CN103890909B - 具有机械停止件的非接触磁驱动组件 - Google Patents

具有机械停止件的非接触磁驱动组件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于采用剥离工艺的真空沉积系统的、具有机械停止件的非接触磁驱动组件，其具有特征在于多个磁体按环形定向连接到中央环和轨道环的HULA结构，随着轨道环旋转，轨道环的每一磁体与中央环的磁体叠合，及中央驱动件或驱动中央环、绕中央环驱动轨道环或同时驱动二者，中央驱动件提供使轨道环能绕中央环非接触磁驱动旋转的旋转速度，直到叠合磁体提供的磁驱动转矩和中央驱动件的旋转速度之间的差导致叠合磁体解耦为止，进而通过多个中央环齿和多个轨道环齿之间的交互接触激活机械驱动旋转。

Description

具有机械停止件的非接触磁驱动组件
技术领域
本发明涉及用于真空镀膜/沉积的真空处理系统。具体地，本发明涉及用于真空镀膜/沉积系统的驱动机构。
背景技术
电子束蒸发是一种用于集成电路剥离工艺和光学薄膜的物理气相沉积方法。电子束蒸发可用于在半导体晶片或其它衬底上沉积薄金属层。随后可对沉积的金属层进行蚀刻以产生集成电路的电路迹线。
目前已使用物理气相沉积技术开发多种系统。一些系统为线性系统，其中目标产品(衬底)固定到沿一组轨道成直线地带入真空室的托架上，沉积设备即电子枪位于其处。一旦已发生所希望的沉积，则目标产品成直线地往前移到出口或返回到入口以脱离真空沉积系统。这些系统采用机械驱动系统如传动皮带或齿轮或驱动带将包含衬底的载体移动通过气相沉积系统。
同样，开发了在衬底上实现更加高度均匀的金属层沉积物的同时提供更大的衬底生产能力的系统。为提高均匀性，制造商已开发了具有多个衬底支撑托盘的蒸发系统，前述托盘绕其轴旋转同时还绕中央驱动环外部成圆圈移动。一种这样的系统，称为高均匀性剥离组件(HULA)，特征在于中央驱动环绕其外周具有齿/齿轮。该系统还具有绕中央环外周定位的、更小的旋转衬底支架/托架。随着外环绕中央环的外周移动，外环外周上的齿与中央环上的齿啮合，导致外环也绕其中心轴旋转。在一些系统中，驱动环可具有位于毂附近的齿轮，这些齿轮与副环上的齿轮或齿连接。使用位于主环和副环上的齿、齿轮或其它特征是正驱动机构的例子。
作为上面公开的机械驱动系统的备选方案，已开发了包括使用磁驱动/传送系统的驱动系统。该磁传送系统具有旋转驱动件，其分为用作轴向的固定驱动轴和活动驱动轴的两个部分，其中固定驱动轴固定到轴心件上以在旋转方向上受限但在轴向可自由移动一定宽度。螺旋形磁耦合零件以同样的节距形成在每一驱动轴的表面上。托架可靠着旋转驱动件的表面沿其轴向自由移动，并以等于螺旋形磁耦合零件的节距的间隔具有磁耦合零件。通过使旋转驱动件旋转，托架线性移动。
旋转系统的一个例子在Shertler等2002年申请的美国专利6,454,908中公开。Shertler公开了一种真空室，其中有至少一部分旋转驱动并与齿轮系连接。齿轮系具有至少两个具有电机驱动装置的旋转传动体。旋转传动体以滚动方式产生相对运动。旋转传动体彼此磁驱动耦合，及其中至少一个位于真空室中。
发明内容
尽管现有技术电子束沉积系统在产品输出方面已有多种改善，HULA系统中的正驱动系统的一个缺点在于齿之间的物理接触导致磨损并向蒸发室内引入细粒。通常，齿轮由金属制成，细金属粒可释放到蒸发室内。如果释放，在释放时这些细金属粒将弄脏所沉积的金属层及所得的集成电路，或干扰其质量。
为避免因蒸发室中活动件之间的接触而引起的杂质问题，已开发非接触磁驱动系统。代替齿轮或齿之间的物理接触，磁驱动系统使用多对磁体之间的引力或斥力而使得外衬底支架环(即轨道环)旋转。每一副环绕其外周具有等距磁体，这些磁体对应于绕主驱动环外周定位的磁体。随着主环旋转，主和副环的边缘保持彼此接近，但它们并不接触。一个环可定位成使得其外周刚好在其与之磁相互作用的另一环的外周上面或下面通过。作为备选，两个环可定位成使得它们的外周彼此接近地相邻。随着中央或主环旋转，绕中央环外周定位的磁体使用中央和轨道环上的对应磁体之间的磁力驱动副/轨道环。作为备选，中央环可以固定不动，而轨道环使用同样的磁力绕中央环旋转以完成旋转行动。
非接触磁驱动系统的缺点在于可用于驱动该系统的转矩量有限。有限的可用转矩要求驱动系统的加速和减速曲线平缓和/或严格受控以适当运行。遗憾的是，有多种情形存在高转矩条件。高转矩条件的例子包括当需要HULA系统快速加速时或当轴承卡住导致减速时。使环加速或旋转所需要的驱动转矩可能超出磁体之间的耦合力。这导致旋转环的磁体与副环的磁体磁解耦。解耦后的旋转环之后将凭惯性运行，以不稳定的速度旋转，最可能将慢下来并不再耦合。
因此，需要一种驱动系统，其同时具有非接触磁驱动系统和正/机械驱动系统的优点，并使每一系统即正/机械驱动系统和非接触磁驱动系统的缺点最小化。本发明通过将磁驱动系统的非接触好处与机械驱动系统的更高的转矩和正驱动能力结合同时防止非接触磁驱动系统中的磁体解耦而改进沉积系统的驱动组件。
本发明的目标在于结合磁驱动系统的非接触好处和机械驱动系统的更高的转矩和正驱动能力。
本发明的另一目标在于提供具有正驱动装置的沉积驱动系统，其可在需要时临时啮合以提供更高的转矩。
本发明的另一目标在于提供导致活动件之间的接触产生更少的颗粒的沉积驱动系统。
本发明的另一目标在于提供指明何时已超出磁耦合力及感知正驱动系统的啮合的传感器系统。
本发明通过提供一种真空沉积系统实现这些及其它目标，其包括非接触磁驱动系统，具有用于采用剥离工艺、具有HULA结构的真空沉积系统的机械停止件。在本发明的一实施例中，HULA驱动组件包括中央环，其具有绕中央环、距中央环中心预定径向距离布置的多个等距中央环齿，形成中央齿间隔；及可绕轨道环中心轴旋转的轨道环，该轨道环具有绕轨道环、距轨道环中心预定径向距离布置的多个等距轨道环齿，形成轨道齿间隔，其中轨道环齿定位成与中央环的中央齿间隔重合，及中央驱动件适于驱动中央环、绕中央环的轨道环之一或同时驱动二者。
中央环包括多个等距中央环磁体，其中多个磁体中的每一个沿中央环齿的径向轴或中央齿间隔的径向轴之一、距中央环中心预定径向距离连接到中央环。轨道环包括多个等距轨道环磁体，其中多个轨道环磁体中的每一个距轨道环中心预定径向距离布置在轨道环上，其(1)在中央环的相应多个磁体中的每一磁体沿中央齿间隔的径向轴布置时沿轨道环齿的径向轴布置；或(2)在中央环的相应多个磁体中的每一磁体沿中央环齿的径向轴布置时沿轨道齿间隔的径向轴布置。
随着轨道环绕轨道环中心轴旋转，多个轨道环磁体中的每一磁体依次与多个中央环磁体中的对应磁体叠合。中央齿间隔和轨道齿间隔大于每一相应中央环齿和轨道环齿的宽度，使得轨道环齿和中央环齿的交错在相邻轨道环齿和中央环齿之间形成轨道/中央环齿间隔。中央驱动件提供使轨道环能绕中央环非接触磁驱动旋转的旋转速度，直到叠合磁体提供的磁驱动转矩和中央驱动件的旋转速度之间的差导致叠合磁体解耦为止，进而通过中央环齿和轨道环齿之间的交互接触激活机械驱动旋转。
在本发明的另一实施例中，多个中央环磁体以交替北-南极结构进行排列。
在另一实施例中，磁体桥接件直接连接中央环的两个相邻磁体以导致每一磁体的磁力桥接从而增大磁力。
在又一实施例中，多个中央环磁体中的每一磁体连接到中央齿间隔之一。作为备选，多个中央环磁体中的每一磁体连接到中央环齿之一。
在本发明的另一实施例中，多个轨道环磁体以交替北-南极结构进行排列。
在另一实施例中，磁体桥接件直接连接轨道环的两个相邻磁体以导致每一磁体的磁力桥接从而增大磁力。
在又一实施例中，多个轨道环磁体中的每一磁体在多个中央环磁体中的每一磁体连接到中央环齿之一时连接到轨道齿间隔之一。作为备选，多个轨道环磁体中的每一磁体在多个中央环磁体中的每一磁体连接到中央环间隔之一时连接到轨道环齿之一。
在本发明的另一实施例中，包括磁驱动指示器系统，适于区分何时非接触磁驱动旋转激活及何时机械驱动旋转激活。
在另外的实施例中，磁驱动指示器系统包括旋转传感器和旋转感测组件。旋转传感器沿多个中央环齿的外周布置并与其连接。旋转感测组件远离中央环布置在固定位置处。旋转感测组件适于在中央环的每一转时与旋转传感器对准。轨道环齿构造成在非接触磁驱动旋转激活时提供旋转传感器和旋转感测组件之间的信号的不中断对准及在机械驱动旋转激活时提供该信号的中断对准。
在本发明的另一实施例中，中央驱动件包括连接到中央驱动件的驱动轴的中央环起始位置传感器组件。在一实施例中，中央环起始位置传感器组件包括中央环起始位置传感器和可旋转的中央环起始位置传感器盘。中央环起始位置传感器盘适于在轨道环定位在中央环外周上的一位置处时在轨道环与真空沉积系统的装卸接近孔口对准时使起始位置传感器盘上的位置指示器与起始位置传感器对准。
在本发明的又一实施例中，中央驱动件包括驱动轴起始位置传感器组件。驱动轴起始位置传感器组件包括驱动轴传感器和连接到驱动轴的、可旋转的驱动轴传感器盘。可旋转的驱动轴传感器盘适于使驱动轴传感器盘上的位置指示器与驱动轴传感器对准。该对准与起始位置传感器盘位置指示器和中央环起始位置传感器的对准对应。
在本发明的又一实施例中，中央环具有包含多个中央环齿的预定部分的可拆卸块。该实施例是采用中央环起始位置传感器组件和/或驱动轴传感器组件的实施例的备选方案。可拆卸块使用户能使轨道环与可拆卸块对准及从中央环移走可拆卸块，这进而使能装卸轨道环。
在本发明的另一实施例中，公开了一种在使硅晶片的细粒污染和未完成成批处理最小化的同时增加剥离工艺真空沉积系统的生产能力的方法。该方法包括获得具有机械停止件的非接触磁驱动HULA组件，及将该HULA组件安装在剥离工艺真空沉积系统的真空室中。上述获得步骤包括选择具有机械停止件的非接触磁驱动HULA组件，其中多个磁体按环形定向连接到每一中央环和轨道环，随着轨道环绕轨道环中心轴旋转，多个轨道环磁体中的每一磁体依次与多个中央环磁体中的对应磁体叠合。其还包括选择包括中央驱动件的组件，其适于驱动中央环、绕中央环的轨道环之一或同时驱动二者。选择步骤还包括选择中央驱动件，其提供使轨道环绕中央环非接触磁驱动旋转的旋转速度，直到中央环和轨道环的叠合磁体提供的磁驱动转矩和中央驱动件的旋转速度之间的差导致叠合磁体解耦为止。在叠合磁体解耦时，该组件通过多个中央环齿和多个轨道环齿之间的交互接触激活机械驱动旋转。
在本发明方法的另一实施例中，选择步骤还包括选择具有中央环和轨道环的磁驱动HULA组件。中央环具有绕中央环、距中央环中心预定径向距离布置的多个等距中央环齿，形成中央齿间隔。中央环还具有多个等距中央环磁体，其中多个磁体中的每一个沿中央环齿的径向轴或中央齿间隔的径向轴之一、距中央环中心预定径向距离连接到中央环。轨道环可绕轨道环中心轴旋转并具有绕轨道环、距轨道环中心预定径向距离布置的多个等距轨道环齿，形成轨道齿间隔，其中轨道环齿定位成与中央齿间隔重合。轨道环还具有多个等距轨道环磁体，其中多个轨道环磁体中的每一个距轨道环中心预定径向距离布置在轨道环上。多个轨道环磁体的环形位置从两个备选位置进行选择。第一选择是在中央环的相应多个磁体中的每一磁体沿中央齿间隔的径向轴布置时沿轨道环齿的径向轴布置。第二选择是在中央环的相应多个磁体中的每一磁体沿中央环齿的径向轴布置时沿轨道齿间隔的径向轴布置。可以预见，随着轨道环绕轨道环中心轴旋转，多个轨道环磁体中的每一磁体依次与多个中央环磁体中的对应磁体叠合。还可以预见，中央齿间隔和轨道齿间隔大于每一相应中央环齿和轨道环齿的宽度。轨道环齿和中央环齿的交错在相邻轨道环齿和中央环齿之间形成轨道/中央环齿间隔。
在本发明的另一实施例中，该方法包括选择磁驱动HULA系统，其中多个中央环磁体按北-南极交替定向进行配置。
在另一实施例中，该方法包括选择磁驱动HULA系统，其中多个轨道环磁体按北-南极交替定向进行配置。
在另一实施例中，该方法包括选择磁驱动HULA系统，其中中央环的、轨道环的、或中央环和轨道环二者的两个相邻磁体桥接在一起以增大两个相邻磁体的磁力。
在另一实施例中，该方法包括选择具有磁驱动指示器系统的磁驱动HULA系统，磁驱动指示器系统感测中央环和轨道环之间的相互作用并适于区分何时非接触磁驱动旋转激活及何时机械驱动旋转激活。
附图说明
图1为采用按HULA定向的剥离工艺、包含具有机械停止件和开放前孔口的非接触磁驱动组件的沉积室的透视图。
图2为采用按HULA定向的剥离工艺的非接触磁驱动组件沉积系统的正视截面图，示出了中央环、多个轨道环和中央驱动件。
图3为位于沉积系统室的室腔内的中央驱动件的一部分的侧视平面图，示出了中央环、多个轨道环和衬底支架。
图4为中央环和多个轨道环的俯视平面图。
图5A为中央环的仰视图，示出了绕外周布置的多个中央环齿及位置传感器。
图5B为图5A中所示的中央环的俯视透视图。
图5C为图5A中所示的中央环的仰视透视图。
图6A为轨道环的俯视图，示出了绕外周布置的多个轨道环齿及多个磁体。
图6B为图6A中所示的轨道环的俯视透视图。
图6C为图6A中所示的轨道环的仰视透视图。
图7为HULA系统的一部分的侧平面图，示出了中央环、轨道环和传感器组件的一部分。
图8为中央环和轨道环的俯视平面图，示出了在磁驱动起作用时中央环齿、轨道环齿和位置传感器之间的关系。
图9为中央环和轨道环的俯视平面图，示出了在机械驱动起作用时中央环齿、轨道环齿和位置传感器之间的关系。
图10为中央环和轨道环的仰视平面图，示出了在机械驱动起作用时中央环齿、轨道环齿和位置传感器之间的关系。
图11A为中央环和多个轨道环的俯视平面图，示出了可拆卸的中央环块。
图11B为中央环的俯视透视图，示出了中央环块移走后的情形。
图12A为图11A中所示的中央环块的实施例的俯视平面图。
图12B为图12A中所示的中央环块的俯视透视图。
图12C为图12A中所示的中央环块的仰视透视图。
图13为用于与中央环的位置传感器光耦合的位置感测组件的俯视透视图。
图14为中央驱动件的一部分的透视图，示出了中心轴、离合器、同步齿型带和馈通。
具体实施方式
图1-14示出了本发明的优选实施例。图1示出了本发明的沉积室10的透视图。沉积室10具有由室壳20形成的室腔12，其中室壳20具有多个孔口22和24以接近和/或观看室腔12(即室壳20的内部)。相较于孔口22、24，室壳20具有相对大的带凸缘的壳开口23。非接触磁驱动组件30连接到室壳20并可旋转地位于室腔12内，其采用使用HULA定向的剥离工艺。HULA意为高均匀性剥离组件。作为HULA设计的一部分，一个或多个轨道环70位于室腔12内，其中每一轨道环70适于支撑/保持衬底支架80(未示出)。非接触磁驱动组件30的位于室腔12内的部分随后将更清楚地说明。如图所示，穿过室壳20的顶部21布置的是位置感测组件100，其在图13中更清楚地示出并将在随后描述。
图2为具有非接触磁驱动组件30的沉积室10的一实施例的正截面图。室壳20具有圆锥形侧壁28，其半径随其接近室壳20的圆顶21而增加。一个或多个孔口12和14具有用于与真空系统密封连接的凸缘。在该实施例中，磁驱动组件30包括不动的中央环60、多个轨道环70和中央驱动件40。中央驱动件40包括优选包含位置分度装置112的上驱动部分42和优选包含轨道环支撑和驱动机构130的下驱动部分46。轨道环70优选绕中央环60旋转并位于距中央环60的中心指定半径处使得轨道环70的外周70a与中央环60的外周60a重叠。中央环罩69邻近中央环60并位于其下方以使驱动环60在沉积周期期间接收沉积在一个或多个衬底上的任何材料的机会最小化。轨道环罩79邻近轨道环70并位于其下方，同样使轨道环70接收沉积在衬底上的任何材料的机会最小化。中央驱动件40连接到室壳20的顶部21。室壳20还包括连接到电子枪组件(未示出)的室底开口26。
图3示出了中央环60、轨道环70、下驱动部分46和衬底支架80的侧视平面图。该实施例示出了将衬底支架80连接到轨道环70的一种方法。中心轴35(未示出)进入室腔12(在图2中更清楚地示出)。端部134(未示出)连接到中央毂136并支撑该中央毂，其具有多个径向延伸的支柱、臂或辐条138，这些支柱、臂或辐条以超出和远离中央环外周60a的角向终止于轨道支撑毂140处。轨道支撑毂140可旋转地支撑第一轨道毂端部142上的轨道环70。在第二轨道毂端部144处，有适于固定地保持衬底支架80的衬底接收槽146，使得衬底支架80随轨道环70旋转。衬底支架80具有多个衬底支架开口102，其中每一支架开口102具有多个衬底支架夹104，适于接收并将衬底保持在开口102内以在沉积室10中进行处理。
图4示出了图3的俯视平面图，但没有衬底支架80。在该优选实施例中，中央环60不动，多个轨道环70绕中央环60旋转，如箭头200所示。中央环60具有多个绕中央环外周60a布置的中央环齿62。中央环60还具有多个中央环磁体64，每一磁体具有北和南磁极。这在图5A、5B和5C中更清楚地示出。多个轨道环70中的每一个能够绕其中心轴71旋转，中心轴垂直于轨道环70的平面延伸并通过轨道环70的轴心。每一轨道环70具有多个轨道环齿72，其中每一齿72具有磁体74。多个磁体74中的每一个具有北极和南极。在一些实施例中，轨道环70可称为轨道轮70。中央环60和轨道环70分别包含绕其相应外周60a、70a等距分布的磁体64、74。轨道环70上的磁体74之间的间隔等于或约等于中央环60上的磁体64的间隔。这些在图5A-C和6A-C中更清楚地示出。
现在参考图5A、5B和5C，其中示出了中央环60的一实施例。在该实施例中，中央环60具有中央外环66、内中央毂67和多个中央辐条68。绕外周60a布置多个中央环齿62。多个中央环齿62绕外周60a等距分布，形成多个中央齿隙63或中央齿轮缝63。在该实施例中，位置传感器90也固定地附着在中央环60的外周60a上的预定位置处。在多个中央环齿62的每一齿之间为多个中央环磁体64。每一磁体64实质上定位在相邻中央环齿62之间形成的齿隙63的中心内。多个中央环齿64中的每一个之间的中央环磁体64放在中央环60上、附着到中央环60或嵌入在中央环60中。如图5B和5C中所示，外周60a优选具有上外环部分60b和下外环部分60c。上外环部分60b接收并将多个磁体64保持在磁体凹处(未示出)内。优选地，磁体以交替的磁极取向进行定位，使得一磁体的北极与相邻磁体的南极相邻。该交替的布置提供更大的磁力用于驱动本发明的磁驱动系统。
图6A、6B和6C示出了轨道环70的一实施例。在该实施例中，轨道环70具有轨道外环76、内轨道毂77和多个轨道辐条78。绕外周70a布置多个轨道环齿72。多个轨道环齿72绕外周70a等距分布，形成多个轨道齿隙73或轨道齿轮缝73。在该实施例中，一对相邻的齿72具有轨道齿隙73，及下一对相邻的齿72具有连接横档75。轨道齿隙73与中央环60的位置传感器90对准(其与位置感测组件100相互作用)以指示是否激活和引入磁驱动或是否激活和引入机械驱动。连接横档75提供用于将磁体支承板或磁桥件76固定到轨道环70上的基座。轨道环磁体74放在多个轨道环齿72中的每一个上、附着到其上或嵌入在其中。优选地，在多个轨道齿72的每一个内为多个轨道环磁体74。每一磁体74实质上定位在每一齿72的外部的中心内。如图6B和6C中所示，外周70a优选具有内外环部分70b和外外环部分70c。内外环部分70b支撑和保持包括多个轨道齿72和磁体74的外外环部分70c。优选地，磁体以交替的磁极取向进行定位，使得一磁体的北极与相邻磁体的南极相邻。该交替的布置提供更大的磁力用于驱动本发明的磁驱动系统。
在该实施例中，每一轨道环70定位成使得轨道环齿72与多个中央环齿62的相邻齿之间的中央齿隙63交错。在该结构中，轨道环70中的磁体74的磁极定位在中央环60上的磁体64的相应磁极的下面。还应当理解，中央齿间隔63和轨道齿间隔73必须大于相应中央齿62和轨道齿72中的每一个的宽度，使得在相邻轨道环齿72和中央环齿62之间形成轨道/中央环齿间距。这是使得相邻、交错的齿62、72彼此不接触所需要的，从而使通过交错、叠合的中央环60上的磁体64和轨道环70上的磁体74产生的转矩能驱动轨道环70在轨道环中心旋转轴上旋转。换言之，旋转由非接触磁驱动机构提供。
应当理解，中央驱动件在该实施例中绕不动的中央环60驱动下驱动部分46，及中央驱动件的旋转速度实质上等于叠合的磁体提供的磁驱动转矩，从而使磁驱动转矩能驱动轨道环70的旋转。该非接触磁驱动机制持续，直到中央驱动件的旋转速度不同于叠合磁体64、74的磁驱动转矩为止。该差异可能因突然加速或减速或因粘轴承引起的摩擦力而出现。如果中央驱动件的旋转速度(其在该实施例中绕不动的中央环60驱动下驱动部分46)不同于叠合磁体64、74的磁驱动转矩，则叠合的磁体64、74解耦。当发生解耦时，机械驱动系统/机构被激活，中央环齿62和轨道环齿72机械及物理地相互作用(即彼此接触)以继续驱动轨道环70在其自己的轨道环轴上及绕不动的中央环60旋转从而防止经历沉积的衬底的损失，该损失可能在材料及失去的处理时间方面代价相当高。
现在参考图7，示出了轨道环70与中央环60在其相应外周70a、60a处的空间关系的放大图。轨道齿72相对于平面(即轨道环70的顶表面71)成一定角度。由于轨道环70通常关于沉积室的圆顶轮廓向下成一定角度，该角度允许与中央环60的中央齿62有效率的啮合。
轨道环70随着其绕不动的中央环60的外周60a移动而旋转(即在其中心轴71a上旋转)。为实现该双轴旋转，轨道环70定位成使得轨道环磁体74的磁极在中央环磁体64的磁极下面通过。如图5和6中所示，例如，磁极的这种对准在中央环60上的磁体64和轨道环70上的磁体74之间提供引力或斥力。该引力或斥力产生在轨道环70通过支撑臂138绕中央环60的外周60a移动时使轨道环70在轨道环中心轴71a上旋转的驱动力。
在一实施例中，磁驱动机构具有按交替(北-南)布置安装在每一环60、70上的磁体64、74。这种布置有助于提供另外的驱动转矩，因为相邻磁体64、74的异性磁极彼此排斥。斥力加强彼此直接相反定位的磁体64、74的主引力以驱动轨道环70旋转。这种布置还使两个相邻的磁体64或74能桥接在一起以增加其表面的磁力强度。这种结构并非必须的，但其提供另外的磁耦合力和再耦合力。
只要使环70加速或旋转所需要的驱动转矩没有不同于磁体64、74的耦合力，则该非接触磁驱动力一直驱动轨道环70。如果旋转环70的驱动转矩不同于该环的磁体耦合力，则旋转环70将磁解耦。在没有本发明的机械驱动机构的情形下，解耦后的环70将凭惯性运行，因而以不稳定的速度旋转。解耦后的环70最可能将慢下来并不重新耦合。
解耦可能由多种因素引起，如加速或减速太快、不一致或不平稳的速度控制、导致更高拽力的粘或黏轴承。
本发明提供机械驱动装置，其在配合的齿或齿轮62、72之间具有大量(非典型)间隙或间隔63、73。该间隙有时称为齿隙。齿轮间隔63、73使齿或齿轮62、72能来回移动一受控量。磁力将使环60、70居中并保持环60、70对准，使得轨道环70的齿轮齿72将在中央环60上的中央或齿轮齿62之间的间隔63内居中。如图8中所示，例如，交错导致每一交错的齿轮齿62、72的前沿62a、72a和后沿62b、72b之间分别具有间隙160。在该情形下，齿轮齿62、72之间没有机械(或物理)接触。这是磁体64、74驱动(即旋转)轨道环70期间的正常及所希望的运行模式。
在不利条件下，例如在快速加速、快速减速、不稳定旋转速度、或粘或破坏轴承期间，磁耦合力可能解耦。如图9和10中所示，中央齿62和轨道齿72彼此啮合，确保轨道环70继续以所希望的速度旋转。当不利条件终止时，磁力重新耦合并恢复对轨道环70的运动的控制，轨道环70上的轨道齿72在中央环60的中央齿62之间居中。这使系统返回到非接触磁驱动布置。
齿轮齿62、72之间的间隙量应受限以保持反向叠合的磁体64、74相对对准。该对准使磁体64、74能保持能够使交错的中央和轨道环齿62、72在解耦时重新居中的强耦合力。如果齿轮齿62、72之间的间隙160太大，磁力被足够地减小，从而磁体64、74不能使齿轮齿62、72在相应齿轮缝73、63中重新居中。
磁驱动组件的中央和轨道齿62、72主要用于安全及在非典型或非常少的场合下如轴承损坏期间进入接触。这种设计使能在正常运行期间使用非接触驱动，而在异常情形下非常短暂地转变为正或机械或接触驱动系统。该特征使工艺能在不损失系统10内处理的产品的条件下完成。
如图7和13中所示，驱动组件还可包括位置感测组件100以指示磁耦合力何时已发生解耦及中央和轨道齿62、72何时驱动轨道环70的旋转。该位置感测组件100向操作员报警以在下一方便的机会检修系统。位置感测组件100并非必须，而是一些实施例中存在的另外的特征。
如图7-10中所示，位置传感器90与位置感测组件100光学上相互作用。当磁驱动机构适当运行时，如图8中所示，位置传感器90的中心92可在轨道环齿72之间清楚地看见。位置感测组件100与位置传感器90光相互作用，指示磁驱动机构正旋转轨道环70。图9和10示出了位置传感器90的俯视图和仰视图。在这些视图中，机械驱动机构已接管轨道环70的旋转驱动。如图所示，位置传感器90的中心92现在被部分遮挡。该部分遮挡中断/干预位置感测组件100的激光。此时，报警信号呈现给操作员，表明磁体64、74已解耦及机械驱动机构已被激活。
中央驱动件40使用平缓的加速和减速曲线以保持中央环60上的磁体64和轨道环70上的磁体74之间的磁耦合。由于这些曲线，环60、70之间的机械接触通常仅在异常条件下出现。然而，中央驱动件40将虑及更高的加速和减速速度出现。在这些情形期间，中央驱动件40临时使用机械齿轮或齿62、72以实现更高的加速速度。之后，对旋转周期的剩余部分，其快速转变到非接触磁驱动模式。
如图6-10中所示，轨道环70的齿72优选具有提供平滑啮合和分离的齿形。齿72具有带圆抹角的梯形。这种梯形使机构在齿轮齿72、62将彼此接触时能平滑运行。这种齿形并非必须，而是使在非典型接触条件下能更平滑的运行。
在本发明的一实施例中，中央环60可旋转，同时可绕其轴旋转的轨道环70相对于旋转的中央环60处于固定的空间位置。在该实施例中，中央环60可在中央环60的最内部分处通过中心驱动轴如中央驱动件46的驱动轴35进行驱动。作为备选，中央环60可在中央环60的最外部分即其外周60a处进行驱动。
在本发明的一实施例中，中央环60不动，臂138绕中央环60的外周60a移动轨道环70。这种结构使轨道环70能绕工艺室10移动同时还在其自己的轴上旋转。
在另一实施例中，除了使轨道环70绕中央环60的外周60a移动之外，中央环60还可绕其中心轴旋转。换言之，中央环60和轨道环70均旋转，但速度不同，以实现所希望的涂覆效率。
参考图11A-B，中央环60的另一实施例包括具有多个齿轮齿162的可拆卸块161，以使轨道环70能用手进行旋转。当可拆卸块被移走时，如图11B中箭头210所指区域所示，中央环60没有齿轮齿64来啮合轨道环70的齿72。因此，用户可将轨道环70自由旋转到所需位置。在设定所需位置之后，用户可将可拆卸块161放回原位。该特征使用户能对轨道环70进行定向以更容易地进行装卸。
图12A-C示出了可拆卸块161的一实施例。图12A为可拆卸块161的俯视平面图，其具有块体170、弓形外块边缘172和从块边缘172延伸的多个等距分布的齿162。弓形外块边缘172的曲率(即半径)实质上类似于中央环60的外周60a的曲率。等距分布的齿162之间的间隔173同样实质上类似于中央环60的中央环齿62的间隔63。
图13示出了位置感测组件100的一实施例。位置感测组件100包括传感器组件体102，在传感器体102的相对两端为第一传感器体端102a和第二体端102b，及包括连接到第一传感器体端102a的光纤导线108。传感器尖104位于第二体端102b处。传感器组件体102由传感器体支撑件109支撑，用于穿过室壳20的顶部21进行安装。传感器尖104接近中央环60的外周60a进行定位，使得传感器尖104能够与附着到外周60a上的位置传感器90光耦合。位置感测组件100和位置传感器90的光耦合向沉积系统的操作员表明机械驱动机构是否已被激活而代替正常非接触磁驱动机构。
现在参考图14，示出了包含分度装置112的控制驱动件40的上驱动部分42。上驱动部分42包括接触摩擦片111以使中心圆柱形轴35旋转的离合器110。在摩擦片111下方为分度装置112。分度装置112包括中心轴原位组件113和中央环原位组件120。中心轴原位组件113包括中心轴起始位置传感器板114和轴起始位置传感器115。轴起始位置传感器板114随中心轴35一起旋转并包括轴原位槽口114a，其与轴起始位置传感器115相互作用以在原位槽口114a与轴起始位置传感器115对准时指示中心轴35的原位。中央环原位组件120包括防滑同步齿型带116，其将轴35连接到皮带轮118和齿轮减速器组件120。皮带轮118驱动齿轮减速器组件120，其包括中央环起始位置传感器122和中央环起始位置传感器盘124。中央环起始位置传感器盘124随皮带轮118驱动齿轮减速器组件120而旋转，且还包括传感器盘槽口124a。传感器盘槽口124a与中央环起始位置传感器122(其处于附着到齿轮减速器组件120的固定位置)相互作用，以在传感器盘槽口124a与中央环起始位置传感器122对准时指示中央环60的原位。中央环60的原位与真空沉积室10中的衬底支架装载/卸载位置有关系。中心轴35穿过馈通36伸入室10的内部。臂138连接到中心轴35以使臂138旋转，因而使轨道环70绕不动的中央环60旋转。
结合可拆卸齿轮块161或代替可拆卸齿轮块161，驱动组件的另一实施例具有中央和轨道环60、70之间的齿轮齿数比。当支撑臂138使轨道环70绕中央环60的外周60a旋转十四次时，中央和轨道环60、70的相应位置重复。在十四次旋转期间，每一轨道环70旋转四十五次。在轨道环70在组装期间适当对准之后，系统可通过使用14:1齿轮箱120返回到装卸“原”位以跟踪第十四次旋转原位。该齿轮齿数比并非本发明必须的，但其有助于装载和卸载。也可使用其它齿轮齿数比。下面的表1提供了本发明一实施例的不动环磁体和轨道旋转环磁体之间的比。下面的表2示出了基于表1的信息，中心轴35和轨道环70的旋转次数之间的关系。
表1
中央不动环上的磁体数 90
轨道环上的磁体数 28
比(磁体) 3.214
表2
表2(续)
如表2中所示，对于中心轴35的每十四次旋转，衬底支架80(也称为圆顶80或轨道托架80)完成四十五次旋转。
在该实施例的初始设置期间，衬底支架80连接到毂140上的装/卸槽146，如图3中所示。用户机械地使圆顶装/卸槽146面向室10的前面，如图2中所示。接着，用户旋转中心轴35三分之一转，并机械地将第二圆顶装/卸槽146设定在室10的前面。接着，用户再次旋转中心轴35三分之一转，并机械地将第三圆顶装/卸槽146设定在前端位置。用户可在组装期间执行这些步骤以设定“原”位。可以预见，根据中央环、轨道环和衬底支架的尺寸，非接触磁驱动组件可具有任何数量的、绕中央环60的外周60a布置的轨道环。例如，可以有六个轨道环，这将装/卸轴旋转变为每一轨道环旋转的六分之一。
在运行期间，当中心轴35旋转十四转时，衬底支架80完成四十五转，及第一圆顶装/卸槽146面向室10的前面。对于衬底支架80的每四十五转(即该特定实施例中的中央环60的十四转)，第一衬底装/卸槽146面向室10的前面。
尽管本发明的优选实施方式已在此进行描述，上面的描述仅是说明性的。相应技术领域的技术人员可对在此公开的发明进行进一步修改，所有这些修改均视为在所附权利要求限定的发明范围内。

Claims (21)

1.一种用于采用剥离工艺的真空沉积系统的非接触磁驱动组件，所述驱动组件包括：
中央环，其具有绕中央环、距中央环中心预定径向距离布置的多个等距中央环齿，形成中央齿间隔；及具有多个等距中央环磁体，其中多个磁体中的每一个沿中央环齿的径向轴或中央齿间隔的径向轴之一、距中央环中心预定径向距离连接到中央环；
可绕轨道环中心轴旋转的轨道环，所述轨道环具有绕轨道环、距轨道环中心预定径向距离布置的多个等距轨道环齿，形成轨道齿间隔，其中轨道环齿定位成与中央齿间隔重合；及具有多个等距轨道环磁体，其中多个轨道环磁体中的每一个距轨道环中心预定径向距离布置在轨道环上，其(1)在中央环的相应多个磁体中的每一磁体沿中央齿间隔的径向轴布置时沿轨道环齿的径向轴布置；或(2)在中央环的相应多个磁体中的每一磁体沿中央环齿的径向轴布置时沿轨道齿间隔的径向轴布置；其中随着轨道环绕轨道环中心轴旋转，多个轨道环磁体中的每一磁体依次与多个中央环磁体中的对应磁体叠合，中央齿间隔和轨道齿间隔大于每一相应中央环齿和轨道环齿的宽度，其中轨道环齿和中央环齿的交错在相邻轨道环齿和中央环齿之间形成轨道/中央环齿间隔；及
适于驱动中央环、绕中央环的轨道环之一或同时驱动二者的中央驱动件，所述中央驱动件提供使轨道环能绕中央环非接触磁驱动旋转的旋转速度，直到叠合磁体提供的磁驱动转矩和中央驱动件的旋转速度之间的差导致叠合磁体解耦为止，进而通过中央环齿和轨道环齿之间的交互接触激活机械驱动旋转。
2.根据权利要求1所述的驱动组件，其中多个中央环磁体以交替北-南极结构进行排列。
3.根据权利要求2所述的驱动组件，还包括磁体桥接件，其直接连接两个相邻磁体并使每一磁体的磁力彼此桥接。
4.根据权利要求1所述的驱动组件，其中多个中央环磁体中的每一磁体连接到中央齿间隔之一。
5.根据权利要求1所述的驱动组件，其中多个中央环磁体中的每一磁体连接到中央环齿之一。
6.根据权利要求1所述的驱动组件，其中多个轨道环磁体以交替北-南极结构进行排列。
7.根据权利要求6所述的驱动组件，还包括磁体桥接件，其直接连接两个相邻磁体并使每一磁体的磁力彼此桥接。
8.根据权利要求1所述的驱动组件，其中多个轨道环磁体中的每一磁体在多个中央环磁体中的每一磁体连接到中央环齿之一时连接到轨道齿间隔之一。
9.根据权利要求1所述的驱动组件，其中多个轨道环磁体中的每一磁体在多个中央环磁体中的每一磁体连接到中央环间隔之一时连接到轨道环齿之一。
10.根据权利要求1所述的驱动组件，还包括磁驱动指示器系统，适于区分何时非接触磁驱动旋转激活及何时机械驱动旋转激活。
11.根据权利要求8所述的驱动组件，其中所述磁驱动指示器系统还包括：
在中央环由中央驱动件驱动时沿多个中央环齿的外周布置并与其连接的旋转传感器；及
远离中央环布置在固定位置处的旋转感测组件，其中所述旋转感测组件适于在中央环的每一转时与旋转传感器对准，所述轨道环齿构造成在非接触磁驱动旋转激活时提供旋转传感器和旋转感测组件之间的信号的不中断对准及在机械驱动旋转激活时提供所述信号的中断对准。
12.根据权利要求1所述的驱动组件，其中中央驱动件包括连接到中央驱动件的驱动轴的中央环起始位置传感器组件。
13.根据权利要求12所述的驱动组件，其中中央环起始位置传感器组件包括中央环起始位置传感器和可旋转的中央环起始位置传感器盘，所述传感器盘适于在轨道环定位在中央环外周上的一位置处时在轨道环与真空沉积系统的装卸接近孔口对准时使起始位置传感器盘上的位置指示器与起始位置传感器对准。
14.根据权利要求13所述的驱动组件，还包括驱动轴起始位置传感器组件，其包括驱动轴传感器和连接到驱动轴的、可旋转的驱动轴传感器盘，所述驱动轴传感器盘适于使驱动轴传感器盘上的位置指示器与驱动轴传感器对准，该对准与起始位置传感器盘位置指示器和中央环起始位置传感器的对准对应。
15.根据权利要求1所述的驱动组件，其中中央环具有包含多个中央环齿的预定部分的可拆卸块。
16.一种在使硅晶片的细粒污染和未完成成批处理最小化的同时增加剥离工艺真空沉积系统的生产能力的方法，所述方法包括：
获得具有机械停止件的非接触磁驱动HULA组件，其中多个磁体按环形定向连接到每一中央环和轨道环，随着轨道环绕轨道环中心轴旋转，多个轨道环磁体中的每一磁体依次与多个中央环磁体中的对应磁体叠合，及其中HULA组件的中央驱动件适于驱动中央环、绕中央环的轨道环之一或同时驱动二者，其中中央驱动件提供使轨道环绕中央环非接触磁驱动旋转的旋转速度，直到中央环和轨道环的叠合磁体提供的磁驱动转矩和中央驱动件的旋转速度之间的差导致叠合磁体解耦为止，进而通过多个中央环齿和多个轨道环齿之间的交互接触激活机械驱动旋转；及
将所述HULA组件安装在剥离工艺真空沉积系统的真空室中。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述获得步骤还包括磁驱动HULA组件，该组件包括：
中央环，具有绕中央环、距中央环中心预定径向距离布置的多个等距中央环齿，形成中央齿间隔；还具有多个等距中央环磁体，其中多个磁体中的每一个沿中央环齿的径向轴或中央齿间隔的径向轴之一、距中央环中心预定径向距离连接到中央环；及
可绕轨道环中心轴旋转的轨道环，所述轨道环具有绕轨道环、距轨道环中心预定径向距离布置的多个等距轨道环齿，形成轨道齿间隔，其中轨道环齿定位成与中央齿间隔重合；及具有多个等距轨道环磁体，其中多个轨道环磁体中的每一个距轨道环中心预定径向距离布置在轨道环上，其(1)在中央环的相应多个磁体中的每一磁体沿中央齿间隔的径向轴布置时沿轨道环齿的径向轴布置；或(2)在中央环的相应多个磁体中的每一磁体沿中央环齿的径向轴布置时沿轨道齿间隔的径向轴布置；其中随着轨道环绕轨道环中心轴旋转，多个轨道环磁体中的每一磁体依次与多个中央环磁体中的对应磁体叠合，中央齿间隔和轨道齿间隔大于每一相应中央环齿和轨道环齿的宽度，其中轨道环齿和中央环齿的交错在相邻轨道环齿和中央环齿之间形成轨道/中央环齿间隔。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述安装步骤还包括按北-南极交替结构安排多个中央环磁体。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述安装步骤还包括按北-南极交替结构安排多个轨道环磁体。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述安装步骤还包括桥接中央环的、轨道环的、或中央环和轨道环二者的两个相邻磁体以增大两个相邻磁体的磁力。
21.根据权利要求16所述的方法，其中所述安装步骤还包括安装磁驱动指示器系统，其感测中央环和轨道环之间的相互作用并适于区分何时非接触磁驱动旋转激活及何时机械驱动旋转激活。
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CN201280050588.0A Active CN103890909B (zh) 2011-10-12 2012-10-12 具有机械停止件的非接触磁驱动组件

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SG (1) SG11201401370WA (zh)
WO (1) WO2013056005A1 (zh)

Families Citing this family (310)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20120091719A1 (en) * 2010-10-18 2012-04-19 Sivaraman Guruswamy Method and device for energy generation
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
CN105525270A (zh) * 2014-09-29 2016-04-27 株式会社爱发科 成膜装置
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6019310B1 (ja) * 2015-04-16 2016-11-02 ナルックス株式会社 蒸着装置及び蒸着装置による成膜工程を含む製造方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) * 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
KR102085715B1 (ko) * 2015-12-22 2020-03-06 주식회사 원익아이피에스 기판반전장치
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP6777055B2 (ja) * 2017-01-11 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US11509208B2 (en) 2017-12-18 2022-11-22 Sony Corporation Actuator with increased torque-to-weight ratio
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
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KR102405128B1 (ko) * 2021-01-28 2022-06-08 비앤에스(주) 파렛트의 진행방향을 전환하는 회전유닛과, 이를 구비하는 파렛트 이송시스템 및 파렛트 이송방법
KR102405125B1 (ko) * 2021-02-02 2022-06-08 비앤에스(주) 파렛트의 진행방향을 전환하는 회전유닛과, 이를 구비하는 파렛트 이송시스템 및 이송방법
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795448A (en) * 1995-12-08 1998-08-18 Sony Corporation Magnetic device for rotating a substrate
TW386253B (en) * 1997-03-07 2000-04-01 Applied Materials Inc A method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US6454908B1 (en) * 1997-12-22 2002-09-24 Unaxis Trading Ag Vacuum treatment system

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059991B2 (ja) * 1981-02-27 1985-12-27 株式会社日立製作所 真空蒸着装置用自公転治具
JPH01184277A (ja) * 1988-01-18 1989-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板回転装置
WO1994000868A1 (en) 1992-06-26 1994-01-06 Materials Research Corporation Transport system for wafer processing line
US5479058A (en) * 1994-04-19 1995-12-26 Seidou; Yoshio Geared motor
AU7313796A (en) 1995-10-17 1997-05-07 Kubiak, Richard Andre Magnetic transmission couplings
US6635154B2 (en) 2001-11-03 2003-10-21 Intevac, Inc. Method and apparatus for multi-target sputtering
JP2007252174A (ja) * 2006-02-15 2007-09-27 Venera Laboratory Co Ltd ギアドモーターおよびプラネタリーギアドダイナモ
WO2010129180A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 Ferrotec (Usa) Corporation Lift-off deposition system featuring a density optimized hula substrate holder in a conical dep0sition chamber
JP5231498B2 (ja) * 2009-10-19 2013-07-10 株式会社キトー トルク伝達装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795448A (en) * 1995-12-08 1998-08-18 Sony Corporation Magnetic device for rotating a substrate
TW386253B (en) * 1997-03-07 2000-04-01 Applied Materials Inc A method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US6454908B1 (en) * 1997-12-22 2002-09-24 Unaxis Trading Ag Vacuum treatment system

Also Published As

Publication number Publication date
JP6118806B2 (ja) 2017-04-19
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