JP2011142280A - アクチュエーター装置、アクチュエーター装置の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法および液体噴射装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】変位量の減少が抑えられたアクチュエーター装置およびその製造方法、このアクチュエーター装置を用いた液体噴射ヘッドの製造方法および液体噴射装置の製造方法を得ること。
【解決手段】上電極80の第1層81形成時におけるPZTを含む圧電体層70の温度が250℃以下なので、PZTの酸素欠陥の発生を抑えることができる。また、基板としての圧電体層70の温度が250℃以下で、Irを含む第1層81を圧電体層70上に形成すると、第1層81に圧縮応力が生じる。圧縮応力の生じた第1層81に対して、引っ張り応力を有する第2層82を形成することにより圧電体素子300全体として撓みをなくすことができる。したがって、初期の撓みが少ないので、繰り返し変位することによる凸であった撓みの撓み量の減少を抑えることができ、変位量の減少が抑えられたアクチュエーター装置310の製造方法を得ることができる。
【選択図】図4
【解決手段】上電極80の第1層81形成時におけるPZTを含む圧電体層70の温度が250℃以下なので、PZTの酸素欠陥の発生を抑えることができる。また、基板としての圧電体層70の温度が250℃以下で、Irを含む第1層81を圧電体層70上に形成すると、第1層81に圧縮応力が生じる。圧縮応力の生じた第1層81に対して、引っ張り応力を有する第2層82を形成することにより圧電体素子300全体として撓みをなくすことができる。したがって、初期の撓みが少ないので、繰り返し変位することによる凸であった撓みの撓み量の減少を抑えることができ、変位量の減少が抑えられたアクチュエーター装置310の製造方法を得ることができる。
【選択図】図4
Description
本発明は、圧電体層の変位を利用したアクチュエーター装置およびその製造方法、このアクチュエーター装置を用いた液体噴射ヘッドの製造方法および液体噴射装置の製造方法に関する。
圧電体層の変位を利用したアクチュエーター装置が知られている。例えば、圧電体層の変位により振動板を変形させるアクチュエーター装置がある。
また、圧力発生室の一部を弾性膜で構成し、この弾性膜の表面に圧電体素子を形成して、圧電体層の変位により弾性膜を含む振動板を変形させるアクチュエーター装置を備え、圧力発生室内の液体を噴射する液体噴射ヘッドおよびこの液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置が知られている。
圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等に代表される結晶を含んでいる。圧電体素子は、圧電体層を下電極と上電極とで挟んで形成される。下電極と上電極との間に電圧を印加することによって、圧電体素子を駆動し変形させる。
また、圧力発生室の一部を弾性膜で構成し、この弾性膜の表面に圧電体素子を形成して、圧電体層の変位により弾性膜を含む振動板を変形させるアクチュエーター装置を備え、圧力発生室内の液体を噴射する液体噴射ヘッドおよびこの液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置が知られている。
圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等に代表される結晶を含んでいる。圧電体素子は、圧電体層を下電極と上電極とで挟んで形成される。下電極と上電極との間に電圧を印加することによって、圧電体素子を駆動し変形させる。
圧電体素子としての圧電振動子を、圧力発生室の体積が増えるように凸に撓ましてその後凹に変形させることによって、変位量を向上させるアクチュエーター装置、液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドおよび液体噴射装置であるインクジェット式記録装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
図13は、アクチュエーター装置320の動きを示す概念図である。図中には、印加電圧が0V、−2V、23Vの場合を示している。
図13において、印加電圧が0Vの初期の状態で、アクチュエーター装置320は圧力発生室12の体積が増える方向に凸に撓んでいる。例えば、圧力発生室12に液体を充填するためにバイアス電圧−2Vを印加してさらに凸に撓まし、その後、23Vを印加して圧力発生室12の体積が減るように凹に撓まし、圧力発生室12内の液体を噴射させる。
図13は、アクチュエーター装置320の動きを示す概念図である。図中には、印加電圧が0V、−2V、23Vの場合を示している。
図13において、印加電圧が0Vの初期の状態で、アクチュエーター装置320は圧力発生室12の体積が増える方向に凸に撓んでいる。例えば、圧力発生室12に液体を充填するためにバイアス電圧−2Vを印加してさらに凸に撓まし、その後、23Vを印加して圧力発生室12の体積が減るように凹に撓まし、圧力発生室12内の液体を噴射させる。
アクチュエーター装置320がパルスの印加により繰り返し変位することによって、凸であった振動板の撓み量が減少し変位量が減少する。例えば、初期の撓み量d1が94nmであったものが、190億パルス分変位した後では、40nmに減少する。バイアス印加時の振動板の撓み量d2も、初期値96nmから同パルス印加後57nmに減少する。一方で、液体を噴射する際には振動板の撓みは凹になるがその時の最大撓み量d3は、初期値205nmからパルス印加後では203nmであり、あまり変化しない。従って、バイアス印加時の撓みと液体噴射時の撓みの絶対値の和である変移量は、パルスの印加につれて徐々に小さくなってくる傾向がある。
本願の課題の一つは、このパルス印加による変移量の変化を低減させることである。
また、パルスの印加毎に振動板の撓みが凸から凹に変わるため、圧電体素子に無理な応力が加わりクラックが発生したり、下電極と上電極との間に膜剥がれが生じたりする。
本願の課題の一つは、このパルス印加による変移量の変化を低減させることである。
また、パルスの印加毎に振動板の撓みが凸から凹に変わるため、圧電体素子に無理な応力が加わりクラックが発生したり、下電極と上電極との間に膜剥がれが生じたりする。
本発明は、上述の課題のうち少なくとも一つを解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
PZTを含む圧電体層を下電極とIrを含む上電極とで狭持した圧電体素子を備えたアクチュエーター装置の製造方法であって、前記圧電体層の温度が250℃以下の温度で、前記圧電体層上に前記上電極の第1層を形成する第1層形成工程と、前記第1層上に引っ張り応力を有する第2層を形成する第2層形成工程とを備えたことを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。
PZTを含む圧電体層を下電極とIrを含む上電極とで狭持した圧電体素子を備えたアクチュエーター装置の製造方法であって、前記圧電体層の温度が250℃以下の温度で、前記圧電体層上に前記上電極の第1層を形成する第1層形成工程と、前記第1層上に引っ張り応力を有する第2層を形成する第2層形成工程とを備えたことを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。
この適用例によれば、上電極の第1層形成時におけるPZTを含む圧電体層の温度が250℃以下なので、PZTの酸素欠陥の発生が抑えられる。また、基板としての圧電体層の温度が250℃以下で、Irを含む第1層を圧電体層上に形成すると、第1層に圧縮応力が生じる。圧縮応力の生じた第1層に対して、引っ張り応力を有する第2層を形成することにより圧電体素子全体として撓みをなくす。したがって、初期の撓みが少ないので、繰り返し変位することによる凸であった撓みの撓み量の減少が抑えられ、変位量の減少が抑えられたアクチュエーター装置の製造方法が得られる。
また、撓みが凸から凹に変わることがないため、圧電体素子に無理な応力が加わらずクラックの発生が抑えられ、下電極と上電極との間の膜剥がれが抑えられたアクチュエーター装置の製造方法が得られる。
ここで、撓みがない状態とは、初期の状態で圧電体素子が平坦な状態であり、製造工程で生じるばらつきによる撓みも含まれる状態をいう。
また、撓みが凸から凹に変わることがないため、圧電体素子に無理な応力が加わらずクラックの発生が抑えられ、下電極と上電極との間の膜剥がれが抑えられたアクチュエーター装置の製造方法が得られる。
ここで、撓みがない状態とは、初期の状態で圧電体素子が平坦な状態であり、製造工程で生じるばらつきによる撓みも含まれる状態をいう。
[適用例2]
上記アクチュエーター装置の製造方法において、前記第2層の形成温度が、350℃以上であることを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。
この適用例では、Irを含む第2層の形成温度が350℃以上であれば、引っ張り応力を有する第2層が得られ、第2層を形成することによって、圧縮応力の生じた第1層の撓みが減少する。したがって、前述の効果を有するアクチュエーター装置の製造方法が得られる。
上記アクチュエーター装置の製造方法において、前記第2層の形成温度が、350℃以上であることを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。
この適用例では、Irを含む第2層の形成温度が350℃以上であれば、引っ張り応力を有する第2層が得られ、第2層を形成することによって、圧縮応力の生じた第1層の撓みが減少する。したがって、前述の効果を有するアクチュエーター装置の製造方法が得られる。
[適用例3]
上記アクチュエーター装置の製造方法において、前記第1層の厚みは10nmで、前記第2層の厚みが40nmであることを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。
この適用例では、第2層の厚みが第1層よりも厚いので、第2層の引っ張り応力が支配的になり、Irを含んだ上電極において、第1層の厚みを10nmとし、第2層の厚みを40nmとすることで、圧電体素子全体として撓みがなくなる。したがって、上述の効果を有するアクチュエーター装置の製造方法が得られる。
上記アクチュエーター装置の製造方法において、前記第1層の厚みは10nmで、前記第2層の厚みが40nmであることを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。
この適用例では、第2層の厚みが第1層よりも厚いので、第2層の引っ張り応力が支配的になり、Irを含んだ上電極において、第1層の厚みを10nmとし、第2層の厚みを40nmとすることで、圧電体素子全体として撓みがなくなる。したがって、上述の効果を有するアクチュエーター装置の製造方法が得られる。
[適用例4]
上記に記載のアクチュエーター装置の製造方法の製造工程を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
上記に記載のアクチュエーター装置の製造方法の製造工程を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
この適用例によれば、前述の効果を有する液体噴射ヘッドの製造方法が得られる。
[適用例5]
上記に記載の液体噴射ヘッドの製造方法の製造工程を含むことを特徴とする液体噴射装置の製造方法。
上記に記載の液体噴射ヘッドの製造方法の製造工程を含むことを特徴とする液体噴射装置の製造方法。
この適用例によれば、前述の効果を有する液体噴射装置の製造方法が得られる。
[適用例6]
PZTを含む圧電体層を下電極とIrを含む上電極とで狭持した圧電体素子を備えたアクチュエーター装置であって、前記上電極は、第1層と第2層とを備え、前記圧電体素子の撓みがないことを特徴とするアクチュエーター装置。
PZTを含む圧電体層を下電極とIrを含む上電極とで狭持した圧電体素子を備えたアクチュエーター装置であって、前記上電極は、第1層と第2層とを備え、前記圧電体素子の撓みがないことを特徴とするアクチュエーター装置。
この適用例によれば、圧電体素子の初期の撓みが少ないので、繰り返し変位することによる凸であった撓みの撓み量の減少が抑えられる。したがって、変位量の減少が抑えられたアクチュエーター装置が得られる。
[適用例7]
上記アクチュエーター装置において、前記第1層の厚みは10nmで、前記第2層の厚みが40nmであることを特徴とするアクチュエーター装置。
この適用例では、第1層の厚みが10nm、第2層の厚みが40nmにおいて、前述の効果を有するアクチュエーター装置が得られる。
上記アクチュエーター装置において、前記第1層の厚みは10nmで、前記第2層の厚みが40nmであることを特徴とするアクチュエーター装置。
この適用例では、第1層の厚みが10nm、第2層の厚みが40nmにおいて、前述の効果を有するアクチュエーター装置が得られる。
以下、実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図1は、実施形態における液体噴射装置としてのインクジェット式記録装置1000の一例を示す概略図である。インクジェット式記録装置1000は、記録媒体である記録シートSに液体としてのインクを噴射して記録を行う装置である。
図1において、インクジェット式記録装置1000は、液体噴射ヘッドとしてのインクジェット式記録ヘッド1を有する記録ヘッドユニット1Aおよび1Bを備えている。記録ヘッドユニット1Aおよび1Bには、インク供給手段を構成するカートリッジ2Aおよび2Bが着脱可能に設けられている。
ここで、インクジェット式記録ヘッド1は、記録ヘッドユニット1Aおよび1Bの記録シートSと対向する側に設けられており、図1においては図示されていない。
図1は、実施形態における液体噴射装置としてのインクジェット式記録装置1000の一例を示す概略図である。インクジェット式記録装置1000は、記録媒体である記録シートSに液体としてのインクを噴射して記録を行う装置である。
図1において、インクジェット式記録装置1000は、液体噴射ヘッドとしてのインクジェット式記録ヘッド1を有する記録ヘッドユニット1Aおよび1Bを備えている。記録ヘッドユニット1Aおよび1Bには、インク供給手段を構成するカートリッジ2Aおよび2Bが着脱可能に設けられている。
ここで、インクジェット式記録ヘッド1は、記録ヘッドユニット1Aおよび1Bの記録シートSと対向する側に設けられており、図1においては図示されていない。
記録ヘッドユニット1Aおよび1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1Aおよび1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物およびカラーインク組成物を吐出するものである。
そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1Aおよび1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動する。
一方、装置本体4にはキャリッジ3に沿ってプラテン8が設けられている。このプラテン8は図示しない紙送りモーターの駆動力により回転できるようになっており、給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
一方、装置本体4にはキャリッジ3に沿ってプラテン8が設けられている。このプラテン8は図示しない紙送りモーターの駆動力により回転できるようになっており、給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
以下、図2、図3および図4を参照して、インクジェット式記録ヘッド1について詳細に説明する。
図2は、インクジェット式記録ヘッド1の概略を示す分解斜視図であり、図3(a)は、インクジェット式記録ヘッド1の部分平面図、図3(b)は、(a)におけるA−A概略断面図である。また、図4には、図3(a)におけるB−B概略部分断面図を示した。図は、わかり易くするために、一部誇張したり寸法比を変えたりして描いてある。
図2は、インクジェット式記録ヘッド1の概略を示す分解斜視図であり、図3(a)は、インクジェット式記録ヘッド1の部分平面図、図3(b)は、(a)におけるA−A概略断面図である。また、図4には、図3(a)におけるB−B概略部分断面図を示した。図は、わかり易くするために、一部誇張したり寸法比を変えたりして描いてある。
図2、図3および図4において、インクジェット式記録ヘッド1は、流路形成基板10とノズルプレート20と保護基板30とを備えている。
流路形成基板10は、例えば、面方位(110)のシリコン単結晶基板からなり、その一方面には予め熱酸化により形成した酸化シリコンからなる、厚さ0.50μm〜2.00μmの弾性膜50が形成されている。
流路形成基板10は、例えば、面方位(110)のシリコン単結晶基板からなり、その一方面には予め熱酸化により形成した酸化シリコンからなる、厚さ0.50μm〜2.00μmの弾性膜50が形成されている。
シリコン単結晶基板を、弾性膜50が形成された面に対向する面側から異方性エッチングすることにより、この流路形成基板10には、複数の隔壁11によって区画された圧力発生室12が複数並設されている。このとき、弾性膜50はエッチングストッパーとして働く。
また、圧力発生室12の並設方向(幅方向でY軸方向とする)とは直交する方向(長手方向でX軸方向とする)の一方の端部の外側には、保護基板30の後述するリザーバ部32と連通される連通部13が形成されている。また、この連通部13は、各圧力発生室12の長手方向一端部でそれぞれインク供給路14を介して連通されている。
また、圧力発生室12の並設方向(幅方向でY軸方向とする)とは直交する方向(長手方向でX軸方向とする)の一方の端部の外側には、保護基板30の後述するリザーバ部32と連通される連通部13が形成されている。また、この連通部13は、各圧力発生室12の長手方向一端部でそれぞれインク供給路14を介して連通されている。
また、流路形成基板10の弾性膜50が形成された面に対向する面側には、圧力発生室12を形成する際のマスク膜51が設けられており、このマスク膜51上には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。
一方、このような流路形成基板10とは反対側の弾性膜50の上には、厚さが例えば、約0.40μmの絶縁体膜55が形成され、この絶縁体膜55上には、厚さが例えば、約0.20μmの下電極60と、平均の厚さが例えば、約0.80μmの圧電体層70と、厚さが例えば、約0.05μmの上電極80とが積層形成されて、圧電体素子300を構成している。
なお、圧電体素子300とは、下電極60、圧電体層70および上電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電体素子300のいずれか一方の電極を共通電極とし、他方の電極および圧電体層70を圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされたいずれか一方の電極および圧電体層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。いずれの場合においても、圧力発生室12毎に圧電体能動部が形成されていることになる。
実施形態では、弾性膜50、絶縁体膜55および下電極60が振動板56として作用し、圧電体素子300の駆動により変形が生じる。
また、ここでは、圧電体素子300と圧電体素子300の駆動により変形が生じる部分を含む振動板56と振動板56とを合わせてアクチュエーター装置310と称する。
ここで、下電極60だけで振動板を構成してもよい。この場合、圧電体素子300がアクチュエーター装置となる。
また、ここでは、圧電体素子300と圧電体素子300の駆動により変形が生じる部分を含む振動板56と振動板56とを合わせてアクチュエーター装置310と称する。
ここで、下電極60だけで振動板を構成してもよい。この場合、圧電体素子300がアクチュエーター装置となる。
振動板56を構成する弾性膜50および絶縁体膜55は、酸化シリコンのほかに、例えば、酸化ジルコニウムまたは酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種の層、またはこれらの層の積層体とすることができる。
圧力発生室12の形成は、少なくとも圧電体層70を形成した後に行う。少なくとも圧電体層70を形成した後に、マスク膜51を介して流路形成基板10のエッチングを行い、圧力発生室12を形成すると、圧電体層70等の持つ応力により、圧力発生室12の体積が増える方向に凸に撓む。
振動板56は、圧電体素子300が駆動することによって振動する機能を有する。振動板56は、圧電体素子300の動作によって変形し、圧力発生室12の体積を変化させる。インクが充填された圧力発生室12の体積が小さくなれば、圧力発生室12内部の圧力が大きくなり、ノズルプレート20のノズル開口21よりインク滴が噴射される。
下電極60の材質は、導電性を有する限り特に限定されず、例えばニッケル、イリジウム、白金などの各種の金属、それらの導電性酸化物(例えば酸化イリジウムなど)、ストロンチウムとルテニウムの複合酸化物、ランタンとニッケルの複合酸化物などを用いることができる。
下電極60は、上電極80と対になり、圧電体層70を挟む一方の電極として機能する。下電極60は、例えば、複数の圧電体素子300の共通電極とすることができる。下電極60は、図示しない外部回路と電気的に接続されている。
下電極60は、上電極80と対になり、圧電体層70を挟む一方の電極として機能する。下電極60は、例えば、複数の圧電体素子300の共通電極とすることができる。下電極60は、図示しない外部回路と電気的に接続されている。
圧電体層70としては、一般式ABO3で示されるペロブスカイト型酸化物を好適に用いることができる。具体的には、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)(以下、「PZT」と略す。)からなるのが好ましいが、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti,Nb)O3)(以下、「PZTN(登録商標)」と略すことがある。)、およびチタン酸バリウム(BaTiO3)、ニオブ酸カリウムナトリウム((K,Na)NbO3)などが含まれていてもよい。
圧電体層70は、下電極60および、上電極80によって電界が印加されることで伸縮変形し、機械的な出力を行うことができる。
圧電体層70は、下電極60および、上電極80によって電界が印加されることで伸縮変形し、機械的な出力を行うことができる。
図3および図4において、上電極80は、圧電体層70の上に形成され、第1層81および第2層82を備えている。上電極80は、Ir(イリジュウム)からなっていてもよいし、Irを主に含んでいてもよい。
以下に、アクチュエーター装置310の製造方法について詳しく説明する。
図5は、アクチュエーター装置310の製造方法の一部を示すフローチャート図である。
アクチュエーター装置310の製造方法は、圧電体層形成工程であるステップ1(S1)と、上電極80形成工程としての第1層形成工程であるステップ2(S2)および第2層形成工程であるステップ3(S3)とを含む。
図5は、アクチュエーター装置310の製造方法の一部を示すフローチャート図である。
アクチュエーター装置310の製造方法は、圧電体層形成工程であるステップ1(S1)と、上電極80形成工程としての第1層形成工程であるステップ2(S2)および第2層形成工程であるステップ3(S3)とを含む。
また、図6は、アクチュエーター装置310の圧電体素子形成工程のうち、主に上電極80の製造方法を示す概略部分断面図である。ここで、この概略部分断面図は、図3(a)におけるB−B断面に相当する。
図6(a)は圧電体層形成工程(S1)を、図6(b)は第1層形成工程(S2)を、図6(c)は第2層形成工程(S3)を図示している。
図6(a)は圧電体層形成工程(S1)を、図6(b)は第1層形成工程(S2)を、図6(c)は第2層形成工程(S3)を図示している。
図6(a)において、圧電体層形成工程(S1)では、流路形成基板10上に形成された下電極60に、圧電体層70を形成する。
図3および図4において、流路形成基板10には、弾性膜50および絶縁体膜55が形成されており、下電極60は、絶縁体膜55上に形成する。実施形態では、下電極60と弾性膜50と絶縁体膜55とで振動板56を構成している。
振動板56の一部である弾性膜50および絶縁体膜55は、スパッタ法、真空蒸着、CVD法などの方法で形成することができる。
図3および図4において、流路形成基板10には、弾性膜50および絶縁体膜55が形成されており、下電極60は、絶縁体膜55上に形成する。実施形態では、下電極60と弾性膜50と絶縁体膜55とで振動板56を構成している。
振動板56の一部である弾性膜50および絶縁体膜55は、スパッタ法、真空蒸着、CVD法などの方法で形成することができる。
下電極60は、下電極形成工程によって形成する。下電極60は、弾性膜50および絶縁体膜55上の全面に、スパッタ法、真空蒸着、CVD法などの方法で導電体の層を形成した後、フォトリソグラフィー等によりパターニングして形成することができる。また、下電極60は、印刷法などのパターニングが不要な方法によって形成してもよい。
下電極60の厚みは、例えば0.10μm〜0.30μmとすることができる。また、下電極60は、前述の材料の単層でもよいし、複数の材料を積層した構造であってもよい。
下電極60の厚みは、例えば0.10μm〜0.30μmとすることができる。また、下電極60は、前述の材料の単層でもよいし、複数の材料を積層した構造であってもよい。
圧電体層70は、ゾルゲル法やCVD法などによって形成することができる。ゾルゲル法においては、原料溶液塗布、予備加熱、結晶化アニールの一連の作業を複数回繰り返して所定の膜厚にしてもよい。
例えば、圧電体層70を形成する場合は、Pb,Zr,Tiを含むゾルゲル溶液を用いて、スピンコート法、印刷法などにより形成することができる。
圧電体層70の厚みは、0.50μm〜1.50μmとすることができる。
例えば、圧電体層70を形成する場合は、Pb,Zr,Tiを含むゾルゲル溶液を用いて、スピンコート法、印刷法などにより形成することができる。
圧電体層70の厚みは、0.50μm〜1.50μmとすることができる。
図6(b)において、第1層形成工程(S2)では、圧電体層70が250℃以下の温度で、圧電体層70上にIrを含む上電極80の第1層81を形成する。250℃以下の温度とは、例えば室温であってもよい。
図7は、層が形成される基板温度の違い(形成温度)による圧電特性の様子をヒステリシス特性として表した図である。横軸が電圧で、縦軸が分極である。基板温度が250℃と350℃とを比較すると、350℃の場合、残留分極が小さくなり酸素欠陥によりPZTの結晶にダメージを与えていると考えられる。
図7は、層が形成される基板温度の違い(形成温度)による圧電特性の様子をヒステリシス特性として表した図である。横軸が電圧で、縦軸が分極である。基板温度が250℃と350℃とを比較すると、350℃の場合、残留分極が小さくなり酸素欠陥によりPZTの結晶にダメージを与えていると考えられる。
図8は、第1層81における圧電体層70を基板としての基板温度と膜応力との関係を示した図である。形成膜厚は50nmである。横軸が基板温度で、縦軸が応力を表している。ここで、負の符号が付されたものが圧縮応力を表している。
膜応力は、基板温度の増加とともに小さくなり、300℃と350℃との間で、圧縮応力から引っ張り応力に変化することがわかる。黒丸で示したデーターは、単層での応力を表している。一方、白丸は第1層81を10nmおよび第2層82を40nm形成したときの上電極80の応力を示した。
第1層形成工程(S2)では、圧電体層70を基板として、基板温度を250℃以下で第1層81を形成する。したがって、第1層81に生じる応力は圧縮応力である。
第1層81は、スパッタ法、真空蒸着等を用いて形成することができる。第1層81の厚みは、例えば10nmとすることができる。
膜応力は、基板温度の増加とともに小さくなり、300℃と350℃との間で、圧縮応力から引っ張り応力に変化することがわかる。黒丸で示したデーターは、単層での応力を表している。一方、白丸は第1層81を10nmおよび第2層82を40nm形成したときの上電極80の応力を示した。
第1層形成工程(S2)では、圧電体層70を基板として、基板温度を250℃以下で第1層81を形成する。したがって、第1層81に生じる応力は圧縮応力である。
第1層81は、スパッタ法、真空蒸着等を用いて形成することができる。第1層81の厚みは、例えば10nmとすることができる。
図6(c)において、第2層形成工程(S3)では、圧縮応力を有する第1層81上に引っ張り応力を有する第2層82を形成し、圧電体素子300の撓み量をなくす。
引っ張り応力を有する第2層82を形成するには、圧電体層70および第1層81を基板として、基板温度を350℃以上で形成する。圧電体素子300の撓み量をなくすには、基板温度と厚みとを調整して行なう。
第2層82の厚みは、例えば40nmとすることができる。
引っ張り応力を有する第2層82を形成するには、圧電体層70および第1層81を基板として、基板温度を350℃以上で形成する。圧電体素子300の撓み量をなくすには、基板温度と厚みとを調整して行なう。
第2層82の厚みは、例えば40nmとすることができる。
図9に、上電極80の応力と撓み量との関係を表す図を示した。横軸が撓み量で、縦軸が応力を表している。撓み量は、ここで、負の符号が付されたものが圧縮応力を表している。
図9において、上電極80の応力が0の場合、撓み量もほぼ0になる。上電極80の応力が0の場合に撓みがわずかに残っているのは、下電極60および圧電体層70の応力の影響による。
以上説明した圧電体素子形成工程を含む工程により、アクチュエーター装置310が得られる。
図9において、上電極80の応力が0の場合、撓み量もほぼ0になる。上電極80の応力が0の場合に撓みがわずかに残っているのは、下電極60および圧電体層70の応力の影響による。
以上説明した圧電体素子形成工程を含む工程により、アクチュエーター装置310が得られる。
図2および図3において、圧電体素子300には、上電極80に電気的に接続するリード電極90が設けられている。例えば、リード電極90は、上電極80と電気的に接続し延出して設けることができ、リード電極90は、回路素子等に接続されている。
圧電体素子300が保護膜を有する場合は、保護膜にスルーホールを形成し、上電極80とリード電極90とを接続してもよい。
圧電体素子300が保護膜を有する場合は、保護膜にスルーホールを形成し、上電極80とリード電極90とを接続してもよい。
流路形成基板10の圧電体素子300側には、圧電体素子300に対向する領域にその運動を阻害しない程度の空間を確保可能な圧電体素子保持部31を有する保護基板30が接着剤を介して接合されている。圧電体素子300は、この圧電体素子保持部31内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。
なお、圧電体素子保持部31は、空間が密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。
なお、圧電体素子保持部31は、空間が密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。
また、保護基板30には、リザーバ部32が設けられている。このリザーバ部32は、流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ100を構成している。また、保護基板30の圧電体素子保持部31とリザーバ部32との間の領域には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電体素子300から引き出されたリード電極90は、その端部近傍が貫通孔33内で露出されている。
さらに、このような保護基板30上には、封止膜41および固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板42のリザーバ100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバ100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
このようなインクジェット式記録ヘッド1では、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たす。その後、図示しない駆動ICからの駆動信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの下電極60と上電極80との間に駆動電圧を印加し、弾性膜50、絶縁体膜55、下電極60および圧電体層70を撓み変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
ウェーハー状態で圧電体層70、上電極80、リード電極90等の形成を行い、最終的にウェーハー状態から分割することによって、複数のインクジェット式記録ヘッド1、圧電体素子300、アクチュエーター装置310を得ることができる。インクジェット式記録ヘッド1を組み込むことにより、インクジェット式記録装置1000を得ることができる。
図10、図11および図12は、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合と、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合のそれぞれヒステリシス特性、撓み低下推移、変位低下率を示す図である。
図10において、横軸が電圧で、縦軸が分極である。ヒステリシス特性を比較すると、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合と、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合とでほとんど差は見られない。従って図7と異なり、この場合は、酸素欠損によりPZTの結晶にダメージを与えていないと考えられる。
図11において、横軸が印加パルス数で、縦軸が撓み量である。また、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合を黒丸で、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合を白丸で示した。
初期の撓み量からの低下が、190億パルスにおいて、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合では、37nmであるのに対し、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合は、24nmであった。
初期の撓み量からの低下が、190億パルスにおいて、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合では、37nmであるのに対し、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合は、24nmであった。
図12において、横軸が印加パルス数で、縦軸が変位低下率である。また、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合を黒丸で、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合を白丸で示した。
変位低下率においても、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合が、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合と比較して低いことがわかる。
変位低下率においても、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合が、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合と比較して低いことがわかる。
また、Irを含む上電極80の結晶性は、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合が、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合と比較して半価幅が小さく、結晶性が向上する。
さらに、Irを含む上電極80のシート抵抗値は、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合が、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合と比較して抵抗値が小さくなる。
さらに、Irを含む上電極80のシート抵抗値は、上電極80として第1層81を250℃で10nm、第2層82を350℃で40nm形成した場合が、上電極としてIrを250℃で50nm形成した場合と比較して抵抗値が小さくなる。
以上に述べた実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1)上電極80の第1層81形成時におけるPZTを含む圧電体層70の温度が250℃以下なので、PZTの酸素欠陥の発生を抑えることができる。また、基板としての圧電体層70の温度が250℃以下で、Irを含む第1層81を圧電体層70上に形成すると、第1層81に圧縮応力が生じる。圧縮応力の生じた第1層81に対して、引っ張り応力を有する第2層82を形成することにより圧電体素子300全体として撓みをなくすことができる。したがって、初期の撓みが少ないので、繰り返し変位することによる凸であった撓みの撓み量の減少を抑えることができ、変位量の減少が抑えられたアクチュエーター装置310の製造方法を得ることができる。
また、撓みが凸から凹に変わることがないため、圧電体素子300に無理な応力が加わらずクラックの発生を抑えることができ、下電極60と上電極80との間の膜剥がれが抑えられたアクチュエーター装置310の製造方法を得ることができる。
(1)上電極80の第1層81形成時におけるPZTを含む圧電体層70の温度が250℃以下なので、PZTの酸素欠陥の発生を抑えることができる。また、基板としての圧電体層70の温度が250℃以下で、Irを含む第1層81を圧電体層70上に形成すると、第1層81に圧縮応力が生じる。圧縮応力の生じた第1層81に対して、引っ張り応力を有する第2層82を形成することにより圧電体素子300全体として撓みをなくすことができる。したがって、初期の撓みが少ないので、繰り返し変位することによる凸であった撓みの撓み量の減少を抑えることができ、変位量の減少が抑えられたアクチュエーター装置310の製造方法を得ることができる。
また、撓みが凸から凹に変わることがないため、圧電体素子300に無理な応力が加わらずクラックの発生を抑えることができ、下電極60と上電極80との間の膜剥がれが抑えられたアクチュエーター装置310の製造方法を得ることができる。
(2)Irを含む第2層82の形成温度が350℃以上であれば、引っ張り応力を有する第2層82を得ることができ、第2層82を形成することによって、圧縮応力の生じた第1層81の撓みを減少できる。したがって、前述の効果を有するアクチュエーター装置310の製造方法を得ることができる。
(3)第2層82の厚みが第1層81よりも厚いので、第2層82の引っ張り応力が支配的になり、Irを含んだ上電極80において、第1層81の厚みを10nmとし、第2層82の厚みを40nmとすることで、圧電体素子300全体として撓みをなくすことができる。したがって、上述の効果を有するアクチュエーター装置310の製造方法を得ることができる。
(4)前述の効果を有するインクジェット式記録ヘッド1の製造方法およびインクジェット式記録装置1000の製造方法を得ることができる。
(5)圧電体素子300の初期の撓みが少ないので、繰り返し変位することによる凸であった撓みの撓み量の減少を抑えることができる。したがって、変位量の減少が抑えられたアクチュエーター装置310を得ることができる。
(6)第1層81の厚みが10nm、第2層82の厚みが40nmにおいて、前述の効果を有するアクチュエーター装置310を得ることができる。
上述した実施形態以外にも、種々の変更を行うことが可能である。
例えば、アクチュエーター装置310の基板としては、流路形成基板10に限らず、例えば、半導体基板、樹脂基板などを用途に応じて任意に用いることができる。
また、振動板56は、例えば、ステンレス鋼等の金属の層が積層されていてもよい。
例えば、アクチュエーター装置310の基板としては、流路形成基板10に限らず、例えば、半導体基板、樹脂基板などを用途に応じて任意に用いることができる。
また、振動板56は、例えば、ステンレス鋼等の金属の層が積層されていてもよい。
また、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッド1を挙げて説明したが、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用できる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED(電界放出ディスプレイ)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
1…液体噴射ヘッドとしてのインクジェット式記録ヘッド、60…下電極、70…圧電体層、80…上電極、81…第1層、82…第2層、300…圧電体素子、310…アクチュエーター装置、1000…液体噴射装置としてのインクジェット式記録装置。
Claims (7)
- PZTを含む圧電体層を下電極とIrを含む上電極とで狭持した圧電体素子を備えたアクチュエーター装置の製造方法であって、
前記圧電体層の温度が250℃以下の温度で、前記圧電体層上に前記上電極の第1層を形成する第1層形成工程と、
前記第1層上に引っ張り応力を有する第2層を形成する第2層形成工程とを備えた
ことを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。 - 請求項1に記載のアクチュエーター装置の製造方法において、
前記第2層の形成温度が、350℃以上である
ことを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載のアクチュエーター装置の製造方法において、
前記第1層の厚みは10nmで、前記第2層の厚みが40nmである
ことを特徴とするアクチュエーター装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のアクチュエーター装置の製造方法の製造工程を含む
ことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。 - 請求項4に記載の液体噴射ヘッドの製造方法の製造工程を含む
ことを特徴とする液体噴射装置の製造方法。 - PZTを含む圧電体層を下電極とIrを含む上電極とで狭持した圧電体素子を備えたアクチュエーター装置であって、
前記上電極は、第1層と第2層とを備え、
前記圧電体素子の撓みがない
ことを特徴とするアクチュエーター装置。 - 請求項6に記載のアクチュエーター装置において、
前記第1層の厚みは10nmで、前記第2層の厚みが40nmである
ことを特徴とするアクチュエーター装置。
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