CN102668040A - 半导体装置以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置以及半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102668040A
CN102668040A CN2010800426593A CN201080042659A CN102668040A CN 102668040 A CN102668040 A CN 102668040A CN 2010800426593 A CN2010800426593 A CN 2010800426593A CN 201080042659 A CN201080042659 A CN 201080042659A CN 102668040 A CN102668040 A CN 102668040A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
titanium
semiconductor device
nitride semiconductor
carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800426593A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102668040B (zh
Inventor
杉本雅裕
関章宪
川桥宪
高桥康夫
前田将克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Publication of CN102668040A publication Critical patent/CN102668040A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102668040B publication Critical patent/CN102668040B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有相对于氮化物半导体的接触电阻较低的电极。该制造方法具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。在含钛层和氮化物半导体层之间形成TiN和TiC的无限固溶体Ti(C，N)的层。由此，含钛层在其边界部整体上相对于氮化物半导体层被欧姆接触。

Description

半导体装置以及半导体装置的制造方法
技术领域
本说明书所记载的技术涉及一种半导体装置，其具有相对于氮化物半导体层被欧姆接触的电极。
背景技术
如日本特许公开公报2008-235405号(以下，称为专利文献1)所公开的内容所示，相对于GaN层欧姆接触的电极的材料，通常使用Ti。通常，在形成该电极时，在GaN层上形成Ti层，之后对半导体基板实施热处理。当半导体基板被实施热处理时，在Ti层和GaN层的边界部上将形成TIN层。TiN层相对于GaN层而表现出良好的欧姆特性。由此，Ti层成为相对于GaN层的欧姆电极。
发明内容
发明所要解决的课题
在上述的电极形成方法中，在Ti层和GaN层的边界部上以岛状而形成有TiN层。即，未在Ti层和GaN层的边界部整体上形成TiN层，而是在其边界部上局部地形成TiN层。其原因在于，在实施热处理时，在Ti层和GaN层的边界部上TiN会产生偏析。如此，在上述的电极形成方法中，由于在Ti层和GaN层的边界部上以岛状而形成了TiN层，因此Ti层和GaN层之间的接触电阻增大。
本说明书提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有相对于氮化物半导体的接触电阻较低的电极。
用于解决课题的方法
本说明书所公开的半导体装置的制造方法具有：含碳层形成工序和含钛层形成工序。在含碳层形成工序中，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层。在含钛层形成工序中，在含碳层上形成含有钛的含钛层形成工序。
当在含碳层上形成含钛层时，通过氮化物半导体层中的N、含碳层中的C以及含钛层中的Ti，从而形成了作为TiN和TiC的无限固溶体的Ti(C，N)。Ti(C，N)相对于氮化物半导体层而表现出良好的欧姆特性。此外，由于Ti(C，N)为无限固溶体，因此不易产生偏析。因此，含钛层在较大的范围内与氮化物半导体层欧姆接触。因此，含钛层与氮化物半导体层之间的接触电阻与现有的电极相比而降低。根据该制造方法，能够获得如下的半导体装置，其具有与现有的电极相比，相对于氮化物半导体层的接触电阻较低的电极(即，含钛层)。
上述的制造方法中，也可以采用如下方式，即，在含钛层形成工序之后，还具有对半导体基板进行加热的退火工序。
当在含钛层形成工序之后实施退火工序时，氮化物半导体层和含钛层之间的接触电阻将进一步降低。可以认为其原因在于，通过退火工序，从而促进了由氮化物半导体层中的N、含碳层中的C、以及含钛层中的Ti生成无限固溶体Ti(C，N)的反应。
此外，本说明书提供一种具有相对于氮化物半导体层的接触电阻较低的电极的半导体装置。该半导体装置具有：氮化物半导体层、无限固溶体层、以及含钛层。无限固溶体层被形成在氮化物半导体层上，并由碳化钛和氮化钛的无限固溶体构成。含钛层被形成在无限固溶体层上，并含有钛。
由于在该半导体装置中，含钛层经由无限固溶体层而与氮化物半导体层连接，因此含钛层和氮化物半导体层之间的接触电阻较低。含钛层成为相对于氮化物半导体层的良好的欧姆电极。
附图说明
图1为表示实施例1的半导体装置的制造方法中形成电极的工序的流程图。
图2为在C层12形成之后的n型GaN层10的表面附近的剖视图。
图3为在Ti层14形成之后的n型GaN层10的表面附近的剖视图。
图4为表示通过现有的方法而形成的电极的、电流-电压特性的图表。
图5为表示通过实施例1以及实施例2的方法而形成的电极的、电流-电压特性的图表。
具体实施方式
(实施例)
下面对实施例所涉及的半导体装置的制造方法进行说明。另外，由于本制造方法中，在形成电极的工序中具有特征，因此关于其他工序(在半导体基板内形成各种区域的工序)，省略对其说明。
(实施例1)
在实施例1的制造方法中，按照图1的流程图，在半导体基板的表面上形成电极。在本实施例中，在半导体基板中的、n型的GaN层的表面上形成电极。在步骤S2中，对半导体基板的表面进行溅射清洗。在步骤S4中，如图2所示，通过阴极真空喷镀而在n型的GaN层10的表面上形成由碳构成的C层12。在步骤S6中，通过阴极真空喷镀而在C层12的表面上形成由钛构成的Ti层14。当在步骤S6中形成Ti层14时，如图3所示，在Ti层14和GaN层10之间形成有作为TiC和TiN的无限固溶体的、Ti(C，N)的层16。可以认为其原因在于，Ti层14中的Ti、C层12中的C、以及GaN层10中的N通过Ti层14的阴极真空喷镀时所产生的热量而发生反应。在步骤S6中形成的Ti层14成为半导体装置的电极。
另外，在步骤S4、S6中，在应该形成电极的范围内选择性地形成C层12以及Ti层14。C层12以及Ti层14能够通过现有的公知技术而选择性地形成。此外，在步骤S6中，形成与在步骤S4中形成的C层12相比更厚的Ti层14。
如果形成Ti层14，则能够在Ti层14和GaN层10之间得到接触电阻较低的欧姆接触。可以认为其理由如下。n型的GaN的功函数为约3.1eV。TiC的功函数为约3.5eV。TiN的功函数为约3.75eV。即，TiC以及TiN均具有高于n型的GaN的功函数。因此，TiC以及TiN相对于n型的GaN具有欧姆特性。因此，作为TiC和TiN的无限固溶体的Ti(C，N)，相对于n型的GaN也具有欧姆特性。此外，由于Ti(C，N)为无限固溶体，因此不易产生偏析。因此，在步骤S6中，Ti(C，N)层16均匀地形成在Ti层14和GaN层10的边界部整体上。因此，在步骤S6中形成的Ti层14以遍布与GaN层10的边界部整体的方式而与GaN层10欧姆接触。因此，与相对于GaN层以岛状而欧姆接触的现有的电极相比，Ti层14相对于GaN层的接触电阻更低。
图4图示了在通过现有的方法(即，直接在n型GaN层上形成Ti层，之后，对半导体基板进行退火的方法)而形成了Ti层的情况下的、Ti层和n型GaN层之间的电流-电压特性。此外，图5中的图表A1图示了通过实施例1的制造方法而形成的、Ti层14和n型GaN层10之间的电流-电压特性。通过对图4以及图5进行比较可以明确看出，通过实施例1的制造方法而形成的Ti层14，与通过现有技术而形成的Ti层相比，接触电阻更低。因此，通过实施例1的制造方法而形成的Ti层14成为良好的欧姆电极。
(实施例2)
接下来，对实施例2的半导体装置的制造方法进行说明。在实施例2的制造方法中，与实施例1的制造方法同样地，实施步骤S2至S6。并且，在实施例2的制造方法中，在步骤S6之后，对半导体基板进行退火处理。在退火处理中，将半导体基板在大约873K的温度中保持大约300秒。
图5中的图表A2图示了通过实施例2的制造方法而形成的Ti层14和n型GaN层10之间的电流-电压特性。如图5所示，通过对半导体基板进行退火处理，从而进一步降低Ti层14相对于GaN层10的接触电阻。根据实施例2的制造方法，能够制造出具有接触电阻更低的电极的半导体装置。
如以上的说明所述，根据实施例1以及实施例2的制造方法，能够制造出如下的半导体装置，其具有与现有技术相比相对于n型GaN层10的接触电阻更低的电极(即，Ti层14)。此外，根据实施例1的制造方法，即使在Ti层14形成之后不对半导体基板进行退火，Ti层14和GaN层10也被欧姆接触。因此，与现有技术相比，能够以更高的制造效率来制造半导体装置。此外，根据实施例2的制造方法，能够制造出与实施例1相比具有接触电阻更低的电极的半导体装置。
此外，在上述的实施例1以及实施例2中，在步骤S6中，使Ti层14形成为厚于C层12。通过使Ti层14形成为厚于C层12，从而能够使C层12的整体发生反应，进而在GaN层10和Ti层14之间的整体上形成Ti(C，N)层16。即，防止了在GaN层10和Ti层14之间残存C层12的情况。由此，能够进一步降低Ti层14的接触电阻。
另外，虽然在上述的实施例1以及实施例2中，通过阴极真空喷镀而形成了C层12，但也可以通过蒸镀等而形成C层12。此外，虽然在实施例1以及实施例2中，通过阴极真空喷镀而形成了Ti层14，但还可以通过蒸镀等而形成Ti层14。在实施例1以及实施例2中，在通过蒸镀而形成Ti层14的情况下，也能够得到较低的接触电阻。
此外，虽然在上述的实施例1以及实施例2中，Ti层14露出于最外层的表面，但也可以在Ti层14上形成其他的金属层(例如，Al、Ni以及Au等)，从而使电极成为多层结构。
此外，实施例1以及实施例2的制造方法能够被应用于各种半导体装置的制造中。例如，能够被应用于LED、或GaN类功率器件(二极管、晶体管等)的制造中。

Claims (3)

1.一种半导体装置的制造方法，具有：
含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；
含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中，
在含钛层形成工序之后，还具有对半导体基板进行加热的退火工序。
3.一种半导体装置，具有：
氮化物半导体层；
无限固溶体层，其被形成在氮化物半导体层上，并由碳化钛和氮化钛的无限固溶体构成；
含钛层，其被形成在无限固溶体层上，并含有钛。
CN201080042659.3A 2009-10-01 2010-09-02 半导体装置以及半导体装置的制造方法 Active CN102668040B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009229381A JP5375497B2 (ja) 2009-10-01 2009-10-01 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2009-229381 2009-10-01
PCT/JP2010/065013 WO2011040172A1 (ja) 2009-10-01 2010-09-02 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102668040A true CN102668040A (zh) 2012-09-12
CN102668040B CN102668040B (zh) 2015-01-28

Family

ID=43826000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080042659.3A Active CN102668040B (zh) 2009-10-01 2010-09-02 半导体装置以及半导体装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8633101B2 (zh)
EP (1) EP2485250B1 (zh)
JP (1) JP5375497B2 (zh)
CN (1) CN102668040B (zh)
WO (1) WO2011040172A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019127849A1 (zh) * 2017-12-28 2019-07-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高功函数可调的过渡金属氮化物材料、其制备方法及应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230246088A1 (en) * 2022-02-01 2023-08-03 Stmicroelectronics S.R.L. Manufacturing process of an ohmic contact of a hemt device and hemt device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1216635A (zh) * 1996-03-07 1999-05-12 3C半导体公司 碳化硅上的锇整流肖特基和欧姆连接以及W/WC/TiC欧姆接触
US5965911A (en) * 1995-03-30 1999-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Mos transistor adopting titanium-carbon-nitride gate electrode and manufacturing method thereof
EP1035564A2 (en) * 1999-01-13 2000-09-13 Lucent Technologies Inc. Diffusion barrier for high dielectric constant materials
CN1614776A (zh) * 2003-11-04 2005-05-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP2008235405A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Denso Corp 半導体装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3174135B2 (ja) * 1992-05-07 2001-06-11 シャープ株式会社 化合物半導体装置
JP3171677B2 (ja) * 1992-07-24 2001-05-28 シャープ株式会社 オーミック電極
JPH09266351A (ja) 1996-03-28 1997-10-07 Fuji Photo Film Co Ltd ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子
US6072818A (en) 1996-03-28 2000-06-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Semiconductor light emission device
JP2000315817A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体装置
JP4514252B2 (ja) * 1999-07-29 2010-07-28 古河電気工業株式会社 ＧａＮ系半導体装置の製造方法
US6436819B1 (en) * 2000-02-01 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Nitrogen treatment of a metal nitride/metal stack
JP3408527B2 (ja) * 2000-10-26 2003-05-19 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US6853076B2 (en) * 2001-09-21 2005-02-08 Intel Corporation Copper-containing C4 ball-limiting metallurgy stack for enhanced reliability of packaged structures and method of making same
US7531212B2 (en) * 2002-08-08 2009-05-12 Kobe Steel, Ltd. Process for producing an alumina coating comprised mainly of α crystal structure
WO2004111288A2 (en) * 2003-06-12 2004-12-23 Sunel Technologies, Llc Fabrication of titanium and titanium alloy anode for dielectric and insulated films
US7230292B2 (en) * 2003-08-05 2007-06-12 Micron Technology, Inc. Stud electrode and process for making same
JP4841844B2 (ja) 2005-01-05 2011-12-21 三菱電機株式会社 半導体素子
US7316962B2 (en) * 2005-01-07 2008-01-08 Infineon Technologies Ag High dielectric constant materials
KR100878433B1 (ko) * 2005-05-18 2009-01-13 삼성전기주식회사 발광소자의 오믹컨택층 제조방법 및 이를 이용한발광소자의 제조방법
JP2007005764A (ja) 2005-05-27 2007-01-11 Toyota Motor Corp 半導体装置とその製造方法
KR101272097B1 (ko) * 2005-06-03 2013-06-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 집적회로 장치 및 그의 제조방법
KR100753152B1 (ko) * 2005-08-12 2007-08-30 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
US7795050B2 (en) * 2005-08-12 2010-09-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Single-crystal nitride-based semiconductor substrate and method of manufacturing high-quality nitride-based light emitting device by using the same
JP4991134B2 (ja) * 2005-09-15 2012-08-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN102130234A (zh) * 2005-10-29 2011-07-20 三星电子株式会社 半导体器件的制造方法
US7851915B2 (en) * 2007-04-30 2010-12-14 Stmicroelectronics S.A. Electronic component comprising a titanium carbonitride (TiCN) barrier layer and process of making the same
JP2010021490A (ja) * 2008-07-14 2010-01-28 Kobe Steel Ltd 半導体配線
US7846841B2 (en) * 2008-09-30 2010-12-07 Tokyo Electron Limited Method for forming cobalt nitride cap layers
JP4415100B1 (ja) * 2008-12-19 2010-02-17 国立大学法人東北大学 銅配線、半導体装置および銅配線形成方法
KR101094375B1 (ko) * 2009-11-30 2011-12-15 주식회사 하이닉스반도체 탄소함유 전극을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101094386B1 (ko) * 2009-11-30 2011-12-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 전극 및 캐패시터 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965911A (en) * 1995-03-30 1999-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Mos transistor adopting titanium-carbon-nitride gate electrode and manufacturing method thereof
CN1216635A (zh) * 1996-03-07 1999-05-12 3C半导体公司 碳化硅上的锇整流肖特基和欧姆连接以及W/WC/TiC欧姆接触
EP1035564A2 (en) * 1999-01-13 2000-09-13 Lucent Technologies Inc. Diffusion barrier for high dielectric constant materials
CN1614776A (zh) * 2003-11-04 2005-05-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP2008235405A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Denso Corp 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019127849A1 (zh) * 2017-12-28 2019-07-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高功函数可调的过渡金属氮化物材料、其制备方法及应用
CN109979802A (zh) * 2017-12-28 2019-07-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高功函数可调的过渡金属氮化物材料、其制备方法及应用
CN109979802B (zh) * 2017-12-28 2020-12-22 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高功函数可调的过渡金属氮化物材料、其制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
US20120217639A1 (en) 2012-08-30
EP2485250A1 (en) 2012-08-08
EP2485250B1 (en) 2014-07-16
EP2485250A4 (en) 2013-08-21
JP5375497B2 (ja) 2013-12-25
US8633101B2 (en) 2014-01-21
JP2011077428A (ja) 2011-04-14
CN102668040B (zh) 2015-01-28
WO2011040172A1 (ja) 2011-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8895422B2 (en) Production of an integrated circuit including electrical contact on SiC
TW451504B (en) Compound semiconductor device and method for making the same
JP5286677B2 (ja) Ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上のオーミック電極の形成方法
JP5449786B2 (ja) 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法
US9129804B2 (en) Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
CN102037575A (zh) 发光元件及其制造方法
CN101369599B (zh) 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
TW201104862A (en) Semiconductor device and method of producing same
CN103548119A (zh) SiC半导体器件及其制造方法
EP2518758A1 (en) N-type contact electrode comprising a group iii nitride semiconductor, and method for forming same
CN100524632C (zh) 半导体装置的制造方法
CN101303978A (zh) 适用于氮化镓器件n型欧姆接触的制作方法
WO2008053627A1 (en) OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
CN104170092B (zh) 半导体装置
JP5369581B2 (ja) 半導体デバイス用裏面電極、半導体デバイスおよび半導体デバイス用裏面電極の製造方法
WO2008023687A1 (fr) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU SiC ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
CN102668040A (zh) 半导体装置以及半导体装置的制造方法
JP2008147294A (ja) 電子デバイス
JP5052169B2 (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
US20060267128A1 (en) Schottky barrier diode and method of producing the same
JP2006032456A (ja) 半導体素子および半導体素子の製造方法
CN100544024C (zh) 氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作方法
CN102496567B (zh) 一种iii-v族半导体镍金属化制造方法
CN102931224A (zh) 用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构及其制备方法
TW201137975A (en) Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201015

Address after: Aichi Prefecture, Japan

Patentee after: DENSO Corp.

Address before: Aichi Prefecture, Japan

Patentee before: Toyota Motor Corp.