JP5711930B2 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5711930B2 JP5711930B2 JP2010227766A JP2010227766A JP5711930B2 JP 5711930 B2 JP5711930 B2 JP 5711930B2 JP 2010227766 A JP2010227766 A JP 2010227766A JP 2010227766 A JP2010227766 A JP 2010227766A JP 5711930 B2 JP5711930 B2 JP 5711930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- motor
- torque
- boat
- lid
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 311
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 117
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 46
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 120
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 15
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000033748 Device issues Diseases 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
以下に、本発明の第1の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照して説明する。
まず、半導体装置の製造工程の一工程としての基板処理工程を実施する基板処理装置101の構成例について説明する。図1は、本実施形態にかかる基板処理装置101の要部を示した概略構成図であり、図2は、本実施形態にかかる基板処理装置101の斜透視図である。図3は、基板処理装置101の処理炉201の詳細を示した縦断面図である。
リング221は、例えばOリングで構成されている。さらにシールキャップ219の上面は、基板としてのウエハ10を水平に保持した状態で多段に載置するボート11が載置できるように構成されている。
10を保管するように構成されている。
次に、本実施形態にかかる基板処理装置101の動作について説明する。
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置の処理炉201の構成について説明する。図3は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉の縦断面図である。なお、本実施形態にかかる処理炉201は、図3に示されているようにCVD装置(バッチ式縦形ホットウォール型減圧CVD装置)として構成されている。
処理炉201は、中心線が鉛直になるように縦向きに配されて筐体111によって固定的に支持された縦形のプロセスチューブを備えている。プロセスチューブは、インナチューブ204とアウタチューブ205とを備えている。インナチューブ204およびアウタチューブ205は、石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)等の耐熱性の高い材料によって、円筒形状にそれぞれ一体成形されている。
ニホールド209によって気密に封止されている。また、アウタチューブ205の下端部とマニホールド209の外周上端部との間はシールリング222によって気密に封止されている。マニホールド209は、インナチューブ204およびアウタチューブ205についての保守点検作業や清掃作業を行いやすくするように、インナチューブ204およびアウタチューブ205に対して着脱自在に取り付けられている。マニホールド209が筐体111(前記図2参照)に支持されることにより、プロセスチューブは鉛直に据え付けられた状態になっている。したがって、インナチューブ204およびアウタチューブ205からなるプロセスチューブと、マニホールド209と、により処理管203が構成される。
マニホールド209の側壁の一部には、処理室202内のガス気体を排気する排気系230が接続されている。排気系230は、インナチューブ204とアウタチューブ205との隙間によって形成される筒状空間からなる排気路250の下端部に配置されていて、排気系230を構成する排気管231が排気路250内に連通している。排気管231には、上流から順に、圧力センサ245、圧力調整バルブとしてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ242、真空排気装置としての真空ポンプ246が設けられている。真空ポンプ246は、処理室202内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。APCバルブ242および圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されている。圧力制御部236は、処理室202内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力センサ245により検出された圧力に基づいてAPCバルブ242の開度を制御するように構成されている。主に、排気管231、排気路250、圧力センサ245、APCバルブ242、真空ポンプ246により、本実施形態に係る排気ユニットが構成される。なお、排気系230のAPCバルブ242の上流側には、過加圧防止処理を行う過加圧防止ライン233が接続されている。過加圧防止ライン233には、過加圧防止バルブ234が接続されている。処理室202内の圧力が過加圧になって、その過加圧が圧力センサ245により検出されると、圧力制御部236が過加圧防止バルブ234を開いて処理室202内の過加圧状態を開放させる。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を開閉する蓋としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端開口の外径と同等以上の円盤形状に形成されており、その上面外周には、マニホールド209の下端面に密着可能な密封部材としてのシールリング221が設けられている。シールリング221には、例えばOリングが用いられる。またシールキャップ219は、プロセスチューブ203の外部に鉛直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ115によって、ボート11の載置面が水平の状態で、鉛直方向に昇降されるように構成されている。したがって、ボートエレベータ115によって上昇されたシールキャップ219がシールリング221を介してマニホールド209の下端面に押し圧せられた状態で、マニホールド209の下端開口が密封されて処理室202が気密になる。
上述したボートエレベータ115は、一例として、シールキャップ219をその下面から支持するアーム128と、アーム128の昇降を鉛直方向に案内する図示しないガイド支柱と、ガイド支柱に沿ってアーム128を鉛直方向に昇降させる駆動機構126と、が備えられている。駆動機構126は例えばボールネジ構造で構成され、例えば、アーム128に設けられた図示しないナット部と、ナット部に図示しないボールを介してかみ合うボールネジ軸127と、で構成されている。また、ボールネジ軸127の上端部(もしくは下端部)には、ボールネジ軸127を回転駆動させるモータ129(前記図1参照)が
設けられている。これにより、モータ129を駆動してボールネジ軸127を所定の方向に回転させることでアーム128が昇降するように構成されている。
アウタチューブ205の外部には、プロセスチューブ203内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱する加熱機構としてのヒータ206が、アウタチューブ205を包囲するように設けられている。ヒータ206は、基板処理装置101の筐体111(前記図2参照)に設けられたヒータベース251に支持されることにより鉛直に据え付けられた状態になっており、例えばカーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータとして構成されている。
マニホールド209に保持され処理室202内に鉛直に立ち上がっていて、処理室202内に処理ガスを供給するガス供給ノズル230が設けられている。ガス供給ノズル230は、下流側端部が鉛直に立ち上がったL字型タイプの他、図示していないストレートタイプ等がある。ガス供給ノズル230は石英等の耐熱性を有する非金属材料により構成されている。なお、ガス供給ノズル230の上流側端部は、処理炉201外に突出しており、処理室202内にガス供給ノズル230を介して処理ガスを供給するガス供給管232に接続されている。また、ガス供給管232の上流側には、ガス流量制御器としてのマスフローコントローラ(MFC)241を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。マスフローコントローラ241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されている。マスフローコントローラ241は、処理室202内に供給する
ガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。マスフローコントローラ241、ガス供給管232、およびガス供給ノズル230を通して処理室202内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットは、複数系統を設けることも可能である。例えば、原料ガスを供給する系統、添加物を含むガスを供給する系統、希釈ガスを供給する系統、等がある。
ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、および温度制御部238は、表示部を含む操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、主制御部239は、コントローラ240として構成されている。
次に、上述の基板処理装置101により実施される半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程を、図4のフローチャートを参照して説明する。
停止して、不活性ガスの供給処理だけを実行する。その結果、処理室202内の圧力が常圧に復帰する。
上述した基板処理(S3)工程が終了し、処理室202内が大気雰囲気に戻された直後においては、ボートエレベータ115によって、シールキャップ219がシールリング221を介して処理管203(実質的にはマニホールド209)の下端面に押し圧せられている。このとき、モータ129は、アーム128を上昇させる方向に駆動されていて、シールリング221が押し圧せられるトルクを出力している(シールリングは処理管下端面に密着した状態:S4−1)。このときのトルクは、モータ129の例えば定格トルクの−37%であった。以下、モータ129のトルクが負(−)の場合は、モータ129を駆動することによって、シールリング221を介してシールキャップ219を処理管203の下端面に押し圧する方向(上方向)にモータ129を駆動している状態を示している。一方、モータ129のトルクが正(+)の場合は、モータ129を駆動することによって、シールリング221を介して処理管203の下端面に密着しているシールキャップ219を離す方向(下方向)にモータ129を駆動している状態を示している。
そして、設定したトルクの上限値に達するまで、ボートエレベータ115によってシールキャップ219が下降方向に引っ張られ続け、同時にシールリング221も下降方向に引っ張られ続ける。そして、設定したトルクの上限値に達する前であっても、処理管203の下端面へのシールリング221の密着力よりもシールリング221を下方に引っ張る力のほうが勝ったときに、処理管203の下端面からシールリング221が引き離される(シールリングが処理管下端面から剥離:S4−2)。
また、ボートエレベータ115によるシールキャップ219の下降動作の途中でモータ129のトルクが設定した上限値に達しても離れなかった場合でも、その上限値のトルクでモータ129が駆動され、ボートエレベータ115によってシールキャップ219が下降方向に引っ張られ続ける。このとき、シールキャップ219とともにシールリング221も下降方向に引っ張られ続ける。そして、シールリング221が引っ張られ続けると、処理管203の下端面に密着していたシールリング221が徐々に剥がされて、ある一定の期間が経過した時点でシールリング221の張り付き力よりシールリング221が引っ張られる力が勝り、処理管203の下端面からシールリング221が引き離される(シールリングが処理管下端面から剥離:S4−2)。
そして、シールリング221が引き離された後、モータ129は設定された上限値もしくはそれ以下のトルクで駆動され、ボートエレベータ115によってシールキャップ219は降下させられる(シールキャップとボートの降下(シールリングが処理管下端面から離れた後):S4−3)。したがって、処理管203の下端面もしくはシールキャップ219の表面からシールリング221を引き離す時、ウエハ10はボート11内の載置位置に留まっている。
復期にウエハ10がボート11内の載置位置に留まるようにモータ129のトルクを制御するように構成されていてもよい。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
ハ10の浮き上がりが防止されて、ウエハ10を安定に載置した状態で処理管203の処理室202内からボート11を搬出することが可能になる。
本実施形態にかかる基板処理装置101では、制御部281によって、モータ129から出力されるトルクを、所定の上限値以下に制御する。これによって、処理管203の下端面からシールリング221を引き離す時にウエハ10がボート11内の載置位置に留まるように、モータ129から出力されるトルクを、所定の上限値以下に制御する。この場合についてのシールキャップ219の位置と経過時間との関係図、シールキャップ219の移動速度と経過時間との関係図、モータ129のトルク比と経過時間との関係図を図5に示す。
の下端面に密着しているシールリング221を引き離された後は、モータ129のトルク出力がトルク比で8%以下の設定されたトルク状態で、シールキャップ219とともにその上に載置されているボート11が下降され、処理管203の処理室202内から搬出される。トルク比と経過時間の関係図に示すように、およそ6%ないし7%のトルク比でシールキャップ219は降下されていることがわかる。このとき、位置と経過時間との関係図および移動速度の経過時間との関係図に示すように、ほぼ一定の速度で降下されていることがわかる。このように、モータ129からの出力トルクが6%ないし7%のトルク比であれば、ウエハ10を収納したボート11が載置されたシールキャップ219を高速に降下させることが可能になる。したがって、モータ129の出力トルクのトルク比を8%以下とすることで、シールリング221の引き離し時の振動を抑制してボート11搬出の高速動作が可能になる。
次に、モータ129のトルク値の上限を5%に制限した場合について、図6を参照して説明する。図6に示すように、モータ129の出力トルクの上限値を低く、例えば、トルク比で5%に設定すると、処理管203の下端面からシールリング221を引き離すまでに2秒ないし3秒程度かかるばかりか、シールリング221を引き離した後の動作時間もかかる。この場合では、処理管203の処理室202内からボート11を搬出し終えるまでに298秒かかった。また、モータ129の出力トルクが5%程度と小さいような場合には、処理管203の下端面からシールリング221を引き離した後、シールキャップ219とともにボート11を降下させているときの移動速度が一定せず、微小な変動とともにやや大きな変動を繰り返す現象が見られた。このように、ボート11の下降中に速度変動のうねりがあると、ボート11に収納されたウエハ10がその載置位置からずれるような問題が発生することがある。さらに、最悪の場合、シールリング221を引き離す力が弱く、処理管203の下端面からシールリング221を引き離せない場合も考えられる。したがって、モータ129のトルク比を小さくし過ぎるのも好ましくない。例えば、トルク比で5%よりも大きくする必要がある。しかしながら、トルク値の上限を小さくすれば、引き離し時のシールキャップの変形をより小さくできるので、振動抑制効果が高いことは容易に想像できる。
次に、ほぼ張り付きの無い状態のシールリング221を引き離す場合について、図7を参照して説明する。この場合では、モータ129のトルク比の上限値を7%に制限し、シールキャップ219の移動位置を制御して、シールリング221の引き離しを行った。図7に示すように、処理管203の下端面に対してシールリング221がほぼ張り付きの無い状態にもかかわらず、シールリング221が引き離される瞬間、速度変動とトルク比の変動とが検出されている。これによって、ほぼ張り付きの無い状態といっても多少の張り付きがあることが見て取れる。また一瞬ではあるが、トルク比が7%でモータ129に対してトルク制限が掛かっていることがわかる。なお、シールリング221を引き離した後のトルク比が2%〜3%で動作しているのは、引き離し後の動作トルクの指令速度が低いためである。このように、シールリング221の張り付きがないとされる場合であっても、多少の張り付きがある場合があるので、モータ129の出力トルクに制限となる上限値を設定しておくことで、過剰なトルクが出力されて、処理管203の下端面からシールリング221が引き剥がされる期間において、ボート11に振動を与えて収納されているウエハ10に悪影響を及ぼすようなシールキャップ219の変形(例えば、振動)を抑えることができる。したがって、処理管203の下端面にシールリング221が張り付いていないような場合であっても、モータ129の出力のトルクの上限値を設定しておくことは必要である。
ここで、従来のボートの搬出工程について、図8によって説明する。
タ129を制御することができる。
本発明の第2の実施形態にかかる基板処理装置は、一例として前記図1〜図3によって説明した基板処理装置101において、以下のような構成を有する。
ルク比の上限値が例えば7%以下に設定されていることから、それを超えるトルク比でモータ129からトルクが出力されることはない。よって、シールキャップ219の表面に載置されているボート11内に収納されているウエハ10が跳ねあがったりして、損傷するような、もしくはパーティクルを発生するような振動を発生することはない。したがって、処理管203の処理室202内からウエハ10が収納されたボート11を安定的に搬出することが可能になる。
続いて、本発明の第3の実施形態にかかる基板処理装置ついて説明する。本説明では、前記図1〜図3によって説明した基板処理装置101と同様な構成部品には同一符号を付与して説明する。
がら、速度制御では、モータ129の回転数(回転角度)を指令することでモータ129を制御するため、指令にパルスを用いる必要がない。このため、制御部281が指定したトルク比の上限値でシールキャップ219が一定の位置に留まり降下しない状態であっても、パルスが溜まることが無い。したがって、シールリング221が処理管203の下端面から引き離された後でも、モータ129は、急激な高速回転をせず、指令した速度で動作する。
続いて、本発明の第4の実施形態にかかる基板処理装置ついて、図11を参照して説明する。図11では、前記図1〜図3によって説明した基板処理装置101と同様な構成部品には同一符号を付与して説明する。
ができないような場合として、以下のような場合に有効である。例えばシールリング221の劣化による処理管203の下端面もしくはシールキャップ219の表面への接着力が強くなって引き離すことが困難になっている場合、そのままモータ129を駆動し続けるとモータ129が焼き付き等のトラブルを起こすことがある。このようなモータ129のトラブルの発生を事前に防止することができる。
本発明の第5の実施形態にかかる基板処理装置は、前記図1〜図3によって説明した基板処理装置101において、図12に示したように、シールキャップ219とアーム128との間に弾性体としてのばね311を有するように構成されたものである。以下、その詳細について図12を参照して説明する。
で、前述を参照されたい。
本発明の第6の実施形態に係る基板処理装置は、ボート11の搬送動作、すなわちモータ129の駆動制御を、シールキャップ219の高さ位置に応じて変化させるように構成されている。以下、その詳細について図13を参照して説明する。図13(a)は、本実施形態にかかる基板処理装置により実施される搬送動作を示す模式図であり、(b)は制御部により行われる搬送制御のフロー図である。
置」とは、後述する搬送動作の切り替えを行う高さ位置のことである。搬出工程(S4)の開始直後は、シールキャップ219の高さ位置は「封止位置」であって「動作切替位置」よりも上であるため、図13(a)の「Yes」に進み、制御部281は、シールキャップ219の降下を開始させるように、モータ129に対して所定の設定情報(動作指示情報)を送信する(S4c)。この際、所定の設定情報により定義されるモータ129の最大トルクは、上述の実施形態と同様のトルクとする。すなわち、処理管203の下端面もしくはシールキャップ219の表面からシールリング221を引き離す時に生じるシールキャップ219の変形(例えば振動)の回復期にウエハ10がボート11内の載置位置に留まるようなトルクであって、例えば、定格トルクの10%以下、好ましくは1%程度のトルクとする。これにより、シールキャップ219の降下が開始された際、ウエハ載置位置(基板載置位置)から見たウエハ10の浮き上がり等が防止されて、ウエハ10を安定に載置した状態で処理管203内からボート11を搬出することが可能になる。以下、係る設定情報に基づく搬出動作を「初期搬送動作」とも呼ぶ。
9へ送信した新たな設定情報を、例えば制御部281が備える不揮発性メモリ等に読み出し可能に格納する(S4f)。これにより、仮に基板処理装置に供給される電源が不意に遮断される等して制御部281が再起動した場合であっても、再起動直前の設定情報を制御部281が速やかに読み出してモータ129へ再送信することが出来るようになり、上述の「後期搬送動作」を速やかに再開できるようになる。
以下に本発明の好ましい態様について付記する。
基板を載置するボートと、
前記ボートを収納する処理管と、
前記ボートが載置され前記処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、
前記蓋を昇降させる昇降機構と、
前記昇降機構を駆動するモータと、
前記処理管の下端面と前記蓋との間を密封する密封部材と、
前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に生じる前記蓋の変形の回復期に前記基板が前記ボート内の載置位置に留まるように前記モータのトルクを制御する制御部と、
を有する基板処理装置である。
前記制御部は、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す期間よりも前記密封部材を引き離した後の前記蓋の移動速度を速めるように前記モータを制御する
第1の態様に記載した基板処理装置である。
前記制御部は、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時のみ前記モータのトルクを制御し、
前記モータのトルクを制御している期間以外の前記モータの駆動期間は、前記蓋の移動速度を制御する
第1または第2の態様に記載した基板処理装置である。
前記制御部は、前記処理管の下端面および前記蓋の表面に前記密封部材が押し圧せられているときの前記モータのトルクよりも、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す動作が開始される直前の前記密封部材を押し圧する前記モータのトルクが小さくなるように制御する
第1ないし第3の態様のいずれか1つの態様に記載の基板処理装置である。
前記制御部は、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に前記モータのトルクを時系列的に変動させる
第1ないし第4の態様のいずれか1つの態様に記載の基板処理装置である。
前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す動作時間を計測して、所定の動作時間内に前記引き離し動作が終了していない旨のメッセージを前記制御部に接続されている表示部に送信するアラームを有する
第1ないし第5の態様のいずれか1つの態様に記載の基板処理装置である。
前記モータはパルス駆動するモータであり、
前記制御部は、前記モータへ入力されるパルスが溜まった状態から当該溜まったパルスにより前記モータが駆動されて前記密封部材が前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から引き離される時に生じる前記蓋の変形の回復期に、前記基板が前記ボート内の載置位置に留まるように前記モータのトルクを制御する
第1ないし第6の態様のいずれか1つの態様に記載の基板処理装置である。
前記蓋と、前記蓋を支持していて前記昇降機構に備えられた昇降可能な支持部との間に、過減衰する弾性体を有する
第1ないし第7の態様のいずれか1つの態様に記載の基板処理装置である。
前記制御部は、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に生じる前記蓋の変形の回復期に前記ボートの加速度が重力加速度以下になるように前記モータのトルクを制御する
第1ないし第8の態様のいずれか1つの態様に記載の基板処理装置である。
前記昇降機構は、支柱と、前記蓋を支持していて前記モータが駆動されることで前記支柱に沿って昇降する支持部とを有し、
前記制御部は、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に生じる前記支持部の変形の回復期に前記基板が前記ボート内の載置位置に留まるように前記モータのトルクを制御する
第1ないし第9の態様のいずれか1つの態様に記載の基板処理装置である。
ボートに載置した基板を処理管内で処理した後、密封部材を介して前記処理管の炉口を密封していた蓋を下降させて前記炉口を開放するとともに、前記炉口から前記処理管内の前記ボートを搬出する半導体装置の製造方法において、
前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に生じる前記蓋の変形の回復期に前記基板が前記ボート内の載置位置に留まるように前記蓋を下降させる昇降機構を駆動するモータのトルクを制御する
半導体装置の製造方法である。
11 ボート
101 基板処理装置
115 ボートエレベータ115(昇降機構)
201 処理炉
202 処理室
203 処理管
219 シールキャップ(蓋)
221 シールリング(密封部材)
281 制御部
Claims (7)
- 基板が載置されたボートを収納する処理管と、
前記ボートが載置され前記処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、
前記蓋を昇降させる昇降機構と、
前記昇降機構を駆動させるモータと、
前記処理管の下端面と前記蓋との間を密封する密封部材と、
前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に生じる前記蓋の変形の回復期に前記基板が前記ボート内の載置位置に留まるように前記モータのトルクに所定の上限値を設定して前記モータのトルクを制限し、前記モータのトルクを前記所定の上限値を超えないように前記モータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す期間の前記モータのトルクよりも前記密封部材を引き離した後の前記モータのトルクが小さい状態で、前記密閉部材を引き離す期間の前記蓋の移動速度よりも前記密閉部材を引き離した後の前記蓋の移動速度を速めるように前記モータを制御するよう構成される請求項1記載の基板処理装置。
- 基板が載置されたボートを収納する処理管と、
前記ボートが載置され前記処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、
前記蓋を昇降させる昇降機構と、
前記昇降機構を駆動させるモータと、
前記処理管の下端面と前記蓋との間を密封する密封部材と、
前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に生じる前記蓋の変形の回復期に前記基板が前記ボート内の載置位置に留まるように前記モータのトルクに所定の上限値を設定して前記モータのトルクを制限し、前記モータを前記トルクの前記所定の上限値を超えないように前記モータを制御するよう構成される制御部と、
を有し、
前記制御部は、さらに、前記蓋が前記炉口から所定位置まで移動するまでの間、前記モータのトルクを制限しながら前記モータの速度制御を行うよう構成される基板処理装置。 - 前記制御部は、前記蓋が前記炉口から前記所定位置に移動した後、前記モータのトルクを前記所定の上限値より小さいトルクに制限しながら、前記モータの制御を前記速度制御から位置制御に切り替えるよう構成される請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記モータの制御を前記速度制御から前記位置制御に切り替えたとき、前記モータのトルクの上限値を前記所定の上限値とは異なる所定の上限値に切り替えるよう構成される請求項4に記載の基板処理装置。
- ボートに載置した基板を処理管内で処理する工程と、
密封部材を介して前記処理管の炉口を密封していた蓋を昇降機構により下降させて前記炉口を開放するとともに、前記炉口から前記処理管内の前記ボートを搬出する工程と、を有し、
前記ボートを搬出する工程では、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に生じる前記蓋の変形の回復期に前記基板が前記ボート内の載置位置に留まるように前記昇降機構を駆動させるモータのトルクに所定の上限値を設定して前記モータのトルクを制限し、前記モータのトルクが前記所定の上限値を超えないように前記モータを制御する半導体装置の製造方法。 - ボートに載置した基板を処理管内で処理する工程と、
密封部材を介して前記処理管の炉口を密封していた蓋を昇降機構により下降させて前記炉口を開放するとともに、前記炉口から前記処理管内の前記ボートを搬出する工程と、を有し、
前記ボートを搬出する工程では、前記処理管の下端面もしくは前記蓋の表面から前記密封部材を引き離す時に生じる前記蓋の変形の回復期に前記基板が前記ボート内の載置位置に留まるように前記昇降機構を駆動させるモータのトルクに所定の上限値を設定して前記モータのトルクを制限し、前記蓋が前記炉口から所定位置まで移動するまでの間、前記モータのトルクが前記所定の上限値を超えないように前記モータを制御しながら前記モータの速度制御を行う半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010227766A JP5711930B2 (ja) | 2010-01-12 | 2010-10-07 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR1020100129772A KR101219587B1 (ko) | 2010-01-12 | 2010-12-17 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
TW100100797A TWI447839B (zh) | 2010-01-12 | 2011-01-10 | 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 |
US13/004,495 US8876453B2 (en) | 2010-01-12 | 2011-01-11 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010003884 | 2010-01-12 | ||
JP2010003884 | 2010-01-12 | ||
JP2010227766A JP5711930B2 (ja) | 2010-01-12 | 2010-10-07 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011166112A JP2011166112A (ja) | 2011-08-25 |
JP2011166112A5 JP2011166112A5 (ja) | 2013-11-14 |
JP5711930B2 true JP5711930B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=44596384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010227766A Active JP5711930B2 (ja) | 2010-01-12 | 2010-10-07 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5711930B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6208588B2 (ja) * | 2014-01-28 | 2017-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 支持機構及び基板処理装置 |
KR20170018345A (ko) | 2014-09-30 | 2017-02-17 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3065438B2 (ja) * | 1992-07-22 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 位置決め制御装置 |
JPH07230320A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Canon Inc | サーボ制御装置 |
JP2004104011A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005056905A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2008277354A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Tekkusu Iijii:Kk | 把持装置 |
JP5221118B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
JP5635270B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2014-12-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理システム及び基板処理装置の表示方法及び基板処理装置のパラメータ設定方法及び記録媒体 |
-
2010
- 2010-10-07 JP JP2010227766A patent/JP5711930B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011166112A (ja) | 2011-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101235774B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에 있어서의 이상 표시 방법 | |
KR101132237B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWI329891B (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
JP4359640B2 (ja) | 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法 | |
TW200832592A (en) | Substrate processing apparatus and manufacturing method for a semiconductor device | |
JP6186000B2 (ja) | 基板処理装置のメンテナンス方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理装置のメンテナンスプログラム | |
KR20140020782A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6290421B2 (ja) | 基板処理装置、基板搬送方法及び半導体装置の製造方法並びにプログラム | |
TW201140740A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5711930B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2004014543A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2011181817A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011146412A (ja) | 基板処理装置 | |
US8876453B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP6416923B2 (ja) | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
TWI447839B (zh) | 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
CN110047791B (zh) | 基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 | |
JP2006108348A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014067795A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009289807A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008258240A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011198957A (ja) | 基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法 | |
JP2012023198A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009088305A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2005142478A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130927 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140829 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150309 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5711930 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |