TWI475087B - Flip-chip bonding agent, flip-chip bonding tape, semiconductor wafer mounting method, and semiconductor device - Google Patents

Flip-chip bonding agent, flip-chip bonding tape, semiconductor wafer mounting method, and semiconductor device Download PDF

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TWI475087B
TWI475087B TW099108302A TW99108302A TWI475087B TW I475087 B TWI475087 B TW I475087B TW 099108302 A TW099108302 A TW 099108302A TW 99108302 A TW99108302 A TW 99108302A TW I475087 B TWI475087 B TW I475087B
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semiconductor
wafer
flip chip
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Yangsoo Lee
Sayaka Wakioka
Atsushi Nakayama
Carl Alvin Dilao
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Description

倒裝晶片構裝用接著劑、倒裝晶片構裝用接著膜、半導體晶片之構裝方法及半導體裝置
本發明係關於一種透明性高、可容易地識別半導體晶片黏合時之圖案或位置顯示的半導體接合用接著劑。
於半導體裝置之製造中，進行將半導體晶片接著固定於基板或其他半導體晶片上的接合步驟。於接合半導體晶片時，現在於多數情況下使用接著劑、接著膜等。
例如，於專利文獻1中揭示一種絕緣層用接著膜，其係於具有由半導體晶片、可撓性配線基板、夾持於其等中之絕緣層所構成之結構的半導體裝置中，絕緣層於加熱接著溫度下利用毛細管流變法所得之最低黏度為100～2000 Pa‧s。於專利文獻1中，記載了其絕緣層用接著膜於膜之滲出量控制、耐熱性、電路填充性方面優異。
另一方面，於近年來，半導體裝置之小型化、高積體化不斷發展，例如亦生產表面具有複數個突起(凸塊)作為電極之倒裝晶片、積層有複數個薄研削之半導體晶片的堆疊晶片等。進而，為了效率良好地生產此種小型化、高積體化之半導體裝置，製造步驟之自動化亦逐漸發展。
於近年自動化之接合步驟中，藉由用相機識別設置於半導體晶片上之圖案或位置顯示，而進行半導體晶片之對位。此時，係自積層於半導體晶片上的接著劑之上而識別圖案或位置顯示，因此對於黏合時所使用之接著劑，要求相機可充分識別圖案或位置顯示之程度的透明性。
然而，於先前之接著劑中，為了使硬化物之線膨脹係數降低而實現較高之接合可靠性，而混入大量之無機填料，成為透明性降低之原因。因此，產生如下問題：變得難以用相機識別圖案或位置顯示，妨礙半導體裝置之生產性的提高。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平11-12545號公報
本發明之目的在於提供一種透明性高、可容易地識別半導體晶片接合時之圖案或位置顯示的半導體接合用接著劑。
本發明1係一種半導體接合用接著劑，含有環氧樹脂、無機填料及硬化劑，其特徵在於：上述無機填料於半導體接合用接著劑中之含量為30～70重量%，且含有平均粒徑未滿0.1 μm之填料A、平均粒徑為0.1 μm以上且未滿1 μm之填料B，上述填料A相對於上述填料B之重量比為1/9～6/4。
本發明2係一種半導體接合用接著劑，含有環氧樹脂、無機填料及硬化劑，其特徵在於：上述環氧樹脂與上述無機填料之折射率之差為0.1以下。
於半導體接合用接著劑中，為了較低維持硬化物之線膨脹係數且提高透明性，通常有效的是使用平均粒徑與光之波長相比足夠小之無機填料。然而，若使用此種無機填料，則存在如下問題：半導體接合用接著劑之黏度增大而造成流動性降低，因此塗佈性降低，或是該半導體接合用接著劑所構成之接著劑層對於表面具有突起電極之晶圓之跟隨性降低。
對此，本發明者等人發現：於含有環氧樹脂、無機填料及硬化劑之半導體接合用接著劑中，將無機填料在半導體接合用接著劑中之含量設為規定之範圍，進而以規定之重量比使用具有規定之平均粒徑的2種無機填料，藉此可同時實現優異之塗佈性、較高之接合可靠性及較高之透明性。本發明者等人發現此種半導體接合用接著劑之透明性高，因此可容易地利用相機而識別半導體晶片黏合時之圖案或位置顯示，從而完成本發明1。
本發明者等人注意到：通常之半導體接合用接著劑中所使用之酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、具有環氧基之丙烯酸系樹脂等之折射率為1.4～1.6左右，相對於此，例如通常作為無機填料而使用之二氧化矽的折射率為1.2～1.4左右，兩者之折射率存在有差異。
本發明者等人發現：於含有環氧樹脂、無機填料、硬化劑之半導體接合用接著劑中，藉由將環氧樹脂與無機填料之折射率之差設為0.1以下，可抑制透過半導體接合用接著劑之光散射，從而獲得透明性高之半導體接合用接著劑。本發明者等人發現藉由使用此種半導體接合用接著劑，可容易地識別半導體晶片黏合時之圖案或位置顯示，從而完成本發明2。
以下，對本發明1及本發明2加以詳述。
再者，於本說明書中，關於本發明1與本發明2中共通之事項，僅以「本發明」進行說明。
本發明之半導體接合用接著劑含有環氧樹脂。
上述環氧樹脂並無特別限定，較佳為含有於主鏈具有多環烴骨架之環氧樹脂。藉由含有上述於主鏈具有多環烴骨架之環氧樹脂，所得之半導體接合用接著劑之硬化物剛硬且分子運動受到阻礙，因此表現出優異之機械強度及耐熱性，又，吸水性變低，因此表現出優異之耐濕性。
上述於主鏈具有多環烴骨架之環氧樹脂並無特別限定，例如可列舉二氧化二環戊二烯、具有二環戊二烯骨架之酚系酚醛清漆環氧樹脂等具有二環戊二烯骨架之環氧樹脂(以下亦稱為二環戊二烯型環氧樹脂)，1-縮水甘油基萘、2-縮水甘油基萘、1,2-二縮水甘油基萘、1,5-二縮水甘油基萘、1,6-二縮水甘油基萘、1,7-二縮水甘油基萘、2,7-二縮水甘油基萘、三縮水甘油基萘、1,2,5,6-四縮水甘油基萘等具有萘骨架之環氧樹脂(以下亦稱為萘型環氧樹脂)，四羥基苯乙烷型環氧樹脂、四(縮水甘油氧基苯)乙烷、3,4-環氧-6-甲基環己基甲基-3,4-環氧-6-甲基環己烷碳酸鹽等。其中，二環戊二烯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂較佳。
該等於主鏈具有多環烴骨架之環氧樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上，且亦可與雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等通用之環氧樹脂併用。
較佳為上述萘型環氧樹脂含有具有下述通式(1)所表示之結構的化合物。藉由含有具有下述通式(1)所表示之結構的化合物，可降低所得之半導體接合用接著劑之硬化物的線膨脹係數，且可使硬化物之耐熱性或接著性提高，實現更高之接合可靠性。
於通式(1)中，R4 及R5 分別表示氫原子、鹵素原子、烷基、芳基或苯基，n及m分別為0或1。
上述環氧樹脂含有具有上述通式(1)所表示之結構的化合物之情形時，具有上述通式(1)所表示之結構的化合物之配合量並無特別限定，上述環氧樹脂中之較佳下限為3重量%，較佳上限為90重量%。若具有上述通式(1)所表示之結構的化合物之配合量未滿3重量%，則存在不能充分獲得降低半導體接合用接著劑之硬化物的線膨脹係數之效果，或是會發生接著力下降之現象。若具有上述通式(1)所表示之結構的化合物之配合量超過90重量%，則存在具有該通式(1)所表示之結構的化合物與其他配合成分產生相分離，從而造成半導體接合用接著劑之塗佈性降低，或是吸水率變高之現象。具有上述通式(1)所表示之結構的化合物之配合量，於上述環氧樹脂中之更佳之下限為5重量%、更佳之上限為80重量%。
較佳為本發明之半導體接合用接著劑進一步含有高分子化合物。藉由含有上述高分子化合物，可對所得之半導體接合用接著劑賦予成膜性或可撓性，從而獲得接合可靠性優異之半導體接合用接著劑。
上述高分子化合物並無特別限定，較佳為具有與環氧樹脂反應之官能基的高分子化合物。
上述具有與環氧樹脂反應之官能基的高分子化合物並無特別限定，例如可列舉具有胺基、胺基甲酸酯基、亞胺基、羥基、羧基、環氧基等之高分子化合物。其中，較佳為具有環氧基之高分子化合物。
本發明之半導體接合用接著劑含有上述於主鏈具有多環烴骨架之環氧樹脂與上述具有環氧基之高分子化合物之情形時，半導體接合用接著劑之硬化物具有源自上述於主鏈具有多環烴骨架之環氧樹脂之優異之機械強度、耐熱性及耐濕性，以及源自上述具有環氧基之高分子化合物之優異之可撓性，且耐冷熱循環性、耐回焊性、尺寸穩定性等優異，可實現較高之接合可靠性及導通可靠性。
上述具有環氧基之高分子化合物若為於末端及/或支鏈(側鏈位)具有環氧基之高分子化合物則無特別限定，例如可列舉：含有環氧基之丙烯酸橡膠、含有環氧基之丁二烯橡膠、雙酚型高分子量環氧樹脂、含有環氧基之苯氧基樹脂、含有環氧基之丙烯酸系樹脂、含有環氧基之胺酯樹脂、含有環氧基之聚酯樹脂等。該等具有環氧基之高分子化合物可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，自含有較多之環氧基，進而提高所得之半導體接合用接著劑之硬化物的機械強度、耐熱性之方面考慮，含有環氧基之丙烯酸系樹脂較佳。
上述高分子化合物，除與上述環氧樹脂反應之官能基外，亦可具有光硬化性官能基。
藉由使上述高分子化合物具有上述光硬化性官能基，可對所得之半導體接合用接著劑賦予光硬化性，可藉由光照射而進行半硬化，且可藉由光照射而控制此種半導體接合用接著劑所構成之接著劑層等的黏著力或接著力。
上述光硬化性官能基並無特別限定，例如可列舉丙烯基、甲基丙烯基等。
上述高分子化合物的重量平均分子量並無特別限定，較佳之下限為1萬，較佳之上限為100萬。若上述高分子化合物之重量平均分子量未滿1萬，則所得之半導體接合用接著劑之硬化物之接著力不足，或者於使半導體接合用接著劑薄膜化之情形時，變得難以薄膜化，半導體接合用接著劑之造膜性變得不充分，不能充分提高硬化物之可撓性。若上述高分子化合物之重量平均分子量超過100萬，則所得之半導體接合用接著劑於接著步驟之表面濕潤性差，接著強度差。
於本發明之半導體接合用接著劑含有上述高分子化合物之情形時，上述高分子化合物之配合量並無特別限定，相對於上述環氧樹脂100重量份之較佳之下限為20重量份、較佳之上限為100重量份。若上述高分子化合物之配合量未滿20重量份，則存在所得之半導體接合用接著劑之硬化物可撓性降低，不能獲得較高之接合可靠性及導通可靠性之現象。若上述高分子化合物之配合量超過100重量份，則存在所得之半導體接合用接著劑之硬化物的機械強度、耐熱性及耐濕性降低，不能獲得較高之接合可靠性及導通可靠性之現象。
本發明之半導體接合用接著劑含有無機填料。
藉由含有上述無機填料，可使所得之半導體接合用接著劑之硬化物的線膨脹係數降低，實現較高之接合可靠性。
本發明1之半導體接合用接著劑含有平均粒徑未滿0.1μm之填料A、與平均粒徑為0.1μm以上且未滿1μm之填料B作為無機填料。
藉由含有此2種無機填料，可維持較高之接合可靠性，且抑制所得之半導體接合用接著劑之黏度增大以及由於該黏度增大所造成之流動性降低，且可使塗佈性提高，同時可使透明性得以提高，可容易地用相機識別半導體晶片接合時之圖案或位置顯示，從而使半導體裝置之生產性得以提高。
又，藉由抑制半導體接合用接著劑之黏度增大、及由於該黏度增大所造成之流動性降低，亦可使由半導體接合用接著劑所構成之接著劑層對於表面具有突起電極之晶圓之跟隨性提高。
若上述填料A之平均粒徑為0.1 μm以上，則存在所得之半導體接合用接著劑之透明性降低，接合半導體晶片時變得難以用相機識別圖案或位置顯示。上述填料A之平均粒徑較佳為未滿0.08 μm。
若上述填料B之平均粒徑未滿0.1 μm，則存在所得之半導體接合用接著劑之接合可靠性降低，且黏度增大而造成流動性降低、塗佈性降低，由半導體接合用接著劑所構成之接著劑層對於表面具有突起電極之晶圓之跟隨性降低之現象。若上述填料B之平均粒徑為1 μm以上，則存在所得之半導體接合用接著劑之透明性降低，接合半導體晶片時變得難以用相機識別圖案或位置顯示。
上述填料B之平均粒徑較佳為0.15 μm以上。又，上述填料B之平均粒徑較佳為未滿0.8 μm。
再者，於本說明書中，所謂平均粒徑，係表示根據藉由雷射繞射式粒度分布測定裝置而測定之基於體積平均的粒度分布測定結果而求得的平均粒徑。
較佳為上述填料A相對於上述填料B之重量比的下限為1/9、上限為6/4。若上述填料A相對於上述填料B之重量比未滿1/9，則存在所得之半導體接合用接著劑之透明性降低、接合半導體晶片時變得難以用相機識別圖案或位置顯示之現象。若上述填料A相對於上述填料B之重量比超過6/4，則存在所得之半導體接合用接著劑之接合可靠性降低，且黏度增大而造成流動性降低、塗佈性降低，由半導體接合用接著劑所構成之接著劑層對於表面具有突起電極之晶圓之跟隨性降低之現象。
上述填料A相對於上述填料B之重量比的更佳之下限為2/8、更佳之上限為5/5。
本發明1之半導體接合用接著劑中所使用之無機填料之平均粒徑及重量比若在上述範圍內則無特別限定，例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、氮化矽、碳化矽、氧化鎂、氧化鋅等。又，作為上述無機填料，例如亦可列舉矽、鈦、鋁、鈣、硼、鎂及鋯之氧化物、以及其等之複合物等，作為此種複合物，具體而言例如可列舉矽-鋁-硼複合氧化物、矽-鈦複合氧化物、二氧化矽-二氧化鈦複合氧化物等。其中，自平滑性優異之方面考慮，較佳為球狀二氧化矽。
藉由使用上述球狀二氧化矽，可進而提高所得之半導體接合用接著劑之接合可靠性，且可抑制黏度增大、及由於該黏度增大所造成之流動性降低，且可進而提高塗佈性、以及由半導體接合用接著劑所構成之接著劑層對於表面具有突起電極之晶圓的跟隨性。
於本發明2之半導體接合用接著劑中，上述環氧樹脂與上述無機填料之折射率差為0.1以下。藉由含有此種無機填料，可在所得之半導體接合用接著劑之透明性不致降低之前提下確保硬化物之機械強度，且可使線膨脹係數降低而實現較高之接著可靠性。若上述環氧樹脂與上述無機填料之折射率差超過0.1，則透過所得之半導體接合用接著劑之光的散射增加，半導體接合用接著劑之透明性降低，接合半導體晶片時變得難以用相機識別圖案或位置顯示。
上述環氧樹脂與上述無機填料之折射率差較佳為0.05以下。
本發明2之半導體接合用接著劑中所使用的無機填料只要與上述環氧樹脂之折射率差為0.1以下則並無特別限定，較佳為選自矽、鈦、鋁、鈣、硼、鎂及鋯之氧化物、以及其等之複合物所組成之群之至少一種。
其中，自具有與通常作為無機填料而使用之二氧化矽相似之物性之方面考慮，更佳為矽-鋁-硼複合氧化物、矽-鈦複合氧化物、二氧化矽-二氧化鈦複合氧化物。
本發明2之半導體接合用接著劑中所使用之無機填料之平均粒徑並無特別限定，較佳之下限為0.1 μm、較佳之上限為30 μm。若上述無機填料之平均粒徑未滿0.1 μm，則存在難以於半導體接合用接著劑中填充無機填料，所得之半導體接合用接著劑之流動性降低而造成接著性能降低之現象。若上述無機填料之平均粒徑超過30 μm，則存在所得之半導體接合用接著劑之透明性降低，接合半導體晶片時難以用相機識別圖案或位置顯示之現象。又，若上述無機填料之平均粒徑超過30 μm，則存在由於無機填料之平均粒徑大而產生電極接合不良之現象。
特別是藉由使用平均粒徑為0.5 μm～5 μm之無機填料，可進而提高半導體接合用接著劑之透明性。又，亦可視需要使用平均粒徑為奈米尺寸之無機填料作為上述無機填料。
較佳為本發明之半導體接合用接著劑中所使用之無機填料藉由偶合劑而進行了表面處理。
藉由進行表面處理，可抑制上述無機填料之凝集，提高與上述環氧樹脂等樹脂之親和性。藉此，可進而提高所得之半導體接合用接著劑之接合可靠性，且可進而抑制黏度增大、及由該黏度增大所造成之流動性降低，可進而提高塗佈性、以及由半導體接合用接著劑所構成之接著劑層對表面具有突起電極之晶圓的跟隨性。
上述偶合劑並無特別限定，例如可列舉矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋁偶合劑等，其中，自與上述環氧樹脂之親和性及分散性之觀點考慮，較佳為矽烷偶合劑。
上述矽烷偶合劑並無特別限定，例如可列舉乙烯基矽烷、環氧基矽烷、苯乙烯基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基矽烷、胺基矽烷、脲基矽烷、巰基矽烷、咪唑矽烷、異氰酸酯矽烷、烷氧基矽烷等矽烷偶合劑。其中，較佳為烷氧基矽烷。
上述烷氧基矽烷並無特別限定，尤佳為苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷。
該等偶合劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
本發明之半導體接合用接著劑中之無機填料之含量並無特別限定，相對於上述環氧樹脂100重量份之較佳之下限為30重量份、較佳之上限為350重量份。若上述無機填料之配合量未滿30重量份，則存在無法充分獲得確保半導體接合用接著劑之硬化物之機械強度、使線膨脹係數降低之效果。若上述無機填料之配合量超過350重量份，則存在所得之半導體接合用接著劑之黏度上升，於接著步驟之表面濕潤性差、接著強度差之現象。上述無機填料之配合量相對於上述環氧樹脂100重量份之更佳之下限為40重量份、進而更佳之下限為60重量份，更佳之上限為225重量份、進而更佳之上限為150重量份、進而更佳之上限為120重量份。
又，上述無機填料於上述接著劑層中之含量之較佳下限為10重量%、較佳上限70重量%。若上述無機填料於上述接著劑層中之含量未滿10重量%，則存在所得之接著劑層之硬化物的線膨脹係數上升，難以實現較高之接合可靠性之現象。若上述無機填料於上述接著劑層中之含量超過70重量%，則存在所得之接著劑層之硬化物因彈性模數上升而無法緩和熱應力，變得難以實現較高之接合可靠性，且無法充分抑制用以形成上述接著劑層之接著劑溶液之黏度增大、以及由於該黏度增大所造成之流動性降低之現象。上述無機填料於上述接著劑層中之含量之更佳之下限為20重量%、更佳之上限為60重量%，進而更佳之下限為30重量%、進而更佳之上限為55重量%，特佳之下限為40重量%。
本發明之半導體接合用接著劑含有硬化劑。
上述硬化劑並無特別限定，例如可列舉三烷基四氫鄰苯二甲酸酐等加熱硬化型酸酐系硬化劑、酚系硬化劑、胺系硬化劑、二氰基二醯胺等潛伏性硬化劑、陽離子系觸媒型硬化劑等。該等硬化劑可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，較佳為酸酐系硬化劑。
藉由使用上述酸酐系硬化劑，可中和所得之半導體接合用接著劑之硬化物之酸性度，可提高電極之可靠性。又，上述酸酐系硬化劑因熱硬化速度迅速，因此可有效的降低所得之半導體接合用接著劑之硬化物中產生空孔(void)，可實現較高之接合可靠性。
又，如後述般，使用於常溫下為液狀之咪唑化合物作為硬化促進劑之情形時，藉由併用具有二環骨架之酸酐作為硬化劑，可兼具較高之熱硬化性與優異之儲存穩定性及熱穩定性。認為其原因在於：藉由含有立體蓬鬆之具有二環骨架之酸酐，抑制了硬化反應之反應性。又，上述具有二環骨架之酸酐相對於上述環氧樹脂之溶解性高，因此可使本發明之半導體接合用接著劑之透明性進一步提高。進而，藉由使用上述具有二環骨架之酸酐，可使硬化物表現出優異之機械強度、耐熱性、電氣特性等。
上述具有二環骨架之酸酐並無特別限定，較佳為具有下述通式(a)所表示之結構之化合物。
於通式(a)中，X表示單鍵或雙鍵之連結基，R1 表示亞甲基或伸乙基，R2 及R3 表示氫原子、鹵基、烷氧基或烴基。
作為具有上述通式(a)所表示之結構的化合物，具體而言，例如可列舉耐地酸酐、甲基耐地酸酐等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述具有二環骨架之酸酐之市售品並無特別限定，例如可列舉YH-307及YH-309(Japan Epoxy Resins Co.,Ltd製造)、RIKACID HNA-100(新日本理化公司製造)等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述硬化劑之配合量並無特別限定，於使用與上述環氧樹脂之官能基等量反應之硬化劑之情形時，相對於本發明之半導體接合用接著劑中所含有之環氧基之總量的較佳之下限為60當量、較佳之上限為110當量。若上述硬化劑之配合量未滿60當量，則存在所得之半導體接合用接著劑未充分硬化之現象。即使上述硬化劑之配合量超過110當量也不會特別有助於半導體接合用接著劑之硬化性。上述硬化劑之配合量之更佳之下限為70當量、更佳之上限為100當量。
本發明之半導體接合用接著劑為了調整硬化速度或硬化物之物性等，亦可進而含有硬化促進劑。
上述硬化促進劑並無特別限定，例如可列舉咪唑系硬化促進劑、三級胺系硬化促進劑等。該等硬化促進劑可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，自容易控制用以調整硬化速度或硬化物之物性等的反應系考慮，較佳為咪唑系硬化促進劑。
上述咪唑系硬化促進劑並無特別限定，例如可列舉咪唑之1位經氰乙基保護之1-氰乙基-2-苯咪唑、以異三聚氰酸保護了鹼性之咪唑系硬化促進劑(商品名「2MA-OK」、四國化成工業公司製造)等。該等咪唑系硬化促進劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
又，上述咪唑系硬化促進劑亦可含有於常溫下為液狀之咪唑化合物。於本說明書中，所謂於常溫下為液狀，係表示於溫度為10～30℃中為液體狀態。
通常可藉由配合上述咪唑系硬化促進劑，而於較低溫度下以較短時間使所得之半導體接合用接著劑熱硬化，然而上述咪唑系硬化促進劑大多數於常溫下為固體，經微小地粉碎而進行配合，因此成為透明性降低之原因。對此，藉由含有上述於常溫下為液狀之咪唑化合物，可進而提高所得之半導體接合用接著劑之透明性，例如於黏合半導體晶片時，變得容易用相機識別圖案或位置顯示。
又，如上所述，較佳為上述於常溫下為液狀之咪唑化合物與立體蓬鬆之具有二環骨架之酸酐併用而使用。藉此，可提高所得之半導體接合用接著劑之儲存穩定性及熱穩定性。
進而，藉由使用上述於常溫下為液狀之咪唑化合物，可無需將咪唑化合物微小地粉碎，而更容易地製造半導體接合用接著劑。
上述於常溫下為液狀之咪唑化合物若於常溫下為液狀則並無特別限定，例如可列舉2-乙基-4-甲基咪唑、1-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-乙基咪唑、1-苄基-2-苯咪唑、1-氰乙基-2-苯基-4,5-二-(氰基乙氧基甲基)咪唑、1,8-二氮雜雙環(5.4.0)十一碳烯-7、及其等之衍生物等。
上述衍生物並無特別限定，例如可列舉羧酸鹽、異三聚氰酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽等鹽，與環氧化合物之加成物等。
該等可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，2-乙基-4-甲基咪唑及其衍生物較佳。
上述於常溫下為液狀之咪唑化合物之市售品並無特別限定，例如可列舉2E4MZ、1B2MZ、1B2PZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、2PHZ-CN、1M2EZ、1B2EZ(以上由四國化成工業公司製造)、EMI24(Japan Epoxy Resins Co.,Ltd製造)、Fujicure 7000(富士化成公司製造)等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
本發明之半導體接合用接著劑含有上述於常溫下為液狀之咪唑化合物之情形時，上述於常溫下為液狀之咪唑化合物之配合量並無特別限定，相對於上述硬化劑100重量份的較佳之下限為5重量份、較佳之上限為50重量份。若上述於常溫下為液狀之咪唑化合物之配合量未滿5重量份，則存在所得之半導體接合用接著劑需要於高溫下進行長時間之加熱而熱硬化之現象。若上述於常溫下為液狀之咪唑化合物之配合量超過50重量份，則存在所得之半導體接合用接著劑之儲存穩定性及熱穩定性降低之現象。
上述於常溫下為液狀之咪唑化合物之配合量相對於上述硬化劑100重量份的更佳之下限為10重量份、更佳之上限為30重量份。
本發明之半導體接合用接著劑亦可含有光聚合起始劑。
上述光聚合起始劑並無特別限定，例如可列舉藉由照射250～800 nm之波長之光而活性化者。作為此種光聚合起始劑，例如可列舉甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物，或安息香丙醚、安息香異丁醚等安息香醚系化合物，或苯偶醯二甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等縮酮衍生物化合物，或氧化膦衍生物化合物，雙(η5-環戊二烯基)二茂鈦衍生物化合物、二苯基酮、米其勒酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等光自由基聚合起始劑。該等光聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述光聚合起始劑之配合量並無特別限定，相對於上述光硬化性化合物100重量份的較佳之下限為0.05重量份、較佳之上限為5重量份。若上述光聚合起始劑之配合量未滿0.05重量份，則存在使用所得之半導體接合用接著劑製作膜等之情形時，即使照射用以使接著劑層半硬化之能量線，亦無法使其充分地半硬化。上述光聚合起始劑即使超過5重量份而配合，亦不特別有助於光硬化性。
本發明之半導體接合用接著劑進而亦可視需要含有丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、苯氧基樹脂等通常之樹脂，亦可含有矽烷偶合劑、鈦偶合劑、增稠劑、消泡劑等添加劑。
較佳為本發明之半導體接合用接著劑之霧度為70%以下。
藉由設為上述範圍之霧度，可提高半導體接合用接著劑之透明性，使用相機識別半導體晶片接合時之圖案或位置顯示變容易，使半導體裝置之生產性得以提高。
若上述霧度超過70%，則半導體接合用接著劑之透明性降低，於接合半導體晶片時，變得難以用相機識別圖案或位置顯示。更佳為本發明之半導體接合用接著劑之霧度為60%以下。
再者，於本說明書中，所謂半導體接合用接著劑之霧度，係表示對將由該半導體接合用接著劑所構成之厚度為40 μm之接著劑層之兩個面夾持於2片厚度為25 μm之PET膜間而得到的半導體接合用接著膜，使用村上色彩技術研究所公司製造之「HM-750」等霧度計進行測定時的霧度(%)。
製造本發明之半導體接合用接著劑之方法並無特別限定，例如可列舉使用均勻分散機將上述環氧樹脂、上述硬化劑、上述無機填料及視需要添加之各材料等加以攪拌混合的方法。
本發明之半導體接合用接著劑之用途並無特別限定，例如可作為將半導體晶片接合於基板或其他半導體晶片時的接著劑而適宜使用。其中，可作為對表面具有複數個突起作為電極之倒裝晶片進行構裝時之接著劑、底填材料、或者兼作底填材料之接著劑而適宜使用。
本發明之半導體接合用接著劑之透明性高，因此於使用本發明之半導體接合用接著劑來接合半導體晶片時，變得容易用相機識別圖案或位置顯示，可提高半導體裝置之生產性。
本發明之半導體接合用接著劑，例如亦可適用於將半導體晶片接合於基板或其他半導體晶片上時所使用之接著膜的接著劑層。
包含由本發明之半導體接合用接著劑所構成之接著劑層、基材層之半導體接合用接著膜亦係本發明之一。
上述接著劑層之厚度並無特別限定，較佳之下限為5 μm、較佳之上限為150 μm。若上述接著劑層之厚度未滿5 μm，則存在所得之接著劑層之硬化物之接著力不足之現象。若上述接著劑層之厚度超過150 μm，則存在接著劑層變得過厚，透明性降低，於接合半導體晶片時難以用相機識別圖案或位置顯示之現象。上述接著劑層之厚度之更佳之下限為15 μm、更佳之上限為50 μm。
上述基材層若為不妨礙本發明之效果之程度的透明則並無特別限定，例如可列舉由聚烯烴、丙烯酸酯、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、尼龍、胺基甲酸酯、聚醯亞胺等樹脂所構成之層。
上述基材層之厚度並無特別限定，較佳之下限為12 μm、較佳之上限為300 μm。若上述基材層之厚度未滿12 μm，則存在所得之半導體接合用接著膜難以使用，於作為具有背面研磨膠帶功能之非導電性膜(BG-NCF)使用之情形時，不能獲得充分之電極保護效果之現象。若上述基材層之厚度超過300 μm，則存在所得之半導體接合用接著膜之加工性差，捆包時難以形成為筒狀，或於作為BG-NCF而使用之情形時，晶圓之厚度之不均一變大之現象。
再者，於本說明書中，所謂具有背面研磨膠帶功能的非導電性膜(BG-NCF)，係具有至少基材層與接著劑層之膜，係指貼附於表面具有複數個突起(凸塊)作為電極之晶圓的具有突起電極之面，而作為背面研磨膠帶使用，其後，僅剝離基材層，殘留在晶圓上之接著劑層係於將半導體晶片接合於基板或其他半導體晶片上時使用的膜。
製造本發明之半導體接合用接著膜之方法並無特別限定，例如可列舉：將上述環氧樹脂、上述無機填料、上述硬化劑及視需要添加之各材料以適當之溶劑稀釋，使用均勻分散機等進行攪拌混合而所得之含有本發明之半導體接合用接著劑的半導體接合用接著劑溶液，塗佈於上述基材層上，使其乾燥的方法等。
上述塗佈之方法並無特別限定，例如可列舉使用刮刀塗佈、凹板印刷式塗佈、鑄塑等之方法。再者，如上所述，本發明之半導體接合用接著劑可藉由以規定量含有規定之無機填料，而抑制黏度增大，並抑制由於該黏度增大所造成之流動性降低，因此含有本發明之半導體接合用接著劑之半導體接合用接著劑溶液的塗佈性優異。
本發明之半導體接合用接著膜之用途並無特別限定，例如較佳為作為將半導體晶片接合於基板或其他半導體晶片上時的接著膜等而使用。其中，本發明之半導體接合用接著膜用於構裝表面具有複數個突起(凸塊)作為電極之倒裝晶片時之接著膜、兼作底填材料之接著膜、BG-NCF等更佳。
再者，於將本發明之半導體接合用接著膜作為BG-NCF使用之情形時，進行對附著有該半導體接合用接著膜之接著劑層的晶圓進行切割之步驟，此時，對顯示切割部位的晶圓表面之切斷線進行識別亦係與圖案或位置顯示同樣地自接著劑層之上用相機來進行。因此，由於本發明之半導體接合用接著劑之高透明性、及由其所帶來之本發明之半導體接合用接著膜之接著劑層之高透明性，切割半導體晶圓時用相機識別切斷線亦變容易，可使半導體裝置之生產性提高。
使用本發明之半導體接合用接著膜之半導體晶片之構裝方法，即包含如下步驟之半導體晶片之構裝方法亦係本發明之一：步驟1，將本發明之半導體接合用接著膜之接著劑層、與於表面形成有突起電極之晶圓的具有突起電極之面貼合；步驟2，將上述晶圓於固定於本發明之半導體接合用接著膜之狀態下自背面進行研削；步驟3，自貼合於上述研削後之晶圓上的本發明之半導體接合用接著膜，剝離基材層，獲得附著有接著劑層之晶圓；步驟4，用相機自動識別附著有上述接著劑層之晶圓表面的切斷線，沿上述切斷線切割附著有上述接著劑層之晶圓，單片化為附著有接著劑層之半導體晶片；步驟5，用相機自動識別上述附著有接著劑層之半導體晶片之圖案或位置顯示、與基板或其他半導體晶片之圖案或位置顯示而進行對位，將上述附著有接著劑層之半導體晶片經由接著劑層而接著於上述基板或其他半導體晶片上，從而構裝半導體晶片。
再者，作為藉由此種半導體晶片之構裝方法而構裝之表面具有突起電極的半導體晶片，例如可列舉倒裝晶片、TSV等。
於本發明之半導體晶片之構裝方法中，首先進行步驟1，將本發明之半導體接合用接著膜之接著劑層與於表面形成有突起電極之晶圓的具有突起電極之面貼合。
上述晶圓並無特別限定，例如可列舉由矽、砷化鎵等半導體所構成而具有由金、銅、銀-錫焊料、鋁、鎳等所構成之突起電極的晶圓。
上述步驟1可於常壓下進行，但為進一步提高密合性，較佳為於1 torr左右之真空下進行。
上述貼合之方法並無特別限定，較佳為使用層合機之方法。
於本發明之半導體晶片之構裝方法中，其次進行步驟2，將上述晶圓於固定於本發明之半導體接合用接著膜之狀態下自背面進行研削。藉此將上述晶圓研削為所期望之厚度。
又，於進行上述步驟2之前，上述突起電極亦埋於上述接著劑層中。而且，藉由上述步驟2之研削時所施加之壓力而自上述突起電極之頂部壓除接著劑，藉此於其後之步驟中將上述基材層剝離後，可使上述突起電極之頂部自上述接著劑層露出。
上述研削之方法並無特別限定，可使用先前公知之方法，例如使用市售之研削裝置(例如Disco公司製造之「DFG8540」等)，於2400 rpm之旋轉、3～0.2 μm/s之研削量的條件下進行研削，最終藉由CMP進行精加工之方法等。
於本發明之半導體晶片之構裝方法中，於進行上述步驟2之後之步驟3之前，亦可進行對貼合於上述研削後之晶圓上的本發明之半導體接合用接著膜照射能量線，使上述接著劑層半硬化之步驟。再者，為了如此進行而使上述接著劑層半硬化，上述接著劑層必需含有例如可藉由光照射等能量線之照射而硬化的化合物。
藉由照射能量線而使上述接著劑層半硬化，可使上述接著劑層之黏著力降低，使其後之步驟中之上述基材層之剝離變容易。
又，此時，由於上述接著劑層並未完全硬化而「半硬化」，因此上述接著劑層於其後之步驟中在與基板或其他半導體晶片接著時，仍然可發揮充分之接著力。再者，於本說明書中，所謂「半硬化」係表示凝膠分率為10～60重量%。
於本發明之半導體晶片之構裝方法中，其次進行步驟3，自貼合於上述研削後之晶圓上的本發明之半導體接合用接著膜，剝離上述基材膜，獲得附著有接著劑層之晶圓。
此時，上述接著劑層之接著劑較上述突起電極之表面更容易附著於上述基材層側，因此可抑制殘存於上述突起電極之表面的接著劑之量。
於本發明之半導體晶片之構裝方法中，其次進行步驟4，用相機自動識別附著有上述接著劑層之晶圓表面的切斷線，沿上述切斷線對附著有上述接著劑層之晶圓進行切割，單片化為附著有接著劑層之半導體晶片。
上述切割之方法並無特別限定，例如可列舉使用先前公知之磨石等進行切斷分離之方法等。
於上述步驟4中，顯示切割部位的晶圓表面的切斷線的識別，可藉由相機自上述接著劑層之上而進行。於本發明之半導體晶片之構裝方法中，上述接著劑層之透明性高，因此變得容易用相機進行切斷線之識別，可提高半導體裝置之生產性。
於本發明之半導體晶片之構裝方法中，其次進行步驟5，用相機自動識別上述附著有接著劑層之半導體晶片之圖案或位置顯示以及基板或其他半導體晶片之圖案或位置顯示而進行對位，而將上述附著有接著劑層之半導體晶片經由接著劑層接著於上述基板或其他半導體晶片上，從而構裝半導體晶片。
於上述步驟5中，上述附著有接著劑層之半導體晶片之圖案或位置顯示與上述基板或其他半導體晶片之圖案或位置顯示之對位，係自上述接著劑層之上藉由相機而進行。於本發明之半導體晶片之構裝方法中，上述接著劑層之透明性高，因此變得容易用相機識別圖案或位置顯示，可提高半導體裝置之生產性。
再者，於本說明書中，所謂半導體晶片之構裝，係包括於基板上構裝半導體晶片之情形、以及於構裝在基板上之1個以上半導體晶片上進而構裝半導體晶片之情形這兩種情形。
藉由上述步驟5構裝半導體晶片後，進而亦可進行藉由加熱而使上述接著劑層完全硬化之步驟6，而實現更穩定之接著。
於上述說明中，係於進行獲得附著有接著劑層之晶圓的步驟3後，進行對該附著有接著劑層之晶圓進行切割而單片化為附著有接著劑層之半導體晶片的步驟4。
作為其他態樣，亦可經由接著劑層而於步驟3中所得之附著有接著劑層之晶圓上積層其他晶圓而製造晶圓積層體，對所得之晶圓積層體進行總括地切割，獲得附著有接著劑層之半導體晶片的積層體。
本發明之半導體接合用接著膜之透明性高，因此藉由使用本發明之半導體接合用接著膜，變得容易用相機識別晶圓表面之切斷線、及半導體晶片之圖案或位置顯示。因此，藉由本發明之半導體晶片之構裝方法，可生產性良好地製造半導體裝置。
又，本發明之半導體接合用接著膜，上述接著劑層之硬化物之線膨脹係數低，且可實現較高之接合可靠性。因此，藉由本發明之半導體晶片之構裝方法，可製造接合可靠性高之半導體裝置。
使用本發明之半導體晶片之構裝方法而製造之半導體晶片構裝體亦係本發明之一。
[發明效果]
藉由本發明，可提供一種透明性高、可容易地識別半導體晶片接合時之圖案或位置顯示的半導體接合用接著劑。
以下列舉實施例對本發明之態樣加以詳細說明，但本發明並不僅限於該等實施例。
(實施例1～9、比較例1～5)
(1)半導體接合用接著膜之製造
依照表1及表2之組成，將下述所示之材料添加於甲基乙酮中而調整為固體成分濃度為50重量%，使用均勻分散機進行攪拌混合，藉此調製半導體接合用接著劑溶液。使用敷料器(TESTER SANGYO CO.,LTD.製造)將所得之半導體接合用接著劑溶液塗佈於作為基材層之厚度為25 μm之進行了脫模處理的PET膜上，於100℃使其乾燥5分鐘，藉此獲得具有厚度為40 μm之接著劑層的半導體接合用接著膜。
於所得之半導體接合用接著膜之接著劑層側進而積層厚度為25 μm之PET膜，將厚度為40 μm之接著劑層之兩個面夾持在2片厚度為25 μm之PET膜間，得到試片。將所得之試片設置於霧度計(HM-150、村上色彩技術研究所公司製造)，測定霧度(%)。
將所得之霧度(%)示於表1、表2。
(環氧樹脂)
‧HP-7200HH(二環戊二烯型環氧樹脂、DIC公司製造)
‧EXA-4710(萘型環氧樹脂、DIC公司製造)
(含有環氧基之丙烯酸系樹脂)
‧SK-2-78(於丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸羥乙酯與甲基丙烯酸縮水甘油酯之共聚物上加成有2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯而成的化合物，分子量為52萬、雙鍵當量為0.9 meq/g、環氧當量為1650、新中村化學公司製造)
(硬化劑)
‧YH-309(酸酐系硬化劑、JER公司製造)
(硬化促進劑)
‧Fujicure 7000(於常溫下為液狀之咪唑化合物、富士化成公司製造)
(無機填料)
(1)填料A
‧SX009-MJF(經苯基三甲氧基矽烷表面處理之球狀二氧化矽、平均粒徑為0.05 μm、Admatechs公司製造)
(2)填料B
‧SE-1050-SPT(經苯基三甲氧基矽烷表面處理之球狀二氧化矽、平均粒徑為0.3 μm、Admatechs公司製造)
‧SE-2050-SPJ(經苯基三甲氧基矽烷表面處理之球狀二氧化矽、平均粒徑為0.5 μm、Admatechs公司製造)
(3)其他無機填料
‧SE-4050-SPE(經苯基三甲氧基矽烷表面處理之球狀二氧化矽、平均粒徑為1 μm、Admatechs公司製造)
(其他)
‧AC4030(應力緩和橡膠系高分子、Ganz Chemical Co.,Ltd.製造)
(2)半導體晶片之構裝
準備直徑為20 cm、厚度為700 μm，且於表面以400 μm之間距形成有大量高40 μm、寬100 μm×100 μm之正方形銅凸塊的半導體晶圓(矽晶圓)。自半導體接合用接著膜剝去保護接著劑層之PET膜，使用真空層合機，於真空下(1 torr)、70℃下將半導體接合用接著膜貼附於半導體晶圓的具有銅凸塊的面。
其次，將所得之貼附有半導體接合用接著膜的半導體晶圓安裝於研磨裝置上，自背面進行研磨至半導體晶圓之厚度成為約100 μm。此時，一面於半導體晶圓上噴灑水一面進行作業，以防止由於研磨之摩擦熱而造成半導體晶圓的溫度上升。研磨後藉由CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)處理，用鹼的二氧化矽分散水溶液加以研磨而進行鏡面化加工。
將貼附有半導體接合用接著膜之半導體晶圓自研磨裝置取出，於未貼附半導體接合用接著膜之側面貼附切割膠帶「PE tape＃6318-B」(積水化學公司製造、厚度為70 μm、基材為聚乙烯、黏著材為橡膠系黏著材10 μm)，安裝於切割框上。自半導體接合用接著膜之接著劑層剝離基材層，獲得附著有接著劑層之已研磨的半導體晶圓。
使用切割裝置「DFD657」(DISCO公司製造)，以50 mm/秒之進給速度，將附著有接著劑層之半導體晶圓分割為10 mm×10 mm的晶片大小而進行單片化，獲得附著有接著劑層之半導體晶片。
將所得之附著有接著劑層之半導體晶片於熱風乾燥爐內以80℃乾燥10分鐘後，使用接合裝置(澁谷工業公司製造、DB-100)於荷重0.15 MPa、溫度230℃下壓接於基板上10秒鐘，繼而於190℃下以30分鐘使其硬化，獲得半導體晶片構裝體。
(評價)
對實施例、比較例中所得的半導體接合用接著劑溶液、半導體接合用接著膜及半導體晶片構裝體進行以下評價。將結果示於表2。
(1)塗佈性評價
(1-1)溶液黏度測定
關於半導體接合用接著劑溶液，係使用E型黏度計(VISCOMETER TV-22、東機產業公司製造、使用轉子為Φ 48 mm、設定溫度為25℃)，測定轉速為5 rpm下之黏度(mPa‧s)。
(1-2)膜外觀
以目視觀察半導體接合用接著膜之狀態，將未看到塗佈條紋之外觀良好之情況記為○，將產生塗佈條紋者記為×。
(2)利用相機之自動識別
使用真空層合機(ATM-812、Takatori Corporation製造)將半導體接合用接著膜貼合於半導體晶圓之具有銅凸塊之面上，獲得試驗樣品。對10個試驗樣品，使用自動切割裝置(DFT6361、DISCO公司製造)進行單片化後，載置於自動接合裝置(FC3000S、東麗工程公司製造)上，觀察是否可用相機識別半導體晶片的圖案。
將可以在10個所有試驗樣品中識別半導體晶片的圖案的情況記為○，將可以在7～9個試驗樣品中識別半導體晶片的圖案的情況記為△，將可以在6個以下試驗樣品中識別半導體晶片的圖案的情況記為×。
(3)接合可靠性評價
(3-1)線膨脹係數測定
使半導體接合用接著膜於190℃下硬化30分鐘，使用測定裝置「TMA/SS6000」(Seiko Instruments公司製造)，於拉伸模式、30～300℃(5℃/min)×2循環、夾盤間距為10 mm之測定條件下，測定所得之硬化物的線膨脹係數。
自第2個循環之資料讀取40℃接點的線膨脹係數(ppm)，作為α1。
(3-2)耐回焊性試驗
將半導體晶片構裝體於120℃、85RH%下放置96小時使其吸濕後，使其通過回流焊爐(預熱150℃×100秒、回焊[最高溫度260℃])3次後，確認發生自半導體晶片之基板剝離之半導體晶片構裝體之個數。
將20個半導體晶片構裝體中，發生剝離之半導體晶片構裝體為0個之情況記為○、發生剝離之半導體晶片構裝體為1～3個之情況記為△、發生剝離之半導體晶片構裝體為4～20個之情況記為×。
(實施例10～20、比較例6～8)
依照表3、表4之組成，使用均勻分散機將下述所示之各材料攪拌混合而製備半導體接合用接著劑。再者，將環氧樹脂與無機填料之折射率之差示於表3、表4中。
(環氧樹脂)
‧二環戊二烯型環氧樹脂(HP-7200HH、DIC公司製造)
‧雙酚A型環氧樹脂(1004AF、Japan Epoxy Resins Co.,Ltd製造)
‧萘型環氧樹脂(於上述通式(1)中，R1 及R2 為H，m及n為1之化合物、EXA-4710、DIC公司製造)
(光硬化性化合物)
‧具有光硬化性官能基與熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂(於丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸羥乙酯與甲基丙烯酸縮水甘油酯之共聚物上加成有2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯而成的化合物，分子量為52萬、雙鍵當量為0.9 meq/g、環氧當量為1650、新中村化學公司製造、SK-2-78、新中村化學公司製造)
(硬化劑)
‧酸酐(YH-307、Japan Epoxy Resins Co.,Ltd製造)
(光聚合起始劑)
‧光自由基產生劑(Esacure1001、Lamberti公司製造)
(無機填料)
‧二氧化矽-二氧化鈦複合氧化物(德山化學公司製造、TSP0452、平均粒徑為0.4 μm)
‧派熱司(註冊商標)玻璃1(Unitika公司製造、UBS0010E、平均粒徑4 μm)
‧派熱司(註冊商標)玻璃2(日本Frit Glass公司製造、CF0033-05、平均粒徑4 μm)
‧球狀二氧化矽1(德山化學公司製造、0.4SS04、平均粒徑0.4 μm)
‧球狀二氧化矽2(Admatechs公司製造、SE4050MO、平均粒徑1 μm)
‧球狀二氧化矽3(德山化學公司製造、UF305、平均粒徑3 μm)
(其他)
‧咪唑化合物(2MA-OK、四國化成工業公司製造)
‧應力緩和橡膠系高分子(AC4030、Ganz Chemical Co.,Ltd.製造)
‧咪唑矽烷偶合劑(SP-1000、日鑛原材料公司製造)
(評價)
將用溶劑稀釋實施例、比較例中所得之半導體接合用接著劑而成的接著劑組合物，用敷料器(TESTER SANGYO CO.,LTD.製造)塗佈於經脫模處理之PET膜上使其乾燥，獲得作為標準品的厚度為40 μm之接著膜。
使用所得之接著膜進行以下之評價。將結果示於表3及表4中。
(1)霧度之測定
將所得之厚度為40 μm之接著膜之兩個面夾持在2片厚度為25 μm之PET膜間而獲得試片。將所得之試片設置於霧度計(HM-150、村上色彩技術研究所公司製造)，測定霧度(%)。將霧度為0%以上且未滿60%之情況評價為○，將霧度為60%以上100%以下之情況評價為×。
(2)利用相機之自動識別之評價
使用真空層合機(ATM-812、Takatori Corporation製造)將所得之厚度為40 μm之接著膜貼合於半導體晶圓上而獲得試驗樣品。對10個試驗樣品，使用自動切割裝置(DFT6361、DISCO公司製造)進行單片化後，載置於自動接合裝置(FC3000S、東麗工程公司製造)上，觀察是否可用相機識別半導體晶片的圖案。將可以在10個所有試驗樣品中識別半導體晶片的圖案的情況記為○，將可以在7～9個試驗樣品中識別半導體晶片的圖案的情況記為△，將可以在6個以下試驗樣品中識別半導體晶片的圖案的情況記為×。
(參考例1～4)
依照表5所示之之組成，將下述所示之材料添加至甲基乙基酮中以使固體成分濃度為50重量%，使用均勻分散機進行攪拌混合，製備熱硬化性樹脂組合物之配合液。
(環氧樹脂)
‧HP-7200HH(二環戊二烯型環氧樹脂、DIC公司製造)
‧EXA-4710(萘型環氧樹脂、DIC公司製造)
(含有環氧基之丙烯酸系樹脂)
‧SK-2-78(於丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸羥乙酯與甲基丙烯酸縮水甘油酯之共聚物上加成有2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯而成的化合物，分子量為52萬、雙鍵當量為0.9 meq/g、環氧當量為1650、新中村化學公司製造)
(酸酐)
‧YH-306(不具二環骨架之酸酐、JER公司製造)
‧YH-309(具有二環骨架之酸酐、JER公司製造)
‧HNA-100(具有二環骨架之酸酐、新日本理化公司製造)
(咪唑化合物)
‧2MAOK-DS(於常溫下為固體之咪唑化合物、四國化成工業公司製造)
‧Fujicure 7000(於常溫下為液狀之咪唑化合物、富士化成公司製造)
(其他)
‧MT-10(煙燻二氧化矽、德山化學公司製造)
‧AC4030(應力緩和橡膠系高分子、Ganz Chemical Co.,Ltd.製造)
(評價)
將參考例中所得之熱硬化性樹脂組合物之配合液，用敷料器(TESTER SANGYO CO.,LTD.製造)塗佈於經脫模處理之PET膜上，於100℃下使其乾燥5分鐘，獲得厚度為40μm之接著膜。對所得之接著膜，進行以下評價。
將結果示於表5。
(1)儲存穩定性
儲存穩定性係藉由按照下述步驟測定於室溫下保管2星期後之凝膠分率(重量%)而進行評價。
將所得之接著膜於室溫下保管2星期後，切出50 mm×100 mm之平面長方形之試片，測定重量。將該試片投入至乙酸乙酯中，於室溫下浸漬24小時後，將試片自乙酸乙酯中取出，於110℃之條件下使其乾燥1小時。測定乾燥後之試片的重量，使用下述式(1)算出凝膠分率(重量%)。
凝膠分率(重量%)=W2/W1×100 (1)
於式(1)中，W1表示浸漬前之試片之重量，W2表示浸漬、乾燥後之試片之重量。將凝膠分率未滿10重量%之情形評價為○，將凝膠分率為10重量%以上之情形評價為×。
(2)熱穩定性
採取所得之接著膜之一部分，使用測定裝置「DSC6220」(Seiko Instruments公司製造)，於30～300℃(5℃/min)、N2 =50 ml/min之測定條件下進行DSC測定。
觀測發熱波峰之上升，將發熱開始溫度為100℃以上之情形評價為○，將發熱開始溫度未滿100℃未満之情形評價為×。
[產業上之可利用性]
藉由本發明，可提供透明性高、可容易地識別半導體晶片接合時之圖案或位置顯示的半導體接合用接著劑。

Claims (13)

  1. 一種倒裝晶片構裝用接著劑，用於將表面具有複數個突起作為電極之半導體晶片進行構裝的方法，該方法具有藉由用相機自動識別而進行圖案或位置顯示之識別的構裝步驟，該倒裝晶片構裝用接著劑之特徵在於：含有環氧樹脂、無機填料及硬化劑，該無機填料於倒裝晶片構裝用接著劑中之含量為30~70重量%，且含有平均粒徑未滿0.08μm之填料A、平均粒徑為0.1μm以上且未滿0.8μm之填料B，該填料A相對於該填料B之重量比為1/9~6/4，且該倒裝晶片構裝用接著劑之霧度為70%以下，倒裝晶片構裝時圖案或位置顯示之識別為可利用相機自動識別。
  2. 如申請專利範圍第1項之倒裝晶片構裝用接著劑，其中，填料A相對於填料B之重量比為2/8~5/5。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之倒裝晶片構裝用接著劑，其中，無機填料為球狀二氧化矽。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之倒裝晶片構裝用接著劑，其中，無機填料係經由偶合劑做表面處理。
  5. 如申請專利範圍第3項之倒裝晶片構裝用接著劑，其中，無機填料係經由偶合劑做表面處理。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之倒裝晶片構裝用接著劑，其中，硬化劑係具有二環骨架之酸酐，且進一步含有於常溫下為液狀之咪唑化合物作為硬化促進劑。
  7. 如申請專利範圍第6項之倒裝晶片構裝用接著劑，其 中，具有二環骨架之酸酐係具有下述通式(a)所表示之結構之化合物： 於通式(a)中，X表示單鍵或雙鍵之連結基，R1 表示亞甲基或伸乙基，R2 及R3 表示氫原子、鹵基、烷氧基或烴基。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之倒裝晶片構裝用接著劑，其進一步含有具有與環氧樹脂反應之官能基的高分子化合物。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之倒裝晶片構裝用接著劑，其進一步含有於常溫下為液狀之咪唑化合物。
  10. 一種倒裝晶片構裝用接著膜，其具有由申請專利範圍第1、2、3、4、5、6、7、8或9項之倒裝晶片構裝用接著劑所構成之接著劑層、以及基材層。
  11. 一種半導體晶片之構裝方法，係使用具有由申請專利範圍第1、2、3、4、5、6、7、8或9項之倒裝晶片構裝用接著劑所構成之接著劑層與基材層的倒裝晶片構裝用接 著膜來構裝半導體晶片，該半導體晶片之構裝方法包含：步驟1，將該倒裝晶片構裝用接著膜之接著劑層與於表面形成有突起電極之晶圓之突起電極形成面加以貼合；步驟2，將該晶圓於固定於該倒裝晶片構裝用接著膜之狀態下自背面進行研削；步驟3，自貼合於該研削後之晶圓上的該倒裝晶片構裝用接著膜剝離基材膜，獲得附著有接著劑層之晶圓；步驟4，用相機自動識別附著有該接著劑層之晶圓表面的切斷線，沿該切斷線對附著有該接著劑層之晶圓進行切割，單片化為附著有接著劑層之半導體晶片；步驟5，用相機自動識別該附著有接著劑層之半導體晶片之圖案或位置顯示、與基板或其他半導體晶片之圖案或位置顯示而進行對位，將該附著有接著劑層之半導體晶片經由接著劑層而接著於該基板或其他半導體晶片上，從而構裝半導體晶片。
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體晶片之構裝方法，其進一步具有步驟6，係由步驟5構裝半導體晶片後，藉由加熱使接著劑層完全硬化。
  13. 一種半導體裝置，其使用申請專利範圍第11項或第12項之半導體晶片之構裝方法所製得者。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089750A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
JP5703073B2 (ja) * 2011-03-09 2015-04-15 積水化学工業株式会社 フリップチップ実装用接着剤、フリップチップ実装用接着フィルム及び半導体チップの実装方法
JP2013021119A (ja) * 2011-07-11 2013-01-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハーレベルアンダーフィル剤組成物、これを用いた半導体装置及びその製造方法
JP5913877B2 (ja) * 2011-09-20 2016-04-27 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
MY169367A (en) 2011-11-29 2019-03-26 Toray Industries Resin composition, resin composition sheet, semiconductor device and production method therefor
JP2013185118A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品
JP5989397B2 (ja) * 2012-05-09 2016-09-07 積水化学工業株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体接合用接着剤
TWI583760B (zh) * 2012-08-02 2017-05-21 Lintec Corp A film-like adhesive, a bonding sheet for semiconductor bonding, and a method of manufacturing the semiconductor device
JP2014047247A (ja) * 2012-08-29 2014-03-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、半導体装置、多層回路基板および電子部品
JP2014077122A (ja) * 2012-09-24 2014-05-01 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品用接着剤及び半導体チップ実装体の製造方法
CN105122496B (zh) * 2013-03-25 2018-01-19 大日本印刷株式会社 电池用包装材料
JP6157890B2 (ja) * 2013-03-26 2017-07-05 日東電工株式会社 アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法
CN103289594A (zh) * 2013-06-03 2013-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种玻璃基板封装用uv胶及其制备方法
JPWO2015152158A1 (ja) * 2014-03-31 2017-04-13 株式会社Ｊｏｌｅｄ 積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法
JP6030233B2 (ja) * 2014-04-22 2016-11-24 積水化学工業株式会社 貫通電極付き半導体チップ用接着フィルム、及び、貫通電極付き半導体チップ用接着フィルムの製造方法
JP6415104B2 (ja) * 2014-05-16 2018-10-31 ナミックス株式会社 液状封止材、それを用いた電子部品
US10875283B2 (en) * 2014-07-31 2020-12-29 Toagosei Co., Ltd. Adhesive layer-equipped laminate, and flexible copper-clad laminate sheet and flexible flat cable using same
WO2016103527A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Henkel Ag & Co. Kgaa Sinterable bonding material and semiconductor device using the same
WO2019150446A1 (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 日立化成株式会社 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP7250255B2 (ja) * 2018-03-23 2023-04-03 味の素株式会社 封止用接着剤
JP7404620B2 (ja) * 2018-10-25 2023-12-26 株式会社レゾナック 液状樹脂組成物並びに電子部品装置及びその製造方法
CN111378409B (zh) * 2018-12-28 2022-02-11 北京科化新材料科技有限公司 透明的耐老化单组份环氧胶组合物和环氧胶粒料及其制造方法和应用
KR20210022235A (ko) * 2019-08-19 2021-03-03 삼성디스플레이 주식회사 전자 모듈 및 전자 모듈 제조 방법
KR102519212B1 (ko) * 2020-08-19 2023-04-10 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름
CN114292614A (zh) * 2022-03-02 2022-04-08 西陇科学股份有限公司 一种改性二氧化硅-环氧树脂复合浆料的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0741544A (ja) * 1993-08-02 1995-02-10 Tokuyama Corp エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP2008133354A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Sekisui Chem Co Ltd 半導体用接着シート及びこれを用いた電子部品接合体
JP2009161629A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Toto Kasei Co Ltd 新規リン含有難燃性樹脂、それを含有するエポキシ樹脂組成物及びその硬化物

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3498537B2 (ja) 1997-06-25 2004-02-16 日立化成工業株式会社 絶縁層用接着フィルム
US6127460A (en) * 1997-12-02 2000-10-03 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Liquid epoxy resin potting material
US6472070B1 (en) * 1998-11-30 2002-10-29 Sekisui Chemical Co., Ltd. Fire-resistant coating material
JP2001302758A (ja) * 2000-04-20 2001-10-31 Hitachi Ltd 熱硬化性樹脂組成物、それを用いた半導体装置及び多層配線基板
US6794058B2 (en) * 2000-09-12 2004-09-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Flip-chip type semiconductor device
JP3835518B2 (ja) * 2000-09-13 2006-10-18 信越化学工業株式会社 光透過性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002118147A (ja) * 2000-10-11 2002-04-19 Mitsui Chemicals Inc 半導体チップをプリント配線基板に装着する方法及びその方法の実施に用いる装着用シート
JP4066174B2 (ja) * 2003-05-12 2008-03-26 信越化学工業株式会社 液状エポキシ樹脂組成物、フリップチップ型半導体装置及びその封止方法
JP2005015622A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
US20050096417A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Quackenbush James M. Curable resinous compositions and scratch resistant countertops derived therefrom
JP4397837B2 (ja) 2005-03-02 2010-01-13 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP4802667B2 (ja) * 2005-11-08 2011-10-26 住友金属鉱山株式会社 エポキシ樹脂接着組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤
JP5157229B2 (ja) * 2006-04-11 2013-03-06 日立化成株式会社 接着シート
JP5364991B2 (ja) * 2006-10-24 2013-12-11 日立化成株式会社 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シート及び半導体装置
KR101101526B1 (ko) * 2007-03-16 2012-01-04 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광도파로용 접착제 조성물, 이것을 이용한 광도파로용 접착 필름 및 광도파로용 점접착 시트, 및 이들을 이용한 광학장치
JP2009091566A (ja) * 2007-09-19 2009-04-30 Toray Ind Inc 接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート
JP5532575B2 (ja) * 2007-10-22 2014-06-25 日立化成株式会社 接着シート
WO2009081874A1 (ja) * 2007-12-20 2009-07-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. 封止充てん用フィルム状樹脂組成物、それを用いた半導体パッケージ及び半導体装置の製造方法、並びに半導体装置
KR101895831B1 (ko) * 2008-01-09 2018-09-07 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물, 에폭시 수지 성형 재료 및 다가 카르복시산 축합체
JP4964928B2 (ja) * 2009-09-15 2012-07-04 信越化学工業株式会社 アンダーフィル材組成物及び光半導体装置
KR20120125491A (ko) * 2010-01-21 2012-11-15 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 열경화성 수지 조성물, 플립 칩 실장용 접착제, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0741544A (ja) * 1993-08-02 1995-02-10 Tokuyama Corp エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP2008133354A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Sekisui Chem Co Ltd 半導体用接着シート及びこれを用いた電子部品接合体
JP2009161629A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Toto Kasei Co Ltd 新規リン含有難燃性樹脂、それを含有するエポキシ樹脂組成物及びその硬化物

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Publication number Publication date
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