CN109496227A - 粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法 - Google Patents

粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法，该粘接膜是由含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成的粘接膜，其中，上述导热填料的导热系数为12W/m·K以上且在上述粘接剂层中的含量为30～50体积％，上述热塑性树脂包含至少一种苯氧基树脂，并且对于固化后的粘接剂层而言，由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10‑6GPa)，由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10‑8GPa)，导热系数为0.5W/m·K以上。S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值。Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值。另外，[]内表示单位。

Description

粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法
技术领域
本发明涉及粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法。
背景技术
近年来，随着电子设备的小型化和高功能化、多功能化的发展，在搭载于其内部的半导体封装中高功能化、多功能化也不断发展，半导体晶片配线规则的微细化正在推进。与高功能化、多功能化相伴，正在普及将半导体芯片多层层积而进行高容量化的堆栈型MCP(Multi Chip Package，多芯片封装)。半导体芯片的安装包括下述方法：直接搭载于基板或半导体芯片上的方法[FOD(Film on Device)安装]；和将已安装在基板上的半导体芯片或线埋入而进行搭载的方法[FOW(Film on Wire)安装]。线埋入型的半导体封装(FOW安装)是对连接有线的半导体芯片压接高流动性的粘接剂而用粘接剂覆盖线的半导体封装，其搭载于移动电话、便携式音响设备用的内存封装等。
如上所述，随着半导体装置的数据处理的高速化推进，来自半导体芯片的放热量增多，具有散热性的半导体装置的设计的重要性不断增大。热对半导体装置本身产生不良影响自不必说，而且对组装有半导体装置的电子设备本身也产生各种不良影响。作为用于散热的封装对策，考虑有各种方法，但最重要的是藉由印刷基板或引线框架等基板的散热。
因此，以往，存在有在基板与半导体芯片的粘接中使用具有高导热性的粘接剂的情况。作为这样的粘接剂，已知有导热系数比较高的银糊料、和最近提出的片状的粘接膜(粘晶膜)(例如参见专利文献1)。
其中，片状的粘接膜虽然能够抑制芯片的破裂、粘接剂的流入、芯片的倾斜，但与银糊料相比导热性低。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-218571号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在半导体封装或半导体装置中，高频器件(RF器件)的放热量特别多，散热性成为问题。另一方面，对于高频器件等半导体封装或半导体装置，要求满足吸湿回焊试验(半导体耐热性试验)的湿度敏感性等级(MSL，Moisture Sensitivity Levels)1级的可靠性。
需要说明的是，MSL1为IPC/JEDEC(美国共同电子机器技术委员会)所规定的等级标准。
但是，现有的粘接膜与引线框架的密合性不高，存在在粘接膜与引线框架之间发生剥离的情况，关于上述的半导体封装的可靠性，重要的是进一步高等级化。
因此，本发明是鉴于上述状况而进行的，其课题在于提供一种散热性高、半导体封装的可靠性非常优异的粘接膜；此外还提供一种半导体的加工性优异的半导体晶片加工用带、使用了该粘接膜或半导体晶片加工用带的半导体封装及其制造方法。
用于解决课题的手段
本发明人进行了反复深入的研究，结果发现：除了使用导热系数为12W/m·K以上的导热填料、热固性树脂以外，还使用热塑性树脂的苯氧基树脂，使固化后的粘接剂层在玻璃化转变温度以下的线膨胀系数、260℃下的储能模量E’、进而尤其包括饱和吸水率在内满足特定的关系，由此能够解决上述课题。
即，可知上述课题通过以下构成实现。
(1)一种粘接膜，其为由含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成的粘接膜，其特征在于，
上述导热填料的导热系数为12W/m·K以上且在上述粘接剂层中的含量为30～50体积％，上述热塑性树脂包含至少一种苯氧基树脂，并且对于固化后的粘接剂层而言，
由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10-6GPa)，
由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10-8GPa)，
导热系数为0.5W/m·K以上。
S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)
S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)
数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值。Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值。另外，[]内表示单位。
(2)如(1)所述的粘接膜，其特征在于，上述苯氧基树脂的玻璃化转变温度(Tg)为-50～50℃、且重均分子量为10,000～100,000。
(3)如(1)或(2)所述的粘接膜，其特征在于，上述苯氧基树脂具有下述通式(I)所示的重复单元。
通式(I)
通式(I)中，La表示单键或二价连接基团，Ra1和Ra2各自独立地表示取代基。ma和na各自独立地表示0～4的整数。X表示亚烷基，nb表示1～10的整数。
(4)如(1)～(3)中任一项所述的粘接膜，其特征在于，上述热固性树脂为环氧树脂。
(5)如(1)～(4)中任一项所述的粘接膜，其特征在于，上述导热填料为选自氧化铝和氮化铝中的至少一种。
(6)如(1)～(5)中任一项所述的粘接膜，其特征在于，其含有酚系树脂作为固化剂。
(7)如(1)～(6)中任一项所述的粘接膜，其特征在于，其含有鏻盐化合物作为固化促进剂。
(8)一种半导体晶片加工用带，其特征在于，其在基材膜上具有粘合剂层，在该粘合剂层上具有(1)～(7)中任一项所述的粘接膜。
(9)一种半导体封装，其特征在于，其使用上述(1)～(7)中任一项所述的粘接膜。
(10)一种半导体封装的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：
第1工序，在表面形成有至少1个半导体电路的半导体芯片的背面贴合(1)～(7)中任一项所述的粘接膜的粘接剂层，隔着该粘接剂层将所得到的带粘接剂层的半导体芯片和配线基板热压接；和
第2工序，将上述粘接剂层热固化。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种散热性高、半导体封装的可靠性非常优异的粘接膜；半导体晶片加工用带、使用了该粘接膜或半导体晶片加工用带的半导体封装及其制造方法。
另外，本发明的半导体晶片加工用带具有散热性高、半导体封装的可靠性非常优异的粘接膜，除了这些性能以外，半导体的加工性也优异。
本发明的上述和其他特征及优点可根据下述记载进一步明确。
具体实施方式
<<粘接膜>>
本发明的粘接膜由至少含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成，固化后的粘接剂层满足特定的可靠性系数的范围，导热系数为0.5W/m·K以上。
需要说明的是，本发明中，粘接膜是指膜状的粘接剂(下文中也简称为粘接剂或粘接剂层)，可以为该粘接剂层单独的膜，也可以是在脱模膜上具有粘接剂层的膜。
<粘接剂层的成分>
本发明的粘接膜(粘接剂层)至少含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料，特别优选含有固化剂、固化促进剂。
(热塑性树脂)
作为热塑性树脂，可以举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂或氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用，或将两种以上组合使用。
本发明中，使用这些热塑性树脂中的至少一种苯氧基树脂。苯氧基树脂的耐热性高、饱和吸水率小，从为了确保半导体封装的可靠性的方面出发也是优选的。另外，苯氧基树脂由于结构与环氧树脂类似，因而相容性好，树脂熔融粘度也低，粘接性也好。
苯氧基树脂可以通过双酚或联苯酚化合物与环氧氯丙烷之类的环氧卤丙烷的反应、液态环氧树脂与双酚或联苯酚化合物的反应而获得。
在任一反应中，作为双酚或联苯酚化合物，优选下述通式(A)所示的化合物。
通式(A)
通式(A)中，La表示单键或二价连接基团，Ra1和Ra2各自独立地表示取代基。ma和na各自独立地表示0～4的整数。
La中，二价连接基团优选为亚烷基、亚苯基、-O-、-S-、-SO-、-SO2-或亚烷基与亚苯基组合而成的基团。
亚烷基的碳原子数优选为1～10、更优选为1～6、进一步优选为1～3、特别优选为1或2、最优选为1。
亚烷基优选为-C(Rα)(Rβ)-，此处，Rα和Rβ各自独立地表示氢原子、烷基、芳基。Rα和Rβ可以相互键合而形成环。Rα和Rβ各自独立地优选为氢原子或烷基(例如，甲基、乙基、异丙基、正丙基、正丁基、异丁基、己基、辛基、2-乙基己基)。其中，亚烷基优选为-CH2-、-CH(CH3)、-C(CH3)2-，更优选为-CH2-、-CH(CH3)，进一步优选为-CH2-。
亚苯基的碳原子数优选为6～12、更优选为6～8、进一步优选为6。亚苯基可以举出例如对亚苯基、间亚苯基、邻亚苯基，优选为对亚苯基、间亚苯基。
作为亚烷基与亚苯基组合而成的基团，优选为亚烷基-亚苯基-亚烷基，更优选为-C(Rα)(Rβ)-亚苯基-C(Rα)(Rβ)-。
Rα和Rβ键合形成的环优选为5元环或6元环，更优选为环戊烷环、环己烷环，进一步优选为环己烷环。
La优选为单键或亚烷基、-O-、-SO2-，更优选为亚烷基。
Ra1和Ra2中，取代基优选为烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、卤原子，更优选为烷基、芳基、卤原子，进一步优选为烷基。
ma和na优选为0～2，更优选为0或1，进一步优选为0。
双酚或联苯酚化合物可以举出例如双酚A、双酚AD、双酚AP、双酚AF、双酚B、双酚BP、双酚C、双酚E、双酚F、双酚G、双酚M、双酚S、双酚P、双酚PH、双酚TMC、双酚Z、或4,4’-联苯酚、2,2’-二甲基-4,4’-联苯酚、2,2’,6,6’-四甲基-4,4’-联苯酚等，优选为双酚A、双酚AD、双酚C、双酚E、双酚F、4,4’-联苯酚，更优选为双酚A、双酚E、双酚F，特别优选为双酚F。
另一方面，作为液态环氧树脂，优选为脂肪族二醇化合物的二缩水甘油醚，更优选为下述通式(B)所示的化合物。
通式(B)
通式(B)中，X表示亚烷基，nb表示1～10的整数。
亚烷基的碳原子数优选为2～10、更优选为2～8、进一步优选为3～8、特别优选为4～6、最优选为6。
可以举出例如亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚辛基，优选为亚乙基、三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、七亚甲基、六亚甲基、八亚甲基。
nb优选为1～6、更优选为1～3、进一步优选为1。
此处，在nb为2～10的情况下，X优选为亚乙基或亚丙基，进一步优选为亚乙基。
作为二缩水甘油醚中的脂肪族二醇化合物，可以举出乙二醇、丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-庚二醇、1,6-己二醇、1,7-戊二醇、1,8-辛二醇。
在上述反应中，双酚或联苯酚化合物、脂肪族二醇化合物各自可以为单独进行反应而得到的苯氧基树脂，也可以为混合两种以上进行反应而得到的苯氧基树脂。可以举出例如1,6-己二醇的二缩水甘油醚与双酚A和双酚F的混合物的反应。
本发明中，苯氧基树脂优选为通过液态环氧树脂与双酚或联苯酚化合物的反应而得到的苯氧基树脂，更优选为具有下述通式(I)所示的重复单元的苯氧基树脂。
通式(I)
通式(I)中，La、Ra1、Ra2、ma和na与通式(A)中的La、Ra1、Ra2、ma和na含义相同，优选的范围也相同。X和nb与通式(B)中的X和nb含义相同，优选的范围也相同。
本发明中，在这些之中，优选为双酚F与1,6-己二醇的二缩水甘油醚的聚合物。
苯氧基树脂的重均分子量优选为10,000以上、更优选为10,000～100,000。
另外，残存有少量的环氧基，环氧当量优选为5,000g/eq以上。
此处，重均分子量是通过利用GPC[凝胶渗透色谱(Gel PermeationChromatography)]的聚苯乙烯换算求出的值。
苯氧基树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选小于100℃、更优选小于80℃，本发明中，特别优选为-50℃～50℃、最优选为-50℃～30℃。
苯氧基树脂可以通过上述方法合成，或者也可以使用市售品。作为市售品，可以举出例如YX7180(商品名：双酚F+1,6-己二醇二缩水甘油醚型苯氧基树脂、三菱化学(株式会社)制造)、1256(商品名：双酚A型苯氧基树脂、三菱化学(株式会社)制造)、YP-70(商品名：双酚A/F型苯氧基树脂、新日化Epoxy制造(株式会社)制造)、FX-316(商品名：双酚F型苯氧基树脂、新日化Epoxy制造(株式会社)制造)、和FX-280S(商品名：Cardo骨架型苯氧基树脂、新日化Epoxy制造(株式会社)制造)、4250(商品名：双酚A/双酚F混合型苯氧基树脂、三菱化学(株式会社)制造)等。
相对于热固性树脂(特别是环氧树脂)100质量份，热塑性树脂的含量优选为10～500质量份、更优选为30～450质量份、进一步优选为60～400质量份。通过使含量为这样的范围，能够调整固化前的粘接膜的刚性与柔软性。
(热固性树脂)
热固性树脂已知有环氧树脂、酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、硅树脂、聚氨酯树脂，本发明中，特别优选为环氧树脂。
环氧树脂可以为液体、固体或半固体中的任一种。本发明中，液体是指软化点小于50℃，固体是指软化点为60℃以上，半固体是指软化点处于上述液体的软化点与固体的软化点之间(50℃以上且小于60℃)。作为本发明中使用的环氧树脂，从获得能够在适宜的温度范围(例如60～120℃)达到低熔融粘度的粘合剂层的方面考虑，优选软化点为100℃以下。需要说明的是，本发明中，软化点是通过软化点试验(环球式)法(测定条件：依照JIS-2817)测得的值。
在本发明中使用的环氧树脂中，从固化体的交联密度变高、结果所混配的填料彼此的接触概率变高且接触面积变大、由此获得更高的导热系数的方面考虑，环氧当量优选为600g/eq以下、更优选为150～550g/eq、进一步优选为150～450g/eq、特别优选为150～300g/eq、最优选为150～200g/eq。需要说明的是，本发明中，环氧当量是指包含1克当量的环氧基的树脂的克数(g/eq)。
环氧树脂的分子量或重均分子量优选小于3,000、更优选为150以上且小于3,000、进一步优选为200～2,000、特别优选为200～1,000、最优选为300～600。
此处，重均分子量是通过利用GPC[凝胶渗透色谱(Gel PermeationChromatography)]的聚苯乙烯换算求出的值。
作为环氧树脂的骨架，可以举出苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型、双环戊二烯型、联苯型、芴双酚型、三嗪型、萘酚型、萘二酚型、三苯甲烷型、四苯基型、双酚A型、双酚F型、双酚AD型、双酚S型、三羟甲基甲烷型、二聚酸酯型等。其中，从获得树脂的结晶性低、且具有良好外观的粘接剂层的方面考虑，优选为三苯甲烷型、双酚A型、双酚F型、甲酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型，更优选为三苯甲烷型、双酚A型、双酚F型，这些之中优选三苯甲烷型、双酚A型。
环氧树脂可以单独使用一种，或者将两种以上组合使用。
相对于构成粘接膜的成分的总质量100质量份，环氧树脂的含量优选为1～20质量份、更优选为4～10质量份。通过为这样的范围，固化时交联密度成为优选的范围，可抑制导热系数难以提高的交联密度高的树脂成分的生成，并且能够抑制即便是略微的温度变化也容易使膜状态(膜粘性等)发生变化的低聚物成分的生成。
(固化剂和固化促进剂)
本发明中，为了使环氧树脂热固化，特别优选使用固化剂或固化促进剂。
作为用于使环氧树脂热固化的固化剂或固化促进剂，可以举出例如双氰胺系树脂、三氟化硼络合物、有机酰肼化合物、胺类、聚酰胺树脂、咪唑化合物、脲或硫脲化合物、聚硫醇化合物、末端具有巯基的多硫化物树脂、酸酐、固化催化剂复合系多元酚类等酚系树脂、光·紫外线固化剂、磷-硼系固化促进剂(鏻盐化合物等)。
其中，作为三氟化硼络合物，可以举出与各种胺化合物(优选伯胺化合物)的三氟化硼-胺络合物，作为有机酰肼化合物，可以举出间苯二甲酸二酰肼。
作为胺类，可以举出链状脂肪族胺化合物(二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、1,6-己二胺、N,N-二甲基丙胺、苄基二甲胺、2-(二甲氨基)苯酚、2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚、间苯二甲胺等)、环状脂肪族胺化合物(N-氨基乙基哌嗪、双(3-甲基-4-氨基环己基)甲烷、双(4-氨基环己基)甲烷、二氨基二苯甲烷、异佛尔酮二胺、1,3-双(氨基甲基)环己烷等)、杂环胺化合物(哌嗪、N,N-二甲基哌嗪、三亚乙基二胺、三聚氰胺、胍胺等)、芳香族胺化合物(间苯二胺、4,4’-二氨基二苯基甲烷、二氨基、4,4’-二氨基二苯砜等)、聚酰胺树脂(优选聚酰胺胺，二聚酸与多元胺的缩合物)。
作为咪唑化合物，可以举出2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-正十七烷基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓·偏苯三酸酯、环氧·咪唑加成物、咪唑化合物与芳香族多元羧酸化合物的复合化合物等。
作为脲或硫脲化合物，可以举出N,N-二烷基脲化合物、N,N-二烷基硫脲化合物等。
作为酸酐，可以举出四氢邻苯二甲酸酐、邻苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸二酐等。
作为固化催化剂复合系多元酚类，可以举出酚醛清漆型酚树脂、苯酚芳烷基型酚树脂、聚乙烯型酚树脂、甲酚型酚醛树脂。
作为光·紫外线固化剂，可以举出二苯基碘鎓六氟磷酸盐、三苯基锍六氟磷酸盐等。
作为磷-硼系固化促进剂，可以举出四苯基鏻四苯基硼酸盐(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四对三硼酸盐(商品名：TPP-MK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等磷-硼系固化促进剂(均为北兴化学工业(株式会社)制造)。其中，从因潜在性优异因而在室温下的保存稳定性良好的方面考虑，优选四苯基鏻四苯基硼酸盐、四苯基鏻四对三硼酸盐。
本发明中，作为固化剂，优选固化催化剂复合系多元酚类，羟基当量优选100～150g/eq。
需要说明的是，本发明中，羟基当量是指包含1克当量的羟基的树脂的克数(g/eq)。
在固化催化剂复合系多元酚类中，本发明中，优选酚醛清漆型酚树脂，更优选甲酚酚醛清漆型酚树脂。
另外，作为固化促进剂，从潜在性优异、能够长期保持粘接膜的可靠性的方面考虑，优选磷-硼系固化催化剂、胶囊化的咪唑。
本发明中，固化促进剂特别优选为磷-硼系固化促进剂，最优选为四苯基鏻四苯基硼酸盐。
固化剂或固化促进剂在粘接剂层中的含量没有特别限定，最佳含量根据固化剂或固化促进剂的种类而不同。
相对于环氧树脂100质量份，固化剂的含量优选为0.5～80质量份、更优选为1～70质量份。
固化促进剂的含量优选小于固化剂的含量，相对于固化剂100质量份，优选为0.1～50质量份、更优选为0.5～20质量份、进一步优选为1～15质量份。
(导热填料)
本发明中，在粘接剂层中含有导热系数为12W/m·K以上的至少一种导热填料。
若导热填料的导热系数小于12W/m·K，为了获得目标导热系数要混配更多的导热填料，其结果，粘接膜的熔融粘度上升，在压接到安装基板时无法将基板的凹凸埋入，密合性降低。
导热系数为12W/m·K以上的导热填料优选为选自由氧化铝颗粒(导热系数：36W/m·K)、氮化铝颗粒(导热系数：150～290W/m·K)、氮化硼颗粒(导热系数：60W/m·K)、氧化锌颗粒(导热系数：54W/m·K)、氮化硅填料(导热系数：27W/m·K)、碳化硅颗粒(导热系数：200W/m·K)和氧化镁颗粒(导热系数：59W/m·K)组成的组中的至少一种填料。特别是，氧化铝颗粒具有高导热系数，从分散性、获得容易性的方面考虑是优选的。另外，氮化铝颗粒、氮化硼颗粒优选具有比氧化铝颗粒更高的导热系数。本发明中，其中优选氧化铝颗粒和氮化铝颗粒。
氮化铝颗粒对高导热化、线膨胀系数的降低有贡献。
氮化铝颗粒虽然在粉末状态下因与水的接触而导致表面水解，容易生成铵离子，但通过在环氧树脂的固化剂中使用吸湿率小的酚树脂，能够抑制水解。
导热填料也可以进行表面处理或表面改性，作为这样的表面处理或表面改性，可以举出硅烷偶联剂、磷酸或磷酸化合物、表面活性剂。
例如，作为利用硅烷偶联剂对导热填料进行处理的方法没有特别限定，可以举出：在溶剂中混合导热填料和硅烷偶联剂的湿式法；在气相中对导热性颗粒和硅烷偶联剂进行处理的干式法；预先在作为粘结剂树脂的热塑性树脂中混合硅烷偶联剂的整体混合法(integral method)等。
在氮化铝颗粒的情况下，为了抑制水解，优选进行表面改性。作为氮化铝的表面改性方法，特别优选下述方法：在表面层设置氧化铝的氧化物层而提高耐水性，利用磷酸或磷酸化合物进行表面处理而提高与树脂的亲和性
作为对包含氮化铝的导热填料进行表面处理时所使用的磷酸，可以举出正磷酸(H3PO4)、焦磷酸(H4P2O7)、偏磷酸((HPO3)n，n为表示缩合度的整数)或它们的金属盐。作为磷酸化合物，可以举出烷基膦酸、芳基膦酸、烷基磷酸、芳基磷酸等有机磷酸(例如甲基膦酸、乙基膦酸、己基膦酸、乙烯基膦酸、苯基膦酸、甲基磷酸、乙基磷酸、己基磷酸)。
还优选使用硅烷偶联剂对导热填料的表面进行表面处理。
另外，还优选进一步合用离子捕获剂。
硅烷偶联剂在硅原子上键合有至少1个烷氧基、芳氧基之类的水解性基团，除此以外，也可以键合烷基、烯基、芳基。烷基优选取代有氨基、烷氧基、环氧基、(甲基)丙烯酰氧基，更优选取代有氨基(优选苯基氨基)、烷氧基(优选环氧丙氧基)、(甲基)丙烯酰氧基。
硅烷偶联剂可以举出例如2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等。
表面活性剂(分散剂)可以为阴离子型、阳离子型或非离子型中的任一种，另外，也可以为高分子化合物。
本发明中，优选阴离子型表面活性剂，更优选磷酸酯系表面活性剂。
磷酸酯系表面活性剂可以使用市售的东邦化学(株式会社)制造的Phosphanol系列。可以举出例如Phosphanol RS-410、610、710、Phosphanol RL-310、Phosphanol RA-600、Phosphanol ML-200、220、240、Phosphanol GF-199(均为商品名)。
硅烷偶联剂或表面活性剂优选相对于导热填料100质量份含有0.1～2.0质量份。
导热填料的形状没有特别限定，可以使用例如薄片状、针状、纤丝状、球状、鳞片状的导热填料，从能够减小导热性颗粒与树脂的接触面积、能够提高120℃～130℃的流动性的方面出发，优选球状颗粒。
另外，平均粒径优选为0.01～5μm、更优选为0.1～5μm。通过使平均粒径为这样的范围，在填料间不发生凝集，在设置粘合剂层时不产生不均或条纹，可保持粘接剂层的膜厚的均匀性。
需要说明的是，本发明中，平均粒径是指在粒度分布中将颗粒的总体积设为100％时达到50％累积时的粒径，可以由利用激光衍射散射法(测定条件：分散介质-六偏磷酸钠、激光波长：780nm、测定装置：Microtrac MT3300EX)测得的粒径分布的粒径的体积分数的累积曲线求出。另外，本发明中，球状是指正球或实质上无角的具有弧度的近似正球状。
本发明中，导热填料的含量相对于粘接剂层的总体积为30～50体积％。通过为这样的范围，使用粘接膜所制造的半导体封装不仅散热性优异，而且应力松弛性优异，能够缓和热变化时在半导体封装中产生的内部应力，能够难以发生从被粘接体的剥离。
需要说明的是，若导热填料的含量小于30体积％，则粘接剂层的导热系数降低，来自半导体封装的散热效果减弱。若导热填料的含量超过50体积％，则应力松弛性差，难以缓和热变化时在半导体封装中产生的内部应力，容易发生从被粘接体的剥离。
导热填料的含量的下限优选为35体积％以上、更优选为40体积％以上。相对于粘接剂层的总体积的导热填料的含量由构成粘接剂层的各成分的添加量与比重算出。
(其他添加物)
本发明中，优选在粘接剂层中除热塑性树脂、热固性树脂、导热填料外还含有固化剂和固化促进剂，除了这些以外，也可以在无损本发明的效果的范围内进一步含有粘度调节剂、抗氧化剂、阻燃剂、着色剂、丁二烯系橡胶或硅酮橡胶等应力松弛剂等添加剂。
(树脂成分的含量)
本发明中，至少含有热塑性树脂和热固性树脂，包含这些在内的树脂成分在粘接剂层中的含量优选为50体积％以上。树脂成分在粘接剂层中的含量上限优选为70体积％以下、更优选为65体积％以下、进一步优选为60体积％以下。
另外，相对于热固性树脂与热塑性树脂的总量100质量份，作为热固性树脂的混配比例，只要为在特定条件下进行加热时粘接膜(粘接剂层)发挥作为热固化型的功能的程度就没有特别限定，从可提高120℃～130℃下的流动性的方面考虑，优选为10～80质量份的范围、更优选为20～70质量份的范围。
另一方面，作为热塑性树脂的混配比例，相对于热固性树脂与热塑性树脂的总量100质量份，从提高120℃～130℃下的流动性的方面考虑，优选为20～90质量份的范围、更优选为30～80质量份的范围。
(粘接膜(粘接剂层)的厚度)
粘接膜的厚度优选为5～200μm，从能够将配线基板、半导体芯片表面的凹凸更充分地埋入的方面考虑，更优选为10～40μm。通过将厚度设为上述范围，能够将配线基板、半导体芯片表面的凹凸充分地埋入，从而确保充分的密合性，并且容易去除有机溶剂，残存溶剂量少，也不产生粘性变强的问题。
<脱模膜>
脱模膜是经脱模处理的膜，其作为粘接膜(粘接剂层)的覆盖膜发挥功能，其在将作为粘接膜的粘接剂层贴附在被粘接体时被剥离，并用于改善粘接膜的处理性。
脱模处理可以为任何处理，代表性地为硅酮处理。
作为脱模膜，可以举出例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜等经脱模处理的膜。另外，也可以使用它们的交联膜。进而也可以为它们的层积膜。
这些之中，优选经脱模处理的聚乙烯、经脱模处理的聚丙烯、经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯，其中优选经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯。
脱模膜的表面张力优选为40mN/m以下、更优选为35mN/m以下。
脱模膜的膜厚通常为5～300μm、优选为10～200μm、特别优选为20～150μm左右。
<粘接膜(粘接剂层)的特性>
本发明的粘接膜(粘接剂层)在热固化后(下文中也简称为固化后)的粘接剂层、即固化物显示出以下的特性。
需要说明的是，粘接剂层的固化物的测定针对在180℃下加热处理1小时的固化物求出。
(可靠性系数)
本发明中，对于固化后的粘接剂层而言，由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10-6GPa)，由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10-8GPa)。
S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)
S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)
数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值。Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值。另外，[]内表示单位。
此处，可靠性系数S1和S2包括模拟吸湿工序和回焊工序的260℃的加热工序，对是否发生由温度变化引起的变形或由水分蒸发引起的半导体封装的芯片与基板间的剥离进行评价。
在固化后的粘接剂层的玻璃化转变温度(Tg)以下时，因温度变化而发生变形，产生应变。由温度变化引起的变形量通过上述数学式(1)的(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])进行计算。
在玻璃化转变温度(Tg)以上时，由于为橡胶状态，因而能够缓和变形。
另外，若260℃下的储能模量E’小，则通过内部应力来缓和从常温(25℃)至260℃所蓄积的应变的缓和能力优异。
可靠性系数S1是考虑以上内容而得到的关系式。
另一方面，可靠性系数S2是进一步考虑如下内容而得到的关系式，即，若饱和吸水量较多，则因260℃的加热工序中的水分蒸发而在半导体封装的内部容易发生各粘接剂层界面处的剥离。
(饱和吸水率WA)
本发明中，固化后的粘接剂层的饱和吸水率WA优选为1.0质量％以下、更优选为0.7质量％以下。若饱和吸水率WA超过1.0质量％，则在包括吸湿工序的可靠性试验中，存在如下倾向：在通过回焊方式对半导体封装进行焊接时因粘接膜内部的水分的爆炸性气化而容易产生封装龟裂。需要说明的是，饱和吸水率WA可以使用恒温恒湿器对热固化后的粘接膜的吸水前的质量、与在温度85℃、相对湿度85％的条件下使其吸湿至饱和后的质量进行测定而算出。
饱和吸水率WA可以通过变更树脂成分与导热填料的含有比例及树脂成分的种类和含量来进行调节。
(固化后的粘接剂层的玻璃化转变温度(Tg))
本发明中，固化后的粘接剂层的玻璃化转变温度(Tg)优选为80℃以上。
若玻璃化转变温度(Tg)为80℃以上，则能够抑制半导体封装在通常的使用温度范围和热循环可靠性试验的温度范围中的急剧的物性变化，另外，能够抑制饱和吸水率WA变高。固化后的粘接剂层的玻璃化转变温度(Tg)更优选为85℃以上、进一步优选为100℃以上。另一方面，固化后的粘接剂层的玻璃化转变温度(Tg)的上限优选为200℃以下。若为200℃以下，则能够抑制因温度变化而产生的应变。固化后的粘接剂层的玻璃化转变温度(Tg)的上限更优选为180℃以下、进一步优选为150℃以下。
固化后的粘接剂层的玻璃化转变温度(Tg)可以通过变更树脂成分的种类与含量及固化条件来进行调节。
(储能模量E’)
本发明中，固化后的粘接剂层在260℃下的储能模量E’优选为1GPa以下。若260℃下的储能模量E’为1GPa以下，则应力松弛性优异，能够缓和热变化时在半导体装置中产生的内部应力，能够难以发生从被粘接体的剥离。260℃下的储能模量E’的下限优选为1MPa以上。若260℃下的储能模量E’为1MPa以上，则难以引起高温下的凝集破坏，耐回焊性优异。260℃下的储能模量E’更优选为0.01GPa以上。
储能模量E’可以通过变更树脂成分与导热填料的含有比例和树脂成分的种类与含量来进行调节。
(玻璃化转变温度(Tg)以下的线膨胀系数CTEα1)
本发明中，固化后的粘接剂层在玻璃化转变温度(Tg)以下的线膨胀系数CTEα1优选为40ppm/K以下。若玻璃化转变温度(Tg)以下的线膨胀系数CTEα1为40ppm/K以下，在粘接剂层与被粘接体的粘接界面，能够防止由加热时产生的剥离应力引起的粘接剂层的凝集破坏。玻璃化转变温度(Tg)以下的线膨胀系数CTEα1的下限优选为5ppm/K以上。若玻璃化转变温度(Tg)以下的线膨胀系数CTEα1为5ppm/K以上，则在粘接剂层与被粘接体的粘接界面，粘接剂层可缓和并吸收加热时所产生的剥离应力，能够防止粘接界面的剥离。
玻璃化转变温度(Tg)以下的线膨胀系数CTEα1可以通过变更树脂成分的种类和含量来进行调节。
(固化后的粘接剂层的导热系数)
本发明中，固化后的粘接剂层的导热系数为0.5W/m·K以上、优选为1.2W/m·K以上、更优选为1.5W/m·K以上。若固化后的粘接剂层的导热系数为0.5W/m·K以上，则使用粘接膜所制造的半导体封装的散热性优异。需要说明的是，固化后的粘接剂层的导热系数虽然越高越优选，但上限实际上例如为20W/m·K以下。
固化后的粘接剂层的导热系数可以通过变更树脂成分的种类与含量、导热填料的种类与含量等来进行调节。
玻璃化转变温度(Tg)、玻璃化转变温度(Tg)以下的线膨胀系数CTEα1、260℃下的储能模量E’、饱和吸水率WA和固化后的粘接剂层的导热系数均可以通过实施例中记载的方法进行测定。
<<半导体晶片加工用带及其制造方法>>
本发明的粘接膜可以以本发明的粘接膜单独的形式使用，也可以以在基材膜上具有粘合剂层且在该粘合剂层上具有作为本发明的粘接膜的粘接剂层(下文中简称为粘接剂层)的半导体晶片加工用带(切晶-粘晶膜)的形式使用。
以下，对半导体晶片加工用带进行说明。
(基材膜)
基材膜的材质通常可以使用在半导体晶片加工用的胶带中所使用的材质，可以举出例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物等热塑性弹性体，也可以为将选自它们的组中的两种以上混合而成的材质。
本发明中，从切晶时的粘接膜和半导体芯片的保持、与拾取时的半导体芯片的均匀扩张性的方面出发，优选为交联性树脂，例如优选为将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸利用金属离子交联而成的离聚物。
基材膜可以为单层的膜，也可以为由2层以上的膜层积而成的基材膜。
基材膜的厚度优选为50～200μm。
(粘合剂层)
作为形成粘合剂层的粘合剂，没有特别限制，例如可以为丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等普通的压敏性粘合剂、或通过紫外线的照射而固化的辐射固化型粘合剂中的任一种。半导体晶片的加工中所使用的压敏性粘合剂通常为丙烯酸系粘合剂，是优选的。
本发明中，辐射固化型粘合剂比压敏性粘合剂更优选。
辐射固化型粘合剂只要具有碳-碳双键等辐射固化性的官能团且显示出粘合性，就可以为任意的粘合剂。
例如，可以举出如下的辐射固化型粘合剂，其在丙烯酸系粘合剂等通常的压敏性粘合剂中混配了辐射固化性的单体成分或低聚物成分而制成辐射固化型粘合剂或基础聚合物，并且在聚合物的侧链、主链或主链末端具有碳-碳双键。基础聚合物具有碳-碳双键的辐射固化型粘合剂(以下将具有碳-碳双键的聚合物称为辐射固化性聚合物)由于无需含有作为低分子成分的低聚物成分等，即便含有这些成分也所含不多，因而低聚物成分等不会经时地在粘合剂层中移动，能够形成稳定的层结构的粘合剂层，故优选。
在丙烯酸系粘合剂等通常的压敏性粘合剂中混配了辐射固化性的单体成分或低聚物成分而成的辐射固化型粘合剂的情况下，作为辐射固化性的单体成分，可以举出例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，作为辐射固化性的低聚物成分，可以举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。它们的分子量通常为100～30,000，相对于构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物100质量份含有5～500质量份。
在基础聚合物具有碳-碳双键的辐射固化型粘合剂时，在辐射固化性聚合物中，作为通过放射线的照射而聚合并固化的碳-碳双键(以下称为烯键式不饱和基团)，可以举出乙烯基、烯丙基、苯乙烯基、(甲基)丙烯酰氧基、(甲基)丙烯酰基氨基等。
辐射固化性聚合物没有特别限制，可以举出例如(甲基)丙烯酸共聚物、聚酯、乙烯或苯乙烯共聚物、聚氨酯，优选(甲基)丙烯酸共聚物。
需要说明的是，(甲基)丙烯酸共聚物中的(甲基)丙烯酸包括丙烯酸或甲基丙烯酸，可以为任一者，也可以为它们两者。
作为辐射固化性聚合物的合成方法，例如有(a)在具有烯键式不饱和基团的聚合物的情况下，使具有烯键式不饱和基团的化合物与聚合物反应而得到导入有烯键式不饱和基团的聚合物的方法；(b)使用具有烯键式不饱和基团的低聚物[例如作为交联剂的一种的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸低聚物等]的方法；这些方法因简便且容易而优选，其中优选上述(a)的方法。
在上述(a)的方法中，作为具有烯键式不饱和基团的化合物，使用具有反应性与该烯键式不饱和基团不同的基团(称为反应性基团α)的结构的化合物，作为导入烯键式不饱和基团的聚合物，使用含有与具有该烯键式不饱和基团的化合物的反应性基团α发生反应的反应性基团β的结构的聚合物(以下称为“具有反应性基团β的聚合物”)，使反应性基团α与β反应。
这样的反应性基团α、β优选设为例如一者为进行亲核攻击的基团，另一者为受到亲核攻击的基团或受到加成反应的基团。作为这样的反应性基团，可以举出例如羟基、氨基、巯基、羧基、环氧基、氧杂环丁基、异氰酸酯基、形成环状酸酐的基团、卤原子、烷氧基或芳氧基羰基等。
此处，反应性基团α和β的任一者为羟基、氨基、巯基、羧基的情况下，另一反应性基团可以设为环氧基、氧杂环丁烷基、异氰酸酯基、形成环状酸酐的基团、卤原子、烷氧基或芳氧基羰基。
具有烯键式不饱和基团的化合物所具有的反应性基团α优选为受到亲核攻击的基团或受到加成反应的基团，例如优选为环氧基、氧杂环丁基、异氰酸酯基、形成环状酸酐的基团、卤原子、烷氧基或芳氧基羰基，更优选为环氧基、氧杂环丁烷基、异氰酸酯基或形成环状酸酐的基团，进一步优选为环氧基、氧杂环丁基或异氰酸酯基，其中优选为异氰酸酯基。
另一方面，被导入烯键式不饱和基团的聚合物所具有的反应性基团β优选为进行亲核攻击的基团，例如优选为羟基、氨基、巯基或羧基，更优选为羟基、氨基或巯基，进一步优选为羟基、氨基或羧基，进一步优选为羟基或羧基，其中优选为羟基。
作为具有烯键式不饱和基团与反应性基团α的化合物、或用于合成具有反应性基团β的聚合物的具有反应性基团β的单体，可以举出以下的化合物。
-反应性基团为羧基的化合物-
(甲基)丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸等
-反应性基团为羟基的化合物-
在醇部具有羟基的(甲基)丙烯酸羟烷基酯[例如，(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、三羟甲基丙烷单(甲基)丙烯酸酯、乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇单(甲基)丙烯酸酯]、在胺部具有羟基的烷基胺即N-(羟烷基)烷基(甲基)丙烯酰胺[例如，N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-双羟甲基(甲基)丙烯酰胺]、烯丙醇等
-反应性基团为氨基的化合物-
在醇部具有氨基的(甲基)丙烯酸氨基烷基酯[例如，(甲基)丙烯酸-2-(烷基氨基)乙酯、(甲基)丙烯酸-3-(烷基氨基)丙酯]、(甲基)丙烯酰胺等
-反应性基团为环状酸酐的化合物-
马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐等
-反应性基团为环氧基或氧杂环丁基的化合物-
(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油基醚、3-乙基-3-羟基甲基氧杂环丁烷等
-反应性基团为异氰酸酯基的化合物-
异氰酸(甲基)丙烯酰氧基烷基酯[例如，异氰酸-2-(甲基)丙烯酰氧基乙酯、异氰酸-2-(甲基)丙烯酰氧基丙酯]、利用具有羟基或羧基与烯键式不饱和基团的化合物将多元异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分进行氨基甲酸酯化而成的物质[例如，2～10官能的(甲基)丙烯酸的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物]等
需要说明的是，作为上述氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，例如优选为使(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等在醇部具有羟基的(甲基)丙烯酸羟烷基酯、与甲苯二异氰酸酯、亚甲基联苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、萘二异氰酸酯、亚甲基双环己基异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等二异氰酸酯或3官能以上的异氰酸酯反应而得到的具有至少1个异氰酸酯基的低聚物。另外，也可以为除(甲基)丙烯酸羟烷基酯与多元异氰酸酯以外也使多元醇化合物、聚醚二醇化合物或聚酯二醇化合物进行反应而得到的低聚物。
-反应性基团为卤原子的化合物-
2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪、2,4-二氯-6-甲氧基-1,3,5-三嗪等卤化三嗪等
作为上述具有烯键式不饱和基团与反应性基团α的化合物，优选上述反应性基团为异氰酸酯基的化合物，另一方面，作为用于合成具有反应性基团β的聚合物的单体，优选上述反应性基团为羧基的化合物或反应性基团为羟基的化合物，更优选反应性基团为羟基的化合物。
其中，本发明中，优选为异氰酸(甲基)丙烯酰氧基烷基酯，特别优选为异氰酸2-(甲基)丙烯酰氧基乙酯。
上述(b)的方法使用上述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物(如后所述，该低聚物也为交联剂的一种)，可以使(甲基)丙烯酸共聚物与氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物共存而构成紫外线固化性的粘合剂层。作为(甲基)丙烯酸共聚物，优选使(甲基)丙烯酸与(甲基)丙烯酸酯聚合而得到。构成(甲基)丙烯酸共聚物的(甲基)丙烯酸酯成分的优选方式与作为后述具有反应性基团β的聚合物中的共聚成分所说明的成分相同。
用于合成具有反应性基团β的聚合物的具有反应性基团β的单体优选在醇部具有羟基的(甲基)丙烯酸羟烷基酯或(甲基)丙烯酸。
在醇部具有羟基的(甲基)丙烯酸羟烷基酯的情况下，上述具有反应性基团β的单体成分在构成上述具有反应性基团β的聚合物的总单体成分中所占的比例优选为5～50摩尔％、更优选为20～40摩尔％、进一步优选为20～35摩尔％。
另一方面，在(甲基)丙烯酸的情况下，丙烯酸或甲基丙烯酸在总单体成分中所占的比例优选为0.1～3摩尔％、更优选为0.5～2.5、进一步优选为0.5～2。
另外，在使具有烯键式不饱和基团与反应性基团α的化合物、与具有反应性基团β的聚合物进行反应而向具有反应性基团β的聚合物中导入烯键式不饱和基团时，优选相对于具有反应性基团β的聚合物100质量份，使具有反应性基团α的化合物反应5～40质量份，更优选反应10～30质量份，进一步优选反应10～20质量份。
在上述反应性基团α与β的反应后残留未反应的反应性基团β，由此能够利用后述交联剂等调节树脂特性。
上述具有反应性基团β的聚合物优选具有上述具有反应性基团β的单体成分作为其构成成分，并且具有(甲基)丙烯酸酯成分作为共聚成分。
作为(甲基)丙烯酸酯，优选一种或两种以上的(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸酯的醇部不具有上述反应性基团β。优选上述(甲基)丙烯酸酯的醇部未经取代。
作为这样的(甲基)丙烯酸酯，醇部的碳原子数优选为1～12。醇部的碳原子数更优选为1～10、进一步优选为4～10，其中优选醇部为支链烷基的醇部，特别优选为(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯。
另外，在上述辐射固化性聚合物包含两种以上(甲基)丙烯酸酯成分作为构成成分的情况下，在(甲基)丙烯酸酯成分中优选包含醇部的碳原子数为1～8的(甲基)丙烯酸酯成分，其中，优选包含(甲基)丙烯酸甲酯成分或(甲基)丙烯酸丁酯成分。
以下，举出作为上述共聚成分而引入聚合物中的单体的具体例。
-(甲基)丙烯酸的烷基酯-
作为(甲基)丙烯酸的烷基酯，优选醇部的碳原子数为1～12的(甲基)丙烯酸的烷基酯，可以举出例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸异癸酯等。它们可以单独使用，也可以将两种以上混合使用。通过合用两种以上，能够发挥出作为粘合剂的各种功能，进而能够兼顾对半导体晶片表面的高度差的追随性和包括防止残胶在内的非污染性。
-(甲基)丙烯酸的烷基酯以外的单体-
作为(甲基)丙烯酸的烷基酯以外的单体，可以举出乙酸乙烯酯、苯乙烯或(甲基)丙烯酰胺、例如N,N-二乙基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N-异丙基丙烯酰胺、N-丙烯酰吗啉等。它们可以单独使用，也可以将两种以上混合使用。
本发明中，作为与具有反应性基团β的单体进行组合的共聚成分的单体，优选(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
上述共聚成分在构成上述具有反应性基团β的聚合物的全部单体成分中所占的比例优选为5～85摩尔％、更优选为20～80摩尔％、进一步优选为55～75摩尔％、特别优选为60～75摩尔％。
需要说明的是，辐射固化性聚合物中所残存的反应性基团β的量虽然也取决于具有反应性基团α的化合物的混配量，但也可以通过后述交联剂的种类和混配量来调节。
辐射固化性聚合物的羟值优选为5～70mgKOH/g，酸值优选为0～10mgKOH/g，玻璃化转变温度(Tg)优选为-40～-10℃，重均分子量优选为15万～130万。
需要说明的是，酸值是基于JIS K5601-2-1：1999所测定的值，羟值是基于JISK0070所测定的值。
此处，玻璃化转变温度是指以升温速度0.1℃/分钟通过DSC(差示扫描量热计)所测定的玻璃化转变温度。
另外，重均分子量是通过如下方式算出的值，即，利用凝胶渗透色谱(Waters公司制造，商品名：150-C ALC/GPC)对将溶解于四氢呋喃中而得到的1％溶液进行测定，将得到的值以聚苯乙烯换算的重均分子量的形式算出，得到上述重均分子量。
(光聚合引发剂)
辐射固化型粘合剂特别优选含有光聚合引发剂。通过调整粘合剂中的光聚合引发剂的混配量，能够控制交联后的粘合力。作为这样的光聚合引发剂，具体而言，可以举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、丁二酮、β-氯蒽醌、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻吨酮、苄基甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。它们可以单独使用，另外也可以合用来使用
光聚合引发剂通常相对于辐射固化性聚合物(具有烯键式不饱和基团的聚合物)和具有烯键式不饱和基团的化合物的总量100质量份以0.1～10质量份的比例使用。另外，相对于构成粘合剂的基础树脂100质量份，优选为0.1～10质量份、更优选为1～6质量份。
通过对如此形成的辐射固化型粘合剂层照射紫外线等放射线，能够大幅降低粘接力，能够容易地从粘接剂层剥离胶带。
(交联剂)
本发明中，优选在粘合剂中含有交联剂。作为交联剂的交联性基团的反应性基团优选为与具有反应性基团β的聚合物的反应性基团β进行反应的交联剂。
例如，在具有反应性基团β的树脂的反应性基团β为羧基或羟基的情况下，作为交联剂的交联性基团的反应性基团优选为环状酸酐、异氰酸酯基、环氧基、卤原子，更优选为异氰酸酯基或环氧基。
通过使用这样的交联剂，可以通过其混配量调节具有反应性基团β的聚合物的反应性基团β的残存量，也可以控制粘着力。
另外，通过使用交联剂，也可以控制粘合剂(粘合剂层)的内聚力。
作为上述交联剂，可以举出多元异氰酸酯化合物、多元环氧化合物、多元氮杂环丙烷化合物、螯合化合物等。作为多元异氰酸酯化合物，具体而言，可以举出甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯和它们的加成物型等。
作为多元环氧化合物，可以举出乙二醇二缩水甘油醚、对苯二甲酸二缩水甘油酯丙烯酸酯等。多元氮杂环丙烷化合物可以举出三-2,4,6-(1-氮丙啶基)-1,3,5-三嗪、三[1-(2-甲基)-氮丙啶基]氧化膦、六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷杂三嗪等。另外，作为螯合化合物，可以举出乙酰乙酸乙基铝二异丙酯、三(乙酰乙酸乙酯)铝等。
另外，在粘合剂中，也可以使用分子内具有至少2个以上烯键式不饱和基团的交联剂、优选低聚物或聚合物的交联剂，将交联剂本身用作辐射固化性树脂。
作为分子内具有至少2个以上的烯键式不饱和基团的低分子化合物，可以举出例如三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯等。
除此以外，也可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，具体而言，可以广泛地应用如下物质，即，使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物、与多元异氰酸酯化合物[例如，2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二异氰酸酯等)反应而得到末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物，使该末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯(例如，(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯]反应而得到的物质。
交联剂的含量只要按照粘合剂的粘合力、粘着力为所期望的范围的方式进行调整即可，相对于上述基础树脂100质量份，优选为0.01～10质量份、更优选为0.1～5质量份、进一步优选为0.6～5质量份、特别优选为0.7～3质量份。
(添加剂)
除了上述物质以外，粘合剂也可以含有添加剂。
作为这样的添加剂，例如，作为用于防止润湿或提高滑动性的添加剂，可以举出硅酮丙烯酸酯(例如，硅酮二丙烯酸酯、硅酮六丙烯酸酯)、辐射固化促进剂。另外，也可以包含作为防水剂的氨基丙烯酸酯作为添加剂。另外，也可以包含增塑剂作为添加剂。另外，也可以包含在聚合物的聚合时使用的表面活性剂。
(粘合剂层的厚度)
粘合剂层的厚度没有特别限定，优选为3～300μm、更优选为3～100μm、进一步优选为5～50μm。
(其他层)
本发明中，根据需要也可以在粘合剂层上设置底涂层等中间层。
<<粘接膜、半导体晶片加工用带的用途>>
本发明的粘接膜、半导体晶片加工用带优选用于经FOD安装的半导体封装的制造等。另外，也适合于将配线基板与半导体芯片的粘接剂设为与现有的多层层积的半导体芯片间的粘接剂相同的粘接剂而并非不同的粘接剂，从而制造半导体封装。
<<半导体封装及其制造方法>>
本发明中，半导体封装优选通过下述制造方法进行制造，该制造方法至少包括：第1工序，在表面形成有至少1个半导体电路的半导体芯片的背面贴合本发明的粘接膜的粘接剂层，隔着该粘接剂层将所得到的带粘接剂层的半导体芯片和配线基板热压接；和第2工序，将该粘接剂层热固化。
作为半导体晶片，可以适当地使用表面形成有至少1个半导体电路的半导体晶片，可以举出例如硅晶片、SiC晶片、GaS晶片。作为将这样的半导体晶片加工用带的粘接剂层设置在半导体晶片的背面时所使用的装置，没有特别限制，例如可以适当地使用辊层压机、手动层压机之类的公知的装置。
在使用半导体晶片加工用带的情况下，首先，将本发明的半导体晶片加工用带在粘接剂层侧热压接设置到表面形成有至少1个半导体电路的半导体晶片的背面。作为将这样的半导体晶片加工用带的粘接剂层设置在半导体晶片的背面时使用的装置，没有特别限制，例如可以适当地使用辊层压机、手动层压机之类的公知的装置。
接下来，同时对半导体晶片和粘接剂层进行切晶，由此得到具备半导体晶片和粘接剂层的带粘接剂层的半导体芯片。切晶所使用的装置没有特别限制，可以适当地使用公知的切晶装置。
接下来，将切晶带(基材膜上具有粘合剂层的部分)从粘接剂层脱离，将带粘接剂层的半导体芯片和配线基板隔着粘接剂层进行热压接，将带粘接剂层的半导体芯片安装到配线基板上。作为配线基板，可以适当地使用表面形成有半导体电路的基板，可以举出例如印刷电路基板(PCB)、各种引线框架、以及在基板表面搭载有电阻元件或电容器等电子部件的基板。
作为将带粘接剂层的半导体芯片安装到这种配线基板上的方法，没有特别限制，可以适当地采用能够利用粘接剂层将带粘接剂层的半导体芯片粘接在配线基板或搭载于配线基板的表面上的电子部件的现有方法。作为这样的安装方法，可以举出：采用使用了具有从上部的加热功能的倒装贴片机的安装技术的方法；使用具有仅从下部的加热功能的粘片机的方法；使用层压机的方法等现有公知的加热、加压方法。
这样，通过藉由本发明的粘接膜的粘接剂层将带粘接剂层的半导体芯片安装到配线基板上，能够使粘接剂层追随因电子部件而产生的配线基板上的凹凸，因此能够使半导体芯片和配线基板密合并固定。
接下来，使粘接剂层热固化。作为热固化的温度，只要是粘接剂层的热固化起始温度以上就没有特别限制，并且根据所使用的树脂的种类而不同，并非一概而论，例如优选为100～180℃，从在更高温度下进行固化时能够在短时间内固化的方面考虑，更优选为140～180℃。若温度小于热固化起始温度，则具有热固化未充分进行、粘接剂层的强度降低的倾向，另一方面，若超过上述上限，则具有在固化过程中粘接剂层中的环氧树脂、固化剂或添加剂等挥发而容易发泡的倾向。另外，固化处理的时间例如优选为10～120分钟。本发明中，通过以高温使膜状粘接剂热固化，即便在高温下进行固化也不产生空隙，能够得到使配线基板与半导体芯片牢固粘接而成的半导体封装。
接下来，优选藉由键合引线连接配线基板和带粘接剂层的半导体芯片。作为这样的连接方法没有特别限制，可以适当采用现有公知的方法，例如引线键合方式的方法、TAB(Tape Automated Bonding，卷带式自动接合)方式的方法等。
另外，也可以通过在搭载后的半导体芯片的表面将另一半导体芯片热压接、热固化，并再次利用引线键合方式与配线基板连接，从而层积2个以上。例如，有使半导体芯片错开而层积的方法；或者通过使第2层的粘接剂层变厚而一边埋入键合引线一边层积的方法；等。
本发明中，优选通过封装树脂将配线基板与带接合剂层的半导体芯片封装，如此能够得到半导体封装。作为封装树脂没有特别限制，可以适当使用能够用于半导体封装的制造的公知的封装树脂。另外，作为利用封装树脂的封装方法，也没有特别限制，可以适当采用公知的方法。
实施例
下面，基于实施例和比较例来更具体地说明本发明，但本发明不限定于下述实施例。
所使用的材料为以下的原料。
[热塑性树脂]
·苯氧基树脂A1：YP-70
新日化Epoxy制造(株式会社)制造商品名、双酚A/双酚F共聚型、重均分子量约5.5万、玻璃化转变温度(Tg)60℃
·苯氧基树脂A2：YX7180
三菱化学(株式会社)制造商品名、双酚F+1,6-己二醇二缩水甘油醚型苯氧基树脂、重均分子量约5.5万、玻璃化转变温度(Tg)15℃
[热固性树脂]
·环氧树脂B1：RE-310S
日本化药(株式会社)制造商品名、双酚A型液态环氧树脂(双酚A的二缩水甘油醚)、环氧当量185g/eq
·环氧树脂B2：EPPN-501H
日本化药(株式会社)制造商品名、三苯甲烷型环氧树脂(三(4-羟基苯基)甲烷的三缩水甘油醚)、环氧当量164g/eq
·环氧树脂B3：JER871
三菱化学(株式会社)制造商品名、二聚酸酯型环氧树脂(二聚酸二缩水甘油酯)、环氧当量390～470g/eq
[固化剂]
·双氰胺系树脂：DICY-7
三菱化学(株式会社)制造商品名、NH2-C(＝NH)-NH-CN
·酚系树脂：PSM-4271
群荣化学工业(株式会社)制造商品名、甲酚酚醛清漆固化剂、羟基当量106g/eq
[固化促进剂]
·鏻盐：TPP-K
北兴化学工业(株式会社)制造商品名、四苯基鏻四苯基硼酸盐
[应力松弛剂]
·环氧改性聚丁二烯：E-1800-6.5
日本石油化学(株式会社)制造商品名、数均分子量1,800、环氧当量250g/eq
[导热填料]
·氧化铝：导热系数36W/m·K、平均粒径2～3μm的球状颗粒
·氮化铝：导热系数150W/m·K、平均粒径1.0～1.5μm的球状颗粒
实施例1
1.粘接膜的制作
将苯氧基树脂A2(三菱化学(株式会社)制造YX7180)以70质量份、环氧树脂B1(日本化药(株式会社)制造RE-310S)以18质量份、酚系固化剂(群荣化学工业(株式会社)制造PSM-4271)以11质量份、固化促进剂(北兴化学工业(株式会社)制造TPP-K)以1.0质量份、以及导热填料(氧化铝)以329质量份的比例混合到环戊酮30mL中而制备粘接剂组合物清漆，将该粘接剂组合物清漆涂布至厚度38μm的经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)上，进行加热干燥(在130℃保持10分钟)使环戊酮挥发，从而制作粘接剂层的厚度为20μm的粘接膜。
实施例2～7和比较例1～9
在实施例1中，按照下述表1和2那样变更热塑性树脂、环氧树脂、固化剂、固化促进剂、应力松弛剂和导热填料，除此以外与实施例1同样地制作实施例2～7和比较例1～9的各粘接膜。
[粘接膜的性能评价]
使用实施例1～7和比较例1～9中制作的粘接膜，进行热固化后的导热系数、萃取水的氯离子浓度、玻璃化转变温度、260℃的储能模量、玻璃化转变温度以下的线膨胀系数和饱和吸水率的测定。
另外，使用所得到的玻璃化转变温度、260℃的储能模量、玻璃化转变温度以下的线膨胀系数和饱和吸水率，通过上述数学式(1)、(2)计算出可靠性系数S1和S2。
进而，将上述制作的各粘合膜在室温下与半导体封装的可靠性试验(MSL)和半导体加工用带[(古河电气工业(株式会社)制造]进行贴合，制作切晶-粘晶膜，并对半导体晶片加工性(切晶性和拾取性)进行评价。
(导热系数的测定)
从上述制作的各粘接膜通过成型加工制作12mm×12mm×2mm的试片，将该试片在180℃下加热固化1小时而得到测定试样。利用激光闪光法[LFA447、(株式会社)Netch制造、25℃]测定该试片的热扩散率，进而根据该热扩散率、与通过差示扫描量热测定装置[Pyris1、(株式会社)PerkinElmer制造]所得到的比热容与通过阿基米德法得到的比重之积，计算出25℃下的导热系数(W/m·K)。
(萃取水的氯离子浓度的测定)
切取约10g热固化前的各粘接膜，使用热风烘箱在温度180℃下进行1小时热处理，制作出热固化后的样品。将热固化后的样品2g与纯水50mL放入容器中，在温度121℃下进行20小时热处理，通过离子色谱[HIC-SP、(株式会社)岛津制作所制造]测定所得到的萃取水的氯离子浓度。
(玻璃化转变温度的测定和260℃的储能模量的测定)
将PET膜从上述制作的各粘接膜剥离，层积粘接剂层而形成厚度1000μm的层积体。将层积体在180℃下加热1小时而使其固化后，从固化物切割出长度20mm×宽度5mm的测定试样。关于该热固化后的样品，使用固体粘弹性测定装置[Rheogel-E4000、(株式会社)UBM制造]，测定25℃～300℃下的储能模量和损耗模量。测定条件设为频率10Hz、升温速度5℃/分钟。进而计算出tanδ[E”(损耗模量)/E’(储能模量)]的值，由此得到玻璃化转变温度(Tg)。
(线膨胀系数的测定)
通过成型加工从上述制作的各粘接膜制作5mm棱柱，将该棱柱在180℃下加热1小时而使其固化，得到测定试样。将测定试样设置于热机械分析装置[TMA7100、(株式会社)Hitachi High-Tech Science制造]的测定用夹具后，在-50℃～300℃的温度区域内以压入负荷0.02N、探针直径升温速度7℃/分钟的条件测定膨胀率，计算出玻璃化转变温度(Tg)以下的线膨胀系数(CTEα1)。
(饱和吸水率的测定)
将PET膜从上述制作的各粘接膜剥离，成型加工为直径50mm、厚度3mm的圆盘状，使用热风烘箱在温度180℃下进行1小时加热处理，制作出加热固化后的试片。在测定该试片的吸水前的质量(W1)后，使用恒温恒湿器(商品名：SH-222、Espec(株式会社)制造)在温度85℃、相对湿度85％下使其吸水，将确认到吸水后的试片的质量即便在测定后再次在温度85℃、相对湿度85％下使其吸水24小时以上而质量的增加率也为10质量％以下的时刻作为吸水后的质量(W2)，并通过下式求出饱和吸水率。
饱和吸水率WA(质量％)＝{(W2－W1)/W1}×100
(半导体晶片加工性：切晶性、拾取性)
1)切晶性
将所制作的各粘接膜在室温下贴合到以离聚物树脂作为基材膜并设有丙烯酸系粘合剂层的切晶带，制作出切晶-粘晶膜。接着，在温度70℃的条件下贴合至切削研磨成厚度50μm的硅晶片的研磨面(粗糙度：#2,000)，通过切晶而制成宽8mm、长9mm的带粘接膜的半导体芯片。将此时所切割的芯片在切晶过程中从加工用带剥离并飞散的现象称为“芯片飞溅”，另外，将利用显微镜观察切晶后的芯片切断面时角缺损的现象称为“碎裂(chipping)”，关于芯片飞溅，若产生数为全部芯片数(140～160个)的10％以下则为“合格”，将10％以上的情况作为“不合格”。关于碎裂，随机选取20个切晶后的芯片，若在显微镜观察下缺损的最大高度相对于芯片厚度为50％以下(即25μm以下)则为“合格”，50％以上的情况为“不合格”。
2)拾取性
在拾取上述1)中切割的切晶-粘晶膜时，将粘接膜与加工用带的界面无法剥离而芯片粘贴装置停止的现象称为“拾取失误”，将在拾取后粘接膜的一部分仍残留在加工用带上的现象称为“DAF残留”，将相对于所拾取的全部芯片数(72～96个)产生数均为10％以上的情况作为“合格”，将10％以下的情况作为“不合格”。
(可靠性试验：MSL)
通过以下方式评价焊料耐热性试验MSL(Moisture Sensitivity Level)(耐湿回焊性)。
将上述制作的带切晶-粘晶膜的半导体芯片藉由粘接膜与有机基板接合。接合条件为温度140℃、压力0.1MPa、1秒。接着，将接合有半导体芯片的引线框架利用干燥机在120℃热处理1小时，在150℃热处理1小时，进而在180℃热处理1小时。之后利用密封树脂进行封装，由此得到半导体封装。密封条件为加热温度175℃、120秒。之后，在125℃干燥24小时后，在85℃、相对湿度85％、168小时的条件下进行吸湿，进而在设定为在260℃以上保持10秒的IR回焊炉中载置半导体封装，将该回焊试验(在260℃以上保持10秒)进行3次。之后，利用超声波显微镜观察半导体封装，确认在粘接膜与有机基板的交界有无剥离。针对8个半导体芯片进行确认，将产生剥离的半导体芯片为0个的情况作为“合格”，将1个以上的情况作为“不合格”。
需要说明的是，表1和2中记载的MSL1为IPC/JEDEC(美国共同电子机器技术委员会)所规定的等级标准。
将所得到的结果归纳示于下述表1和2中。
需要说明的是，比较例9由于导热系数为0.4W/m·K，不满足规定的0.5W/m·K以上，因而虽然进行了半导体晶片加工性的评价，但未进行其余的评价。
此处，示出材料的混配量的数为质量份。另外，表中的“-”表示未使用。另外，半导体晶片加工性以“半导体加工性”来表示。
根据上述表1和2可知以下内容。
本发明的实施例1～7中，固化后的粘接膜(粘接剂层)的导热系数高，散热性优异，而且焊料耐热性的可靠性试验(MSL)也优异。另外，除此以外，半导体的加工性也优异。
此处，如比较例9那样，若导热填料的含量小于30体积％，则固化后的粘接膜(粘接剂层)的导热系数小于0.5W/m·K，散热性降低。
若导热填料的含量为30体积％以上，则导热系数为0.5W/m·K以上。
但是，如比较例1～8那样，只要可靠性系数S1未满足50～220×10-6GPa、可靠性系数S2未满足10～120×10-6GPa的范围，则在焊料耐热性的可靠性试验(MSL)中在粘接膜与有机基板的交界处产生剥离。
需要说明的是，导热填料的含量超过70体积％的情况下，若可靠性系数S1和S2的任一者不满足本发明中规定的上述范围，则半导体的加工性变差的情况多。此处，在比较例1中，由于所使用的苯氧基树脂为具有通式(I)所示的重复单元的苯氧基树脂、特别是双酚F与1,6-己二醇的二缩水甘油醚的聚合物，因而认为半导体的加工性优异。
结合其实施方式对本发明进行了说明，但本申请人认为，只要没有特别指定，则本发明在说明的任何细节均不被限定，应当在不违反所附权利要求书所示的发明精神和范围的情况下进行宽泛的解释。
本申请要求基于2017年5月1日在日本进行专利提交的日本特愿2017-091351的优先权，将其参照于此并将其内容作为本说明书记载内容的一部分引入。

Claims (10)

1.一种粘接膜，其为由含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成的粘接膜，其特征在于，
所述导热填料的导热系数为12W/m·K以上且在所述粘接剂层中的含量为30～50体积％，所述热塑性树脂包含至少一种苯氧基树脂，并且对于固化后的粘接剂层而言，
由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10-6GPa)，
由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10-8GPa)，
导热系数为0.5W/m·K以上，
S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)
S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)
数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值；Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值；另外，[]内表示单位。
2.如权利要求1所述的粘接膜，其特征在于，所述苯氧基树脂的玻璃化转变温度Tg为-50～50℃、且重均分子量为10,000～100,000。
3.如权利要求1或2所述的粘接膜，其特征在于，所述苯氧基树脂具有下述通式(I)所示的重复单元，
通式(I)
通式(I)中，La表示单键或二价连接基团，Ra1和Ra2各自独立地表示取代基；ma和na各自独立地表示0～4的整数；X表示亚烷基，nb表示1～10的整数。
4.如权利要求1～3中任一项所述的粘接膜，其特征在于，所述热固性树脂为环氧树脂。
5.如权利要求1～4中任一项所述的粘接膜，其特征在于，所述导热填料为选自氧化铝和氮化铝中的至少一种。
6.如权利要求1～5中任一项所述的粘接膜，其特征在于，其含有酚系树脂作为固化剂。
7.如权利要求1～6中任一项所述的粘接膜，其特征在于，其含有鏻盐化合物作为固化促进剂。
8.一种半导体晶片加工用带，其特征在于，其在基材膜上具有粘合剂层，在该粘合剂层上具有权利要求1～7中任一项所述的粘接膜。
9.一种半导体封装，其特征在于，其使用权利要求1～7中任一项所述的粘接膜。
10.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：
第1工序，在表面形成有至少1个半导体电路的半导体芯片的背面贴合权利要求1～7中任一项所述的粘接膜的粘接剂层，隔着该粘接剂层将所得到的带粘接剂层的半导体芯片和配线基板热压接；和
第2工序，将所述粘接剂层热固化。
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