KR102341436B1 - 터치 스크린 패널의 제조 방법 및 터치 스크린 패널 - Google Patents

터치 스크린 패널의 제조 방법 및 터치 스크린 패널 Download PDF

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Abstract

터치 스크린 패널의 제조 방법은 기판 상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층을 패터닝하여 패드 금속층, 배선 금속층, 연결 금속층 및 메쉬 형태의 금속 라인들을 포함하는 감지 금속층을 포함하는 금속 패턴을 형성하는 단계, 상기 금속 패턴이 형성된 상기 기판 상에 제1 투명 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 투명 도전층 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층을 패터닝하여 배선 절연층, 연결 절연층 및 감지 절연층을 형성하는 절연층 패터닝 단계, 상기 제1 투명 도전층을 패터닝하여 외곽 배선, 연결부 및 감지 전극을 형성하는 제1 투명 도전층 패터닝 단계, 상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극이 형성된 상기 기판 상에 제2 투명 도전층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 투명 도전층을 패터닝하여 패드부 및 브릿지를 형성하는 제2 투명 도전층 패터닝 단계를 포함한다.

Description

터치 스크린 패널의 제조 방법 및 터치 스크린 패널{FABRICATION METHOD OF TOUCH SCREEN PANEL AND TOUCH SCREEN PANEL}
본 발명은 터치 스크린 패널의 제조 방법 및 터치 스크린 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정을 간소화 할 수 있는 터치 스크린 패널의 제조 방법 및 공정을 간소화하여 제조된 터치 스크린 패널에 관한 것이다.
터치 스크린 패널은 영상 표시 장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다.
이를 위해, 터치 스크린 패널은 영상 표시 장치의 전면(front face)에 구비되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다.
이와 같은 터치 스크린 패널은 키보드 및 마우스와 같이 영상표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.
터치 스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전 용량 방식 등이 알려져 있다.
이 중 정전 용량 방식의 터치 스크린 패널은, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 감지 전극이 주변의 다른 감지 전극 또는 접지 전극 등과 형성하는 정전 용량의 변화를 감지함으로써, 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다.
최근 정전 용량 방식의 터치 스크린 패널의 제조 공정을 간소화하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 공정을 간소화할 수 있는 터치 스크린 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 공정을 간소화하여 제조할 수 있는 터치 스크린 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 기판 상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층을 패터닝하여 패드 금속층, 배선 금속층, 연결 금속층 및 메쉬 형태의 금속 라인들을 포함하는 감지 금속층을 포함하는 금속 패턴을 형성하는 단계, 상기 금속 패턴이 형성된 상기 기판 상에 제1 투명 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 투명 도전층 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층을 패터닝하여 배선 절연층, 연결 절연층 및 감지 절연층을 형성하는 절연층 패터닝 단계, 상기 제1 투명 도전층을 패터닝하여 외곽 배선, 연결부 및 감지 전극을 형성하는 제1 투명 도전층 패터닝 단계, 상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극이 형성된 상기 기판 상에 제2 투명 도전층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 투명 도전층을 패터닝하여 패드부 및 브릿지를 형성하는 제2 투명 도전층 패터닝 단계를 포함한다.
상기 금속 패턴을 형성하는 단계는 상기 금속층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계, 제1 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 금속층을 식각하여 상기 패드 금속층, 상기 배선 금속층, 상기 연결 금속층 및 메쉬 형태의 상기 금속 라인들을 포함하는 상기 감지 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 절연층 패터닝 단계는 상기 절연층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계, 제2 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 절연층을 식각하여 상기 배선 절연층, 상기 연결 절연층 및 상기 감지 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 제1 투명 도전층 패터닝 단계는 상기 배선 절연층, 상기 연결 절연층 및 상기 감지 절연층을 마스크로 하여, 상기 제1 투명 도전층을 식각하여, 상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 제2 투명 도전층 패터닝 단계는 상기 제2 투명 도전층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계, 제3 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제3 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 투명 도전층을 식각하여 상기 패드부 및 상기 브릿지를 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층 각각은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성하는 것일 수 있다.
상기 금속층은 Cu, Ti, Al, Ag, Au, Pt, Mo, 은 파라듐 구리 합금(APC) 및 은 파라듐 합금(AP)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 기판 상에 제1 투명 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 투명 도전층을 패터닝하여 패드부, 배선 투명 도전층, 연결 투명 도전층 및 감지 투명 도전층을 포함하는 투명 도전 패턴을 형성하는 단계, 상기 투명 도전 패턴이 형성된 상기 기판 상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층을 패터닝하여 배선 절연층, 연결 절연층 및 감지 절연층을 형성하는 절연층 패터닝 단계, 상기 금속층을 패터닝하여 외곽 배선, 연결부 및 감지 전극을 형성하는 금속층 패터닝 단계, 상기 패드부, 상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극이 형성된 상기 기판 상에 제2 투명 도전층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 투명 도전층을 패터닝하여 브릿지를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 투명 도전 패턴을 형성하는 단계는 상기 제1 투명 도전층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계, 제1 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제1 투명 도전층을 식각하여 상기 패드부, 상기 배선 투명 도전층, 상기 연결 투명 도전층 및 상기 감지 투명 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 절연층 패터닝 단계는 상기 절연층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계, 제2 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 절연층을 식각하여 상기 배선 절연층, 상기 연결 절연층 및 상기 감지 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 금속층 패터닝 단계는 상기 배선 절연층, 상기 연결 절연층 및 상기 감지 절연층을 마스크로 하여, 상기 금속층을 식각하여, 상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
상기 브릿지를 형성하는 단계는 상기 제2 투명 도전층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계, 제3 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제3 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 투명 도전층을 식각하여 상기 브릿지를 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 감지 전극, 연결부, 패드부, 외곽 배선 및 브릿지를 포함한다. 상기 감지 전극은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 각각으로 이격되어 배열되는 제1 감지 전극들 및 제2 감지 전극들을 포함한다. 상기 연결부는 상기 제2 방향으로 이격되는 제2 감지 전극들을 서로 연결한다. 상기 패드부는 상기 감지 전극과 전기적으로 연결되고, 패드 금속층 및 적어도 일부가 상기 패드 금속층 상에 형성되는 패드 투명 도전층을 포함한다. 상기 외곽 배선은 상기 감지 전극과 상기 패드부를 연결하고, 배선 금속층, 적어도 일부가 상기 배선 금속층 상에 형성되는 배선 투명 도전층 및 적어도 일부가 상기 배선 투명 도전층 상에 형성되는 배선 절연층을 포함한다. 상기 브릿지는 상기 제1 방향으로 이격되는 제1 감지 전극들을 서로 연결한다.
상기 감지 전극은 감지 금속층, 감지 투명 도전층 및 감지 절연층을 포함한다. 상기 감지 금속층은 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들을 포함하고, 상기 배선 금속층 및 상기 패드 금속층 각각과 동일한 층 상에 형성된다. 상기 감지 투명 도전층은 적어도 일부가 상기 감지 금속층 상에 형성되고, 상기 배선 투명 도전층과 동일한 물질로 형성된다. 상기 감지 절연층은 적어도 일부가 상기 감지 투명 도전층 상에 형성되고, 상기 배선 절연층과 동일한 물질로 형성된다. 상기 브릿지는 상기 감지 금속층과 접촉하고, 상기 제1 감지 전극들의 일부 및 상기 연결부 각각과 중첩한다.
상기 브릿지는 상기 패드 투명 도전층과 동일한 물질로 형성되는 것일 수 있다.
상기 연결부는 연결 금속층, 연결 투명 도전층 및 연결 절연층을 포함한다. 상기 연결 금속층은 상기 감지 금속층, 상기 패드 금속층 및 상기 배선 금속층 각각과 동일한 층 상에 형성된다. 상기 연결 투명 도전층은 적어도 일부가 상기 연결 금속층 상에 형성되고, 상기 감지 투명 도전층 및 상기 배선 투명 도전층 각각과 동일한 물질로 형성된다. 상기 연결 절연층은 적어도 일부가 상기 연결 투명 도전층 상에 형성되고, 상기 감지 절연층 및 상기 배선 절연층 각각과 동일한 물질로 형성된다.
평면상에서 보았을 때, 상기 감지 투명 도전층의 넓이는 상기 감지 금속층의 넓이보다 크고, 상기 감지 절연층의 넓이는 상기 감지 금속층의 넓이보다 큰 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 감지 전극, 연결부, 패드부, 외곽 배선 및 브릿지를 포함한다. 상기 감지 전극은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 각각으로 이격되어 배열되는 제1 감지 전극들 및 제2 감지 전극들을 포함한다. 상기 연결부는 상기 제2 방향으로 이격되는 제2 감지 전극들을 서로 연결한다. 상기 패드부는 상기 감지 전극과 전기적으로 연결된다. 상기 외곽 배선은 상기 감지 전극과 상기 패드부를 연결하고, 상기 패드부와 동일한 층 상에 형성되는 배선 투명 도전층, 상기 배선 투명 도전층 상에 형성되는 배선 금속층 및 적어도 일부가 상기 배선 금속층 상에 형성되는 배선 절연층을 포함한다. 상기 브릿지는 상기 제1 방향으로 이격되는 제1 감지 전극들을 서로 연결한다.
상기 감지 전극은 감지 투명 도전층, 감지 금속층 및 감지 절연층을 포함한다. 상기 감지 투명 도전층은 상기 패드부 및 상기 배선 투명 도전층 각각과 동일한 층 상에 형성되고, 상기 패드부 및 상기 배선 투명 도전층 각각과 동일한 물질로 형성된다. 상기 감지 금속층은 상기 감지 투명 도전층 상에 형성되고, 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들을 포함한다. 상기 감지 절연층은 적어도 일부가 상기 금속층 상에 형성되고, 상기 배선 절연층과 동일한 물질로 형성된다. 상기 브릿지는 상기 감지 투명 도전층과 접촉하고, 상기 제1 감지 전극들의 일부 및 상기 연결부 각각과 중첩한다.
상기 브릿지는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
상기 연결부는 연결 투명 도전층, 연결 금속층 및 연결 절연층을 포함한다. 상기 연결 투명 도전층은 상기 패드부 및 상기 배선 투명 도전층 각각과 동일한 층 상에 형성된다. 상기 연결 금속층은 상기 연결 투명 도전층 상에 형성되고, 상기 감지 금속층 및 상기 배선 금속층 각각과 동일한 물질로 형성된다. 상기 연결 절연층은 적어도 일부가 상기 연결 금속층 상에 형성되고, 상기 감지 절연층 및 상기 배선 절연층 각각과 동일한 물질로 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법에 의하면, 공정을 간소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 의하면, 공정을 간소화하여 제조한 터치 스크린 패널을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 I-I'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5j는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7j는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널(10)은 기판(SUB), 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 포함하는 감지 전극(TE), 연결부(CN), 패드부(PAD), 외곽 배선(OL) 및 브릿지(BD)를 포함한다.
기판(SUB)에는 사용자에 의해 터치가 입력될 수 있다. 기판(SUB)은 투광성 기판(SUB)으로, 투명한 유전 필름 형태로 구성될 수 있다. 기판(SUB)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 플라스틱, 유리, 세라믹 및 폴리머 등으로 이루어질 수 있다. 기판(SUB)은 예를 들어, 판상으로 제공될 수 있다.
기판(SUB)은 터치 비인식 영역(NTA) 및 터치 인식 영역(TA)을 포함한다. 터치 비인식 영역(NTA)은 사용자의 터치를 인식하지 않는다. 터치 인식 영역(TA)은 사용자의 터치를 인식한다. 터치 비인식 영역(NTA)은 예를 들어, 터치 인식 영역(TA)을 둘러싸는 것일 수 있다. 터치 인식 영역(TA)은 대략 직사각형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
터치 비인식 영역(NTA)은 예를 들어, 터치 인식 영역(TA)을 둘러싸는 데드 스페이스 영역으로 패드부(PAD) 및 외곽 배선(OL)이 배치된다. 도 1에서는 패드부(PAD)가 터치 인식 영역(TA)의 좌측에 배치되는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 우측, 상측, 하측 등 다양한 위치에 배치될 수 있다.
패드부(PAD)는 감지 전극(TE)과 전기적으로 연결되고, 패드 금속층(ML_P) 및 패드 투명 도전층(TL2_P)을 포함한다. 패드부(PAD)는 기판(SUB) 상에 형성된다.
패드 금속층(ML_P)은 감지 금속층(ML_T) 및 배선 금속층(ML_O) 각각과 동일한 물질로 형성된다. 패드 금속층(ML_P)은 감지 금속층(ML_T) 및 배선 금속층(ML_O) 각각과 동일한 공정에서 형성된다.
패드 투명 도전층(TL2_P)은 적어도 일부가 패드 금속층(ML_P) 상에 형성된다. 도 2에서는 패드 투명 도전층(TL2_P)이 패드 금속층(ML_P) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 패드 투명 도전층(TL2_P)은 패드 금속층(ML_P) 상에 형성될 수도 있다.
패드 투명 도전층(TL2_P)은 브릿지(BD)와 동일한 물질로 형성된다. 패드 투명 도전층(TL2_P)은 브릿지(BD)와 동일한 공정에서 형성된다. 다만 이에 한정하는 것은 아니고, 패드 투명 도전층(TL2_P)은 배선 투명 도전층(TL1_O)과 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 패드 투명 도전층(TL2_P)은 배선 투명 도전층(TL1_O)과 동일한 공정에서 형성될 수도 있다.
외곽 배선(OL)은 감지 전극(TE)과 패드부(PAD)를 연결하고, 배선 금속층(ML_O), 배선 투명 도전층(TL1_O) 및 배선 절연층(INL_O)을 포함한다. 외곽 배선(OL)은 기판(SUB) 상에 형성된다.
배선 금속층(ML_O)은 감지 금속층(ML_T) 및 패드 금속층(ML_P) 각각과 동일한 물질로 형성된다. 배선 금속층(ML_O)은 감지 금속층(ML_T) 및 패드 금속층(ML_P) 각각과 동일한 공정에서 형성된다.
배선 투명 도전층(TL1_O)은 적어도 일부가 배선 금속층(ML_O) 상에 형성된다. 도 2에서는 배선 투명 도전층(TL1_O)이 배선 금속층(ML_O) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 배선 투명 도전층(TL1_O)은 배선 금속층(ML_O) 상에 형성될 수도 있다.
배선 투명 도전층(TL1_O)은 감지 투명 도전층(TL1_T)와 동일한 물질로 형성된다. 배선 투명 도전층(TL1_O)은 감지 투명 도전층(TL1_T)와 동일한 공정에서 형성된다.
배선 절연층(INL_O)은 적어도 일부가 배선 투명 도전층(TL1_O) 상에 형성된다. 도 2에서는 배선 절연층(INL_O)이 배선 투명 도전층(TL1_O) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 배선 절연층(INL_O)은 배선 투명 도전층(TL1_O) 상에 형성될 수도 있다.
배선 절연층(INL_O)은 감지 절연층(INL_T)와 동일한 물질로 형성된다. 배선 절연층(INL_O)은 감지 절연층(INL_T)와 동일한 공정에서 형성된다.
터치 인식 영역(TA)은 감지 전극(TE)이 배치되는 영역으로, 감지 전극(TE)에 의해 사용자에 의한 터치의 입력을 인식한다. 사용자에 의한 터치와 관련하여, 사용자에 의한 터치가 발생되면, 감지 전극(TE), 예를 들어 감지 전극(TE)에 포함되는 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 사이에 정전 용량의 변화가 발생된다. 정전 용량의 변화에 따라 제1 감지 전극들(Tx)에 인가되는 감지 신호는 딜레이되어 제2 감지 전극들(Rx)에 제공될 수 있다. 터치 스크린 패널(10)은 감지 신호의 딜레이 값으로부터 터치 좌표를 센싱할 수 있다.
감지 전극(TE)은 감지 금속층(ML_T), 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 감지 절연층(INL_T)을 포함한다.
감지 금속층(ML_T)은 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함하고, 배선 금속층(ML_O) 및 패드 금속층(ML_P) 각각과 동일한 층 상에 형성된다. 감지 금속층(ML_T)은 배선 금속층(ML_O) 및 패드 금속층(ML_P) 각각과 동일한 물질로 형성되는 것일 수 있다. 감지 금속층(ML_T)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 Cu, Ti, Al, Ag, Au, Pt, Mo, 은 파라듐 구리 합금(APC) 및 은 파라듐 합금(AP)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다. 상기 물질들은 비저항이 낮아, 감지 전극(TE)의 저항을 낮출 수 있다. 감지 금속층(ML_T)은 배선 금속층(ML_O) 및 패드 금속층(ML_P)과 동일한 공정에서 형성된다.
감지 투명 도전층(TL1_T)은 적어도 일부가 감지 금속층(ML_T) 상에 형성된다. 도 2에서는 감지 투명 도전층(TL1_T)이 감지 금속층(ML_T) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 감지 투명 도전층(TL1_T)은 감지 금속층(ML_T) 상에 형성될 수도 있다.
감지 투명 도전층(TL1_T)은 배선 투명 도전층(TL1_O)과 동일한 물질로 형성된다. 감지 투명 도전층(TL1_T)은 투명 도전성 산화물(Transparent conductive oxide; TCO)로 형성될 수 있다. 투명 도전성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다. 상기 물질들은 비저항이 높아 감지 전극(TE)에 포함되는 경우, 저항을 줄이기 위해 감지 투명 도전층(TL1_T)의 두께를 두껍게 하여야 하나, 비저항이 낮은 감지 금속층(ML_T)과 함께 감지 전극(TE)에 포함되면 감지 투명 도전층(TL1_T)의 두께를 얇게 할 수 있다. 감지 투명 도전층(TL1_T)은 배선 투명 도전층(TL1_O)과 동일한 공정에서 형성된다.
감지 절연층(INL_T)은 적어도 일부가 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성된다. 도 2에서는 감지 절연층(INL_T)이 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 감지 절연층(INL_T)은 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성될 수도 있다.
감지 절연층(INL_T)은 배선 절연층(INL_O)과 동일한 물질로 형성된다. 감지 절연층(INL_T)은 예를 들어 유기 절연 물질로 형성되는 것일 수 있다. 감지 절연층(INL_T)은 배선 절연층(INL_O)과 동일한 공정에서 형성된다.
평면상에서 보았을 때, 감지 투명 도전층(TL1_T)의 넓이는 감지 금속층(ML_T)의 넓이보다 크고, 감지 절연층(INL_T)의 넓이는 감지 금속층(ML_T)의 넓이보다 큰 것일 수 있다. 감지 전극(TE)의 형상은 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 감지 절연층(INL_T)에 의해 정의되고, 감지 투명 도전층(TL1_T)은 적어도 일부가 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T) 상에 형성된다. 감지 절연층(INL_T)은 적어도 일부가 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성된다. 감지 투명 도전층(TL1_T)은 적어도 일부가 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T) 상에 형성되므로, 평면상에서 보았을 때(예를 들어, 터치 스크린 패널(10)의 두께 방향), 감지 투명 도전층(TL1_T)의 넓이가 감지 금속층(ML_T)의 넓이보다 크다. 감지 절연층(INL_T)은 적어도 일부가 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성되고, 감지 투명 도전층(TL1_T)은 적어도 일부가 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T) 상에 형성되므로, 평면상에서 보았을 때(예를 들어, 터치 스크린 패널(10)의 두께 방향), 감지 절연층(INL_T)의 넓이가 감지 금속층(ML_T)의 넓이보다 크다.
감지 전극(TE)은 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 연장되는 복수의 행들과 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 연장되는 복수의 열들을 갖는 매트릭스 형태로 배치된다.
감지 전극(TE)은 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 포함한다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 서로 전기적으로 절연된다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 대략적으로 마름모, 정사각형, 직사각형, 원 또는 정형화되지 않은 모양(예를 들면, 덴드라이트(dendrite) 구조와 같이 나뭇가지들이 얽혀 있는 모양) 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
제1 감지 전극들(Tx)은 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향) 및 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)과 교차하는 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향) 각각으로 이격되어 배열된다. 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 이격되는 제1 감지 전극들(Tx)은 브릿지(BD)에 의해 연결된다.
제1 감지 전극들(Tx)은 감지 금속층(ML_T), 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 감지 절연층(INL_T)을 포함한다. 감지 금속층(ML_T), 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 감지 절연층(INL_T)은 앞에서 상세하게 설명하였는 바, 이하에서는 구체적인 설명은 생략한다.
브릿지(BD)는 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 이격되는 제1 감지 전극들(Tx)을 연결한다. 브릿지(BD)는 감지 금속층(ML_T)과 접촉하고, 제1 감지 전극들(Tx)의 일부 및 연결부(CN) 각각과 중첩한다. 브릿지(BD)는 패드 투명 도전층(TL2_P)과 동일한 물질로 형성된다. 브릿지(BD)는 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다. 브릿지(BD)는 패드 투명 도전층(TL2_P)과 동일한 공정에서 형성된다.
제1 감지 전극들(Tx) 중에서 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 일단에 배치되는 제1 감지 전극이 제1 패드부(PAD1)와 전기적으로 연결된다. 도 1에서는 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 일단에 배치되는 제1 감지 전극이 제1 패드부(PAD1)와 전기적으로 연결되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 양단에 배치되는 제1 감지 전극들 각각이 제1 패드부(PAD1)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
제1 감지 전극들(Tx) 중에서 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 일단에 배치되는 제1 감지 전극은 제1 외곽 배선(OL1)과 연결되어, 제1 패드부(PAD1)와 전기적으로 연결된다. 도 1에서는 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 일단에 배치되는 제1 감지 전극이 제1 외곽 배선(OL1)과 연결되어 제1 패드부(PAD1)와 전기적으로 연결되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 연장되는 하나의 행을 이루는 제1 감지 전극들(Tx) 중 양단에 배치되는 제1 감지 전극들 각각이 제1 외곽 배선(OL1)과 연결되어, 제1 패드부(PAD1)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
제2 감지 전극들(Rx)은 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향) 및 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 이격되어 배열된다.
제2 감지 전극들(Rx)은 감지 금속층(ML_T), 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 감지 절연층(INL_T)을 포함한다. 감지 금속층(ML_T), 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 감지 절연층(INL_T)은 앞에서 상세하게 설명하였는 바, 이하에서는 구체적인 설명은 생략한다.
연결부(CN)는 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 이격되는 제2 감지 전극들(Rx)을 서로 연결한다. 연결부(CN)는 연결 금속층(ML_C), 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 연결 절연층(INL_C)을 포함한다.
연결 금속층(ML_C)은 감지 금속층(ML_T), 배선 금속층(ML_O) 및 패드 금속층(ML_P) 각각과 동일한 층 상에 형성된다. 연결 금속층(ML_C)은 감지 금속층(ML_T), 배선 금속층(ML_O) 및 패드 금속층(ML_P) 각각과 동일한 물질로 형성된다. 연결 금속층(ML_C)은 감지 금속층(ML_T), 배선 금속층(ML_O) 및 패드 금속층(ML_P)은 동일한 공정에서 형성된다. 도시하지는 않았으나, 연결 금속층(ML_C)은 감지 금속층(ML_T)과 유사한 형태로, 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함할 수 있다.
연결 투명 도전층(TL1_C)은 적어도 일부가 연결 금속층(ML_C) 상에 형성된다. 도 2에서는 연결 투명 도전층(TL1_C)이 연결 금속층(ML_C) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 연결 투명 도전층(TL1_C)은 연결 금속층(ML_C) 상에 형성될 수도 있다.
연결 투명 도전층(TL1_C)은 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 배선 투명 도전층(TL1_O) 각각과 동일한 물질로 형성된다. 연결 투명 도전층(TL1_C)은 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 배선 투명 도전층(TL1_O)과 동일한 공정에서 형성된다.
연결 절연층(INL_C)은 적어도 일부가 연결 투명 도전층(TL1_C) 상에 형성된다. 도 2에서는 연결 절연층(INL_C)이 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성 되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 연결 절연층(INL_C)은 연결 투명 도전층(TL1_C) 상에 형성될 수도 있다.
연결 절연층(INL_C)은 감지 절연층(INL_T) 및 배선 절연층(INL_O) 각각과 동일한 물질로 형성된다. 연결 절연층(INL_C)은 감지 절연층(INL_T) 및 배선 절연층(INL_O) 각각과 동일한 공정에서 형성된다.
제2 감지 전극들(Rx) 중에서 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 일단에 배치되는 제2 감지 전극이 제2 패드부(PAD2)와 전기적으로 연결된다. 도 2에서는 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 일단에 배치되는 제2 감지 전극이 제2 패드부(PAD2)와 전기적으로 연결되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 양단에 배치되는 제2 감지 전극들 각각이 제2 패드부(PAD2)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
제2 감지 전극들(Rx) 중에서 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 일단에 배치되는 제2 감지 전극은 제2 외곽 배선(OL2)과 연결되어, 제2 패드부(PAD2)와 전기적으로 연결된다. 도 2에서는 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 일단에 배치되는 제2 감지 전극이 제2 외곽 배선(OL2)과 연결되어 제2 패드부(PAD2)와 전기적으로 연결되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 연장되는 하나의 열을 이루는 제2 감지 전극들(Rx) 중 양단에 배치되는 제2 감지 전극들 각각이 제2 외곽 배선(OL2)과 연결되어, 제2 패드부(PAD2)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널(10)은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(10)(Plasma Display Panel, PDP), 전계 발광 표시 장치(Electroluminescence Device, EL), 전기 영동 표시 장치 등을 포함하는 표시 장치에 적용될 수 있다. 이 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널(10)에 포함되는 기판(SUB)은 표시 장치를 구성하는 기판(SUB)의 하나로 선택될 수 있다.
종래의 터치 스크린 패널은 일반적으로 감지 전극(TE)과 외곽 배선(OL)을 서로 상이한 공정에서 형성하고, 패드부(PAD)와 브릿지(BD)를 서로 상이한 공정에서 형성하였다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 감지 전극(TE) 및 외곽 배선(OL)을 동일한 공정에서 형성하고, 패드부(PAD) 및 브릿지(BD)를 동일한 공정에서 형성하여, 마스크 공정을 줄일 수 있고, 이에 따라 비용 절감 및 택트 타임(tact time: 일간 생산 목표량을 달성하기 위한 제품 단위당 제작 소요시간)을 줄일 수 있다.
이하에서는 도 1 및 도 3에 따른 터치 스크린 패널(10)에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 도 1 및 도 2에 따른 터치 스크린 패널(10)과의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 도 1 및 도 2에 따른 터치 스크린 패널(10)에 따른다.
도 3은 도 1의 I-I'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널(10)은 기판(SUB), 감지 전극(TE), 연결부(CN), 패드부(PAD), 외곽 배선(OL) 및 브릿지(BD)를 포함한다.
패드부(PAD)는 감지 전극(TE)과 전기적으로 연결된다. 패드부(PAD)는 투명 도전성 산화물(Transparent conductive oxide; TCO)로 형성될 수 있다. 투명 도전성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
외곽 배선(OL)은 감지 전극(TE)과 패드부(PAD)를 연결한다. 외곽 배선(OL)은 배선 투명 도전층(TL1_O), 배선 금속층(ML_O) 및 배선 절연층(INL_O)을 포함한다.
배선 투명 도전층(TL1_O)은 감지 투명 도전층(TL1_T)과 동일한 물질로 형성된다. 배선 투명 도전층(TL1_O)은 감지 투명 도전층(TL1_T)과 동일한 공정에서 형성된다.
배선 금속층(ML_O)은 배선 투명 도전층(TL1_O) 상에 형성된다. 배선 금속층(ML_O)은 감지 금속층(TL1_T)과 동일한 물질로 형성된다. 배선 금속층(ML_O)은 감지 금속층(TL1_T)과 동일한 공정에서 형성된다.
배선 절연층(INL_O)은 적어도 일부가 배선 금속층(ML_O) 상에 형성된다. 도 3에서는 배선 절연층(INL_O)이 배선 금속층(ML_O) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 배선 절연층(INL_O)은 배선 금속층(ML_O), 배선 투명 도전층(TL1_O) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성될 수도 있고, 배선 절연층(INL_O)은 배선 금속층(ML_O) 및 배선 투명 도전층(TL1_O) 각각 상에 형성될 수도 있고, 배선 절연층(INL_O)은 배선 금속층(ML_O) 상에 형성될 수도 있다.
배선 절연층(INL_O)은 감지 절연층(INL_T)와 동일한 물질로 형성된다. 배선 절연층(INL_O)은 감지 절연층(INL_T)와 동일한 공정에서 형성된다.
감지 전극(TE)은 감지 투명 도전층(TL1_T), 감지 금속층(ML_T) 및 감지 절연층(INL_T)을 포함한다.
감지 투명 도전층(TL1_T)은 패드부(PAD) 및 외곽 배선(OL) 각각과 동일한 층 상에 형성된다. 감지 투명 도전층(TL1_T)은 패드부(PAD) 및 배선 투명 도전층(TL1_O) 각각과 동일한 물질로 형성된다. 감지 투명 도전층(TL1_T)은 투명 도전성 산화물(Transparent conductive oxide; TCO)로 형성될 수 있다. 투명 도전성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
감지 금속층(ML_T)은 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성된다. 감지 금속층(ML_T)은 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함한다. 감지 금속층(ML_T)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 Cu, Ti, Al, Ag, Au, Pt, Mo, 은 파라듐 구리 합금(APC) 및 은 파라듐 합금(AP)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
감지 절연층(INL_T)은 적어도 일부가 감지 금속층(ML_T) 상에 형성된다. 도 3에서는감지 절연층(INL_T)이 감지 금속층(ML_T), 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 감지 절연층(INL_T)은 감지 금속층(ML_T) 및 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성될 수도 있고, 감지 절연층(INL_T)은 감지 금속층(ML_T) 상에 형성될 수도 있다.
감지 절연층(INL_T)은 배선 절연층(INL_O)과 동일한 물질로 형성된다. 감지 절연층(INL_T)은 예를 들어 유기 절연 물질로 형성되는 것일 수 있다. 감지 절연층(INL_T)은 배선 절연층(INL_O)과 동일한 공정에서 형성된다.
감지 전극(TE)은 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 연장되는 복수의 행들과 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 연장되는 복수의 열들을 갖는 매트릭스 형태로 배치된다.
감지 전극(TE)은 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 포함한다. 제1 감지 전극들(Tx)은 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향) 및 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)과 교차하는 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향) 각각으로 이격되어 배열된다. 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 이격되는 제1 감지 전극들(Tx)은 브릿지(BD)에 의해 연결된다. 제2 감지 전극들(Rx)은 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향) 및 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)과 교차하는 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향) 각각으로 이격되어 배열된다. 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 이격되는 제2 감지 전극들(Rx)은 연결부(CN)에 의해 연결된다.
브릿지(BD)는 제1 방향(예를 들어 도 1의 DR1 방향)으로 이격되는 제1 감지 전극들(Tx)을 서로 연결한다. 브릿지(BD)는 감지 투명 도전층(TL1_T)과 접촉하고, 제1 감지 전극들(Tx)의 일부 및 연결부(CN) 각각과 중첩한다. 브릿지(BD)는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
연결부(CN)는 제2 방향(예를 들어 도 1의 DR2 방향)으로 이격되는 제2 감지 전극들(Rx)을 연결한다. 연결부(CN)는 연결 투명 도전층(TL1_C), 연결 금속층(ML_C) 및 연결 절연층(INL_C)을 포함한다.
연결 투명 도전층(TL1_C)은 패드부(PAD) 및 배선 투명 도전층(TL1_O) 각각과 동일한 층 상에 형성된다. 연결 투명 도전층(TL1_C)은 패드부(PAD) 및 배선 투명 도전층(TL1_O) 각각과 동일한 물질로 형성된다. 연결 투명 도전층(TL1_C)은 패드부(PAD) 및 배선 투명 도전층(TL1_O)과 동일한 공정에서 형성된다.
연결 금속층(ML_C)은 연결 투명 도전층(TL1_C) 상에 형성된다. 연결 금속층(ML_C)은 감지 금속층(ML_T)과 동일한 물질로 형성된다. 연결 금속층(ML_C)은 감지 금속층(ML_T)과 동일한 공정에서 형성된다. 도시하지는 않았으나, 연결 금속층(ML_C)은 감지 금속층(ML_T)과 유사한 형태로, 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함할 수 있다.
연결 절연층(INL_C)은 적어도 일부가 연결 금속층(ML_C) 상에 형성된다. 도 3에서는연결 절연층(INL_C)이 연결 금속층(ML_C) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 연결 절연층(INL_C)은 연결 금속층(ML_C), 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 기판(SUB) 상에 형성될 수도 있고, 연결 절연층(INL_C)은 연결 금속층(ML_C) 및 연결 투명 도전층(TL1_C) 각각 상에 형성될 수도 있고, 연결 절연층(INL_C)은 연결 금속층(ML_C) 상에 형성될 수도 있다.
연결 절연층(INL_C)은 감지 절연층(INL_T) 및 배선 절연층(INL_O) 각각과 동일한 물질로 형성된다. 연결 절연층(INL_C)은 감지 절연층(INL_T) 및 배선 절연층(INL_O) 각각과 동일한 공정에서 형성된다.
종래의 터치 스크린 패널은 일반적으로 감지 전극(TE), 외곽 배선(OL) 및 브릿지(BD)를 서로 상이한 공정에서 형성하였다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 감지 전극(TE)을 형성하는 공정 중 외곽 배선(OL) 및 브릿지(BD)를 형성하여, 마스크 공정을 줄일 수 있고, 이에 따라 비용 절감 및 택트 타임(tact time: 일간 생산 목표량을 달성하기 위한 제품 단위당 제작 소요시간)을 줄일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널과의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널에 따른다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5j는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 기판(SUB) 상에 금속층(ML)을 형성하는 단계(S110), 금속층(ML)을 패터닝하여 패드 금속층(ML_P), 배선 금속층(ML_O), 연결 금속층(ML_C) 및 메쉬 형태의 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T)을 포함하는 금속 패턴을 형성하는 단계(S120), 금속 패턴이 형성된 기판(SUB) 상에 제1 투명 도전층(TL1)을 형성하는 단계(S130), 제1 투명 도전층(TL1) 상에 절연층(INL)을 형성하는 단계(S140), 절연층(INL)을 패터닝하여 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 형성하는 절연층(INL) 패터닝 단계(S150), 제1 투명 도전층(TL1)을 패터닝하여 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)을 형성하는 제1 투명 도전층(TL1) 패터닝 단계(S160), 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)이 형성된 기판(SUB) 상에 제2 투명 도전층(TL2)을 형성하는 단계(S170), 및 제2 투명 도전층(TL2)을 패터닝하여 패드부(PAD) 및 브릿지(BD)를 형성하는 제2 투명 도전층(TL2) 패터닝 단계(S180)를 포함한다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5a를 참조하면, 기판(SUB) 상에 금속층(ML)을 형성한다(S110). 기판(SUB)은 투광성 기판(SUB)으로, 투명한 유전 필름 형태로 구성될 수 있다. 기판(SUB)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 플라스틱, 유리, 세라믹 및 폴리머 등으로 이루어질 수 있다.
금속층(ML)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, Cu, Ti, Al, Ag, Au, Pt, Mo, 은 파라듐 구리 합금(APC) 및 은 파라듐 합금(AP)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 금속층(ML)을 패터닝하여 패드 금속층(ML_P), 배선 금속층(ML_O), 연결 금속층(ML_C) 및 메쉬 형태의 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T)을 포함하는 금속 패턴을 형성하는 단계(S120)를 포함한다. 금속 패턴을 형성하는 단계(S120)는 금속층(ML) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성하는 단계, 제1 마스크(MSK1)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 형성하는 단계, 및 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 마스크로 하여, 금속층(ML)을 식각하여 패드 금속층(ML_P), 배선 금속층(ML_O), 연결 금속층(ML_C) 및 메쉬 형태의 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T)을 포함하는 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5b를 참조하면, 금속층(ML) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성한다. 포토 레지스트층(PR)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층(PR) 상에 제1 마스크(MSK1)를 배치한다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5c를 참조하면, 제1 마스크(MSK1)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 형성한다. 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)은 패드 금속층(ML_P), 배선 금속층(ML_O), 연결 금속층(ML_C) 및 메쉬 형태의 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T) 상에 형성된다. 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 마스크로 하여, 금속 패턴을 형성한다. 금속 패턴은 패드 금속층(ML_P), 배선 금속층(ML_O), 연결 금속층(ML_C) 및 메쉬 형태의 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T)을 포함한다. 도시하지는 않았으나, 연결 금속층(ML_C)은 감지 금속층(ML_T)과 유사한 형태로, 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함할 수도 있다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5d를 참조하면, 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 제거한다. 금속 패턴이 형성된 기판(SUB) 상에 제1 투명 도전층(TL1)을 형성한다(S130). 제1 투명 도전층(TL1)은 투명 도전성 산화물(Transparent conductive oxide; TCO)로 형성될 수 있다. 투명 도전성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5e를 참조하면, 제1 투명 도전층(TL1) 상에 절연층(INL)을 형성한다(S140). 절연층(INL)은 예를 들어 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 절연층(INL)을 패터닝하여 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 형성한다(S150). 절연층(INL) 패터닝 단계(S150)는 절연층(INL) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성하는 단계, 제2 마스크(MSK2)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)을 형성하는 단계, 및 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)을 마스크로 하여, 절연층(INL)을 식각하여 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
다시, 도 1, 도 2, 도 4 및 도 5e를 참조하면, 절연층(INL) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성한다. 포토 레지스트층(PR)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층(PR) 상에 제2 마스크(MSK2)를 배치한다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5f를 참조하면, 제2 마스크(MSK2)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)을 형성한다. 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)은 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층 상에 형성된다. 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)을 마스크로 하여, 절연층(INL)을 식각한다. 절연층(INL)을 식각하여, 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 제1 투명 도전층(TL1)을 패터닝하여 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)을 형성하는 단계(S160)를 포함한다. 외곽 배선(OL), 제1 투명 도전층(TL1)을 패터닝하여 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)을 형성하는 제1 투명 도전층(TL1) 패터닝 단계(S160)는 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 마스크로 하여, 제1 투명 도전층(TL1)을 식각하여, 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5g를 참조하면, 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 마스크로 하여, 제1 투명 도전층(TL1)을 식각한다. 제1 투명 도전층(TL1)을 식각하여, 배선 투명 도전층(TL1_O), 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 감지 투명 도전층(TL1_T)을 형성한다. 배선 투명 도전층(TL1_O)은 적어도 일부가 배선 금속층(ML_O) 상에 형성된다. 배선 투명 도전층(TL1_O)은 배선 금속층(ML_O) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성된다. 연결 투명 도전층(TL1_C)은 적어도 일부가 연결 금속층(ML_C) 상에 형성된다. 연결 투명 도전층(TL1_C)은 연결 금속층(ML_C) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성된다. 감지 투명 도전층(TL1_T)은 적어도 일부가 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T) 상에 형성된다. 감지 투명 도전층(TL1_T)은 감지 금속층(ML_T) 및 기판(SUB) 각각 상에 형성된다.
제1 투명 도전층(TL1) 패터닝 단계(S160)에서 형성되는 외곽 배선(OL)은 배선 금속층(ML_O) 및 적어도 일부가 배선 금속층(ML_O) 상에 형성되는 배선 투명 도전층(TL1_O)을 포함한다.
제1 투명 도전층(TL1) 패터닝 단계(S160)에서 형성되는 연결부(CN)는 연결 금속층(ML_C), 적어도 일부가 연결 금속층(ML_C) 상에 형성되는 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 적어도 일부가 연결 투명 도전층(TL1_C) 상에 형성되는 연결 절연층(INL_C)을 포함한다.
제1 투명 도전층(TL1) 패터닝 단계(S160)에서 형성되는 감지 전극(TE)은 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T), 적어도 일부가 감지 금속층(ML_T) 상에 형성되는 감지 투명 도전층(TL1_T) 및 적어도 일부가 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성되는 감지 절연층(INL_T)을 포함한다.
제1 투명 도전층(TL1) 패터닝 단계(S160)는 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)에 열을 가하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제1 투명 도전층(TL1) 패터닝 단계(S160)에서 제1 투명 도전층(TL1)을 식각하면, 배선 투명 도전층(TL1_O)의 적어도 일측면, 연결 투명 도전층(TL1_C)의 적어도 일측면 및 감지 투명 도전층(TL1_T)의 적어도 일측면에 스큐(skew)가 발생하여, 배선 절연층(INL_O)이 배선 투명 도전층(TL1_O)의 적어도 일측면을 커버하지 못하고, 연결 절연층(INL_C)이 연결 투명 도전층(TL1_C)의 적어도 일측면을 커버하지 못하고, 감지 절연층(INL_T)이 감지 투명 도전층(TL1_T)의 적어도 일측면을 커버하지 못할 수 있다. 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)에 열을 가하면, 배선 절연층(INL_O)의 일부, 연결 절연층(INL_C)의 일부 및 감지 절연층(INL_T)의 일부가 아래로 이동할 수 있고, 이에 따라, 배선 절연층(INL_O)이 배선 투명 도전층(TL1_O)의 적어도 일측면을 커버할 수 있고, 연결 절연층(INL_C)이 연결 투명 도전층(TL1_C)의 적어도 일측면을 커버할 수 있고, 감지 절연층(INL_T)이 감지 투명 도전층(TL1_T)의 적어도 일측면을 커버할 수 있다. 배선 절연층(INL_O)은 배선 금속층(ML_O)의 적어도 일측면을 커버할 수도 있고, 연결 절연층(INL_C)은 연결 금속층(ML_C)의 적어도 일측면을 커버할 수도 있고, 감지 절연층(INL_T)은 감지 금속층(ML_T)의 적어도 일측면을 커버할 수도 있다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5h를 참조하면, 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)이 형성된 기판(SUB) 상에 제2 투명 도전층(TL2)을 형성한다(S170). 제2 투명 도전층(TL2)은 투명 도전성 산화물(Transparent conductive oxide; TCO)로 형성될 수 있다. 투명 도전성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 제2 투명 도전층(TL2)을 패터닝하여 패드부(PAD) 및 브릿지(BD)를 형성하는 제2 투명 도전층(TL2) 패터닝 단계(S180)를 포함한다. 제2 투명 도전층(TL2) 패터닝 단계(S180)는 제2 투명 도전층(TL2) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성하는 단계, 제3 마스크(MSK3)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 형성하는 단계, 및 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 마스크로 하여, 제2 투명 도전층(TL2)을 식각하여 패드부(PAD) 및 브릿지(BD)를 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
다시 도 1, 도 2, 도 4 및 도 5h를 참조하면, 제2 투명 도전층(TL2) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성한다. 포토 레지스트층(PR)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층(PR) 상에 제3 마스크(MSK3)를 배치한다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5i를 참조하면, 제3 마스크(MSK3)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 형성한다. 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)은 패드 투명 도전층(TL2_P) 및 브릿지(BD) 상에 형성된다. 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 마스크로 하여, 제2 투명 도전층(TL2)을 식각한다. 제2 투명 도전층(TL2)을 식각하여 패드 투명 도전층(TL2_P) 및 브릿지(BD)를 형성한다. 패드 투명 도전층(TL2_P)의 적어도 일부는 패드 금속층(ML_P) 상에 형성된다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5j를 참조하면, 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 제거한다.
제2 투명 도전층(TL2) 패터닝 단계(S180)에서 형성되는 패드부(PAD)는 패드 금속층(ML_P) 및 적어도 일부가 패드 금속층(ML_P) 상에 형성되는 패드 투명 도전층(TL2_P)을 포함한다. 제2 투명 도전층(TL2) 패터닝 단계(S180)에서 형성되는 브릿지(BD)는 감지 금속층(ML_T)과 접촉한고, 감지 전극(TE)의 일부 및 연결부(CN) 각각과 중첩한다.
종래의 터치 스크린 패널의 제조 방법은 일반적으로 감지 전극(TE)과 외곽 배선(OL)을 서로 상이한 공정에서 형성하고, 패드부(PAD)와 브릿지(BD)를 서로 상이한 공정에서 형성하였다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 감지 전극(TE) 및 외곽 배선(OL)을 동일한 공정에서 형성하고, 패드부(PAD) 및 브릿지(BD)를 동일한 공정에서 형성하여, 마스크 공정을 줄일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 3개의 마스크를 사용하여 터치 스크린 패널을 제조할 수 있고, 이에 따라 비용 절감 및 택트 타임(tact time: 일간 생산 목표량을 달성하기 위한 제품 단위당 제작 소요시간)을 줄일 수 있다.
이하에서는 도 6 및 도 7a 내지 도 7j에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 도 4 및 도 5a 내지 도 5j에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법과의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 도 4 및 도 5a 내지 도 5j에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법에 따른다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7j는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 1, 도 3 및 도 6를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 기판(SUB) 상에 제1 투명 도전층(TL1)을 형성하는 단계(S210), 제1 투명 도전층(TL1)을 패터닝하여 패드부(PAD), 배선 투명 도전층(TL1_O), 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 감지 투명 도전층(TL1_T)을 포함하는 투명 도전 패턴을 형성하는 단계(S220), 투명 도전 패턴이 형성된 기판(SUB) 상에 금속층(ML)을 형성하는 단계(S230), 금속층(ML) 상에 절연층(INL)을 형성하는 단계(S240), 절연층(INL)을 패터닝하여 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 형성하는 절연층(INL) 패터닝 단계(S250), 금속층(ML)을 패터닝하여 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)을 형성하는 금속층(ML) 패터닝 단계(S260), 패드부(PAD), 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)이 형성된 기판(SUB) 상에 제2 투명 도전층(TL2)을 형성하는 단계(S270), 및 제2 투명 도전층(TL2)을 패터닝하여 브릿지(BD)를 형성하는 단계(S280)를 포함한다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7a를 참조하면, 기판(SUB) 상에 제1 투명 도전층(TL1)을 형성한다(S210). 기판(SUB)은 투광성 기판(SUB)으로, 투명한 유전 필름 형태로 구성될 수 있다. 기판(SUB)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 플라스틱, 유리, 세라믹 및 폴리머 등으로 이루어질 수 있다.
제1 투명 도전층(TL1)은 투명 도전성 산화물(Transparent conductive oxide; TCO)로 형성될 수 있다. 투명 도전성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 제1 투명 도전층(TL1)을 패터닝하여 패드부(PAD), 외곽 배선(OL), 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 감지 투명 도전층(TL1_T)을 포함하는 투명 도전 패턴을 형성하는 단계(S220)를 포함한다. 투명 도전 패턴을 형성하는 단계(S220)는 상기 제1 투명 도전층(TL1) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성하는 단계, 제1 마스크(MSK1)를 사용하여, 상기 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 형성하는 단계 및 상기 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 마스크로 하여, 상기 제1 투명 도전층(TL1)을 식각하여 패드부(PAD), 배선 투명 도전층(TL1_O), 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 감지 투명 도전층(TL1_T)을 포함하는 투명 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7b를 참조하면, 제1 투명 도전층(TL1) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성한다. 포토 레지스트층(PR)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층(PR) 상에 제1 마스크(MSK1)를 배치한다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7c를 참조하면, 제1 마스크(MSK1)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 형성한다. 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)은 패드부(PAD), 배선 투명 도전층(TL1_O), 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성된다. 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 마스크로 하여, 투명 도전 패턴을 형성한다. 투명 도전 패턴은 패드부(PAD), 배선 투명 도전층(TL1_O), 연결 투명 도전층(TL1_C) 및 감지 투명 도전층(TL1_T)을 포함한다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7d를 참조하면, 제1 포토 레지스트 패턴(PR_P1)을 제거한다. 투명 도전 패턴이 형성된 기판(SUB) 상에 금속층(ML)을 형성한다(S230). 금속층(ML)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, Cu, Ti, Al, Ag, Au, Pt, Mo, 은 파라듐 구리 합금(APC) 및 은 파라듐 합금(AP)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성하는 것일 수 있다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7e를 참조하면, 금속층(ML) 상에 절연층(INL)을 형성한다(S240). 절연층(INL)은 예를 들어 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 절연층(INL)을 패터닝하여 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 형성한다(S250). 절연층(INL) 패터닝 단계(S250)는 절연층(INL) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성하는 단계, 제2 마스크(MSK2)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)을 형성하는 단계, 및 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)을 마스크로 하여, 절연층(INL)을 식각하여 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
다시, 도 1, 도 3, 도 6 및 도 7e를 참조하면, 절연층(INL) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성한다. 포토 레지스트층(PR)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층(PR) 상에 제2 마스크(MSK2)를 배치한다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7f를 참조하면, 제2 마스크(MSK2)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)을 형성한다. 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)은 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T) 상에 형성된다. 제2 포토 레지스트 패턴(PR_P2)을 마스크로 하여, 절연층(INL)을 식각한다. 절연층(INL)을 식각하여, 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 금속층(ML)을 패터닝하여 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)을 형성하는 단계(S260)를 포함한다. 금속층(ML) 패터닝 단계(S260)는 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 마스크로 하여, 금속층(ML)을 식각하여, 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7g를 참조하면, 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 마스크로 하여, 금속층(ML)을 식각한다. 금속층(ML)을 식각하여, 배선 금속층(ML_O), 연결 금속층(ML_C) 및 감지 금속층(ML_T)을 형성한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)을 마스크로 하여, 배선 금속층(ML_O), 연결 금속층(ML_C) 및 감지 금속층(ML_T)하는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 별도의 마스크를 사용하여, 배선 금속층(ML_O), 연결 금속층(ML_C) 및 감지 금속층(ML_T)를 형성할 수도 있다.
배선 금속층(ML_O)은 배선 투명 도전층(TL1_O) 상에 형성된다. 연결 금속층(ML_C)은 연결 투명 도전층(TL1_C) 상에 형성된다. 감지 금속층(ML_T)은 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성된다.
금속층(ML) 패터닝 단계(S260)에서 형성되는 외곽 배선(OL)는 배선 투명 도전층(TL1_O), 배선 투명 도전층(TL1_O) 상에 형성되는 배선 금속층(ML_O) 및 적어도 일부가 배선 금속층(ML_O) 상에 형성되는 배선 절연층(INL_O)을 포함한다.
금속층(ML) 패터닝 단계(S260)에서 형성되는 연결부(CN)는 연결 투명 도전층(TL1_C), 연결 투명 도전층(TL1_C) 상에 형성되는 연결 금속층(ML_C) 및 적어도 일부가 연결 금속층(ML_C) 상에 형성되는 연결 절연층(INL_C)을 포함한다.
금속층(ML) 패터닝 단계(S260)에서 형성되는 감지 전극(TE)은 감지 투명 도전층(TL1_T), 감지 투명 도전층(TL1_T) 상에 형성되고, 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들(Ml)을 포함하는 감지 금속층(ML_T), 적어도 일부가 감지 금속층(ML_T) 상에 형성되는 감지 절연층(INL_T)을 포함한다.
금속층(ML) 패터닝 단계(S260)는 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)에 열을 가하는 단계를 더 포함할 수 있다. 금속층(ML) 패터닝 단계(S260)에서 금속층(ML)을 식각하면, 배선 금속층(ML_O)의 적어도 일측면, 연결 금속층(ML_C)의 적어도 일측면 및 감지 금속층(ML_T)의 적어도 일측면에 스큐(skew)가 발생하여, 배선 절연층(INL_O)이 배선 금속층(ML_O)의 적어도 일측면을 커버하지 못하고, 연결 절연층(INL_C)이 연결 금속층(ML_C)의 적어도 일측면을 커버하지 못하고, 감지 절연층(INL_T)이 감지 금속층(ML_T)의 적어도 일측면을 커버하지 못할 수 있다. 배선 절연층(INL_O), 연결 절연층(INL_C) 및 감지 절연층(INL_T)에 열을 가하면, 배선 절연층(INL_O)의 일부, 연결 절연층(INL_C)의 일부 및 감지 절연층(INL_T)의 일부가 아래로 이동할 수 있고, 이에 따라, 배선 절연층(INL_O)이 배선 금속층(ML_O)의 적어도 일측면을 커버할 수 있고, 연결 절연층(INL_C)이 연결 금속층(ML_C)의 적어도 일측면을 커버할 수 있고, 감지 절연층(INL_T)이 감지 금속층(ML_T)의 적어도 일측면을 커버할 수 있다. 배선 절연층(INL_O)은 배선 투명 도전층(TL1_O)의 적어도 일측면을 커버할 수도 있고, 연결 절연층(INL_C)은 연결 투명 도전층(TL1_C)의 적어도 일측면을 커버할 수도 있고, 감지 절연층(INL_T)은 감지 투명 도전층(TL1_T)의 적어도 일측면을 커버할 수도 있다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7h를 참조하면, 패드부(PAD), 외곽 배선(OL), 연결부(CN) 및 감지 전극(TE)이 형성된 기판(SUB) 상에 제2 투명 도전층(TL2)을 형성한다(S270). 제2 투명 도전층(TL2)은 투명 도전성 산화물(Transparent conductive oxide; TCO)로 형성될 수 있다. 투명 도전성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 제2 투명 도전층(TL2)을 패터닝하여 브릿지(BD)를 형성하는 단계(S280)를 포함한다. 제2 투명 도전층(TL2)을 패터닝하여 브릿지(BD)를 형성하는 단계(S280)는 제2 투명 도전층(TL2) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성하는 단계, 제3 마스크(MSK3)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 형성하는 단계, 및 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 마스크로 하여, 제2 투명 도전층(TL2)을 식각하여 브릿지(BD)를 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7h를 참조하면, 제2 투명 도전층(TL2) 상에 포토 레지스트층(PR)을 형성한다. 포토 레지스트층(PR)은 포토 레지스트를 도포하여 형성할 수 있다. 포토 레지스트층(PR) 상에 제3 마스크(MSK3)를 배치한다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7i를 참조하면, 제3 마스크(MSK3)를 사용하여, 포토 레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 형성한다. 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)은 브릿지(BD) 상에 형성된다. 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 마스크로 하여, 제2 투명 도전층(TL2)을 식각한다. 제2 투명 도전층(TL2)을 식각하여 브릿지(BD)를 형성한다.
도 1, 도 3, 도 6 및 도 7j를 참조하면, 제3 포토 레지스트 패턴(PR_P3)을 제거한다.
브릿지(BD)를 형성하는 단계(S280)에서 형성되는 브릿지(BD)는 감지 투명 도전층(TL1_T)과 접촉한고, 감지 전극(TE)의 일부 및 연결부(CN) 각각과 중첩한다.
종래의 터치 스크린 패널은 일반적으로 감지 전극, 외곽 배선 및 브릿지를 서로 상이한 공정에서 형성하였다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 감지 전극을 형성하는 공정 중 외곽 배선 및 브릿지를 형성하여, 마스크 공정을 줄일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 3개의 마스크를 사용하여 터치 스크린 패널을 제조할 수 있고, 이에 따라 비용 절감 및 택트 타임(tact time: 일간 생산 목표량을 달성하기 위한 제품 단위당 제작 소요시간)을 줄일 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 터치 스크린 패널 SUB: 기판
ML: 금속층 TL1: 제1 투명 도전층
TL2: 제2 투명 도전층 TE: 감지 전극
Tx: 제1 감지 전극들 Rx: 제2 감지 전극들
CN: 연결부 PAD: 패드부
OL: 외곽 배선 BD: 브릿지

Claims (19)

  1. 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층을 패터닝하여 패드 금속층, 배선 금속층, 연결 금속층 및 메쉬 형태의 금속 라인들을 포함하는 감지 금속층을 포함하는 금속 패턴을 형성하는 단계;
    상기 금속 패턴이 형성된 상기 기판 상에 제1 투명 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 도전층 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층을 패터닝하여 배선 절연층, 연결 절연층 및 감지 절연층을 형성하는 절연층 패터닝 단계;
    상기 제1 투명 도전층을 패터닝하여 외곽 배선, 연결부 및 감지 전극을 형성하는 제1 투명 도전층 패터닝 단계;
    상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극이 형성된 상기 기판 상에 제2 투명 도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 투명 도전층을 패터닝하여 패드부 및 브릿지를 형성하는 제2 투명 도전층 패터닝 단계를 포함하고,
    상기 금속 패턴을 형성하는 단계는
    상기 금속층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;
    제1 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 금속층을 식각하여 상기 패드 금속층, 상기 배선 금속층, 상기 연결 금속층 및 메쉬 형태의 상기 금속 라인들을 포함하는 상기 감지 금속층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 투명 도전층 패터닝 단계는
    상기 배선 절연층, 상기 연결 절연층 및 상기 감지 절연층을 마스크로 하여, 상기 제1 투명 도전층을 식각하여, 상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연층 패터닝 단계는
    상기 절연층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;
    제2 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 절연층을 식각하여 상기 배선 절연층, 상기 연결 절연층 및 상기 감지 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 투명 도전층 패터닝 단계는
    상기 제2 투명 도전층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;
    제3 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 투명 도전층을 식각하여 상기 패드부 및 상기 브릿지를 형성하는 단계를 포함하는 것인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층 각각은
    ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성하는 것인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 금속층은
    Cu, Ti, Al, Ag, Au, Pt, Mo, 은 파라듐 구리 합금(APC) 및 은 파라듐 합금(AP)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성하는 것인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  8. 기판 상에 제1 투명 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 도전층을 패터닝하여 패드부, 배선 투명 도전층, 연결 투명 도전층 및 감지 투명 도전층을 포함하는 투명 도전 패턴을 형성하는 단계;
    상기 투명 도전 패턴이 형성된 상기 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층을 패터닝하여 배선 절연층, 연결 절연층 및 감지 절연층을 형성하는 절연층 패터닝 단계;
    상기 금속층을 패터닝하여 외곽 배선, 연결부 및 감지 전극을 형성하는 금속층 패터닝 단계;
    상기 패드부, 상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극이 형성된 상기 기판 상에 제2 투명 도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 투명 도전층을 패터닝하여 브릿지를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 투명 도전 패턴을 형성하는 단계는
    상기 제1 투명 도전층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;
    제1 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제1 투명 도전층을 식각하여 상기 패드부, 상기 배선 투명 도전층, 상기 연결 투명 도전층 및 상기 감지 투명 도전층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 금속층 패터닝 단계는
    상기 배선 절연층, 상기 연결 절연층 및 상기 감지 절연층을 마스크로 하여, 상기 금속층을 식각하여, 상기 외곽 배선, 상기 연결부 및 상기 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 절연층 패터닝 단계는
    상기 절연층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;
    제2 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 절연층을 식각하여 상기 배선 절연층, 상기 연결 절연층 및 상기 감지 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 제8항에 있어서,
    상기 브릿지를 형성하는 단계는
    상기 제2 투명 도전층 상에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;
    제3 마스크를 사용하여, 상기 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 투명 도전층을 식각하여 상기 브릿지를 형성하는 단계를 포함하는 것인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  13. 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 각각으로 이격되어 배열되는 제1 감지 전극들 및 제2 감지 전극들을 포함하는 감지 전극;
    상기 제2 방향으로 이격되는 제2 감지 전극들을 서로 연결하는 연결부;
    상기 감지 전극과 전기적으로 연결되고, 패드 금속층 및 적어도 일부가 상기 패드 금속층 상에 형성되는 패드 투명 도전층을 포함하는 패드부;
    상기 감지 전극과 상기 패드부를 연결하고, 배선 금속층, 적어도 일부가 상기 배선 금속층 상에 형성되는 배선 투명 도전층 및 적어도 일부가 상기 배선 투명 도전층 상에 형성되는 배선 절연층을 포함하는 외곽 배선; 및
    상기 제1 방향으로 이격되는 제1 감지 전극들을 서로 연결하는 브릿지를 포함하고,
    상기 감지 전극은
    메쉬 형태를 갖는 금속 라인들을 포함하고, 상기 패드 금속층 및 상기 배선 금속층 각각과 동일한 층 상에 형성되는 감지 금속층; 및
    적어도 일부가 상기 감지 금속층 상에 형성되고, 상기 배선 투명 도전층과 동일한 물질로 형성되는 감지 투명 도전층; 및
    적어도 일부가 상기 감지 투명 도전층 상에 형성되고, 상기 배선 절연층과 동일한 물질로 형성되는 감지 절연층을 포함하고,
    상기 브릿지는
    상기 감지 금속층과 접촉하고, 상기 제1 감지 전극들의 일부 및 상기 연결부 각각과 중첩하고,
    상기 감지 투명 도전층의 측면 중 적어도 일부는 상기 감지 절연층에 의해 커버되지 않는 것인 터치 스크린 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 브릿지는 상기 패드 투명 도전층과 동일한 물질로 형성되는 것인 터치 스크린 패널.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 연결부는
    상기 감지 금속층, 상기 패드 금속층 및 상기 배선 금속층 각각과 동일한 층 상에 형성되는 연결 금속층;
    적어도 일부가 상기 연결 금속층 상에 형성되고, 상기 감지 투명 도전층 및 상기 배선 투명 도전층 각각과 동일한 물질로 형성되는 연결 투명 도전층; 및
    적어도 일부가 상기 연결 투명 도전층 상에 형성되고, 상기 감지 절연층 및 상기 배선 절연층 각각과 동일한 물질로 형성되는 연결 절연층을 포함하는 것인 터치 스크린 패널.
  16. 제13항에 있어서,
    평면상에서 보았을 때,
    상기 감지 투명 도전층의 넓이는 상기 감지 금속층의 넓이보다 크고,
    상기 감지 절연층의 넓이는 상기 감지 금속층의 넓이보다 큰 것인 터치 스크린 패널.
  17. 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 각각으로 이격되어 배열되는 제1 감지 전극들 및 제2 감지 전극들을 포함하는 감지 전극;
    상기 제2 방향으로 이격되는 제2 감지 전극들을 서로 연결하는 연결부;
    상기 감지 전극과 전기적으로 연결되는 패드부;
    상기 감지 전극과 상기 패드부를 연결하고, 상기 패드부와 동일한 층 상에 형성되는 배선 투명 도전층, 상기 배선 투명 도전층 상에 형성되는 배선 금속층 및 적어도 일부가 상기 배선 금속층 상에 형성되는 배선 절연층을 포함하는 외곽 배선; 및
    상기 제1 방향으로 이격되는 제1 감지 전극들을 서로 연결하는 브릿지를 포함하고,
    상기 감지 전극은
    상기 패드부 및 상기 배선 투명 도전층 각각과 동일한 층 상에 형성되고, 상기 패드부 및 상기 배선 투명 도전층 각각과 동일한 물질로 형성되는 감지 투명 도전층;
    상기 감지 투명 도전층 상에 형성되고, 메쉬 형태를 갖는 금속 라인들을 포함하는 감지 금속층; 및
    적어도 일부가 상기 감지 금속층 상에 형성되고, 상기 배선 절연층과 동일한 물질로 형성되는 감지 절연층;을 포함하고,
    상기 브릿지는
    상기 감지 투명 도전층과 접촉하고, 상기 제1 감지 전극들의 일부 및 상기 연결부 각각과 중첩하고,
    상기 감지 투명 도전층의 측면 중 적어도 일부는 상기 감지 절연층에 의해 커버되지 않는 것인 터치 스크린 패널.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 브릿지는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성되는 것인 터치 스크린 패널.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 연결부는
    상기 패드부 및 상기 배선 투명 도전층 각각과 동일한 층 상에 형성되는 연결 투명 도전층;
    상기 연결 투명 도전층 상에 형성되고, 상기 감지 금속층 및 상기 배선 금속층 각각과 동일한 물질로 형성되는 연결 금속층; 및
    적어도 일부가 상기 연결 금속층 상에 형성되고, 상기 감지 절연층 및 상기 배선 절연층 각각과 동일한 물질로 형성되는 연결 절연층을 포함하는 것인 터치 스크린 패널.
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KR102355326B1 (ko) * 2014-07-24 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
KR102256461B1 (ko) * 2014-10-10 2021-05-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102255415B1 (ko) * 2015-03-30 2021-05-21 동우 화인켐 주식회사 터치 센서
KR102556838B1 (ko) * 2016-06-01 2023-07-19 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 터치 패널 제조 방법
CN109790433A (zh) * 2016-09-30 2019-05-21 日东电工株式会社 粘合剂组合物、粘合剂层、带粘合剂层的偏振膜、液晶面板、及图像显示装置
KR102373440B1 (ko) 2017-03-17 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
KR102369337B1 (ko) * 2017-07-11 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛 및 이를 구비한 표시 장치
CN107577373A (zh) * 2017-09-12 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 触控屏及其制备方法以及显示装置
CN107632731B (zh) * 2017-09-15 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 触控面板的制造方法及触控面板
CN108241456B (zh) * 2018-02-01 2021-07-27 业成科技（成都）有限公司 触控感测模组及其制作方法以及应用其的触控显示面板
CN112673337B (zh) 2019-07-31 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及触控显示面板
KR20220052413A (ko) * 2020-10-20 2022-04-28 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100110023A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Au Optronics Corporation Touch-sensing substrate, color filter substrate and touch-sensing liquid crystal display
WO2011065292A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 シャープ株式会社 タッチパネルの製造方法、及び、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法
JP2012178149A (ja) * 2011-02-04 2012-09-13 Shin Etsu Polymer Co Ltd 静電容量式センサーシートおよびその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8514200B2 (en) * 2009-12-30 2013-08-20 Au Optronics Corp. Capacitive touch display panel and capacitive touch board
US8952921B2 (en) * 2009-12-30 2015-02-10 Au Optronics Corp. Capacitive touch display panel and capacitive touch board
US8970508B2 (en) 2010-02-11 2015-03-03 Lg Display Co., Ltd. Touch screen panel
KR101101088B1 (ko) 2010-05-03 2011-12-30 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
TW201205384A (en) * 2010-06-04 2012-02-01 Wintek Corp Touch-sensitive device and fabrication method thereof
KR101779594B1 (ko) 2010-10-26 2017-09-19 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널과 이의 제조방법
KR20120075982A (ko) 2010-12-29 2012-07-09 하이디스 테크놀로지 주식회사 정전용량 터치 패널 및 그 제조방법
KR101900929B1 (ko) 2011-05-24 2018-09-21 엘지디스플레이 주식회사 정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
CN102722276B (zh) * 2012-03-27 2015-11-25 北京京东方光电科技有限公司 触摸传感器及其制作方法、以及触摸屏液晶显示器
KR20130110539A (ko) * 2012-03-29 2013-10-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20140000479A (ko) 2012-06-22 2014-01-03 주식회사 에이티에스엔지니어링 터치 패널 및 이의 제조방법
KR102017155B1 (ko) * 2012-11-01 2019-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린 패널 및 그의 제조방법
US9354755B2 (en) * 2012-11-27 2016-05-31 Guardian Industries Corp. Projected capacitive touch panel with a silver-inclusive transparent conducting layer(s)
TWI489361B (zh) * 2013-02-08 2015-06-21 Wintek Corp 觸控面板及其製造方法
KR102044900B1 (ko) 2013-03-07 2019-11-15 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR20140112894A (ko) * 2013-03-14 2014-09-24 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조 방법
TWI478024B (zh) * 2013-05-31 2015-03-21 Eturbo Touch Technology Inc Touch panel and the touch panel making method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100110023A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Au Optronics Corporation Touch-sensing substrate, color filter substrate and touch-sensing liquid crystal display
WO2011065292A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 シャープ株式会社 タッチパネルの製造方法、及び、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法
JP2012178149A (ja) * 2011-02-04 2012-09-13 Shin Etsu Polymer Co Ltd 静電容量式センサーシートおよびその製造方法

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