CN103003925A - 干蚀刻剂以及干蚀刻方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。

Description

干蚀刻剂以及干蚀刻方法
技术领域
本发明涉及含有1,1,1,3-四氟丙烯的干蚀刻剂以及使用其的干蚀刻方法。
背景技术
今时今日，在半导体制造中，寻求极其微细的处理技术，干蚀刻法逐渐取代湿式法成为主流。干蚀刻法是在真空空间中产生等离子体而在物质表面上以分子水准形成微细的图案的方法。
在二氧化硅(SiO2)等半导体材料的蚀刻中，为了提高SiO2相对于用作基底材料的硅、多晶硅、氮化硅等的蚀刻速度，而使用CF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8等全氟碳化物(PFC)类、氢氟碳化物(HFC)类作为蚀刻剂。这些PFC类、HFC类均为大气寿命长的物质，具有高全球变暖潜值(GWP)，因此在京都议定书(COP3)中成为限制排放物质。在半导体产业中，正在寻求经济性高、可微细化的GWP低的替代物质。
因此，专利文献1中，作为PFC类、HFC类的替代物质，公开了将包含具有4～7个碳原子的全氟酮的反应性气体用作清洗气体或蚀刻气体的方法。然而，这些全氟酮的分解物质中包含为数不少的高GWP的PFC或包含沸点较高的物质，因此作为蚀刻气体未必是优选的。
专利文献2中公开了将具有2～6个碳原子的氢氟醚用作干蚀刻气体的方法，但是与专利文献1同样地，对于这些氢氟醚来说，总的来说GWP高、地球环境性方面不优选。
在这种背景下，正在寻求开发具有更低的GWP且工业制造也容易的化合物，正在研究分子内具有双键、三键的不饱和氟碳化物在蚀刻用途下的使用。
作为与此相关的现有技术，专利文献3中公开了用包含CaF2a+1OCF=CF2的醚类以及CF3CF=CFH、CF3CH=CF2等氟化烯烃类蚀刻Si膜、SiO2膜、Si3N4膜或高熔点金属硅化物膜的方法。
另外，专利文献4中公开了特征在于将六氟-2-丁炔、六氟-1,3-丁二烯以及六氟丙烯等用作蚀刻气体的等离子体蚀刻方法。
专利文献5中公开了使用以下混合气体蚀刻包含氮化物层的非氧化物层上的氧化物层的方法，所述混合气体包含a.选自六氟丁二烯、八氟戊二烯、五氟丙烯和三氟丙炔组成的组中的不饱和氟碳化物，b.单氟甲烷或二氟甲烷等氢氟甲烷，c.非活性的载气。
另外，专利文献6中公开了将碳原子数5或6的链状全氟炔烃用作等离子体反应气体，专利文献7中公开了作为干蚀刻气体、CVD气体有用、另外作为含氟聚合物的原料也有用的全氟烯烃化合物等的制造方法。
专利文献8中公开了1,3,3,3-四氟丙烯作为激光辅助蚀刻中的辅助气体。激光辅助蚀刻是通过激光将材料热活化并且激发蚀刻剂来进行蚀刻的技术，其与基本上通过电能产生反应性气体、使其与基板反应而形成所希望形状的干蚀刻是激发方法不同的技术。
另外，专利文献9中公开了包含2,3,3,3-四氟丙烯的气体作为对于硅氧化膜层的蚀刻剂。需要说明的是，2,3,3,3-四氟丙烯是作为车辆空调用制冷剂开发的物质，是常温、干燥状态下具有燃烧范围的可燃性气体(通过按照ASTM E681-04的方法测定)。另一方面，1,3,3,3-四氟丙烯是在相同条件的测定下未显示燃烧范围、安全性更高的物质。
进而，非专利文献1中公开了将六氟丙烯、六氟丁二烯等直链不饱和化合物用于氧化硅系材料层的蚀刻中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2004-536448号公报
专利文献2：日本特开平10-140151号公报
专利文献3：日本特开平10-223614号公报
专利文献4：日本特开平9-191002号公报
专利文献5：日本特表2002-530863号公报
专利文献6：日本特开2003-282538号公报
专利文献7：日本特开2009-269892号公报
专利文献8：美国公开2008/191163号公报
专利文献9：国际公开2009/122771号公报
非专利文献
非专利文献1：J.Appl.phys.Vol.42,5759-5764页,2003年
发明内容
发明要解决的问题
PFC类、HFC类由于GWP高，因此为限制对象物质，作为它们的替代物质的全氟酮类、氢氟醚类或氢氟乙烯基醚类由于分解物质中包含为数不少的高GWP的PFC或制造困难、不经济，因此正在寻求开发对地球环境的影响小且具有所需要的性能的干蚀刻剂。
对于蚀刻性能而言，在等离子体蚀刻的情况下，例如由CF4的气体生成F自由基，对SiO2进行蚀刻时，各向同性地进行蚀刻。在要求微细加工的干蚀刻中，相比于各向同性，优选具有各向异性的指向性的蚀刻剂，进而，期望地球环境负担小且经济性高的蚀刻剂。
另外，在截止至今的使用蚀刻气体的技术中，如专利文献5所述那样需要复杂工序或装置、被限定的温度条件或基板、对气体附加振动等操作，存在工艺窗口(process window)狭窄的问题。
本发明的目的在于，通过将气体的分子结构和气体组成优化，来提供工艺窗口广、无需使用特殊的装置即可得到良好的加工形状的干蚀刻剂以及使用其的干蚀刻方法。
用于解决问题的方案
本发明人等重复进行了深入研究，结果发现了1,3,3,3-四氟丙烯(CF3CH=CFH)为在干蚀刻中适合各向异性蚀刻、可以得到良好的加工形状且对地球环境的影响更小的替代物质。
即，本发明提供以下[发明1]～[发明8]记载的发明。
[发明1]
一种干蚀刻剂，其包含1,3,3,3-四氟丙烯、添加气体和非活性气体。
[发明2]
根据发明1所述的干蚀刻剂，其中，添加气体为氧化性气体或还原性气体。
[发明3]
根据发明2所述的干蚀刻剂，其中，氧化性气体或还原性气体为选自由H2、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF3OF、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种气体。
[发明4]
根据发明1所述的干蚀刻剂，其中，非活性气体为选自由N2、He、Ar、Ne以及Kr组成的组中的至少1种气体。
[发明5]
根据发明1所述的干蚀刻剂，其中，1,3,3,3-四氟丙烯的含有率为1～45体积%。
[发明6]
根据发明1～发明5中任一项所述的干蚀刻剂，其还包含选自由CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8以及C5F10组成的组中的至少1种气体。
[发明7]
一种干蚀刻方法，其使用将发明1～发明6中任一项所述的干蚀刻剂等离子体化而得到的等离子体气体，选择性地蚀刻选自由二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅以及碳化硅组成的组中的至少1种硅系材料。
[发明8]
一种干蚀刻方法，其使用(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO以及COF2组成的组中的至少1种以上气体和Ar，(A)、(B)以及Ar的体积流量比分别为1～45%:1～50%:5~98%(其中，各气体的体积流量比的总计为100%)，选择性地蚀刻选自由二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅以及碳化硅组成的组中的至少1种硅系材料。
如前所述，已知使用1,1,1,2,3-五氟丙烯、六氟-2-丁炔、六氟-1,3-丁二烯、六氟丙烯等作为蚀刻气体。这些氟化烯烃化合物从其自身具有许多氟原子、对氧化硅系材料具有高的蚀刻速度方面考虑是乍一看优选的方法，但是由于具有多个双键或三键部位，制造这些化合物时有一些困难。
另外，对于作为本发明的对象化合物的类似化合物1,1,1,2,3-五氟丙烯而言，虽然专利文献3中进行了公开，但是实际上没有进行蚀刻的实施例的记载，本发明的对象化合物是否果真具有高选择比且对各种材料具有可以工业上采用程度的蚀刻速度还不清楚。
另一方面，本发明的干蚀刻剂包含如下的混合气体，所述混合气体是在1,3,3,3-四氟丙烯(CF3CH=CFH)中添加有H2、O2、O3、CO、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)等添加气体以及N2、He、Ar等非活性气体而形成的。通过使用1,3,3,3-四氟丙烯、使特定的添加气体以及特定的非活性气体共存并且进行蚀刻，对硅系材料层的选择性高且可以以高的蚀刻速度有效地进行蚀刻。1,3,3,3-四氟丙烯由于包含CF3CH结构、容易形成CF3 +、而且分子中具有容易进行高分子化的双键和氢，因此有利于壁保护，可以达成各向异性蚀刻。通过使用特定量的添加气体，还得到特别优选的条件。尤其是通过在蚀刻剂中混合含氧气体、含卤素气体等氧化性气体、还原性气体，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比(high aspect ratio)的加工而无需特殊的基板的激发操作等。另外，1,3,3,3-四氟丙烯由于分子内具有1个不饱和双键，因此在大气中通过OH自由基等分解的分解性高，在推动温室效应方面，也明显比CF4、CF3H等PFC类或HFC类低，在作为干蚀刻剂的情况下，起到对环境的负担小的效果。
如此，本发明的蚀刻剂可以在实用方面无障碍地使用，工业方面、地球环境方面均非常具有优势性。
附图说明
图1为本发明中使用的实验装置的概略图。
图2为表示通过蚀刻处理得到的、硅晶片上的开口部的图。
具体实施方式
首先，对本发明的干蚀刻剂进行详细说明。
本发明的干蚀刻剂包含由化学式CF3CH=CFH表示的1,3,3,3-四氟丙烯。具体而言，其特征在于，将CF3CH=CFH与作为添加气体以及非活性气体的其它的1种或2种以上的有机化合物或无机化合物混合而使用(详细说明如后所述，“添加气体”表示O2、F2等氧化性气体或者H2、CO等还原性气体，本说明书中有时将该气体称为“氧化性气体”、“含氧气体”、“含卤素气体”、“还原性气体”)。需要说明的是，1,3,3,3-四氟丙烯存在立体异构体。包含反式体(E体)和顺式体(Z体)，本发明中可以使用任一种异构体或者两者的混合物。
本发明中使用的1,3,3,3-四氟丙烯可以使用以往公知的方法来制造。例如，本发明人等对于1,3,3,3-四氟丙烯的制造法，在日本专利第3465865号或者日本专利第3821514号中，使工业规模下得到的1-氯-3,3,3-三氟丙烯在气相氟化催化剂存在下与HF作用，由此可以得到1,3,3,3-四氟丙烯。另外，日本专利第3465865号中公开了在气相中将1,1,3,3,3-五氟丙烯催化分解而得到1,3,3,3-四氟丙烯的方法。
1,3,3,3-四氟丙烯具有下述特征：分子中具有双键，该双键通过单键与三氟甲基(CF3基)相连，高频率地产生蚀刻效率高的CF3 +离子，另一方面双键部分进行高分子化而沉积。
为了使蚀刻剂中的碳原子通过进行高分子化而防止非选择性蚀刻被蚀刻材料的侧壁，优选F/C比尽可能接近1。对于本发明中使用的1,3,3,3-四氟丙烯而言，由于分子中的F/C比小、为1.33，被蚀刻材料的侧壁容易通过高分子的沉积而被保护，因此认为相对于F自由基实现的各向同性地蚀刻，各向异性蚀刻的选择性升高。为了降低F/C比，优选包含氢的氟化丙烯类。作为这种氟化丙烯类，可列举出1,2,3,3,3-五氟丙烯、1,1,3,3,3-五氟丙烯、3,3,3-三氟丙烯等，从F/C比、燃烧性等观点考虑，优选本发明中的对象CF3CH=CFH。
本发明的蚀刻剂可以在各种干蚀刻条件下使用，可以根据对象膜的物性、生产率、微细精度等添加各种添加剂。
优选本发明的蚀刻剂中含有1～45体积%的1,3,3,3-四氟丙烯，分别以后述的体积%范围混合添加气体(氧化性气体、含氧气体、含卤素气体、还原性气体)和非活性气体。
作为非活性气体，可列举出N2、He、Ar、Ne、Kr等。这些非活性气体还可以用作稀释剂，特别是Ar通过与1,3,3,3-四氟丙烯的协同效应而能得到更高的蚀刻速率。
非活性气体的添加量取决于输出、排气量等的装置的形状、性能或对象膜特性，优选为1,3,3,3-四氟丙烯流量的1～50倍。
在为了提高生产率而提高蚀刻速度的情况下，优选添加氧化性气体。具体而言，可列举出O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、NO2等含氧气体，F2、NF3、Cl2、Br2、I2、YFn(Y=Cl、Br、I，1≦n≦7)等含卤素气体。其中，从可以进一步加速金属的蚀刻速度方面考虑，优选为O2、COF2、F2、NF3、Cl2，特别优选为O2。该气体可以添加1种，或者也可以混合添加2种以上，本领域技术人员可以进行适当调整。
氧化性气体的添加量取决于输出等的装置的形状、性能或对象膜特性，通常为1,3,3,3-四氟丙烯流量的1/10～30倍，优选为1/10～20倍。如果以超过30倍的量添加时，则有时会有损1,3,3,3-四氟丙烯的优异的各向异性蚀刻性能。前述氧化性气体的流量少于1/10时，有时1,3,3,3-四氟丙烯进行高分子化而成的沉积物显著增加。作为氧化性气体，特别是添加氧气时可能会选择性地加速金属的蚀刻速率。即，可显著提高金属相对于氧化物的蚀刻速度的选择比，可进行金属的选择蚀刻。
需要说明的是，本发明中，与氧化性气体一起添加N2、He、Ar、Ne、Kr等非活性气体。
如此，本发明的干蚀刻剂的优选实施方式之一包含1,3,3,3-四氟丙烯、氧化性气体以及非活性气体，以下表示该蚀刻剂中的优选组成和体积%。需要说明的是，各气体的体积%的总计为100%。
例如，1,3,3,3-四氟丙烯、氧化性气体以及非活性气体共存情况下的体积%优选分别为该丙烯:氧化性气体:非活性气体=1～45%:1～50%:5~98%，进一步特别优选为4～40%:4～45%:15~92%。氧化性气体或者非活性气体分别混合2种以上时，调整各自的体积比使得满足前述比率即可。
另外，CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8、C5F10等气体可以改变蚀刻气体的F/C比，因此适用于本发明的干蚀刻剂中。这些化合物的添加量优选以不会阻碍选择性蚀刻来改变F/C比，期望相对于1,3,3,3-四氟丙烯为0.01～2倍体积。1,3,3,3-四氟丙烯以外的化合物中，2,3,3,3-四氟丙烯等(C3F4H2)虽然不会改变F/C比，但是由于影响侧壁保护等而可以组合使用。
另外，在希望降低用于促进各向同性地蚀刻的F自由基的量时，添加例如CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3、H2的还原性气体是有效的。
还原性气体的添加量过多时，有时发挥蚀刻作用的F自由基量显著降低、生产率降低。特别是添加H2、C2H2时，SiO2的蚀刻速度不变但Si的蚀刻速度降低，选择性变高，因此相对于基底硅，可选择性地蚀刻SiO2。
接着，对使用了本发明的干蚀刻剂的蚀刻方法进行说明。
本发明的干蚀刻剂可适用于在硅晶片、金属板、玻璃、单晶、多晶等基板上层叠的B、P、W、Si、Ti、V、Nb、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ru、Ir、Sb、Ge、Au、Ag、As、Cr及其化合物的蚀刻等各种被加工物，所述化合物具体而言为氧化物、氮化物、碳化物、氟化物、氧氟化物、硅化物及它们的合金。
特别是，可有效适用于半导体材料。作为半导体材料，可列举出硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化氟化硅或碳化氧化硅这些硅系材料，钨、铼、它们的硅化物、钛或氮化钛、钌或硅化钌、氮化钌、钽、氧化钽、氟氧化钽(tantalum oxyfluoride)、铪、氧化铪、硅氧化铪(hafnium oxysilicide)、铪锆氧化物(hafmium zirconium oxide)。
另外，使用了本发明的干蚀刻剂的蚀刻方法，可以不受限制地使用反应性离子蚀刻(RIE)、电子回旋共振(ECR)等离子体蚀刻、微波蚀刻等各种蚀刻方法以及反应条件。本发明中使用的蚀刻方法如下进行：通过在蚀刻处理装置内产生作为对象的丙烯类的等离子体，对装置内的作为对象的被加工物的规定部位进行蚀刻。例如在半导体的制造中，在硅晶片上形成硅系氧化物膜或氮化硅膜、在上部涂布设定了特定开口部的抗蚀剂，按照去除硅系氧化物或氮化硅膜的方式蚀刻抗蚀剂开口部。
使用了本发明的干蚀刻剂的蚀刻方法，还可以适用于在一片硅基板、玻璃基板、有机材料等之上层叠机械元件构件、传感器、驱动器、电子电路而成的结构，即所谓微机电系统(MEMS；Micro Electro Mechanical Systems的简称)制造时的蚀刻中。另外，通过应用本发明的方法，还可以制造利用有MEMS的磁记录头、压力传感器、加速度传感器等已有制品中的半导体。
对于进行蚀刻时的等离子体发生装置没有特别限定，例如优选使用高频感应方式以及微波方式的装置等。
对于进行蚀刻时的压力，为了有效地进行各向异性蚀刻，优选在气体压力为0.133~133Pa的压力下进行。低于0.133Pa的压力时，蚀刻速度变慢，另一方面，超过133Pa的压力时，有时会有损抗蚀剂选择比。
对于进行蚀刻时的1,3,3,3-四氟丙烯、添加气体以及非活性气体各自的体积流量比率，可用与前述体积%相同的比率进行蚀刻。
另外，所使用的气体流量根据蚀刻装置的尺寸而异，本领域技术人员可以根据该装置进行适当调整。
另外，进行蚀刻时的温度优选为300℃以下，特别是，为了进行各向异性蚀刻，希望设定为240℃以下。超过300℃的高温时，各向同性地进行蚀刻的倾向趋强，无法得到所需要的加工精度，另外，抗蚀剂被显著地蚀刻，因此不优选。
对进行蚀刻处理的反应时间没有特别限定，大概为5分钟～30分钟左右。然而，由于其取决于蚀刻处理后的过程，因此本领域技术人员可边观察蚀刻的状况边做适当调整。
需要说明的是，通过与前述还原性气体等混合而使用或将压力、流量、温度等最优化，在例如加工接触孔时，可提高硅和硅氧化膜的蚀刻速度的选择性。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行详细说明，但本发明不受这些实施例的限定。
将本发明的干蚀刻剂适用于接触孔加工中，蚀刻层间绝缘膜(SiO2)或者氮化硅膜的例子表示为[实施例1]～[实施例10]。另外，作为比较例，将分别使用作为全氟碳化物的CF4、F2以及同时为二烯烃的C4F6(CF2=CF-CF=CF2)的情况表示为[比较例1]～[比较例12]。
本实施例中使用的实验装置的概略图如图1所示。
从与腔室1内的上部电极5连接的气体导入口6导入工艺气体后，将腔室1内压力设定为2Pa，利用高频电源3(13.56MHz、0.22W/cm2)激发工艺气体生成活性种，将该活性种供给至设置在下部电极4上的试样8，从而进行蚀刻。
作为试样8，使用在单晶硅晶片上形成5μm的SiO2膜或氮化硅膜，在膜上涂布设置有线宽0.3μm的开口部的抗蚀剂而成的试样。
对于试样8，利用C4F6、CF4、F2以及反式-1,3,3,3-四氟丙烯(简称为1234ze(E)、或者1234ze(E)与2,3,3,3-四氟丙烯(简称为1234yf)的混合气体(体积比80/20)分别与氧气的混合气体，在工艺压力2Pa下进行30分钟蚀刻。
蚀刻处理后，对硅晶片截面进行SEM(扫描电子显微镜)观察，对蚀刻速度、深宽比以及侧蚀刻(侧壁的切削量)与开口部线宽的比率进行比较。如图2所示，侧蚀刻率R(%)以R=(a/b)×100表示。蚀刻试验结果如表1所示。
[表1]
Figure BDA00002723498800131
由表1可知，本发明的[实施例1]、[实施例2]、[实施例5]、[实施例7]、[实施例9]的干蚀刻剂与[比较例1]、[比较例2]、[比较例5]、[比较例6]、[比较例9]、[比较例11]所示的CF4、C4F6、F2相比，对于SiO2的深宽比高、侧蚀刻率低，可以得到良好的接触孔加工形状。本发明的[实施例3]、[实施例4]、[实施例6]、[实施例8]、[实施例10]的干蚀刻剂与[比较例3]、[比较例4]、[比较例7]、[比较例8]、[比较例10]、[比较例12]所示的CF4、C4F6、F2相比，对于氮化硅的深宽比高、侧蚀刻率低，可以得到良好的接触孔加工形状。另外，如[实施例5]、[实施例6]、[实施例9]、[实施例10]所示，使用1234ze(E)与1234yf的混合气体的干蚀刻剂的情况下，与氧气的反应性高、具有可燃性而且使用上安全性存在问题的1234yf通过与1234ze(E)混合，可以提高安全性，另外即使降低流量以及氧气流量，也可以与其它实施例同样地得到深宽比、侧蚀刻率良好的接触孔加工形状。
对具有0.1μm开口宽度的试样实施与上述试验相同条件下的蚀刻试验，得到同样的结果。
由以上的[实施例1]～[实施例10]的结果可以确认，本发明中的干蚀刻剂与[比较例1]～[比较例12]的以往已知的CF4、C4F6相比，可以得到深宽比高、侧蚀刻率小、良好的接触孔加工形状。
产业上的可利用性
本发明中的对象1,1,1,3-四氟丙烯、添加气体以及非活性气体的混合气体可以用作干蚀刻剂。另外，使用该干蚀刻剂的蚀刻方法也可以用作半导体的制造方法。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但自不用说，在不脱离本发明的主旨的范围内，可根据本领域技术人员的常规知识对以下的实施方式进行适当变更、改良。

Claims (8)

1.一种干蚀刻剂，其包含1,3,3,3-四氟丙烯、添加气体和非活性气体。
2.根据权利要求1所述的干蚀刻剂，其中，添加气体为氧化性气体或还原性气体。
3.根据权利要求2所述的干蚀刻剂，其中，氧化性气体或还原性气体为选自由H2、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF3OF、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种气体。
4.根据权利要求1所述的干蚀刻剂，其中，非活性气体为选自由N2、He、Ar、Ne以及Kr组成的组中的至少1种气体。
5.根据权利要求1所述的干蚀刻剂，其中，1,3,3,3-四氟丙烯的含有率为1～45体积%。
6.根据权利要求1～权利要求5中任一项所述的干蚀刻剂，其还包含选自由CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8以及C5F10组成的组中的至少1种气体。
7.一种干蚀刻方法，其使用将权利要求1～权利要求6中任一项所述的干蚀刻剂等离子体化而得到的等离子体气体，选择性地蚀刻选自由二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅以及碳化硅组成的组中的至少1种硅系材料。
8.一种干蚀刻方法，其使用(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO以及COF2组成的组中的至少1种以上的气体和Ar，(A)、(B)以及Ar的体积流量比分别为1～45%:1～50%:5~98%(其中，各气体的体积流量比的总计为100%)，选择性地蚀刻选自由二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅以及碳化硅组成的组中的至少1种硅系材料。
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