JP7194528B2 - Pzt素子、pzt素子製造方法 - Google Patents
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本発明は、前記下地層はLaNiO3で構成されたPZT素子である。
本発明は、前記PZT結晶は、前記下地層が485℃以上585℃以下の温度範囲の温度で成長されたPZT素子である。
本発明は、第一の電極層と、前記第一の電極層上に配置された下地層と、前記下地層上に配置されたPZT層と、前記PZT層上に配置され、前記PZT層と電気的に接続された第二の電極層と、を有するPZT素子を製造するPZT素子製造方法であって、添加金属であるNiが0.1at%以上5at%以下の範囲で含有されたPZTターゲットをスパッタリングし、前記下地層の表面上にPZT結晶を成長させ、前記PZT層を形成するPZT層形成工程と、前記PZT層上に前記第二の電極層を形成する第二の電極層形成工程と、を有するPZT素子製造方法である。
本発明は、前記PZT層形成工程では、前記下地層を485℃以上585℃以下の温度範囲の温度に加熱するPZT素子製造方法である。
LaNiO3の下地層上にスパッタリング法によってPZT層を形成すると、600℃よりも低温でPZT結晶を成長させることができるので結晶欠陥を更に減少させたPZT層が得られる。
図1(a)の符号21はPZT層を形成するシリコン等のセラミックスの基板であり、基板21の表面には、第一の電極層22が形成され、第一の電極層22の表面には下地層23が形成されている。
ワイブル分布において、形状母数(shape parameter)mと尺度母数(scale parameter)βとを用いると、分布関数F(t)は、故障時間tの関数の下記(1)式で表わされる。
Niを添加する条件やNiを添加しない条件等、種々の条件で作成したPZT素子のサンプルを所定の高温雰囲気に置き、第一、第二の電極層22、25の間に実使用と同じ測定電圧を印加し、上限値以上の電流が流れるまでの故障時間tを測定する加速試験を行った。
21……基板
22……第一の電極層
23……下地層(LaNiO3層)
24……PZT層
25……第二の電極層
Claims (2)
- 基板と、
前記基板上に配置された第一の電極層と、
前記第一の電極層上に配置され、LaNiO3で構成された下地層と、
前記下地層上に配置された添加金属が0.5at%含有されたPZT層と、
前記PZT層上に配置された第二の電極層と、を有し、
前記添加金属にはNiが用いられ、
前記PZT層は、前記第一の電極層上に成長されたPZT結晶であり、
破壊電圧を電界の大きさに換算した電界値が0.4MV/cm以下であり、100℃におけるMTTF(Mean time to failure)の値が1000000時間以上であるPZT素子。 - 破壊電圧を電界の大きさに換算した電界値が0.4MV/cm以下であり、100℃におけるMTTF(Mean time to failure)の値が1000000時間以上であるPZT素子の製造方法であって、
第一の電極層と、
前記第一の電極層上に配置され、LaNiO3で構成された下地層と、
前記下地層上に配置されたPZT層と、
前記PZT層上に配置され、前記PZT層と電気的に接続された第二の電極層と、を有するPZT素子を製造するPZT素子製造方法であって、
添加金属であるNiが0.5at%含有されたPZTターゲットをスパッタリングし、前記下地層を485℃以上585℃以下の温度範囲の温度に加熱することで前記下地層の表面上にPZT結晶を成長させ、前記PZT層を形成するPZT層形成工程と、
前記PZT層上に前記第二の電極層を形成する第二の電極層形成工程と、を有するPZT素子製造方法。
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