CN102760673A - 基板处理装置及其异常显示方法、参数设定方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板处理装置及其异常显示方法、参数设定方法，该基板处理装置包括具有操作画面的操作部，该操作画面至少显示输送基板的基板输送机构或处理基板的基板处理机构的状态，上述操作部具有设定画面，该设定画面用于设定与转矩限制有关的信息，该与转矩限制有关的信息包含对上述基板输送机构有无转矩控制功能的信息、或使用转矩控制功能时的转矩控制值，上述设定画面能按作为控制对象的上述基板输送机构的每个轴设定与转矩限制有关的信息。利用本发明，能按驱动各输送机构的执行机构来指定设定安全范围的转矩限制值或有无转矩限制功能，还具有在执行机构停止时能够进行适当的警报显示的功能。

Description

基板处理装置及其异常显示方法、参数设定方法

本申请是申请号为“201010119670.7”，申请日为“2010年2月20日”，发明名称为“基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及对硅晶片等的基板进行薄膜的生成、氧化、杂质的扩散、退火处理、蚀刻等处理的基板处理装置，尤其涉及基板处理的工作控制中的基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法。

背景技术

基板处理装置具有为了进行基板处理而控制用于输送基板的输送机构的工作控制部。该工作控制部为了进行工作控制而对执行机构(actuator)实施工作命令，通过该执行机构在额定转矩的范围内执行工作命令来进行控制以使上述执行机构本身不发生故障，但即使在额定转矩范围内，对于上述基板处理装置所具有的各输送机构而言，也不能说是安全的。

各输送机构具有分别设定的安全范围的转矩值，通过用该值来进行控制，能够容易地对上述基板处理装置进行控制，即能够抑制在搬运材料时施加于材料的振动。

另一方面，若过于抑制振动则使输送速度降低，从而使生产能力降低。在过度提高输送速度的情况下，由于上述输送机构上安装有用于检测冲撞的传感器(振动传感器)，因此工作停止。

然而，在以往的基板处理装置中，停止的原因是由于转矩限制引起的、还是由于振动传感器导致的，无法分清其原因，因此不能发出针对其停止原因的适当的警报。

而且，即使在以往的基板处理装置中也能使用工作控制中采用的上述执行机构本身具有的转矩限制功能来进行转矩控制。但是，一旦设定则在任何工作中都会实施转矩控制，所以反而会发生因不必要的转矩控制而导致的工作停止。

以往，另外准备用于登记转矩限制值的调整用工具，与各执行机构连接来进行上述输送机构与接口的调整，但进行上述输送机构与上述接口的调整需要将上述调整用工具搬入客户的清洁间，也是不容易的。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而作出的，其提供一种基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法，在基板处理装置的工作控制中具有以下功能：能按用于驱动各输送机构的每一驱动执行机构来设定安全范围的转矩限制值或指定有无转矩限制功能，还具有在上述执行机构停止时能够进行适当的警报显示的功能。

本发明的基板处理装置，包括具有操作画面的操作部和控制部，该操作画面至少显示输送基板的基板输送机构、处理该基板的基板处理机构的状态，上述控制部包括控制上述基板输送机构的输送系统控制器，其特征在于，上述操作部具有设定画面，该设定画面用于设定检测上述基板输送机构、上述基板处理机构的状态的传感器的检测条件、和包括对上述基板输送机构有无转矩控制或转矩控制值的与转矩限制有关的信息，上述输送系统控制器根据来自上述操作部的指示对输送控制模块指定上述基板输送机构的工作，上述输送控制模块根据由上述操作部指定的指示和与转矩限制有关的信息控制上述基板输送机构。

本发明的基板处理装置中，在上述基板输送机构的转矩限制值异常或多个上述传感器中的振动传感器检测到异常而上述基板输送机构停止时，上述操作部将包括异常发生时的上述振动传感器的检测结果在内的上述基板输送机构的停止原因信息显示于上述操作画面。而且，该基板处理装置中，上述操作部将包括暂时保存的异常发生前的检测结果的上述基板输送机构的停止原因信息显示于上述操作画面。

本发明的异常显示方法，包括如下步骤：通过检测各基板输送机构的状态的传感器检测异常的步骤；在异常发生时，上述传感器将包括检测结果在内的上述基板输送机构的停止原因信息通知给操作部的步骤；使操作部在操作画面上显示所通知的上述基板输送机构的停止原因信息中所包含的停止原因的步骤。

根据本发明的基板处理装置，包括具有操作画面的操作部和控制部，该操作画面至少显示输送基板的基板输送机构或处理该基板的基板处理机构的状态，上述控制部包括控制上述基板输送机构的输送系统控制器，其特征在于，上述操作部具有设定画面，该设定画面用于设定检测上述基板输送机构或上述基板处理机构的状态的传感器的检测条件、和包括对上述基板输送机构有无转矩控制或转矩控制值的与转矩限制有关的信息，上述输送系统控制器根据来自上述操作部的指示对输送控制模块指定上述基板输送机构的工作，上述输送控制模块根据由上述操作部指定的指示和与转矩限制有关的信息控制上述基板输送机构，因此，不需要在设定与转矩相关的信息时在基板处理装置的设置场所设置调整用工具，各种基板输送机构的调整变得容易。而且，能够根据设定的转矩限制相关信息详细地控制各种基板输送机构。

根据本发明，在上述基板输送机构的转矩限制值异常或多个上述传感器中的振动传感器检测到异常而上述基板输送机构停止时，上述操作部将包括异常发生时的上述振动传感器的检测结果的上述基板输送机构的停止原因信息显示于上述操作画面，因此对发生异常的原因的调查变得容易。

而且，根据本发明，上述操作部将包括暂时保存的异常发生前的检测结果的上述基板输送机构的停止原因信息显示于上述操作画面，因此能够比较异常发生前和异常发生后的上述传感器的检测结果，发生异常的原因的调查变得更容易。

根据本发明的异常显示方法，包括如下步骤：利用检测各基板输送机构的状态的传感器来检测异常的步骤；在异常发生时，上述传感器将包括检测结果的上述基板输送机构的停止原因信息通知给操作部的步骤；使该操作部在操作画面上显示所通知的上述基板输送机构的停止原因信息中所包含的停止原因的步骤，因此，可实现如下的有益效果：不需要调查上述基板输送机构，就能够通过上述操作部确认由上述传感器检测到的异常原因，停止原因的判断变得容易，而且能够缩短掌握停止原因所需的时间。

附图说明

图1是表示本发明的基板处理装置的立体图。

图2是表示本发明的基板处理装置的侧剖视图。

图3是表示本发明的基板处理装置中的控制系统的框图。

图4是表示本发明的警报输出例子的概略图。

图5是表示本发明的参数编辑方法的流程图。

图6是表示按本发明的每个执行机构来选择有无转矩限制功能、并在检测出异常时显示警报信息的工作控制处理流程的流程图。

图7是表示本发明适用的基板处理系统的框图。

图8是本发明的转矩控制的设定画面，图8(A)表示设定有无转矩控制的画面，图8(B)表示设定转矩限制值的画面。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施例。

首先，根据图1和图2来说明用于实施本发明的基板处理装置。

作为基板处理装置的一例，图1、图2示出了立式基板处理装置。在该基板处理装置中所处理的基板的一例，例示出由硅等构成的晶片。

基板处理装置1具有壳体2，在该壳体2的正面壁3的下部开设有作为设置成可进行维护的开口部的正面维护口4，由正面维护门5对该正面维护口4进行开闭。

在上述壳体2的上述正面壁3上以将上述壳体2的内外连通的方式开设有晶片盒(pod)搬入搬出口6，上述晶片盒搬入搬出口6通过前闸门(搬入搬出口开闭机构)7进行开闭，在上述晶片盒搬入搬出口6的正面前方一侧设置有加载端口(基板输送容器交接台)8，该加载端口8被构成为使所装载的晶片盒9对位。

该晶片盒9是密闭式基板输送容器，由未图示的工序内输送装置搬入到上述加载端口8上，或者由未图示的工序内输送装置从上述加载端口8搬出。

在上述壳体2内的前后方向的大致中央部的上部设置有可绕CR轴方向旋转的旋转式晶片盒架(基板输送容器保存架)11，该旋转式晶片盒架11被构成为使其保存(容纳)多个晶片盒9。

上述旋转式晶片盒架11包括垂直设立且间歇旋转的支柱12、和在上中下层(段)的各位置处呈放射状地被该支柱12支承的多层架板(基板输送容器载置架)13，该架板13构成为以载置多个上述晶片盒9的状态保存该多个晶片盒9。

在上述旋转式晶片盒架11的下方设有晶片盒打开件(基板输送容器盖体开闭机构)14，该晶片盒打开件14具有载置上述晶片盒9，且可将该晶片盒9的盖开闭的结构。

在上述加载端口8与上述旋转式晶片盒架11、上述晶片盒打开件14之间设置有晶片盒输送装置(容器输送装置)15，该晶片盒输送装置15能够保持上述晶片盒9而沿CZ轴向升降、沿CX轴向进退、沿CS轴向横向移动，构成为在上述加载端口8、上述旋转式晶片盒架11、上述晶片盒打开件1之间输送上述晶片盒9。

在上述壳体2内的前后方向的大致中央部的下部，副壳体16设置成延及到后端。该副壳体16的正面壁17上设有沿垂直方向上下两层并列的一对晶片搬入搬出口(基板搬入搬出口)19，该晶片搬入搬出口19用于将晶片(基板)18搬入上述副壳体16内或将该副壳体16搬出，对上下层的晶片搬入搬出口19、19分别设置上述晶片盒打开件14。

该晶片盒打开件14包括用于载置上述晶片盒9的载置台21和用于将上述晶片盒9的盖开闭的开闭机构22。上述晶片盒打开件14构成为通过利用上述开闭机构22将载置于上述载置台21上的上述晶片盒9的盖打开而开闭上述晶片盒9的晶片出入口。

上述副壳体16构成与配设有上述晶片盒输送装置15、上述旋转式晶片盒架11的空间(晶片盒输送空间)气密的移载室23。该移载室23的前侧区域设有晶片输送机构(基板输送机构)24，该晶片输送机构24具有用于载置晶片18的预定张数(图示中为5张)的晶片载置板25，该晶片载置板25可沿水平方向直进移动(X轴)，可绕水平方向旋转(Y轴)，还可进行升降(Z轴)。该晶片输送机构24构成为相对于舟皿(基板保持件)26装卸及取出晶片18。

在保持晶片18的上述晶片载置板25从预定场所取出晶片18而将其放置于预定场所时，对上述晶片输送机构24设定X轴、Y轴、Z轴和V轴这四个参数，该X轴作为调整上述晶片载置板25的进入方向的动作的轴，该Y轴作为调整上述晶片载置板25将晶片18移载到上述舟皿26时的进入角度的轴，上述Z轴作为调整上述晶片载置板25将晶片18移载到上述舟皿26时的进入高度的轴，上述V轴用于进行Z轴的微调来调整将晶片18插入上述舟皿26的插入间隔。

在上述移载室23的后侧区域构成有收容上述舟皿26并使其待机的待机部27，在该待机部27的上方设有立式处理炉28。该处理炉28的内部形成处理室29，该处理室29的下端部成为炉口部，该炉口部由炉口闸门(炉口开闭机构)31而开闭。

在上述壳体2的右侧端部与上述副壳体16的上述待机部27的右侧端部，设置有用于使上述舟皿26升降的舟皿升降机(基板保持件升降装置)32。在与该舟皿升降机32的升降台连接的臂33上水平地安装有作为盖体的密封盖34，该密封盖34垂直地支承上述舟皿26，可在将该舟皿26装入上述处理室29的状态下将上述炉口部气密地封闭。

上述舟皿26构成为将多张(例如50张～125张左右)晶片18在其中心对齐并呈水平状多层地保持这些晶片18的状态。

在与上述舟皿升降机32一侧相对的位置配设有清洁单元35，该清洁单元35由供给风扇和防尘过滤器构成，用于供给作为清洁的环境或惰性气体的清洁气体36。在上述晶片输送机构24和上述清洁单元35之间设有作为用于使晶片18的圆周方向位置对位的基板对位装置的槽口对位装置(未图示)。

从上述清洁单元35吹出的上述清洁气体36流通到上述槽口对位装置(未图示)、上述晶片输送机构24及上述舟皿26后，被未图示的管道吸入而排出到上述壳体2的外部，或被上述清洁单元35吹到上述移载室23内。

接着说明上述基板处理装置1的工作。

上述晶片盒9被供给到上述加载端口8时，由上述前闸门7将上述晶片盒搬入搬出口6打开。上述加载端口8上的上述晶片盒9由上述晶片盒输送装置15穿过上述晶片盒搬入搬出口6而搬入到上述壳体2的内部，并载置到上述旋转式晶片盒架11所指定的上述架板13上。上述晶片盒9被暂时保管到上述旋转式晶片盒架11上后，由上述晶片盒输送装置15将其从上述架板13输送到任一晶片盒打开件14而移载到上述载置台21上，或从上述加载端口8直接移载到上述载置台21上。

此时，由上述开闭机构22关闭上述晶片搬入搬出口19，在上述移载室23中流通并充满着上述清洁气体36。例如通过在上述移载室23中充满着作为上述清洁气体36的氮气，从而当氧浓度为20ppm以下时，被设定为远低于上述壳体2的内部(大气环境)的氧浓度。

载置于上述载置台21上的上述晶片盒9的开口侧端面被上述副壳体16的上述正面壁17处的上述晶片搬入搬出口19的开口缘边部推压，并且利用上述开闭机构22卸下盖，从而晶片出入口被打开。

当上述晶片盒9被上述晶片盒打开件14打开时，晶片18由上述晶片输送机构24从上述晶片盒9取出而移送至上述槽口对位装置(未图示)，由该槽口对位装置将晶片18对位后，上述晶片输送机构24将晶片18搬入位于上述移载室23后方的上述待机部27，并装填(charging)于上述舟皿26中。

将晶片18交接到该舟皿26的上述晶片输送机构24返回上述晶片盒9，将下一晶片18装填于上述舟皿26中。

在一个(上层或下层)晶片盒打开件14的上述晶片输送机构24将晶片18装填于上述舟皿26的装填作业中，在另一(下层或上层)晶片盒打开件14中，由上述晶片盒输送装置15从上述旋转式晶片盒架11输送并移载另一晶片盒9，上述另一个晶片盒打开件14对晶片盒9的打开作业同时进行。

在将预先指定张数的晶片18装填到上述舟皿26后，由上述炉口闸门31关闭的上述处理炉28的炉口部被上述炉口闸门31打开。接着，利用上述舟皿升降机32使上述舟皿26上升，搬入(载入)到上述处理室29。

载入后，由上述密封盖34将炉口部气密地封闭。

利用排气机构(未图示)对上述处理室29进行真空排气，以使其成为所期望的压力(真空度)。另外，利用加热器驱动部(未图示)将上述处理室29加热到预定温度，以使其成为所期望的温度分布。

通过气体供给机构(未图示)供给被控制成预定流量的处理气体，在该处理气体流过上述处理室29的过程中与晶片18的表面接触，此时，利用CVD反应在晶片18的表面形成薄膜。而且，反应后的处理气体借助上述排气机构从上述处理室29排出。

当经过了预先设定的处理时间后，由上述气体供给机构从惰性气体供给源(未图示)供给惰性气体，将上述处理室29中气体置换为上述惰性气体，并将上述处理室29的压力回复为常压。

利用上述舟皿升降机32隔着上述密封盖34使上述舟皿26下降。

关于处理后的晶片18的搬出，与上述说明的顺序相反，将晶片18和晶片盒9取出到上述壳体2的外部。进而，未处理的晶片18被装填到上述舟皿26，反复进行晶片18的批处理。

参照图3说明如下机构的工作，即：在上述加载端口8、上述旋转式晶片盒架11、上述晶片盒打开件14之间输送收容了上述多个晶片18的晶片盒9的输送机构、将上述晶片盒9内的晶片18输送到舟皿26或将上述舟皿26输送到上述处理炉28的输送机构、对上述处理炉28供给处理气体等的气体供给机构、对上述处理炉28内进行排气的排气机构、将上述处理炉28加热到预定温度的加热器驱动部、以及分别控制各个上述输送机构、上述气体供给机构、上述排气机构、上述加热器驱动部的控制装置37。由上述气体供给机构、上述排气机构、上述处理炉28、上述加热器驱动部构成基板处理机构。

图3中，38表示作为工艺系统控制器的工艺控制部，39表示作为输送系统控制器的输送控制部，41表示主控制部，上述工艺控制部38具有存储部42，该存储部42中保存有为了执行工艺所必须的工艺执行程序，上述输送控制部39具有存储部43，该存储部43中保存有用于执行晶片18的输送处理的输送程序、用于控制上述晶片盒输送装置15、上述晶片输送机构24和上述舟皿升降机32这三个输送机构工作的工作控制程序，上述主控制部41具有数据保存单元44，该数据保存单元44例如由HDD等外部存储装置构成。上述工艺执行程序、上述输送程序、上述工作控制程序可以保存在上述数据保存单元44中。

45、46、47例示出副控制器，例如，45表示用于进行上述处理炉28的加热控制的第一副控制器，46表示用于控制阀的开闭、流量控制器等的动作来控制对上述处理炉28的处理气体的供给流量的第二副控制器，47表示控制从上述处理炉28排气或控制上述处理炉28压力的第三副控制器。48、49、51分别例示执行机构(actuator)，例如，48表示由上述第一副控制器45控制的加热器(以下称为第一工艺执行机构)，49表示由上述第二副控制器46控制的流量控制器(以下称为第二工艺执行机构)，51表示由上述第三副控制器47控制的压力控制阀(以下称为第三工艺执行机构)。各工艺执行机构在图中仅图示1个，但也可以设置多个。

52、53、54例示检测上述执行机构的状态并将检测结果反馈到上述第一副控制器45、上述第二副控制器46、上述第三副控制器47的传感器，例如，52表示温度检测器(以下称为第一工艺传感器)，53表示流量检测器(以下称为第二工艺传感器)，54表示压力检测器(以下称为第三工艺传感器)。用于检测各执行机构的状态的检测器或传感器类在图示中仅示出1个，但也可以设置多个。而且，也可以对各执行机构设置检测器和传感器这两种。

上述输送控制部39控制各种输送控制模块，该各种输送控制模块由后述的控制执行机构的第一工作控制部55、第二工作控制部56、第三工作控制部57构成。

58表示在CX轴上驱动上述晶片盒输送装置15的电动机(以下称为第一工作执行机构)，59表示在CZ轴上驱动上述晶片盒输送装置15的电动机(以下称为第一工作执行机构)，60表示在CS轴上驱动上述晶片盒输送装置15的电动机(以下称为第一工作执行机构)。61表示在X轴上驱动上述晶片输送机构24的电动机(以下称为第二工作执行机构)，62表示在Y轴上驱动上述晶片输送机构24的电动机(以下称为第二工作执行机构)，63表示在Z轴上驱动上述晶片输送机构24的电动机(以下称为第二工作执行机构)，64表示驱动上述舟皿升降机32的电动机(以下称为第三工作执行机构)。

各工作执行机构上设有由用于检测振动、速度、是否位于限制地点等的状态的多个传感器构成的、对各轴检测状态的状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71。该状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71具有检测各工作执行机构的状态、并将检测结果反馈到上述第一工作控制部55、上述第二工作控制部56、上述第三工作控制部57的功能。上述第一工作控制部55、上述第二工作控制部56、上述第三工作控制部57具有存储器，可暂时保存所反馈的数据(检测结果)。在图中，各工作执行机构58、59、60、61、62、63、64分别设有一个状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71，但不限于该实施方式。不言而喻，也可以对各工作执行机构设置多个状态检测传感器。

上述第一工作控制部55对将上述晶片盒9从上述加载端口8移载到上述载置台21上的上述晶片盒输送装置15进行驱动控制，上述第二工作控制部56对从上述晶片盒9取出晶片18并将其装填于上述舟皿26的上述晶片输送机构24进行驱动控制，上述第三工作控制部57对将装填了晶片18的上述舟皿26搬入到上述处理炉28中的上述舟皿升降机32进行驱动控制。

72表示键盘、鼠标、操作面板等输入设备，73表示作为操作画面的监控器(monitor)，80表示使用上述输入设备72从上述监控器73输入各种指示的操作部。

从上述工艺控制部38将设定值的指示或依照处理顺序的指令信号输入到上述第一副控制器45、上述第二副控制器46、上述第三副控制器47，上述工艺控制部38根据上述第一工艺传感器52、上述第二工艺传感器53和上述第三工艺传感器54所检测到的检测结果，集中控制上述第一副控制器45、上述第二副控制器46、上述第三副控制器47。

上述工艺控制部38基于经上述主控制部41的来自上述操作部80的指令而执行基板处理。上述程序控制部38按照保存于上述存储部42的程序，相对于其他控制系统独立地执行基板处理。因此，即使上述输送控制部39、上述主控制部41出现问题，也会不中断地完成基板处理。

各工作执行机构58、59、60、61、62、63、64中预先设定了是否分别进行转矩控制，除此之外还经上述输送控制部39从上述操作部80向上述主动控制部41输入了目标位置、速度、加速度、减速度、转矩限制值等参数、或从上述输送控制部39输入了依照处理顺序的指令信号。

各工作控制部控制与各状态检测传感器对应的各工作执行机构，如，上述第一工作控制部55基于上述状态检测传感器65、66、67检测到的检测结果来控制上述工作执行机构58、59、60，上述第二工作控制部56基于上述状态检测传感器68、69、70检测到的检测结果来控制上述工作执行机构61、62、63，上述第三工作控制部57基于上述状态检测传感器71检测到的检测结果来控制上述工作执行机构64等。

上述输送控制部39按照来自上述操作部80的指示执行输送处理，上述输送控制部39按照保存于上述存储部43中的输送程序及工作控制程序，相对于其他控制系统独立地输送上述晶片盒9、晶片18。因此，即使上述工艺控制部38、上述主控制部41中出现问题，也会不中断而完成晶片18的输送。

上述数据保存单元44将用于集中进行基板处理的程序、用于设定处理内容、处理条件的设定程序、保存了上述处理炉28的加热、处理气体的供给及排气等设定信息的用于基板处理的制程、通信程序、警报信息显示程序、参数编辑程序等各种程序作为文件而保存。

上述通信程序经LAN等通信单元与上述工艺控制部38、上述输送控制部39进行数据的收发。上述警报信息显示程序在上述状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71检测出异常时，将上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64的异常原因、例如停止的原因的警报信息显示于上述监控器73，上述参数编辑程序进行为了驱动控制上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64或设定因转矩限制值引起的上述输送机构的停止条件等而必要的参数的编辑。

上述数据保存单元44具有数据保存区域，该数据保存区域保存输送晶片18所需要的参数，还周期性地保存预先设定于上述输送机构的设定信息、由上述状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71检测出的检测结果和处理状态等的信息。该周期根据上述输送控制部39、上述工艺控制部38的数据处理负载而预先设定。

通常，设定为比各上述状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71所检测的周期长。

上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64中被输入是否存在该工作执行机构58、59、60、61、62、63、64本身具有的转矩控制来作为预先设定信息。

在进行晶片18的输送处理时，除了预先设定的转矩控制的有无之外，还从上述操作部80输入目标位置、速度、加速度、减速度、进行转矩控制的方向、进行转矩控制时的转矩限制值等的设定值，输入输送处理的执行指示，从而按照保存于上述存储部43的输送程序以及来自输送程序的指示而执行工作控制程序。

执行上述输送程序时，上述输送控制部39经上述第一工作控制部55、上述第二工作控制部56、上述第三工作控制部57而驱动控制上述晶片盒输送装置15、上述晶片输送机构24、上述舟皿升降机32这样的各输送机构。

在进行预先设定于上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64的转矩控制时，将从上述操作部80输入的设定值作为限制值，在分别设于上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64的上述状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71中的至少一个检测到超过了上述限制值的值时，驱动所对应的上述输送机构的上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64停止。

该工作执行机构58、59、60、61、62、63、64中的至少一个停止时，将所对应的工作执行机构的停止原因(状态检测传感器的检测结果)作为警报信号通知上述主控制部41。此时，通知与停止的工作执行机构对应的工作控制部中暂时保存的数据(状态检测传感器的检测结果)中的至少包含停止时的数据的警报信号。通过通知警报信号，警报信息显示程序启动，在上述监控器73上显示警报信息。此时，警报信息由至少一个的警报信号构成。

上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64中的至少一个停止、警报信号被通知给上述主控制部41后，对上述输送控制部39发出晶片18的输送处理中断的命令，未停止的工作执行机构全部停止，从而晶片18的输送处理中断，处理结束。

图4的(A)～(C)是显示于上述监控器73的警报信息的一例，在上述监控器73上显示上述第二工作执行结构61的参数(设定值)、以及由上述状态检测传感器68检测到的停止原因。

图4中，74表示参数显示窗口，75表示警报信息显示窗口。

上述状态检测传感器68检测出异常而上述第二工作执行机构61停止时，将上述状态检测传感器68检测到的停止原因作为警报信息输出，上述主控制部41经上述输送控制部39而接收到上述警报信号，从而启动上述警报信息显示程序。

在上述警报信息显示窗口75显示11个项目的停止原因，可根据上述状态检测传感器68检测到的停止原因，点亮与11个项目中对应的项目。上述11个项目的停止原因如下所示。

76表示显示上述晶片载置板25是否位于X轴上的上述舟皿26方向的边界地点的正限位信号(+LIMIT)。

77表示显示上述晶片载置板25是否位于X轴上的上述晶片盒9方向的边界地点的负限位信号(-LIMIT)。

78表示显示振动检测传感器的振动检测的振动传感器信号(VIB、SNS)，79表示显示是否有非常停止信号输入的非常停止信号(ESTP)。

81表示显示是制动中还是解除制动中的制动器工作信号(BRK_ON)。

82表示显示是否位于设定于正限位附近侧的逻辑位置的正软限位信号(+S.LIMIT)。

83表示显示是否位于设定于负限位附近侧的逻辑位置的负软限位信号(-S.LIMIT)。

84表示显示是否在由上述操作部80输入的转矩限制值以内进行工作的转矩限制实施信号(T_LIM)。

85表示显示是否在由上述操作部80输入的指定速度以内进行工作的速度限制实施信号(V_LIM)。

86表示显示与由上述操作部80输入的指定速度是否一致的速度一致信号(V_CMP)。

87表示显示零速度检测状态的零速度检测信号(ZSPD)。

图4的(A)的上述信报信息显示窗口75中，仅上述+LIMIT76亮灯，这表示上述晶片载置板25在上述舟皿26方向上越线了。

图4的(B)的上述信报信息显示窗口75中，上述+LIMIT76和上述VIB.SNS78亮灯，这表示由振动检测传感器检测到晶片18的输送速度过快引起的振动、或上述晶片载置板25冲撞某处而引起的振动，由此导致了停止。

图4的(C)的上述信报信息显示窗口75中，上述+L1MIT76和上述T_LIM84亮灯，这表示上述晶片输送机构24在超过了由上述操作部80输入的转矩限制值的范围而进行工作，由此导致了停止。

在图4的(B)、图4的(C)中，上述+LIMIT76均亮灯，这是因为在上述状态检测传感器68检测到异常时，最快停止上述晶片输送机构24的缘故。

接着，在图5中，利用流程图说明晶片18的输送处理的前阶段的从上述操作部80进行参数设定的流程。

由上述操作部80执行输送结构的参数编辑，从而启动保存于上述数据保存单元44的参数编辑程序，在上述监控器73显示参数编辑画面。

STEP：01通过上述输入设备72，从上述监控器73选择轴系参数编辑，切换到参数编辑菜单画面。

STEP：02从该参数编辑菜单画面选择工作参数编辑，切换到输送结构选择画面。

STEP：03从上述参数编辑菜单画面选择工作参数编辑，从而在上述监控器73显示上述晶片盒输送装置15、上述晶片输送机构24、上述舟皿升降机32这三个输送机构的图像，并在该图像中显示沿预定方向驱动各输送机构的上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64，例如若是上述晶片盒输送装置15，则在上述图像中显示CX轴、CZ轴等的工作轴，若是上述晶片输送机构24，则在上述图像中显示X轴、Y轴等的工作轴，从该图像可选择进行参数编辑的输送机构的对象轴。以下，作为一例子，选择上述晶片输送机构24的X轴。

STEP：04在上述监控器73上显示控制用于沿所选择的X轴驱动上述晶片输送机构24的上述第二工作执行机构61，并作为文件保存于上述存储部43的参数编辑用的文件名，从所显示的文件选择要进行编辑的文件。

STEP：05当打开所选择的文件，并显示于上述监控器73上时，对要控制的上述第二工作执行机构61的X轴，选择编辑转矩控制的项目。

STEP：06选择了编辑转矩控制的项目后，对上述第二工作执行机构61，从0：无功能；1：+方向移动时存在限制；2：-方向移动时存在显示；3：±方向移动时存在限制这四个选项中选择一个。或者，输入0～3的数值。

STEP：07当从上述四个选项中选择一个时，则对上述第二工作执行机构61编辑目标位置、驱动输送机构的速度、加速度、减速度、转矩限制值等参数(参照图8)，完成输送处理前阶段的参数设定。

图8所示的是对各工作执行机构设定有无转矩控制、有无振动传感器检测功能等的设定画面，图8(A)是设定使转矩控制有效或无效的项目等的转矩控制设定画面91的一例，图8(B)是设定转矩控制值等的转矩控制值设定画面92的一例。图8中用不同的画面设定有无转矩控制和设定转矩控制值，当然也可以用一个画面进行这些设定。

进行转矩控制的设定时，首先，从显示于上述转矩控制设定画面91的设定项目中选择转矩限制功能的有无93，在设定值中输入0～3的数值或选择指定0～3的数字。在使转矩限制无效时，即成为无转矩限制功能时设定0，在使转矩限制有效时，设定1～3中任一数值。

完成了转矩限制功能的有无的设定后，将画面切换到上述转矩控制值设定画面92，从该转矩控制值设定画面92所显示的项目中选择与在上述转矩控制设定画面91的设定相对应的项目，即选择了1时选择正转转矩限制值94，设定了2时选择上述正转转矩限制值94和上述反转转矩限制值95这两个。将转矩限制值的项目分为两个是为了对正负(±)方向的各转矩分别加以限制。

上述晶片载置板25可沿X轴方向直进移动，可绕Y轴方向旋转，还可沿Z轴方向升降，其中，X轴为调整使晶片载置板25沿水平方向直进移动这样朝向的工作。以下，说明进行了X轴转矩限制的情况。

例如，在晶片无装填时的工作，取下保持于上述舟皿26的晶片18时的速度和在将晶片18保持于上述晶片载置板25上的状态下将晶片18从上述舟皿26取出时的速度设定为不同。因此，优选对转矩限制值也设定为不同。或者，可设定为在未保持晶片18的状态下的工作时转矩限制有效、在保持着晶片18的状态下的工作时转矩限制无效等，这样即使是同轴也因工作朝向而使转矩限制的设定不同。

上述设定也可对Y轴、Z轴同样进行。可对各轴进行极其细致的设定，从而能够抑制由转矩引起的不需要的出错。

接着，使用图6说明对上述第二工作执行机构61的X轴参数设定后的输送处理的流程。

STEP：11参数设定后，从上述操作部80输入输送处理执行的工作指示，保存于上述存储部43的输送程序启动，按照该输送程序的指示，执行用于对驱动上述晶片输送机构24的上述第二工作执行机构61进行控制的工作控制程序，从而开始输送处理。

STEP：12上述第二工作控制部56按照工作控制程序叛变用于驱动上述晶片输送机构24的上述第二工作执行机构61的X轴是否是转矩控制有效的轴。

STEP：13上述第二工作控制部56对上述第二工作执行机构61进行X轴方向的工作指示。此时，即使是对上述第二工作执行机构61施加了高负荷的情况下，根据设定的参数按照输送程序的指示继续执行处理。

STEP：14上述第二工作控制部56以按照参数设定时设定的转矩限制值进行驱动的方式对上述第二工作执行机构61进行X轴方向的工作指示。

STEP：15工作处理中，该第二工作执行机构61对作为上述停止原因的11个项目，利用上述状态检测传感器68始终监视有无异常，该状态检测传感器68判别是否发生了异常。

STEP：16设于上述第二工作执行机构61的上述状态检测传感器68在检测到某些异常时，从该状态检测传感器68输出警报信号。

STEP：17从该状态检测传感器68输出的警报信号经控制上述第二工作执行机构61的上述第二工作控制部56被通知给上述输送控制部39，从而该输送控制部39接收上述警报信号而中断检测到异常的上述第二工作执行机构61的工作控制处理，上述晶片输送机构24停止。在检测到异常时，有时不仅包括警报信号(异常时的检测结果)，还包括暂时保存于上述第二工作控制部56中的检测结果也作为警报信号通知。

STEP：18由该状态检测传感器68输出的警报信号经上述第二控制部56、上述输送控制部39被通知给上述主控制部41，该主控制部41与上述警报信号的接收联动而启动保存于上述数据保存单元44中的上述警报信息显示程序，该警报信息显示程序在上述监控器73上显示上述状态检测传感器68检测到的停止原因的内容(参照图4)。

STEP：19上述输送控制部39随着工作控制处理的中断而中断输送处理，结束输送处理。在参数设定时，使转矩控制无效，或使转矩控制有效，但在上述状态检测传感器68未检测到异常时，上述第二工作执行机构61按照输送程序的指示，由上述第二工作控制部56控制，结束工作控制处理，完成输送处理。

STEP：04～STEP：07、STEP：11～STEP：19中，对上述第二工作执行机构61的X轴的参数设定进行了说明，不言而喻，对其他工作执行机构、其他工作轴的参数设定也可以与上述第二工作执行机构61的X轴的参数设定相同地设定。

如上所述，本发明对用于使上述晶片盒输送装置15、上述晶片输送机构24和上述舟皿升降机32的各输送机构沿预定轴向驱动的上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64可分别选择有无转矩限制功能，从而能够防止因不需要的转矩控制导致的工作控制处理的停止。

在通过由上述状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71检测到异常而使上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64的工作控制处理中断，上述各输送机构停止的情况下，由设于上述各工作执行机构58、59、60、61、62、63、64的多个传感器构成的上述状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71检测出详细的停止原因，并将检测出的停止原因反馈到上述主控制部41，从而即使在输送控制部39从各工作控制部55、56、57收集的数据收集周期与各工作控制部55、56、57从各状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71接收的周期不同的情况下，也能将详细且适当的警报信息显示于上述监控器73。对各工作控制部55、56、57设置存储器，并暂时保存来自与各工作执行机构58、59、60、61、62、63、64对应的各状态检测传感器65、66、67、68、69、70、71的检测结果，从而包括这些所保存的检测结果在内，都作为警报信息予以通知，从而更加有利于调查异常原因。

由上述基板处理装置1的上述操作部80进行参数设定，从而不需要为了调整上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64而在客户的清洁室设置调整工具，而且参数的调整也变得容易，从而能够大幅度减少对上述工作执行机构58、59、60、61、62、63、64的转矩控制的有无、转矩控制值的设定及变更的劳动力。

如图7所示，通过上述LAN等通信单元将上述基板处理装置1的控制装置37与作为管理装置90的主计算机连接，从而能够远程操作上述基板处理装置1。也就是说，在本实施例中，使与基板处理装置1的主控制部41连接的监控器73进行显示从而进行各种输送机构的设定，但只要使管理装置90具有这种功能，就可应用本发明。而且，通过将多个上述基板处理装置1连接到上述主计算机，能比较该基板处理装置1之间的参数，容易进行参数管理。

使用本发明的基板处理装置的成膜处理包括例如CVD、PVD、形成氧化膜、氮化膜的处理、形成包含金属的膜的处理等。

本发明的基板处理装置不仅适用于半导体制造装置，也能适用于对LCD装置那样的玻璃基板进行处理的装置，不仅适用于立式基板处理装置，也适用于片式的基板处理装置、具有卧式处理炉的基板处理装置。而且，不言而喻，对于曝光装置、光刻装置、涂覆装置等其他基板处理装置也能同样适用。

(附记)

本发明还包括以下实施方式。

(附记1)一种基板处理装置，包括具有操作画面的操作部、控制部，该操作画面至少显示输送基板的基板输送机构、处理该基板的基板处理机构的状态，上述控制部包括控制上述基板输送机构的输送系统控制器，其特征在于，上述操作部具有设定画面，该设定画面对用于检测上述基板输送机构或上述基板处理机构的状态的传感器的检测条件、和包括对上述基板输送机构有无转矩控制或转矩控制值的与转矩限制有关的信息进行设定，当该设定画面的设定结束时，上述输送系统控制器基于来自上述操作部的指示对输送控制模块指定上述基板输送机构的工作，上述输送控制模块根据由上述操作部指定的指示和与转矩限制有关的信息来控制上述基板输送机构。

(附记2)在附记1所述的基板处理装置中，上述设定画面可对作为控制对象的上述基板输送机构的每个轴设定与转矩限制有关的信息。

(附记3)在附记1所述的基板处理装置中，上述输送控制模块将作为控制对象的上述基板输送机构所具有的各种传感器的检测结果报告给上述输送系统控制器。

(附记4)一种基板处理装置的制造方法，包括如下工序：由操作画面进行包含规定制程、参数的文件的编辑及执行；与控制部连接的输送系统控制器基于由上述操作画面编辑、执行的上述文件对输送控制模块进行工作指示；该输送控制模块根据来自上述输送系统控制器的工作指示和预先通知的设定信息来控制基板输送机构；被控制的该基板输送机构进行输送基板。

(附记5)一种基板处理系统，包括基板处理装置和可通信地连接该基板处理装置的管理装置，该基板处理装置包括具有操作画面的操作部和、具有按照来自上述操作画面的指示控制输送基板的输送系统控制器的控制部，该操作画面显示用于设定至少包括转矩控制的有无或转矩控制值的与转矩限制有关的信息的画面、用于显示各种基板输送机构、各种基板处理机构的状态的画面，该管理装置能够经通信单元进行上述基板处理装置的远程操作。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，包括具有操作画面的操作部，该操作画面至少显示输送基板的基板输送机构或处理基板的基板处理机构的状态，

上述操作部具有设定画面，该设定画面用于设定与转矩限制有关的信息，该与转矩限制有关的信息包含对上述基板输送机构有无转矩控制功能的信息、或使用转矩控制功能时的转矩控制值，

上述设定画面能按作为控制对象的上述基板输送机构的每个轴设定与转矩限制有关的信息。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

还包括控制部，该控制部包含控制上述基板输送机构的输送系统控制器，

上述输送系统控制器根据来自上述操作部的指示对输送控制模块指定上述基板输送机构的工作，上述输送控制模块根据由上述操作部指定的指示和与转矩限制有关的信息来控制上述基板输送机构。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

当上述基板输送机构已停止时，上述操作部将表示状态检测传感器的检测结果的信号在上述操作画面上进行点亮显示，其中上述状态检测传感器检测上述基板输送机构或上述基板处理机构的状态。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

当多个上述状态检测传感器中的振动传感器检测到异常而上述基板输送机构已停止时，上述操作部将表示异常发生时的上述振动传感器的检测结果的信号在上述操作画面上进行点亮显示。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

当多个上述状态检测传感器中的检测上述基板输出机构的转矩限制异常的传感器检测到异常而上述基板输送机构已停止时，上述操作部在上述操作画面上点亮显示被通知给上述操作部的、表示检测到上述基板输送机构的转矩限制异常状态检测传感器的检测结果的信号。

6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于，

上述表示状态检测结果的信号至少包含转矩限制实施信号或振动传感器信号。

7.一种基板处理系统，具有能连接在权利要求1-6中任一项的基板处理装置上的管理装置，并且上述管理装置能够利用通信装置进行远程操作。

8.一种基板处理装置的异常显示方法，其特征在于，包括：

利用检测各基板输送机构的状态的状态检测传感器来检测异常的步骤；

当异常发生时上述状态检测传感器将包含检测结果在内的上述基板输送机构的停止原因信息通知操作部的步骤；以及

在操作画面上点亮显示被通知给上述操作部的、表示上述基板输送机构的停止原因信息中所包含的停止原因的信号的步骤。

9.一种基板处理装置的异常显示方法，其特征在于，包括：

利用检测各基板输送机构的状态的状态检测传感器来检测异常的步骤；

将检测到上述基板输送机构的转矩限制异常或振动传感器导致的异常的状态检测传感器的检测结果通知操作部的步骤；以及

在操作画面上点亮显示被通知给上述操作部的、表示上述状态检测传感器的检测结果的信号的步骤。

10.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

利用检测各基板输送机构的状态的状态检测传感器来检测异常的模块；

当异常发生时上述状态检测传感器将包含检测结果在内的上述基板输送机构的停止原因信息通知操作部的模块；以及

在操作画面上点亮显示被通知给上述操作部的、表示上述基板输送机构的停止原因信息中所包含的停止原因的信号的模块。

11.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

利用检测各基板输送机构的状态的状态检测传感器来检测异常的模块；

将检测到上述基板输送机构的转矩限制异常或振动传感器导致的异常的状态检测传感器的检测结果通知操作部的模块；以及

在操作画面上点亮显示被通知给上述操作部的、表示上述状态检测传感器的检测结果的信号的模块。

12.一种基板处理装置的参数设定方法，该基板处理装置具有操作部，该操作部显示设定各参数的设定画面以在操作画面上进行编辑操作，其中，该参数设定方法包括以下步骤：

在上述操作画面上从参数编辑画面选择轴系参数编辑而显示参数编辑菜单画面的步骤；

从上述参数编辑菜单画面选择工作参数编辑来显示输送机构选择画面的步骤；

选择上述输送机构和上述输送机构的对象轴而显示参数编辑文件的步骤；以及

选择上述参数编辑文件中的编辑对象的文件，至少设定上述转矩限制功能或振动传感器检测功能的有无的步骤。

13.一种基板处理装置，其具有操作部，该操作部显示设定各参数的设定画面以在操作画面上进行编辑操作，其中，

上述操作部包括：

在上述操作画面上从参数编辑画面选择轴系参数编辑而显示参数编辑菜单画面的模块；

从上述参数编辑菜单画面选择工作参数编辑来显示输送机构选择画面的模块；

选择上述输送机构和上述输送机构的对象轴而显示参数编辑文件的模块；以及

选择上述参数编辑文件中的编辑对象的文件，至少设定上述转矩限制功能或振动传感器检测功能的有无的模块。

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