CN103097485A - 粘合剂组合物、粘合带、以及晶片的处理方法 - Google Patents

粘合剂组合物、粘合带、以及晶片的处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103097485A
CN103097485A CN2011800437658A CN201180043765A CN103097485A CN 103097485 A CN103097485 A CN 103097485A CN 2011800437658 A CN2011800437658 A CN 2011800437658A CN 201180043765 A CN201180043765 A CN 201180043765A CN 103097485 A CN103097485 A CN 103097485A
Authority
CN
China
Prior art keywords
binder composition
binder
wafer
silicone compounds
sensitive adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011800437658A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103097485B (zh
Inventor
利根川亨
麻生隆浩
炭井佑一
野村茂
福冈正辉
杉田大平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Publication of CN103097485A publication Critical patent/CN103097485A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103097485B publication Critical patent/CN103097485B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C09J183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/02—Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00—Presence of polysiloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明的目的在于，提供具有高的初期粘合力而可以牢固地固定被粘物、并且即使在经过200℃以上的高温加工工艺后也可以通过照射光而容易地剥离的粘合剂组合物；以及使用了该粘合剂组合物的粘合带；使用该粘合剂组合物的晶片的处理方法。本发明的粘合剂组合物含有粘合剂成分、光聚合引发剂、以及具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物。

Description

粘合剂组合物、粘合带、以及晶片的处理方法
技术领域
本发明涉及具有高初期粘合力而可以牢固地固定被粘物、并且即使在经过200℃以上的高温加工工艺后也可以通过照射光而容易地剥离的粘合剂组合物；以及使用了该粘合剂组合物的粘合带；使用该粘合剂组合物的晶片的处理方法。
背景技术
在半导体的制造中，为了在加工时使半导体的处置变得容易、且防止其破损，而进行了贴附半导体加工用胶带的操作。例如，在将从高纯度的硅单晶等中切出的厚膜晶片研磨至规定的厚度而制成薄膜晶片的情况下，在将厚膜晶片粘接在支承板上而进行加强时可使用双面粘合带。另外，在将研磨为规定的厚度的薄膜晶片切割为各个IC芯片时，也可使用被称作切割带的粘合带。
对于半导体加工用胶带而言，要求可以在加工工序中将半导体牢固地固定的高粘合性、并且要求可以在工序结束后不损伤半导体地加以剥离。针对于此，专利文献1中公开了粘合带，所述粘合带使用了通过照射紫外线等光而发生固化而使粘合力降低的光固化型粘合剂。此种粘合带在加工工序中可以可靠地将半导体固定，并且可以通过照射紫外线等而很容易加以剥离。
即使是此种使用了光固化型粘合剂的粘合带，在用于具有加热工序的半导体的加工时的情况下，也会有如下的问题，即，即使照射紫外线等也不会使粘合力充分地降低，因而有时无法剥离。对此可认为是由于粘合剂的粘接力因加热而剧增的缘故。
针对于此，在专利文献2中公开了使用了光固化型粘合剂的胶带，所述光固化型粘合剂含有丙烯酸系聚合物作为主剂、含有具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸系低聚物作为渗出剂(bleeding agent)。记载了如下的内容，即，通过含有此种渗出剂，从而在室温下与上述光固化型粘合剂的相溶性高而不会妨碍粘合性，另一方面，在加热条件下与上述光固化型粘合剂的相溶性降低而渗出，因此可以容易地加以剥离。
但是，近年来，在半导体加工中，需要CVD工艺或焊料回流工艺等200℃以上的高温加工工艺的加工增多起来。在经过这样的高温加工工艺后，例如即使是专利文献2中记载的光固化型粘合剂，也会有粘合剂烧焦粘附于被粘物上、或虽然没有烧焦却也极难剥离的问题。
现有专利文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5-32946号公报
专利文献2：日本特开2008-280505号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明提供具有高初期粘合力而可以牢固地固定被粘物、并且即使在经过200℃以上的高温加工工艺后也可以通过照射光而容易地加以剥离的粘合剂组合物；以及使用了该粘合剂组合物的粘合带；使用该粘合剂组合物的晶片的处理方法。
解决课题的手段
本发明是含有粘合剂成分、光聚合引发剂、以及具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物的粘合剂组合物。
以下对本发明进行详述。
本发明人研究了将作为渗出剂的硅酮化合物添加到粘合剂中的做法。硅酮化合物因为在渗出剂中耐热性特别优异，因此期待即使经过200℃以上的高温加工工艺也可防止粘合剂的烧焦粘附，且在剥离时向被粘物界面渗出而可容易地加以剥离。但是，在配合了硅酮化合物的情况下，半导体晶片被所渗出的硅酮化合物污染，因而存在需要另外地设置清洗工序的问题。
因此，本发明人进行了深入研究，结果发现，在作为渗出剂而选择使用具有能够与粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物的情况下，即使在经过200℃以上的高温加工工艺后，也可以很容易地剥离，并且可以防止半导体晶片的污染，从而完成了本发明。
本发明的粘合剂组合物含有粘合剂成分。
上述粘合剂成分没有特别限定，可以是含有非固化型的粘合剂成分、固化型的粘合剂成分中的任一种粘合剂成分。
上述非固化型的粘合剂成分只要是具有可以通过照射光而与上述硅酮化合物反应的官能团的成分，就没有特别限定，可以使用以往公知的成分。具体来说，例如可以举出橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、硅酮系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、聚氨酯系粘合剂、苯乙烯/二烯嵌段共聚物系粘合剂等。其中，优选具有(甲基)丙烯酰基的粘合剂。
上述固化型的粘合剂成分没有特别限定，可以使用以往公知的光固化型的粘合剂成分或热固化型的粘合剂成分。其中，优选使用光固化型的粘合剂成分。
上述光固化型的粘合剂成分没有特别限定，可以使用以往公知的成分。具体来说，例如可以举出含有在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物的光固化型粘合剂等。
就此种光固化型粘合剂而言，因为通过光的照射而使整体均匀地并且迅速地聚合交联而成为一体，所以基于聚合固化的弹性模量的上升明显，粘合力大幅度降低。
上述聚合性聚合物例如可以通过预先合成在分子内带有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下称作含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物)，使其与在分子内具有与上述的官能团反应的官能团和自由基聚合性的不饱和键的化合物(以下称作含有官能团的不饱和化合物)反应而得到。
上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物作为在常温下具有粘合性的聚合物而言，与一般的(甲基)丙烯酸系聚合物的情况相同，将烷基的碳数通常处于2～18的范围的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯作为主单体，通过利用常规方法使其与含有官能团的单体、以及根据需要所使用的能够与它们共聚的其他的改性用单体进行共聚而得到。上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量通常为20万～200万左右。
上述含有官能团的单体例如可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸等含有羧基的单体；丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟乙酯等含有羟基的单体；丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等含有环氧基的单体；甲基丙烯酸异氰基乙酯(isocyanate ethyl methacrylate)、甲基丙烯酸异氰酸酯基乙酯等含有异氰酸酯基的单体；丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等含有氨基的单体等。
上述可以共聚的其他的改性用单体例如可以举出乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等一般的(甲基)丙烯酸系聚合物中所用的各种单体。
作为与上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物反应的含有官能团的不饱和化合物，可以与上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团对应地使用与上述的含有官能团的单体相同的化合物。例如，在上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羧基的情况下，可使用含有环氧基的单体或含有异氰酸酯基的单体，在相同的官能团为羟基的情况下，可使用含有异氰酸酯基的单体，在相同的官能团为环氧基的情况下，可使用含有羧基的单体或丙烯酰胺等含有酰胺基的单体，在相同的官能团为氨基的情况下，可使用含有环氧基的单体。
上述在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物也可以并用多官能低聚物或单体。
上述多官能低聚物或单体优选为分子量为1万以下的化合物，为了有效地进行借助加热或光的照射而产生的粘合剂层的三维网状化，而更优选为其分子量为5000以下且分子内的自由基聚合性的不饱和键的数目为2～20个的化合物。此种更优选的多官能低聚物或单体例如可以举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或与上述相同的甲基丙烯酸酯类等。此外，还可以举出1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯，与上述相同的甲基丙烯酸酯类等。这些多官能低聚物或单体既可以单独使用，也可以并用2种以上。
本发明的粘合剂组合物含有光聚合引发剂。
上述光聚合引发剂例如可以举出通过照射250～800nm的波长的光而被活化的物质，此种光聚合引发剂例如可以举出甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物；苯偶姻丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻醚系化合物；苄基二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等缩酮衍生物化合物；氧化膦衍生物化合物；双(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物化合物、二苯甲酮、米氏酮、氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等光自由基聚合引发剂。这些光聚合引发剂既可以单独使用，也可以并用2种以上。
本发明的粘合剂组合物含有具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物(以下也简称为“硅酮化合物A”。)。
硅酮化合物由于耐热性优异，因此即使经过200℃以上的高温加工工艺，也可以防止粘合剂的烧焦粘附，在剥离时向被粘物界面渗出，使剥离变得容易。通过使硅酮化合物具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团，从而在剥离时可以通过进行光照射而与上述粘合剂成分进行化学反应，而被纳入到上述粘合剂成分中，由此不会有硅酮化合物附着于被粘物上而产生污染的情况。另外，在被粘物一方是由玻璃板制成的支承板的情况下，通过配合具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物，从而可提高与支承板的亲和性，还可发挥防止在晶片上的胶痕的效果。
上述硅酮化合物A的硅酮骨架没有特别限定，可以是D体、DT体中的任一种。
上述硅酮化合物A优选在硅酮骨架的侧链或末端具有该官能团。
其中，如果使用具有D体的硅酮骨架、并且在末端具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物，则因为易于兼顾高初期粘合力和高温加工工艺后的剥离力，所以优选。
上述硅酮化合物A的官能团可以根据上述粘合剂成分而选择使用合适的官能团。例如，在粘合剂成分是将上述在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物作为主成分的光固化型粘合剂的情况下，选择能够与(甲基)丙烯酰基交联的官能团。
上述能够与(甲基)丙烯酰基交联的官能团是具有不饱和双键的官能团，具体来说，例如可以举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基、烯丙基、马来酰亚胺基等。
上述硅酮化合物A的官能团当量没有特别限定，然而优选的下限为1，优选的上限为20。如果上述官能团当量小于1，则在所得的粘合剂组合物的固化时，硅酮化合物A不会充分地纳入到粘合剂成分中，因而会有污染被粘物、或无法充分地发挥剥离性的情况；如果超过20，则会有无法获得充分的粘合力的情况。上述官能团当量的更优选的上限为10，更优选的下限为2，进一步优选的上限为6。
上述硅酮化合物A的分子量没有特别限定，然而优选的下限为300，优选的上限为50000。如果上述分子量小于300，则会有所得的粘合剂组合物的耐热性不充分的情况；如果超过50000，则会有难以与上述粘合剂成分混合的情况。上述分子量的更优选的下限为400，更优选的上限为10000，进一步优选的下限为500，进一步优选的上限为5000。
合成上述硅酮化合物A的方法没有特别限定，例如可以举出：通过使具有SiH基的硅酮树脂、和具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团的乙烯基化合物利用氢化硅烷化反应而发生反应，从而向硅酮树脂中导入能够与上述粘合剂成分交联的官能团的方法；使硅氧烷化合物、和具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团的硅氧烷化合物发生缩合反应的方法等。
就上述硅酮化合物A中的市售的化合物而言，例如可以举出：信越化学工业公司制的X-22-164、X-22-164AS、X-22-164A、X-22-164B、X-22-164C、X-22-164E等在两个末端具有甲基丙烯酰基的硅酮化合物，信越化学工业公司制的X-22-174DX、X-22-2426、X-22-2475等在一个末端具有甲基丙烯酰基的硅酮化合物，DaicelCytec公司制的EBECRYL350、EBECRYL1360等具有丙烯酰基的硅酮化合物，东亚合成公司制的AC-SQ TA-100、AC-SQ SI-20等具有丙烯酰基的硅酮化合物，东亚合成公司制的MAC-SQ TM-100、MAC-SQ SI-20、MAC-SQ HDM等具有甲基丙烯酰基的硅酮化合物等。
其中，对于上述硅酮化合物A而言，由于耐热性特别高，且因极性高而容易从粘合剂组合物中渗出，因此优选为由下述通式(I)、通式(II)、通式(III)表示的、在硅氧烷骨架中具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物。
Figure BDA00002906567000071
式中，X、Y表示0～1200的整数，R表示具有不饱和双键的官能团。
就由上述通式(I)、通式(II)、通式(III)表示的、在硅氧烷骨架中具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物中的市售的化合物而言，例如可以举出Daicel Cytec公司制的EBECRYL350、EBECRYL1360(R均为丙烯酰基)等。
上述硅酮化合物A的含量没有特别限定，然而优选的下限为0.1重量％，优选的上限为30重量％。如果硅酮化合物A的含量小于0.1重量％，则会有无法从被粘物中剥离的情况，如果超过30重量％，则会有无法获得初期粘接力的情况。硅酮化合物A的含量的更优选的下限为0.2重量％，更优选的上限为20重量％。
上述硅酮化合物A的含量相对于上述粘合剂成分100重量份而言的优选的下限为0.5重量份，优选的上限为40重量份。如果硅酮化合物A的含量小于0.5重量份，则即使照射光也不会充分地降低粘合力，因而会有无法从被粘物中剥离的情况；如果超过40重量份，则会有成为被粘物的污染的原因的情况。硅酮化合物A的含量的更优选的下限为1重量份，更优选的上限为30重量份。
本发明的粘合剂组合物也可以含有无机填充剂。
上述无机填充剂优选为由选自硅、钛、铝、钙、硼、镁及锆的氧化物，以及它们的复合物中的至少1种物质所构成的无机填充剂。其中，从具有类似于通常用作无机填充剂的二氧化硅的物性出发，而更优选硅-铝-硼复合氧化物、硅-钛复合氧化物、二氧化硅-氧化钛复合氧化物。
上述无机填充剂的平均粒径没有特别限定，然而优选的下限为0.1μm，优选的上限为30μm。
上述无机填充剂的配合量没有特别限定，然而相对于上述粘合剂成分100重量份而言的优选的下限为30重量份，优选的上限为150重量份。上述无机填充剂的配合量的更优选的下限为60重量份，更优选的上限为120重量份。
本发明的粘合剂组合物可以出于实现凝聚力的调节的目的而适当地配合异氰酸酯化合物、密胺化合物、环氧化合物等通常配合到粘合剂中的各种多官能的化合物。另外，还可以加入防静电干扰剂、增塑剂、树脂、表面活性剂、蜡等公知的添加剂。此外，为了提高粘合剂的稳定性，也可以配合热稳定剂、抗氧化剂。
本发明的粘合剂组合物还可以含有通过照射光而产生气体的气体发生剂。如果对此种含有气体发生剂的粘合剂组合物照射光，则上述光固化型的粘合剂成分会进行交联固化而使粘合剂整体的弹性模量上升，在这种硬的粘合剂中所产生的气体从粘合剂中向粘接界面放出，将粘接面的至少一部分剥离，因此可以使剥离变得更加容易。
上述气体发生剂没有特别限定，然而例如可以举出叠氮化合物、偶氮化合物、酮洛芬、四唑化合物等。其中，优选耐热性优异的酮洛芬、四唑化合物。
本发明的粘合剂组合物具有高的初期粘合力，另一方面，通过照射紫外线等光而可以很容易地加以剥离。另外，由于耐热性也很优异，因此也可以用于如下等进行200℃以上的高温处理的用途中，即，在TSV的制造工序中将晶片固定于支承板上的、将晶片或芯片在通过回流炉时临时固定于支承板等上的用途。
本发明的粘合剂组合物可以用于各种粘接性产品中。
就上述粘接性产品而言，例如可以举出将本发明的粘合剂组合物作为粘合剂树脂来使用的粘接剂、粘合剂、涂料、涂覆剂、密封剂等，或将本发明的粘合剂组合物作为粘合剂使用的单面粘合带、双面粘合带、无支撑胶带(自立胶带)等粘合带等。其中，适合于高温处理时的支承板固定用胶带、兼用于高温处理及背面研磨中的固定用胶带、兼用于高温处理及切割中的固定用胶带、用于进一步对单片化了的半导体芯片进行高温处理时的半导体芯片临时固定用胶带等。
在基材的至少一个面上具有由本发明的粘合剂组合物构成的粘合剂层的粘合带也是本发明之一。
上述基材例如可以举出丙烯酸、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、尼龙、聚氨酯、聚酰亚胺等透明的树脂构成的片材，具有网眼状的结构的片材、开设有孔的片材等。
制造本发明的粘合带的方法没有特别限定，例如可以使用在基材上使用刮刀或旋涂机等涂布上述粘合剂等以往公知的方法。
本发明的粘合剂组合物在包含200℃以上的高温加工工艺的晶片的加工时，适于用作粘接剂，所述粘接剂是为了使晶片的处置变得容易、使其破损或不破损而用于将晶片固定于支承板上的粘接剂。
晶片的处理方法也是本发明之一，其具有：介由本发明的粘合剂组合物将晶片固定于支承板的支承板固定工序；对固定于上述支承板的晶片的表面实施伴随着200℃以上的加热的处理的晶片处理工序；对上述处理后的晶片进行光照射而使上述粘合剂组合物固化，将支承板从晶片中剥离的支承板剥离工序。
上述支承板没有特别限定，例如可以举出玻璃板、石英玻璃板、不锈钢板等。
对固定于上述支承板的晶片的表面实施伴随着200℃以上的加热的处理并没有特别限定，例如可以举出化学气相生长法(CVD)、回流、活性离子蚀刻(RIE)等。
发明的效果
根据本发明，可以提供具有高的初期粘合力而能够牢固地固定被粘物、并且即使在经过200℃以上的高温加工工艺后也可以通过照射光而容易地加以剥离的粘合剂组合物；以及使用了该粘合剂组合物的粘合带；使用该粘合剂组合物的晶片的处理方法。
具体实施方式
以下将举出实施例对本发明的方式更详细地进行说明，然而本发明并不仅限定于这些实施例。
(实施例1)
准备具备温度计、搅拌机、冷却管的反应器，向该反应器内加入丙烯酸2-乙基己酯94重量份、丙烯酸1重量份、丙烯酸2-羟乙酯5重量份、月桂硫醇0.01重量份、乙酸乙酯80重量份，然后加热反应器而开始回流。接下来，向上述反应器内，添加作为聚合引发剂的1，1-双(叔己基过氧)-3，3，5-三甲基环己烷0.01重量份，在回流下引发聚合。然后，在从聚合引发起1小时后及2小时后，均各添加0.01重量份的1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷，进而，在从聚合引发起4小时后添加0.05重量份的过氧化新戊酸叔己酯，从而继续聚合反应。此后，在从聚合引发起8小时后，得到固体成分55重量％、重均分子量60万的丙烯酸共聚物。
相对于所得的含有丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份而言，加入甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯3.5重量份而发生反应，进而，相对于反应后的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份而言，将光聚合引发剂(Esacure One、日本Siber Hegner公司制)1重量份、具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物(Daicel Cytec公司制、EBECRYL350、丙烯酰基当量为2)1重量份、聚异氰酸酯系交联剂(Coronate L45、日本聚氨酯公司制)0.5重量份混合，制备出粘合剂组合物的乙酸乙酯溶液。
将所得的粘合剂组合物的乙酸乙酯溶液以使干燥皮膜的厚度为30μm的方式利用刮刀涂布在对一面实施了电晕处理的厚50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在110℃下加热5分钟而使涂布溶液干燥。其后，在40℃下进行3天静置熟化，得到粘合带。
(实施例2)
除了将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物的配合量设为1.5重量份以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例3)
除了将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物的配合量设为2重量份以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例4)
除了将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物的配合量设为8重量份以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例5)
除了将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物的配合量设为10重量份以外，与实施例1相同地得到粘合剂组合物及粘合带。
(实施例6)
除了将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物的配合量设为20重量份以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例7)
除了将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物的配合量设为30重量份以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例8)
除了将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物(Daicel Cytec公司制、EBECRYL350、丙烯酰基当量为2)取代为Daicel Cytec公司制、EBECRYL1360(丙烯酰基当量为6)以外，与实施例3相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例9)
除了相对于含有丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份而言配合了酮洛芬20重量份作为气体发生剂以外，与实施例3相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例10)
除了相对于含有丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份而言配合了5-间(氨基苯基四唑)10重量份作为气体发生剂以外，与实施例5相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例11)
除了相对于含有丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份而言配合了Reolosil MT-10(二氧化硅填充剂、Tokuyama公司制)20重量份作为无机填充剂以外，与实施例3相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例12)
除了相对于含有丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量而言配合了5-间(氨基苯基四唑)10重量份作为气体发生剂、配合了Reolosil MT-10(二氧化硅填充剂、Tokuyama公司制)20重量份作为无机填充剂以外，与实施例3相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例13)
除了相对于含有丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份而言配合了联四唑钠盐10重量份作为气体发生剂、配合了ReolosilMT-10(二氧化硅填充剂、Tokuyama公司制)20重量份作为无机填充剂以外，与实施例3相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例14)
相对于非光固化型粘合剂(具有羟基及羧基的丙烯酸树脂、SK Dyne1495C、综研化学公司制)的树脂固体成分100重量份而言，将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物(东亚合成公司制、AC-SQ、具有羟基及丙烯酰基)1重量份、光聚合引发剂(Esacure One、日本Siber Hegner公司制)1重量份、聚异氰酸酯系交联剂(Coronate L45、日本聚氨酯公司制)0.5重量份混合，制备出粘合剂组合物的乙酸乙酯溶液，除此以外，与实施例3相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(实施例15)
除了将具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物的配合量设为0.5重量份以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(比较例1)
除了未配合具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(比较例2)
除了未配合具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物以外，与实施例6相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(比较例3)
除了取代具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物而配合了不具有硅酮骨架的丙烯酸系低聚物(新中村化学公司制、NK Oligo U-324A)1重量份以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(比较例4)
除了取代具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物而配合了不具有官能团的硅酮油(信越化学工业公司制、KF-96-10cs)1重量份以外，与实施例1相同地制得粘合剂组合物及粘合带。
(评价)
对于实施例及比较例中得到的粘合剂组合物及粘合带，利用以下的方法进行了评价。
将结果示于表1中。
(1)剥离性的评价
将所得的粘合带作为背面研磨胶带使用，将没有形成电路的厚700μm的硅晶片(裸晶片)的电路面作为胶带侧而进行贴附，将硅晶片薄化研磨为50μm的厚度。然后，将整体在200℃下加热120分钟。加热后，在硅晶片的研磨面侧贴附切割带，吸附固定，利用超高压汞灯以20mW/cm2的强度从背面研磨胶带侧照射150秒后，将背面研磨胶带剥离。
对10片晶片加以实施，观察是否因剥离背面研磨胶带时的应力而产生晶片的破裂、电路的破损，是否在电路面残留有粘合剂。
另外，使用形成有高低差约5μm的电路的厚700μm的硅晶片(电路晶片)，进行了相同的评价。
(2)IC芯片的污染性的评价
对于在(1)中可不破损地加以剥离、并转印到切割带上的电路硅晶片(裸晶片)，切割成5mm×5mm，而得到半导体芯片。从所得的半导体芯片中随机地选择100个，用显微镜观察了芯片上的凸出附近。求出没有发现树脂残渣或表面的污染等表面的上述问题的半导体芯片的数目。
Figure BDA00002906567000151
工业上的可利用性
根据本发明，可以提供具有高的初期粘合力而能够牢固地固定被粘物、并且即使在经过200℃以上的高温加工工艺后也可以通过照射光而容易地剥离的粘合剂组合物；以及使用了该粘合剂组合物的粘合带；使用该粘合剂组合物的晶片的处理方法。

Claims (6)

1.一种粘合剂组合物，其特征在于，
含有粘合剂成分、光聚合引发剂、以及具有能够与所述粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物。
2.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其特征在于，
粘合剂成分是光固化型的粘合剂成分。
3.根据权利要求2所述的粘合剂组合物，其特征在于，
光固化型的粘合剂成分含有在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合剂组合物，其特征在于，
具有能够与粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物是由下述通式(I)、通式(II)或通式(III)表示的在硅氧烷骨架中具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物，
Figure FDA00002906566900011
式中，X、Y表示0～1200的整数，R表示具有不饱和双键的官能团。
5.一种粘合带，其特征在于，
在基材的至少一个面具有由权利要求1～4中任一项所述的粘合剂组合物构成的粘合剂层。
6.一种晶片的处理方法，其特征在于，
具有：
介由权利要求1～4中任一项所述的粘合剂组合物将晶片固定于支承板的支承板固定工序；
对固定于所述支承板的晶片的表面实施伴随着200℃以上的加热的处理的晶片处理工序；以及
对所述处理后的晶片进行光照射，使所述粘合剂组合物固化，将支承板从晶片剥离的支承板剥离工序。
CN201180043765.8A 2010-09-16 2011-09-14 粘合剂组合物、粘合带、以及晶片的处理方法 Active CN103097485B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-208286 2010-09-16
JP2010208286 2010-09-16
PCT/JP2011/071004 WO2012036209A1 (ja) 2010-09-16 2011-09-14 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103097485A true CN103097485A (zh) 2013-05-08
CN103097485B CN103097485B (zh) 2014-08-27

Family

ID=45831665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180043765.8A Active CN103097485B (zh) 2010-09-16 2011-09-14 粘合剂组合物、粘合带、以及晶片的处理方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20130220533A1 (zh)
EP (1) EP2617793B1 (zh)
JP (1) JP5130405B2 (zh)
KR (1) KR101393922B1 (zh)
CN (1) CN103097485B (zh)
TW (1) TWI429727B (zh)
WO (1) WO2012036209A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104903976A (zh) * 2013-11-21 2015-09-09 Lg化学株式会社 保护膜
CN110719944A (zh) * 2017-08-29 2020-01-21 积水化学工业株式会社 粘合剂组合物、粘合带和半导体设备的保护方法
CN111836867A (zh) * 2018-06-20 2020-10-27 株式会社Lg化学 粘合剂组合物
CN112534020A (zh) * 2018-07-25 2021-03-19 信越化学工业株式会社 紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物及其固化物
CN112739533A (zh) * 2018-12-20 2021-04-30 积水化学工业株式会社 粘合带及电子部件的制造方法
CN113227302A (zh) * 2018-12-07 2021-08-06 信越化学工业株式会社 紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物及其固化物
CN113412314A (zh) * 2019-03-08 2021-09-17 积水化学工业株式会社 粘合带
CN113795380A (zh) * 2018-12-25 2021-12-14 积水化学工业株式会社 粘合带

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI461501B (zh) * 2010-12-20 2014-11-21 Henkel IP & Holding GmbH 光可固化切割黏晶膠帶
WO2013105582A1 (ja) * 2012-01-12 2013-07-18 積水化学工業株式会社 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法
JP6066778B2 (ja) * 2012-03-08 2017-01-25 積水化学工業株式会社 透明基板の処理方法及び透明基板処理用粘着剤
JP2013231159A (ja) * 2012-04-06 2013-11-14 Sekisui Chem Co Ltd 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法
WO2014024829A1 (ja) * 2012-08-07 2014-02-13 積水化学工業株式会社 ウエハの処理方法
US9855734B2 (en) * 2012-08-10 2018-01-02 Sekisui Chemical Co., Ltd. Wafer processing method
JP6132502B2 (ja) * 2012-09-27 2017-05-24 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6170672B2 (ja) * 2012-12-27 2017-07-26 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法
WO2015064310A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 日産化学工業株式会社 シルセスキオキサン化合物及び変性シリコーン化合物を含むインプリント材料
KR101730054B1 (ko) 2013-12-13 2017-04-25 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
KR101709689B1 (ko) 2013-12-19 2017-02-23 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
JP6564325B2 (ja) * 2014-02-07 2019-08-21 積水化学工業株式会社 ウエハの処理方法
JP6246020B2 (ja) * 2014-02-27 2017-12-13 日本カーバイド工業株式会社 粘着剤組成物及び光学部材表面保護フィルム
JP6378516B2 (ja) * 2014-03-27 2018-08-22 日東電工株式会社 シリコーン系粘着テープ
JP6446290B2 (ja) * 2014-04-22 2018-12-26 東京応化工業株式会社 接着剤組成物、積層体及び剥離方法
JP6386969B2 (ja) * 2015-05-19 2018-09-05 東レ・ファインケミカル株式会社 粘着剤用アクリル樹脂およびそれを含む粘接着剤用アクリル樹脂組成物
JP7075893B2 (ja) * 2016-11-29 2022-05-26 リンテック株式会社 両面粘着シートおよび半導体装置の製造方法
US11781040B2 (en) * 2017-08-31 2023-10-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Adhesive film and optical member comprising same
JP7088736B2 (ja) * 2017-10-06 2022-06-21 積水化学工業株式会社 表面保護フィルム
KR102286594B1 (ko) * 2018-09-28 2021-08-04 주식회사 엘지화학 임시고정용 점착시트 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2020184612A (ja) * 2019-04-26 2020-11-12 積水化学工業株式会社 粘着テープ
WO2020230527A1 (ja) * 2019-05-14 2020-11-19 日東電工株式会社 積層体および補強フィルム
JP2021050266A (ja) * 2019-09-24 2021-04-01 積水化学工業株式会社 粘着テープ
JP7466487B2 (ja) 2021-03-29 2024-04-12 ソマール株式会社 粘着シート

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10306274A (ja) * 1997-05-06 1998-11-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 感圧接着剤用水性樹脂分散体
JP2004083646A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Toppan Forms Co Ltd １官能性アクリル化合物含有アクリル系感圧接着剤組成物
CN1708984A (zh) * 2002-12-05 2005-12-14 3M创新有限公司 显示器用的贴面固定系统
JP2009132867A (ja) * 2007-11-06 2009-06-18 Lintec Corp 板状部材加工用両面粘着シートおよび板状部材加工方法
JP2010132755A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Nippon Shokubai Co Ltd 電離放射線硬化性再剥離粘着剤組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JP2661950B2 (ja) * 1988-03-31 1997-10-08 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ固定用放射線硬化性粘着テープ
EP0298448B1 (en) * 1987-07-08 1994-06-29 The Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JP2601956B2 (ja) 1991-07-31 1997-04-23 リンテック株式会社 再剥離型粘着性ポリマー
JP3803200B2 (ja) * 1998-07-31 2006-08-02 日本合成化学工業株式会社 再剥離型粘着剤組成物
US20060160915A1 (en) * 2003-02-20 2006-07-20 Andre Fuchs Photocurable compositions
JP5328132B2 (ja) 2007-04-11 2013-10-30 積水化学工業株式会社 半導体加工用テープ
JP2009064975A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シート及びダイシング方法
JP5464635B2 (ja) * 2008-03-28 2014-04-09 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
MY155357A (en) * 2008-05-29 2015-10-15 Denki Kagaku Kogyo Kk Dicing method using a die attach film on an adhesive sheet
JP2012000812A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Daicel Corp 積層フィルム及びその製造方法並びに電子デバイス

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10306274A (ja) * 1997-05-06 1998-11-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 感圧接着剤用水性樹脂分散体
JP2004083646A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Toppan Forms Co Ltd １官能性アクリル化合物含有アクリル系感圧接着剤組成物
CN1708984A (zh) * 2002-12-05 2005-12-14 3M创新有限公司 显示器用的贴面固定系统
JP2009132867A (ja) * 2007-11-06 2009-06-18 Lintec Corp 板状部材加工用両面粘着シートおよび板状部材加工方法
JP2010132755A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Nippon Shokubai Co Ltd 電離放射線硬化性再剥離粘着剤組成物

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104903976A (zh) * 2013-11-21 2015-09-09 Lg化学株式会社 保护膜
CN104903976B (zh) * 2013-11-21 2017-11-21 Lg化学株式会社 保护膜
US9890257B2 (en) 2013-11-21 2018-02-13 Lg Chem, Ltd. Protective film
CN110719944A (zh) * 2017-08-29 2020-01-21 积水化学工业株式会社 粘合剂组合物、粘合带和半导体设备的保护方法
US11466184B2 (en) 2018-06-20 2022-10-11 Lg Chem, Ltd. Adhesive composition
CN111836867B (zh) * 2018-06-20 2022-09-30 株式会社Lg化学 粘合剂组合物
CN111836867A (zh) * 2018-06-20 2020-10-27 株式会社Lg化学 粘合剂组合物
CN112534020A (zh) * 2018-07-25 2021-03-19 信越化学工业株式会社 紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物及其固化物
CN112534020B (zh) * 2018-07-25 2022-09-16 信越化学工业株式会社 紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物及其固化物
CN113227302A (zh) * 2018-12-07 2021-08-06 信越化学工业株式会社 紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物及其固化物
CN113227302B (zh) * 2018-12-07 2023-07-07 信越化学工业株式会社 紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物及其固化物
CN112739533A (zh) * 2018-12-20 2021-04-30 积水化学工业株式会社 粘合带及电子部件的制造方法
CN112739533B (zh) * 2018-12-20 2023-06-06 积水化学工业株式会社 粘合带及电子部件的制造方法
CN113795380A (zh) * 2018-12-25 2021-12-14 积水化学工业株式会社 粘合带
CN113795380B (zh) * 2018-12-25 2024-05-03 积水化学工业株式会社 粘合带
CN113412314A (zh) * 2019-03-08 2021-09-17 积水化学工业株式会社 粘合带

Also Published As

Publication number Publication date
TWI429727B (zh) 2014-03-11
KR20130102057A (ko) 2013-09-16
WO2012036209A1 (ja) 2012-03-22
KR101393922B1 (ko) 2014-05-12
JPWO2012036209A1 (ja) 2014-02-03
TW201217478A (en) 2012-05-01
EP2617793A1 (en) 2013-07-24
CN103097485B (zh) 2014-08-27
JP5130405B2 (ja) 2013-01-30
US20130220533A1 (en) 2013-08-29
EP2617793A4 (en) 2017-05-17
EP2617793B1 (en) 2020-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103097485B (zh) 粘合剂组合物、粘合带、以及晶片的处理方法
CN1090032C (zh) 粘合剂
CN1173000C (zh) 用于粘合晶片的压敏粘合剂片
CN102105546B (zh) 构件的临时固定/剥离方法及适于其的临时固定用胶粘剂
CN1170747A (zh) 片状可固化压敏粘合剂
JP5639446B2 (ja) 易剥離性粘着シートおよび易剥離性粘着テープ
WO1994020583A1 (en) Radiation curable acrylate/silicone permanently removable pressure sensitive adhesive
CN101636462A (zh) 切片和晶片附连粘合剂
JPWO2017065188A1 (ja) 粘着シート
JP2000234079A (ja) 半導体ウエハ加工用シート
TWI689565B (zh) 半導體晶片之製造方法
JP2013231159A (ja) 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法
JP5555578B2 (ja) 粘着剤組成物及び粘着テープ
JP2014019790A (ja) 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法
JP2019070094A (ja) 両面粘着テープ及び半導体装置の製造方法
JP5946708B2 (ja) 粘着テープ
JP2023121157A (ja) ポリイミド樹脂、硬化性樹脂組成物、仮固定材、及び、電子部品の製造方法
JP2013028723A (ja) 粘着剤組成物及び粘着テープ
JP2014012769A (ja) 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法
JP4297319B2 (ja) 粘接着テープ
JP2019031620A (ja) 再剥離性粘着剤組成物
JP6126722B2 (ja) 粘着テープ
JP6427251B2 (ja) 粘着テープ
JP3282857B2 (ja) 光重合性接着剤組成物とこれを用いた感圧性接着剤およびその接着シ―ト類
JP2016128546A (ja) 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant