CN103238130B - 静电电容式传感器片及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明具备：成膜工序，在具有透光性的基材(2)的至少一个表面形成透光性导电膜薄膜(11)；辅助电极形成工序，在薄膜(11)的至少一部分设定起透明电极(3)作用的电极区域(3a)，并以覆盖电极区域(3a)周缘的至少一部分的方式层压电阻低于薄膜(11)的辅助电极(4a)；配线形成工序，将一端连接到辅助电极(4a)的配线(4b)层压在薄膜(11)上；抗蚀剂层压工序，以覆盖整个电极区域(3a)和至少一部分辅助电极4a的方式层压抗蚀剂(12)；以及导电膜去除工序，去除在具有透光性的基材(2)上形成的薄膜(11)中位于不与抗蚀剂(12)、辅助电极(4a)、以及配线(4b)重叠的位置的薄膜(11)。

Description

静电电容式传感器片及其制造方法
技术领域
本发明涉及具有透明电极的静电电容式传感器片及其制造方法。本申请基于并要求于2011年2月4日提交的日本专利申请2011-022850号的优先权，其全部内容结合于此，作为参考。
背景技术
一直以来，为了改善信息终端的用户界面，对用于检测使用者的手指等的触摸情况的传感器片的各种结构进行研究。例如，专利文献1中公开有利用静电电容方式检测与人的手指等之间的静电电容的变化的传感器。
专利文献1记载的传感器在透明电极外周的至少一部分上设置有比透明电极电阻低的辅助电极，能够抑制检测灵敏度不均。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：特开2006-266695号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，专利文献1记载的传感器，其制造工序中透明电极和辅助电极的位置产生偏移时，存在透明电极和辅助电极的导通面积因偏移量而不均的可能性。另外，如果为了防止透明电极和辅助电极的导通面积因偏移量而不均从而希望高精度地对透明电极和辅助电极进行定位，则存在制造工序变得复杂的问题。
鉴于上述情况，本发明的目的在于提供能够抑制透明电极和辅助电极的导通面积不均的静电电容式传感器片及其制造方法。
解决技术问题的技术方案
本发明的静电电容式传感器片的制造方法，其特征在于，包括：成膜工序，在具有透光性的基材的至少一个表面形成透光性导电膜；辅助电极形成工序，在上述透光性导电膜的至少一部分设定起透明电极作用的电极区域，并以覆盖上述电极区域的周缘的至少一部分的方式层压电阻低于上述透光性导电膜的辅助电极；配线形成工序，将一端连接到上述辅助电极的配线层压在上述透光性导电膜上；抗蚀剂层压工序，以覆盖整个上述电极区域和至少一部分上述辅助电极的方式层压抗蚀剂；以及导电膜去除工序，去除在上述具有透光性的基材上形成的上述透光性导电膜中位于不与上述抗蚀剂、上述辅助电极及上述配线重叠的位置的透光性导电膜。
优选地，在上述导电膜去除工序中，通过等离子体蚀刻来去除上述透光性导电膜，上述导电膜去除工序之后，还包括去除上述抗蚀剂的抗蚀剂去除工序。
而且，在上述抗蚀剂层压工序中，层压透光性抗蚀剂作为上述抗蚀剂。
本发明的静电电容式传感器片，其特征在于，包括：基材，具有透光性；透明电极，包括形成在上述基材的至少一个表面的透光性导电膜；以及辅助电极，是电阻比上述透明电极低且层压在上述透明电极的周缘上的膜状的电极，并且，上述辅助电极的轮廓线的至少一部分位于从与上述表面正交的方向观察到的上述透明电极的轮廓线上。
本发明的静电电容式传感器片，还可以包括：配线，一端连接到上述辅助电极，且上述配线被层压在上述透光性导电膜上；以及透光性抗蚀剂，覆盖上述电极区域的至少一部分和上述辅助电极的至少一部分，上述透光性抗蚀剂的轮廓线位于从与上述表面正交的方向观察未被上述辅助电极覆盖的上述透明电极的轮廓线上。
上述透光性抗蚀剂可以包含热固化型聚酯类树脂。
上述配线的至少一部分可以被上述透光性抗蚀剂覆盖。
上述透明电极可以被设置在上述基材的两个表面，上述静电电容式传感器片还具备电阻比上述透明电极低且被层压在上述透明电极的周缘上的膜状的辅助电极，上述辅助电极被配置成上述辅助电极的轮廓线的一部分位于从与上述表面正交的方向观察到的上述透明电极的轮廓线上。
发明效果
根据本发明的传感器片及其制造方法，能够抑制透明电极和辅助电极的导通面积不均。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的静电电容式传感器片的俯视图。
图2是图1的A-A线剖视图。
图3是图2一部分的放大图。
图4是表示本发明的第一实施方式的静电电容式传感器片的制造方法的流程图。
图5是用于说明该实施方式的制造方法的图。
图6是用于说明该实施方式的制造方法的图。
图7是用于说明该实施方式的制造方法的图。
图8是用于说明该实施方式的制造方法的图。
图9是用于说明该实施方式的制造方法的图。
图10是表示本发明的第二实施方式的静电电容式传感器片的图，是以与图1的B-B线相同的截面表示的剖视图。
图11是表示该实施方式的静电电容式传感器片的制造方法的流程图。
图12是用于说明该实施方式的制造方法的图。
图13是用于说明该实施方式的制造方法的图。
图14是表示本发明的第三实施方式的静电电容式传感器片1B的俯视图。
图15是图14的放大图。
图16是图15的C-C线剖视图。
图17是图15的D-D线剖视图。
图18是表示本发明的第四实施方式的静电电容式传感器片的俯视图。
图19是该静电电容式传感器片的后视图。
图20是图18的E-E线剖视图。
具体实施方式
第一实施方式
对本发明的第一实施方式的静电电容式传感器片1及其制造方法进行说明。
首先，参照图1至图3对静电电容式传感器片1的结构进行说明。图1是本实施方式的静电电容式传感器片1的俯视图。图2是图1的A-A线剖视图。图3是图2中符号X所示部分的放大图。图1中省略覆盖膜8的图示。
静电电容式传感器片1例如用作液晶显示器的触摸型输入装置。
如图1及图2所示，静电电容式传感器片1包括基材2、透明电极3、信号线4及覆盖膜8。
基材2是由具有透光性的绝缘材料形成的膜状、片状、或板状部件。作为基材2的材料可以适当使用包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、丙烯酸类树脂等硬质材料，或者热可塑性聚氨酯、热固化型聚氨酯、有机硅橡胶等弹性材料的材料。
作为可用作基材2的材料的硬质材料的具体例，可以列举出：聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚偏氟乙烯、聚芳酯等树脂材料。这些树脂材料中，从强度等观点出发，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯作为基材2的材料。作为基材2的材料，也可以采用玻璃、透明金属氧化物。
基材2的厚度优选为10μm以上～200μm以下。如果基材2的厚度为10μm以上，则基材2不易断裂，如果基材2的厚度为200μm以下，则能够使静电电容式传感器片1变薄。
采用ITO(铟锡氧化物)、FTO(掺氟氧化锡)、聚噻吩、聚苯胺等具有透明性的导电性聚合物等具有透光性的导电性材料，通过印刷或涂布等在基材2上形成矩形的透明电极3。
作为透明电极3的具体材料，例如可以适当使用聚噻吩类导电性油墨(例如，信越聚合物(株)制、产品名SEPLEGYDA(注册商标))等。此外，虽然与SEPLEGYDA(注册商标)相比透明性差，但也可以采用含有金、银、铜、ITO等金属材料或金属氧化物的薄膜，含有金属纳米线、碳纳米管的油墨等作为透明电极3的材料。
作为可用作透明电极3的材料的导电性聚合物的具体例，可以列举出：聚吡咯、聚(N-甲基吡咯)、聚(3-甲基噻吩)、聚(3-甲氧基噻吩)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)。
通过印刷或涂布形成透明电极3时，构成透明电极3的导电性涂膜的厚度优选为0.05μm以上且5μm以下，更优选为0.1μm以上且1μm以下。如果导电性涂膜的厚度为0.05μm以上，则能够恰当地确保导电性，如果在0.1μm以上，则作为检测灵敏度可以稳定地获得足够的表面电阻即600Ω/□。如果导电性涂膜的厚度为5μm以下，则能够容易地形成涂膜。
信号线4具有与透明电极3连接的辅助电极4a以及一端与辅助电极4a连接的配线4b。
辅助电极4a是具有比透明电极3低的电阻且被设置为覆盖透明电极3周缘的一部分的膜状电极。例如，如果使用含有银粒子的油墨作为辅助电极4a的材料，则辅助电极4a的表面电阻为1Ω/□以下。如果使用含碳油墨作为辅助电极4a的材料，则辅助电极4a的表面电阻为150Ω/□以下。
如图1及图3所示，辅助电极4a的形状为从与基材2表面正交方向观察到的形状是大致矩形形状，且辅助电极4a的轮廓线的一部分位于从与基材2表面正交方向观察的透明电极3的轮廓线上。辅助电极4a层压在透明电极3的周缘上，与透明电极3紧密贴合而形成导通状态。作为辅助电极4a的材料，可以采用含有银、铜、或金等金属粒子的油墨、含有碳或石墨的油墨、以及金属箔等。
配线4b具有由与透明电极3相同材料形成的第一层6以及具有比透明电极3低的电阻的第二层7，从而整体上比透明电极3电阻低。本实施方式中，配线4b的第二层7由与辅助电极4a相同的材料形成。如图1所示，配线4b的一端与辅助电极4a连接，配线4b的另一端延伸至基材2的周缘部。配线4b的另一端设置有包含金或碳等的连接焊垫5。连接焊垫5露出至外部，用于连接未图示的检测电路。
如图2所示，覆盖膜8是在具有透光性的树脂薄膜9的一个面上具有粘接剂10的膜。作为覆盖膜8的材料，例如可以采用感光性干膜、UV固化型抗蚀剂材料、热固化型抗蚀剂材料等。覆盖膜8以覆盖透明电极3以及信号线4的方式形成为规定的形状(本实施方式中为矩形)。
构成覆盖膜8的树脂膜9以例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、丙烯酸类树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚偏氟乙烯、聚芳酯等树脂为材料而形成。覆盖膜8中，还可以使用具有由玻璃或透明金属氧化物等形成的膜来代替树脂膜9，或者与树脂膜9一起使用。
作为粘接剂10的具体例可以列举出丙烯酸类树脂。
其次，以制造具有上述结构的静电电容式传感器片1的工序为例，对本发明的第一实施方式的静电电容式传感器片制造方法进行说明。
图4是表示本实施方式的静电电容式传感器片1的制造方法的流程图。图5至图9是用于说明通过本实施方式的制造方法制造静电电容式传感器片1的工序的图。
为了制造静电电容式传感器片1，首先如图5所示，在具有透光性的基材2的一个表面上形成SEPLEGYDA(注册商标)的膜11(本实施方式中的透光性导电膜)(图4所示步骤S1(成膜工序))。
步骤S1中，通过涂布或印刷等方法在基材2的一个表面上涂膜SEPLEGYDA(注册商标)溶液。作为SEPLEGYDA(注册商标)的涂布方法，可以适当采用利用了凹版涂布机、模涂布机、棒涂布机、辊涂布机等的公知的涂布方法。作为SEPLEGYDA(注册商标)溶液的印刷方法，可以适当采用凹版印刷和胶印等印刷方法。步骤S1中，SEPLEGYDA(注册商标)的溶液均匀地印刷在整个表面上。之后，对印刷到基材2上的SEPLEGYDA(注册商标)溶液进行加热干燥或紫外线固化等固化处理从而形成薄膜状。
至此，步骤S1结束，进入信号线形成工序。
如图6所示，信号线形成工序是在SEPLEGYDA(注册商标)膜11的至少一部分上设定起透明电极3作用的电极区域3a(图4所示步骤S2)，根据电极区域3a的位置形成作为配线4b的一部分的第二层7以及辅助电极4a(图4所示步骤S3及步骤4)的工序。
本实施方式中，电极区域3a包括辅助电极4a。电极区域3a中除去形成辅助电极4a的部分之外的区域构成具有透光性的透光区域。该透光区域是能够使用于照亮静电电容式传感器片1的照明光透过的区域。
信号线形成工序中设定的电极区域3a是根据静电电容式传感器片1制造工序结束后的透明电极3的位置及形状而设定的。并且，辅助电极4a被设置在电极区域3a内，并以辅助电极4a覆盖电极区域3a周缘(图6中以符号P表示)的至少一部分的方式形成辅助电极4a。
本实施方式中，在SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11上印刷第二层7，作为与辅助电极4a连接的图案。本实施方式中，通过以银浆料为材料的丝网印刷在同一工序中形成辅助电极4a及第二层7的图案。
这样，本实施方式中，在信号线形成工序中，同时进行形成辅助电极4a的辅助电极形成工序(图4所示的步骤S3)以及形成配线4b的配线形成工序(图4所示的步骤S4)这两个工序。
而且，信号线形成工序中，在形成第二层7之后，进一步地在第二层7上形成连接焊垫5(参照图1)。
信号线形成工序中，可以使用与第二层7相同的材料形成用于修整静电电容式传感器片1的外形形状的对齐标记。
至此，信号线形成工序结束，并进入抗蚀剂层压工序(图4所示的步骤S5)。
抗蚀剂层压工序是在形成有SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11以及信号线4的基材2上层压抗蚀剂12的工序。
如图7所示，抗蚀剂层压工序中以覆盖整个电极区域3a的方式层压抗蚀剂12。本实施方式中，电极区域3a内设置有辅助电极4a，因此抗蚀剂12以也覆盖辅助电极4a的方式被层压。抗蚀剂层压工序中使用的抗蚀剂12是对等离子体蚀刻具有耐性的抗蚀剂。具体而言，通过使用涂布有粘接剂的树脂膜作为抗蚀剂12，并将该树脂薄膜剪裁成规定的图案后粘贴到电极区域3a，从而形成抗蚀剂12的层。而且，也可以将固化后能够剥离的剥离性掩膜材料以丝网印刷方式形成图案形状。
作为抗蚀剂12的材料的具体例，可以列举出热固化型树脂(聚酯类树脂、氨基甲酸酯类树脂等)。作为抗蚀剂12的材料的其他具体例，可以列举出热可塑性树脂(聚酯类树脂、乙烯类树脂、聚酯聚氨酯类树脂、丙烯酸类树脂等)。除此之外，抗蚀剂层压工序中，也可以使用对干膜、铝等金属板进行激光、冲孔等加工后形成有缝隙的掩膜板。
可以认为用包含金属的材料形成上述对齐标记时，由于后述导电膜去除工序中的等离子体蚀刻而使对齐标记中所含有的金属发热的可能性。与此对应，为了防止等离子体与对齐标记接触，可以在对齐标记上层压抗蚀剂12。
至此，抗蚀剂层压工序结束，进入导电膜去除工序(图4所示的步骤S6)。
导电膜去除工序是从形成有SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11、信号线4以及抗蚀剂12的基材2上去除SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11的一部分的工序。
如图8所示，导电膜去除工序中，通过等离子体蚀刻去除成膜在基材2上的SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11中的位于不与抗蚀剂12、辅助电极4a以及第二层7中任一方重叠的位置的SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11。通过导电膜去除工序，将电极区域3a中的SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11形成为透明电极3。通过导电膜去除工序，将与第二层7重叠的SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11形成为与第二层7重叠形状的第一层6。由此，由第一层6和第二层7构成配线4b。
至此，导电膜去除工序结束，进入抗蚀剂去除工序(图4所示的步骤S7)。
如图9所示，抗蚀剂去除工序是在导电膜去除工序之后去除抗蚀剂12的工序。本实施方式中，通过剥离被粘贴的抗蚀剂12来去除抗蚀剂12。
至此，抗蚀剂去除工序结束，进入覆盖膜粘贴工序(图4所示的步骤S8)。
如图2所示，覆盖膜粘贴工序是在形成有透明电极3以及信号线4的基材2上粘贴上述覆盖膜8的工序。
覆盖膜粘贴工序中，在露出连接焊垫5(参照图1)的状态下通过用覆盖膜8覆盖透明电极3以及信号线4来保护信号线4和透明电极3。
至此，覆盖膜粘贴工序结束，制造静电电容式传感器片1的一系列工序结束。
其次，对本实施方式的静电电容式传感器片1的作用进行说明。
静电电容式传感器片1的透明电极3是通过在SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11上形成信号线4之后，在导电膜去除工序中去除SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11的一部分而形成的。因此，在透光性导电膜上形成信号线4时即使信号线4的整个图案的位置相对于基材2偏移，透明电极3和辅助电极4a的导通面积也不受信号线形成工序中辅助电极4a位置有无偏移及位置偏移量的影响而保持一定。
修整基材2的外形形状时如果以信号线4的图案位置为基准进行修整，则得到无位置偏移的静电电容式传感器片1。
这样，根据本实施方式的静电电容式传感器片1，能够抑制透明电极3和辅助电极4a的导通面积的不均。其结果，在本实施方式中，与通过沿预成形的透明电极的周缘来确定辅助电极的位置以进行配置从而制造成的传感器片相比，能够减少灵敏度的个体差异。
根据本实施方式的静电电容式传感器片1的制造方法，能够通过简单的手法提高辅助电极4a和透明电极3的定位精度。
第二实施方式
其次，对本发明的第二实施方式的静电电容式传感器片1A及其制造方法进行说明。本实施方式中，赋予与上述第一实施方式中说明的静电电容式传感器片1以及静电电容式传感器片1的制造方法相同的结构要素以相同的符号，并省略重复说明。
图10是表示本实施方式的静电电容式传感器片1A的结构的剖视图，是与图1的B-B线相同的剖面指示线的剖视图。
如图10所示，静电电容式传感器片1A在透明电极3和覆盖膜8之间具有透光性抗蚀剂12A这点上，与上述静电电容式传感器片1结构不同。
透光性抗蚀剂12A是对等离子体蚀刻具有耐性的抗蚀剂。作为透光性抗蚀剂12A例如可以采用树脂制透明粘合薄膜。也可以采用利用透明绝缘油墨经过丝网印刷成图案形状后的产物作为透光性抗蚀剂12A。也可以采用将透明导电膜形成图案形状后的产物作为透光性抗蚀剂12A。
作为透光性抗蚀剂12A材料的具体例，可以列举出热固化型树脂(聚酯类树脂、氨基甲酸酯类树脂、环氧树脂、丙烯酸类树脂、硅类树脂等)。
作为透光性抗蚀剂12A的其他具体例，可以采用溶剂蒸发干燥型树脂(聚酯类树脂、乙烯类树脂、聚酯聚氨酯类树脂等)以及包含可见光固化型、紫外线固化型及电子束固化型树脂的光固化型树脂(丙烯酸类树脂、丙烯酸聚氨酯树脂等)。
由于热固化型树脂以及溶剂蒸发干燥型树脂固化后残留的低分子成分少、不易对透明电极3造成影响，因此优选作为透光性抗蚀剂12A的材料。
对于具有透光性抗蚀剂12A的静电电容式传感器片1A的总透光率，以在透过透明电极3的部分是50％以上为好，优选为70％以上，更优选为80％以上。
如果总透光率高，则能够提高应用到触摸板和照明式触摸平板时的清晰程度。特别是，对于触摸板等大面积的情况，优选总透光率高。
同样，雾度值在20％以下为好，优选为15％以下，更优选为10％以下。雾度值低时，静电电容式传感器片的背面侧设置有液晶等显示体时的清晰程度变高。
其次，对本实施方式的静电电容式传感器片1A的制造方法进行说明。
图11是表示本实施方式的静电电容式传感器片1A的制造方法的流程图。图12及图13是用于说明本实施方式的制造方法的一部分工序的图。
本实施方式的制造方法中，具有层压透光性抗蚀剂12A的抗蚀剂层压工序(图11所示的步骤S15)，代替第一实施方式中说明的抗蚀剂层压工序。本实施方式中不包括相当于第一实施方式中的抗蚀剂去除工序(步骤S7)的工序。
如图12所示，步骤S15中，以覆盖整个电极区域3a以及辅助电极4a的至少一部分的方式粘贴透明粘合膜，从而形成透光性抗蚀剂12A的层。
至此，步骤S15结束，接着如图13所示，与第一实施方式中说明的导电膜去除工序(步骤S6)相同，通过等离子体蚀刻去除SEPLEGYDA(注册商标)薄膜11的一部分。并且，导电膜去除工序之后，在仍然层压有透光性抗蚀剂12A的状态下，与第一实施方式中说明的覆盖膜粘贴工序(步骤S8)相同地粘贴覆盖膜8。
对于本实施方式的静电电容式传感器片1A，即使在粘贴有透光性抗蚀剂12A的状态下，也与去除抗蚀剂12后的第一实施方式的静电电容式传感器片1相同地具有透光性。为此，静电电容式传感器片1A的制造工序中不必去除透光性抗蚀剂12A。其结果，与静电电容式传感器片1的制造工序相比，能够削减工序数量。
第三实施方式
其次，对本发明的第三实施方式的静电电容式传感器片1B进行说明。图14是表示本实施方式的静电电容式传感器片1B的俯视图。图15是图14中符号Y所示的部分的放大图。图16是图15的C-C线剖视图。图17是图15的D-D线剖视图。
如图14所示，本实施方式的静电电容式传感器片1B具有与上述第一实施方式中说明的信号线4布线路径不同的信号线4A。并且，如图15至图17所示，本实施方式中，信号线4A的末端排列设置在基材2的一部分上。信号线4A的末端设置有连接焊垫13。本实施方式中，信号线4A上的除设置有连接焊垫13的部分之外的至少一部分被透光性抗蚀剂12A覆盖。
连接焊垫13例如由碳等构成，是将信号线4A连接到未图示的连接器的端子。
本实施方式中，导电膜去除工序中进行等离子体处理时，通过透光性抗蚀剂12A可以防止等离子体与信号线4A接触。由此，即使信号线4A上设置有导热性高的物质，在等离子体处理中也不易发热。因此，不易发生由热引起的基材2的尺寸变形。
例如本实施方式中，即使是信号线4的宽度粗的情况以及高密度地设置信号线4的情况，基材2也不易发生尺寸变形。
第四实施方式
其次，对本发明的第四实施方式的静电电容式传感器片1C进行说明。图18是表示本实施方式的静电电容式传感器片的俯视图。图19是静电电容式传感器片的后视图。图20是图18的E-E线剖视图。
如图18及图19所示，本实施方式中设置有与第一实施方式中说明的信号线4布线路径不同的信号线4B。对于本实施方式的静电电容式传感器片1C，在将透明电极3设置在基材2的两面这点上与上述第二实施方式不同。
信号线4B在辅助电极4a和终端4c之间，经由通孔从基材2的一面延伸至另一面。
如图20所示，制造本实施方式的静电电容式传感器片1C时，首先，在第一实施方式所说明的步骤S1中，在基材2两侧表面上形成作为透明电极3的材料的透光性导电膜。接着，在步骤S2中，在基材2两面的规定的区域上设定电极区域3a。然后，在步骤S3以及步骤S4中，在基材2的两面的规定的位置上设定辅助电极4a和配线4b。在步骤S15中，在与两面对应的电极区域3a和辅助电极4a相对应的位置上分别形成透光性抗蚀剂12A。在步骤S6中，通过对各个表面按照每一面(单面)进行等离子体蚀刻，从而去除透光性导电膜。由于等离子体处理各向异性高，因此对非处理面侧的电极不造成影响。
本实施方式中，能够简单地在基材2的两面侧形成透明电极3。
实施例
实施例1
其次，参照实施例对上述第一实施方式的静电电容式传感器片1及其制造方法进行详细说明。本实施方式中，对抗蚀剂层压工序(上述步骤S5)、导电膜去除工序(上述步骤S6)以及抗蚀剂去除工序(上述步骤S7)进行详细说明。
上述步骤S5中，在构成透明电极的导电性涂膜的表面上，搭载形成有与要得到的信号线相同图案的开口部的金属掩膜，印刷可剥离抗蚀剂(株式会社朝日化学研究所制，#228T)达厚度80μm，在150℃下加热10分钟使其固化。
接着，上述步骤S6中将印刷有上述抗蚀剂的PET膜和导电性涂膜的层压体插入等离子体蚀刻装置(日立高新技术公司制SPC-100)的蚀刻室内，在蚀刻室内的真空度20Pa、氩气供给量5cm3/分钟、输出600W的条件下，对导电性涂膜进行2分钟等离子体蚀刻。
之后，上述步骤S7中用镊子夹住固化后的抗蚀剂将其剥下，在步骤S8中粘贴覆盖膜8。
由此，形成抑制了透明电极和辅助电极的导通面积不均的静电电容式传感器片。
实施例2
其次，参照实施例对上述第二实施方式的静电电容式传感器片1A进行详细说明。
首先，对静电电容式传感器片1A的制造方法的具体例进行说明。
步骤S1：在厚度50μm的PET片材上，通过凹版印刷在PET的一个表面上涂布包含聚噻吩类导电性高分子的SEPLEGYDAOC-AE(信越高分子株式会社制，注册商标，商品名)，干燥后以0.1μm的厚度形成透光性导电膜。
步骤S3及步骤S4：在透光性导电膜上利用含有银粒子的导电浆料，通过丝网印刷同时形成厚度约15μm的辅助电极和配线。
步骤S15：在覆盖透光性导电膜和一部分辅助电极的区域设定电极区域(10mm×100mm)，在电极区域通过丝网印刷涂布含透明树脂的油墨。之后，通过加热干燥使该油墨固化，制成透光性抗蚀剂。透光性抗蚀剂厚度约为7μm。
步骤S6：使用日立高新技术株式会社制SPC-100作为等离子体蚀刻装置，以氧气为蚀刻气体进行蚀刻。本实施方式中，蚀刻之后在基材上形成10mm×100mm的透明电极。
步骤S8：之后粘贴涂布有丙烯酸类粘接材料的PET覆盖膜后，在配线部的终端部以含有碳粒子的导电浆料为材料，通过丝网印刷形成连接焊垫，从而制造成静电电容式传感器片。
本实施方式中，如下表1所示，制造成步骤S15中使用的透明树脂的主成分彼此不同的多个静电电容式传感器片。利用下表2中作为评价等级示出的基准进行环境试验，对这些静电电容式传感器片的电阻值以及光学特性进行评价。此外，针对本实施例，制造出具有以紫外线固化型丙烯酸类树脂为主成分的静电电容式传感器片作为比较例，并进行相同的评价。
通过在60℃、95％RH的环境下将静电电容式传感器片静置500小时而进行环境试验。
评价方法为，关于电阻是通过数字万用表测定长度方向的电阻值。另外，通过日本电色工业制雾度计NDH5000测定总透光率以及雾度值。
下表1示出本实施例及上述比较例的静电电容式传感器片的评价结果。下表2示出评价时的判断基准。
表1
表2
如上表1所示，实施例1至实施例4中，在制造初期和环境试验后的期间，电阻、总透光率以及雾度值中的任一项都未出现显著变化。实施例5中，虽然由于发黄而导致总透光率变差，但电阻仍维持制造初期的状态。
比较例1中，环境试验后的电阻比制造初期高，可能对传感器灵敏度造成不良影响。推测认为这是由于促进了残留单体进入导电性聚合物层的速度的原因。
关于聚酯类聚氨酯(溶剂蒸发干燥型)、氨基甲酸酯类(热固化型)、丙烯酸类(溶剂蒸发干燥型)，仅仅初期时雾度值高，未发现由于通过环境试验而产生的电阻值升高(功能的观点)、发黄等导致透光率降低。
以上，参照附图对本发明的实施方式进行了详细说明，但具体构成并不仅限于该实施方式，还包含不脱离本发明主旨范围内的设计变更。
例如，还可以在上述实施方式所说明的透明电极的侧壁上设置与辅助电极导通的电极。这种电极例如可以通过在去除透光性导电膜的工序结束之后，在透明电极的侧壁上涂布银浆料而形成。这种情况下，与上述各实施方式所说明的静电电容式传感器片相比，能够确保更大的导通面积。
透明电极只要具有透光性，则即使被着色也可以。
上述实施方式中例示出等离子体蚀刻作为去除SEPLEGYDA(注册商标)薄膜的方法，但去除SEPLEGYDA(注册商标)薄膜的方法并不仅限于等离子体蚀刻。例如可以使用化学蚀刻，也可以通过机械方式去除SEPLEGYDA(注册商标)薄膜。
上述各实施方式中示出的结构要素可以通过适当地组合而构成。
例如，上述第三实施方式中说明的基材和透明电极的层压体可以在基材的厚度方向上重叠设置多个。此时，可以以透明电极在一个层与其他层之间沿彼此交叉方向延伸的方式构成各透明电极。
可以采用上述多个层压体彼此重叠的结构来代替上述第四实施方式所说明的在基材的两面形成透明电极的结构。
工业实用性
本发明的静电电容式传感器片可以适用于触摸板和平板电脑。特别是能够适用于利用透过静电电容式传感器片的照明光进行照明的触摸板和平板电脑。
符号说明

Claims (7)

1.一种静电电容式传感器片的制造方法，其特征在于，包括：
成膜工序，在具有透光性的基材的至少一个表面形成透光性导电膜；
辅助电极形成工序，在所述透光性导电膜的至少一部分设定起透明电极作用的电极区域，并以覆盖所述电极区域的周缘的至少一部分的方式层压电阻低于所述透光性导电膜的辅助电极；
配线形成工序，将一端连接到所述辅助电极的配线层压在所述透光性导电膜上；
抗蚀剂层压工序，以覆盖整个所述电极区域和至少一部分所述辅助电极的方式层压抗蚀剂；以及
导电膜去除工序，去除在所述具有透光性的基材上形成的所述透光性导电膜中位于不与所述抗蚀剂、所述辅助电极及所述配线重叠的位置的透光性导电膜。
2.根据权利要求1所述的静电电容式传感器片的制造方法，其特征在于，
在所述导电膜去除工序中，通过等离子体蚀刻来去除所述透光性导电膜，
所述导电膜去除工序之后，还包括去除所述抗蚀剂的抗蚀剂去除工序。
3.根据权利要求1所述的静电电容式传感器片的制造方法，其特征在于，
在所述抗蚀剂层压工序中，层压透光性抗蚀剂作为所述抗蚀剂。
4.一种静电电容式传感器片，其特征在于，包括：
基材，具有透光性；
透明电极，包括形成在所述基材的至少一个表面的透光性导电膜；
辅助电极，是电阻比所述透明电极低且层压在所述透明电极的周缘上的膜状的电极，并且，所述辅助电极的轮廓线的至少一部分位于从与所述表面正交的方向观察到的所述透明电极的轮廓线上；
配线，一端连接到所述辅助电极，且所述配线被层压在所述透光性导电膜上；以及
透光性抗蚀剂，覆盖电极区域的至少一部分和所述辅助电极的至少一部分，
所述透光性抗蚀剂的轮廓线位于从与所述表面正交的方向观察未被所述辅助电极覆盖的所述透明电极的轮廓线上。
5.根据权利要求4所述的静电电容式传感器片，其特征在于，
所述透光性抗蚀剂包含热固化型聚酯类树脂。
6.根据权利要求4或5所述的静电电容式传感器片，其特征在于，
所述配线的至少一部分被所述透光性抗蚀剂覆盖。
7.根据权利要求4或5所述的静电电容式传感器片，其特征在于，
所述透明电极被设置在所述基材的两个表面，
所述静电电容式传感器片还具备电阻比所述透明电极低且被层压在所述透明电极的周缘上的膜状的辅助电极，
所述辅助电极被配置成所述辅助电极的轮廓线的一部分位于从与所述表面正交的方向观察到的所述透明电极的轮廓线上。
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