JP5886214B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Description
このため、従来のプラズマエッチング方法を用いた場合、地球の温暖化を促進させてしまうという問題があった。
図1は、本発明の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を行う際に使用するプラズマエッチング装置の主要部を示す断面図である。図1では、プラズマエッチング装置10の構成要素の一部(具体的には、チャンバ11、サセプタ12、エッチングガス供給源14、デポガス供給源15、エッチングガス供給ライン17、デポガス供給ライン18、及び排ガスライン22のみ)を図示する。
プラズマ発生部13は、エッチングガス供給源14から供給されたエッチングガスをプラズマ化させる機能を有する。
このように、保護膜を形成する際のデポガスとして、2,3,3,3−テトラフルオロプロペンを用いることで、従来のデポガスであり、かつ地球温暖化係数が10300であるC4F8を用いた場合と比較して、温室効果ガスの排出量を削減できる。
排ガスライン22は、チャンバ11からエッチングガス、デポガス、それぞれの解離種及び反応生成物を排出するためのラインである。
以下、本実施の形態では、本実施の形態のプラズマエッチング方法を用いて、単結晶シリコン基板25を貫通する貫通孔38(図6参照)を加工する場合を例に挙げて説明する。
周知の手法により、薄板化されていない単結晶シリコン基板25の表面25b(裏面25aの反対側に位置する面)に、回路素子層41(例えば、トランジスタ等の素子及び貫通孔38が露出する導体42を含む多層配線構造体)を形成する(図6参照)。
単結晶シリコン基板25の厚さが50μmの場合、開口部31Aの開口径は、例えば、400μmとすることができる。
このとき、レジストマスク31が形成された側が上面側となるように、レジストマスク付き基板30を固定する。次いで、ドライポンプ(図示せず)により、チャンバ11内を真空とする。
具体的には、誘導結合プラズマ(ICP)により、SF6を含むエッチングガスをプラズマ化して、シリコンをプラズマエッチング(具体的には、F系のラジカルを用いた等方性ドライエッチング)することで、凹部33を形成する(エッチングステップ)。
このように、等方性ドライエッチングを行う際のエッチングガスとして、SF6を含むガスを用いることにより、凹部33を良好な形状に加工することができる。
単結晶シリコン基板25の裏面25aを基準としたときの凹部33の深さは、例えば、1μmとすることができる。
この段階において、保護膜34は、凹部33の底面33bを露出している。
始めに、デポガスとして、2,3,3,3−テトラフルオロプロペンを用いて、プラズマエッチングにより露出された凹部33の内面33c(側面33a及び底面33bよりなる面)と、単結晶シリコン基板25から露出されたレジストマスク31の面と、を覆う保護膜34を成膜する。この段階では、凹部33の底面33bは、保護膜34で覆われている。
これにより、凹部33の側面33aを覆い、かつ凹部33の底面33bを露出する保護膜34が形成される。
C4F8を用いて形成される保護膜と同等の性能を得るために必要な保護膜34の厚さは、C4F8を用いて形成される保護膜の厚さの1/4〜1/2程度でよい。
これにより、エッチングステップと、保護膜形成ステップと、を交互に繰り返し行うプラズマエッチング処理時間を短くすることが可能となるので、生産性を向上させることができる。
これにより、良好なエッチング加工形状を得ることができると共に、同じエッチングステップを使用する場合でも保護膜形成に必要な時間が短くなるため、単結晶シリコン基板25のエッチングレートを速くすることが可能となるので、生産性を向上させることができる。
始めに、シリコンである単結晶シリコンウェハ(口径200mm)を準備した。次いで、フォトリソグラフィ技術により、該単結晶シリコンウェハの表面に、異なる開口径(30μm及び50μmの開口径を含む)とされた複数の開口部を有するレジストマスクを形成することで、評価サンプルAを作製した。
次いで、該プラズマエッチング装置のサセプタの基板載置面に、評価サンプルAを固定し、その後、チャンバ11内を真空状態とした。
表1は、エッチングガスとしてSF6、デポガスとしてC4F8を用いた場合の側壁保護性を考慮し、流量を最適化したプラズマエッチング条件である。
表1に示すように、比較例1では、C4F8の流量を450sccm、保護膜形成時間を3.8秒とした。なお、保護膜形成時間とは、1回の保護膜形成ステップでの処理時間であって、側壁保護性を考慮し最適化した時間のことをいう。
このとき、表1に示すように、比較例1のエッチングステップでは、エッチング加工特性に優れたガスであるSF6を用い、比較例1の保護膜形成ステップでは、デポガスとして地球温暖化係数が10300と高いC4F8を用いた。
なお、ここでの「単結晶シリコンウェハのエッチングレート」とは、50μm幅のレジストマスクを介して、単結晶シリコンをエッチングした際の単結晶シリコンのエッチングレートのことをいう。
また、図7に、比較例の単結晶シリコンウェハに形成された開口径が30μm狙いの孔、及び開口径が50μm狙いの孔の断面SEM写真を示す。
比較例1で説明した方法と同様な手法により、評価サンプルAを作製した。次いで、図1に示すプラズマエッチング装置10のサセプタ12の基板載置面12aに、評価サンプルAを固定し、その後、チャンバ11内を真空状態とした。
実施例1では、エッチングガスとしてSF6を用い、デポガスとして2,3,3,3−テトラフルオロプロペンを用いた。
表3に示すように、実施例1では、2,3,3,3−テトラフルオロプロペンの流量を100sccm、保護膜形成時間を3.8秒とした。
表2を参照するに、実施例1では、単結晶シリコンウェハのエッチングレートが35.4μm/min、デポガス(この場合、2,3,3,3−テトラフルオロプロペン)使用量が0.61gであった。
図8を参照するに、実施例1の開口径が30μm狙いの孔、及び開口径が50μm狙いの孔は、上部がやや拡がった形状になったが、問題無い形状であることが確認できた。
比較例1で説明した方法と同様な手法により、評価サンプルAを作製した。次いで、図1に示すプラズマエッチング装置10のサセプタ12の基板載置面12aに、評価サンプルAを固定し、その後、チャンバ11内を真空状態とした。
実施例2では、エッチングガスとして実施例1と同じ流量のSF6を用い、デポガスとして、実施例1よりも100sccm増量された2,3,3,3−テトラフルオロプロペンを用いた。
表2を参照するに、実施例2では、単結晶シリコンウェハのエッチングレートが40.0μm/min、デポガス(この場合、2,3,3,3−テトラフルオロプロペン)の使用量が0.73gであった。
図8を参照するに、実施例2の開口径が30μm狙いの孔、及び開口径が50μm狙いの孔の形状は、略ストレートな形状であり、良好な形状に加工できることが確認できた。
比較例1で説明した方法と同様な手法により、評価サンプルAを作製した。次いで、図1に示すプラズマエッチング装置10のサセプタ12の基板載置面12aに、評価サンプルAを固定し、その後、チャンバ11内を真空状態とした。
実施例3では、エッチングガスとして実施例2と同じ流量のSF6を用い、デポガスとして、実施例2よりも100sccm増量された2,3,3,3−テトラフルオロプロペンを用いた。
表2を参照するに、実施例3では、単結晶シリコンウェハのエッチングレートが42.6μm/min、デポガス(この場合、2,3,3,3−テトラフルオロプロペン)の使用量が0.59gであった。
図8を参照するに、実施例3の開口径が30μm狙いの孔、及び開口径が50μm狙いの孔の形状は、略ストレートな形状であり、良好な形状に加工できることが確認できた。
比較例1で説明した方法と同様な手法により、評価サンプルAを作製した。次いで、図1に示すプラズマエッチング装置10のサセプタ12の基板載置面12aに、評価サンプルAを固定し、その後、チャンバ11内を真空状態とした。
実施例4では、エッチングガスとして実施例3と同じ流量のSF6を用い、デポガスとして、実施例3よりも150sccm増量された2,3,3,3−テトラフルオロプロペンを用いた。
表2を参照するに、実施例4では、単結晶シリコンウェハのエッチングレートが35.5μm/min、デポガス(この場合、2,3,3,3−テトラフルオロプロペン)の使用量が0.72gであった。
図8を参照するに、実施例4の開口径が30μm狙いの孔、及び開口径が50μm狙いの孔は、底部がやや拡がった形状になったが、問題無い形状であることが確認できた。
図7に示す比較例の断面SEM写真、及び図8に示す実施例1〜4の断面SEM写真から、デポガスである2,3,3,3−テトラフルオロプロペンの流量を、SF6の流量(この場合、500sccm)の0.2〜0.9倍の範囲内にすることで、デポガスとしてC4F8を用いた場合と同等のエッチング加工形状(図7参照)を得ることができることが確認できた。
表2に示す比較例1及び実施例1〜4の結果から、デポガスとして2,3,3,3−テトラフルオロプロペンを用いることで、比較例1のデポガス(具体的には、C4F8)を用いたときよりもデポガスの使用量を大幅に低減でき、温室効果ガスの排出量を大幅に削減できることが確認できた。
実施例1のエッチングレートが遅くなる理由としては、保護膜形成ステップが長いことが挙げられる。
また、表2に示す実施例1〜4の結果から、実施例2,3のエッチングレートは、実施例1,4のエッチングレートよりも1割程度速くなることが確認できた。
始めに、シリコンである単結晶シリコンウェハ(口径200mm、厚さ725μm)を準備した。次いで、フォトリソグラフィ技術により、該単結晶シリコンウェハの表面に、開口径が20μmとされた開口部を複数有するレジストマスクを形成することで、評価サンプルBを作製した。
次いで、ULVAC−PHI社製のQuanteraSXMを用いて、比較例2の貫通孔の側壁(具体的には、貫通孔の深さ方向の中心部に位置する側壁)に形成された保護膜のXPS(X−ray Photoelectron Spectroscopy)分析を行った。
始めに、比較例2で説明した手法により、評価サンプルBを作製した。次いで、図1に示すプラズマエッチング装置10のサセプタ12の基板載置面12aに、評価サンプルBを固定し、その後、チャンバ11内を真空状態とした。
次いで、ULVAC−PHI社製のQuanteraSXMを用いて、実施例5の貫通孔の側壁(具体的には、貫通孔の深さ方向の中心部に位置する側壁)に形成された保護膜のXPS(X−ray Photoelectron Spectroscopy)分析を行った。この結果を、表7に示す。
表7を参照するに、比較例2の保護膜は、F/Cの比率が2倍に近く、CF2の比率がCFの比率の約1.6倍、CF2の比率がCF3の比率の約2倍であることから、CF2を主体とするポリマーが形成されることが確認できた。
また、実施例5のCF2及びCF3の比率が、比較例2のCF2及びCF3の比率よりも低いことから、炭素炭素の3次元ネットワークが構成され、部分的にフッ素が炭素に結合した組成であることが推測された。
Claims (6)
- エッチングガスをプラズマ化して、シリコンをプラズマエッチングするエッチングステップと、
デポガスとして、2,3,3,3−テトラフルオロプロペンを用いることで、前記プラズマエッチングにより露出された前記シリコンの側壁を覆う保護膜を形成する側壁保護膜形成ステップと、
を交互に繰り返し行うことで、前記シリコンを加工することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記エッチングガスとして、SF6を含むガスを用いることを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング方法。
- 前記2,3,3,3−テトラフルオロプロペンの流量は、前記SF6の流量の0.2〜0.9倍の範囲内であることを特徴とする請求項2記載のプラズマエッチング方法。
- 前記2,3,3,3−テトラフルオロプロペンの流量は、前記SF6の流量の0.4〜0.6倍の範囲内であることを特徴とする請求項2または3記載のプラズマエッチング方法。
- 前記シリコンとして単結晶シリコン基板を用い、
前記単結晶シリコン基板を加工することで、MEMSを形成することを特徴とする請求項1ないし4のうち、いずれか1項記載のプラズマエッチング方法。 - 前記シリコンとして単結晶シリコン基板を用い、
前記単結晶シリコン基板を加工することで、該単結晶シリコン基板を貫通する貫通孔を形成することを特徴とする請求項1ないし4のうち、いずれか1項記載のプラズマエッチング方法。
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