法で添加物を添加してもよい。なお、イオン注入法は、半導体に対し
て不純物をドープする際に広く行われている方法であって、ドープする不純物に付与する
加速エネルギーを変化させることで注入深さを変化させることができる。したがって、チ
タン酸ジルコン酸鉛(PZT)からなる層の表面側から、所望の深さまで添加物(ニッケ
ル、ストロンチウム、マンガン等)をドープすればよい。
が、添加層において添加物の添加濃度が傾斜的となるようにしてもよい。添加物の添加濃
度を傾斜的とする場合は、電極側(第1電極60又は/及び第2電極80)の添加濃度が
高くなるようにするのが好ましい。この場合も同様に、無添加層の第1電極60側と第2
電極80側それぞれに、添加層を設けてもよい。添加物の添加濃度が傾斜的な添加層と、
無添加層とからなる圧電体層を形成するには、例えば、マルチチャンバー型のスパッタリ
ング装置を用いることができる。まず、添加物を添加したチタン酸ジルコン酸鉛ターゲッ
トと、添加物を添加していないチタン酸ジルコン酸鉛ターゲットとを同時にスパッタリン
グして、添加物の添加濃度が傾斜的となる添加層を形成する。このとき、補助ターゲット
に印加している電圧を増減することにより、添加濃度を調整する。その後は、添加物を添
加していないチタン酸ジルコン酸鉛ターゲットをスパッタリングして無添加層を形成すれ
ばよい。
が、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス基板、MgO基板等においても
本発明は有効である。また、振動板の最下層に二酸化シリコンからなる弾性膜50を設け
るようにしたが、振動板の構成は、特にこれに限定されるものではない。
リッジ3に搭載されて主走査方向に移動するものを例示したが、特にこれに限定されず、
例えば、インクジェット式記録ヘッド1が固定されて、紙等の記録シートSを副走査方向
に移動させるだけで印刷を行う、所謂ライン式記録装置にも本発明を適用することができ
る。
を挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク
以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射
ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、
液晶ディスプレー等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELデ
ィスプレー、FED(電界放出ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘ
ッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
る圧電素子に限られず、他の装置に搭載される圧電素子にも適用することができる。
15 連通路、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30 保護基板、 3
1 リザーバー部、 40 コンプライアンス基板、 50 弾性膜、 55 絶縁体膜
、 60 第1電極、 70 圧電体層、 72,72A 添加層、 75 無添加層、
80 第2電極、 90 リード電極、 100 リザーバー、 110 流路形成基
板用ウェハー、 120 駆動回路、 121 接続配線、 300 圧電素子
Claims (7)
- 液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が並設された流路形成基板と、前記流路
形成基板の上方に設けられた圧電素子とを備え、圧電素子の変形によってノズル開口から
液体を吐出する液体噴射ヘッドにおいて、
前記圧電素子は、第1電極と、チタン、ジルコニウム及び鉛を含み菱面体晶系の結晶構造
を有する圧電体層と、該圧電体層の前記第1電極とは反対側に形成された第2電極と、を
具備し、
前記圧電体層は、ニッケル及びストロンチウムの少なくとも一方の添加物が添加されてい
る添加層と前記添加物が添加されていない無添加層との積層体からなり、
前記添加層は、前記無添加層の前記第1電極側及び前記第2電極側の少なくとも一方に形
成されていることを特徴とする液体噴射ヘッド。 - 前記添加層は、マンガンがさらに添加されていることを特徴とする請求項1に記載の液体
噴射ヘッド。 - 前記添加層における前記添加物の含有量は、10mol%以下であることを特徴とする請
求項1又は2に記載の液体噴射ヘッド。 - 前記添加層の厚さが、前記圧電体層の厚さの20%以下であることを特徴とする請求項1
〜3のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。 - 前記添加層は、前記添加物の添加濃度が均一であることを特徴とする請求項1〜4のいず
れか一項に記載の液体噴射ヘッド。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴
射装置。 - 第1電極と、チタン、ジルコニウム及び鉛を含み菱面体晶系の結晶構造を有する圧電体層
と、該圧電体層の前記第1電極とは反対側に形成された第2電極と、からなる圧電素子を
具備し、
前記圧電体層は、ニッケル及びストロンチウムの少なくとも一方の添加物が添加されてい
る添加層と、前記添加物が添加されていない無添加層との積層体からなり、
前記無添加層の前記第1電極側及び前記第2電極側の少なくとも一方に、前記添加層が形
成されていることを特徴とするアクチュエーター装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009244172A JP2011091234A (ja) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びアクチュエーター装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009244172A JP2011091234A (ja) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びアクチュエーター装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011091234A true JP2011091234A (ja) | 2011-05-06 |
JP2011091234A5 JP2011091234A5 (ja) | 2012-09-27 |
Family
ID=44109222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009244172A Withdrawn JP2011091234A (ja) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びアクチュエーター装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011091234A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014107563A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Tdk Corp | 圧電素子、圧電アクチュエータ、及び圧電センサ、並びにハードディスクドライブ、及びインクジェットプリンタ装置 |
WO2016071688A1 (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | Xaar Technology Limited | Multilayered piezoelectric thin film element |
JP2020012159A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社アルバック | Pzt素子、pzt素子製造方法 |
JPWO2020230450A1 (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004235599A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子、インクジェットヘッド、角速度センサ及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置 |
JP2009049433A (ja) * | 2005-03-22 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置 |
JP2009200358A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | 積層型圧電素子 |
-
2009
- 2009-10-23 JP JP2009244172A patent/JP2011091234A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004235599A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子、インクジェットヘッド、角速度センサ及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置 |
JP2009049433A (ja) * | 2005-03-22 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置 |
JP2009200358A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | 積層型圧電素子 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014107563A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Tdk Corp | 圧電素子、圧電アクチュエータ、及び圧電センサ、並びにハードディスクドライブ、及びインクジェットプリンタ装置 |
WO2016071688A1 (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | Xaar Technology Limited | Multilayered piezoelectric thin film element |
CN107078206A (zh) * | 2014-11-04 | 2017-08-18 | 萨尔技术有限公司 | 多层压电薄膜元件 |
JP2018500776A (ja) * | 2014-11-04 | 2018-01-11 | ザール・テクノロジー・リミテッド | 多層圧電薄膜素子 |
US11910718B2 (en) | 2014-11-04 | 2024-02-20 | Xaar Technology Limited | Multilayered piezoelectric thin film element |
JP2020012159A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社アルバック | Pzt素子、pzt素子製造方法 |
JP7194528B2 (ja) | 2018-07-18 | 2022-12-22 | 株式会社アルバック | Pzt素子、pzt素子製造方法 |
JPWO2020230450A1 (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | ||
WO2020230450A1 (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 株式会社村田製作所 | 圧電セラミック電子部品 |
JP7151884B2 (ja) | 2019-05-14 | 2022-10-12 | 株式会社村田製作所 | 圧電セラミック電子部品 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007266346A (ja) | 圧電薄膜、圧電素子、液滴噴射ヘッド、液滴噴射装置および液滴噴射ヘッドの製造方法 | |
JP6226121B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置 | |
JP2008091877A (ja) | 圧電素子、アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2007281032A (ja) | アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 | |
KR20080033099A (ko) | 액츄에이터 장치의 제조 방법, 액츄에이터 장치 및 액체분사 헤드 | |
US7362039B2 (en) | Piezoelectric element, method of manufacturing the same, liquid-jet head, method of manufacturing the same, and liquid-jet apparatus | |
JP5472596B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及びそれを用いた液体噴射装置 | |
US20120120159A1 (en) | Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus | |
JP5435206B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2011091234A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びアクチュエーター装置 | |
JP2012164894A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP2011238708A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置、及び圧電素子の製造方法 | |
JP2011181556A (ja) | アクチュエーターの製造方法 | |
JP2010120270A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5578311B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
US7887164B2 (en) | Liquid jet head, a liquid jet apparatus and a piezoelectric element | |
JP5344143B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP2006303425A (ja) | 圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 | |
US8491105B2 (en) | Production method of piezoelectric element, piezoelectric element, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus | |
JP2012178506A (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
JP2009049433A (ja) | 圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置 | |
JP2010199265A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法及びアクチュエーター装置の製造方法 | |
JP2010173197A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエーター装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2009076819A (ja) | アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 | |
JP2012199445A (ja) | 圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120809 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131217 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20140210 |