CN103733355A - 用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备 - Google Patents

用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备 Download PDF

Info

Publication number
CN103733355A
CN103733355A CN201280031610.7A CN201280031610A CN103733355A CN 103733355 A CN103733355 A CN 103733355A CN 201280031610 A CN201280031610 A CN 201280031610A CN 103733355 A CN103733355 A CN 103733355A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
photodetector
electrode
ito
photoactivate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280031610.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103733355B (zh
Inventor
弗兰基·索
金渡泳
李在雄
布哈本德拉·K·普拉丹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Florida Research Foundation Inc
Nanoholdings LLC
Original Assignee
University of Florida Research Foundation Inc
Nanoholdings LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Florida Research Foundation Inc, Nanoholdings LLC filed Critical University of Florida Research Foundation Inc
Publication of CN103733355A publication Critical patent/CN103733355A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103733355B publication Critical patent/CN103733355B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022491—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of a thin transparent metal layer, e.g. gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/141—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the semiconductor device sensitive to radiation being without a potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/143—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the semiconductor device sensitive to radiation being without a potential-jump barrier or surface barrier the light source being a semiconductor device with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. light emitting diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/1808—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/33—Transforming infrared radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
    • H10K85/215—Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L2031/0344—Organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

描述了光检测器、其制造方法和使用其检测辐射的方法。光检测器可以包括第一电极、光敏化层、电子阻挡／隧穿层和第二电极。还描述了红外-可见光上转换器件、其制造方法和使用其检测辐射的方法。红外-可见光上转换器件可以包括光检测器和与所述光检测器连结的OLED。

Description

用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年6月30日提交的美国临时专利申请系列第61／503,317号的权益，其全部内容(包括任何图、表或附图)通过引用并入本文中。
背景技术
红外(IR)光对人眼是不可见的，但是红外光检测器可以检测IR光。IR光检测器具有广泛的潜在应用，包括夜视、测距、安全、以及半导体晶片检查。IR可以指具有波长比可见光更长(>0.7μm)至约14μm的辐射。
发明内容
本发明的实施方案涉及能够产生增益的光检测器(即带有增益的光检测器)。光检测器可以是例如红外(IR)光检测器。也就是说，光检测器可以对在红外区域中的至少一部分光敏感。本发明的实施方案还涉及红外-可见光上转换器件。红外-可见光上转换器件可以包括光检测器和有机发光器件(OLED)。
在一个实施方案中，带有增益的光检测器可以包括第一电极、在所述第一电极上的光敏层、在所述光敏层上的电子阻挡／隧穿层和在所述电子阻挡／隧穿层上的第二电极。
在另一个实施方案中，制造带有增益的光检测器的方法可包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成光敏层；在所述光敏层上形成电子阻挡／隧穿层以及在所述电子阻挡／隧穿层上形成第二电极。
在另一个实施方案中，红外-可见光上转换器件可以包括带有增益的光检测器和与带有增益的光检测器连结的OLED。带有增益的光检测器可以包括第一电极、在第一电极上的光敏层、在光敏层上的电子阻挡／隧穿层以及在电子阻挡／隧穿层上的第二电极。
在另一个实施方案中，形成红外-可见光上转换器件的方法可以包括：形成带有增益的光检测器；形成OLED和使OLED与带有增益的光检测器连结。形成带有增益的光检测器可以包括：形成第一电极；在第一电极上形成光敏化层；在光敏层上形成电子阻挡／隧穿层以及在电子阻挡／隧穿层上形成第二电极。
附图说明
图1A示出了根据本发明的一个实施方案可以用作IR敏化层的PbS纳米晶体的吸收光谱。
图1B示出了根据本发明的一个实施方案的光检测器的示意性透视图。
图2A示出了根据本发明的一个实施方案，黑暗中在施加电压下光检测器的示意性能带图。
图2B示出了根据本发明的一个实施方案，在黑暗中在施加电压和IR辐射下光检测器的示意性能带图。
图3A示出了根据本发明的一个实施方案的光检测器的示意性能带图。
图3B示出了在黑暗和光(1240nm红外照度)条件下，本发明根据的一个实施方案的光检测器的电流相对于电压特性。
图4A示出了增益作为对根据本发明的一个实施方案的光检测器施加的电压的函数的曲线图。
图4B示出了检测能力作为对根据本发明的一个实施方案的光检测器施加的电压的函数的曲线图。
图5A示出了根据本发明的一个实施方案的红外-可见光上转换器件的示意性能带图。
图5B示出了根据本发明的一个实施方案的红外-可见光上转换器件的示意能性带图。
图5C示出了根据本发明的一个实施方案的红外-可见光上转换器件的示意性能带图。
具体实施方式
当术语“在......上”或“在......之上”用于本文中时，当指层、区域、图案或结构时，应该理解为层、区域、图案或结构可以直接在另一个层或结构上，或者也可以存在介于中间的层、区域、图案或结构。当术语“在......下”或“在......之下”用于本文中时，当指层、区域、图案或结构时，应该理解为层、区域、图案或结构可以直接在其它层或结构下，或者也可以存在介于中间的层、区域、图案或结构。当术语“直接在......上”用于本文中时，当指层、区域、图案或结构时，应该理解为层、区域、图案或结构直接在另一个层或结构上，不存在介于中间的层、区域、图案或结构。
当术语“约”与数值结合用于本文中时，应该理解为所述值可以为所述值的95％至所述值的105％，即该值可以为确定值的+／-5％。例如，“约1kg”指0.95kg至1.05kg。
当术语“敏感”与描述对某一种类型的光或对具有给定值的或在给定范围内的波长的光子敏感的光检测器结合用于本文中时，应该理解为光检测器能够吸收光检测器敏感的光并且生成载流子。当术语“不敏感”或“非敏感”与描述对某一种类型的光或对具有给定值的或在给定范围内的波长的光子不敏感或非敏感的光检测器结合用于本文中时，应该理解为光检测器不能够吸收光检测器不敏感的光并且不能从光的吸收生成载流子。
本发明的实施方案涉及能够产生增益的光检测器(即带有增益的光检测器)。光检测器可以是例如红外(IR)光检测器。也就是说，光检测器可以对红外区域中的至少一部分光敏感。在一个特定实施方案中，光检测器对波长为0.7μm至14μm(包括或不包括)的至少一部分敏感。在某些实施方案中，光检测器可以是对IR光敏感的，并且可以是对可见光不敏感。例如，光检测器的光敏化层可以是对波长为0.4μm至0.7μm的至少一部分不敏感。在一个实施方案中，光检测器的光敏化层可以是对0.4μm至0.7μm(包括或不包括)的整个波长范围不敏感。
参见图1B，在一个实施方案中，光检测器10可以包括第一电极30、光敏层50、电子阻挡／隧穿层60以及第二电极70。光检测器10还可以任选地包括基底20和/或空穴阻挡层40。基底20可以是例如玻璃基底。尽管图1B包括用于多个部件的某些材料的标记，这些旨在仅用于示范的目，本发明的实施方案并不限于此。
第一电极30可以是阴极，第二电极70可以为阳极。在另一个实施方案中，第一电极30可以是阳极，第二电极70可以为阴极。在某些实施方案中，第一电极30和/或第二电极70可以对可见光的至少一部分可见光和/或至少一部分IR光是透明的，但实施方案并不限于此。
第一电极30可以包括以下材料中的一种或更多种：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。在一个特定实施方案中，第一电极30可以是ITO电极。第二电极70可以包括以下材料中的一种或更多种：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。在一个特定实施方案中，第二电极70可以是银电极。
在某些实施方案中，光检测器10可以是IR光检测器，光敏化层50可以是IR敏化层。也就是说，IR敏化层可以对IR范围中的至少一部分光敏感。光敏化层50可以包括例如以下材料中的一种或更多种：PbS纳米晶体(量子点)、PbSe纳米晶体(量子点)、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
图1A示出了作为光敏化层50的PbS纳米晶体的吸收光谱。参照图1A，PbS纳米晶体的光敏化层示出了在至少一部分红外区域的吸收。
在一个实施方案中，电子阻挡／隧穿层可以是1，1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)／MoO3堆叠层。TAPC层的厚度可以为例如0nm至100nm。MoO3层的厚度可以为例如0nm至100nm。
在一个实施方案中，光检测器可以包括空穴阻挡层，空穴阻挡层可包括以下材料中的一种或更多种：ZnO、萘四羧酸酐(NTCDA)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、对-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BPhen)、三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、3，5’-N，N’-二咔唑苯(mCP)、C60、三[3-(3-吡啶基)
Figure BDA0000447001620000041
基]硼烷(3TPYMB)和TiO2
在一个示例性实施方案中，光检测器可以包括第一电极、在第一电极上的光敏层、在光敏层上的电子阻挡／隧穿层以及在电子阻挡／隧穿层上的第二电极。电子阻挡／隧穿层可以是例如TAPC／MoO3堆叠层，TAPC／MoO3堆叠层可以定位成使得TAPC层与光敏化层直接接触，MoO3层与第二电极直接接触。光敏化层可以是例如IR敏化层，其可以包括例如PbS量子点。在另一个实施方案中，光检测器可以包括在所述第一电极上并且在光敏化层下的空穴阻挡层。
图2A和2B证明了根据本发明的一个实施方案的光检测器的工作原理。参照图2A，当在黑暗中(即，无可见和/或IR光)施加偏压时，由于空穴阻挡层空穴从第一电极被阻挡，由于电子阻挡层电子从第二电极被阻挡。参照图2B，当用光(例如，IR光)辐射光检测器时，光敏化层(例如，IR敏化层)产生电子-空穴对，并由于所施加的偏压，电子流向第一电极。空穴被积蓄在电子阻挡／隧穿层的体陷阱位点，累积的空穴减少电子阻挡／隧穿层的势垒宽度。因此，从第二电极隧穿到光敏化层的电子显著提高，从而产生增益。
图3A示出了根据本发明的一个实施方案的光检测器的示意性能带图，图3B示出了根据本发明的一个实施方案的光检测器的暗电流和光电流密度-电压(J-V)特性。
图4A示出了增益相对于对根据本发明的光检测器所施加的电压的曲线图，图4B示出了检测能力相对于对根据本发明的一个实施方案的光检测器所施加的电压的曲线图。参照图4A，可以看到非常高的增益，包括在施加-20V偏压时大于150的增益。参照图4B，在所施加的电压值小于-18V时，检测能力饱和至大于5×1012Jones。
根据本发明的实施方案，光检测器表现出在施加偏压时的增益(即，它是带有增益的光检测器)。光检测器可以表现出的增益例如施加-20V偏压时约150。在多个实施方案中，光检测器可以表现出以下任何值或范围的增益：2、约2、至少2、3、约3、至少3，...，160、约160、至少160(其中，“...”表示在3和160之间的每个数字，“约”在3和160之间的每个数字，和“至少”在3和160之间的每个数字)，或具有为2至159的任意数的第一端点和为3至160的任意数的第二端点的任意范围。前一句的增益值和范围可以表现在为-30V至30V的任意所施加的电压值时。
参照图5A至5C，本发明的实施方案还涉及IR-可见光上转换器件500。IR-可见光上转换器件500可以包括光检测器10和发光器件(LED)200。在许多实施方案中，LED200可以是有机LED(OLED)。IR-可见光上转换器件500可以是带有增益的IR-可见光上转换器件，光检测器10可以是带有增益的光检测器。在特定实施方案中，IR-可见光上转换器件可以包括带有增益的光检测器，如图1A至1B、2A至2B、3A至3B和4A至4B所示和/或如所描述的与图1A至1B、2A至2B、3A至3B和4A至4B的光检测器相关的。OLED200可以包括至少一个电极、空穴传输层(HTL)、发光层(LEL)和电子传输层(ETL)。
OLED200的至少一个电极可以是对至少一部分可见光和/或至少一部分IR光透明的，但是实施方案并不限于此。OLED200的每个电极可包括以下一种或更多种材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag/ITO、CsCO3／ITO和Mg：Ag／Alq3堆叠层，但实施方案并不限于此。OLED200的HTL可以包括以下一种或更多种材料：NPD、TAPC、TFB、TPD、和二胺衍生物，但实施方案并不限于此。OLED200的LEL可以包括一种或更多种以下材料：三-(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)和双[(4，6-二氟苯基)-吡啶-]吡啶甲酸盐(FIrpic)，但实施方案并不限于此。OLED200的ETL可以包括以下一种或更多种材料：BCP、Bphen、3TPYMB和Alq3，但实施方案并不限于此。
在一个特定实施方案中，OLED200的电极是Mg：Ag／Alq3堆叠层。Mg：Ag／Alq3堆叠层的Mg：Ag层可以具有例如Mg：Ag(10：1)的组成，其厚度可以为例如小于30nm。Mg：Ag／Alq3堆叠层的AIq3层的厚度可以为例如0nm至200nm。
光检测器10可以是如本文所述带有增益的光检测器，但是需要存在仅一个电极。即，光检测器10可以包括至少一个电极、光敏层、和电子阻挡／隧穿层。光检测器10还可以任选地包括基底和/或空穴阻挡层。
电极可包括一种或更多种以下材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag/ITO和CsCO3／ITO。
在某些实施方案中，光检测器10可以是IR光检测器，光敏化层可以是IR敏化层。光敏化层可以包括例如一种或更多种以下材料：PbS纳米晶体(量子点)、PbSe纳米晶体(量子点)、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
在一个实施方案中，电子阻挡／隧穿层可以是TAPC／MoO3堆叠层。TAPC层的厚度可以为例如0nm至100nm。MoO3层的厚度可以为例如0nm至100nm。
在一个实施方案中，光检测器可以包括空穴阻挡层，空穴阻挡层可包括一种或更多种以下材料：ZnO、NTCDA、BCP、UGH2、BPhen、Alq3、mCP、3TPYMB和TiO2。
参照图5A，在又一个实施方案中，IR-可见光上转换器件500还可以包括在光检测器10和OLED200之间的互连部分100。互连部分100可以定位成使得光检测器10的电子阻挡／隧穿层比光敏化层更接近互连部分100，OLED200的HTL比ETL更接近互连部分100。光检测器10可以包括在光敏化层下的电极，所述电极可以是阳极。OLED200可以包括在ETL上的电极，所述电极可以是阴极。
在一个实施方案中，互连部分100可以包括HBL110和EBL120。互连部分100的HBL110的最低未占分子轨道(LUMO)与互连部分100的EBL120的最高已占分子轨道(HOMO)接近。因此，当施加偏压时，电子和空穴可以在互连部分100产生。在一个实施方案中，互连部分100的HBL110的LUMO和互连部分100的EBL120的HOMO可以相距不超过1eV。在又一个实施方案中，互连部分100的HBL110的LUMO和互连部分100的EBL120的HOMO可以相距不超过0.5eV。也就是说，在互连部分100的EBL120的HOMO和互连部分100的HBL110的LUMO之间的能量差可以是0.5eV或者更小。互连部分100可定位在IR-可见光上转换器件500内，使得互连部分100的HBL120可以与光检测器10相邻，互连部分100的EBL120可以与OLED200相邻。在实施方案中，光检测器10可以包括在其EBL／隧穿层上的第二电极70，互连部分100的HBL120可以与光检测器10的第二电极70直接接触。光检测器10的第二电极70可以为阴极。光检测器10的第二电极70可以包括一种或更多种以下材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag/ITO和CsCO3／ITO。在一个特定实施方案中，光检测器10的第二电极70可以是银电极。尽管图5A中互连部分100周围的虚线延伸到HBL110和EBL120之外，但是互连部分不一定包括在HBL110和EBL120之外的任何另外的部件。在某些实施方案中，可以存在另外的部件(例如，一个或更多个电极或基底)。
再参照图5B和5C，在一个实施方案中，IR-可见光上转换器件500不包括互连部分100，光检测器10定位成与OLED200直接相邻。OLED200可以定位成使得OLED200的ETL与光检测器10的光敏化层比其与光检测器10的电子阻挡／隧穿层更接近。在一个特定实施方案中，光检测器可以包括与光敏层相邻的空穴阻挡层，OLED200的ETL可以定位成与与光检测器10的空穴阻挡层相邻并接触。光检测器10可以包括与电子阻挡／隧穿层相邻并接触的电极，OLED200可以包括与HTL相邻并接触的电极。光检测器10的电极可以是例如阴极，OLED200的电极可以是例如阳极。
在图5A至5C所示的IR-可见光上转换器件500中，也可以存在基底(未示出)。在许多实施方案中，IR-可见光上转换器件500可翻转(flipped)或翻转(turned around)并仍然正常工作。例如，在图5B中基底可以与阳极相邻，在图5C中其可以与阴极相邻，使得图5B示出了与图5C中类似的构造，但是IR-可见光上转换器件500在基底上翻转。在图5A中所示的IR-可见光上转换器件500中，基底可以与阳极或阴极相邻。在一个特定实施方案中，IR-可见光上转换器件500可以包括互连部分100(如图5A)，基底可以与阳极相邻。IR光可以从任意方向入射到IR-可见光上转换器件500上，可见光可以以任意方向从IR-可见光上转换器件500发射。OLED200可以对IR光谱中的至少一部分是透明的，但实施方案并不限于此。光检测器10可以对可见光谱中的至少一部分是透明的，但实施方案并不限于此。
再参照图5A至5C，当光检测器10吸收IR光时，IR-可见光上转换器件500通过从OLED200发射可见光起作用。也就是说，光检测器10的光敏化层(例如，IR敏化层)吸收IR光，导致载流子流动。载流子流向OLED200，直接地或通过互连部分100，导致OLED200的LEL发射可见光。IR-可见光上转换器件500可以包括带有增益的光检测器10，其可以有利地表现增益。
本发明的实施方案还涉及制造带有增益的光检测器的方法。光检测器可以是例如IR光检测器。在一个实施方案中，制造带有增益的光检测器的方法可以包括：在第一电极上形成光敏层、在光敏层上形成电子阻挡／隧穿层、以及在电子阻挡／隧穿层上形成第二电极。该方法还可任选地包括在基底上形成第一电极和／或在第一电极上形成空穴阻挡层，使得光敏层形成于空穴阻挡层上。所述基底可以是例如玻璃基底。
第一电极可以是阴极，第二电极可以是阳极。在一个可替代的实施方案中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极。在某些实施方案中，第一电极和/或第二电极可以是对至少一部分可见光和/或至少一部分红外光透明的，但实施方案并不限于此。
第一电极可以包括一种或更多种以下材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF/Al/ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。第二电极可以包括一种或更多种以下材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
在某些实施方案中，光检测器可以是IR光检测器，光敏化层可以是IR敏化层。光敏化层可以包括例如一种或更多种以下材料：PbS纳米晶体(量子点)、PbSe纳米晶体(量子点)、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
在一个实施方案中，电子阻挡／隧穿层可以是TAPC／MoO3堆叠层。TAPC层可以形成的厚度为例如0nm至100nm。MoO3层可以形成至的厚度为例如0nm至100nm。
在一个实施方案中，该方法可以包括形成空穴阻挡层，空穴阻挡层可以包括一种或更多种以下材料：ZnO、NTCDA、BCP、UGH2、BPhen、Alq3、3mCP、3TPYMB和TiO2。
在一个特定实施方案中，制造光检测器的方法可以包括：在第一电极上形成光敏层、在光敏层上形成电子阻挡／隧穿层以及在电子阻挡／隧穿层上形成第二电极。电子阻挡／隧穿层可以是例如TAPC／MoO3堆叠层，TAPC／MoO3堆叠层可以形成为使得TAPC层直接在光敏层上形成并与光敏层接触，MoO3层直接在TAPC层上形成并与TAPC层接触。然后第二电极可以直接在TAPC／MoO3堆叠层的MoO3层上形成并与其接触。光敏化层可以是例如IR敏化层，其可以包括例如PbS量子点。在又一个实施方案中，该方法可以包括在第一电极上形成空穴阻挡层，使得光敏化层直接在空穴阻挡层上形成并与其接触。
本发明的实施方案还涉及使用带有增益的光检测器检测辐射的方法。光检测器可以是例如IR光检测器，使得该方法可以检测IR辐射。在一个实施方案中，使用带有增益的光检测器以检测辐射的方法可以包括：提供带有增益的光检测器，其中所述光检测器包括第一电极、光敏层、电子阻挡／隧穿层和第二电极。光检测器还可以任选地包括基底和/或空穴阻挡层。所述基底可以是例如玻璃基底。
第一电极可以是阴极，第二电极可以是阳极。在一个可替代的实施方案中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极。在某些实施方案中，第一电极和/或第二电极可以是透明电极。
第一电极可包括一种或更多种以下材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF/Al/ITO、Ag/ITO和CsCO3／ITO。第二电极可以包括一种或更多种以下材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag/ITO和CsCO3／ITO。
在某些实施方案中，光检测器可以是IR光检测器，光敏化层可以是IR敏化层。光敏化层可以包括例如一种或更多种以下材料：PbS纳米晶体(量子点)、PbSe纳米晶体(量子点)、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
在一个实施方案中，电子阻挡／隧穿层可以是TAPC／MoO3堆叠层。TAPC层可以形成的厚度为例如0nm至100nm。MoO3层可以形成至的厚度为例如0nm至100nm。
在一个实施方案中，光检测器可以包括空穴阻挡层，空穴阻挡层可包括一种或更多种以下材料：ZnO、NTCDA、BCP、UGH2、BPhen、Alq3、3mCP、3TPYMB和TiO2。
在一个特定实施方案中，光检测器可以包括：在第一电极上的光敏层、在光敏层上的电子阻挡／隧穿层以及在电子阻挡／隧穿层上的第二电极。电子阻挡／隧穿层可以是例如TAPC／MoO3堆叠层，TAPC／MoO3堆叠层可以定位成使得TAPC层直接在光敏化层上并与其接触，MoO3层直接在TAPC层上并与其接触。然后第二电极可以直接在TAPC／MoO3堆叠层的MoO3层上形成并与其接触。光敏化层可以是例如IR敏化层，其可以包括例如PbS量子点。在又一个实施方案中，光检测器可以包括在第一电极上且在光敏化层下的空穴阻挡层。
本发明的实施方案还涉及形成IR-可见光上转换器件的方法。IR-可见光上转换器件可以是带有增益的IR-可见光上转换器件，光检测器可以是带有增益的光检测器。在一个实施方案中，制造IR-可见光上转换器件的方法可以包括：形成带有增益的光检测器；形成LED以及使LED和带有增益的光检测器连结。LED可以是OLED。形成OLED可以包括：形成至少一个电极、形成空穴传输层(HTL)、形成发光层(LEL)和形成电子传输层(ETL)。
OLED的至少一个电极可以对至少一部分可见光和/或至少一部分IR光是透明的，但实施方案并不限于此。OLED的每个电极可以包括一种或更多种以下材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO、CsCO3／ITO和Mg：Ag／Alq3堆叠层，但实施方案并不限于此。OLED的HTL可以包括一种或更多种以下材料：NPD、TAPC、TFB、TPD和二胺衍生物，但实施方案并不限于此。OLED的LEL可以包括一种或更多种以下材料：Ir(ppy)3、MEH-PPV、Alq3和FIrpic，但实施方案并不限于此。OLED的ETL可以包括一种或更多种以下材料：BCP、Bphen、3TPYMB和Alq3，但实施方案并不限于此。
在一个特定实施方案中，OLED的电极是Mg：Ag／Alq3堆叠层。Mg：Ag／Alq3堆叠层的Mg：Ag层可以具有例如Mg：Ag(10：1)的组成，其可以形成的厚度为例如小于30nm。Mg：Ag／Alq3堆叠层的Alq3层可以形成的厚度为例如0nm至200nm。
光检测器可以是带有增益的光检测器，其可以如本文所描述的形成，但是需要形成仅一个电极。即，形成光检测器可以包括形成至少一个电极、形成光敏层以及形成电子阻挡／隧穿层。形成光检测器还可以任选地包括校对(proving)基底和／或形成空穴阻挡层。
电极可以由一种或更多种以下材料形成：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
在某些实施方案中，光检测器可以是IR光检测器，光敏化层可以是IR敏化层。光敏化层可以由例如一种或更多种以下材料形成：PbS纳米晶体(量子点)、PbSe纳米晶体(量子点)、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
在一个实施方案中，电子阻挡／隧穿层可以是TAPC／MoO3堆叠层。TAPC层可以形成的厚度为例如0nm至100nm。MoO3层可以形成的厚度为例如0nm至100nm。
在一个实施方案中，形成光检测器可以包括形成空穴阻挡层，空穴阻挡层可以包括一种或更多种以下材料：ZnO、NTCDA、BCP、UGH2、BPhen、Alq3、mCP、3TPYMB和TiO2。
在另一个实施方案中，使带有增益的光检测器与OLED连结可以包括使带有增益的光检测器与互连部分连结和使OLED与互连部分连结。光检测器可以与互连部分连结，使得光检测器的电子阻挡／隧穿层比光敏化层更接近互连部分。OLED可以与互连部分连结，使得OLED的HTL比ETL更接近互连部分。光检测器可以包括在光敏化层下的电极，所述电极可以是阳极。OLED可以包括在ETL上的电极，所述电极可以是阴极。
在一个实施方案中，使带有增益的光检测器与OLED连结可以包括使带有增益的光检测器与OLED直接连结。带有增益的光检测器可以与OLED连结，使得OLED的ETL与光检测器的光敏化层比其与光检测器的电子阻挡／隧穿层更接近。在一个特定实施方案中，光检测器可以包括与光敏化层相邻的空穴阻挡层，带有增益的光检测器与OLED连结，使得OLED的ETL与光检测器的空穴阻挡层相邻并且接触。光检测器可以包括与电子阻挡／隧穿层相邻并且接触的电极，OLED可以包括与HTL相邻并且接触的电极。光检测器的电极可以是例如阴极，OLED的电极可以是例如阳极。
本发明的实施方案还涉及使用IR-可见光上转换器件将IR辐射上转化为可见光辐射的方法。IR-可见光上转换器件可以包括光检测器和LED。LED可以是OLED。IR-可见光上转换器件可以是带有增益的IR-可见光上转换器件，光检测器可以是带有增益的光检测器。OLED可以包括至少一个电极、空穴传输层(HTL)、发光层(LEL)和电子传输层(ETL)。
OLED的至少一个电极可以对至少一部分可见光和/或至少一部分IR光是透明的，但实施方案并不限于此。OLED的每个电极可以包括一种或多种以下材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO、CsCO3／ITO和Mg：Ag／Alq3堆叠层，但实施方案并不限于此。OLED的HTL可以包括一种或更多种以下材料：NPD、TAPC、TFB、TPD和二胺衍生物，但实施方案并不限于此。OLED的LEL可以包括一种或更多种以下材料：Ir(ppy)3、MEH-PPV、Alq3和FIrpic，但实施方案并不限于此。OLED的ETL可以包括一种或更多种以下材料：BCP、Bphen、3TPYMB和Alq3，但实施方案并不限于此。
在一个特定实施方案中，OLED的电极是Mg：Ag／Alq3堆叠层。Mg：Ag／Alq3堆叠层的Mg：Ag层可以具有例如Mg：Ag(10：1)的组成，其可以形成的厚度为例如小于30nm。Mg：Ag／Alq3堆叠层的Alq3层可以形成的厚度为例如从0nm至200nm。
光检测器可以是如本文所描述的带有增益的光检测器，但是需要存在仅一个电极。也就是说，光检测器可以包括至少一个电极、光敏层和电子阻挡／隧穿层。光检测器还可以任选地包括基底和/或空穴阻挡层。
电极可以包括一种或更多种以下材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag/ITO和CsCO3／ITO。
在某些实施方案中，光检测器可以是IR光检测器，光敏化层可以是IR敏化层。光敏化层可以包括例如一种或更多种以下材料：PbS纳米晶体(量子点)、PbSe纳米晶体(量子点)、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
在一个实施方案中，电子阻挡／隧穿层可以是TAPC／MoO3堆叠层。TAPC层的厚度可以为例如0nm至100nm。MoO3层的厚度可以为例如0nm至100nm。
在一个实施方案中，光检测器可以包括空穴阻挡层，空穴阻挡层可包括一种或更多种以下材料：ZnO、NTCDA、BCP、UGH2、BPhen、Alq3、mCP、3TPYMB和TiO2。
在又一个实施方案中，IR-可见光上转换器件还可以包括在光检测器和OLED之间的互连部分。互连部分可以定位成使得光检测器的电子阻挡／隧穿层比光敏化层更接近互连部分，OLED的HTL比ETL更接近互连部分。光检测器可以包括在光敏化层下的电极，所述电极可以是阳极。OLED可以包括在ETL上的电极，所述电极可以是阴极。
在一个实施方案中，IR-可见光上转换器件不包括互连部分，光检测器定位成与OLED直接相邻。OLED可以定位成使得OLED的ETL与光检测器的光敏化层比其与光检测器的电子阻挡／隧穿层更接近。在一个特定实施方案中，光检测器可以包括与光敏化层相邻的空穴阻挡层，OLED的ETL可以定位成与光检测器的空穴阻挡层相邻并且接触。光检测器可以包括与电子阻挡／隧穿层相邻并且接触的电极，OLED可以包括与HTL相邻并且接触的电极。光检测器的电极可以是，例如阴极，OLED的电极可以是例如阳极。
在许多实施方案中，IR-可见光上转换器件可翻转或翻转并仍然正常工作。OLED可以对在IR光谱中的至少一部分光是透明的，但实施方案并不限于此。光检测器可以对在可见光谱的至少一部分光是透明的，实施方案并不限于此。
IR-可见光上转换器件将IR光上转换为可见光。当光检测器吸收IR光时，IR-可见光上转换器件从OLED发射可见光。也就是说，光检测器的光敏化层(例如，IR敏化层)吸收IR光，导致载流子流动。载流子流向OLED，直接地或经由互连部分，导致OLED的LEL发射可见光。IR-可见光上转换器件可以包括带有增益的光检测器，其可以有利地显示出增益。
实施例1
在玻璃基底上制作光检测器。光检测器包括ITO第一电极、在第一电极上的ZnO空穴阻挡层、在空穴阻挡层上的PbS量子点光敏化层、在光敏化层上的TAPC／MoO3堆叠电子阻挡／隧穿层以及在电子阻挡／隧穿层上的第二电极。PbS量子点光敏化层具有图1A所示的吸收光谱。光检测器显示如图3B所示的J-V特性曲线(对于黑暗和在1240nm与302W／cm2的红外照明)。此外，光检测器表现出作为施加电压的函数的增益和检测能力，分别示于图4A和4B。
本文提及或引用的所有专利、专利申请、临时申请和出版物的全部内容(包括所有的图和表格)在它们不与本说明书的明确教导相矛盾的程度上，都通过引用并入本文。
应理解，本文所描述的实施例和实施方案仅用于说明目的，根据其向本领域技术人员建议了多种修改和变化，并且这些修改和变化包括在本申请的精神和范围内。

Claims (98)

1.一种带有增益的光检测器，包括：
第一电极；
在所述第一电极上的光敏化层；
在所述光敏化层上的电子阻挡／隧穿层；以及
在所述电子阻挡／隧穿层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，其中所述光敏化层对波长为0.7μm至14μm的光子敏感。
3.根据权利要求2所述的带有增益的光检测器，其中所述光敏化层对波长为至少0.4μm且小于0.7μm的光子不敏感。
4.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，其中所述光敏化层包括PbS量子点或PbSe量子点。
5.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，其中所述光敏化层包括PbS量子点。
6.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，其中所述光敏化层包括至少一种选自以下的材料：PbS量子点、PbSe量子点、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
7.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，其中所述第一电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
8.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，其中所述第二电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
9.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，其中所述第一电极是阳极，其中所述第二电极是阴极。
10.根据权利要求9所述的带有增益的光检测器，其中所述第一电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO；其中所述第二电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
11.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，其中所述电子阻挡／隧穿层为1，1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)／MoO3堆叠层。
12.根据权利要求11所述的带有增益的光检测器，其中所述TAPC层与所述光敏化层直接接触，其中所述MoO3层与所述第二电极直接接触。
13.根据权利要求11所述的带有增益的光检测器，其中所述TAPC层的厚度不超过100nm，其中所述MoO3层的厚度不超过100nm。
14.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，还包括在所述第一电极上并且在所述光敏化层下的空穴阻挡层。
15.根据权利要求14所述的带有增益的光检测器，其中所述空穴阻挡层包括至少一种选自以下的材料：ZnO、萘四羧酸酐(NTCDA)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、对-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BPhen)、三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、3，5’-N，N’-二咔唑苯(mCP)、C60、三[3-(3-吡啶基)
Figure FDA0000447001610000021
基]硼烷(3TPYMB)和TiO2。
16.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，还包括在第一电极下的玻璃基底。
17.根据权利要求1所述的带有增益的光检测器，
其中所述电子阻挡／隧穿层为TAPC／MoO3堆叠层，
其中所述TAPC层与所述光敏化层直接接触，
其中所述MoO3层与所述第二电极直接接触，以及
其中所述光敏化层包括PbS量子点。
18.根据权利要求17所述的带有增益的光检测器，还包括在所述第一电极上并且在所述光敏化层下的空穴阻挡层。
19.一种制造带有增益的光检测器的方法，包括
形成第一电极；
在所述第一电极上形成光敏化层；
在所述光敏化层上形成电子阻挡／隧穿层；以及
在所述电子阻挡／隧穿层上形成第二电极。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述光敏化层对波长为0.7μm至14μm的光子敏感。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述光敏化层对波长为至少0.4μm并且小于0.7μm的光子不敏感。
22.根据权利要求19所述的方法，其中所述光敏化层包括PbS量子点或PbSe量子点。
23.根据权利要求19所述的方法，其中所述光敏化层包括PbS量子点。
24.根据权利要求19所述的方法，其中所述光敏化层包括至少一种选自以下的材料：PbS量子点、PbSe量子点、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
25.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
26.根据权利要求19所述的方法，其中所述第二电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
27.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一电极是阳极，其中所述第二电极是阴极。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述第一电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO，其中所述第二电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
29.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述电子阻挡／隧穿层包括形成TAPC／MoO3堆叠层。
30.根据权利要求29所述的方法，其中使所述TAPC层形成为与所述光敏化层直接接触，其中使所述第二电极形成为与所述MoO3层直接接触。
31.根据权利要求29所述的方法，其中所述TAPC层的厚度不超过100nm，其中所述MoO3层的厚度不超过100nm。
32.根据权利要求19所述的方法，还包括在第一电极上形成空穴阻挡层，其中所述光敏化层形成于所述空穴阻挡层上。
33.根据权利要求32所述的方法，其中所述空穴阻挡层包括至少一种选自以下的材料：ZnO、萘四羧酸酐(NTCDA)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、对-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BPhen)、三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、3，5’-N，N’-二咔唑苯(mCP)、C60、三[3-(3-吡啶基)
Figure FDA0000447001610000041
基]硼烷(3TPYMB)和TiO2。
34.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述第一电极包括在玻璃基底上形成所述第一电极。
35.根据权利要求19所述的方法，
其中形成所述电子阻挡／隧穿层包括形成TAPC／MoO3堆叠层，
其中使所述TAPC层形成为与所述光敏化层直接接触，
其中使所述第二电极形成为与所述MoO3层直接接触，以及
其中所述光敏化层包括PbS量子点。
36.根据权利要求35所述的方法，还包括在所述第一电极上形成空穴阻挡层，其中所述光敏化层形成于所述空穴阻挡层上。
37.一种红外(IR)-可见光上转换器件，包括：
带有增益的光检测器；和
与所述带有增益的光检测器连结的有机发光器件(OLED)，
其中所述带有增益的光检测器包括：
第一光检测器电极；
在所述第一光检测器电极上的光敏化层；
在所述光敏化层上的电子阻挡／隧穿层；以及
在所述电子阻挡／隧穿层上的第二光检测器电极。
38.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述光敏化层对波长为0.7μm至14μm的光子敏感。
39.根据权利要求38所述的IR-可见光上转换器件，其中所述光敏化层对波长为至少0.4μm且小于0.7μm的光子不敏感。
40.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述光敏化层包括PbS量子点或PbSe量子点。
41.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述光敏化层包括PbS量子点。
42.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述光敏化层包括至少一种选自以下的材料：PbS量子点、PbSe量子点、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
43.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述第一光检测器电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
44.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述第二光检测器电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
45.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述第一光检测器电极是阳极，其中所述第二光检测器电极是阴极。
46.根据权利要求45所述的IR-可见光上转换器件，其中所述第一光检测器电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO，其中所述第二光检测器电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3/ITO。
47.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述电子阻挡／隧穿层为TAPC／MoO3堆叠层。
48.根据权利要求47所述的IR-可见光上转换器件，其中所述TAPC层与所述光敏化层直接接触，其中所述MoO3层与所述第二光检测器电极直接接触。
49.根据权利要求47所述的IR-可见光上转换器件，其中所述TAPC层的厚度不超过100nm，其中所述MoO3层的厚度不超过100nm。
50.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，还包括在所述第一光检测器电极上并且在所述光敏化层下的空穴阻挡层。
51.根据权利要求50所述的IR-可见光上转换器件，其中所述空穴阻挡层包括至少一种选自以下的材料：ZnO、萘四羧酸酐(NTCDA)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、对-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BPhen)、三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、3，5’-N，N’-二咔唑苯(mCP)、C60、三[3-(3-吡啶基)
Figure FDA0000447001610000061
基]硼烷(3TPYMB)和TiO2。
52.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，其中所述OLED包括OLED电极、空穴传输层(HTL)、发光层(LEL)和电子传输层(ETL)。
53.根据权利要求52所述的IR-可见光上转换器件，其中所述OLED电极包括至少一种选自以下的材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO、CsCO3／ITO和Mg：Ag／Alq3堆叠层。
54.根据权利要求52所述的IR-可见光上转换器件，其中所述HTL包括至少一种选自以下的材料：NPD、TAPC、TFB、TPD、和二胺衍生物。
55.根据权利要求52所述的IR-可见光上转换器件，其中所述LEL包括至少一种选自以下的材料：三-(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)和双[(4，6-二氟苯基)-吡啶-]吡啶甲酸盐(FIrpic)。
56.根据权利要求52所述的IR-可见光上转换器件，其中所述ETL包括至少一种选自以下的材料：BCP、Bphen、3TPYMB和Alq3。
57.根据权利要求52所述的IR-可见光上转换器件，其中所述OLED电极包括Mg：Ag／Alq3堆叠层，其中所述Mg：Ag／Alq3堆叠层的Mg：Ag层具有Mg：Ag(10：1)的组成，其中所述Mg：Ag层的厚度小于30nm，其中所述Mg：Ag／Alq3堆叠层的Alq3层的厚度不超过200nm。
58.根据权利要求52所述的IR-可见光上转换器件，
其中所述电子阻挡／隧穿层为TAPC／MoO3堆叠层，
其中所述TAPC层与所述光敏化层直接接触，
其中所述MoO3层与所述第二光检测器电极直接接触，以及
其中所述光敏化层包括PbS量子点。
59.根据权利要求58所述的IR-可见光上转换器件，还包括在所述第一光检测器电极上并且在所述光敏化层下的空穴阻挡层。
60.根据权利要求52所述的IR-可见光上转换器件，其中使所述带有增益的光检测器定位成与所述OLED直接相邻，其中使所述OLED定位成使得所述OLED的ETL与所述带有增益的光检测器的光敏化层比其与所述带有增益的光检测器的电子阻挡层／隧穿层更接近。
61.根据权利要求52所述的IR-可见光上转换器件，还包括在所述带有增益的光检测器和所述OLED之间的互连部分，其中使所述互连部分定位成使得带有增益的光检测器的电子阻挡／隧穿层比所述光敏化层更接近所述互连部分，其中使所述互连部分定位成使得所述OLED的HTL比所述ETL更接近所述互连部分。
62.根据权利要求61所述的IR-可见光上转换器件，其中所述互连部分包括空穴阻挡层(HBL)和电子阻挡层(EBL)，
其中使所述互连部分定位成使得所述互连部分的HBL与所述第二光检测器电极相邻并且直接接触，以及
其中使所述互连部分定位成使得所述互连部分的EBL与所述OLED的HTL相邻并且直接接触。
63.根据权利要求62所述的IR-可见光上转换器件，其中所述互连部分的HBL的最低未占分子轨道(LUMO)在所述互连部分的EBL的最高已占分子轨道(HOMO)的0.5电子伏特(eV)内。
64.根据权利要求37所述的IR-可见光上转换器件，还包括在所述带有增益的光检测器和所述OLED之间的互连部分，其中使所述互连部分定位成使得带有增益的光检测器的电子阻挡／隧穿层比所述光敏化层更接近所述互连部分。
65.根据权利要求64所述的IR-可见光上转换器件，其中所述互连部分包括空穴阻挡层(HBL)和电子阻挡层(EBL)，
其中使所述互连部分定位成使得所述互连部分的HBL与所述第二光检测器电极相邻并且直接接触，以及
其中使所述互连部分定位成使得所述互连部分的EBL与所述OLED的HTL相邻并且直接接触。
66.根据权利要求65所述的IR-可见光上转换器件，其中所述互连部分的HBL的最低未占分子轨道(LUMO)在所述互连部分的EBL的最高已占分子轨道(HOMO)的0.5电子伏特(eV)内。
67.一种形成IR-可见光上转换器件的方法，包括
形成带有增益的光检测器；
形成OLED；以及
使所述OLED与所述带有增益的光检测器连结，
其中形成所述带有增益的光检测器包括：
形成第一电极；
在所述第一电极上形成光敏化层；
在所述光敏化层上形成电子阻挡／隧穿层；以及
在所述电子阻挡／隧穿层上形成第二电极。
68.根据权利要求67所述的方法，其中所述光敏化层对波长为0.7μm至14μm的光子敏感。
69.根据权利要求68所述的方法，其中所述光敏化层对波长为至少0.4μm且小于0.7μm的光子不敏感。
70.根据权利要求67所述的方法，其中所述光敏化层包括PbS量子点或PbSe量子点。
71.根据权利要求67所述的方法，其中所述光敏化层包括PbS量子点。
72.根据权利要求67所述的方法，其中所述光敏化层包括至少一种选自以下的材料：PbS量子点、PbSe量子点、PCTDA、SnPc、SnPc：C60、AlPcCl、AlPcCl：C60、TiOPc、TiOPc：C60、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge和GaAs。
73.根据权利要求67所述的方法，其中所述第一光检测器电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al/ITO、Ag／ITO和CsCO3/ITO。
74.根据权利要求67所述的方法，其中所述第二光检测器电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3/ITO。
75.根据权利要求67所述的方法，其中所述第一光检测器电极是阳极，其中所述第二光检测器电极是阴极。
76.根据权利要求75所述的方法，其中所述第一光检测器电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO，其中所述第二光检测器电极包括至少一种选自以下的材料：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO和CsCO3／ITO。
77.根据权利要求67所述的方法，其中形成所述电子阻挡／隧穿层包括形成TAPC／MoO3堆叠层。
78.根据权利要求77所述的方法，其中使所述TAPC层形成为与所述光敏化层直接接触，其中使所述第二光检测器电极形成为与所述MoO3层直接接触。
79.根据权利要求77所述的方法，其中所述TAPC层的厚度不超过100nm，其中所述MoO3层的厚度不超过100nm。
80.根据权利要求67所述的方法，还包括在所述第一光检测器电极上形成空穴阻挡层，其中所述光敏化层形成于所述空穴阻挡层上。
81.根据权利要求80所述的方法，其中所述空穴阻挡层包括至少一种选自以下的材料：ZnO、萘四羧酸酐(NTCDA)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、对-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BPhen)、三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、3，5’-N，N’-二咔唑苯(mCP)、C60、三[3-(3-吡啶基)
Figure FDA0000447001610000101
基]硼烷(3TPYMB)和TiO2。
82.根据权利要求67所述的方法，其中形成所述OLED包括：
形成OLED电极；
形成空穴传输层(HTL)；
形成发光层(LEL)；和
形成电子传输层(ETL)。
83.根据权利要求82所述的方法，其中所述OLED电极包括至少一种选自以下的材料：ITO、IZO、ATO、AZO、银、钙、镁、金、铝、碳纳米管、银纳米线、LiF／Al／ITO、Ag／ITO、CsCO3／ITO和Mg：Ag／Alq3堆叠层。
84.根据权利要求82所述的方法，其中所述HTL包括至少一种选自以下的材料：NPD、TAPC、TFB、TPD、和二胺衍生物。
85.根据权利要求82所述的方法，其中所述LEL包括至少一种选自以下的材料：三-(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)和双[(4，6-二氟苯基)-吡啶-]吡啶甲酸盐(FIrpic)。
86.根据权利要求82所述的方法，其中所述ETL包括至少一种选自BCP、Bphen、3TPYMB和Alq3的材料。
87.根据权利要求82所述的方法，其中形成所述OLED电极包括形成Mg：Ag／Alq3堆叠层，其中所述Mg：Ag／Alq3堆叠层的Mg：Ag层具有Mg：Ag(10：1)的组成，其中所述Mg：Ag层的厚度小于30nm，其中所述Mg：Ag／Alq3堆叠层的Alq3层的厚度不超过200nm。
88.根据权利要求82所述的方法，
其中形成所述电子阻挡／隧穿层包括形成TAPC／MoO3堆叠层，
其中使所述TAPC层形成为与所述光敏化层直接接触，
其中使所述第二光检测器电极形成为与所述MoO3层直接接触，以及
其中所述光敏化层包括PbS量子点。
89.根据权利要求88所述的方法，还包括在所述第一光检测器电极上形成空穴阻挡层，其中所述光敏化层形成于所述空穴阻挡层上。
90.根据权利要求82所述的方法，其中使所述带有增益的光检测器定位成与所述OLED直接相邻，其中使所述OLED定位成使得所述OLED的ETL与所述带有增益的光检测器的光敏化层比其与所述带有增益的光检测器的电子阻挡／隧穿层更接近。
91.根据权利要求78所述的方法，其中使所述OLED与所述带有增益的光检测器连结包括：
形成互连部分；
使所述OLED与所述互连部分连结；以及
使所述带有增益的光检测器与所述互连部分连结，
其中使所述互连部分定位成使得所述带有增益的光检测器的电子阻挡／隧穿层比所述光敏化层更接近所述互连部分，以及
其中使所述互连部分定位成使得所述OLED的HTL比所述ETL更接近所述互连部分。
92.根据权利要求91所述的方法，其中形成所述互连部分包括：
形成空穴阻挡层(HBL)；和
形成电子阻挡层(EBL)；
其中使所述互连部分定位成使得所述互连部分的HBL与所述第二光检测器电极相邻并且直接接触，以及
其中使所述互连部分定位成使得所述互连部分的EBL与所述OLED的HTL相邻并且直接接触。
93.根据权利要求92所述的方法，其中所述互连部分的HBL的最低未占分子轨道(LUMO)在所述互连部分的EBL的最高已占分子轨道(HOMO)的0.5电子伏特(eV)内。
94.根据权利要求63所述的方法，其中使所述OLED与所述带有增益的光检测器连结包括：
形成互连部分；
使所述OLED与所述互连部分连结；以及
使所述带有增益的光检测器与所述互连部分连结，
其中使所述互连部分定位成使得所述带有增益的光检测器的电子阻挡／隧穿层比所述光敏化层更接近所述互连部分。
95.根据权利要求94所述的方法，其中形成所述互连部分包括：
形成空穴阻挡层(HBL)；和
形成电子阻挡层(EBL)，
其中使所述互连部分定位成使得所述互连部分的HBL与所述第二光检测器电极相邻并且直接接触，以及
其中使所述互连部分定位成使得所述互连部分的EBL与所述OLED的HTL相邻并且直接接触。
96.根据权利要求95所述的方法，其中所述互连部分的HBL的最低未占分子轨道(LUMO)在所述互连部分的EBL的最高已占分子轨道(HOMO)的0.5电子伏特(eV)内。
97.一种使用带有增益的光检测器检测IR辐射的方法，包括：
提供带有增益的光检测器，使得IR辐射入射到所述带有增益的光检测器上，
其中所述带有增益的光检测器包括：
第一电极；
在所述第一电极上的IR光敏化层；
在所述光敏化层上的电子阻挡／隧穿层；以及
在所述电子阻挡／隧穿层上的第二电极。
98.一种使用IR-可见光上转换器件使IR辐射上转换至可见光辐射的方法，包括：
提供IR-可见光上转换器件使得IR辐射入射到所述IR-可见光上转换器件上，
其中所述IR-可见光上转换器件包括：
带有增益的光检测器；和
与带有增益的光检测器连结的有机发光器件(OLED)，
其中所述带有增益的光检测器包括：
第一光检测器电极；
在所述第一光检测器电极上的IR光敏化层；
在所述光敏化层上的电子阻挡／隧穿层；以及
在所述电子阻挡／隧穿层上的第二光检测器电极。
CN201280031610.7A 2011-06-30 2012-07-02 用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备 Expired - Fee Related CN103733355B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161503317P 2011-06-30 2011-06-30
US61/503,317 2011-06-30
PCT/US2012/045272 WO2013003850A2 (en) 2011-06-30 2012-07-02 A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103733355A true CN103733355A (zh) 2014-04-16
CN103733355B CN103733355B (zh) 2017-02-08

Family

ID=47424832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280031610.7A Expired - Fee Related CN103733355B (zh) 2011-06-30 2012-07-02 用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备

Country Status (11)

Country Link
US (2) US10134815B2 (zh)
EP (1) EP2727154B1 (zh)
JP (2) JP6502093B2 (zh)
KR (1) KR102059208B1 (zh)
CN (1) CN103733355B (zh)
AU (1) AU2012275060A1 (zh)
BR (1) BR112013033122A2 (zh)
CA (1) CA2840498A1 (zh)
MX (1) MX2013015214A (zh)
RU (1) RU2014102650A (zh)
WO (1) WO2013003850A2 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934538A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 株式会社东芝 有机光电转换元件及摄像装置
CN107210312A (zh) * 2015-07-08 2017-09-26 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
CN108205001A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 财团法人交大思源基金会 气体侦测器
CN108831905A (zh) * 2018-05-28 2018-11-16 东南大学 一种基于半导体量子点的红外探测-可见光显示集成系统、制备方法及成像方法
CN110265561A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 深圳扑浪创新科技有限公司 一种纯量子点上转换发光器件及其制备方法
CN110400862A (zh) * 2019-07-29 2019-11-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种红外热辐射光源及红外传感器
CN111628093A (zh) * 2020-05-13 2020-09-04 电子科技大学 一种高效率有机上转换器件
US11127909B2 (en) 2016-03-24 2021-09-21 Sony Corporation Photoelectric conversion element, measuring method of the same, solid-state imaging device, electronic device, and solar cell

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101513406B1 (ko) 2006-09-29 2015-04-17 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치
US8498695B2 (en) 2006-12-22 2013-07-30 Novadaq Technologies Inc. Imaging system with a single color image sensor for simultaneous fluorescence and color video endoscopy
US9349970B2 (en) 2009-09-29 2016-05-24 Research Triangle Institute Quantum dot-fullerene junction based photodetectors
US9054262B2 (en) 2009-09-29 2015-06-09 Research Triangle Institute Integrated optical upconversion devices and related methods
EP2577747B1 (en) 2010-05-24 2018-10-17 University of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
RU2014102650A (ru) 2011-06-30 2015-08-10 Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк. Усиливающий инфракрасный фотодетектор и его применение для обнаружения ик-излучения
EP2900409B1 (en) 2012-09-27 2019-05-22 Rhodia Operations Process for making silver nanostructures and copolymer useful in such process
CN104956483A (zh) * 2013-01-25 2015-09-30 佛罗里达大学研究基金会有限公司 使用溶液处理pbs光探测器的新型ir图像传感器
RU2523097C1 (ru) * 2013-02-26 2014-07-20 Гариф Газизович Акчурин Сверхширокополосный вакуумный туннельный фотодиод для детектирования ультрафиолетового, видимого и инфракрасного оптического излучения и способ для его реализации
US20160254101A1 (en) * 2013-04-12 2016-09-01 Stephen R. Forrest Organic photosensitive devices with exciton-blocking charge carrier filters
CN103399058B (zh) * 2013-08-22 2015-01-21 武汉大学 一种高灵敏富勒烯光电化学探针及其制备方法
WO2015193875A1 (en) * 2014-06-16 2015-12-23 B. G. Negev Technologies And Applications Ltd., At Ben-Gurion University Swir to visible image up-conversion integrated device
EP3308113A4 (en) 2015-06-11 2019-03-20 University of Florida Research Foundation, Incorporated MONODISPERSED IR ABSORPTION NANOPARTICLES AND METHODS AND DEVICES THEREOF
JP6743137B2 (ja) 2015-11-13 2020-08-19 ノバダック テクノロジーズ ユーエルシー ターゲットの照明およびイメージングのためのシステムおよび方法
CA3009419A1 (en) 2016-01-26 2017-08-03 Novadaq Technologies ULC Configurable platform
CA3027592A1 (en) 2016-06-14 2017-12-21 John Josef Paul FENGLER Methods and systems for adaptive imaging for low light signal enhancement in medical visualization
WO2018017976A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 Massachusetts Institute Of Technology Far-infrared detection using weyl semimetals
US10547015B2 (en) 2016-12-02 2020-01-28 The Research Foundation For The State University Of New York Fabrication method for fused multi-layer amorphous selenium sensor
FR3059829B1 (fr) * 2016-12-05 2019-05-31 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Photodetecteur infrarouge
KR101930879B1 (ko) * 2016-12-14 2018-12-19 실리콘 디스플레이 (주) 적외선 이미지 센서
CN109713008A (zh) * 2017-10-26 2019-05-03 苏州大学 一种近红外-可见光上转换器件及其制备方法
CN109037372B (zh) * 2018-07-20 2019-12-24 大连民族大学 一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法
CN109728122B (zh) * 2019-01-03 2020-11-20 吉林大学 一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法
TW202135334A (zh) * 2020-02-13 2021-09-16 日商富士軟片股份有限公司 光檢測元件及影像感測器
JP7492858B2 (ja) * 2020-05-15 2024-05-30 シャープ株式会社 画像形成装置
CN118039713A (zh) * 2024-04-09 2024-05-14 中山大学 一种基于Sn掺杂PbSe量子点的中红外焦平面探测器制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040031965A1 (en) * 2002-08-16 2004-02-19 Forrest Stephen R. Organic photonic integrated circuit using an organic photodetector and a transparent organic light emitting device
CN1532959A (zh) * 2003-03-18 2004-09-29 ��˹���´﹫˾ P型材料及用于电子器件的混合物
US20110031403A1 (en) * 2006-09-29 2011-02-10 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for infrared detection and display
US20110079706A1 (en) * 2007-12-18 2011-04-07 Michalewicz Marek T Quantum tunneling photodetector array

Family Cites Families (209)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57139976A (en) 1981-02-23 1982-08-30 Omron Tateisi Electronics Co Light emitting/receiving device
JPS58215081A (ja) 1982-06-08 1983-12-14 Mitsui Toatsu Chem Inc アモルフアスシリコン太陽電池
EP0106514B1 (en) 1982-09-23 1989-03-15 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Infrared detectors
JPS6030163A (ja) 1983-07-28 1985-02-15 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池モジユ−ル
JPS61149831A (ja) 1984-12-24 1986-07-08 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線検知装置
US4778692A (en) 1985-02-20 1988-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
EP0219711A1 (de) 1985-10-08 1987-04-29 Heimann GmbH Infrarotdetektor
JPH0797657B2 (ja) 1986-10-01 1995-10-18 株式会社小松製作所 光メモリ
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JPS6412583A (en) 1987-07-07 1989-01-17 Toshiba Corp Photodetector
JPH0216421A (ja) 1988-07-04 1990-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光検出器
JP2717583B2 (ja) 1988-11-04 1998-02-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
JPH0379693A (ja) 1989-04-28 1991-04-04 Quantex Corp 光学的アップコンバーションのための高性能光ルミネセント材料及びそれを作る方法
US5122905A (en) 1989-06-20 1992-06-16 The Dow Chemical Company Relective polymeric body
US5121398A (en) 1989-09-26 1992-06-09 Excel Technology, Inc. Broadly tunable, high repetition rate solid state lasers and uses thereof
US5315129A (en) 1990-08-20 1994-05-24 University Of Southern California Organic optoelectronic devices and methods
DK0569527T3 (da) 1991-01-16 2001-07-16 Syngenta Ltd Nedarvede og somatiske mutationer af APC-gen i colorektal cancer hos mennesker
SE468188B (sv) 1991-04-08 1992-11-16 Stiftelsen Inst Foer Mikroelek Metod foer inkoppling av straalning i en infraroeddetektor, jaemte anordning
US5270092A (en) 1991-08-08 1993-12-14 The Regents, University Of California Gas filled panel insulation
JPH05186702A (ja) 1992-01-13 1993-07-27 Fuji Xerox Co Ltd ジハロゲン化スズフタロシアニンとハロゲン化ガリウムフタロシアニンとの混合結晶およびそれを用いた電子写真感光体
JPH06326350A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Nichia Chem Ind Ltd 赤外可視変換素子
JP3405608B2 (ja) 1993-09-17 2003-05-12 株式会社東芝 有機ｅｌ素子
JPH07122762A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Asahi Chem Ind Co Ltd 薄膜光起電力装置
US5389788A (en) 1993-12-13 1995-02-14 Hughes Aircraft Company Infrared transducer and goggles incorporating the same
JPH07271067A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Mita Ind Co Ltd 積層型電子写真感光体
JPH087096A (ja) 1994-06-20 1996-01-12 Fujitsu General Ltd 動画認識システム
FR2729757A1 (fr) 1995-01-20 1996-07-26 Sofradir Dispositif de detection d'ondes electromagnetiques, et notamment de rayonnements infra-rouges
US5710428A (en) 1995-08-10 1998-01-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Infrared focal plane array detecting apparatus having light emitting devices and infrared camera adopting the same
US5811834A (en) 1996-01-29 1998-09-22 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organo-electroluminescence device and organo-electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
JPH1065200A (ja) 1996-08-15 1998-03-06 Yokogawa Electric Corp 赤外受光素子
US6211529B1 (en) 1996-08-27 2001-04-03 California Institute Of Technology Infrared radiation-detecting device
US5853497A (en) 1996-12-12 1998-12-29 Hughes Electronics Corporation High efficiency multi-junction solar cells
JPH10242493A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池
US6337492B1 (en) 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
US6441395B1 (en) 1998-02-02 2002-08-27 Uniax Corporation Column-row addressable electric microswitch arrays and sensor matrices employing them
US5965875A (en) 1998-04-24 1999-10-12 Foveon, Inc. Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure
JPH11329736A (ja) 1998-05-20 1999-11-30 Futaba Corp 光変調鏡
EP1048084A4 (en) 1998-08-19 2001-05-09 Univ Princeton ORGANIC OPTOELECTRONIC LIGHT SENSITIVE DEVICE
US6140646A (en) 1998-12-17 2000-10-31 Sarnoff Corporation Direct view infrared MEMS structure
JP2000277265A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Agency Of Ind Science & Technol 有機空間光変調素子
JP2000349365A (ja) 1999-06-07 2000-12-15 Futaba Corp 光電流増倍素子
JP2001006876A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Futaba Corp 光−光変換素子
JP4107354B2 (ja) 1999-07-15 2008-06-25 独立行政法人科学技術振興機構 ミリ波・遠赤外光検出器
US6512385B1 (en) 1999-07-26 2003-01-28 Paul Pfaff Method for testing a device under test including the interference of two beams
JP3950594B2 (ja) 1999-09-03 2007-08-01 ローム株式会社 表示装置
US6509574B2 (en) 1999-12-02 2003-01-21 Texas Instruments Incorporated Optocouplers having integrated organic light-emitting diodes
US20020066904A1 (en) 1999-12-03 2002-06-06 Han-Tzong Yuan Solid-state relay having integrated organic light-emitting diodes
AUPQ897600A0 (en) 2000-07-25 2000-08-17 Liddiard, Kevin Active or self-biasing micro-bolometer infrared detector
US6579629B1 (en) 2000-08-11 2003-06-17 Eastman Kodak Company Cathode layer in organic light-emitting diode devices
GB0024804D0 (en) 2000-10-10 2000-11-22 Microemissive Displays Ltd An optoelectronic device
US6828045B1 (en) 2003-06-13 2004-12-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element and production method thereof
DE10101995A1 (de) 2001-01-18 2002-07-25 Philips Corp Intellectual Pty Schaltungsanordnung und Verfahren zum Schützen mindestens einer Chipanordnung vor Manipulation und/oder vor Mißbrauch
JP2002340668A (ja) 2001-05-18 2002-11-27 Denso Corp サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法
WO2002099896A1 (en) 2001-06-05 2002-12-12 State University Of New York Infrared radiation imager
JP2003083809A (ja) 2001-09-10 2003-03-19 Hamamatsu Photonics Kk 赤外可視変換部材及び赤外線検出装置。
US20030052365A1 (en) 2001-09-18 2003-03-20 Samir Chaudhry Structure and fabrication method for capacitors integratible with vertical replacement gate transistors
US7348946B2 (en) 2001-12-31 2008-03-25 Intel Corporation Energy sensing light emitting diode display
US7436038B2 (en) 2002-02-05 2008-10-14 E-Phocus, Inc Visible/near infrared image sensor array
US7378124B2 (en) 2002-03-01 2008-05-27 John James Daniels Organic and inorganic light active devices and methods for making the same
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6951694B2 (en) 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
AU2003218452C1 (en) 2002-03-29 2009-07-23 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting device including semiconductor nanocrystals
EP1367659B1 (en) 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
US20050126628A1 (en) 2002-09-05 2005-06-16 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
US7119359B2 (en) 2002-12-05 2006-10-10 Research Foundation Of The City University Of New York Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures
US7052351B2 (en) 2002-12-31 2006-05-30 Eastman Kodak Company Using hole- or electron-blocking layers in color OLEDS
JP2003178887A (ja) 2003-01-06 2003-06-27 Canon Inc 電界発光素子用電極材料の選択方法
EP1447860A1 (en) 2003-02-17 2004-08-18 Rijksuniversiteit Groningen Organic material photodiode
WO2004095144A1 (ja) 2003-04-24 2004-11-04 Sharp Kabushiki Kaisha 電子写真感光体、電子写真画像形成方法および電子写真装置
US20040222306A1 (en) 2003-05-08 2004-11-11 Anthony Fajarillo Methods, systems and apparatus for displaying bonsai trees
US6914315B2 (en) 2003-05-28 2005-07-05 Vtera Technology Inc. GaN-based heterostructure photodiode
EP1636853A4 (en) 2003-06-12 2007-04-04 Sirica Corp STATIONARY NON-BALANCE DISTRIBUTION FREE CARRIER AND PHOTOENENERGY UPGRADING THEREFORE
US7053412B2 (en) 2003-06-27 2006-05-30 The Trustees Of Princeton University And Universal Display Corporation Grey scale bistable display
US7148463B2 (en) * 2003-07-16 2006-12-12 Triquint Semiconductor, Inc. Increased responsivity photodetector
US6906326B2 (en) 2003-07-25 2005-06-14 Bae Systems Information And Elecronic Systems Integration Inc. Quantum dot infrared photodetector focal plane array
US7381953B1 (en) 2003-07-25 2008-06-03 Public Service Solutions, Inc. Infrared imaging device
WO2005017973A2 (en) 2003-08-18 2005-02-24 Nanosource, Inc. Semiconductor avalanche photodetector with vacuum or gaseous gap electron acceleration region
EP1513171A1 (en) 2003-09-05 2005-03-09 Sony International (Europe) GmbH Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production
US6881502B2 (en) 2003-09-24 2005-04-19 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer
US8884845B2 (en) 2003-10-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and telecommunication system
WO2005050164A2 (en) 2003-11-13 2005-06-02 Georgia Tech Research Corporation Detection systems and methods
US6972431B2 (en) 2003-11-26 2005-12-06 Trustees Of Princeton University Multilayer organic photodetectors with improved performance
US7125635B2 (en) 2003-12-23 2006-10-24 Xerox Corporation Imaging members
AU2005205373B9 (en) 2004-01-20 2010-06-03 Cyrium Technologies Incorporated Solar cell with epitaxially grown quantum dot material
US6943425B2 (en) 2004-01-23 2005-09-13 Intevac, Inc. Wavelength extension for backthinned silicon image arrays
GB0401578D0 (en) 2004-01-24 2004-02-25 Koninkl Philips Electronics Nv Phototransistor
US7151339B2 (en) 2004-01-30 2006-12-19 Universal Display Corporation OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer
JP2005266537A (ja) 2004-03-19 2005-09-29 Stanley Electric Co Ltd 赤外線透過フィルタ及び該赤外線透過フィルタを具備する赤外線投光器
JP2005277113A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 積層型太陽電池モジュール
US20050228277A1 (en) 2004-04-05 2005-10-13 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. System and method for 2D partial beamforming arrays with configurable sub-array elements
US7773139B2 (en) 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
WO2005101530A1 (en) 2004-04-19 2005-10-27 Edward Sargent Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals
US7773404B2 (en) 2005-01-07 2010-08-10 Invisage Technologies, Inc. Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same
JP2006013103A (ja) 2004-06-25 2006-01-12 Sony Corp 有機電界発光素子
US20060014044A1 (en) 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corporation Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules
US7300731B2 (en) 2004-08-10 2007-11-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spatially-doped charge transport layers
KR20060018583A (ko) 2004-08-25 2006-03-02 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 함유하는 백색 발광 유·무기하이브리드 전기 발광 소자
US8026510B2 (en) 2004-10-20 2011-09-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electronic device and method for producing the same
JP2006128437A (ja) 2004-10-29 2006-05-18 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
KR100678291B1 (ko) 2004-11-11 2007-02-02 삼성전자주식회사 나노입자를 이용한 수광소자
US7402831B2 (en) 2004-12-09 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission
TWI278252B (en) 2005-04-04 2007-04-01 Au Optronics Corp Organic light-emitting display device
US7279705B2 (en) 2005-01-14 2007-10-09 Au Optronics Corp. Organic light-emitting device
US20060157806A1 (en) 2005-01-18 2006-07-20 Omnivision Technologies, Inc. Multilayered semiconductor susbtrate and image sensor formed thereon for improved infrared response
US7811479B2 (en) 2005-02-07 2010-10-12 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Polymer-nanocrystal quantum dot composites and optoelectronic devices
US8115093B2 (en) 2005-02-15 2012-02-14 General Electric Company Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same
KR100624307B1 (ko) 2005-02-23 2006-09-19 제일모직주식회사 표시장치용 저반사율의 휘도 향상 다층 광학필름 및 이를이용한 유기발광다이오드 표시장치
JP4839632B2 (ja) 2005-02-25 2011-12-21 ソニー株式会社 撮像装置
US7208738B2 (en) 2005-02-28 2007-04-24 Sundar Natarajan Yoganandan Light source utilizing an infrared sensor to maintain brightness and color of an LED device
EP1855323A4 (en) 2005-03-04 2010-05-05 Panasonic Elec Works Co Ltd MULTILAYER ORGANIC SOLAR BATTERY
JP4567495B2 (ja) 2005-03-11 2010-10-20 株式会社リコー 光波長変換素子
TWI305431B (en) 2005-04-06 2009-01-11 Au Optronics Corp Organic light emitting diode display
ES2297972A1 (es) 2005-05-30 2008-05-01 Universidad Politecnica De Madrid Fotodetector de infrarrojos de banda intermedia y puntos cuanticos.
WO2006130717A2 (en) 2005-06-02 2006-12-07 The Regents Of The University Of California Effective organic solar cells based on triplet materials
WO2006132128A1 (ja) 2005-06-06 2006-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha 正孔注入輸送層用塗液、正孔注入輸送層の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子、及び、その製造方法
KR20070000262A (ko) 2005-06-27 2007-01-02 삼성전자주식회사 Mg-Ag 단일 박막층을 사용한 음극 전극 형성 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자
US7247850B2 (en) 2005-08-05 2007-07-24 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government Infrared imager
WO2007017475A1 (de) 2005-08-08 2007-02-15 Siemens Aktiengesellschaft Organischer photodetektor mit erhöhter empfindlichkeit, sowie verwendung eines triarylmin-fluoren-polymers als zwischenschicht in einem photodetektor
DE102005037290A1 (de) 2005-08-08 2007-02-22 Siemens Ag Flachbilddetektor
KR100720100B1 (ko) 2005-08-23 2007-05-18 한양대학교 산학협력단 다중 이종 헤테로 구조의 정공속박층을 가지는유기발광소자 및 그 제조방법
JP2009509129A (ja) 2005-08-25 2009-03-05 エドワード・サージェント 高利得及び高感度の量子ドット光学デバイス及びその作製方法
CN100424897C (zh) 2005-09-28 2008-10-08 中国科学院上海技术物理研究所 氮化镓基红外-可见波长转换探测器
KR100691567B1 (ko) 2005-10-18 2007-03-09 신코엠 주식회사 유기 전계 발광다이오드 디스플레이 패널의 구동회로 및이를 이용한 디스차아지 방법
US7947897B2 (en) * 2005-11-02 2011-05-24 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic cells utilizing ultrathin sensitizing layer
US8013240B2 (en) * 2005-11-02 2011-09-06 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic cells utilizing ultrathin sensitizing layer
US8021763B2 (en) 2005-11-23 2011-09-20 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent OLED with interlayer
CN104497054B (zh) 2005-12-05 2017-09-22 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物和使用它的发光元件、发光设备和电子设备
US7414294B2 (en) 2005-12-16 2008-08-19 The Trustees Of Princeton University Intermediate-band photosensitive device with quantum dots having tunneling barrier embedded in organic matrix
EP1804309B1 (en) 2005-12-23 2008-07-23 Novaled AG Electronic device with a layer structure of organic layers
KR101288304B1 (ko) 2006-01-27 2013-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 화합물 및 이를 구비한 유기 발광 소자
WO2008060642A2 (en) 2006-02-10 2008-05-22 The Research Foundation Of State University Of New York High density coupling of quantum dots to carbon nanotube surface for efficient photodetection
US20080230120A1 (en) 2006-02-13 2008-09-25 Solexant Corp. Photovoltaic device with nanostructured layers
WO2007098451A1 (en) 2006-02-17 2007-08-30 Solexant Corporation Nanostructured electroluminescent device and display
TWI428659B (zh) 2006-03-02 2014-03-01 Compound Photonics Ltd 光定址型空間光調變器及方法
WO2007099880A1 (en) 2006-03-03 2007-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting material, light emitting element, light emitting device and electronic device
US20080066802A1 (en) 2006-03-23 2008-03-20 Solexant Corp. Photovoltaic device containing nanoparticle sensitized carbon nanotubes
US8247801B2 (en) 2006-03-31 2012-08-21 Imec Organic semi-conductor photo-detecting device
US20080121271A1 (en) 2006-05-03 2008-05-29 Rochester Institute Of Technology Multi-junction, photovoltaic devices with nanostructured spectral enhancements and methods thereof
JP2008016831A (ja) 2006-06-09 2008-01-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 光−光変換デバイス
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
TWI312531B (en) 2006-06-30 2009-07-21 Nat Taiwan Universit Photoelectric device and fabrication method thereof
US7955889B1 (en) 2006-07-11 2011-06-07 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control
US8080824B2 (en) 2006-11-15 2011-12-20 Academia Sinica Suppressing recombination in an electronic device
WO2008140601A1 (en) 2006-12-06 2008-11-20 Solexant Corporation Nanophotovoltaic device with improved quantum efficiency
US7799990B2 (en) 2007-03-12 2010-09-21 Northwestern University Electron-blocking layer / hole-transport layer for organic photovoltaics and applications of same
US20100044676A1 (en) 2008-04-18 2010-02-25 Invisage Technologies, Inc. Photodetectors and Photovoltaics Based on Semiconductor Nanocrystals
CN102017147B (zh) 2007-04-18 2014-01-29 因维萨热技术公司 用于光电装置的材料、系统和方法
WO2009002551A1 (en) 2007-06-26 2008-12-31 Qd Vision, Inc. Photovoltaic devices including quantum dot down-conversion materials useful for solar cells and materials including quantum dots
KR100838088B1 (ko) 2007-07-03 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
WO2009013282A1 (de) 2007-07-23 2009-01-29 Basf Se Photovoltaische tandem-zelle
DE102007043648A1 (de) 2007-09-13 2009-03-19 Siemens Ag Organischer Photodetektor zur Detektion infraroter Strahlung, Verfahren zur Herstellung dazu und Verwendung
KR101460395B1 (ko) 2007-12-13 2014-11-21 테크니온 리서치 엔드 디벨로프먼트 화운데이션 엘티디. 4-6족 반도체 코어-쉘 나노결정을 포함하는 광기전 셀
JP5162271B2 (ja) 2008-02-15 2013-03-13 Ａｇｃテクノグラス株式会社 光学多層膜付きガラス部材とその製造方法
KR20090089073A (ko) 2008-02-18 2009-08-21 삼성모바일디스플레이주식회사 실란일아민계 화합물 및 이를 포함한 유기막을 구비한 유기발광 소자
US20090208776A1 (en) 2008-02-19 2009-08-20 General Electric Company Organic optoelectronic device and method for manufacturing the same
US20090214967A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge using the same
US20090217967A1 (en) 2008-02-29 2009-09-03 International Business Machines Corporation Porous silicon quantum dot photodetector
JP5108806B2 (ja) 2008-03-07 2012-12-26 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び撮像素子
JP5285062B2 (ja) 2008-03-19 2013-09-11 シャープ株式会社 光増感素子及びそれを用いた太陽電池
KR101995371B1 (ko) 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
JP4533939B2 (ja) 2008-04-10 2010-09-01 三菱重工業株式会社 赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法
US7821807B2 (en) 2008-04-17 2010-10-26 Epir Technologies, Inc. Nonequilibrium photodetectors with single carrier species barriers
JP2009272528A (ja) 2008-05-09 2009-11-19 Fujifilm Corp 光電変換素子，光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子
US8362517B2 (en) 2008-06-11 2013-01-29 Plextronics, Inc. Encapsulation for organic optoelectronic devices
JP5258037B2 (ja) 2008-09-08 2013-08-07 国立大学法人京都大学 光電変換素子、その製造方法、及び太陽電池
US20100059097A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
JP2010067802A (ja) 2008-09-11 2010-03-25 Seiko Epson Corp 光電変換装置、電子機器、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法
JP2010087205A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Kaneka Corp 多接合型薄膜光電変換装置
US8766291B2 (en) 2008-10-28 2014-07-01 The Regents Of The University Of Michigan Stacked white OLED having separate red, green and blue sub-elements
TWI407610B (zh) 2008-11-28 2013-09-01 Univ Nat Chiao Tung Infrared light distance sensing device for organic semiconductors
KR101584990B1 (ko) 2008-12-01 2016-01-13 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US7968215B2 (en) 2008-12-09 2011-06-28 Global Oled Technology Llc OLED device with cyclobutene electron injection materials
CN102257651B (zh) 2008-12-19 2014-11-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 透明有机发光二极管
WO2010120393A2 (en) 2009-01-12 2010-10-21 The Regents Of The University Of Michigan Enhancement of organic photovoltaic cell open circuit voltage using electron/hole blocking exciton blocking layers
US8563850B2 (en) 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
DE102009018647A1 (de) 2009-04-23 2010-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP2010263030A (ja) 2009-05-01 2010-11-18 Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku 有機ｅｌ素子
GB2470006B (en) 2009-05-05 2012-05-23 Cambridge Display Tech Ltd Device and method of forming a device
TWI380490B (en) 2009-05-05 2012-12-21 Univ Nat Chiao Tung Organic photosensitive photoelectric device
GB0909818D0 (en) 2009-06-08 2009-07-22 Isis Innovation Device
WO2010142575A2 (en) 2009-06-11 2010-12-16 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Tandem solar cell integrated in a double insulating glass window for building integrated photovoltaic applications
JP2011098948A (ja) * 2009-06-25 2011-05-19 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology ビピリジン誘導体及びそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子
US9496315B2 (en) 2009-08-26 2016-11-15 Universal Display Corporation Top-gate bottom-contact organic transistor
JP5573841B2 (ja) 2009-09-18 2014-08-20 コニカミノルタ株式会社 タンデム型有機光電変換素子、および太陽電池
JP2011065927A (ja) 2009-09-18 2011-03-31 Toshiba Corp 発光装置
DK2483926T3 (en) 2009-09-29 2019-03-25 Res Triangle Inst Optoelectronic devices with quantum dot-fullerene transition
US9054262B2 (en) 2009-09-29 2015-06-09 Research Triangle Institute Integrated optical upconversion devices and related methods
US20110073835A1 (en) 2009-09-29 2011-03-31 Xiaofan Ren Semiconductor nanocrystal film
KR101608903B1 (ko) 2009-11-16 2016-04-20 삼성전자주식회사 적외선 이미지 센서
EP2504675A4 (en) 2009-11-24 2016-08-17 Univ Florida METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING INFRARED RADIATION
CN101794834B (zh) 2009-12-14 2013-06-12 湖南共创光伏科技有限公司 设有上转换荧光材料膜层的高效太阳能薄膜电池及其膜层制备方法
EP2577747B1 (en) 2010-05-24 2018-10-17 University of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
CN101872793B (zh) 2010-07-02 2013-06-05 福建钧石能源有限公司 叠层太阳能电池及其制造方法
WO2012021968A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Dayan Ban Organic/inorganic hybrid optical amplifier with wavelength conversion
AU2011332300A1 (en) 2010-11-23 2013-06-06 Nanoholdings, Llc IR photodetectors with high detectivity at low drive voltage
WO2012071107A1 (en) 2010-11-23 2012-05-31 Qd Vision, Inc. Device including semiconductor nanocrystals & method
KR101890748B1 (ko) 2011-02-01 2018-08-23 삼성전자주식회사 멀티 스택 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서의 화소 및 그 제조방법
EP2666190A4 (en) 2011-02-28 2017-07-26 University of Florida Research Foundation, Inc. Up-conversion devices with a broad band absorber
AU2012299422A1 (en) 2011-02-28 2013-09-12 Nanoholdings, Llc Photodetector and upconversion device with gain (EC)
WO2012138651A2 (en) 2011-04-05 2012-10-11 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for integrating an infrared (ir) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell
BR112013031160A2 (pt) 2011-06-06 2017-02-07 Nanoholdings Llc dispositivo de conversão de infravermelho para visível transparente
RU2013158842A (ru) 2011-06-06 2015-07-20 Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк. Инфракрасное устройство отображения, объединяющее устройство преобразования инфракрасного излучения с повышением частоты с датчиком изображения на кмоп-структуре
WO2012168192A2 (en) 2011-06-07 2012-12-13 Bayer Intellectual Property Gmbh Synthesis of highly fluorescing semiconducting core-shell nanoparticles based on ib, iib, iiia, via elements of the periodic classification.
WO2012178071A2 (en) 2011-06-23 2012-12-27 Brown University Device and methods for temperature and humidity measurements using a nanocomposite film sensor
RU2014102650A (ru) 2011-06-30 2015-08-10 Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк. Усиливающий инфракрасный фотодетектор и его применение для обнаружения ик-излучения
JP5853486B2 (ja) 2011-08-18 2016-02-09 ソニー株式会社 撮像装置および撮像表示システム
EP2599898A1 (en) 2011-12-01 2013-06-05 Bayer Intellectual Property GmbH Continuous synthesis of high quantum yield InP/ZnS nanocrystals
CN104956483A (zh) 2013-01-25 2015-09-30 佛罗里达大学研究基金会有限公司 使用溶液处理pbs光探测器的新型ir图像传感器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040031965A1 (en) * 2002-08-16 2004-02-19 Forrest Stephen R. Organic photonic integrated circuit using an organic photodetector and a transparent organic light emitting device
CN1532959A (zh) * 2003-03-18 2004-09-29 ��˹���´﹫˾ P型材料及用于电子器件的混合物
US20110031403A1 (en) * 2006-09-29 2011-02-10 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for infrared detection and display
US20110079706A1 (en) * 2007-12-18 2011-04-07 Michalewicz Marek T Quantum tunneling photodetector array

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934538A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 株式会社东芝 有机光电转换元件及摄像装置
CN107210312A (zh) * 2015-07-08 2017-09-26 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
CN107210312B (zh) * 2015-07-08 2022-03-11 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
US11127909B2 (en) 2016-03-24 2021-09-21 Sony Corporation Photoelectric conversion element, measuring method of the same, solid-state imaging device, electronic device, and solar cell
US11711931B2 (en) 2016-03-24 2023-07-25 Sony Group Corporation Photoelectric conversion element, measuring method of the same, solid-state imaging device, electronic device, and solar cell
CN108205001A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 财团法人交大思源基金会 气体侦测器
CN108831905A (zh) * 2018-05-28 2018-11-16 东南大学 一种基于半导体量子点的红外探测-可见光显示集成系统、制备方法及成像方法
CN110265561A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 深圳扑浪创新科技有限公司 一种纯量子点上转换发光器件及其制备方法
CN110400862A (zh) * 2019-07-29 2019-11-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种红外热辐射光源及红外传感器
CN111628093A (zh) * 2020-05-13 2020-09-04 电子科技大学 一种高效率有机上转换器件
CN111628093B (zh) * 2020-05-13 2021-06-29 电子科技大学 一种高效率有机上转换器件

Also Published As

Publication number Publication date
CA2840498A1 (en) 2013-01-03
WO2013003850A2 (en) 2013-01-03
EP2727154A2 (en) 2014-05-07
KR102059208B1 (ko) 2020-02-07
CN103733355B (zh) 2017-02-08
EP2727154A4 (en) 2015-03-04
JP2014521214A (ja) 2014-08-25
JP6502093B2 (ja) 2019-04-17
US20170117335A1 (en) 2017-04-27
JP6513733B2 (ja) 2019-05-15
KR20140064767A (ko) 2014-05-28
AU2012275060A1 (en) 2014-01-30
RU2014102650A (ru) 2015-08-10
US10134815B2 (en) 2018-11-20
MX2013015214A (es) 2014-03-21
EP2727154B1 (en) 2019-09-18
JP2017175149A (ja) 2017-09-28
WO2013003850A3 (en) 2013-04-11
BR112013033122A2 (pt) 2017-01-24
US20140217284A1 (en) 2014-08-07
WO2013003850A8 (en) 2013-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103733355A (zh) 用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备
CN103765588B (zh) 集成ir上转换器件和cmos图像传感器的红外成像器件
CN103460404B (zh) 具有宽带吸收体的上转换器件
US20150372046A1 (en) A NOVEL IR IMAGE SENSOR USING A SOLUTION-PROCESSED PbS PHOTODETECTOR
EP2577747B1 (en) Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
JP6219172B2 (ja) ゲインを有する光検出器及びアップコンバージョン装置（ｅｃ）
CN103597624A (zh) 透明红外-可见光上转换器件
EP2695214A2 (en) Method and apparatus for providing a window with an at least partially transparent one side emitting oled lighting and an ir sensitive photovoltaic panel
AU2011360920A1 (en) Up-conversion devices with a broad band absorber

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170208

Termination date: 20200702

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee