CN114068070A - 透明导电薄膜及其制备方法 - Google Patents

透明导电薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114068070A
CN114068070A CN202010794201.9A CN202010794201A CN114068070A CN 114068070 A CN114068070 A CN 114068070A CN 202010794201 A CN202010794201 A CN 202010794201A CN 114068070 A CN114068070 A CN 114068070A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
conductive film
transparent conductive
nano
silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202010794201.9A
Other languages
English (en)
Inventor
张永政
蔡伟婷
陈旻裕
萧仲钦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambrios Film Solutions Xiamen Corp
Original Assignee
Cambrios Film Solutions Xiamen Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cambrios Film Solutions Xiamen Corp filed Critical Cambrios Film Solutions Xiamen Corp
Priority to CN202010794201.9A priority Critical patent/CN114068070A/zh
Priority to JP2020215145A priority patent/JP2022032022A/ja
Priority to KR1020200183402A priority patent/KR102447933B1/ko
Publication of CN114068070A publication Critical patent/CN114068070A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明提供了一种透明导电薄膜及其制备方法，该透明导电薄膜(1000)包括：一基板(1)；一第一纳米银线层(21)，形成于所述基板(1)上；以及，一保护层(3)，形成于所述第一纳米银线层(21)上，其中，该保护层(3)为可图案化的光阻材料所构成，且所述第一纳米银线层(21)与所述保护层(3)具有相同的图案。

Description

透明导电薄膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种透明导电薄膜及其制备方法，尤其涉及一种用于制备触控面板的透明导电薄膜及其制备方法。
背景技术
近年来，触控面板的应用范围越来越广泛，更多电子产品增加了触控面板以提供使用者直接进行操作或下达指令的功能，而其中，可挠性触控面板的需求日渐增加。为了符合该需求，近年来出现了许多替代氧化铟锡(ITO)的导电材料，以提供良好的可挠性质以及优异的导电性。
其中，纳米银线具有高导电性以及绝佳的柔韧度，是作为触控面板导电层的绝佳材料，然而在图案化该纳米银线层的制备过程中，纳米银线层对于基板的附着力较弱，经常于去除光阻时被破坏，故容易产生粘连或边缘不完整，从而影响到触控面板的良率，并提高生产成本。
发明内容
基于上述问题，目前亟需一种新颖的透明导电薄膜及其制备方法，以改善图案化纳米银线层的良率。
第一方面，本发明提供了一种透明导电薄膜，包括：一基板；一第一纳米银线层，形成于所述基板上；以及一保护层，形成于所述第一纳米银线层上；其中，所述保护层为可图案化的光阻材料所构成，且所述第一纳米银线层与所述保护层具有相同的图案。
在一个实施例中，所述保护层为一正型光阻材料或一负型光阻材料所构成。
在一个实施例中，所述保护层至少包括15-30重量百分比的丙烯酸树脂、65-80重量百分比的溶剂、2-5重量百分比的光起始剂以及0-3重量百分比的添加剂。
在一个实施例中，所述丙烯酸树脂至少是由一单体、一低聚物以及一碱溶性树脂所组成；其中，所述单体至少是由脂肪族多元醇化合物、具有丙烯酸酯的不饱和羧酸或其混合物所组成的群组中的一种；所述低聚物至少是由氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物或其混合物所组成的群组中的一种；以及，所述碱溶性树脂至少是由具有不饱和取代基的树脂、具有苯基的树脂、具有羧基的树脂或其混合物所组成的群组中的一种。
在一个实施例中，所述溶剂至少是由丙酮、甲乙酮、环己烷、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乙酸乙酯、二氯化乙烯、四氢呋喃、甲苯或乙醚所组成的群组中的一种。
在一个实施例中，所述添加剂至少是由流平剂、染色剂、紫外光吸收剂、光敏剂或光致发光剂所组成的群组中的一种。
在一个实施例中，所述保护层的厚度为0.2-2μm。
在一个实施例中，所述透明导电薄膜的穿透率为90％以上。
在一个实施例中，所述透明导电薄膜的电阻值为5-100Ω。
在一个实施例中，所述基板包括一显示区以及一非显示区，所述第一纳米银线层形成于所述显示区中。
在一个实施例中，所述透明导电薄膜还包括至少一导线，形成于该基板的所述非显示区上，其中，所述导线与所述第一纳米银线层连接。
在一个实施例中，所述透明导电薄膜还包括一第二纳米银线层，形成于所述非显示区，其中，所述导线与所述第二纳米银线层具有相同的图案并相互重叠。
在一个实施例中，所述第二纳米银线层是形成于所述基板与所述导线之间，或形成于所述导线上。
第二方面，本发明提供了一种透明导电薄膜的制备方法，步骤包括：步骤S1，提供一基板；步骤S2，形成一第一纳米银线层于所述基板上；步骤S3，形成一保护层于所述第一纳米银线层上；步骤S4，图案化所述保护层以及所述第一纳米银线层；其中，所述保护层为可图案化的光阻材料所构成，且所述保护层与所述第一纳米银线层具有相同的图案。
在一个实施例中，所述步骤S4包括：步骤S41，利用曝光显影工艺以图案化该保护层；步骤S42，利用蚀刻法或非蚀刻法移除显露的部分该第一纳米银线层，以图案化该第一纳米银线层。
在一个实施例中，所述步骤S4包括：利用曝光显影工艺以同时图案化该保护层以及该第一纳米银线层。
在一个实施例中，所述保护层为一正型光阻材料或一负型光阻材料所构成。
在一个实施例中，所述步骤S3中的保护层至少包括15-30重量百分比的丙烯酸树脂、65-80重量百分比的溶剂、2-5重量百分比的光起始剂以及0-3重量百分比的添加剂。
在一个实施例中，所述步骤S3包括：所述添加剂至少是由流平剂、染色剂、紫外光吸收剂、光敏剂或光致发光剂所组成的群组中的一种。
本发明所提供的透明导电薄膜以及其制备方法中，在图案化纳米银线层时，利用形成于其上的保护层作为光阻，在利用蚀刻方法将该纳米银线层图案化，随后，不须进一步移除作为光阻的该保护层，且该保护层对于该纳米银线层有保护作用，藉此改善图案化纳米银线层的良率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明第一实施例的透明导电薄膜的制备方法流程图；
图2是本发明第一实施例的基板的剖面图；
图3是本发明第一实施例中于图2的基板上形成第一纳米银线层的剖面图；
图4是本发明第一实施例中于图3的结构上形成保护层的剖面图；
图5是本发明第一实施例中于图4的结构上图案化该保护层的剖面图；
图6是本发明第一实施例中于图5的结构上蚀刻该第一纳米银线层的剖面图；
图7是本发明第二实施例中包括基板、第一纳米银线层以及保护层的结构的剖面图；
图8是本发明第二实施例中于图7的结构上图案化该保护层以及该第一纳米银线层的剖面图；
图9是本发明第三实施例中基板的俯视图；
图10是本发明第三实施例中于图9的结构上形成铜层的俯视图；
图11是本发明第三实施例中于图9的结构上形成铜层的剖面图；
图12是本发明第三实施例中于图11的结构上形成第一及第二纳米银线层的剖面图；
图13是本发明第三实施例中于图12的结构上形成图案化保护层的剖面图；
图14是本发明第三实施例中于图13的结构上形成光阻的剖面图；
图15是本发明第三实施例中的透明导电薄膜的剖面图；
图16是本发明第三实施例中的透明导电薄膜的俯视图；
图17是本发明第四实施例中包括基板、第一及第二纳米银线层以及保护层的结构剖面图；
图18是本发明第四实施例中于图17的结构上图案化保护层以及形成铜层的剖面图；
图19是本发明第四实施例中于图18的结构上形成光阻的剖面图；
图20是本发明第四实施例中的透明导电薄膜的剖面图；
图21是本发明第五实施例中包括基板、图案化的铜层以及第一及第二纳米银线层的结构剖面图；
图22是本发明第五实施例中于图21的结构上形成保护层的剖面图；
图23是本发明第五实施例中的透明导电薄膜的剖面图。
【附图标记说明】
1000、2000、3000、4000-透明导电薄膜
1-基板
11-显示区
12-非显示区
21-第一纳米银线层
22-第二纳米银线层
3-保护层
4-铜层
41-导线
5-光阻
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明第一实施例的透明导电薄膜1000的制备方法如图1的制备流程图所示，主要包括以下步骤，请一并参照图1所示的制备流程图，以及图2-6的结构示意图。
首先，请参照图2所示的步骤S1：提供一基板1。其中，该基板1可选自本领域中常用的玻璃、蓝宝石、亚克力(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环烯烃聚合物(COP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、三醋酸纤维薄膜(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚酰亚胺(Polyimide)等透明材料，但并不受限于此。
步骤S2：形成一第一纳米银线层21于所述基板1上，其如图3所示。其中，该第一纳米银线层21是由多个纳米银线(silver nanowire，SNW)所组成。
请参照图4所示的步骤S3：形成一保护层3于所述第一纳米银线层21上。其中，该保护层3包括20重量百分比的丙烯酸树脂、77重量百分比的溶剂、2.7重量百分比的光起始剂以及0.3重量百分比的添加剂。本实施例中，该丙烯酸树脂是由30重量百分比的单体、5重量百分比的低聚物、65重量百分比的碱溶性树脂所组成。
本实施例中，该丙烯酸树脂中的该单体可选自脂肪族多元醇化合物、具有丙烯酸酯的不饱和羧酸或其混合物；该低聚物可选自氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物或其混合物；而该碱溶性树脂可选自具有不饱和取代基的树脂、具有苯基的树脂、具有羧基的树脂或其混合物。另外，该光起始剂可选自肟化合物、苯乙酮化合物、氧化膦或其混合物。该添加剂可选自作为流平剂的阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性离子表面活性剂、聚硅氧烷表面活性剂或氟表面活性剂；此外，该添加剂亦可选自染色剂、紫外光吸收剂、光敏剂或光致发光剂，可视需求而选择。该溶剂可选自丙酮、甲乙酮、环己烷、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乙酸乙酯、二氯化乙烯、四氢呋喃、甲苯或乙醚等本领域中常见的有机溶剂。
本实施例中，该保护层3为一负型光阻材料所构成，也就是说，该保护层3为一种光固化材料所构成。然而，在其他实施例中，该保护层3可为一正型光阻材料所构成，也就是说，该保护层3可由光分解材料所构成。
另外，在其他实施例中，该保护层3至少由15-30重量百分比的丙烯酸树脂、65-80重量百分比的溶剂、2-5重量百分比的光起始剂以及0-3重量百分比的添加剂所组成。
步骤S4：图案化所述保护层3以及所述第一纳米银线层21，使得该保护层3与该第一纳米银线层21具有相同的图案。本实施例中，步骤S4包括步骤S(4-a)：利用曝光显影工艺(Photolithography)图案化该保护层3，以形成一电极图案，即如图5所示；以及步骤S(4-b)：将该保护层3作为光阻，利用蚀刻法以去除未被具有该电极图案的该保护层3覆盖的部分纳米银线，藉此图案化该第一纳米银线层21。其所形成的透明导电薄膜1000即如图6所示。
本实施例中，步骤S(4-b)中，该蚀刻法为干性或湿性蚀刻。然而，在其他实施例中，步骤S(4-b)亦可利用非蚀刻法(non-etching)以移除未被具有该电极图案的该保护层3覆盖的部分纳米银线，该非蚀刻法可为显影法或剥除法(lift off)。
利用本实施例所制备的该保护层3及该第一纳米银线层21，除了具有相同的电极图案之外，该保护层3随即保留于该第一纳米银线层21上，以提供保护该第一纳米银线层21的功能，不需进一步移除该保护层3，藉此避免以往为了移除光阻而破坏图案化的该第一纳米银线层21。
本发明第二实施例的透明导电薄膜1000的制备方法大致上与第一实施例相似，其不同在于，图案化该保护层3以及该第一纳米银线层21，使得该保护层3与该第一纳米银线层21具有相同的图案的所述步骤S4包括：步骤S(4-1)：利用曝光显影工艺(Photolithography)同时图案化该保护层3以及该第一纳米银线层21，以形成一电极图案，如图7-图8所绘示。详细而言，本实施例中，该第一纳米银线层21在显影的过程中，会与经曝光的该保护层3一同被洗去，故可同时形成具有该电极图案的该保护层3以及该第一纳米银线层21。
本发明还提供了第三实施例的透明导电薄膜2000的制备方法，其制备流程如图9-图16所示，本实施例包括了第一实施例中制备透明导电薄膜1000的制备方法，并且还包括其他制备步骤，以形成另一透明导电薄膜2000。首先，如图9所示，提供一基板1(步骤S1)，该基板1具有一显示区11以及一非显示区12，接着，如图10及图11所示，于该非显示区上12形成一铜层4。再者，如图12所示，将纳米银线喷涂于该基板1的显示区11以及该铜层4上，于该显示区11内形成一第一纳米银线层21(步骤S2)以及于该非显示区12的该铜层4上形成一第二纳米银线层22。如图13所示，再形成一保护层3(步骤S3)于该第一纳米银线层21及该第二纳米银线层22上，并利用一曝光显影工艺以图案化该保护层3(步骤S(4-a))，使得该保护层3具有一电极图案。再请参考图14，将一光阻5形成于该第一纳米银线层21、第二纳米银线层22以及经图案化的该保护层3上后，再进行另一曝光显影工艺，图案化形成于该非显示区12上的该铜层4以及该第二纳米银线层22以形成多个导线41，并同时将未覆盖图案化的该保护层3的部分该第一纳米银线层21移除，以图案化该第一纳米银线层21(步骤S(4-b))，使得其具有与该保护层3相同的电极图案，最后形成如图15及图16所示的该透明导电薄膜2000。
本发明还提供了又一透明导电薄膜3000的制备方法，其制备流程如图17-图20所示，本实施例包括了第一实施例中制备透明导电薄膜1000的制备方法，并且还包括其他制备步骤，以形成另一透明导电薄膜3000。首先，如图17所示，提供包括一基板1、一第一纳米银线层21、一第二纳米银线层22以及一保护层3的层叠结构(包括步骤S1、步骤S2及步骤S3)，其中，该第一纳米银线层21形成于该基板1的一显示区11中，该第二纳米银线层22形成于该基板1的一非显示区12中。再者，如图18所示，利用曝光显影工艺以图案化该保护层3(步骤S(4-a))，使得该保护层3具有一电极图案后，接着形成一铜层4于该第一纳米银线层21、第二纳米银线层22以及图案化的该保护层3上。请参考图19，将一光阻5形成于该铜层4上，再进行另一曝光显影工艺，将形成于该非显示区12上的该铜层4以及该第二纳米银线层22图案化以形成多个导线41，并同时将未覆盖图案化的该保护层3的部分该第一纳米银线层21移除，以图案化该第一纳米银线层21(步骤S(4-b))，使其具有与该保护层3相同的电极图案，最后形成如图20所示的该透明导电薄膜3000。
本发明还提供了又一透明导电薄膜4000的制备方法，其制备流程如图21-图23所示，本实施例包括了第二实施例中制备透明导电薄膜1000的制备方法，并且还包括其他制备步骤，以形成又一透明导电薄膜4000。首先，请参照图21，提供一基板1(步骤S1)，该基板包括一显示区11以及一非显示区12，并利用曝光显影工艺于该非显示区12上形成由铜所构成的多个导线41，并将纳米银线喷涂于该基板1的显示区11以及该导线41上，于该显示区11内形成一第一纳米银线层21(步骤S2)以及于该非显示区12的该导线41上形成一第二纳米银线层22。接着如图22所示，形成一保护层3(步骤S3)于该第一纳米银线层21及该第二纳米银线层22上。再者，如图23所示，利用曝光显影工艺，以同时图案化于显示区11中的该保护层3以及该第一纳米银线层21，使得该保护层3及该第一纳米银线层21具有相同的电极图案，而于非显示区12上的该保护层3以及该第二纳米银线层22则完全被移除以显露该导线41，以形成如图23所示的该透明导电薄膜4000。
本发明所提供的透明导电薄膜以及其制备方法中，在图案化纳米银线层时，利用形成于其上的保护层作为光阻，在利用蚀刻方法将该纳米银线层图案化，随后，不须进一步移除作为光阻的该保护层，且该保护层对于该纳米银线层有保护作用，藉此改善图案化纳米银线层的良率。
另外，于本发明中所记载的“上”仅是用来表示相对的位置关系，例如，一第一纳米银线层，设置于一基板“上”可包含该第一纳米银线层与该基板直接接触的情况，或者，亦可包含该第一纳米银线层与该基板之间有其他额外的组件，使得该第一纳米银线层与该基板之间并无直接的接触。
本发明中所记载的制备步骤中，可根据需要来变更制造步骤的顺序，一步骤中亦可包括多个步骤，只要可达到相同目的即可，并无特别的限制。
再者，本发明中所记载的“第一”、“第二”、“第三”仅是方便说明，与数量或排列顺序无关，例如，该“第一纳米银线层”及“第二纳米银线层”均可被理解为纳米银线层。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种透明导电薄膜，其特征在于，包括：
一基板；
一第一纳米银线层，形成于所述基板上；以及
一保护层，形成于所述第一纳米银线层上；
其中，所述保护层为可图案化的光阻材料所构成，且所述第一纳米银线层与所述保护层具有相同的图案。
2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述保护层为一正型光阻材料或一负型光阻材料所构成。
3.根据权利要求2所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述保护层至少包括15-30重量百分比的丙烯酸树脂、65-80重量百分比的溶剂、2-5重量百分比的光起始剂以及0-3重量百分比的添加剂。
4.根据权利要求3所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述丙烯酸树脂至少是由一单体、一低聚物以及一碱溶性树脂所组成；其中，所述单体至少是由脂肪族多元醇化合物、具有丙烯酸酯的不饱和羧酸或其混合物所组成的群组中的一种；所述低聚物至少是由氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物或其混合物所组成的群组中的一种；以及，所述碱溶性树脂至少是由具有不饱和取代基的树脂、具有苯基的树脂、具有羧基的树脂或其混合物所组成的群组中的一种。
5.根据权利要求3所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述溶剂至少是由丙酮、甲乙酮、环己烷、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乙酸乙酯、二氯化乙烯、四氢呋喃、甲苯或乙醚所组成的群组中的一种。
6.根据权利要求3所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述添加剂至少是由流平剂、染色剂、紫外光吸收剂、光敏剂或光致发光剂所组成的群组中的一种。
7.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述保护层的厚度为0.2-2μm。
8.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的穿透率为90％以上。
9.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的电阻值为5-100Ω。
10.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述基板包括一显示区以及一非显示区，所述第一纳米银线层形成于所述显示区中。
11.根据权利要求10所述的透明导电薄膜，其特征在于，还包括至少一导线，形成于该基板的所述非显示区上，其中，所述导线与所述第一纳米银线层连接。
12.根据权利要求11所述的透明导电薄膜，其特征在于，还包括一第二纳米银线层，形成于所述非显示区，其中，所述导线与所述第二纳米银线层具有相同的图案并相互重叠。
13.根据权利要求12所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述第二纳米银线层形成于所述基板与所述导线之间，或形成于所述导线上。
14.一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，方法包括：
步骤S1，提供一基板；
步骤S2，形成一第一纳米银线层于所述基板上；
步骤S3，形成一保护层于所述第一纳米银线层上；
步骤S4，图案化所述保护层以及所述第一纳米银线层；
其中，所述保护层为可图案化的光阻材料所构成，且所述保护层与所述第一纳米银线层具有相同的图案。
15.根据权利要求14所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
步骤S41，利用曝光显影工艺以图案化所述保护层；
步骤S42，利用蚀刻法或非蚀刻法移除显露的部分所述第一纳米银线层，以图案化所述第一纳米银线层。
16.根据权利要求14所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括：利用曝光显影工艺以同时图案化所述保护层以及所述第一纳米银线层。
17.根据权利要求14所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述保护层为一正型光阻材料或一负型光阻材料所构成。
18.根据权利要求14所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的保护层至少包括15-30重量百分比的丙烯酸树脂、65-80重量百分比的溶剂、2-5重量百分比的光起始剂以及0-3重量百分比的添加剂。
CN202010794201.9A 2020-08-10 2020-08-10 透明导电薄膜及其制备方法 Withdrawn CN114068070A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010794201.9A CN114068070A (zh) 2020-08-10 2020-08-10 透明导电薄膜及其制备方法
JP2020215145A JP2022032022A (ja) 2020-08-10 2020-12-24 透明導電膜及びその製造方法
KR1020200183402A KR102447933B1 (ko) 2020-08-10 2020-12-24 투명 전도성 필름 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010794201.9A CN114068070A (zh) 2020-08-10 2020-08-10 透明导电薄膜及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114068070A true CN114068070A (zh) 2022-02-18

Family

ID=80232843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010794201.9A Withdrawn CN114068070A (zh) 2020-08-10 2020-08-10 透明导电薄膜及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022032022A (zh)
KR (1) KR102447933B1 (zh)
CN (1) CN114068070A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116918464A (zh) * 2021-02-26 2023-10-20 富士胶片株式会社 导电图案的制造方法及电子器件的制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103238130B (zh) * 2011-02-04 2016-06-29 信越聚合物株式会社 静电电容式传感器片及其制造方法
KR102211863B1 (ko) * 2013-10-15 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 터치 패널의 제조 방법
JP2015191276A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 デクセリアルズ株式会社 積層体、積層体の製造方法、静電容量型タッチパネル及び画像表示装置
WO2016167228A1 (ja) * 2015-04-15 2016-10-20 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電パターンの形成方法、導電パターン付き基材、及びタッチパネルセンサ
KR20190123259A (ko) * 2017-03-01 2019-10-31 가부시키가이샤 아데카 중합성 조성물 및 블랙 칼럼 스페이서용 감광성 조성물
JPWO2020137797A1 (ja) * 2018-12-27 2021-11-11 富士フイルム株式会社 導電性転写材料、パターンつき基板の製造方法、積層体、及びタッチパネル

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022032022A (ja) 2022-02-24
KR20220019603A (ko) 2022-02-17
KR102447933B1 (ko) 2022-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107066134B (zh) 转印材料、静电电容型输入装置及其制造方法、以及具备这些的图像显示装置
CN107533411B (zh) 触摸面板
KR101560559B1 (ko) 터치 패널 및 그 제조 방법
JP6407249B2 (ja) 加飾材付き基材およびその製造方法、タッチパネル、ならびに情報表示装置
CN103365470B (zh) 触控面板及其制造方法
US9791983B2 (en) Capacitive touch-sensitive device and method of making the same
US20200379596A1 (en) Touch sensor integrated color filter and manufacturing method for the same
TWI722159B (zh) 觸碰感測器及其製備方法
CN106575187B (zh) 触摸窗
TW201426449A (zh) 觸控面板及其製造方法
JP6581200B2 (ja) 静電容量型入力装置の電極保護膜用の組成物、静電容量型入力装置の電極保護膜、転写フィルム、積層体、静電容量型入力装置および画像表示装置。
TWI550465B (zh) 觸控裝置
KR20160000087U (ko) 터치 장치
CN212809800U (zh) 透明导电薄膜
JP5986934B2 (ja) 保護膜形成用組成物、転写材料、導電膜積層体、タッチパネルおよび画像表示装置
CN114068070A (zh) 透明导电薄膜及其制备方法
JP6115425B2 (ja) タッチパネルセンサ及びその製造方法
TWI767296B (zh) 透明導電薄膜及其製備方法
US10082924B2 (en) Touch screen panel and method of manufacturing the same
US20220071004A1 (en) Transparent conductive film and manufacturing method thereof
CN107621897B (zh) 触控面板以及其制作方法
US20150253916A1 (en) Touch module and manufacturing method thereof
JP2016091144A (ja) タッチパネル用構造材料の製造方法
JP2015045986A (ja) 機能性膜付きタッチパネルフィルムの製造方法、及び、その製造方法を用いて製造されたタッチパネル
JP5834488B2 (ja) タッチパネルセンサー付液晶表示装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20220218