JP2014067795A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回転部の動作不良の発生を抑制することが可能となる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理する処理室を備える基板処理装置であって、
前記処理室内で基板を回転させる回転部と、該回転部に対し通電する通電部と、第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部の回転動作が停止したときに、前記回転部に対し前記第一電流値よりも大きい第二電流値で通電するように制御する制御部と、を備える基板処理装置
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体基板やガラス基板等の基板を処理する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置の製造工程や表示装置の製造工程の一工程を実施する従来の基板処理装置は、基板を処理する処理管と、処理管内で基板を回転させる回転機構と、を備えていた。

基板処理装置では、基板への成膜状態の基板面内の均一性を向上させるために、基板の成膜処理中に、処理管内では基板を回転させている。このとき、成膜時に発生する副生成物が回転部に付着し、回転部が動作不良を起こし、成膜処理が中断してしまうという問題があった。

本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室を備える基板処理装置であって、
前記処理室内で基板を回転させる回転部と、該回転部に対し通電する通電部と、第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部の回転動作が停止したときに、該回転部に対し前記第一電流値よりも大きい第二電流値で通電するように制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
第一電流値で基板回転部に通電し回転させた基板を処理室内で処理する工程と、
前記第一電流値で前記基板回転部に通電している状態で前記回転部の回転動作が停止したときに、前記回転部に対し前記第一電流値よりも大きい第二の電流値で通電する工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。

回転部が動作不良の発生を抑制することが可能となる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。

特開２０１１−１６６１１２公報

本発明の第１の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略斜視図である。 本発明の第１の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の縦断面図である。 本発明の第１の実施形態で好適に用いられる回転部のシステム概略図である。 本発明の第１の実施形態で好適に用いられる回転部のモータの原点出し（ＩＮＩ）処理設定動作のフロー図である。 本発明の第１の実施形態で好適に用いられる回転部の回転動作処理時のモータのトルク切り替え動作フロー図である。 本発明の第２〜第６の実施形態で好適に用いられる回転部のシステム概略図である。 本発明の第２〜第４の実施形態で好適に用いられる回転部のモータ原点出し処理における別の実施形態のモータのトルク切り替え動作フロー図である。 本発明の第２〜第４の実施形態で好適に用いられる回転部の回転動作処理時における別の実施形態のモータのトルク切り替え動作フロー図である。 本発明の第５の実施形態で好適に用いられる回転部の別の実施形態のモータのトルク切り替え動作フロー図である。 本発明の第６の実施形態で好適に用いられる回転部の別の実施形態のモータのトルク切り替え動作フロー図である。

＜第１の実施形態＞
以下、本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略斜視図である。
図１に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１０１は筐体１１１を備えている。基板としてのウエハ１０を筐体１１１内外へ搬送するには、複数のウエハ１０を収納するウエハキャリア（基板収納容器）としてのカセット１１０が使用される。筐体１１１内側の前方には、カセット１１０の受渡し台となるカセットステージ１１４が設けられている。カセット１１０は、図示しない工程内搬送装置によってカセットステージ１１４上に載置され、また、カセットステージ１１４上から筐体１１１外へ搬出されるように構成されている。

カセット１１０は、工程内搬送装置によって、カセット１１０内のウエハ１０がほぼ鉛直姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が例えば上方向を向くように、カセットステージ１１４上に載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させ、カセット１１０内のウエハ１０を水平姿勢とさせ、カセット１１０のウエハ出し入れ口を筐体１１１内の後方を向かせることが可能なように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部には、カセット１１０の載置棚となるカセット棚１０５が設置されている。カセット棚１０５は、複数段、複数列にて複数個のカセット１１０を保管できるように構成されている。カセット棚１０５には、ウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。また、カセットステージ１１４の上方には、予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。

カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、基板収納容器搬送装置としてのカセット搬送装置１１８が設けられている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能な昇降機構としてのカセットエレベータ１１８ａと、カセット１１０を保持したまま水平移動可能な搬送機構としてのカセット搬送機構１１８ｂと、を備えている。これらカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連係動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５、予備カセット棚１０７、移載棚１２３の間で、カセット１１０を相互に搬送するように構成されている。

カセット棚１０５の後方には、基板移載機構としてのウエハ移載機構１２５が設けられている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ１０を水平方向に回転ないし直動可能な基板移載装置としてのウエハ移載装置１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させる基板移載装置の昇降機構としてのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂと、を備えている。なお、ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ１０を水平姿勢で保持する基板移載用治具としてのツイーザ１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連係動作により、ウエハ１０を移載棚１２３上のカセット１１０内からピックアップして後述する基板保持具としてのボート１１へ装填（チャージング）したり、ウエハ１０をボート１１から脱装（ディスチャージング）して移載棚１２３上のカセット１１０内へ収納したりするように構成されている。

筐体１１１の後部上方には、処理炉２０１が設けられている。処理炉２０１の下端部には図示しない炉口としての開口が設けられている。かかる開口は、炉口を開閉する炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。処理炉２０１の構成については後に詳述する。

処理炉２０１の下方には、ボート１１を昇降させて処理炉２０１内外へ搬送させる昇降機構としてのボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５には昇降可能なアーム１２８が設けられている。アーム１２８上には、ボート１１を鉛直に支持するとともに、処理炉２０１の下端部を気密に閉塞する蓋としてのシールキャップ２１９が水平姿勢で設けられている。

ボート１１は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウエハ１０を、水平姿勢で、かつその中心を揃えた状態で鉛直方向に整列させて多段に保持するように構成されている。ボート１１の詳細な構成については後述する。

カセット棚１０５の上方には、供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット１３４ａが設けられている。クリーンユニット１３４ａは、清浄化した大気であるクリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。

また、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびボートエレベータ１１５側と反対側である筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給フアンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット（図示せず）が設置されている。図示しない前記クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａ、ボート１１を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるように構成されている。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１０１の動作について説明する。

まず、カセット１１０が、図示しない工程内搬送装置によって、ウエハ１０がほぼ鉛直姿勢となりカセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ１１４上に載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させられる。その結果、カセット１１０内のウエハ１０は水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口は筐体１１１内の後方を向く。

次に、カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７から移載棚１２３に移載されるか、もしくは移載棚１２３に直接搬送される。

カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ１０は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、ウエハ出し入れ口を通じてカセット１１０からピックアップされ、ウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連係動作によって移載棚１２３の後方にあるボート１１に装填（チャージング）される。ボート１１にウエハ１０を受け渡したウエハ移載機構１２５は、カセット１１０に戻り、次のウエハ１０をボート１１に装填する。

予め指定された枚数のウエハ１０がボート１１に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０１の下端部の開口が、炉口シャッタ１４７を移動することによって開放される。続いて、蓋としてのシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理対象のウエハ１０群を保持したボート１１が処理炉２０１内へ気密に搬入（ローディング）される。ローディング後は、処理炉２０１内にてウエハ１０に所定の処理が実施される。処理後は、ウエハ１０およびカセット１１０は、上述の手順とは逆の手順で筐体１１１の外部へ搬出される。

（３）処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置の処理炉２０１の構成について説明する。図２は、本発明の第１の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の縦断面図である。なお、本実施形態にかかる処理炉２０１は、図２に示されているようにＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウォール型減圧ＣＶＤ装置）として構成されている。

（プロセスチューブ）
処理炉２０１は、中心線が鉛直になるように縦向きに配されて筐体１１１によって固定的に支持された縦形のプロセスチューブを備えている。プロセスチューブは、インナチューブ２０４とアウタチューブ２０５とを備えている。インナチューブ２０４およびアウタチューブ２０５は、石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い材料によって、円筒形状にそれぞれ一体成形されている。

インナチューブ２０４は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ２０４内には、基板保持具としてのボート１１によって水平姿勢で多段に積層されたウエハ１０を収納して処理する処理室２０２が形成されている。インナチューブ２０４の下端開口は、ウエハ１０群を保持したボート１１を出し入れする炉口２０７を構成している。したがって、インナチューブ２０４の内径は、ウエハ１０群を保持したボート１１の最大外径よりも大きくなるように設計されている。アウタチューブ２０５は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され、かつ側壁部がインナチューブ２０４に対して大きく例えば相似形状に形成されている。すなわち、上方から見てアウタチューブ２０５は、インナチューブ２０４の外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ２０４の下端部とアウタチューブ２０５の下端部との間は、環状に形成されたマニホールド２０９によって気密に封止されている。また、アウタチューブ２０５の下端部とマニホールド２０９の外周上端部との間はシールリング２２２によって気密に封止されている。マニホールド２０９は、インナチューブ２０４およびアウタチューブ２０５についての保守点検作業や清掃作業を行いやすくするように、インナチューブ２０４およびアウタチューブ２０５に対して着脱自在に取り付けられている。マニホールド２０９が筐体１１１（前記図１参照）に支持されることにより、プロセスチューブは鉛直に据え付けられた状態になっている。したがって、インナチューブ２０４およびアウタチューブ２０５からなるプロセスチューブと、マニホールド２０９と、により処理管２０３が構成される。

（排気ユニット）
マニホールド２０９の側壁の一部には、処理室２０２内のガス気体を排気する排気系２３０が接続されている。排気系２３０は、インナチューブ２０４とアウタチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間からなる排気路２５０の下端部に配置されていて、排気系２３０を構成する排気管２３１が排気路２５０内に連通している。排気管２３１には、上流から順に、圧力センサ２４５、圧力調整バルブとしてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が設けられている。真空ポンプ２４６は、処理室２０２内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。ＡＰＣバルブ２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、処理室２０２内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を制御するように構成されている。主に、排気管２３１、排気路２５０、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、真空ポンプ２４６により、本実施形態に係る排気ユニットが構成される。なお、排気系２３０のＡＰＣバルブ２４２の上流側には、過加圧防止処理を行う過加圧防止ライン２３３が接続されている。過加圧防止ライン２３３には、過加圧防止バルブ２３４が接続されている。処理室２０２内の圧力が過加圧になって、その過加圧が圧力センサ２４５により検出されると、圧力制御部２３６が過加圧防止バルブ２３４を開いて処理室２０２内の過加圧状態を開放させる。

（基板保持具）
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を開閉する蓋としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端開口の外径と同等以上の円盤形状に形成されており、その上面外周には、マニホールド２０９の下端面に密着可能な密封部材としてのシールリング２２１が設けられている。シールリング２２１には、例えばＯリングが用いられる。またシールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に鉛直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、ボート１１の載置面が水平の状態で、鉛直方向に昇降されるように構成されている。したがって、ボートエレベータ１１５によって上昇されたシールキャップ２１９がシールリング２２１を介してマニホールド２０９の下端面に押し圧せられた状態で、マニホールド２０９の下端開口が密封されて処理室２０２が気密になる。

（ボートエレベータ）
上述したボートエレベータ１１５は、一例として、シールキャップ２１９をその下面から支持するアーム１２８と、アーム１２８の昇降を鉛直方向に案内する図示しないガイド支柱と、ガイド支柱に沿ってアーム１２８を鉛直方向に昇降させる駆動機構１２６と、が備えられている。駆動機構１２６は例えばボールネジ構造で構成され、例えば、アーム１２８に設けられた図示しないナット部と、ナット部に図示しないボールを介してかみ合うボールネジ軸１２７と、で構成されている。また、ボールネジ軸１２７の上端部（もしくは下端部）には、ボールネジ軸１２７を回転駆動させるモータが設けられている。これにより、モータを駆動してボールネジ軸１２７を所定の方向に回転させることでアーム１２８が昇降するように構成されている。

シールキャップ２１９上には、ウエハ１０を保持する基板保持具としてのボート１１が鉛直に立脚されて支持されるようになっている。ボート１１は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ１０を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート１１の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、ヒータ２０６からの熱をマニホールド２０９側に伝えにくくするように構成されている。

シールキャップ２１９の処理室２０２と反対側には、ボート１１を回転させる回転機構２５４が設けられている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート１１を下方から支持している。回転軸２５５を回転させることで処理室２０２内にてウエハ１０を回転させることが可能になるように構成されている。すなわち、回転機構２５４は、処理室２０２内でウエハ１０を回転させる回転部として構成されている。シールキャップ２１９は、上述のボートエレベータ１１５によって鉛直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート１１を処理室２０２内外に搬送することが可能となっている。

回転機構２５４およびボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、回転機構２５４およびボートエレベータ１１５のモータ１２９が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御するように構成されている。

（ヒータユニット）
アウタチューブ２０５の外部には、プロセスチューブ２０３内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱する加熱機構としてのヒータ２０６が、アウタチューブ２０５を包囲するように設けられている。ヒータ２０６は、基板処理装置１０１の筐体１１１（前記図２参照）に設けられたヒータベース２５１に支持されることにより鉛直に据え付けられた状態になっており、例えばカーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータとして構成されている。

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３とには、温度制御部２３８が電気的に接続されている。温度制御部２３８は、処理室２０２内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、前記温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいてヒータ２０６への通電具合を制御するように構成されている。

主に、ヒータ２０６、温度センサ２６３により、ヒータユニットが構成される。

（処理ガス供給ユニット）
マニホールド２０９に保持され処理室２０２内に鉛直に立ち上がっていて、処理室２０２内に処理ガスを供給するガス供給ノズル２３０が設けられている。ガス供給ノズル２３０は、下流側端部が鉛直に立ち上がったＬ字型タイプの他、図示していないストレートタイプ等がある。ガス供給ノズル２３０は石英等の耐熱性を有する非金属材料により構成されている。なお、ガス供給ノズル２３０の上流側端部は、処理炉２０１外に突出しており、処理室２０２内にガス供給ノズル２３０を介して処理ガスを供給するガス供給管２３２に接続されている。また、ガス供給管２３２の上流側には、ガス流量制御器としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。マスフローコントローラ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。マスフローコントローラ２４１は、処理室２０２内に供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マスフローコントローラ２４１、ガス供給管２３２、およびガス供給ノズル２３０を通して処理室２０２内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットは、複数系統を設けることも可能である。例えば、原料ガスを供給する系統、添加物を含むガスを供給する系統、希釈ガスを供給する系統、等がある。

（コントローラ）
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、および温度制御部２３８は、表示部を含む操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９は、コントローラ２４０として構成されている。主制御部２３９には、記憶部も有しており、ガス流量制御、圧力制御、各駆動制御、温度制御及び後述する基板回転部への通電状態等の各種情報を記憶している。また、前述の表示部には、後述する基板回転部への通電状態等表示することもできる。

（４）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置１０１により実施される半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程を説明する。

まず、プロセスチューブ２０３内から搬出されているボート１１に、複数枚のウエハ１０を装填（ウエハチャージ）する。これにより、ボート１１に、薄膜が形成されるべき複数枚、例えば１００枚、直径３００ｍｍのウエハ１０が収容される。ウエハ１０の装填が終了すると、複数枚のウエハ１０を保持したボート１１を、ボートエレベータ１１５によって持ち上げて、処理室２０２内に搬入（ボートローディング）する（処理管内へのボートの搬入）。この状態で、マニホールド２０９の下端面は、シールリング２２１を介してシールキャップ２１９によりシール（密封）された状態となり、処理管２０３の内
部が気密になる（処理管内を気密にする）。

処理室２０２内にウエハ１０を搬入する工程が終了すると、処理室２０２内が所望の圧力（真空度）となるように真空ポンプ２４６によって真空排気することで、処理室２０２内の雰囲気を排出する。この際、処理室２０２内の圧力を、圧力センサ２４５で測定する。この測定した圧力に基づいて、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御する。
また、処理室２０２内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって処理室２０２内を加熱する。そして、ヒータ２０６への通電具合は、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づき、処理室２０２内が所望の温度分布となるようにフィードバック制御する。続いて、回転機構２５４によりボート１１を回転させることで、ウエハ１０を回転させる。

次いで、処理室２０２内に処理ガスを供給して、ウエハ１０上への成膜処理を実行する。すなわち、図示しない処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御された処理ガスをガス供給管２３２から供給して、ガス供給ノズル２３０を介して処理室２０２内へと導入する。導入された処理ガスは、処理室２０２内を上昇し、インナチューブ２０４の上端開口から排気路２５０内に流出して、排気系２３０から排気される。処理ガスは、処理室２０２内を通過する際にウエハ１０の表面と接触し、この際に例えば熱ＣＶＤ反応等によってウエハ１０の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される（基板処理）。

成膜処理が終了したら、アフタパージ処理を実行する。すなわち、ガス供給管２３２からガス供給ノズル２３０を介して処理室２０２内に不活性ガスを供給する。また、このとき、真空排気装置２４６によって真空排気処理を実行する。その結果、処理室２０２内の雰囲気が不活性ガスにより浄化される。

アフタパージ処理が終了したら、大気戻し処理を実行する。すなわち、真空排気処理を停止して、不活性ガスの供給処理だけを実行する。その結果、処理室２０２内の圧力が常圧に復帰する。

大気戻し処理が終了したら、ボート１１の搬出を実行する。すなわち、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を下降させ、マニホールド２０９の下端の炉口２０７を開放させるとともに、成膜処理の済んだウエハ１０を、ボート１１に載置させた状態でマニホールド２０９の下端の炉口２０７からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）する（ボートの搬出）。その後、成膜処理の済んだウエハ１０を、ボート１１より回収して（ウエハディスチャージ）、１バッチ目の処理を終了する。
以下、同様に、２バッチ目以降も処理対象のウエハ１０に対して上述の処理を実行する。

以下に回転機構２５４周辺技術における具体的な実施形態を説明する。

図３は、本発明の第１の実施形態で好適に用いられる回転部のシステム概略図である。図３に示すように、ボート回転機構のシステムはメイン制御部３０１、モータ制御部３０２、駆動部３０３の大きく３つに構成されている。駆動部３０３はボート１１を回転させるモータ３０４とモータの回転をセンシングするエンコーダ３０５、ボート回転を確認する検出器としての回転確認センサ３０６、ボートの原点位置を設定する検出器としてのＩＮＩ（イニシャル）センサ３０７にて構成されている。コントローラ３０８はエンコーダ信号３０９とモータ３０４の回転をセンシングするセンサ信号を取り込み、駆動部３０３の状態監視(例えば、各種センサ故障、モータ異常停止、正常運転のいずれか１つ若しくは２つ以上)をしてモータ制御部３０２内のモータドライバへモータ動作の指令（トルク切り替え信号３１４）を行っている。また、ＩＮＩセンサ３０７の故障時に別の予備センサ３１３へ切り替える切替え器としてのＳＷ３１２を各種センサとコントローラ３０８間に設けている。更に、回転確認センサ３０６の故障時に別の予備センサ３１１へ切り替える切替え器としてのＳＷ（スイッチ）３１０を各種センサとコントローラ３０８間に設けている。センサ切り替え信号３１５は、コントローラから出力するＩＮＩセンサ３０７と予備のセンサ３１３との切り替え信号である。センサ切り替え信号３１６は、コントローラから出力する回転確認センサ３０６と予備のセンサ３１１との切り替え信号である。

次にボート回転機構の動作フローについて説明する。ボート回転機構の動作としてはボート１１の回転開始位置を設定する原点出し（ＩＮＩ）処理、ボート回転動作処理の２つ処理がある。図４は、本発明の第１の実施形態で好適に用いられる回転部のモータの原点出し（ＩＮＩ）処理設定動作のフロー図である。

図４で示すように、ＩＮＩセンサ３０７とエンコーダ３０５の出力状態の組み合わせにより駆動部（回転部）の状態(センサ故障、モータ異常停止、正常運転)が想定可能である。

次に駆動部の想定される異常状態からの復旧フローについて説明する。ＩＮＩ動作を開始し、Ｓ２において、ＩＮＩセンサ３０７からの信号がＮＧ（異常）であり、かつ、エンコーダからの信号（Ｓ４）がＯＫ（正常）の場合には（Ｓ５）、ＩＮＩセンサ３０７が故障していると想定されるため、コントローラ３０８からセンサ切り替え信号を図３にて示した切り替えＳＷ３１２へ出力（Ｓ６）し、コントローラへ入力するセンサ信号を別のセンサ信号に切り替え、ＩＮＩセンサ３０７から予め設けてある予備のセンサである補助ＩＮＩセンサ３１３に切り替える。次に再度の原点出し（第二ＩＮＩ）処理を開始する（Ｓ７）。
Ｓ８において、補助ＩＮＩセンサ３１３からの信号がＯＫであり、Ｓ１１におけるエンコーダからの信号もＯＫであれば、第二ＩＮＩを完了（Ｓ９）として、ＩＮＩ位置を設定する。
Ｓ８において、補助ＩＮＩセンサ３１３からの信号がＮＧであるか、Ｓ１１におけるエンコーダからの信号がＮＧであれば、第二ＩＮＩはＮＧと判断する。この場合、何がしかの故障が発生しているとして、基板処理は行わない。

Ｓ２において、ＩＮＩセンサ３０７からの信号がＮＧであり、かつ、エンコーダ３０５からの信号（Ｓ４）がＮＧの場合には、モータ３０４そのものの異常と想定（Ｓ１３）する。モータ３０４の異常時には、モータ３０４の異常停止時にコントローラ３０８からモータドライバへのトルク切り替え信号（Ｓ１４）により、モータに流す電流値ＩをＩｎへ切り替え（増大し）、モータの許容トルク値を増大し、モータ過負荷による脱調（モータが入力パルスに同期しなくなった状態）の回避を行う（Ｓ１５〜Ｓ１７）。あらかじめ、モータドライバには通常運用時のモータに流す電流値 I より高い電流値Ｉｎをモータドライバに設定値として持たせる(複数設定可) 。モータ３０４の発熱及び発煙を考慮し、モータ３０４に通電可能な電流の最大値Ｉａを上限とし、モータ電流Ｉａでモータが動作しない場合はモータ動作不可とする（Ｓ１８）。

モータへの電力値を増加し、再度ＩＮＩ処理を行う（Ｓ１へ戻る）。

図５は、本発明の第１の実施形態で好適に用いられる回転部の回転動作処理時のモータのトルク切り替え動作フロー図である。

図５で示すように、回転確認センサ３０６とエンコーダ３０５の出力状態の組み合わせにより駆動部の状態(センサ故障、モータ異常停止、正常運転)が想定可能である。 の故障時に別の予備センサ３１１

次に駆動部の想定される異常状態からの復旧フローについて説明する。
回転動作を開始（Ｓ２０１）し、Ｓ２０２において、ボート回転開始の確認処理を開始し（Ｓ２０１）、回転確認センサの信号がＯＫであり、且つエンコーダからの信号もＯＫであれば、ボート回転には問題はないと判断する。

回転確認センサ３０６の信号がＮＧであり、且つエンコーダからの信号がＯＫであれば、回転確認センサ３０６が異常であると判断する（Ｓ２０５）。

コントローラ３０８からセンサ切り替え信号を図３にて示した切り替えＳＷ３１０へ出力（Ｓ２０６）し、コントローラへ入力するセンサ信号を別のセンサ信号に切り替え、回転確認センサ３０６から予め設けてある予備のセンサである補助回転確認センサ３１１に切り替える。

次に再度回転動作を開始する（Ｓ２０７）。
Ｓ２０８において、補助回転確認センサ３１１からの信号がＯＫであり、Ｓ２１０におけるエンコーダからの信号もＯＫであれば、回転動作が正常になったと判断する（Ｓ２０９）。

Ｓ２０８において、補助回転確認センサ３１１からの信号がＮＧであるか、Ｓ２１０におけるエンコーダからの信号がＮＧであれば、異常停止であると判断する。この場合、何がしかの故障が発生しているとして、基板処理は行わない。

Ｓ２において、回転確認センサ３０６からの信号がＮＧであり、かつ、エンコーダ３０５からの信号（Ｓ４）がＮＧの場合には、モータ３０４そのものの異常と想定（Ｓ２１２）する。モータ３０４の異常時には、モータ３０４の異常停止時にコントローラ３０８からモータドライバへのトルク切り替え信号（Ｓ２１３）により、モータに流す電流値ＩをＩｎへ切り替え（増大し）、モータの許容トルク値を増大し、モータ過負荷による脱調（モータが入力パルスに同期しなくなった状態）の回避を行う（Ｓ２１４〜Ｓ２１６）。あらかじめ、モータドライバには通常運用時のモータに流す電流値 I より高い電流値Ｉｎをモータドライバに設定値として持たせる(複数設定可) 。モータ３０４の発熱及び発煙を考慮し、モータ３０４に通電可能な電流の最大値Ｉａを上限とし、モータ電流Ｉａでモータが動作しない場合はモータ動作不可とする（Ｓ２１７）。

モータへの電力値を増加し、再度回転開始処理を行う（Ｓ２０１へ戻る）。

このように、本実施形態では、センサ故障時にはセンサを予備のセンサに切り替え、かつモータ異常の際には、モータに入力する電流値を上げることにより、センサ故障あるいはモータの異常に対応するものである。
即ち、例えば、成膜時に発生する副生成物が回転部に付着し、回転部が動作不良を起こし、成膜処理が中断してしまうという問題があるが、本実施形態の一つの特徴としては、この問題を解消すべく、第一電流値で回転部に通電している状態で、回転部の回転動作が停止したときに、回転部に対し第一電流値よりも大きい第二電流値で通電する。好適には、第一電流値で回転部に通電している状態で、回転部の回転動作が停止したときに、回転部に対し第一電流値よりも大きい第二電流値で通電し、回転部が回転を開始するように制御する。

本実施形態の効果、以下に記載の効果のうち、少なくとも１つの効果を奏する。
（ａ）回転部を基板処理装置から取外すことなく、回転部の回転動作を復帰させることができる。
（ｂ）回転部の交換、例えば、ボート回転機構のモータの交換を行わずにモータ動作の再復帰を行えるため、基板搬送エリアを大気解放する必要がないため、基板の汚染を回避することが可能となる。
（ｃ）また、ハード(モータ、センサ)部品を交換せずにボート回転機構のモータ動作の再復帰を自動で行えるため、プロセス中の基板処理装置の復旧時間短縮を可能とすることができる。これにより、プロセス中断による基板への悪影響を及ぼすリスクの低減が可能となる。
（ｄ）また、センサ故障時に別のセンサを代替とすることで、センサ故障による搬送システム停止の発生率の低減が可能となる。
（ｅ）また、装置を稼動させる前にトルク切り替え信号出力の履歴（例えば前述した主制御部２３９の記憶部に記憶されている）を確認する事で、装置メンテナンス(モータ交換やセンサ交換) の必要の有無が確認できる。これにより、プロセス処理中のシステム停止のリスクが低減されることとなる。（ｆ）ボート回転機構のモータのトルクを可変することで、ボート回転機構の動作不良による成膜処理の中断時間を低減させることができる。

図６は、以下に説明する本発明の第２〜第６の実施形態で好適に用いられる回転部のシステム概略図である。以下、第２〜第６の実施形態が、第１の実施形態と異なる点は、概ね、第１の実施形態におけるモータ異常停止時のトルク設定値（モータへの入力電力値）を変動させる構成を適用し、センサ故障時にセンサを切替える構成を適用しない点である。

図６に示すように、ボート回転機構のシステムはメイン制御部３０１０、モータ制御部３０２０、駆動部３０３０の大きく３つに構成されている。駆動部３０３０はボート１１を回転させるモータ３０４０とモータの回転をセンシングするエンコーダ３０５０、ボート回転を確認する検出器としての回転確認センサ３０６０、ボートの原点位置を設定する検出器としてのＩＮＩ（イニシャル）センサ３０７０にて構成されている。コントローラ３０８０はエンコーダ信号３０９０とモータ３０４０の回転をセンシングするセンサ信号を取り込み、駆動部３０３０の状態監視(例えば、各種センサ故障、モータ異常停止、正常運転のいずれか１つ若しくは２つ以上)をしてモータ制御部３０２０内のモータドライバへモータ動作の指令（トルク切り替え信号３１４０）を行っている。
以下、第２〜第６の実施形態について、各々説明する。

＜第２の実施形態＞
第１の実施形態と異なる点は、第１の実施形態におけるモータ異常停止時のトルク設定値（モータへの入力電力値）を上げる構成を適用し、センサ故障時にセンサを切替える構成を適用しない点である。

図７は、本発明の第２〜第４の実施形態で好適に用いられる回転部のモータ原点出し処理における別の実施形態のモータのトルク切り替え動作フロー図である。
図７に基づき、以下に説明する。
ＩＮＩ処理を開始し（Ｓ３０１）、ＩＮＩセンサの信号がＯＫであり、且つエンコーダからの信号もＯＫであれば、本システムには問題はなく、ＩＮＩ処理を完了とする（Ｓ３０３）。

ＩＮＩセンサの信号がＮＧであり、且つエンコーダからの信号がＯＫであれば、ＩＮＩセンサが故障していると判断（Ｓ３０５）する。

ＩＮＩセンサの信号がＮＧであり、且つエンコーダからの信号もＮＧであれば、モータの異常と判断し（Ｓ３１３）、モータにトルクの切り替え信号を出力する（Ｓ３１４）。この際に、モータに入力する電力値を増大し、モータが動作するまで電力値を増大させていく。モータが動作を行った（Ｓ３１９でＹＥＳ）らＳ３０１に戻りＩＮＩ処理を行う。すなわち、第一電流値で回転部に通電している状態で、回転部の回転動作が停止したときに、回転部に対し前記第一電流値よりも大きい第二電流値で通電し、回転部が回転を開始するように制御する。

なお、モータへの入力電力値が予め設定してある電力値（Ｉａ）となったらこれ以上の電流値を増大させず、モータ動作復旧不可とする（Ｓ３１８）。

図８は、本発明の第２〜第４の実施形態で好適に用いられる回転部の回転動作処理時における別の実施形態のモータのトルク切り替え動作フロー図である。
以下、図８のフローに基づき、説明する。
ボート回転開始の確認処理を開始し（Ｓ４０１）、回転確認センサの信号がＯＫであり、且つエンコーダからの信号もＯＫであれば、ボート回転には問題はないと判断する。

回転確認センサの信号がＮＧであり、且つエンコーダからの信号がＯＫであれば、回転確認センサが異常であると判断する（Ｓ４０５）。

回転確認センサの信号がＮＧであり、且つエンコーダからの信号もＮＧであれば、モータの異常と判断し（Ｓ４１２）、モータにトルクの切り替え信号を出力する。この際に、モータに入力する電力値を徐々に増大し、Ｓ４０１に戻りボート回転開始処理を行う。

第２の実施形態の効果、以下に記載の効果のうち、少なくとも１つの効果を奏する。
（ａ）部品交換作業をせずにモータ動作の再復帰を行う事により、搬送エリア大気開放によるウエハ汚染の回避が可能となる。

（ｂ）プロセス中の装置復旧時間短縮を可能。これにより、プロセス中断によるウエハへ悪影響を及ぼすリスク低減が可能となる。

（ｃ）装置を稼動させる前にトルク切り替え信号出力の履歴を確認する事で、装置メンテナンス(モータ交換)の必要有無が確認できる。これにより、プロセス処理中の搬送システム停止リスク低減が可能となる。

＜第３の実施形態＞
第２の実施形態と異なる点は、モータ異常停止時に、段階的にトルク設定値（モータへの入力電力値）を上げる点である。

第３の実施形態を図８のフローに基づき、第２の実施形態と異なる点を説明する。

回転確認センサの信号がＮＧであり、且つエンコーダからの信号もＮＧであれば、モータの異常と判断し（Ｓ４１２）、モータにトルクの切り替え信号を出力する。この際に、モータに入力する電力値を段階的に増大し、Ｓ４０１に戻りボート回転開始処理を行う。
例えば、正常時の第一トルク設定値を１０００、第二トルク設定値を１２００、第三トルク設定値を１５００として設定する。モータ異常停止時に、第一トルク設定値から、第二トルク設定値に切替える。モータが回転したら第二トルク設定値を維持する。一方、第二トルク設定値でモータが回転しなかったら、第三トルク設定値に切替える。モータが回転したら第三トルク設定値を維持する。

モータが動作するまで段階的に電力値を増大させる。モータが動作を行ったら（ボート回転が正常Ｓ４０３）、モータへの入力電力値を維持し続ける。

第３の実施形態の効果
第２の実施形態に記載の効果若しくは以下に記載の効果のうち、少なくとも１つの効果を奏する。
（ａ）トルク設定値を段階的に上げることで、適切なトルク設定値にしやすくことができ、無駄にトルク値を大きくすることで生じるハード損傷（モータへ過負荷を与えることでモータの劣化具合が激しくなる等）を抑制することができる。
（ｂ）トルク設定値を段階的に上げることで、適切なトルク設定値にしやすくすることができ、無駄なエネルギー消費を抑制することができる。

本実施形態を、第一の実施形態で説明したモータ異常停止時のトルク設定値を上げる発明に替えて適用することで、センサ故障時のセンサ切替え技術と組合せても良い。

＜第４の実施形態＞
第２の実施形態と異なる点は、モータ異常停止時に、モータが回転し始めることを確認できるまで、トルク設定値を上げる点である。

回転確認センサの信号がＮＧであり、且つエンコーダからの信号もＮＧであれば、モータの異常と判断し（Ｓ４１２）、モータにトルクの切り替え信号を出力する。この際に、モータに入力する電力値を増大させる。
すなわち、モータに異常があり、モータが回転していないと判断された場合に、モータに入力する電流値を増大させる。増大させてもモータの回転が確認できない場合には、更にモータへの入力電流値を増大させる。このように、徐々にモータへの入力電流値を増大させ、モータの回転が確認できたところで、モータへの入力電力値を維持する。

本実施形態の効果、第２の実施形態に記載の効果若しくは以下に記載の効果のうち、少なくとも１つの効果を奏する。
（ａ）モータ異常停止時に、モータが回転し始めることを確認できるまで、トルク設定値を上げることで、適切なトルク設定値にしやすくことができ、無駄にトルク値を大きくすることで生じるハード損傷（モータへ過負荷を与えることでモータの劣化具合が激しくなる等）を抑制することができる。
（ｂ）モータ異常停止時に、モータが回転し始めることを確認できるまで、適切なトルク設定値にしやすくことができ、無駄なエネルギー消費を抑制することができる。

本実施形態を、第１の実施形態で説明したモータ異常停止時のトルク設定値を上げる発明に替えて適用することで、センサ故障時のセンサ切替え技術と組合せても良い。

＜第５の実施形態＞
第２の実施形態と異なる点は、モータ異常停止時に、トルク設定値を上げて、所定期間モータ回転したことを確認した後、トルク設定値を下げる点である。
図９は、本発明の第５の実施形態で好適に用いられる回転部の別の実施形態のモータのトルク切り替え動作フロー図である。
図９に基づき以下に説明する。モータが異常停止した際（Ｓ５１２）に、モータへの入力電流値を増大させていき（Ｓ５１４、Ｓ５１５、Ｓ５１６）、モータの回転が確認（Ｓ５１８）された際に、所定期間モータが異常なく回転していることが確認（Ｓ５１９）された後、モータへの入力電力値を下げる制御（Ｓ５２０）を行うものである。

第５の実施形態の効果
第２の実施形態に記載の効果若しくは以下に記載の効果のうち、少なくとも１つの効果を奏する。
（ａ）モータ異常の種類として、回転軸に副生成物が詰まっていて回転動作ができない場合があるが、その場合、一旦、回転動作できたら、回転軸から副生成物が除去されることになる。モータ異常停止時に、トルク設定値を上げて、モータ回転すれば、回転軸から副生成物が除去されるため、回転を維持することができ、その後、トルク設定値を下げることで、無駄なエネルギー消費を抑制することができる。

本実施形態を、第１の実施形態で説明したモータ異常停止時のトルク設定値を上げる発明に替えて適用することで、センサ故障時のセンサ切替え技術と組合せても良い。

＜第６の実施形態＞
第５の実施形態と異なる点は、モータ異常停止時に、一度トルク設定値を上げて、所定期間モータ回転させた後、トルク設定値を下げたときに、再び回転が停止したら、再びトルク設定値を上げる点である。
図１０は、本発明の第６の実施形態で好適に用いられる回転部の別の実施形態のモータのトルク切り替え動作フロー図である。図１０に基づき、以下に説明する。
モータが異常停止したと判断（Ｓ６１２）された際に、モータへの入力電流値を増大させていき（Ｓ６１４、Ｓ６１５、Ｓ６１６）、モータの回転が確認（Ｓ６１８）された際に、所定期間モータが異常なく回転していることが確認（Ｓ６１９）された後、モータへの入力電力値を下げる制御（Ｓ６２０）を行い、再度モータ動作の確認（Ｓ６２１）を行い、モータが動作していなければ、再度モータの入力電力値を上げる（Ｓ６１４）制御を行うものである。

本実施形態の効果
第５の実施形態に記載の効果若しくは以下に記載の効果のうち、少なくとも１つの効果を奏する。
（ａ）モータ異常の種類として、回転軸に副生成物が詰まっていて回転動作ができない場合があるが、その場合、一旦、回転動作できたら、回転軸から副生成物が除去されることになる。しかしながら、回転軸に副生成物が所定量より多く詰まっていたり、別の要因によるモータ回転停止であったりするのであれば、トルク設定値を小さくすると、再び回転動作が停止してしまう。そこで、再び回転が停止したら、再びトルク設定値を上げることで、回転を維持することができる。

本実施形態を、第１の実施形態で説明したモータ異常停止時のトルク設定値を上げる発明に替えて適用することで、センサ故障時のセンサ切替え技術と組合せても良い。

以上説明した基板処理装置１０で行われる成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、Ｅｐｉ、その他酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理がある。更に、アニール処理、酸化処理、拡散処理等の処理でも構わない。

また、上述した実施形態では、基板処理装置が縦型処理装置１０であるとして記載したが、枚葉装置についても同様に適用することができ、さらに、エッチング装置、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、検査装置等にも同様に適用することができる。

また、上述した実施形態では、基板処理装置１０として、例えば、半導体装置（ＩＣ）の製造方法を実施する半導体製造装置として構成されているが、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置にも適用することができる。

また、複数の基板処理装置１０に通信回線を介して接続され、複数の基板処理装置１０の状態を管理する群管理装置（管理サーバ）及びこのような基板処理装置及び群管理装置を含む基板処理システムにも適用することができる。尚、群管理装置は、基板処理装置と同じフロア（クリーンルーム）に配置する必要はなく、例えば、ＬＡＮ接続され、事務所に配置してもよい。また群管理装置において、格納部（データベース）や制御部と操作部や表示部を一体にする必要はなく、それぞれを別体にしてもよく、クリーンルーム上に配置されたデータベース内のデータを遠隔で事務所に配置された端末装置による操作画面上の操作（例えばインストール作業等）を行えるように構成しても良い。

なお、前述のプログラムとは、例えば、コンピュータ読み取り可能なハードディスク、フレキシブルディスク、コンパクトディスクなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体からシステムの制御部にインストールされたものであっても良い。

本発明の好ましい態様について付記する。

[付記１]
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室を備える基板処理装置であって、
前記処理室内で基板を回転させる回転部と、該回転部に対し通電する通電部と、第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部の回転動作が停止したときに、前記回転部に対し前記第一電流値よりも大きい第二電流値で通電するように制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。

[付記２]
本発明の他の一態様によれば、
基板を処理する処理室を備える基板処理装置であって、
前記処理室内で基板を回転させる回転部と、該回転部に対し通電する通電部と、第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部の回転動作が停止したときに、前記回転部に対し前記第一電流値よりも大きい第二電流値で通電し前記回転部が回転を開始するように制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。

[付記３]
本発明の他の一態様によれば、
基板を処理する処理室を備える基板処理装置であって、
前記処理室内で基板を回転させる回転部と、該回転部に対し通電する通電部と、第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部の回転動作が停止したときに、前記回転部が回転を開始するまで、前記回転部に対する通電を前記第一電流値よりも大きくし続けるように制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。

[付記４]
前記制御部は、前記回転部が回転を開始した後に、前記回転部に対し前記第一電流値で通電するよう制御する付記１、２いずれか一項の基板処理装置。

[付記５]
前記制御部は、前記回転部が回転を開始した後であって、前記回転部に対する通電を前記第二電流値から前記第一電流値へ変更したときに前記回転動作が停止した場合には、前記第一電流値から前記第二電流値へ変更して通電するよう制御する付記３の基板処理装置。

[付記６]
前記回転部への通電状態を記憶する記憶部を備える付記１〜５の基板処理装置。

[付記７]
前記回転部への通電状態を表示する表示部を備える付記１〜６の基板処理装置。

[付記８]
本発明の他の一態様によれば、
基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
第一電流値で回転部に通電し回転させた基板を処理室内で処理する工程と、
前記第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部が停止したときに、前記回転部に対し前記第一電流値より大きい第二電流値で通電し前記回転部が回転を開始する工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。

[付記９]
本発明の他の一態様によれば、
基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
第一電流値で回転部に通電し回転させた基板を処理室内で処理する工程と、
前記第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部が停止したときに、前記回転部が回転を開始するまで、前記回転部に対する通電を前記第一電流値よりも大きくし続ける工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。

[付記１０]
本発明の他の一態様によれば、
基板を処理する基板処理方法であって、
第一電流値で回転部に通電し回転させた基板を処理室内で処理する工程と、
前記第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部が停止したときに、前記回転部に対し前記第一電流値より大きい第二電流値で通電する工程と、を備える基板処理方法が提供される。

[付記１１]
本発明の他の一態様によれば、
基板を処理する基板処理方法であって、
第一電流値で回転部に通電し回転させた基板を処理室内で処理する工程と、
前記第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部が停止したときに、前記回転部に対し前記第一電流値より大きい第二電流値で通電し前記回転部が回転を開始する工程と、を備える基板処理方法が提供される。

[付記１２]
本発明の他の一態様によれば、
基板を処理する基板処理方法であって、
第一電流値で回転部に通電し回転させた基板を処理室内で処理する工程と、
前記第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部が停止したときに、前記回転部が回転を開始するまで、前記回転部に対する通電を前記第一電流値よりも大きくし続ける工程と、を備える基板処理方法が提供される。

１１ ボート
３０１ メイン制御部
３０２ モータ制御部
３０３ 駆動部
３０８ コントローラ
３１０ 回転確認センサ切り替えＳＷ
３１２ ＩＮＩセンサ切り替えＳＷ

Claims (2)

1. 基板を処理する処理室を備える基板処理装置であって、
   前記処理室内で基板を回転させる回転部と、該回転部に対し通電する通電部と、第一電流値で前記回転部に通電している状態で前記回転部の回転動作が停止したときに、該回転部に対し前記第一電流値よりも大きい第二電流値で通電するように制御する制御部と、を備える基板処理装置。
2. 基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
   第一電流値で基板回転部に通電し回転させた基板を処理室内で処理する工程と、
   前記第一電流値で前記基板回転部に通電している状態で前記回転部の回転動作が停止したときに、前記回転部に対し前記第一電流値よりも大きい第二の電流値で通電する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
   
   
   
   
   
   

Images