KR20220019603A - 투명 전도성 필름 및 이의 제조 방법 - Google Patents

투명 전도성 필름 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

투명 전도성 필름이 개시된다. 투명 전도성 필름은, 기판; 기판 상에 배치된 제 1 은 나노와이어 층; 및 제 1 은 나노와이어 층 상에 배치된 보호 층을 포함하고, 여기에서 보호 층은 패턴화가능 포토레지스트 재료를 포함하며, 제 1 은 나노와이어 층과 동일한 패턴을 갖는다.

Description

투명 전도성 필름 및 이의 제조 방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 개시는 투명 전도성 필름 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시는 터치 패널을 제조하기 위한 투명 전도성 필름 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 터치 패널의 애플리케이션이 점점 더 광범위해지고 있다. 이러한 전자 제품들을 사용자-친화적으로 만들기 위하여 동작을 지시하거나 또는 명령들을 발행하는 기능들을 제공하기 위해 점점 더 많은 전자 제품들에 터치 패널들이 구비되고 있다. 특히, 가요성 터치 패널들에 대한 수요가 증가하고 있으며; 따라서, 탁월한 전도율을 갖는 다수의 가요성 전도성 재료들이 통상적인 인듐 주석 산화물(conventional indium tin oxide; ITO) 전도성 재료를 대체하기 위해 사용되고 있다.
높은 전도율 및 가요성을 갖는 은 나노와이어들은 터치 패널들에 대해 탁월한 재료이다. 그러나, 은 나노와이어들의 접착성이 상대적으로 약하며, 패턴화된 은 나노와이어들의 에지는, 은 나노와이어들의 패턴화 프로세스 동안 포토레지스트를 제거할 때 손상되거나 또는 불완전하게 될 수 있다. 따라서, 수율이 낮아지고 비용이 증가될 수 있다.
따라서, 패턴화된 은 나노와이어들의 수율을 개선하기 위한 신규한 투명 전도성 필름 및 제조 방법이 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은 신규한 투명 전도성 필름을 제공하는 것이며, 투명 전도성 필름은: 기판; 기판 상에 배치된 제 1 은 나노와이어 층; 및 제 1 은 나노와이어 층 상에 배치된 보호 층을 포함하고, 여기에서 보호 층은 패턴화가능(patternable) 포토레지스트 재료를 포함하며, 제 1 은 나노와이어 층 및 보호 층은 동일한 패턴을 갖는다.
일 실시예에 있어서, 패턴화가능 포토레지스트 재료는 포지티브 포토레지스트 재료 또는 네거티브 포토레지스트 재료를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 패턴화가능 포토레지스트 재료는 적어도 15 내지 30 wt%의 아크릴 수지, 65 내지 80 wt%의 용매, 2 내지 5 wt%의 광개시제, 및 0 내지 3 wt%의 첨가제를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 아크릴 수지는, 모노머, 올리고머 및 알칼리-가용성 수지를 포함하고, 여기에서 모노머는, 지방족 폴리올 화합물, 아크릴레이트를 갖는 불포화 카르복실 산 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나이며; 올리고머는, 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 에폭시 아크릴레이트 올리고머, 폴리에스테르 아크릴레이트 올리고머 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나이고; 알칼리-가용성 수지는 불포화 치환기들을 갖는 수지, 페닐기를 갖는 수지, 카르복실기를 갖는 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나이다.
일 실시예에 있어서, 용매는, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸 아세테이트, 에틸렌 디클로라이드, 테트라히드로푸란, 톨루엔 및 에테르로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나이다.
일 실시예에 있어서, 첨가제는 레벨링제(leveling agent), 착색제, 자외선 흡수제, 감광제 및 광 발광제로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나이다.
일 실시예에 있어서, 보호 층의 두께는 0.2 내지 2 μm이다.
일 실시예에 있어서, 가시광(예를 들어, 약 400 nm 내지 700 nm 사이의 파장)에 대한 투명 전도성 필름의 투과율은 90%보다 더 크다.
일 실시예에 있어서, 투명 전도성 필름의 저항은 5 내지 100 옴이다.
일 실시예에 있어서, 기판은 디스플레이 영역 및 비-디스플레이 영역을 포함하며, 여기에서 제 1 은 나노와이어 층은 디스플레이 영역 내에 배치된다.
일 실시예에 있어서, 투명 전도성 필름은 기판의 비-디스플레이 영역 내에 배치되는 전기 회로를 더 포함하며, 여기에서 전기 회로는 제 1 은 나노와이어 층에 전기적으로 연결된다.
일 실시예에 있어서, 투명 전도성 필름은 기판의 비-디스플레이 영역 내에 배치되는 제 2 은 나노와이어 층을 더 포함하며, 여기에서 전기 회로 및 제 2 은 나노와이어 층은 중첩하고 동일한 패턴을 갖는다.
일 실시예에 있어서, 제 2 은 나노와이어 층은 기판과 전기 회로 사이에 배치되거나 또는 전기 회로 상에 배치된다.
본 개시는 또한 투명 전도성 필름의 제조 방법을 제공하며, 투명 전도성 필름의 제조 방법은: 기판을 제공하는 단계; 기판 상에 제 1 은 나노와이어 층을 형성하는 단계; 제 1 은 나노와이어 층 상에 보호 층을 형성하는 단계; 및 보호 층 및 제 1 은 나노와이어 층을 패턴화하는 단계를 포함하며, 여기에서 보호 층은 패턴화가능 포토레지스트 재료를 포함하고, 보호 층 및 제 1 은 나노와이어 층은 동일한 패턴을 갖는다.
일 실시예에 있어서, 패턴화하는 단계는, 노출 및 현상 프로세스에 의해 보호 층을 패턴화하는 단계; 및 제 1 은 나노와이어 층을 패턴화하기 위해 에칭 또는 비-에칭 방법에 의해 제 1 은 나노와이어 층의 노출된 부분들을 제거하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 패턴화하는 단계는 노출 및 현상 프로세스에 의해 보호 층 및 제 1 은 나노와이어 층을 동시에 패턴화하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 패턴화가능 포토레지스트 재료는 포지티브 포토레지스트 재료 또는 네거티브 포토레지스트 재료를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 보호 층은 적어도 15 내지 30 wt%의 아크릴 수지, 65 내지 80 wt%의 용매, 2 내지 5 wt%의 광개시제, 및 0 내지 3 wt%의 첨가제를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 첨가제는 레벨링제, 착색제, 자외선 흡수제, 감광제 및 광 발광제로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나이다.
투명 전도성 필름 및 이의 제조 방법에 따르면, 보호 층은, 은 나노와이어 층을 패턴화하기 위하여 은 나노와이어 층을 에칭할 때 포토레지스트로서 역할한다. 그 후에, (포토레지스트로서 역할했던) 보호 층은 은 나노와이어 층을 보호하고 은 나노와이어 층의 수율을 개선하기 위하여 남아 있는다.
본 명세서에 있어서 용어 "상에"는 본원에서 컴포넌트들 사이의 상대적인 위치들을 설명하게 위해 사용될 수 있다는 것을 유의해야 한다. 예를 들어, 기판 "상에" 배치되는 제 1 은 나노와이어 층은 2개의 컴포넌트들이 직접 접촉하도록 형성되는 실시예들을 포함하며, 또한, 추가적인 컴포넌트들이 제 1 은 나노와이어 층과 기판 사이에 형성될 수 있는 실시예들도 포함할 수 있다.
본 개시의 제조 방법의 단계들의 순서는 필요할 때 변경될 수 있다. 제조 방법의 하나의 단계는 동일한 목적이 달성될 수 있는 한 다수의 단계들을 포함할 수 있다.
추가로, 본 명세서에서 용어들 "제 1", "제 2", 등은 본원에서 설명의 용이성을 위해 사용될 수 있으며, 번호들 또는 순서들과 관련되지 않는다. 예를 들어, "제 1 은 나노와이어 층" 및 "제 2 은 나노와이어 층" 둘 모두가 "은 나노와이어 층"으로서 실현될 수 있다.
도 1은 본 개시의 제 1 실시예의 투명 전도성 필름의 제조 방법의 순서도이다.
도 2는 본 개시의 제 1 실시예의 기판의 단면도이다.
도 3은 본 개시의 제 1 실시예의 도 2의 기판 상에 제 1 은 나노와이어 층을 형성하는 단계의 단면도이다.
도 4는 본 개시의 제 1 실시예의 도 3의 구조체 상에 보호 층을 형성하는 단계의 단면도이다.
도 5는 본 개시의 제 1 실시예의 도 4의 구조체의 보호 층을 패턴화하는 단계의 단면도이다.
도 6은 본 개시의 제 1 실시예의 도 5의 구조체의 제 1 은 나노와이어 층을 에칭하는 단계의 단면도이다.
도 7은 본 개시의 제 2 실시예의 기판, 제 1 은 나노와이어 층, 및 보호 층의 단면도이다.
도 8은 본 개시의 제 2 실시예의 보호 층 및 제 1 은 나노와이어 층을 패턴화하는 단계의 단면도이다.
도 9는 본 개시의 제 3 실시예의 기판의 상면도이다.
도 10은 본 개시의 제 3 실시예의 도 9의 구조체 상에 구리 층을 형성하는 단계의 상면도이다.
도 11은 본 개시의 제 3 실시예의 도 9의 구조체 상에 구리 층을 형성하는 단계의 단면도이다.
도 12는 본 개시의 제 3 실시예의 도 11의 구조체 상에 제 1 및 제 2 은 나노와이어 층들을 형성하는 단계의 단면도이다.
도 13은 본 개시의 제 3 실시예의 도 12의 구조체의 보호 층을 패턴화하는 단계의 단면도이다.
도 14는 본 개시의 제 3 실시예의 도 13의 구조체 상에 포토레지스트를 형성하는 단계의 단면도이다.
도 15는 본 개시의 제 3 실시예의 투명 전도성 필름의 단면도이다.
도 16은 본 개시의 제 3 실시예의 투명 전도성 필름의 상면도이다.
도 17은 본 개시의 제 4 실시예의 기판, 제 1 및 제 2 은 나노와이어 층들, 및 보호 층을 포함하는 구조체의 단면도이다.
도 18은 본 개시의 제 4 실시예의 도 17의 구조체의 보호 층 및 구리 층을 패턴화하는 단계의 단면도이다.
도 19는 본 개시의 제 4 실시예의 도 18의 구조체 상에 포토레지스트를 형성하는 단계의 단면도이다.
도 20은 본 개시의 제 4 실시예의 투명 전도성 필름의 단면도이다.
도 21은 본 개시의 제 5 실시예의 기판, 패턴화된 구리 층, 및 제 1 및 제 2 은 나노와이어 층을 포함하는 구조체의 단면도이다.
도 22는 본 개시의 제 5 실시예의 도 21의 구조체 상에 보호 층을 형성하는 단계의 단면도이다.
도 23은 본 개시의 제 5 실시예의 투명 전도성 필름의 단면도이다.
도 1에 예시된 순서도는 투명 전도성 필름(1000)의 준비 방법을 도시하며, 여기에서 준비 방법은 도 1의 순서도 및 도 2 내지 도 6에서의 개략도들에 대하여 예시된 단계들을 포함한다.
먼저, 단계 (1); 기판(1)을 제공하는 단계. 도 2를 참조하면, 기판(1)은, 비제한적으로, 유리, 사파이어, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate; PMMA), 폴리비닐 클로라이드(polyvinyl Chloride; PVC), 폴리프로필렌(polypropylene; PP), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET), 사이클로틴 폴리머(cyclothin polymer; COP), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate; PEN), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose; TAC), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리스티렌 (polystyrene; PS), 폴리이미드(polyimide; PI), 또는 유사한 것일 수 있다.
기판(1) 상에 제 1 은 나노와이어 층(21)을 형성하는 단계를 포함하는, 도 3에 도시된 단계 (2)를 참조한다. 제 1 은 나노와이어 층(21)은 복수의 은 나노와이어들을 포함한다.
제 1 은 나노와이어 층(21) 상에 보호 층(3)을 형성하는 단계를 포함하는, 도 4에 도시된 단계 (3)을 참조한다. 보호 층(3)은 20 wt%의 아크릴 수지, 77 wt%의 용매, 2.7 wt%의 광개시제, 및 0.3 wt%의 첨가제를 포함한다. 본 실시예에 있어서, 아크릴 수지는 30 wt%의 모노머, 5 wt%의 올리고머, 및 65wt%의 알칼리-가용성 수지를 포함한다.
본 개시의 일 실시예에 있어서, 아크릴 수지 내에 포함된 모노머는, 지방족 폴리올 화합물, 아크릴레이트를 갖는 불포화 카르복실 산 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있으며; 아크릴 수지 내에 포함된 올리고머는, 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 에폭시 아크릴레이트 올리고머, 폴리에스테르 아크릴레이트 올리고머 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있고; 아크릴 수지 내에 포함된 알칼리-가용성 수지는 불포화 치환기들을 갖는 수지, 페닐기를 갖는 수지, 카르복실기를 갖는 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다. 추가로, 광개시제는 옥심 화합물, 아세토 페논 화합물, 포스핀 옥사이드, 또는 이들의 혼합물로부터 선택될 수 있다. 또한, 첨가제는 양이온성 계면활성제들, 음이온성 계면활성제들, 비이온성 계면활성제들, 쌍성이온성(zwitterionic) 계면활성제들, 폴리실록산 계면활성제들 또는 플루오로 계면활성제들와 같은 레벨링제들일 수 있다. 첨가제는 또한 필요한 경우 착색제, 자외선 흡수제, 감광제, 또는 광 발광제일 수 있다. 용매는, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸 아세테이트, 에틸렌 디클로라이드, 테트라히드로푸란, 톨루엔 또는 에테르일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 보호 층(3)은 네거티브 포토레지스트 재료를 포함한다. 즉, 보호 층(3)은 광경화성 재료를 포함한다. 다른 실시예들에 있어서, 보호 층(3)은 포지티브 포토레지스트 재료를 포함할 수 있다. 즉, 보호 층(3)은 광분해성 재료를 포함한다.
그 외에, 다른 실시예들에 있어서, 보호 층(3)은 적어도 15 내지 30 wt%의 아크릴 수지, 65 내지 80 wt%의 용매, 2 내지 5 wt%의 광개시제, 및 0 내지 3 wt%의 첨가제를 포함한다.
단계 (4)는, 보호 층(3) 및 제 1 은 나노와이어 층(21)이 동일한 패턴을 갖도록 보호 층(3) 및 제 1 은 나노와이어 층(21)을 패턴화하는 단계를 포함한다. 본 실시예에 있어서, 단계 (4)는 추가로, 단계 (4-a): 도 5에 도시된 전극 패턴을 형성하기 위하여 노출 및 현상 프로세스에 의해 보호 층(3)을 패턴화하는 단계; 및 단계 (4-b): 제 1 은 나노와이어 층(21)의 패턴화를 위한 에칭 방법에 의해 제 1 은 나노와이어 층(21)의 노출된 부분들을 제거하는 단계를 포함한다. 결과적인 투명 전도성 필름(1000)이 도 6에 도시된다.
본 실시예에 있어서, 단계 (4-b)에서의 에칭 방법은 건식-에칭 또는 습식-에칭이다. 그러나, 다른 실시예들에 있어서, 제 1 은 나노와이어 층(21)의 노출된 부분들은 리프트-오프(lift-off) 방법 또는 현상(development) 방법과 같은 비-에칭 방법들에 의해 제거될 수 있다.
본 실시예에서 준비된 보호 층(3) 및 제 1 은 나노와이어 층(21)은 동일한 전극 패턴을 갖는다. 패턴화 프로세스 이후에, 보호 층(3)은 제 1 은 나노와이어 층(21)을 보호하기 위하여 제 1 은 나노와이어 층(21) 상에 남아 있는다. 따라서, 포토레지스트 층을 제거하는 것에 기인하는 패턴화된 제 1 은 나노와이어 층(21)의 손상이 회피될 수 있다.
본 개시의 제 2 실시예의 투명 전도성 필름(1000)의 제조 방법은 본 개시의 제 1 실시예와 유사하다. 차이점은, 단계 (4)가 단계 (4-1): 도 7 내지 도 8에 도시된 전극 패턴을 형성하기 위한 노출 및 현상 프로세스에 의해 보호 층(3) 및 제 1 은 나노와이어 층(21)을 동시에 패턴화하는 단계를 포함한다는 점이다. 구체적으로, 제 1 은 나노와이어 층(21)의 부분들은 노출된 보호 층(3)과 함께 세척되었다. 따라서, 전극 패턴을 갖는 보호 층(3) 및 전극 패턴을 갖는 제 1 은 나노와이어 층(21)이 동시에 형성되었다.
본 개시는 추가로 본 개시의 제 3 실시예의 투명 전도성 필름(2000)의 제조 방법을 제공한다. 제조 프로세스는 도 9 내지 도 16에 도시된다. 본 실시예의 투명 전도성 필름(2000)의 제조 프로세스는, 제 1 실시예의 투명 전도성 필름(1000)을 제조하기 위한 단계들 및 다른 추가적인 단계들을 포함한다. 먼저, 도 9에 도시된 바와 같이, 디스플레이 영역(11) 및 비-디스플레이 영역(12)을 갖는 기판(1)이 제공된다(단계 (1)). 그런 다음, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 구리 층(4)이 비-디스플레이 영역(12) 상에 형성된다. 도 12를 참조하면, 은 나노와이어들은 기판(1)의 디스플레이 영역(11) 상에 그리고 기판(1)의 비-디스플레이 영역(12) 상의 구리 층(4) 상에 스프레이된다. 제 1 은 나노와이어 층(21)(단계 (2))이 디스플레이 영역(11) 상에 형성되며, 제 2 은 나노와이어 층(22)은, 비-디스플레이 영역(12) 상에 형성된 구리 층(4) 상에 형성된다. 도 13을 참조하면, 보호 층(3)(단계 (3))이 제 1 은 나노와이어 층(21) 및 제 2 은 나노와이어 층(22) 상에 형성되며, 그런 다음, 보호 층(3)이 전극 패턴을 갖도록 보호 층(3)이 노출 및 현상 프로세스에 의해 패턴화된다(단계 (4-a)). 도 14를 참조하면, 포토레지스트(5)가 제 1 은 나노와이어 층(21), 제 2 은 나노와이어 층(22), 및 패턴화된 보호 층(3) 상에 형성된다. 포토레지스트(5)가 형성된 이후에, 비-디스플레이 영역(12) 상의 구리 층(4) 및 제 2 은 나노와이어(22)이 복수의 전기 회로들(41)을 형성하기 위해 다른 노출 및 현상 프로세스에 의해 패턴화된다. 노출 및 현상 프로세스 동안, 보호 층(3)에 의해 커버되지 않은 제 1 은 나노와이어 층(21)의 노출된 부분들은, 제 1 은 나노와이어 층(21)이 패턴화되고(단계 (4-b)) 보호 층(3)과 동일한 전극 패턴을 갖도록 제거된다. 마지막으로, 도 15 및 도 16에 도시된 투명 전도성 필름(2000)이 달성된다.
본 개시는 추가로 본 개시의 제 4 실시예의 투명 전도성 필름(3000)의 제조 방법을 제공한다. 제조 프로세스는 도 17 내지 도 20에 도시된다. 본 실시예는, 제 1 실시예의 투명 전도성 필름(1000)을 제조하기 위한 단계들 및 본 개시의 투명 전도성 필름(3000)을 형성하기 위한 다른 단계들을 포함한다. 먼저, 도 17에 도시된 바와 같이, 기판(1), 제 1 은 나노와이어 층(21), 제 2 은 나노와이어 층(22) 및 보호 층(3)을 포함하는 적층 구조체가 제공된다(단계 (1), 단계 (2), 및 단계 (3)을 포함함). 제 1 은 나노와이어 층(21)이 기판(1)의 디스플레이 영역(11) 상에 형성되며, 제 2 은 나노와이어 층(22)은 기판(1)의 비-디스플레이 영역(12) 상에 형성된다. 도 18에 도시된 바와 같이, 보호 층(3)이 전극 패턴을 가질 수 있도록 보호 층(3)을 패턴화하기 위해 노출 및 현상 프로세스가 수행된다(단계 (4-a)). 그런 다음, 구리 층(4)이 제 1 은 나노와이어 층(21), 제 2 은 나노와이어 층(22), 및 패턴화된 보호 층(3) 상에 형성된다. 도 19를 참조하면, 포토레지스트(5)가 구리 층(4) 상에 형성되고, 그런 다음, 비-디스플레이 영역(12) 상의 구리 층(4) 및 제 2 은 나노와이어 층(22)이 패턴화되고 복수의 전기 회로들(41)로서 역할하도록 노출 및 현상 프로세스가 수행되며; 보호 층(3)에 의해 커버되지 않은 제 1 은 나노와이어 층(21)의 노출된 부분들이 제거된다(단계 (4-b)). 패턴화된 제 1 은 나노와이어 층(21)은 보호 층(3)과 동일한 전극 패턴을 갖는다. 도 20에 도시된 투명 전도성 필름(3000)이 달성된다.
본 개시는 추가로 본 개시의 제 5 실시예의 투명 전도성 필름(4000)의 제조 방법을 제공한다. 제조 프로세스는 도 21 내지 도 23에 도시된다. 본 실시예는, 제 2 실시예의 투명 전도성 필름(1000)을 제조하기 위한 단계들 및 본 실시예의 투명 전도성 필름(4000)을 형성하기 위한 다른 단계들을 포함한다. 먼저, 도 21에 도시된 바와 같이, 디스플레이 영역(11) 및 비-디스플레이 영역(12)을 갖는 기판(1)이 제공된다(단계 (1)). 비-디스플레이 영역(12) 상에 복수의 구리 전기 회로들(41)을 형성하기 위해 노출 및 현상 프로세스가 수행된다. 그런 다음, 디스플레이 영역(11) 상에 제 은 1 나노와이어 층(21)을 형성하고 전기 회로들(41) 상에 제 2 은 나노와이어 층(22)을 형성하기 위하여(단계 (2)) 기판(1)의 디스플레이 영역(11) 및 전기 회로들(41) 상에 은 나노와이어들이 스프레이된다. 도 22에 도시된 바와 같이, 보호 층(3)이 제 1 은 나노와이어 층(21) 및 제 2 은 나노와이어 층(22) 상에 형성된다(단계 (3)). 보호 층(3) 및 제 1 은 나노와이어 층(21)이 동일한 패턴을 가질 수 있도록 보호 층(3) 및 제 1 은 나노와이어 층(21)을 패턴화하기 위하여 다른 노출 및 현상 프로세스가 수행된다(단계 (4-1)). 다른 한편으로, 비-디스플레이 영역(12) 상의 보호 층(3) 및 제 2 은 나노와이어 층(22)은 전기 회로들(41)을 노출시키기 위해 완전히 제거된다. 따라서, 도 23에 도시된 투명 전도성 필름(4000)이 달성되었다.
이상의 개시는 상세한 기술적 콘텐트들 및 그것의 발명적인 특징들과 관련된다. 당업자는 이의 특성들로부터 벗어나지 않고 설명된 바와 같은 본 개시의 개시 내용들 및 제안들에 기초하여 다양한 수정들 및 교체들을 진행할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 이러한 수정들 및 교체들이 이상의 설명에서 완전히 개시되지는 않았지만, 이들은 첨부된 바와 같은 다음의 청구항에서 실질적으로 커버된다.

Claims (18)

  1. 투명 전도성 필름으로서,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제 1 은 나노와이어 층; 및
    상기 제 1 은 나노와이어 층 상에 배치되는 보호 층을 포함하며,
    상기 보호 층은 패턴화가능 포토레지스트 재료를 포함하고, 상기 제 1 은 나노와이어 층 및 상기 보호 층은 동일한 패턴을 갖는, 투명 전도성 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 패턴화가능 포토레지스트 재료는 포지티브 포토레지스트 재료 또는 네거티브 포토레지스트 재료인, 투명 전도성 필름.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 패턴화가능 포토레지스트 재료는 15 내지 30 wt%의 아크릴 수지, 65 내지 80 wt%의 용매, 2 내지 5 wt%의 광개시제, 및 0 내지 3 wt%의 첨가제를 포함하는, 투명 전도성 필름.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 아크릴 수지는, 모노머, 올리고머 및 알칼리-가용성 수지를 포함하고, 상기 모노머는, 지방족 폴리올 화합물, 아크릴레이트를 갖는 불포화 카르복실 산 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나이며; 상기 올리고머는, 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 에폭시 아크릴레이트 올리고머, 폴리에스테르 아크릴레이트 올리고머 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나이고; 상기 알칼리-가용성 수지는 불포화 치환기들을 갖는 수지, 페닐기를 갖는 수지, 카르복실기를 갖는 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나인, 투명 전도성 필름.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 용매는, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸 아세테이트, 에틸렌 디클로라이드, 테트라히드로푸란, 톨루엔 및 에테르로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나인, 투명 전도성 필름.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 첨가제는 레벨링제, 착색제, 자외선 흡수제, 감광제 및 광 발광제로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나인, 투명 전도성 필름.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호 층의 두께는 0.2 내지 2 μm인, 투명 전도성 필름.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 투명 전도성 필름의 투과율은 90%보다 더 큰, 투명 전도성 필름.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 투명 전도성 필름의 저항은 5 내지 100 옴인, 투명 전도성 필름.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 디스플레이 영역 및 비-디스플레이 영역을 포함하며, 상기 제 1 은 나노와이어 층은 상기 디스플레이 영역 내에 배치되는, 투명 전도성 필름.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 투명 전도성 필름은 상기 기판의 상기 비-디스플레이 영역 내에 배치되는 전기 회로를 더 포함하며, 상기 전기 회로는 상기 제 1 은 나노와이어 층에 전기적으로 연결되는, 투명 전도성 필름.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 투명 전도성 필름은 상기 기판의 상기 비-디스플레이 영역 내에 배치되는 제 2 은 나노와이어 층을 더 포함하며, 상기 전기 회로 및 상기 제 2 은 나노와이어 층은 중첩하고 동일한 패턴을 갖는, 투명 전도성 필름.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제 2 은 나노와이어 층은 상기 기판과 상기 전기 회로 사이에 배치되거나 또는 상기 전기 회로 상에 배치되는, 투명 전도성 필름.
  14. 투명 전도성 필름의 제조 방법으로서,
    기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 제 1 은 나노와이어 층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 은 나노와이어 층 상에 보호 층을 형성하는 단계; 및
    상기 보호 층 및 상기 제 1 은 나노와이어 층을 패턴화하는 단계를 포함하며,
    상기 보호 층은 패턴화가능 포토레지스트 재료를 포함하고, 상기 보호 층 및 상기 제 1 은 나노와이어 층은 동일한 패턴을 갖는, 제조 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 패턴화하는 단계는,
    노출 및 현상 프로세스에 의해 상기 보호 층을 패턴화하는 단계; 및
    상기 제 1 은 나노와이어 층을 패턴화하기 위해 에칭 또는 비-에칭 방법에 의해 상기 제 1 은 나노와이어 층의 노출된 부분들을 제거하는 단계를 포함하는, 제조 방법.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 패턴화하는 단계는 노출 및 현상 프로세스에 의해 상기 보호 층 및 상기 제 1 은 나노와이어 층을 동시에 패턴화하는 단계를 포함하는, 제조 방법.
  17. 청구항 14에 있어서,
    상기 패턴화가능 포토레지스트 재료는 포지티브 포토레지스트 재료 또는 네거티브 포토레지스트 재료를 포함하는, 제조 방법.
  18. 청구항 14에 있어서,
    상기 보호 층은 적어도 15 내지 30 wt%의 아크릴 수지, 65 내지 80 wt%의 용매, 2 내지 5 wt%의 광개시제, 및 0 내지 3 wt%의 첨가제를 포함하는, 제조 방법.
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