CN103828029A - 堆积物去除方法 - Google Patents

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田原慈
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松本孝典
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东京毅力科创株式会社
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Abstract

本发明提供一种堆积物去除方法,其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法,其中,该堆积物去除方法包括以下工序:第1处理工序,将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中;氧等离子体处理工序,在第1处理工序之后,加热基板并使基板暴露在氧等离子体中;以及第2处理工序,在氧等离子体处理工序之后,将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。

Description

堆积物去除方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种堆积物去除方法。

背景技术

[0002] 以往,在半导体装置的制造领域中,对半导体晶圆等基板进行成膜处理、蚀刻处理而形成期望的图案。在这样的半导体装置的制造工序中,当实施STI (浅沟槽隔离)工艺时,会在图案的侧壁部分上堆积有硅氧化物(例如Si02、Si0Br)的堆积物。以往,这样的堆积物的去除通过使用了例如氟化氢(HF)单一气体的处理来进行。

[0003] 然而,在堆积物的组成、结合的状态与作为图案中的构造物的二氧化硅(例如栅极氧化膜)的组成、结合的状态相近的情况下,存在不能取得堆积物与作为图案中的构造物的二氧化硅之间的选择比这样的问题。此外,有时存在以下情况:由堆积物与氟化氢之间的反应(Si02+4HF — SiF4+2H20)生成的副产物的水会加速反应而引起连锁反应,这样不仅会去除堆积物,而且还会去除作为图案中的构造物的二氧化硅。另外,若蚀刻处理后的放置时间(q - time)变长,则因堆积物的吸湿状态而会产生水分的影响,因此有时会使选择比变得更差。

[0004] 作为去除被形成于硅基板表面的自然氧化膜的技术,公知有使用氟化氢蒸气和H2O或乙醇蒸气的技术(例如,参照专利文献I。)。但是,该技术是用于去除自然氧化膜的技术,并不是用于去除在图案的侧壁部分上堆积的堆积物的技术。

[0005] 另外,公开有如下一种技术:在将形成于多晶硅膜的表面的自然氧化膜通过在真空区域暴露在氟化氢气体中而去除该自然氧化膜之后,在具有高蚀刻选择性的蚀刻条件下对多晶硅膜进行连续地蚀刻(例如,参照专利文献2。)。另外,在专利文献2中,记载有如下问题,即,在使用含有碳的蚀刻气体来对氧化膜进行蚀刻了的情况下,含有碳系物质的蚀刻副产物会附着于多晶硅膜的表面,但既没有公开也没有启示任何解决该问题的方法。

[0006] 专利文献1:日本特开平7 - 263416号公报

[0007] 专利文献2:日本特开平5 - 304122号公报

[0008] 如上所述,以往,在将堆积在图案上的堆积物去除时,存在堆积物与作为图案中的构造物的二氧化硅之间的选择比较低而使作为图案中的构造物的二氧化硅受到损伤这样的问题。并且,存在如下问题:若蚀刻处理后的放置时间(q - time)变长,则因堆积物的吸湿状态而产生水分的影响,因此有时会使选择比变得更差。

[0009] 另外,本发明者等经过详细研究,发现会产生如下问题:在对硅、硅的前后的膜种进行蚀刻时,若将含有碳的气体用作蚀刻气体,则有时堆积物会含有有机物,在该情况下,在采用去除硅氧化物(例如Si02、SiOBr)的堆积物的方法时,不能完全去除堆积物。

发明内容

[0010] 本发明是考虑到上述以往情况而做出的,其欲提供一种即使在堆积物含有有机物的情况下、也能够高效地去除堆积物的堆积物的去除方法。[0011] 本发明的堆积物去除方法的一技术方案是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法,其特征在于,该堆积物去除方法包括以下工序:第I处理工序,将上述基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中;氧等离子体处理工序,在上述第I处理工序之后,加热上述基板并使上述基板暴露在氧等离子体中;以及第2处理工序,在上述氧等离子体处理工序之后,将上述基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。

[0012] 采用本发明,能够提供一种即使在堆积物含有有机物的情况下、也能够高效地去除堆积物的堆积物的去除方法。

附图说明

[0013] 图1是表示在本发明的一实施方式中使用的等离子体处理装置的剖面概略结构的图。

[0014] 图2是表示在本发明的一实施方式中使用的气体处理装置的剖面概略结构的图。

[0015] 图3是表示本发明的一实施方式的工序的流程图。

[0016] 图4是将本发明的一实施方式的半导体晶圆的剖面概略结构放大表示的图。

[0017] 图5是表示本发明的一实施方式中的压力的变化的状态的图表。

[0018] 图6是表示实施例的半导体晶圆的状态的电子显微镜照片。

[0019] 图7是表示比较例的半导体晶圆的状态的电子显微镜照片。

[0020] 图8是表示能够去除堆积物的压力、甲醇气体流量、温度这三者之间的关系的图表。

具体实施方式

[0021] 以下,参照附图以实施方式来详细说明本发明。

[0022] 图1是示意性表示在本发明的一实施方式的堆积物去除方法的氧等离子体处理工序中使用的等离子体处理装置100的结构例的纵剖视图。如该图所示,该等离子体处理装置100具备能够将内部气密地闭塞的处理室101。在该处理室101内设有用于载置半导体晶圆(基板)w的载置台102。载置台102具有未图示的温度控制机构,而能够将载置在载置台102之上的半导体晶圆W的温度维持在规定温度。

[0023] 处理室101由例如石英等构成,在处理室101的顶部形成有石英制的窗103。并且,在该窗103的外侧设有与未图示的高频电源相连接的RF线圈104。在窗103的一部分上设有用于将含有氧气的规定的处理气体(例如O2气体的单一气体)导入到处理室101内的气体导入部105。于是,在供给到RF线圈104的高频电力的作用下,产生自气体导入部105导入后的处理气体的等离子体P。

[0024] 在窗103的下方设有用于进行等离子体的遮蔽和气体的分散的气体扩散板106,等离子体中的自由基经由该气体扩散板106以分散的状态被供给至载置台102上的半导体晶圆W。此外,在使等离子体作用于基板的情况下,既可以使基板和等离子体直接接触,也可以如本实施方式那样,基于远程等离子体进行处理、即,不使基板和等离子体直接接触,而是使从在与基板分开的部位产生的等离子体中引出的自由基作用于基板。

[0025] 另外,在处理室101的底部设有排气管107。该排气管107与未图示的真空泵等相连接,而能够对处理室101内进行排气而使处理室101内达到规定的压力。[0026] 图2是示意性表示在本发明的一实施方式的堆积物去除方法中的、将半导体晶圆(基板)W暴露在含有氟化氢(HF)气体的气氛中的工序(第I处理工序和第2处理工序)中使用的气体处理装置200的结构例的纵剖视图。如该图所示,该气体处理装置200具备能够将内部气密地闭塞的处理室201。在该处理室201内设有用于载置半导体晶圆(基板)W的载置台202。载置台202具有未图示的温度控制机构,而能够将载置在载置台202之上的半导体晶圆W的温度维持在规定温度。

[0027] 在处理室201的上部设有用于向处理室201内导入规定的处理气体(在本实施方式中为氟化氢气体和甲醇气体的混合气体)的气体导入部203。另外,在气体导入部203向处理室201内开口的开口部204的下方设有形成有多个透孔205的气体扩散板206,处理气体自该气体扩散板206的透孔205以均匀地分散的状态被供给至半导体晶圆W的表面。

[0028] 另外,在处理室201的底部设有排气管207。该排气管207与未图示的真空泵等相连接,而能够对处理室201内进行排气而使处理室201内达到规定的压力。

[0029] 在本实施方式中,使用上述结构的等离子体处理装置100和气体处理装置200来如下那样进行堆积物去除处理。

[0030] 如图3的流程图所示,在前道工序中进行蚀刻处理(步骤301),从而在形成有规定的图案的半导体晶圆的图案的侧壁部分上会堆积有随着蚀刻处理而产生的堆积物(所谓的沉积物)。例如,在实施STI (浅沟槽隔离)工艺后,在图案的侧壁部分上会堆积有硅氧化物(例如Si02、SiOBr)的堆积物。因此,要通过本实施方式中的堆积物去除处理来去除在图案的侧壁部分上堆积的堆积物。图4是将进行了这样的蚀刻处理的半导体晶圆的截面结构的一个例子放大表示的图。如图4所示,在硅基板3之上形成有由栅极氧化膜2和浮动多晶硅膜I等构成的、图案形成为规定形状的多个图案,在上述图案侧方形成有沟槽(STI)4。并且,在图案的侧壁部和沟槽(STI) 4内附着有堆积物6。

[0031] 上述蚀刻处理(步骤301)例如使用如下所示那样的蚀刻气体来实施。

[0032]蚀刻气体:HBr/NF3/C0/02

[0033]蚀刻气体:HBr/CF4/C0/02

[0034] 如上所述,在将含有碳的蚀刻气体用作蚀刻气体的情况下,有时堆积物会含有有机物。并且,在堆积物如上述那样含有有机物的情况下,在利用氟化氢气体或者氟化氢气体和醇类气体的混合气体的堆积物去除处理中,大多存在以下情况,即,不能够充分去除堆积物而成为在图案的侧壁部上残留有堆积物的状态。因此,在本实施方式中,如图3的流程图所示,在进行将半导体晶圆(W)暴露在含有氟化氢气体的气氛中的第I处理(步骤303)之后,进行氧等离子体处理(步骤304),之后,进行将半导体晶圆(W)暴露在含有氟化氢气体的气氛中的第2处理(步骤305)。

[0035] 另外,在本实施方式中,在蚀刻处理之后,在进行上述第I处理(步骤303)之前,进行基于氧等离子体的预处理(步骤302)。基于该氧等离子体的预处理能够利用图1所示的等离子体处理装置100等来实施。

[0036] 基于该氧等离子体的预处理是为了不管蚀刻处理后的放置时间(q - time)的长短如何都能够使图案和堆积物的吸湿状态为恒定(脱水)而进行的。由此,在之后进行的处理工序中,能够通过排除因吸湿状态的差异而产生的影响来去除作为在图案的侧壁上堆积的堆积物的硅氧化物(例如Si02、SiOBr),且能够抑制反应过量而使作为图案构造物的栅极氧化膜等SiO2层受到损伤等情况。然而,在蚀刻处理后的放置时间(q — time)较短的情况下,也可以省略基于该氧等离子体的预处理。

[0037] 在等离子体处理装置100中的基于氧等离子体的预处理例如通过如下方式来实施。即,在基于氧等离子体的预处理中,半导体晶圆W被载置在预先设定为规定温度的载置台102之上,并被未图示的静电吸盘等吸附,从而半导体晶圆W成为被加热至规定温度的状态。在该状态下,自气体导入部105导入含有氧气的规定的处理气体,并自排气管107进行排气,使处理室101内为规定压力的处理气体气氛。然后,通过对RF线圈104施加高频电力,从而产生氧气的电感耦合等离子体。该等离子体中的离子被气体扩散板106遮蔽,从而使不具有电荷的氧自由基以分散的状态供给至载置台102上的半导体晶圆W,而进行基于氧自由基的作用的处理。

[0038] 在基于该氧等离子体的预处理中,作为处理气体而使用含有氧的气体、例如氧气的单一气体或者氧气和氮气的混合气体等,半导体晶圆W的加热温度(载置台温度)设定为例如200°C〜300°C左右。另外,压力为例如66.5Pa (0.5Torr)〜266Pa (2Torr)左右。

[0039] 在上述的基于氧等离子体的预处理之后,实施堆积物去除处理中的第I处理(步骤303)。该第I处理是通过将半导体晶圆(基板)W暴露在含有氟化氢气体的气氛(在本实施方式中为氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛)中而进行的,能够利用图2所示的气体处理装置200等来实施该第I处理。

[0040] 气体处理装置200的第I处理例如通过如下方式实施。即,通过将半导体晶圆W载置在预先设定为规定温度的载置台202之上而使半导体晶圆W成为被维持在规定温度的状态。在该状态下,自气体导入部203导入规定的处理气体(在本实施方式中为氟化氢气体+甲醇气体)并自排气管207进行排气,使处理室201内成为规定压力的处理气体气氛。

[0041] 在本实施方式中,如图3的流程图所示,在第I处理(步骤303)中,以多次循环反复(步骤313)使醇类气体(甲醇气体)的分压为第I分压的第I期间(步骤311)和对处理室内进行排气而使醇类气体(甲醇气体)的分压为比第I分压低的第2分压的第2期间(步骤312)。作为如此使醇类气体(甲醇气体)的分压变动的方法,能够使用例如以下那样的方法。

[0042] S卩,使气体的供给变化的方法、例如在第I期间内供给规定流量的混合气体并在第2期间内停止供给混合气体而供给规定流量的氮气等的方法,以及在第I期间内一边供给规定流量的混合气体的一边利用自动压力控制装置(APC)将处理室内维持在规定压力并在第2期间内使自动压力控制装置(APC)的设定压力较低或使自动压力控制装置(APC)全开并利用真空泵进行抽真空而使压力降低的方法等。在本实施方式中,如图5的图表所示,使用后者的方法设定第I期间和第2期间。

[0043] 此时,半导体晶圆W的温度优选为例如数十度(例如30°C)以下的低温。另外,第I期间内的压力优选为例如665Pa (5Torr)〜1330Pa (IOTorr)左右,作为处理气体,使用氟化氢气体+醇类气体(在本实施方式中为甲醇(CH3OH气体))的混合气体。

[0044] 在这样的循环处理中,在第I期间内,将醇类气体(甲醇气体)的分压设定为能够在混合气体的作用下去除堆积物的压力。另外,第2期间是如下期间:使醇类气体(甲醇气体)的分压降低,不去除堆积物而是对在第I期间内由堆积物与混合气体之间的反应而生成的物质(H2O等)进行排气而将其排出至处理室201之外。这样的第I期间和第2期间分别为5秒〜20秒左右,并多次反复进行该循环。[0045] 然后,在通过按规定次数反复进行上述循环处理而实施第I处理(步骤303)之后,进行氧等离子体处理(步骤304)。该氧等离子体处理(步骤304)能够利用图1所示的等离子体处理装置100等来实施。

[0046] 在等离子体处理装置100中进行的氧等离子体处理例如通过如以下方式实施。即,半导体晶圆W被载置在预先设定为规定温度的载置台102之上,并被未图示的静电吸盘等吸附,从而使半导体晶圆W成为被加热至规定温度的状态。在该状态下,自气体导入部105导入含有氧气的规定的处理气体,并自排气管107进行排气,使处理室101内为规定压力的处理气体气氛。然后,通过对RF线圈104施加高频电力,从而产生氧气的电感耦合等离子体。该等离子体中的离子被气体扩散板106遮蔽,从而使不具有电荷的氧自由基以分散的状态供给至载置台102上的半导体晶圆W,而进行基于氧自由基的作用的处理。由此,能够去除含有有机物的堆积物。

[0047] 在该氧等离子体处理中,作为处理气体而使用含有氧的气体、例如氧气的单一气体或者氧气和氮气的混合气体等,半导体晶圆W的加热温度(载置台温度)设定为例如200°C〜300°C左右。另外,压力为例如 66.5Pa (0.5Torr)〜266Pa (2Torr)左右。

[0048] 如图3的流程图所示,在进行了上述氧等离子体处理(步骤304)之后,实施第2处理(步骤305)。该第2处理(步骤305)是通过将半导体晶圆(基板)W暴露在含有氟化氢气体的气氛(在本实施方式中为氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛)中而进行的,能够利用图2所示的气体处理装置200等来实施该第2处理。

[0049] 气体处理装置200的第2处理例如通过如下方式实施。即,通过将半导体晶圆W载置在预先设定为规定温度的载置台202之上而使半导体晶圆W成为被维持在规定温度的状态。在该状态下,自气体导入部203导入规定的处理气体(在本实施方式中为氟化氢气体+甲醇气体)并自排气管207进行排气,使处理室201内成为规定压力的处理气体气氛。

[0050] 在本实施方式中,如图3的流程图所示,在第2处理(步骤305)中,以多次循环反复(步骤323)进行使醇类气体(甲醇气体)的分压为第I分压的第I期间(步骤321)和对处理室内进行排气而使醇类气体(甲醇气体)的分压为比第I分压低的第2分压的第2期间(步骤322)。作为如此使甲醇气体的分压变动的方法,能够使用与上述第I处理(步骤303)同样的方法。

[0051] 在该第2处理(步骤305)中,半导体晶圆W的温度优选为例如数十度(例如30°C)以下的低温。另外,第I期间内的压力优选为例如665Pa (5Torr)〜1330Pa (IOTorr)左右,作为处理气体,使用氟化氢气体+醇类气体(在本实施方式中为甲醇气体(CH3OH气体))的混合气体。

[0052] 在这样的循环处理中,在第I期间内,将甲醇气体的分压设定为能够在混合气体的作用下去除堆积物的压力。另外,第2期间是如下期间:使甲醇气体的分压降低,不去除堆积物而是对在第I期间内由堆积物与混合气体之间的反应而生成的物质(H2O等)进行排气而将其排出至处理室201之外。这样的第I期间和第2期间分别为5秒〜20秒左右,并多次反复进行该循环。

[0053] 然后,在第2处理(步骤305)中的循环处理(步骤321〜步骤323)达到规定次数时,堆积物去除处理结束。

[0054] 如上所述,在本实施方式中,在进行了第I处理(步骤303)之后进行氧等离子体处理(步骤304 ),之后,进行第2处理(步骤305 ),由此,S卩使在堆积物中含有有机物的情况下,也能够去除该堆积物。

[0055] 另外,在本实施方式中,通过基于氧等离子体的预处理,能够使图案和堆积物的吸湿状态不管蚀刻处理后的放置时间(q - time)的长短如何均为恒定。此处,当进行基于氧等离子体的预处理时,难以在基于氟化氢(HF)单一气体的处理中去除堆积物。因此,在本实施方式的第I处理和第2处理中,使用氟化氢气体+醇类气体(本实施方式中甲醇气体)的混合气体。在该情况下,有时通过反应而产生的H2O量过量,从而使作为图案构造物的栅极氧化膜等受到损伤、或因逆反应而产生堆积(再沉积)。因此,在第I处理和第2处理中,通过循环处理而反复进行去除堆积物的第I期间和不去除堆积物而对反应生成物进行排气的第2期间,由此防止H2O量过量。

[0056] 由此,能够去除在图案的侧壁上堆积的堆积物(硅氧化物(例如Si02、SiOBr)和有机物),且能够抑制由于H2O的催化剂作用而进行过量反应,能够抑制作为图案构造物的栅极氧化膜等SiO2层受到损伤的情况。

[0057] 作为实施例,在对利用蚀刻形成有图案的半导体晶圆实施基于氧等离子体的预处理之后,去除了堆积物。基于氧等离子体的预处理是以如下的处理条件进行的。

[0058]压力:133Pa (ITorr)

[0059] 高频电力:1000W

[0060]处理气体:02=2000sccm

[0061] 载置台温度:250°C

[0062]时间:I2O 秒

[0063] 接下来,以如下的处理条件进行了第I处理。

[0064]压力:(931Pa (7Torr) 10 秒 ol73Pa ( 1.3 Torr) 10 秒)><3 次循

[0065]处理气体:HF/CH30H=2800sccm/65sccm

[0066] 载置台温度:10°C

[0067] 此外,在设定上述循环处理中的压力时,如上所述,在第I期间内,维持了 10秒APC的设定压力为931Pa (7Torr)的时间,在第2期间内,维持了 10秒在处理气体流动的状态下使APC为全开的状态,实际的处理室201内的压力如图5的图表所示。即,即使自APC为全开的状态起使APC的设定压力为931Pa (7Torr),实际的压力达到931Pa (7Torr)也要花费4秒〜5秒左右的时间。另外,若将APC的设定压力自93IPa (7Torr)起到APC全开,则在较短时间内使压力在173Pa (1.3Torr)左右处达到恒定。

[0068] 此处,在上述载置台温度和处理气体的流量的条件中,甲醇气体的成为能够去除堆积物(沉积物剥离)的分压的压力是665Pa (5Torr)左右。因而,该情况下的循环处理中的1/2的循环的时间优选为5秒〜20秒左右。此外,第I期间和第2期间未必要相同,也可以不同。

[0069] 接下来,以如下的处理条件进行了氧等离子体处理。

[0070]压力:133Pa (ITorr)

[0071] 高频电力:1000W[0072]处理气体:02=2000sccm

[0073] 载置台温度:250°C

[0074] 时间:30秒

[0075] 接下来,以如下的处理条件进行了第2处理。

[0076]压力:(931Pa (7Torr) 10 秒 O 173Pa (〗.3Torr) IO秒)χ3 循环

[0077]处理气体:HF/CH30H=2800sccm/65sccm

[0078] 载置台温度:10°C

[0079] 利用电子显微镜(SEM)放大并观察了实施了以上的堆积物去除处理后的半导体晶圆,结果发现,在图案的侧壁部上堆积的堆积物被去除,且作为图案构造物的栅极氧化膜等SiO2层没有受到损伤。将该实施例的半导体晶圆的由电子显微镜(SEM)拍摄的照片表示在图6中。

[0080] 另一方面,作为比较例,没有进行实施例中的氧等离子体处理(步骤304)和第2处理(步骤305),而是循环6次进行了第I处理(步骤303)中的循环处理,结果发现,在图案的侧壁部上残存有堆积物,没有能够完全去除堆积物。将该比较例的半导体晶圆的由电子显微镜(SBO拍摄的照片表示在图7中。在图7的照片中,在图案的侧壁上残存的堆积物显示出白色。此外,在上述比较例中,即使循环12次进行了循环处理,在图案的侧壁部上还是残存有堆积物,没有能够完全去除堆积物。

`[0081] 接下来,说明对作为能够去除堆积物的处理条件进行研究后的结果。首先,研究了处理气体中的甲醇气体添加量与堆积物的剥离力之间的关系,结果发现,相对于在没有添加甲醇气体的情况下没有能够去除堆积物的试样,在添加了 IOOsccm的甲醇气体的情况下,能够去除堆积物。另外,确认了以下情况:当将甲醇气体的添加量增加到200sCCm时,会使堆积物的剥离力增大。但是,由于在该实验中没有进行循环处理而是连续地进行了气体处理,因此,作为图案的构造物的栅极氧化膜被去除而产生了损伤。

[0082] 另外,为了研究处理气体的压力与堆积物的剥离力之间的关系,在将压力分别设为 665Pa (5Torr)、1330Pa (lOTorr)、1995Pa (15Torr)的情况下去除了试样的堆积物。其结果,能够确认到:通过使处理气体的压力高压化而使堆积物的剥离力增大。但是,由于该实验在没有进行循环处理的情况下连续地进行了气体处理,因此,作为图案的构造物的栅极氧化膜被去除而产生了损伤。

[0083] 并且,为了研究温度与堆积物的剥离力之间的关系,在将温度分别设为10°C、30°C、50°C的情况下去除了试样的堆积物。其结果,能够确认到通过低温化而使堆积物的剥离力增大。但是,由于该实验在没有进行循环处理的情况下连续地进行了气体处理,因此,作为图案的构造物的栅极氧化膜被去除而产生了损伤。

[0084] 根据上述结果,如纵轴为压力且横轴为甲醇气体流量的图8的图表所示,针对各处理温度,能够求出将进行堆积物的去除处理的区域和不进行堆积物的去除处理的区域进行划分的分界线。并且,若以跨越该分界线的方式改变处理条件(压力或甲醇气体流量或上述两者),则能够设定第I期间和2期间,在该I期间中,甲醇气体的分压成为能够进行循环处理中的堆积物的去除处理的压力,在该2期间中,甲醇气体的分压成为不进行堆积物的去除处理的压力。

[0085] 以上,说明了本发明的实施方式和实施例,但不言而喻,本发明并不限定于上述实施方式和实施例,而能够进行各种变形。例如,在上述实施方式和实施例中,说明了进行基于氧等离子体的预处理的情况,但能够省略基于该氧等离子体的预处理。另外,在省略了基于氧等离子体的预处理的情况下,能够将不含有乙醇的氟化氢气体的单一气体用作在第I处理工序和第2处理工序中使用的气体,在该情况下,能够不进行循环处理而进行使压力为恒定的处理。并且,在上述实施方式和实施例中,说明了使用甲醇气体作为醇类气体的情况,但也可以使用其他醇类气体、例如乙醇气体、异丙醇气体等。

[0086] 产业h的可利用件

[0087] 本发明的堆积物去除方法能够应用在半导体装置的制造领域等中。因而,具有产业上的可利用性。

[0088] 附图标记说明

[0089] W、半导体晶圆;100、等离子体处理装置;101、处理室;102、载置台;103、窗;104、RF线圈;105、气体导入部;106、气体扩散板;107、排气管;200、气体处理装置;201、处理室;202、载置台;203、气体导入部;204、开口部;205、透孔;206、气体扩散板;207、排气管。

Claims (8)

1.一种堆积物去除方法,其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法,其特征在于, 该堆积物去除方法包括以下工序: 第I处理工序,将上述基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中; 氧等离子体处理工序,在上述第I处理工序之后,加热上述基板并使上述基板暴露在氧等离子体中;以及 第2处理工序,在上述氧等离子体处理工序之后,将上述基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。
2.根据权利要求1所述的堆积物去除方法,其特征在于, 上述堆积物含有硅氧化物和有机物。
3.根据权利要求2所述的堆积物去除方法,其特征在于, 上述堆积物中的有机物是由于在形成上述图案时的蚀刻处理中使用含有碳的气体而形成的。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的堆积物去除方法,其特征在于, 在上述第I处理工序和上述第2处理工序中的含有氟化氢气体的气氛是氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛。
5.根据权利要求4所述的堆积物去除方法,其特征在于, 上述第I处理工序和上述第2处理工序中的至少一个处理工序在处理室内实施,通过多循环反复第I期间和第2期间的循环处理来进行,在该第I期间内,使上述醇类气体的分压为第I分压,在该第2期间内,对处理室内进行排气而使上述醇类气体的分压为比第I分压低的第2分压。
6.根据权利要求5所述的堆积物去除方法,其特征在于, 上述第I分压是能够在上述混合气体的作用下去除上述堆积物的分压。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的堆积物去除方法,其特征在于, 在上述第I处理工序之前,进行基于氧等离子体的预处理工序,在该预处理工序中,力口热上述基板并将上述基板暴露在氧等离子体中。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的堆积物去除方法,其特征在于, 上述图案含有作为构造物的二氧化硅。
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