CN102598235B - 半导体接合用粘接剂、半导体接合用粘接膜、半导体芯片的安装方法及半导体装置 - Google Patents

半导体接合用粘接剂、半导体接合用粘接膜、半导体芯片的安装方法及半导体装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种透明性高且容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示的半导体接合用粘接剂。本发明为一种半导体接合用粘接剂，含有环氧树脂、无机填料及固化剂，其中，所述无机填料含有半导体接合用粘接剂中的含量为30～70重量％，且含有平均粒径低于0.1μm的填料A和平均粒径为0.1μm以上且低于1μm的填料B，所述填料A相对于所述填料B的重量比为1/9～6/4。另外，本发明为一种半导体接合用粘接剂，含有环氧树脂、无机填料、固化剂，其中，所述环氧树脂和所述无机填料的折射率之差为0.1以下。

Description

半导体接合用粘接剂、半导体接合用粘接膜、半导体芯片的安装方法及半导体装置
技术领域
本发明涉及一种透明性高且容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示的半导体接合用粘接剂。
背景技术
在半导体装置的制造中，进行将半导体芯片粘接固定在基板或其它的半导体芯片上的焊接工序。焊接半导体芯片时，现在多使用粘接剂、粘接膜等。
例如，在专利文献1中，公开有一种绝缘层用粘接膜，所述绝缘层用粘接膜在具有由半导体芯片和可挠性的配线基板和这些所夹持的绝缘层构成的结构的半导体装置中，绝缘层在加热粘接温度下的利用毛细管流变仪法测定的最低粘度为100～2000Pa·s。在专利文献1中记载有同文献中记载的绝缘层用粘接膜的膜的浸出量控制、耐热性、电路填充性优异。
另一方面，近年来，半导体装置的小型化、高集成化正不断进展，例如也生产在表面上具有多个突起(凸块)作为电极的倒装芯片、层叠多个磨薄的半导体芯片的叠层芯片等。进而，为了高效生产这样的小型化、高集成化的半导体装置，制造工序的自动化也正不断发展。
在近年的自动化的焊接工序中，通过照相机识别半导体芯片上所设置的图案或位置显示来进行半导体芯片的对位。此时，从半导体芯片上所层叠的粘接剂上识别图案或位置显示，因此，焊接时所使用的粘接剂寻求照相机可充分识别图案或位置显示的程度的透明性。
但是，对现有的粘接剂而言，为了降低固化物的线膨胀率来实现较高的接合可靠性而混入大量的无机填料成为透明性降低的原因。因此，照相机识别的图案或位置显示的识别变困难而妨碍提高半导体装置的生产率正成为问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-12545号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种透明性高且容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示的半导体接合用粘接剂。
解决技术问题的技术手段
本发明1为一种半导体接合用粘接剂，含有环氧树脂、无机填料及固化剂，其中，所述无机填料含有半导体接合用粘接剂中的含量为30～70重量％，且含有平均粒径低于0.1μm的填料A和平均粒径为0.1μm以上且低于1μm的填料B，所述填料A相对于所述填料B的重量比为1/9～6/4。
本发明2为一种半导体接合用粘接剂，含有环氧树脂、无机填料、固化剂，其中，所述环氧树脂和所述无机填料的折射率之差为0.1以下。
在半导体接合用粘接剂中，为了在维持固化物的线膨胀率的同时提高透明性，一般有效的是使用平均粒径充分小于光的波长的无机填料。但是，使用这样的无机填料时，由于半导体接合用粘接剂的粘度增大使流动性降低，因此，存在以下问题：涂布性降低，或相对于在表面具有突起电极的晶片，该半导体接合用粘接剂构成的粘接剂层的随动性降低。
对此，本发明人等发现，在含有环氧树脂、无机填料及固化剂的半导体接合用粘接剂中，将无机填料的半导体接合用粘接剂中的含量设在规定的范围，进而，通过以规定的重量比使用具有规定的平均粒径的两种无机填料，由此可以同时实现优异的涂布性、高接合可靠性及较高的透明性。本发明人等发现由于这样的半导体接合用粘接剂的透明性高，因此，照相机容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示，以至完成了本发明1。
本发明人等着眼于一般用于半导体接合用粘接剂的具有线性酚醛型环氧树脂、双酚型环氧树脂、环氧基的丙烯酸树脂等的折射率为1.4～1.6左右，与此相对，例如一般用作无机填料的二氧化硅的折射率为1.2～1.4左右，两者的折射率存在差异。
本发明人等发现在含有环氧树脂、无机填料、固化剂的半导体接合用粘接剂中，通过将环氧树脂和无机填料的折射率之差设为0.1以下，由此可以抑制透过半导体接合用粘接剂的光的散射，可得到透明性高的半导体接合用粘接剂。本发明人等发现，通过使用这样的半导体接合用粘接剂，容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示，以至完成本发明2。
以下，对本发明1及本发明2进行详细叙述。
另外，在本说明书中，本发明1和本发明2中共通的事项仅作为“本发明”进行说明。
本发明的半导体接合用粘接剂含有环氧树脂。
所述环氧树脂没有特别限定，但优选含有在主链上具有多环式烃骨架的环氧树脂。通过含有在主链上具有所述多环式烃骨架的环氧树脂，得到的半导体接合用粘接剂的固化物为刚性且阻碍分子的运动，因此，表现出优异的机械强度及耐热性，另外，由于吸水性降低，因此，表现出烃优异的耐湿性。
在主链上具有所述多环式烃骨架的环氧树脂没有特别限定，例如可以举出：具有二氧化双环戊二烯、二环戊二烯骨架的酚醛清漆环氧树脂等具有二环戊二烯骨架的环氧树脂(以下，也称为二环戊二烯型环氧树脂)、1-缩水甘油基萘、2-缩水甘油基萘、1，2-二缩水甘油基萘、1，5-二缩水甘油基萘、1，6-二缩水甘油基萘、1，7-二缩水甘油基萘、2，7-二缩水甘油基萘、三缩水甘油基萘、1，2，5，6-四缩水甘油基萘等具有萘骨架的环氧树脂(以下，也称为萘型环氧树脂)、四羟基苯基乙烷型环氧树脂、四(缩水甘油氧基苯基)乙烷、3，4-环氧-6-甲基环己基甲基-3，4-环氧-6-甲基环己烷碳酸酯等。其中，优选二环戊二烯型环氧树脂、萘型环氧树脂。
在主链上具有这些多环式烃骨架的环氧树脂可以单独使用，也可以并用两种以上，另外，也可以与双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂等通用的环氧树脂并用。
优选所述萘型环氧树脂含有具有下述通式(1)所示的结构的化合物。通过含有具有下述通式(1)所示的结构的化合物，可以降低得到的半导体接合用粘接剂的固化物的线膨胀率，可以提高固化物的耐热性及粘接性，实现更高的接合可靠性。
[化学式1]
在通式(1)中，R4及R5分别表示氢原子、卤素原子、烷基、芳基或苯基，n及m分别为0或1。
在所述环氧树脂含有具有所述通式(1)所示的结构的化合物的情况下，具有所述通式(1)所示的结构的化合物的配合量没有特别限定，但所述环氧树脂中的优选的下限为3重量％，优选的上限为90重量％。具有所述通式(1)所示的结构的化合物的配合量低于3重量％时，有时无法充分得到降低半导体接合用粘接剂的固化物的线膨胀率的效果，或粘接力降低。具有所述通式(1)所示的结构的化合物的配合量超过90重量％时，有时具有该通式(1)所示的结构的化合物和其它的配合成分相分离，半导体接合用粘接剂的涂布性降低，或吸水率变高。对具有所述通式(1)所示的结构的化合物的配合量而言，所述环氧树脂中的更优选的下限为5重量％，更优选的上限为80重量％。
本发明的半导体接合用粘接剂优选还含有高分子化合物。通过含有所述高分子化合物，可以对得到的半导体接合用粘接剂赋予制膜性或可挠性，可得到接合可靠性优异的半导体接合用粘接剂。
所述高分子化合物没有特别限定，但优选具有与环氧树脂反应的官能团的高分子化合物。
具有与所述环氧树脂反应的官能团的高分子化合物没有特别限定，例如可以举出具有氨基、氨酯基、酰亚胺基、羟基、羧基、环氧基等的高分子化合物。其中，优选具有环氧基的高分子化合物。
在本发明的半导体接合用粘接剂含有在主链上具有所述多环式烃骨架的环氧树脂和具有所述环氧基的高分子化合物的情况下，半导体接合用粘接剂的固化物具有源自在主链上具有所述多环式烃骨架的环氧树脂的优异的机械强度、耐热性及耐湿性和源自具有所述环氧基的高分子化合物的优异的可挠性，耐冷热循环性、耐焊锡回流性、尺寸稳定性等优异，可以实现高接合可靠性及导通可靠性。
具有所述环氧基的高分子化合物只要是在末端及/或侧链(侧链位置)上具有环氧基的高分子化合物，就没有特别地限定，例如可以举出：含环氧基丙烯酸酯橡胶、含环氧基丁二烯橡胶、双酚型高分子量环氧树脂、含环氧基苯氧基树脂、含环氧基丙烯酸树脂、含环氧基氨酯树脂、含环氧基聚酯树脂等。这些具有环氧基的高分子化合物可以单独使用，也可以并用两种以上。其中，从包含许多环氧基，进一步提高得到的半导体接合用粘接剂的固化物的机械强度、耐热性考虑，优选含环氧基丙烯酸树脂。
所述高分子化合物除与所述环氧树脂反应的官能团之外，也可以具有光固化性官能团。
所述高分子化合物具有所述光固化性官能团，由此可对得到的半导体接合用粘接剂赋予光固化性，通过光照射进行半固化，可通过光照射控制由这样的半导体接合用粘接剂构成的粘接剂层等的粘合力或粘接力。
所述光固化性官能团没有特别限定，例如可以举出：丙烯酸基、甲基丙烯酸基等。
所述高分子化合物的重均分子量没有特别限定，但优选的下限为1万，优选的上限为100万。所述高分子化合物的重均分子量低于1万时，有时得到的半导体接合用粘接剂的固化物的粘接力不充分，或在将半导体接合用粘接剂进行膜化的情况下，膜化变难，或半导体接合用粘接剂的造膜性变得不充分，固化物的可挠性无法充分提高。所述高分子化合物的重均分子量超过100万时，有时得到的半导体接合用粘接剂在粘接工序下的表面湿润性变差，粘接强度差。
本发明的半导体接合用粘接剂含有所述高分子化合物的情况下，所述高分子化合物的配合量没有特别限定，但相对于所述环氧树脂100重量份的优选的下限为20重量份，优选的上限为100重量份。所述高分子化合物的配合量低于20重量份时，有时得到的半导体接合用粘接剂的固化物的可挠性降低，无法得到高接合可靠性及导通可靠性。所述高分子化合物的配合量超过100重量份时，有时得到的半导体接合用粘接剂的固化物的机械强度、耐热性及耐湿性降低，无法得到高接合可靠性及导通可靠性。
本发明的半导体接合用粘接剂含有无机填料。
通过含有所述无机填料，可使得到的半导体接合用粘接剂的固化物的线膨胀率降低，实现高接合可靠性。
对本发明1的半导体接合用粘接剂而言，作为无机填料，含有平均粒径低于0.1μm的填料A和平均粒径为0.1μm以上且低于1μm的填料B。
通过含有这样的两种无机填料，可以在维持高接合可靠性的同时抑制得到的半导体接合用粘接剂的粘度的增大及该粘度的增大引起的流动性的降低，提高涂布性，同时，可以提高透明性，使照相机容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示，提高半导体装置的生产率。
另外，通过抑制半导体接合用粘接剂的粘度的增大及该粘度的增大引起的流动性的降低，也可以提高由半导体接合用粘接剂构成的粘接剂层相对于在表面上具有突起电极的晶片的随动性。
所述填料A的平均粒径为0.1μm以上时，有时得到的半导体接合用粘接剂的透明性降低，在焊接半导体芯片时，利用照相机的图案或位置显示的识别变难。优选所述填料A的平均粒径低于0.08μm。
所述填料B的平均粒径低于0.1μm时，有时得到的半导体接合用粘接剂的接合可靠性降低，另外，粘度增大而使流动性降低，涂布性降低，或由半导体接合用粘接剂构成的粘接剂层相对于在表面上具有突起电极的晶片的随动性降低。所述填料B的平均粒径为1μm以上时，有时得到的半导体接合用粘接剂的透明性降低，在焊接半导体芯片时，利用照相机的图案或位置显示的识别变难。
所述填料B的平均粒径优选为0.15μm以上。另外，所述填料B的平均粒径优选低于0.8μm。
另外，在本说明书中，平均粒径是指由利用激光衍射式粒度分布测定装置测定的体积平均中的粒度分布测定结果求得的平均粒径。
所述填料A相对于所述填料B的重量比的下限优选为1/9，上限优选为6/4。所述填料A相对于所述填料B的重量比低于1/9时，有时得到的半导体接合用粘接剂的透明性降低，在焊接半导体芯片时，利用照相机的图案或位置显示的识别变难。所述填料A的相对于所述填料B的重量比超过6/4时，有时得到的半导体接合用粘接剂的接合可靠性降低，另外，粘度增大而使流动性降低，涂布性降低，或由半导体接合用粘接剂构成的粘接剂层相对于在表面上具有突起电极的晶片的随动性降低。
所述填料A相对于所述填料B的重量比的更优选的下限为2/8，更优选的上限为5/5。
本发明1的半导体接合用粘接剂中使用的无机填料只要平均粒径及重量比在所述范围内，就没有特别地限定，例如可以举出：二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硼、氮化硅、碳化硅、氧化镁、氧化锌等。另外，作为所述无机填料，例如也可以举出：硅、钛、铝、钙、硼、镁及锆的氧化物，及这些的复合物等，作为这样的复合物，具体而言，例如可以举出：硅-铝-硼复合氧化物、硅-钛复合氧化物、二氧化硅-二氧化钛复合氧化物等。其中，从滑动性优异的方面考虑，优选球状二氧化硅。
通过使用所述球状二氧化硅，可以进一步提高得到的半导体接合用粘接剂的接合可靠性，另外，可以进一步抑制粘度的增大及该粘度的增大引起的流动性的降低，可以进一步提高涂布性及由半导体接合用粘接剂构成的粘接剂层相对于在表面上具有突起电极的晶片的随动性。
在本发明2的半导体接合用粘接剂中，所述环氧树脂和所述无机填料的折射率之差为0.1以下。通过含有这样的无机填料，未降低得到的半导体接合用粘接剂的透明性，确保固化物的机械强度，另外，使线膨胀率降低，可以实现较高的粘接可靠性。所述环氧树脂和所述无机填料的折射率之差超过0.1时，透过得到的半导体接合用粘接剂的光的散射增加，半导体接合用粘接剂透明性降低，在焊接半导体芯片时，利用照相机的图案或位置显示的识别变难。
所述环氧树脂和所述无机填料的折射率之差优选为0.05以下。
本发明2的半导体接合用粘接剂中使用的无机填料只要与所述环氧树脂的折射率之差为0.1以下，就没有特别地限定，优选选自由硅、钛、铝、钙、硼、镁及锆的氧化物及这些复合物构成的组中的至少一个。
其中，由于具有与一般用作无机填料的二氧化硅类似的物性，因此更优选为硅-铝-硼复合氧化物、硅-钛复合氧化物、二氧化硅-二氧化钛复合氧化物。
本发明2的半导体接合用粘接剂中使用的无机填料的平均粒径没有特别限定，但优选的下限为0.1μm，优选的上限为30μm。所述无机填料的平均粒径低于0.1μm时，有时难以在半导体接合用粘接剂中填充无机填料，或得到的半导体接合用粘接剂的流动性降低，粘接性能降低。所述无机填料的平均粒径超过30μm时，有时得到的半导体接合用粘接剂的透明性降低在，焊接半导体芯片时，利用照相机的图案或位置显示的识别变难。另外，所述无机填料的平均粒径超过30μm时，有时由于无机填料的平均粒径较大，因此产生电极接合不良。
特别是通过使用平均粒径为0.5μm～5μm的无机填料，可以进一步提高半导体接合用粘接剂的透明性。另外，也可以根据需要使用平均粒径为纳米尺寸的无机填料作为所述无机填料。
本发明的半导体接合用粘接剂中使用的无机填料优选利用偶联剂进行表面处理。
通过进行表面处理，可以抑制所述无机填料的凝聚，提高与所述环氧树脂等树脂的亲和性。由此，可以进一步提高得到的半导体接合用粘接剂的接合可靠性，另外，可以进一步抑制粘度的增大及该粘度的增大引起的流动性的降低，可以进一步提高涂布性及由半导体接合用粘接剂构成的粘接剂层相对于在表面上具有突起电极的晶片的随动性。
所述偶联剂没有特别限定，例如可以举出：硅烷偶联剂、钛偶联剂、铝偶联剂等，其中，从与所述环氧树脂的亲和性及分散性的观点出发，优选硅烷偶联剂。
所述硅烷偶联剂没有特别限定，例如可以举出：乙烯基硅烷、环氧硅烷、苯乙烯基硅烷、(甲基)丙烯酰氧基硅烷、氨基硅烷、酰脲硅烷、巯基硅烷、咪唑硅烷、异氰酸酯硅烷、烷氧基硅烷等硅烷偶联剂。其中，优选烷氧基硅烷。
所述烷氧基硅烷没有特别限定，但特别优选苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷。
这些偶联剂可以单独使用，也可以并用两种以上。
本发明的半导体接合用粘接剂中的无机填料的含量没有特别限定，但相对于所述环氧树脂100重量份的优选的下限为30重量份，优选的上限为350重量份。所述无机填料的配合量低于30重量份时，有时无法充分得到确保半导体接合用粘接剂的固化物的机械强度，或使线膨胀率降低的效果。所述无机填料的配合量超过350重量份时，有时得到的半导体接合用粘接剂的粘度上升，粘接工序中的表面湿润性变差，粘接强度差。对所述无机填料的配合量而言，相对于所述环氧树脂100重量份的更优选的下限为40重量份，进一步优选的下限为60重量份，更优选的上限为225重量份，进一步优选的上限为150重量份，最优选的上限为120重量份。
另外，对所述无机填料而言，所述粘接剂层中的含量的优选的下限为10重量％，优选的上限为70重量％。所述无机填料的所述粘接剂层中的含量低于10重量％时，有时得到的粘接剂层的固化物的线膨胀率上升，难以实现高接合可靠性。所述无机填料的所述粘接剂层中的含量超过70重量％时，有时得到的粘接剂层的固化物由于弹性模量上升，无法缓和热应力，难以实现高接合可靠性，另外，无法充分抑制用于形成所述粘接剂层的粘接剂溶液的粘度的增大及该粘度的增大引起的流动性的降低。所述无机填料的所述粘接剂层中的含量的更优选的下限为20重量％，更优选的上限为60重量％，进一步优选的下限为30重量％，进一步优选的上限为55重量％，特别优选的下限为40重量％。
本发明的半导体接合用粘接剂含有固化剂。
所述固化剂没有特别限定，例如可以举出：三烷基四氢邻苯二甲酸酐等加热固型酸酐系固化剂；酚系固化剂、胺系固化剂、双氰胺等潜在性固化剂；阳离子系催化剂型固化剂等。这些固化剂可以单独使用，也可以并用两种以上。其中，优选酸酐系固化剂。
通过使用所述酸酐系固化剂，可以中和得到的半导体接合用粘接剂的固化物的酸度，可以提高电极的可靠性。另外，所述酸酐系固化剂由于热固化速度快，因此，可以有效地降低得到的半导体接合用粘接剂的固化物中的孔洞的产生，可以实现高接合可靠性。
另外，如后所述，在使用常温下为液状的咪唑化合物作为固化促进剂的情况下，通过并用具有双环骨架的酸酐作为固化剂，可以兼备高热固性和优异的储存稳定性及热稳定性。一般认为这是因为通过含有立体地具有体积大的双环骨架的酸酐，可抑制固化反应的反应性。另外，由于具有所述双环骨架的酸酐相对于所述环氧树脂的溶解性高，因此，可以进一步提高本发明的半导体接合用粘接剂的透明性。进而，通过使用具有所述双环骨架的酸酐，可以表现出固化物具有优异的机械强度、耐热性、电特性等。
具有所述双环骨架的酸酐没有特别限定，优选具有下述通式(a)所示的结构的化合物。
[化学式2]
在通式(a)中，X表示单键或双键的连接基团，R1表示亚甲基或亚乙基，R2及R3表示氢原子、卤素基团、烷氧基或烃基。
作为具有所述通式(a)所示的结构的化合物，具体而言，例如可以举出：纳迪克酸酐、甲基纳迪克酸酐等。这些可以单独使用，也可以并用两种以上。
具有所述双环骨架的酸酐的市售品没有特别限定，例如可以举出：YH-307及YH-309(日本环氧树脂公司制)、Licacid HNA-100(新日本理化公司制)等。这些可以单独使用，也可以并用两种以上。
所述固化剂的配合量没有特别限定，但在使用与所述环氧树脂的官能团等量反应的固化剂的情况下，相对于本发明的半导体接合用粘接剂中所含的环氧基的总量的优选的下限为60当量，优选的上限为110当量。所述固化剂的配合量低于60当量时，有时得到的半导体接合用粘接剂未充分固化。所述固化剂的配合量即使超过110当量，也未特别有助于半导体接合用粘接剂的固化性。所述固化剂的配合量的更优选的下限为70当量，更优选的上限为100当量。
以调整固化速度及固化物的物性等为目的，本发明的半导体接合用粘接剂还可以含有固化促进剂。
所述固化促进剂没有特别限定，例如可以举出：咪唑系固化促进剂、叔胺系固化促进剂等。这些固化促进剂可以单独使用，也可以并用两种以上。其中，从容易控制用于调整固化速度及固化物的物性等的反应系的方面考虑，优选咪唑系固化促进剂。
所述咪唑系固化促进剂没有特别限定，例如可以举出：用氰乙基保护咪唑的1位的1-氰乙基-2-苯基咪唑、用异氰脲酸保护碱性的咪唑系固化促进剂(商品名“2MA-OK”，四国化成工业公司制)等。这些咪唑系固化促进剂可以单独使用，也可以并用两种以上。
另外，所述咪唑系固化促进剂也可以含有在常温下为液状的咪唑化合物。在本说明书中，在常温下为液状是指在温度10～30℃下为液体状态。
一般通过配合所述咪唑系固化促进剂，可以在较低的温度下在短时间内使得到的半导体接合用粘接剂进行热固化，但由于许多所述咪唑系固化促进剂在常温下为固体，被粉碎成微小进行配合，因此，也成为透明性降低的原因。与此相对，通过含有所述在常温下为液状的咪唑化合物，可以进一步提高得到的半导体接合用粘接剂的透明性，例如在焊接半导体芯片时，利用照相机的图案或位置显示的识别变容易。
另外，如上所述，所述在常温下为液状的咪唑化合物优选与立体地具有体积大的双环骨架的酸酐并用而进行使用，由此，可以提高得到的半导体接合用粘接剂的储存稳定性及热稳定性。
进而，通过使用所述在常温下为液状的咪唑化合物，不需要将咪唑化合物粉碎至微小，可以更容易地制造半导体接合用粘接剂。
所述常温下液状的咪唑化合物只要在常温下为液状就没有特别限定，例如可以举出：2-乙基-4-甲基咪唑、1-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-乙基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基-4，5-二-(氰乙氧基甲基)咪唑、1，8-二氮杂双环(5.4.0)十一碳烯-7、及这些的衍生物等。
所述衍生物没有特别限定，例如可以举出：羧酸盐、异氰脲酸盐、磷酸盐、膦酸盐等盐、与环氧化合物的加成物等。
这些可以单独使用，也可以并用两种以上。其中，优选2-乙基-4-甲基咪唑及其衍生物。
上述在常温下为液状的咪唑化合物的市售品没有特别限定，例如可以举出2E4MZ、1B2MZ、1B2PZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、2PHZ-CN、1M2EZ、1B2EZ(以上，四国化成工业公司制)、EMI24(日本环氧树脂公司制)、Fujicure7000(富士化成公司制)等。它们可以单独使用，也可以并用两种以上。
在本发明的半导体接合用粘接剂含有所述在常温下为液状的咪唑化合物的情况下，所述在常温下为液状的咪唑化合物的配合量没有特别限定，相对于所述固化剂100重量份的优选的下限为5重量份，优选的上限为50重量份。所述在常温下为液状的咪唑化合物的配合量低于5重量份时，有时得到的半导体接合用粘接剂为了进行热固化需要在高温下进行长时间的加热。所述在常温下为液状的咪唑化合物的配合量超过50重量份时，有时得到的半导体接合用粘接剂的储存稳定性及热稳定性降低。
所述在常温下为液状的咪唑化合物的配合量相对于所述固化剂100重量份的更优选的下限为10重量份，更优选的上限为30重量份。
本发明的半导体接合用粘接剂也可以含有光聚合引发剂。
所述光聚合引发剂没有特别限定，例如可以举出通过照射250～800nm的波长的光而被活性化的引发剂。作为这样的光聚合引发剂，例如可以举出：甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物及苯偶姻丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻醚系化合物及苄基二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等缩酮衍生物化合物及氧化膦衍生物化合物及双(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物化合物、二苯甲酮、米氏酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮，α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等光自由基聚合引发剂。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以并用两种以上。
所述光聚合引发剂的配合量没有特别限定，相对于所述光固化性化合物100重量份，优选的下限为0.05重量份，优选的上限为5重量份。所述光聚合引发剂的配合量低于0.05重量份时，有时在使用得到的半导体接合用粘接剂来制作膜等的情况下，为了使粘接剂层进行半固化，即使照射能量线，也无法充分地使其半固化。所述光聚合引发剂即使超过5重量份进行配合，也未特别有助于光固化性。
本发明的半导体接合用粘接剂还可以根据需要含有丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、苯氧基树脂等一般的树脂，也可以含有硅烷偶联剂、钛偶联剂、增稠剂、消泡剂等添加剂。
本发明的半导体接合用粘接剂优选雾度值为70％以下。
通过设为所述范围的雾度值，可以提高半导体接合用粘接剂的透明性，使照相机容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示，可以提高半导体装置的生产率。
所述雾度值超过70％时，半导体接合用粘接剂的透明性降低，在焊接半导体芯片时，利用照相机的图案或位置显示的识别变难。本发明的半导体接合用粘接剂优选雾度值为60％以下。
另外，在本说明书中，半导体接合用粘接剂的雾度值是指使用村上色彩技术研究所公司制“HM-150”等雾度计测定将由该半导体接合用粘接剂构成的厚度40μm的粘接剂层的两面夹持在两张厚度25um的PET膜之间而得到的半导体接合用粘接膜时的雾度值(％)。
制造本发明的半导体接合用粘接剂的方法没有特别限定，例如可以举出：使用均质机等搅拌混合所述环氧树脂、所述固化剂、所述无机填料及根据需要添加的各材料的方法。
本发明的半导体接合用粘接剂的用途没有特别限定，例如可优选用作将半导体芯片焊接在基板或其它的半导体芯片时的粘接剂。其中，可优选用作安装在表面具有多个突起作为电极的倒装芯片时的粘接剂、底部填充材料、或兼备底部填充材料的粘接剂。
由于本发明的半导体接合用粘接剂的透明性高，因此，在使用本发明的半导体接合用粘接剂焊接半导体芯片时，照相机容易识别图案或位置显示，可以提高半导体装置的生产率。
本发明的半导体接合用粘接剂例如也可优选用于将半导体芯片焊接在基板或其它的半导体芯片时所使用的粘接膜的粘接剂层。
具有由本发明的半导体接合用粘接剂构成的粘接剂层和基材层的半导体接合用粘接膜也还为本发明之一。
所述粘接剂层的厚度没有特别限定，优选的下限为5μm，优选的上限为150μm。所述粘接剂层的厚度低于5μm时，有时得到的粘接剂层的固化物的粘接力不充分。所述粘接剂层的厚度超过150μm时，有时粘接剂层变得过厚，透明性降低，在焊接半导体芯片时，利用照相机的图案或位置显示的识别变难。所述粘接剂层的厚度的更优选的下限为15μm，更优选的上限为50m。
所述基材层只要是不妨碍本发明的效果的程度下透明就没有特别限定，例如可以举出：由聚烯烃、丙烯酸酯、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龙、氨酯、聚酰亚胺等树脂构成的层。
所述基材层的厚度没有特别限定，优选的下限为12μm，优选的上限为300μm。所述基材层的厚度低于12μm时，有时得到的半导体接合用粘接膜难以操作，或在用作具备背磨带功能的非导电性膜(BG-NCF)的情况下，无法得到充分的电极保护效果。所述基材层的厚度超过300μm时，有时得到的半导体接合用粘接膜的加工性差，或在包装时难以形成辊状，在用作BG-NCF的情况下，晶片的厚度不均变大。
另外，在本说明书中，具备背磨带功能的非导电性膜(BG-NCF)是指至少具有基材层和粘接剂层的膜，所述膜贴付在具有在表面具有多个突起(凸块)作为电极的晶片的突起电极的面上用作背磨带，然后，仅剥离基材层，在晶片上残留的膜在将半导体芯片焊接在基板或其它的半导体芯片时被使用。
制造本发明的半导体接合用粘接膜的方法没有特别限定，例如可以举出如下方法等：将所述环氧树脂、所述无机填料、所述固化剂及根据需要添加的各材料用适当的溶剂稀释，使用均质机等进行搅拌混合，由此得到本发明的半导体接合用粘接剂，将含有本发明的半导体接合用粘接剂的半导体接合用粘接剂溶液涂布在所述基材层上并进行干燥。
所述涂布的方法没有特别限定，例如可以举出使用逗号涂布(commacoating)、凹版涂布、浇铸等的方法。另外，如上所述，本发明的半导体接合用粘接剂通过含有规定量的规定的无机填料，可以抑制粘度的增大及该粘度的增大引起的流动性的降低，因此，含有本发明的半导体接合用粘接剂的半导体接合用粘接剂溶液的涂布性优异。
本发明的半导体接合用粘接膜的用途没有特别限定，例如优选用作将半导体芯片焊接在基板或其它的半导体芯片时的粘接膜等。其中，本发明的半导体接合用粘接膜更优选用于安装在表面具有多个突起(凸块)作为电极的倒装芯片时的粘接膜、兼备底部填充材料的粘接膜、BG-NCF等。
另外，在将本发明的半导体接合用粘接膜用作BG-NCF的情况下，进行对附着有该半导体接合用粘接膜的粘接剂层的晶片进行切割的工序，此时，表示切割处的晶片表面的切割线也还与图案或位置显示同样地从粘接剂层上利用照相机进行识别。因此，由于本发明的半导体接合用粘接剂的高透明性及由此引起的本发明的半导体接合用粘接膜的粘接剂层的高透明性，半导体晶片切割时的利用照相机识别切割线变容易，可以提高半导体装置的生产率。
一种使用本发明的半导体接合用粘接膜的半导体芯片的安装方法，具有：工序1，贴合本发明的半导体接合用粘接膜的粘接剂层和具有在表面具有突起电极的晶片的突起电极的面；工序2，将所述晶片在本发明的半导体接合用粘接膜上固定的状态下从背面进行磨削；工序3，从所述磨削后的晶片上所贴合的本发明的半导体接合用粘接膜上剥离基材层，得到附着有粘接剂层的晶片；工序4，使照相机自动识别附着有所述粘接剂层的晶片表面的切割线，沿所述切割线切割附着有所述粘接剂层的晶片，对附着粘接剂层的半导体芯片进行切单；工序5，使照相机自动识别附着有所述粘接剂层的半导体芯片的图案或位置显示和基板或其它的半导体芯片的图案或位置显示进行对位，经由粘接剂层将附着有所述粘接剂层的半导体芯片粘接在所述基板或其它的半导体芯片上来安装半导体芯片，所述半导体芯片的安装方法也还为本发明之一。
另外，作为通过这样的半导体芯片的安装方法而安装的在表面具有突起电极的半导体芯片，例如可以举出倒装芯片、TSV等。
在本发明的半导体芯片的安装方法中，首先，进行贴合本发明的半导体接合用粘接膜的粘接剂层和具有在表面具有突起电极的晶片的突起电极的面的工序1。
所述晶片没有特别限定，例如由硅酮、砷化镓等半导体构成，可以举出具有由金、铜、银-锡焊锡、铝、镍等构成的突起电极的晶片。
所述工序1也可以在常压下进行，但为了进一步提高密合性，优选在1torr左右的真空下进行。
所述贴合的方法没有特别限定，优选使用层压机的方法。
在本发明的半导体芯片的安装方法中，接着，进行将所述晶片在本发明的半导体接合用粘接膜上固定的状态下从背面进行磨削的工序2。由此，将所述晶片磨削至优选的厚度。
另外，在进行所述工序2之前，所述突起电极被埋在所述粘接剂层中。而且，通过在所述工序2的磨削时施加压力从所述突起电极的顶部除去粘接剂，由此，在后面的工序中，在剥离所述基材层之后，所述突起电极的顶部可以从所述粘接剂层露出。
所述磨削的方法没有特别限定，可以使用现有公知的方法，例如可以举出以下方法等：使用市售的磨削装置(例如，Disco公司制的“DFG8540”等)，以2400rpm的转数且在3～0.2μm/s的磨削量的条件下，进行磨削，最终用CMP进行精加工。
在本发明的半导体芯片的安装方法中，在进行所述工序2之后且在工序3之前，也可以进行在所述磨削后的晶片上所贴合的本发明的半导体接合用粘接膜上照射能量线来使所述粘接剂层进行半固化的工序。另外，如上为了使所述粘接剂层进行半固化，所述粘接剂层需要含有通过例如光照射等能量线照射进行固化的化合物。
通过照射能量线使所述粘接剂层进行半固化，由此使所述粘接剂层的粘合力降低，在后面的工序中的所述基材层的剥离变容易。另外，此时，由于所述粘接剂层未彻底固化而是“半固化”，因此，所述粘接剂层在与后面的工序中的基板或其它的半导体芯片粘接时，可以发挥更充分的粘接力。另外，在本说明书中“半固化”是指凝胶分率为10～60重量％。
在本发明的半导体芯片的安装方法中，接着，进行从所述磨削后的晶片上所贴合的本发明的半导体接合用粘接膜上剥离所述基材层，得到附着粘接剂层的晶片的工序3。
此时，所述粘接剂层的粘接剂比所述突起电极的表面更容易附着在所述基材层侧，因此，可抑制所述突起电极的表面上残存的粘接剂的量。
在本发明的半导体芯片的安装方法中，接着，进行使照相机自动识别附着有所述粘接剂层的晶片表面的切割线，沿所述切割线切割附着有所述粘接剂层的晶片，对附着有粘接剂层的半导体芯片进行切单的工序4。
所述切割的方法没有特别限定，例如可以举出使用现有公知的磨石等进行切断分离的方法等。
在所述工序4中，利用照相机从所述粘接剂层上进行表示切割处的晶片表面的切割线的识别。在本发明的半导体芯片的安装方法中，由于所述粘接剂层的透明性高，因此，照相机容易识别切割线，可以提高半导体装置的生产率。
在本发明的半导体芯片的安装方法中，接着，进行使照相机自动识别附着有上述粘接剂层的半导体芯片的图案或位置显示和基板或其它的半导体芯片的图案或位置显示来进行对位，经由粘接剂层将附着有所述粘接剂层的半导体芯片粘接在所述基板或其它的半导体芯片上来安装半导体芯片的工序5。
在所述工序5中，附着有所述粘接剂层的半导体芯片的图案或位置显示和所述基板或其它的半导体芯片的图案或位置显示的对位可从所述粘接剂层上利用照相机进行。在本发明的半导体芯片的安装方法中，由于所述粘接剂层的透明性高，因此，照相机容易识别图案或位置显示，可以提高半导体装置的生产率。
另外，在本说明书中，半导体芯片的安装包括在基板上安装半导体芯片的情况和在基板上所安装的1以上的半导体芯片上进一步安装半导体芯片的情况两者。
通过所述工序5安装半导体芯片之后，进一步通过进行通过加热进行使所述粘接剂层彻底固化的工序6，由此，可以实现更稳定的粘接。
在所述说明中，在进行得到附着有粘接剂层的晶片的工序3之后，进行切割附着有该粘接剂层的晶片，对附着有粘接剂层的半导体芯片进行切单的工序4。
作为其它的形态，也可以在工序3中得到的附着有粘接剂层的晶片上经由粘接剂层层叠其它的晶片来制造晶片层叠体，一并切割得到的晶片层叠体，得到附着有粘接剂层的半导体芯片的层叠体。
由于本发明的半导体接合用粘接膜的透明性高，因此，通过使用本发明的半导体接合用粘接膜，利用照相机的晶片表面的剖面切线及半导体芯片的图案或位置显示的识别变容易。因此，根据本发明的半导体芯片的安装方法，可以生产率良好地制造半导体装置。
另外，对本发明的半导体接合用粘接膜而言，所述粘接剂层的固化物的线膨胀率低，可以实现高接合可靠性。因此，根据本发明的半导体芯片的安装方法，可以制造接合可靠性高的半导体装置。
另外，使用本发明的半导体芯片的安装方法制造的半导体芯片安装体也还为本发明之一。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种透明性高，容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示的半导体接合用粘接剂。
具体实施方式
以下，举出实施例对本发明的形态进行进一步详细说明，但本发明不仅限定于这些实施例。
(实施例1～9、比较例1～5)
(1)半导体接合用粘接膜的制造
根据表1及表2的组成，将下述所示的材料添加在甲基乙基酮中并以固体成分浓度为50重量％的方式进行调整，通过使用均质机进行搅拌混合来制备半导体接合用粘接剂溶液。在作为基材层的厚度25μm的脱模处理后的PET膜上使用涂胶机(Tester产业公司制)涂布得到的半导体接合用粘接剂溶液，通过在100℃下使其干燥5分钟，得到厚度40μm的具有粘接剂层的半导体接合用粘接膜。
在得到的半导体接合用粘接膜的粘接剂层侧进一步层叠厚度25μm的PET膜，得到将厚度40μm的粘接剂层的两面夹持在两张厚度25μm的PET膜之间的试片。将得到的试片设置在雾度计(HM-150、村上色彩技术研究所公司制)上测定雾度值(％)。
将得到的雾度值(％)示于表1、表2。
(环氧树脂)
·HP-7200HH(二环戊二烯型环氧树脂、DlC公司制)
·EXA-4710(萘型环氧树脂、DIC公司制)
(含环氧基丙烯酸树脂)
·SK-2-78(使2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成于丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸酯羟乙酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物而成的物质、分子量52万、双键当量0.9meq/g，环氧当量1650、新中村化学公司制)
(固化剂)
·YH-309(酸酐系固化剂、JER公司制)
(固化促进剂)
·Fujicure7000(常温为下液状的咪唑化合物、富士化成公司制)
(无机填料)
(1)填料A
·SX009-MJF(苯基三甲氧基硅烷表面处理球状二氧化硅、平均粒径0.05μm，Admatechs公司制)
(2)填料B
·SE-1050-SPT(苯基三甲氧基硅烷表面处理球状二氧化硅、平均粒径0.3μm、Admatechs公司制)
·SE-2050-SPJ(苯基三甲氧基硅烷表面处理球状二氧化硅、平均粒径0.5μm、Admatechs公司制)
(3)其它的无机填料
·SE-4050-SPE(苯基三甲氧基硅烷表面处理球状二氧化硅、平均粒径1μm、Admatechs公司制)
(其它)
·AC4030(应力松弛橡胶系高分子、Ganz化成公司制)
(2)半导体芯片的安装
准备直径为20cm，厚度为700μm且在表面以400μm间距形成多个高度40μm、宽度100μm×100μm的正方形的铜凸块的半导体晶片(硅晶片)。从半导体接合用粘接膜上剥下保护粘接剂层的PET膜，使用真空层压机在真空下(1torr)并70℃下在具有半导体晶片的铜凸块的面上贴付半导体接合用粘接膜。
接着，将得到的贴合有半导体接合用粘接膜的半导体晶片安装于研磨装置，以半导体晶片的厚度为约100μm的方式从背面进行研磨。此时，为了使半导体的晶片的温度不因研磨的摩擦热而上升，边在半导体晶片上撒水边进行作业。研磨后通过CMP(Chemical Mechanical Polishing)工艺并用利用碱的二氧化硅分散水溶液的研磨进行镜面化加工。
从研磨装置上摘下贴付有半导体接合用粘接膜的半导体晶片，在未贴付有半导体接合用粘接膜的侧的面上贴付切割胶带“PE Tape#6318-B”(积水化学公司制、厚度70μm、基材聚乙烯，粘合材橡胶系粘合材10μm)，固定(mount)于切割框。从半导体接合用粘接膜的粘接剂层上剥离基材层，得到附着有粘接剂层的研磨后的半导体晶片。
使用切割装置“DFD651”(DISCO公司制)，以进给速度50mm/秒，将附着有粘接剂层的半导体晶片分割为10mm×10mm的芯片尺寸而切单，得到附着有粘接剂层的半导体芯片。
用热风干燥炉在80℃下将得到的附着有粘接剂层的半导体芯片干燥10分钟后，使用焊接装置(涩谷工业公司制、DB-100)，在负载0.15MPa、温度230℃下，在基板上压接10秒，接着，在190℃下，经30分钟使其固化，得到半导体芯片安装体。
(评价)
对实施例，比较例中得到的半导体接合用粘接剂溶液、半导体接合用粘接膜及半导体芯片安装体进行以下的评价。将结果示于表2。
(1)涂布性评价
(1-1)溶液粘度测定
对半导体接合用粘接剂溶液使用E型粘度计(VISCOMETER TV-22、东机产业公司制、使用转子设定温度25℃)测定转速5rpm下的粘度(mPa·s)。
(1-2)膜外观
通过目视观察半导体接合用粘接膜的状态，将未发现涂布条纹外观良好的情况设为○，产生涂布条纹的情况设为×。
(2)利用照相机的自动识别
使用真空层压机(ATM-812、Takatori公司制)，将半导体接合用粘接膜贴合在具有半导体晶片的铜凸块的面上，得到试验样品。用自动切割装置(DFT6361、DISCO公司制)对10个试验样品进行切单后，固定于自动焊接装置(FC3000S、Toray Engineering公司制)，通过照相机观察是否可识别半导体芯片的图案。
将全部10个试验样品可识别半导体芯片的图案的情况设为○，7～9个试验样品可识别半导体芯片的图案的情况设为△，6个以下的试验样品可识别半导体芯片的图案的情况设为×。
(3)接合可靠性评价
(3-1)线膨胀率测定
在190℃下使半导体接合用粘接膜固化30分钟，使用测定装置“TMA/SS6000”(Seiko Instruments公司制)，在拉伸模式、30～300℃(5℃/min)×2循环，卡盘间距离10mm的测定条件下，测定得到的固化物的线膨胀率。
由第二循环的数据读取40℃接点中的线膨胀率(ppm)，设为α1。
(3-2)耐回流性试验
将半导体芯片安装体在120℃、85RH％下放置96小时使其进行吸湿后，在焊锡回流炉(预热150℃×100秒，回流[最高温度260℃])中使其通过三次后，确认产生从半导体芯片的基板的剥离的半导体芯片安装体的个数。
20个半导体芯片安装体中，产生剥离的半导体芯片安装体为0个的情况设为○，为1～3个的情况设为△，为4～20个的情况设为×。
[表1]
[表2]
(实施例10～20、比较例6～8)
根据表3、表4的组成，使用均质机搅拌混合下述所示的各材料，制备半导体接合用粘接剂。另外，将环氧树脂和无机填料的折射率之差示于表3、表4。
(环氧树脂)
·二环戊二烯型环氧树脂(HP-7200HH、DIC公司制)
·双酚A型环氧树脂(1004AF、日本环氧树脂公司制)
·萘型环氧树脂(上述通式(1)中，R1及R2为H，m及n为1的化合物、EXA-4710、DIC公司制)
(光固化性化合物)
·具有光固化性官能团和热固性官能团的丙烯酸树脂(使2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成于丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸羟乙酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物而成的物质、分子量52万、双键当量0.9meq/g、环氧当量1650、SK-2-78、新中村化学公司制)
(固化剂)
·酸酐(YH-307、日本环氧树脂公司制)
(光聚合引发剂)
·光自由基产生剂(Esaourel001、Lamberti公司制)
(无机填料)
·二氧化硅-二氧化钛复合氧化物(Tokuyama公司制、TSP0452、平均粒径0.4μm)
·派莱克斯(注册商标)玻璃1(Unitika公司制、UBS0010E、平均粒径4μm)
·派莱克斯(注册商标)玻璃2(日本烧结玻璃公司制、CF0033-05、平均粒径4μm)
·球状二氧化硅1(Tokuyama公司制、0.4SS04、平均粒径0.4μm)
·球状二氧化硅2(Admatechs公司制、SE4050MO、平均粒径1μm)
·球状二氧化硅3(Tokuyama公司制、UF305、平均粒径3μm)
(其它)
·咪唑化合物(2MA-OK、四国化成工业公司制)
·应力松弛橡胶系高分子(AC4030、Ganz化成公司制)
·咪唑硅烷偶联剂(SP-1000、日矿材料公司制)
(评价)
在脱模处理的PET膜上用涂胶机(Tester产业公司制)涂布用溶剂稀释实施例、比较例中得到的半导体接合用粘接剂而成的粘接剂组成物，使其干燥，得到作为标准品的厚度40μm的粘接膜。
使用得到的粘接膜进行以下的评价。将结果示于表3及表4。
(1)雾度值的测定
将得到的厚度40μm的粘接膜的两面夹持在两张厚度25μm的PET膜之间而得到试片。将得到的试片设置于雾度计(HM-150、村上色彩技术研究所公司制)，测定雾度值(％)。将雾度值0％以上且低于60％的情况设为○、60％以上且100％以下的情况设为×来进行评价。
(2)利用照相机的自动识别的评价
使用真空层压机(ATM-812、Takatori公司制)将得到的厚度40μm的粘接膜贴合在半导体晶片上得到试验样品。用自动切割装置(DFT6361、DISCO公司制)对10个试验样品进行切单后，固定于自动焊接装置(FC3000S、Toray Engineering公司制)，利用照相机观察是否可识别半导体芯片的图案。全部10个试验样品可识别半导体芯片的图案的情况设为○，7～9个试验样品可识别半导体芯片的图案的情况设为△，6个以下的试验样品可识别半导体芯片的图案的情况设为×来进行评价。
[表3]
[表4]
(参考例1～4)
根据表5所示的组成并将下述所示的材料以固体成分浓度为50重量％的方式添加在甲基乙基酮中，使用均质机进行搅拌混合，制备热固性树脂组成物的配合液。
(环氧树脂)
·HP-7200HH(二环戊二烯型环氧树脂、DIC公司制)
·EXA-4710(萘型环氧树脂、DlC公司制)
(含环氧基丙烯酸树脂)
·SK-2-78(使2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成于丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸羟乙酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物而成的物质、分子量52万、双键当量0.9meq/g、环氧当量1650、新中村化学公司制)
(酸酐)
·YH-306(不具有双环骨架的酸酐、JER公司制)
·YH-309(具有双环骨架的酸酐、JER公司制)
·HNA-100(具有双环骨架的酸酐、新日本理化公司制)
(咪唑化合物)
·2MAOK-DS(在常温下为固体的咪唑化合物、四国化成工业公司制)
·Fujicure7000(在常温下为液状的咪唑化合物、富士化成公司制)
(其它)
·MT-10(气相二氧化硅、Tokuyama公司制)
·AC4030(应力松弛橡胶系高分子、Ganz化成公司制)
(评价)
在脱模处理的PET膜上使用涂胶机(Tester产业公司制)涂布参考例中得到的热固性树脂组成物的配合液，在100℃下使其干燥5分钟，得到厚度40μm的粘接膜。对得到的粘接膜进行以下的评价。
将结果示于表5。
(1)储存稳定性
储存稳定性通过测定按照下述顺序在室温下保管2周后的凝胶分率(重量％)来进行评价。
在室温下保管得到的粘接膜2周后，切出50mm×100mm的平面长方形状的试验片，测定重量。将该试验片投入到醋酸乙酯中，在室温下，浸渍24小时后，从醋酸乙酯中取出试验片，在110℃的条件下使其干燥1小时。测定干燥后的试验片的重量，使用下述式(1)计算出凝胶分率(重量％)。
凝胶分率(重量％)＝W2/W1×100    (1)
式(1)中，W1表示浸渍前的试验片的重量，W2表示浸渍、干燥后的试验片的重量。将凝胶分率低于10重量％的情况设为○、10重量％以上的情况设为×来进行评价。
(2)热稳定性
采取一部分得到的粘接膜，使用测定装置“DSC6220”(SeikoInstruments公司制)，在30～300℃(5℃/min)、N2＝50ml/min的测定条件下进行DSC测定。
观测发热峰值的上升，将发热开始温度为100℃以上的情况设为○、低于100℃的情况设为×来进行评价。
[表5]
工业上的可利用性
根据本发明，可以提供透明性高，容易识别半导体芯片焊接时的图案或位置显示的半导体接合用粘接剂。

Claims (12)

1.一种倒装芯片安装用粘接剂，其是用于安装在表面具有多个突起作为电极的半导体芯片的方法中使用的倒装芯片安装用粘接剂，所述方法中具有通过利用照相机自动识别来进行图案或位置显示的识别的安装工序，其特征在于，含有环氧树脂、无机填料及固化剂，其中，
所述无机填料在倒装芯片安装用粘接剂中的含量为30～70重量％，且含有平均粒径低于0.08μm的填料A和平均粒径为0.1μm以上且低于0.8μm的填料B，
所述填料A相对于所述填料B的重量比为1/9～6/4，
所述倒装芯片安装用粘接剂的雾度值为70％以下，倒装芯片安装时的图案或位置显示的识别能够利用照相机自动识别。
2.根据权利要求1所述的倒装芯片安装用粘接剂，其特征在于，
所述无机填料为球状二氧化硅。
3.根据权利要求1或2所述的倒装芯片安装用粘接剂，其特征在于，
所述无机填料利用偶联剂进行了表面处理。
4.根据权利要求1或2所述的倒装芯片安装用粘接剂，其特征在于，
所述固化剂为具有双环骨架的酸酐，且还含有在常温下为液态的咪唑化合物作为固化促进剂。
5.根据权利要求4所述的倒装芯片安装用粘接剂，其特征在于，
所述具有双环骨架的酸酐为具有下述通式(a)所示的结构的化合物，
[化学式1]
通式(a)中，X表示单键或双键的连接基团，R1表示亚甲基或亚乙基，R2及R3表示氢原子、卤素基团、烷氧基或烃基。
6.根据权利要求1或2所述的倒装芯片安装用粘接剂，其特征在于，
还含有具有与环氧树脂反应的官能团的高分子化合物。
7.根据权利要求1或2所述的倒装芯片安装用粘接剂，其特征在于，所述填料A相对于所速填料B的重量比为2/8～5/5。
8.根据权利要求1或2所述的倒装芯片安装用粘接剂，其特征在于，还含有在常温下为液态的咪唑化合物。
9.一种倒装芯片安装用粘接膜，其特征在于，
具有由权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的倒装芯片安装用粘接剂形成的粘接剂层和基材层。
10.一种半导体芯片的安装方法，其特征在于，所述方法使用具有由权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的倒装芯片安装用粘接剂形成的粘接剂层和基材层的倒装芯片安装用粘接膜，
具有以下工序：
工序1，贴合所述倒装芯片安装用粘接膜的粘接剂层和在表面上形成有突起电极的晶片的突起电极形成面；
工序2，在固定于所述倒装芯片安装用粘接膜的状态下将所述晶片从背面进行磨削；
工序3，从贴合在所述磨削后的晶片上的所述倒装芯片安装用粘接膜上将基材膜剥离，得到附着有粘接剂层的晶片；
工序4，使照相机自动识别附着有所述粘接剂层的晶片表面的切割线，沿着所述切割线切割附着有所述粘接剂层的晶片，单片化为附着有粘接剂层的半导体芯片；
工序5，使照相机自动识别附着有所述粘接剂层的半导体芯片的图案或位置显示以及基板或其它的半导体芯片的图案或位置显示来进行对位，再借助粘接剂层将附着有所述粘接剂层的半导体芯片粘接于所述基板或其它的半导体芯片，由此来安装半导体芯片。
11.根据权利要求10所述的半导体芯片的安装方法，其特征在于，
在利用工序5安装了半导体芯片后，还具有通过加热使粘接剂层完全固化的工序6。
12.一种半导体装置，其特征在于，是使用权利要求10或11所述的半导体芯片的安装方法而制造的。
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