JP5743203B2 - 圧電膜素子及び圧電膜デバイス - Google Patents
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Description
界100kV/cmを印加した寿命テストにおいて、初期の圧電定数に対する10億回駆動後の圧電定数の比率(疲労率、圧電定数保持率)が95%以上であることが求められている。しかしながら、tanδが0.5以下の圧電膜であっても、印加電界±100kV/cmを印加した寿命テストにおいて、上記圧電定数の比率が95%以下になる事例が頻繁に発生していた。
ある。
図1に、本発明の一実施形態に係る圧電膜素子の概略的な断面図を示す。
本実施形態の圧電膜素子は、図1に示すように、基板1上に、下部電極層2と、組成式(K1−xNax)NbO3(0.4≦x≦0.7)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜3と、上部電極4とを備える。圧電膜素子は、圧電膜3に印加電界+100kV/cmを印加した状態での誘電損失tanδ、および圧電膜3に印加電界
−100kV/cmを印加した状態での誘電損失tanδが共に、0.45以下である。
は、圧電膜に直流電圧(印加電界)を印加した状態で、tanδ測定用の交流電圧を印加す
ることで、各印加電界が印加された場合の圧電膜のtanδの値を測定した。具体的には、
本明細書では、図3に示すように、近似的な直流電圧(印加電界)として電界0〜±100kV/cm、周波数0.2Hzの三角波のベース波を印加しながら、±3Vの3000
Hzの交流電圧をtanδの測定用波として圧電膜3に印加することで、tanδの値を測定した。その結果、印加電界0kV/cmの場合にはtanδの値が0.5以下と小さい圧電膜であっても、印加電界が大きくなった場合にtanδの値が急激に大きくなる圧電膜があるこ
とが分かってきた(後述の実施例における図4〜図7及び表1参照)。
流れていることを意味する。±100kV/cm印加時のtanδの値と、初期の圧電定数
に対する10億回駆動後の圧電定数の比率({[10億回駆動後の圧電定数]/[初期の圧電定数]}×100(%))との関係を調査したところ、両者に明確な相関があることが分かった。すなわち、電界±100kV/cm印加時のtanδの値が0.45以下の圧電膜である場合に、初期の圧電定数に対する10億回駆動後の圧電定数の比率(疲労率(fatigue ratio)(%)ともいう)を95%以上にできることが分かった(表1参照)。
cmでの誘電損失tanδが共に、印加電界0kV/cmでの誘電損失tanδよりも小さい圧電膜の圧電膜素子の場合にも、上記の疲労率を95%以上にできることが分かった(表1参照)。
/cm印加時の誘電損失tanδが共に、電界0kV/cm印加時の誘電損失tanδよりも小さいKNN圧電膜の圧電膜素子は、KNN膜をスパッタリングによって成膜する場合には、KNN膜のスパッタリング成膜温度およびスパッタリング成膜後の熱処理温度の最適化を行うことで実現できることも分かった(表1参照)。
。Si基板には、例えば、Si基板表面が(100)面方位の(100)Si基板が用いられたりするが、(100)面とは異なる面方位のSi基板を用いても勿論よい。また、基板1には、石英ガラス基板、GaAs基板、サファイヤ基板、ステンレスなどの金属基板、MgO基板、SrTiO3基板などを用いてもよい。
が挙げられる。
図2に、本発明の圧電膜素子を用いて作製した圧電膜デバイスの一実施形態の概略的な構成図を示す。
って変形すると、その変形によって電圧が発生するので、この電圧を電圧検知手段11で検知することで各種物理量を測定することができる。センサとしては、例えば、ジャイロセンサ、超音波センサ、圧カセンサ、速度・加速度センサなどが挙げられる。
実施例および比較例におけるKNN圧電膜の成膜方法を説明する。
基板には、熱酸化膜付きSi基板((100)面方位、厚さ0.525mm、形状20
mm×20mm、熱酸化膜の厚さ200nm)を用いた。まず、基板上にRFマグネトロンスパッタリング法で、Ti密着層(膜厚10nm)、Pt下部電極層((111)面優先配向、膜厚200nm)を形成した。Ti密着層とPt下部電極層は、基板温度350℃、放電パワー300W、導入ガスAr、Ar雰囲気の圧力2.5Pa、成膜時間は、T
i密着層では3分、Pt下部電極層では10分の条件で成膜した。
N膜のスパッタリング成膜時間は、KNN膜の膜厚がほぼ2μmになるように調整して行った。また、全ての実施例のKNN膜および一部の比較例のKNN膜では、成膜後に大気雰囲気で600℃、700℃、800℃、または900℃の温度で2時間の熱処理を行った。
ICP−AES(誘導結合型プラズマ発光分析)法によって、実施例および比較例のKNN膜の組成分析を行った。分析は、KNN膜の一部を切り出し、湿式酸分解法を用い、酸にはフッ化水素酸と硝酸の混合液を用いた。実施例および比較例のKNN膜のNa/(K+Na)比率は全て約0.55であった。またKNN膜のX線回折測定を行った結果、
実施例および比較例の全てのKNN膜において、ペロブスカイト構造を有する擬立方晶又は正方晶の(001)優先配向のKNN膜が形成されていた。
KNN圧電膜の比誘電率εrおよび誘電損失tanδを測定するために、上記実施例およ
び比較例のKNN圧電膜の上にPt上部電極(膜厚100nm、サイズ直径0.5mm)
をRFマグネトロンスパッタリング法で形成した。この上部電極と下部電極層とを強誘電体テスター(aixACCT社製のTF−analyzer)に接続し、印加電界0〜±100kV/cmを印加(周波数0.2Hzの三角波として印加)しながら、±3Vの3000H
zの交流電圧を印加することで、静電容量とtanδの値を測定した(なお、今回は±3V
の交流電圧を印加してtanδ等を測定したが、±1V、±2Vの交流電圧を印加した場合
も、ほぼ同様の測定結果が得られる)。比誘電率εrは、測定された静電容量から算出した。印加電圧のプロファイルは図3に示すものとなるが、実施例および比較例の圧電膜素子の場合、KNN圧電膜の膜厚が2μmであるため、印加電圧20Vが印加電界100kV/cmに相当する。実施例1〜4、比較例1〜10のtanδ特性及びεr特性を、図4
、図5、図6、図7に示す。図4〜図7のグラフから、印加電界0kV/cm時のtanδ
の値(tanδ(0kV/cm))、印加電界+100kV/cm時のtanδの値(tanδ(
+100kV/cm))、印加電界−100kV/cm時のtanδの値(tanδ(−100kV/cm))を読み取った。結果を表1に示す。表1には、実施例1〜4および比較例1〜10における、KNN圧電膜のスパッタリング成膜温度(Si基板の表面温度)、スパッタリング成膜後のアニール温度(熱処理温度)、各印加電界でのtanδの値、疲労率
(fatigue ratio)を示している。
KNN圧電膜の圧電定数d31の疲労率(fatigue ratio)を評価するために、図8に
示す構成のユニモルフカンチレバーを試作した。まず、上記実施例および比較例のKNN圧電膜の上にPt上部電極(膜厚100nm)をRFマグネトロンスパッタリング法で形成した後、長さ15mm、幅2.5mmの短冊形に切り出し、KNN圧電膜を有する圧電
膜素子20を作製した。
次に、この圧電膜素子20の長手方向の一端をクランプ21で固定することで簡易的なユニモルフカンチレバーを作製した。このカンチレバーの上部電極4と下部電極2との間のKNN圧電膜3に電圧印加手段(図示せず)によって電圧を印加し、KNN膜を伸縮させることで、カンチレバー全体を屈曲させ、カンチレバー先端を上下方向(KNN圧電膜3の厚さ方向)に往復動作させた。このときのカンチレバーの先端変位量Δを、レーザードップラ変位計22からレーザー光Lをカンチレバー先端に照射して測定した(図9)。圧電定数d31は、カンチレバー先端の変位量Δ、カンチレバー長さ、基板1およびKNN圧電膜3の厚さとヤング率、および印加電圧から算出される。圧電定数d31の算出は、文献1(T.Mino, S. Kuwajima, T.Suzuki, I.Kanno, H.Kotera, and K.Wasa, Jpn. J. Appl. Phys., 46(2007) 6960)に記載の方法で行った。KNN圧電膜のヤング率は104GPaを用い、印加電界100kV/cm(2μm厚のKNN圧電膜3に20Vの電圧)、700Hzのsin波電圧を印加した時の圧電定数d31を測定した(初期の圧電定数d
31)。また、そのまま700Hzのsin波電圧を連続で印加し、カンチレバーを10
億回駆動させた後に再びd31を測定した(10億回駆動後の圧電定数d31)。測定した初期の圧電定数d31と10億回駆動後の圧電定数d31から疲労率を算出した。実施例および比較例の疲労率(%)を表1に示す。
いることが分かる。また、実施例1〜3では、tanδ(−100kV/cm)およびtanδ(+100kV/cm)がtanδ(0kV/cm)よりも小さい場合に、疲労率が95%
以上になっている。
つまり、KNN圧電膜のtanδ(+100kV/cm)およびtanδ(−100kV/cm)が共に、0.45以下の場合、及び、KNN圧電膜のtanδ(−100kV/cm)およびtanδ(+100kV/cm)がtanδ(0kV/cm)よりも小さい場合に、KNN圧電膜素子の寿命改善の効果が現れる。また、上記実施例では、KNN膜のNa/(K+Na)比率は約0.55の場合であるが、N/(K+Na)比率が0.4〜0.7の範囲の
場合にも同様の寿命改善効果が確認できている。
2 下部電極層
3 圧電膜
4 上部電極
10 圧電膜素子
11 電圧検知手段または電圧印加手段
Claims (7)
- 基板上に、下部電極層と、組成式(K1-xNax)NbO3(0.4≦x≦0.7)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜と、上部電極とを備える圧電膜素子において、
印加電界+100kV/cmでの誘電損失および印加電界−100kV/cmでの誘電損失が共に、0.45以下であると共に、
前記圧電膜素子を用いてユニモルフカンチレバーを作製し、当該ユニモルフカンチレバーの前記圧電膜に印加電界100kV/cm、700Hzのsin波電圧を印加し、前記ユニモルフカンチレバーを10億回駆動させたときに、(10億回駆動後の圧電定数d31/初期の圧電定数d31)×100で算出される疲労率(%)が95%以上であることを特徴とする圧電膜素子。 - 基板上に、下部電極層と、組成式(K1-xNax)NbO3(0.4≦x≦0.7)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜と、上部電極とを備える圧電膜素子において、
印加電界+100kV/cmでの誘電損失および印加電界−100kV/cmでの誘電損失が共に、印加電界0kV/cmでの誘電損失よりも小さいと共に、
前記圧電膜素子を用いてユニモルフカンチレバーを作製し、当該ユニモルフカンチレバーの前記圧電膜に印加電界100kV/cm、700Hzのsin波電圧を印加し、前記ユニモルフカンチレバーを10億回駆動させたときに、(10億回駆動後の圧電定数d31/初期の圧電定数d31)×100で算出される疲労率(%)が95%以上であることを特徴とする圧電膜素子。 - 基板上に、下部電極層と、組成式(K1-xNax)NbO3(0.4≦x≦0.7)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜と、上部電極とを備える圧電膜素子において、
印加電界0kV/cmでの誘電損失が0.5以下であり、
印加電界+100kV/cmでの誘電損失および印加電界−100kV/cmでの誘電損失が共に、0.45以下であることを特徴とする圧電膜素子。 - 基板上に、下部電極層と、組成式(K1-xNax)NbO3(0.4≦x≦0.7)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜と、上部電極とを備える圧電膜素子において、
印加電界+100kV/cmでの誘電損失および印加電界−100kV/cmでの誘電損失が共に、0.45以下であり、
印加電界+100kV/cmでの誘電損失および印加電界−100kV/cmでの誘電損失が共に、印加電界0kV/cmでの誘電損失よりも小さいことを特徴とする圧電膜素子。 - 請求項1〜4いずれかに記載の圧電膜素子において、
前記圧電膜は、擬立方晶または正方晶であり、(001)面方位に優先配向していることを特徴とする圧電膜素子。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の圧電膜素子において、
前記下部電極層は、(111)面方位に優先配向した白金を含むことを特徴とする圧電膜素子。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の圧電膜素子と、前記圧電膜素子の前記下部電極層と前記上部電極との間に接続される電圧印加手段または電圧検出手段とを備えたことを特徴とする圧電膜デバイス。
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