CN103320756A - 高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法,属于有色靶材制备技术领域。其步骤包括:混粉、压块、预烧还原、真空处理、整型、热等静压用包套加工、包套装料、包套脱气封焊、热等静压处理、加工成品。本发明所制备的钼合金靶材平面尺寸能达到1300mm×850mm,抗弯强度达800MPa以上,致密度达99.0%以上,纯度达99.9%以上。与已公布的技术相比,本发明的工艺具有成本低、效率高、纯度高、性能高的特点和优势。
Description
技术领域
本发明属于有色靶材制备技术领域,特别是涉及一种高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法,所制靶材综合性能高,适用于平板显示领域镀膜用钼合金靶材的制备。
背景技术
随着平板显示器在显示领域的日渐普及,钼合金靶材作为一种新型的平板显示器布线镀膜用靶材,用量也在日益增加,特别是对高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的需求增加更快。
专利JP-2008-280570A公布了一种钼铌合金靶材的制备方法。其制备工艺可以概括为:Mo粉预烧(制备相对密度80%以上的烧结体)、将预烧体加工制备Mo二次粉末、将Mo二次粉末还原处理、还原后Mo二次粉末与Nb粉混粉、将混合粉进行压力烧结(如HIP)、热塑性加工。
专利WO 2009134771A1公布了一种钼合金靶材的制备方法。其制备工艺可以概括为:Mo粉与添加元素粉混粉、混合均匀的粉体压制生坯、生坯装入容器(或通过热喷涂等方法将坯料表面致密化)、压力烧结(如HP、HIP等)。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法,所制靶材综合性能高,适用于平板显示领域镀膜用钼合金靶材的制备。
本发明所制备的钼合金靶材,纯度在99.9%以上;致密度在99.0%以上;抗弯强度在800MPa以上;平面尺寸可达1300mm×850mm以上。
本发明制备方法包括以下工艺步骤:
(1)混粉:将Mo粉与金属族群Nb、Ta、W、Cr、Ti、Zr、Hf、V、Co粉中的至少一种金属元素按比例称量后,用混料机混合均匀,Mo与添加元素的重量比例范围在99:1~40:60之间;混料方式优先选用三维混合。Mo粉选择纯度99.9%以上,费氏粒度2~8μm的粉体;
(2)压块:将混合均匀的粉料通过冷等静压(CIP)成型或油压机模压成块。压力50~300MPa,优选100~200MPa;
(3)预烧还原:将压坯在流动氢气气氛烧结炉内进行预烧还原,预烧温度1200~1300℃,保温时间2~8h;
(4)真空处理:将预烧还原的坯料在真空炉内进行真空处理,要求真空炉真空度达到1×10-3Pa,真空处理温度800~1800℃,优选1500~1800℃;
(5)整型:将真空处理后坯料用铣床进行整形加工,整型成合适的尺寸,要求表面粗糙度不大于Ra 12.5;
(6)热等静压用包套加工:选用不锈钢、碳钢或钛作为包套材料,按图纸加工成所需形状尺寸,然后用氩弧焊机或等离子焊机焊接包套体;
(7)包套装料:将整形加工后预烧坯料逐件装入热等静压用包套,要求各坯料之间紧密结合,保证在任意一个方向上,各坯料之间的间隙之和不大于1mm,并且任意一侧包套内壁跟与之相邻的坯料之间的间隙不大于1.5mm;
(8)包套脱气封焊:脱气温度400~600℃,真空度达1×10-2Pa后,用氩弧焊机或等离子焊机将包套封焊;
(9)热等静压处理:将脱气封焊后包套放入热等静压炉内进行热等静压处理,处理温度700~1500℃,压力100~200MPa,保温保压时间2~6h;
(10)加工成品:将热等静压坯料去除包套后,用线切割、铣加工、磨加工等加工方式加工成符合用户要求的成品。
本发明的创新点
相对于已公布技术,本发明的创新点主要有以下几点:
(1)本发明中,压坯还原预烧温度优选低温预烧(1200~1300℃),在该温度段还原后的坯料,氧含量能达到500ppm以下,完全能够满足要求。与已公布技术中高温预烧相比,起到了节能降耗、降低成本的效果。
(2)本发明中,经过还原处理的粉体和坯料都要进行真空处理,目的是脱除氢气还原过程中具有吸氢特性的金属(如Nb、Ta、Ti、V等)所吸附的氢,并可以在一定程度上脱除活性金属(如Nb、Ta、Ti、V等)氧化物,从而可以进一步降低制品的氧含量。
本发明的优势
本发明通过粉末冶金结合HIP致密化工艺方法,可以规模化生产大尺寸、高纯度、高致密度、高性能钼合金靶材,所制备的钼合金靶材微观组织均匀,无偏析等不均问题。由于热等静压机的缸体容量可以很大(例如直径能达到1米以上,高度能达到2米以上),因此该方法能够生产大尺寸的钼合金靶材(平面尺寸能达1300mm×850mm上),并且单炉产量大,生产效率高。
附图说明
图1为本发明制备的钼铌合金的一幅金相照片。
图2为本发明制备的钼铌合金的另一幅金相照片。
具体实施方式
选取费氏粒度2.8μm,纯度99.9%的钼粉、粒度-100目,纯度99.95%的铌粉、粒度-100目,纯度99.95%的钽粉、粒度-200目,纯度99.8%的钛粉、粒度-200目,纯度99.9%的铬粉、费氏粒度6μm,纯度99.9%的钨粉、粒度-100目,纯度99.9%的锆粉、粒度-200目,纯度99.9%的铪粉、粒度-200目,纯度99.9%的钒粉、费氏粒度3μm,纯度99.9%的钴粉为原料。表1列出了实施例1~15的原料组成、制备工艺参数及制品性能参数。制备步骤包括:
(1)按重量比分别称取Mo粉和添加元素粉末进行配料;
(2)将以上配料在三维混料机中混合3小时;
(3)将混合均匀的原料粉体进行压块;
(4)将压坯在流动氢气气氛烧结炉内进行预烧还原;
(5)将预烧还原的坯料在真空炉内进行真空处理,要求真空炉真空度达到1×10-3Pa;
(6)将真空处理后坯料用铣床进行整形加工,整型坯料尺寸为300mm×200mm×100mm,要求表面粗糙度不大于Ra 12.5;
(7)选用不锈钢板作为包套材料,裁切下料后用等离子焊机焊接成装料尺寸1503mm×1003mm×101mm的包套体;
(8)将25件(6)中整形的坯料逐件装入热等静压用包套,要求各坯料之间紧密结合,保证在任意一个方向上,各坯料之间的间隙之和不大于1mm,并且任意一侧包套内壁跟与之相邻的坯料之间的间隙不大于1.5mm。
(9)将装好坯料的包套放入脱气炉中,边加热边脱气,真空度达到1×10-2Pa后,用等离子焊机将包套封焊;
(10)将封焊好的包套放入热等静压炉进行热等静压处理;
(11)将热等静压坯料去除包套后,用线切割、铣加工、磨加工方式加工成品,成品尺寸1300mm×850mm×8mm。
表1实施例原料组成、工艺参数及制件性能
Claims (5)
1.一种高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法,其特征在于,包括以下工艺步骤:
(1)混粉:将Mo粉与作为添加元素的金属族群Nb、Ta、W、Cr、Ti、Zr、Hf、V、Co粉中的至少一种金属元素按比例称量后,用混料机混合均匀,Mo与添加元素的重量比例范围在99:1~40:60之间;
(2)压块:将混合均匀的粉料通过冷等静压或油压机模压成块,压力50~300MPa;
(3)预烧还原:将压坯在流动氢气气氛烧结炉内进行预烧还原;预烧温度1200~1300℃,保温时间2~8h;
(4)真空处理:将预烧还原的坯料在真空炉内进行真空处理,要求真空炉真空度达到1×10-3Pa,真空处理温度800~1800℃;
(5)整型:将真空处理后坯料用铣床进行整形加工,整型成合适的尺寸,要求表面粗糙度不大于Ra 12.5;
(6)热等静压用包套加工:选用不锈钢、碳钢或钛作为包套材料,按图纸加工成所需形状尺寸,然后用氩弧焊机或等离子焊机焊接包套体;
(7)包套装料:将整形加工后预烧坯料逐件装入热等静压用包套,要求各坯料之间紧密结合,保证在任意一个方向上,各坯料之间的间隙之和不大于1mm,并且任意一侧包套内壁跟与之相邻的坯料之间的间隙不大于1.5mm;
(8)包套脱气封焊:脱气温度400~600℃,真空度达1×10-2Pa后,用氩弧焊机或等离子焊机将包套封焊;
(9)热等静压处理:将脱气封焊后包套放入热等静压炉内进行热等静压处理,处理温度700~1500℃,压力100~200MPa,保温保压时间2~6h;
(10)加工成品:将热等静压坯料去除包套后,用线切割、铣加工、磨加工加工方式加工成符合用户要求的成品。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中压力为100~200MPa。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中真空处理温度1500~1800℃。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所制备的钼合金靶材平面尺寸能达到1300mm×850mm。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所制备的钼合金靶材抗弯强度达800MPa以上,致密度达99.0%以上,纯度达99.9%以上。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310247053.9A CN103320756B (zh) | 2013-06-20 | 2013-06-20 | 高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103320756A true CN103320756A (zh) | 2013-09-25 |
CN103320756B CN103320756B (zh) | 2016-03-02 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310247053.9A Active CN103320756B (zh) | 2013-06-20 | 2013-06-20 | 高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN111876621A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-11-03 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种低氧钼铌合金、管材及制备方法 |
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CN114293160A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-04-08 | 洛阳高新四丰电子材料有限公司 | 一种钼合金溅射靶材的制备工艺 |
CN114318101A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-12 | 合肥工业大学 | 一种高致密、细晶粒钼钽合金及其制备方法 |
CN114799460A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-07-29 | 安泰天龙钨钼科技有限公司 | 一种扩散连接制备多层复合阳极基体的方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN103320756B (zh) | 2016-03-02 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |