TWI784669B - 用於半導體的黏著樹脂組成物及黏著膜 - Google Patents

用於半導體的黏著樹脂組成物及黏著膜 Download PDF

Info

Publication number
TWI784669B
TWI784669B TW110130273A TW110130273A TWI784669B TW I784669 B TWI784669 B TW I784669B TW 110130273 A TW110130273 A TW 110130273A TW 110130273 A TW110130273 A TW 110130273A TW I784669 B TWI784669 B TW I784669B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive
inorganic filler
resin composition
adhesive film
weight
Prior art date
Application number
TW110130273A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202208576A (zh
Inventor
張種民
崔炳柱
李光珠
孫雨霖
Original Assignee
南韓商Ｌｇ化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 filed Critical 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司
Publication of TW202208576A publication Critical patent/TW202208576A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI784669B publication Critical patent/TWI784669B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1804—C4-(meth)acrylate, e.g. butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate or tert-butyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/10—Metal compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

欲由本揭露達成的技術問題是提供一種用於半導體的黏 著樹脂組成物以及一種使用其生產的用於半導體的黏著膜，所述用於導體的黏著樹脂組成物包含具有不同平均粒徑的無機填料且由於控制無機填料的含量而具有增強的導熱率。

Description

用於半導體的黏著樹脂組成物及黏著膜
本揭露是有關於一種用於半導體的黏著樹脂組成物以及一種包含其的用於半導體的黏著膜，且更具體而言，是有關於一種用於半導體的黏著樹脂組成物以及一種使用其生產的用於半導體的黏著膜，所述用於半導體的黏著樹脂組成物包含具有不同平均粒徑的無機填料且由於控制無機填料的含量而具有增強的導熱率。
本申請案主張於2020年8月19日向韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2020-0104211號的提出申請日期的權益，所述韓國專利申請案的全部內容併入本案供參考。
近年來，隨著電子裝置的小型化、高功能化及擴容的趨勢不斷擴大，且因此對半導體封裝的緻密化及高度積體的需求已迅速增加，半導體晶片的大小已變得越來越大。為達成在半導體裝置的積體密度方面的改善，用於將晶片堆疊成多層的堆疊封裝方法的使用逐漸增加。
端視如上所述的多層式半導體堆疊封裝的使用，晶片的厚度變得更薄，且電路的積體程度變得更高。然而，晶片自身的模數降低，從而導致製作製程及最終產品可靠性方面的問題。為克服該些問題，已嘗試增強用於半導體封裝製程中的黏著劑的物理性質。
另外，隨著半導體晶片近來已變得更薄，引起了一個問題，即晶片在現有的刀片切削製程中被損壞，從而導致良率降低。為克服此種問題，已提出利用刀片切削半導體晶片且然後對所述晶片進行研磨的製作製程。由於在此種製作過程中黏著劑不被劃分成多個部分，因此使用雷射切削黏著劑，且然後藉由在低溫下使基板膜膨脹的製程將黏著劑劃分成多個部分。另外，近年來，為保護晶片上的電路，已應用一種僅藉由低溫膨脹製程及熱收縮製程而不使用雷射將黏著劑劃分成多個部分的製程。
同時，近年來，隨著電子裝置及電子組件的重量變得更輕且大小變得更小，電性裝置的積體密度已增加，且由利用電能操作的電元件產生的熱量亦已大大增加。因此，對於改善散熱特性以有效地分散及耗散電子裝置內部產生的熱的需求日益增長。
然而，先前開發的散熱黏著材料所具有侷限性在於：其是高度反應性的，且因此當在室溫下儲存時，其自身反應或自發地與切割帶反應，使得散熱黏著材料的黏度增加且其與切割帶的黏著力增加。
若散熱黏著材料與切割帶之間的黏著力增加，則在半導 體晶圓安裝及紫外線(ultra-violet，UV)照射之後拾取晶片的製程中的拾取可能無法成功達成，且因此可能無法執行後續的半導體製程。
若散熱黏著材料的黏度增加，則亦會引起一個問題，即在散熱晶粒上填充(fill-over-die，FOD)的情形中，重要的填充特性顯著劣化，同時半導體晶圓與散熱黏著材料的可濕性降低。
因此，需要開發一種可藉由確保最佳水準的黏度及黏著性而在室溫下表現出極佳儲存穩定性且可表現出極佳導熱率特性的用於半導體的黏著樹脂組成物。
欲由本揭露達成的技術問題是提供一種用於半導體的黏著樹脂組成物以及一種使用其生產的用於半導體的黏著膜，所述用於半導體的黏著樹脂組成物包含具有不同平均粒徑的無機填料且由於控制無機填料的含量而具有增強的導熱率。
然而，欲由本揭露達成的技術問題不限於上述問題，且藉由閱讀以下說明，熟習此項技術者將清楚地理解本文中所未提及的其他問題。
本揭露的一個實施例提供一種用於半導體的黏著樹脂組成物，所述用於半導體的黏著樹脂組成物包含：黏結劑樹脂，包括選自由(甲基)丙烯酸酯系樹脂、環氧樹脂及其組合組成的群組的一者；固化劑；以及至少兩種無機填料，具有不同的平均粒徑。
本揭露的另一實施例提供一種用於半導體的黏著膜，所 述用於半導體的黏著膜包含藉由固化所述用於半導體的黏著樹脂組成物而獲得的固化產物。
在本說明書通篇中，應理解，除非另有說明，否則當任何部分被稱為「包含(including)」任何組分時，其不排除其他組分，而是可更包括其他組分。
在本說明書中，無機填料的平均粒徑是藉由以下方式量測：將黏著膜放置於坩堝中，在大氣氣氛中利用700℃的高熱焚燒黏著膜達2小時，將所得灰分分散於純水中，對分散物進行超聲處理達10分鐘，且然後藉由雷射繞射散射型粒度分佈分析儀(貝克曼庫爾特(Beckman Coulter)LS 13 320；濕法)量測灰分的平均粒徑。同時，黏著膜的組成物中除填料以外的組分是有機化合物，所述有機化合物中的所有者藉由利用高熱處置而被實質上焚燒，且因此將所得灰分視為填料，且執行對灰分的平均粒徑的量測。
在本說明書中，無機填料的比表面積是藉由布厄特(Brunauer-Emmett-Teller，BET)吸附法(多點法)量測。具體而言，藉由使用康塔(Quantachrome)4站式比表面積/孔隙分佈分析儀「新星4200e(NOVA-4200e)」(康塔公司(Quantachrome Corp.))，將根據章節「對填料的粒度分佈及平均粒徑的量測 (Measurement of particle size distribution and average particle diameter of filler)」而獲得的灰分在110℃下真空除氣達6小時或大於6小時，且然後在氮氣下在77.35開的溫度下量測灰分的比表面積。
在本說明書中，用語「重量平均分子量」意指藉由凝膠滲透層析(gel permeation chromatography，GPC)方法量測的就聚苯乙烯而言的重量平均分子量。在藉由GPC方法量測就聚苯乙烯而言的重量平均分子量的過程中，可使用公知的分析儀、偵測器(例如示差折射率偵測器)及分析柱，且可應用常用的溫度條件、溶劑及流率。量測條件的具體實例如下：使用具有聚合物實驗室(Polymer Laboratories)PL凝膠混合B(PLgel MIX-B)柱(長度：300毫米)的沃特世PL-GPC220儀器，評價溫度為160℃，使用1,2,4-三氯苯作為溶劑，流率為1毫升/分鐘。以10毫克/10毫升的濃度製備樣本，且然後以200微升的量供應。可利用使用聚苯乙烯標準形成的校準曲線計算分子量(molecular weight，Mw)值。作為聚苯乙烯標準的分子量，使用以下九種分子量：2,000、10,000、30,000、70,000、200,000、700,000、2,000,000、4,000,000及10,000,000。
在下文中，將更詳細地闡述本揭露。
本揭露的一個實施例提供一種用於半導體的黏著樹脂組成物，所述用於半導體的黏著樹脂組成物包含：黏結劑樹脂，包括選自由(甲基)丙烯酸酯系樹脂、環氧樹脂及其組合組成的群組 的一者；固化劑；以及至少兩種無機填料，具有不同的平均粒徑。
在根據本揭露的一個實施例的用於半導體的黏著樹脂組成物中，由於組成物自身的穩定性增加，因此不會發生無機填料的分離。另外，由於黏著樹脂組成物可包含大量無機填料，因此黏著樹脂組成物的固化產物的密度可得到控制，且其導熱率可增強。
根據本揭露的一個實施例，黏著樹脂組成物包含黏結劑樹脂，所述黏結劑樹脂包括選自由(甲基)丙烯酸酯系樹脂、環氧樹脂及其組合組成的群組的一者。由於黏著樹脂組成物包含包括上述一者的黏結劑樹脂，因此其可藉由其改善的固化性質來提高半導體晶片的可靠性，可表現出增強的機械性質以及高耐熱性及黏著性，且亦可表現出極佳的導熱率特性。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可包括包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元及包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元(BzMA)。由於(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元(BzMA)，因此用於半導體的黏著樹脂組成物可確保其中所包含的組分之間更高的相容性及黏接強度，且可具有高彈性及相對增強的初始拉伸模數。另外，由於(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元(BzMA)，因此其可有利地作用於無機填料的分散性，藉此提供無機填料的均勻分佈及增強無機填料的填充性質。
另外，由於(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元，因此自用於半導體的黏著樹脂組成物合成的用於半導體的黏著膜可具有更均勻及堅固的內部結構，且因此可確保超薄晶圓的多層堆疊期間的高耐衝擊性，且其亦可增強半導體製作之後的電性性質。
根據本揭露的一個實施例，在(甲基)丙烯酸酯系樹脂中包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元的含量可為2重量%(wt%)至40重量%。具體而言，在(甲基)丙烯酸酯系樹脂中包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元的含量可為3重量%至30重量%或者5重量%至25重量%。若(甲基)丙烯酸酯系樹脂中包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元的含量過低，則增加(甲基)丙烯酸酯系樹脂與環氧樹脂或固化劑的相容性及填料的分散性的效果可能不顯著，且降低最終生產的黏著膜的吸濕性的效果亦可能不顯著。若(甲基)丙烯酸酯系樹脂中包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元的含量過高，則最終生產的用於半導體的黏著膜的黏著性可能降低。
根據本揭露的一個實施例，芳香族官能基可為具有6至20個碳原子的芳基或者包括具有6至20個碳原子的芳基及具有1至10個碳原子的伸烷基的芳基伸烷基。
根據本揭露的一個實施例，包括環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元可包括具有3至20個碳原子的(甲基)丙烯酸環氧環烷基甲基酯重複單元。「具有3至20個碳原子的環氧環烷 基甲基」指代其中附接有環氧基的具有3至30個碳原子的環烷基被甲基取代的結構。具有3至20個碳原子的(甲基)丙烯酸環氧環烷基甲基酯的實例包括(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲基酯。
同時，根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可更包括選自由包含反應性官能基的乙烯基系重複單元及包含具有1至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯系官能基重複單元組成的群組的至少一個重複單元。
根據本揭露的一個實施例，反應性官能基可包括選自由醇、胺、羧酸、環氧化物、醯亞胺、(甲基)丙烯酸酯、腈、降冰片烯、烯烴、聚乙二醇、硫醇及乙烯基組成的群組的至少一個官能基。
根據本揭露的一個實施例，當(甲基)丙烯酸酯系樹脂更包括選自由包含反應性官能基的乙烯基系重複單元及包含具有1至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯系官能基重複單元組成的群組的至少一個重複單元時，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可包含0.1重量%至30重量%、5重量%至30重量%或10重量%至30重量%的包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可具有為-10℃至20℃、-5℃至15℃或5℃至15℃的玻璃轉變溫度。另外，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可具有為30,000克/莫耳至1,500,000克/莫耳、50,000克/莫耳至800,000克/莫耳或50,000克/莫耳至 200,000克/莫耳的重量平均分子量。由於使用具有上述玻璃轉變溫度及重量平均分子量的(甲基)丙烯酸酯系樹脂，因此最終生產的用於半導體的黏著膜可確保高黏著性，且可容易地以薄膜或類似物的形式生產。
根據本揭露的一個實施例，若(甲基)丙烯酸酯系樹脂的分子量過低，則可能不容易形成用於半導體的黏著膜，且因此黏著膜的可切削性可能劣化，且因此封裝製作製程中的晶片拾取效能可能劣化。另外，若(甲基)丙烯酸酯系樹脂的分子量過高，則用於半導體的黏著膜的黏度可能增加，且組成物的高溫流動性可能降低。因此，組成物的晶圓可濕性及嵌入性質可能降低，且因此在封裝裝配之後可能會餘留空隙(void)且使封裝的可靠性降級。
根據本揭露的示例性實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可具有為0.15當量/千克或小於0.15當量/千克、0.01當量/千克至0.15當量/千克、0.01當量/千克至0.10當量/千克或0.01當量/千克至0.05當量/千克的羥基當量。
根據本揭露的一個實施例，環氧樹脂可為選自由聯苯基系環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲酚酚醛環氧樹脂、苯酚酚醛環氧樹脂、四官能環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三苯酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂及雙環戊二烯改質苯酚型環氧樹脂組成的群組的至少一種聚合物樹脂。在環氧樹脂選自上述者的情況下，可在控制用於半導體的黏著樹脂組成物的固化程度的同時增強其黏著 性。
根據本揭露的一個實施例，環氧樹脂的軟化點可為-50℃至100℃。若環氧樹脂的軟化點過低，則用於半導體的黏著樹脂組成物的黏著性可能增加，且因此切割之後的晶片拾取效能可能降低，且若環氧樹脂的軟化點過高，則用於半導體的黏著樹脂組成物的高溫流動性可能降低，且其黏著性可能降低。
根據本揭露的一個實施例，本揭露中所使用的環氧樹脂可為具有不同軟化點的二或更多種環氧樹脂的組合。在所使用的環氧樹脂是如上所述的具有不同軟化點的二或更多種環氧樹脂的組合的情況下，其可在封裝裝配製程中提供足夠的流動性。
根據本揭露的一個實施例，環氧樹脂的環氧當量可為100克/當量至300克/當量。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著樹脂組成物包含固化劑。具體而言，用於半導體的黏著樹脂組成物可包含酚醛樹脂作為固化劑。由於用於半導體的黏著樹脂組成物包含如上所述的固化劑，因此可增強組成物的固化程度。
根據本揭露的一個實施例，酚醛樹脂可具有為80克/當量至400克/當量、90克/當量至250克/當量、100克/當量至178克/當量或210克/當量至240克/當量的羥基當量。由於酚醛樹脂具有在上述範圍內的羥基當量，因此即使當其含量低時，其亦可藉由增加樹脂組成物的固化程度而賦予樹脂組成物極佳的黏著性。
根據本揭露的一個實施例，固化劑可更包括選自由胺系固化劑及酸酐系固化劑組成的群組的至少一種化合物。慮及最終生產的黏著膜的物理性質，可適當地選擇所使用固化劑的量。舉例而言，以100重量份的環氧樹脂計，可以10重量份至700重量份或30重量份至300重量份的量使用固化劑。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著樹脂組成物包含具有不同的平均粒徑的至少兩種無機填料。具體而言，用於半導體的黏著樹脂組成物較佳地包含如上所述的具有不同的平均粒徑的兩種無機填料。如上所述，由於用於半導體的黏著樹脂組成物包含如上所述的具有不同的平均粒徑的兩種無機填料，因此其可將自電裝置或類似物產生的熱迅速傳遞至印刷電路板(printed circuit board，PCB)接地或熱匯(heat sink)。
根據本揭露的一個實施例，無機填料的含量可為70重量%至95重量%。具體而言，無機填料的含量可為73重量%至93重量%、75重量%至90重量%或78重量%至87重量%。在無機填料的含量控制在以上範圍內的情況下，可增強自用於半導體的黏著樹脂組成物形成的用於半導體的黏著膜的導熱率，增強無機填料在用於半導體的黏著樹脂組成物中的分散性，且維持恰當的嵌入性質。
根據本揭露的一個實施例，無機填料的含量可為95重量%或大於95重量%。在如上所述控制無機填料的含量的情況下，自用於半導體的黏著樹脂組成物形成的用於半導體的黏著膜可表 現出為6.0W/mK或大於6.0W/mK的導熱率。
根據本揭露的一個實施例，無機填料可具有球形形狀。如上所述，在無機填料的所選擇形狀是球形形狀的情況下，可增加具有不同粒徑的無機填料的填充率且減小用於半導體的黏著膜的厚度。
根據本揭露的一個實施例，無機填料可由選自由氧化鋁(Al2O3)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、碳化矽(SiC)、氧化鎂(MgO)、氧化鋅(ZnO)、氫氧化鋁(Al(OH)3)及其組合組成的群組的一者製成。具體而言，無機填料較佳地由氧化鋁製成。在無機填料的材料選自上述者的情況下，可增強無機填料在用於半導體的黏著樹脂組成物中的分散性且增強用於半導體的黏著膜的導熱率。
根據本揭露的一個實施例，無機填料可包括具有為3微米至10微米的平均粒徑的第一無機填料及具有為0.1微米至1.0微米的平均粒徑的第二無機填料。具體而言，第一無機填料可具有為3.5微米至9.5微米、4.0微米至9.0微米、4.5微米至8.5微米、5.0微米至8.0微米、5.5微米至7.5微米或6.0微米至7.0微米的平均粒徑。另外，第二無機填料可具有為0.1微米至1.0微米、0.2微米至0.9微米、0.3微米至0.8微米、0.4微米至0.7微米或0.5微米至0.6微米的平均粒徑。在第一無機填料及第二無機填料中的每一者的平均粒徑被控制在上述範圍內的情況下，填料的高溫流動性可增強，且對用於半導體的黏著膜進行薄化是可能的， 且因此黏著膜的散熱效果可增強。
根據本揭露的一個實施例，第一無機填料的比表面積可為2.0平方米/克至4.0平方米/克。具體而言，第一無機填料的比表面積可為2.0平方米/克至4.0平方米/克、2.2平方米/克至3.8平方米/克、2.4平方米/克至3.6平方米/克、2.6平方米/克至3.4平方米/克或2.8平方米/克至3.2平方米/克。
根據本揭露的一個實施例，第二無機填料的比表面積可為7.5平方米/克至14.0平方米/克。具體而言，第二無機填料的比表面積可為8.0平方米/克至13.5平方米/克、8.5平方米/克至13.0平方米/克、9.0平方米/克至12.5平方米/克、9.5平方米/克至12.0平方米/克或10.0平方米/克至11.5平方米/克。在第一無機填料及第二無機填料中的每一者的比表面積被控制在以上範圍內的情況下，無機填料的高密度填充是可能的，且對用於半導體的黏著膜進行薄化是可能的，使得黏著膜的導熱率可增強。
根據本揭露的一個實施例，第二無機填料的含量相對於無機填料的總含量的比例可為1重量%至50重量%。即，以無機填料的總重量計，第二無機填料的總重量可為1重量%至50重量%。具體而言，第二無機填料的含量相對於無機填料的總含量的比例可為2重量%至49重量%、3重量%至48重量%、4重量%至47重量%、5重量%至46重量%、7重量%至45重量%、8重量%至44重量%、9重量%至43重量%、10重量%至42重量%、11重量%至41重量%、12重量%至40重量%、15重量%至35重量%或 20重量%至30重量%。在第二無機填料的含量相對於無機填料的總含量的比例被控制在上述範圍內的情況下，可增加無機填料的填充率，藉此增加用於半導體的黏著膜中無機填料的含量及增強其導熱率。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著樹脂組成物具有為80重量%至95重量%的固體含量。固體含量可意指組成物中固體的含量(重量%)。在固體含量被控制在以上範圍內的情況下，自用於半導體的黏著樹脂組成物形成的用於半導體的黏著膜可表現出為6.0W/mK或大於6.0W/mK的導熱率。
本揭露的另一實施例提供一種用於半導體的黏著膜，所述用於半導體的黏著膜包含藉由固化根據本揭露的一個實施例的用於半導體的黏著樹脂組成物而獲得的固化產物。
作為控制無機填料的平均粒徑的結果，根據本揭露的另一實施例的用於半導體的黏著膜可具有小的厚度、增加的導熱率及增強的儲存穩定性。
根據本揭露的一個實施例，固化產物的密度可為2.0克/立方米至3.5克/立方米。具體而言，固化產物的密度為2.1克/立方米至3.4克/立方米、2.2克/立方米至3.3克/立方米、2.3克/立方米至3.2克/立方米、2.4克/立方米至3.1克/立方米或2.5克/立方米至3.0克/立方米。在固化產物的密度被控制在以上範圍內的情況下，可保全用於半導體的黏著膜的機械性質。
根據本揭露的一個實施例，無機填料在固化產物中的填 充率可為60體積%至80體積%。具體而言，無機填料在固化產物中的填充率可為62體積%至78體積%、64體積%至76體積%、66體積%至74體積%或68體積%至72體積%。在無機填料在固化產物中的填充率被控制在上述範圍內的情況下，可減小用於半導體的黏著膜的厚度，藉此增強黏著膜的導熱率。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著膜的導熱率可為3.0W/mK至6.0W/mK。具體而言，用於半導體的黏著膜的導熱率可為3.5W/mK至5.7W/mK、3.7W/mK至5.6W/mK、3.8W/mK至5.5W/mK、3.9W/mK至5.4W/mK、4.0W/mK至5.3W/mK、4.1W/mK至5.2W/mK、4.2W/mK至5.1W/mK或4.3W/mK至5.0W/mK。在用於半導體的黏著膜的導熱率被控制在上述範圍內的情況下，可增強用於半導體的黏著膜的儲存穩定性。具體而言，可藉由處置無機填料的表面來增強用於半導體的黏著膜的導熱率及儲存穩定性。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著膜的厚度可為10微米至30微米。具體而言，用於半導體的黏著膜的厚度可為11微米至29微米、12微米至28微米、13微米至27微米、14微米至26微米、15微米至25微米或16微米至24微米。在用於半導體的黏著膜的厚度被控制在上述範圍內的情況下，可最小化當發生黏著膜的翹曲時用於半導體的黏著膜不黏著至半導體晶片的現象，且可防止膜由於晶粒附接的負荷而過度壓出並污染接墊。
根據本揭露的一個實施例，當用於半導體的黏著膜應用於半導體晶片的多層封裝結構時，可達成穩定的結構及極佳的機械性質(例如耐熱性及耐衝擊性)且防止迴流裂紋(reflow crack)或類似物的出現。具體而言，在此種情形中，即使當封裝結構長時間暴露於半導體製作製程中所應用的高溫條件，空隙亦可實質上不出現。
另外，用於半導體的黏著膜具有高斷裂強度(breaking strength)及低斷裂伸長率(elongation at break)，且因此不僅適用於使用刀片切削晶圓的方法，而且適用於例如磨製前切割(dicing-before-grinding，DBG)等其他非接觸黏著切削方法。另外，用於半導體的黏著膜具有即使在低溫下亦會被劃分成多個部分的極佳性質，且因此即使當在室溫下放置時亦具有低的再黏著可能性，藉此提高半導體製作製程的可靠性及效率。
黏著膜可用作晶粒附接膜(die attach film，DAF)，以用於將引線框架(lead frame)或基板黏接至晶粒或者用於晶粒之間的黏接。因此，黏著膜可以晶粒黏接膜(die bonding film)或切割晶粒黏接膜(dicing die-bonding film)的形式進行處理。
用於半導體的黏著膜可藉由施加根據上述實施例的用於半導體的黏著樹脂組成物並對其進行乾燥的方法來獲得。施加黏著樹脂組成物並對其進行乾燥的方法並無特別限制，且可不受限制地應用常見膜生產製程中眾所習知的各種方法。
本揭露的又一實施例可提供一種切割晶粒黏接膜，所述 切割晶粒黏接膜包括：基板膜；第一黏著層，形成於基板膜上；以及第二黏著層，形成於第一黏著層上且包括根據上述另一實施例的用於半導體的黏著膜。
關於用於半導體的黏著膜的具體細節如在上述另一實施例中所述。
同時，包括於切割晶粒黏接膜中的基板膜的類型並無特別限制。舉例而言，此項技術中已知的塑膠膜或金屬箔可用作基板膜。舉例而言，基板膜可包含低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯的隨機共聚物、聚丙烯的嵌段共聚物、均聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-離子聚合物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯、苯乙烯共聚物或其中的二或更多者的混合物。此處，包含二或更多種聚合物的混合物的基板膜意味著包括具有其中分別包含上述聚合物的二或更多個膜彼此疊層的結構的膜，或者包含上述聚合物中的二或更多者的單層式膜。
基板膜的厚度並無特別限制，且一般為10微米至200微米、較佳為50微米至180微米。若厚度小於10微米，則可能引起切割製程中對切削深度的控制不穩定的問題，且若厚度大於200微米，則可能引起切割製程中出現大量毛刺(burr)的問題，或者由於膜的降低的伸長率而無法準確地執行膨脹製程(expanding process)的問題。
若有必要，則可使基板膜經歷例如消光處置(matting treatment)、電暈放電處置(corona discharge treatment)、底漆處置(primer treatment)或交聯處置(crosslinking treatment)等常規物理或化學處置。
同時，第一黏著層可包含可UV固化黏著劑或可熱固化黏著劑。當使用可UV固化黏著劑時，其黏著性藉由利用UV光照射基板膜側以提高黏著劑的黏聚性(cohesiveness)及玻璃轉變溫度而降低。當使用可熱固化黏著劑時，其黏著性藉由施加熱而降低。
另外，可UV固化黏著劑可包括(甲基)丙烯酸酯系樹脂、可UV固化化合物、光引發劑及交聯劑。
此處，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可具有為100,000克/莫耳至1,500,000克/莫耳、較佳為200,000克/莫耳至1,000,000克/莫耳的重量平均分子量。若重量平均分子量小於100,000克/莫耳，則可能引起可UV固化黏著劑的可塗佈性或黏聚性降低的問題，且因此在剝離之後殘留物餘留於黏著物上，或者發生黏著劑斷裂現象。同時，若重量平均分子量大於1,500,000克/莫耳，則可能引起基礎樹脂干擾可UV固化化合物的反應的問題，且因此剝離力不會有效地降低。
(甲基)丙烯酸酯系樹脂可為例如(甲基)丙烯酸酯系單體與包含可交聯官能基的單體的共聚物。在此種情形中，(甲基)丙烯酸酯系單體的實例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，且更具體而言，包括 各自具有擁有1至12個碳原子的烷基的單體。更具體而言，(甲基)丙烯酸酯系單體可為選自(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯及(甲基)丙烯酸癸酯的一者或者二或更多者的混合物。當使用包含具有較大碳原子數目的烷基的單體時，最終共聚物的玻璃轉變溫度變得更低。因此，可端視所期望的玻璃轉變溫度來選擇適當的單體。
另外，包含可交聯官能基的單體的實例包括選自包含羥基的單體、包含羧基的單體及含氮單體的一者或者二或更多者的混合物。此處，含羥基化合物的實例包括但不限於(甲基)丙烯酸2-羥乙酯及(甲基)丙烯酸2-羥丙酯，且含羧基化合物的實例包括但不限於(甲基)丙烯酸，且含氮單體的實例包括但不限於(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯啶酮及N-乙烯基己內醯胺。
自改善例如相容性等其他功能性的角度來看，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可更包括例如乙酸乙烯酯、苯乙烯或丙烯腈等含碳-碳雙鍵的低分子量化合物。
另外，可UV固化化合物的類型並無特別限制，且舉例而言，具有為100克/莫耳至300,000克/莫耳或500克/莫耳至100,000克/莫耳的重量平均分子量的多官能化合物(例如，多官能丙烯酸胺基甲酸酯、多官能丙烯酸酯單體或寡聚物等)可用作可UV固化化合物。此項技術中具有通常知識者可根據預期用途容易 地選擇適當的化合物。
以100重量份的上述基礎樹脂計，可UV固化化合物的含量可為5重量份至400重量份、較佳為10重量份至200重量份。若可UV固化化合物的含量小於5重量份，則可能引起拾取效能可能由於固化之後黏著性的降低不足而劣化的問題，且若可UV固化化合物的含量大於400重量份，則可能引起黏著劑在UV照射之前的黏聚性不足，或者不容易達成自釋放膜等剝離的問題。
光引發劑的類型亦並無特別限制，且可使用此項技術中已知的常見光引發劑。以100重量份的可UV固化化合物計，光引發劑的含量可為0.05重量份至20重量份。若光引發劑的含量低於0.05重量份，則可能引起藉由UV照射的固化反應不足而導致拾取效能劣化的問題，且若光引發劑的含量大於20重量份，則固化製程期間的交聯反應以短單位發生，或者未反應的可UV固化化合物餘留下來並導致黏著物的表面上的殘留物，或者固化之後的剝離力過度降低，從而導致拾取效能劣化。
另外，包含於第一黏著層中以賦予黏著性及黏聚性的交聯劑的類型亦並無特別限制，且可使用例如異氰酸酯系化合物、氮丙啶系化合物、環氧系化合物或金屬螯合物系化合物等常規化合物作為交聯劑。以100重量份的基礎樹脂計，交聯劑可以2重量份至40重量份、較佳為2重量份至20重量份的量被包含。若交聯劑的含量小於2重量份，則可能引起黏著劑的黏聚性不足的問題，且若含量大於20重量份，則可能引起黏著劑在UV照射之 前的黏著性不足的問題，且因此發生晶片散射(chip scattering)。
第一黏著層可更包含例如松香樹脂、萜烯樹脂、酚醛樹脂、苯乙烯樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂或脂肪族/芳香族共聚物石油樹脂等增黏劑。
在基板膜上形成包含上述組分的第一黏著層的方法並無特別限制。舉例而言，形成第一黏著層的方法可為藉由將本揭露的黏著組成物直接施加至基板膜上來形成第一黏著層的方法，或者為將黏著組成物施加至可剝離基板上以形成黏著層且然後將第一黏著層自可剝離基板傳遞至基板膜上的方法。
此時，施加黏著組成物並對其進行乾燥的方法並無特別限制，且舉例而言，所述方法可為直接施加包含上述組分的組成物的方法，或者為在適合的有機溶劑中稀釋組成物、藉由已知手段(例如逗點式塗佈機(comma coater)、凹版印刷塗佈機(gravure coater)、模塗佈機(die coater)或反向塗佈機(reverse coater))施加稀釋物且然後藉由在60℃至200℃的溫度下乾燥達10秒至30分鐘來移除溶劑的方法。另外，在以上製程中，為達成黏著劑的充分交聯反應，可另外執行老化製程(aging process)。
第一黏著層的厚度並無特別限制，但可例如在10微米至500微米的範圍內。
同時，如上所述，第二黏著層可形成於第一黏著層上，且可包括根據上述實施例的用於半導體的黏著膜。關於用於半導體的黏著膜的細節包括以上在其他實施例中闡述的細節中的所有 者。
切割晶粒黏接膜可更包括形成於第二黏著層上的釋放膜。可使用的釋放膜的實例包括選自聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜及聚醯亞胺膜的一或多個塑膠膜。
上述釋放膜的表面可利用醇酸系釋放劑、矽酮系釋放劑、氟系釋放劑、不飽和酯系釋放劑、聚烯烴系釋放劑及蠟系釋放劑中的一或多者進行釋放處置。在該些釋放劑中，耐熱的醇酸系釋放劑、矽酮系釋放劑或氟系釋放劑是尤其較佳的。
釋放膜可被形成為具有為大體約10微米至500微米、較佳為20微米至200微米的厚度，但不限於此。
生產上述切割晶粒黏接膜的方法並無特別限制，且可為例如在基板膜上依序形成第一黏著層、第二黏著層及釋放膜的方法，或者為單獨地製備切割膜(基板膜+第一黏著層)及上面形成有晶粒黏接膜或第二黏著層的釋放膜且然後將該些膜彼此疊層的方法。
此處，疊層方法並無特別限制，且可為熱軋疊層方法或疊層按壓方法。在該些方法中，就連續加工性(processability)及效率而言，熱軋疊層方法是較佳的。熱軋疊層方法可在10℃至100℃的溫度及0.1千克力/平方公分至10千克力/平方公分的壓力下執行，但不限於此。
在切割晶粒黏接膜中，基板膜與包括根據上述另一實施 例的用於半導體的黏著膜的第二黏著層之間的黏著力可為180克力/25平方毫米或小於180克力/25平方毫米、或100克力/25平方毫米至180克力/25平方毫米、或100克力/25平方毫米至150克力/25平方毫米、或120克力/25平方毫米至140克力/25平方毫米、或125克力/25平方毫米至135克力/25平方毫米或者129克力/25平方毫米至132克力/25平方毫米。此處，黏著力可藉由以下方式獲得：在為40℃的溫度下將切割晶粒黏接膜儲存於烘箱中達48小時，且然後根據韓國工業標準KS-A-01107的第8項(黏著帶及黏著片的測試方法)量測基板膜與黏著膜之間的剝離力。
在切割晶粒黏接膜中，若基板膜與包括根據上述另一實施例的用於半導體的黏著膜的第二黏著層之間的黏著力過度增加至大於180克力/25平方毫米，則切割晶粒黏接膜的儲存穩定性可能由於膜之間在室溫下的黏著反應而降低，且即使在UV照射之後亦可能維持切割晶粒黏接膜的相對高的黏著性，且因此切割之後的拾取效能可能劣化。
同時，在利用UV光照射切割晶粒黏接膜之後，基板膜與包括根據上述另一實施例的用於半導體的黏著膜的第二黏著層之間的黏著力可為30克力/25平方毫米或小於30克力/25平方毫米、或1克力/25平方毫米至30克力/25平方毫米、或1克力/25平方毫米至20克力/25平方毫米、或5克力/25平方毫米至15克力/25平方毫米、或10克力/25平方毫米至15克力/25平方毫米或者10克力/25平方毫米至13克力/25平方毫米。UV照射之後的黏 著力可藉由以下方式獲得：利用來自具有為70毫瓦/平方公分的照度的高壓汞燈的劑量為400毫焦/平方公分的光照射切割晶粒黏接膜達5秒鐘，且然後根據韓國工業標準KS-A-01107的第8項(黏著帶及黏著片的測試方法)量測基板膜與黏著膜之間的剝離力。
在UV照射之後的切割晶粒黏接膜中，若基板膜與包括根據上述另一實施例的用於半導體的黏著膜的第二黏著層之間的黏著力過度增加至大於30克力/25平方毫米，則切割之後的拾取效能可能劣化。
本揭露的又一實施例可提供一種用於切割半導體晶圓的方法，所述方法包括：預處理步驟，局部地處理包括另一實施例的切割晶粒黏接膜的半導體晶圓及堆疊於切割晶粒黏接膜的至少一個表面上的晶圓，使得半導體晶圓被完全劃分成或可劃分成各別的晶片；以及利用UV光照射經預處理半導體晶圓的基板膜並拾取藉由劃分半導體晶圓而分離的各別的晶片的步驟。
切割晶粒黏接膜的細節包括以上在其他實施例中闡述的細節中的所有者。
除上述切割方法的每一步驟的細節以外，亦可無任何具體限制地使用用於切割半導體晶圓的公知的裝置及方法等。
用於切割半導體晶圓的方法可更包括在預處理步驟之後使半導體晶圓膨脹的步驟。在此種情形中，膨脹步驟之後是利用UV光照射經膨脹的半導體晶圓的基板膜並拾取藉由劃分半導體晶圓而分離的各別晶片的製程。
由於使用包括切割膜的切割晶粒黏接膜，因此可最小化在切割半導體晶圓的製程期間可能出現的毛刺現象，藉此防止半導體晶片的污染，且可增強半導體晶片的可靠性及壽命。
在下文中，將參照實例詳細闡述本揭露。然而，根據本揭露的實例可被修改成各種不同的形式，且本揭露的範圍不被解釋為限於以下所述的實例。提供本說明書的實例是為向熟習此項技術者更完整地闡釋本揭露。
生產實例1(熱塑性樹脂)
將70克丙烯酸丁酯、15克丙烯腈、5克甲基丙烯酸縮水甘油酯及10克甲基丙烯酸苄酯在100克甲苯中混合於一起，並容許其在80℃下反應達約12小時，藉此合成丙烯酸酯樹脂(重量平均分子量：約400,000克/莫耳，且玻璃轉變溫度：10℃)，縮水甘油基已作為支鏈引入至所述丙烯酸酯樹脂。
[實例及比較例：生產用於半導體的黏著樹脂組成物及用於半導體的黏著膜]
實例1
使用碾磨機(milling machine)在甲基乙基酮溶劑中碾磨以下組分：作為環氧樹脂固化劑的4克酚醛樹脂KA-1160(大日本油墨及化學品(Dainippon Ink and Chemicals，DIC)公司(DIC Corp.)，甲酚酚醛樹脂，羥基當量：190克/當量，軟化點：65℃)；2克環氧樹脂EOCN-103S(日本化藥有限公司(Nippon Kayaku Co.,Ltd.)，甲酚酚醛型環氧樹脂，環氧當量：214克/當量，軟化點： 80℃)；5克液體環氧樹脂RE-310S(日本化藥有限公司，雙酚A環氧樹脂，環氧當量：180克/當量)；作為第一無機填料的約11.7克球形氧化鋁(具有為5微米的平均粒徑及為2.0平方米/克的比表面積)；以及作為第二無機填料的2克球形氧化鋁(具有為0.5微米的平均粒徑及為10.0平方米/克的比表面積)。
然後，將4克生產實例的熱塑性丙烯酸酯樹脂(分子量：520,000，玻璃轉變溫度：10℃)、0.1克矽烷偶聯劑A-187(GE矽酮，γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、作為固化促進劑的0.1克1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ-CN)及0.1克三聚體酸(trimesic acid，TMA)添加至混合物，並另外碾磨2小時，以獲得用於半導體的黏著樹脂組成物溶液(固體含量：82.5重量%)。使用自動塗佈機施加此種黏著樹脂組成物溶液，以獲得具有為20微米的膜厚度的用於半導體的黏著膜。
實例2
除添加作為第一無機填料的約12.5克球形氧化鋁(具有為5微米的平均粒徑及為2.0平方米/克的比表面積)及作為第二無機填料的2.5克球形氧化鋁(具有為0.5微米的平均粒徑及為10.0平方米/克的比表面積)並獲得用於半導體的黏著樹脂組成物溶液(固體含量：87.5重量%)以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
實例3
除添加作為第一無機填料的約13.0克球形氧化鋁(具有為5微米的平均粒徑及為2.0平方米/克的比表面積)及作為第二無機填料的2.7克球形氧化鋁(具有為0.5微米的平均粒徑及為 10.0平方米/克的比表面積)並獲得用於半導體的黏著樹脂組成物溶液(固體含量：87.5重量%)以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
比較例1
除僅添加約13.7克第一無機填料而不添加第二無機填料以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
比較例2
除僅添加約13.7克第二無機填料而不添加第一無機填料以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
比較例3
除第二無機填料的含量為約0.55克以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
比較例4
除添加具有為10微米的平均粒徑及為小於2.0平方米/克的比表面積的球形氧化鋁作為第一無機填料以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
比較例5
除添加具有為1微米至2微米的平均粒徑及為大於4.0平方米/克的比表面積的球形氧化鋁作為第一無機填料以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
比較例6
除添加具有為1微米至2微米的平均粒徑及為小於7.5平方米/克的比表面積的球形氧化鋁作為第二無機填料以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
比較例7
除添加具有為約100奈米的平均粒徑及為大於14.0平方米/克的比表面積的球形氧化鋁作為第二無機填料以外，以與實例1中相同的方式生產出了用於半導體的黏著膜。
實驗例1(量測用於半導體的黏著膜的厚度)
使在實例及比較例中藉由塗佈獲得的膜中的每一者在70℃下通過不鏽鋼輥(SUS ROLL)熱疊層機器以使其表面平坦化。然後，使用量測裝置(三豐(Mitutoyo)，萊麥提克VL-50(Litematic VL-50))量測了每一用於半導體的黏著膜的厚度。
實驗例2(量測用於半導體的黏著膜的導熱率)
使在實例及比較例中藉由塗佈獲得的膜中的每一者在70℃下通過不鏽鋼輥熱疊層機器以使其表面平坦化。使用橡膠輥疊層機對經平坦化的用於半導體的黏著膜中的每一者進行了疊層，直至其變成600微米厚。將如此獲得的膜固化以最終獲得固化膜。然後，自每一固化膜製備出具有為10毫米×10毫米的大小的樣品，並使用雷射閃光型導熱率裝置LFA467量測了其導熱率。
在以上實驗例1及2中量測的值總結於下表1中。
Figure 110130273-A0305-02-0029-1
Figure 110130273-A0305-02-0030-2
參照表1，證實了在實例1至3的情形中，作為包含各自具有預定平均粒徑的第一無機填料及第二無機填料的結果，用於半導體的黏著膜可具有為15微米至20微米的薄厚度，且其導熱率為2.0W/mK至5.0W/mK。具體而言，證實了在實例1至3中，黏著膜的導熱率可藉由控制無機填料的大小及含量來增強。
相比之下，可證實在其中不包含各自具有預定平均粒徑的第一無機填料與第二無機填料二者或者不滿足第一無機填料及第二無機填料的含量的比較例1至3的情形中，不可能減小用於半導體的黏著膜的厚度或者黏著膜的導熱率降低。
實驗例3(量測膜可塗佈性)
使用「布魯克非(Brookfield)DV3T」模型(錐體及板型)量測在實例1至3及比較例4至7中的每一者中生產的用於半導體的黏著樹脂組成物溶液的塗佈前黏度。具體而言，將2毫升用於半導體的黏著樹脂組成物溶液放置於量測容器中，且然後利用具有CPA-41錐體(CPA-41 Cone)的蓋進行覆蓋，且然後在增加剪切速率的同時量測其黏度值。在室溫(25℃)及5轉/分鐘(revolutions per minute，rpm)下滿足為500厘泊至10,000厘泊的黏度的情形被評級為O，且不滿足以上黏度的情形被評級為X。
實驗例4(量測晶圓可濕性)
將在實例1至3及比較例4至7中的每一者中獲得的黏著膜切削成具有為22公分的直徑的圓形形狀。將如此製備的圓形膜中的每一者疊層至塗佈有黏著層的環氧丙烷(propylene oxide，PO)膜上，從而製備切割晶粒黏接膜。
單獨地，將80微米的晶圓疊層於切割膜上並切削成為8毫米×8毫米的大小。然後，使用安裝裝置在70℃下將經劃分的晶圓及每一黏著膜彼此熱疊層，並檢查黏著膜是否將不會黏著。
實驗例5(量測拾取效能)
將在實例1至3及比較例4至7中的每一者中獲得的黏著膜切削成具有為22公分的直徑的圓形形狀。將如此製備的圓形膜中的每一者疊層至塗佈有黏著層的PO膜上，從而製備切割晶粒黏接膜。
單獨地，在為70℃的溫度下安裝80微米晶圓(8英吋)，且然後在以下所述條件下切割成為13.3毫米×9.1毫米的晶片大小。
接下來，利用劑量為150毫焦/平方公分(照度：70毫瓦/平方公分)的UV光照射經切割樣本的切割膜的基板側，且然後剝離掉切割帶並再次疊層。此後，在低溫腔室及熱收縮系統中執行膨脹，從而製備用於量測拾取效能的樣本。
根據以下準則使用SPA-400(新川(SHINKAWA))使所製備的樣本經歷了拾取效能評價，且評價結果示於下表2中。
具體而言，為評價拾取效能，量測了拾取所有各別晶片的針銷高度(needle pin height)。在0.5毫米或小於0.5毫米的針銷高度處拾取所有各別晶片(自晶圓剝離晶粒)的情形被評級為O，且不滿足以上條件的情形被評級為X。
-切割條件-
設備：DFD-6361(迪斯科(DISCO))
刀片類型：27HEBB(迪斯科)
切削深度：80微米
切割速度：15毫米/秒
刀片轉數：45,000轉/分鐘
-拾取條件-
設備：SPA-400(新川)
膨脹高度：5毫米
針數：10
針上頂高度：0.5毫米
針上頂速度：10毫米/秒
在以上實驗例3至5中量測的值總結於下表2中。
Figure 110130273-A0305-02-0032-3
參照以上表2，證實了由於包含各自具有在適合範圍內的平均粒徑的第一無機填料及第二無機填料，因此實例1至3滿足膜可塗佈性、晶圓可濕性及拾取效能中的所有者。
相比之下，證實了在其中生產出了具有為20微米的厚度的用於半導體的黏著膜的比較例4的情形中，第一無機填料的增加的平均粒徑導致膜的表面粗糙度增加，此導致晶圓可濕性降 低及拾取效能劣化。
另外，證實了在比較例5中生產的用於半導體的黏著膜的情形中，第一無機填料的減小的平均粒徑導致膜中無機填料顆粒的數目增加，此使得填料難以分散，且填充率(其為第二無機填料在第一無機填料顆粒之間的填充率)降低，使得填料暴露於膜表面，從而導致膜的表面粗糙度增加、晶圓可濕性降低及拾取效能劣化。
此外，證實了在比較例6的情形中，第二無機填料的增加的平均粒徑導致填充率(其為第二無機填料填充於第一無機填料顆粒之間的速率)降低，且未填充的第二無機填料顆粒增加了膜的表面粗糙度，且出於此種原因，晶圓可濕性降低且拾取效能劣化。
另外，證實了在比較例7的情形中，第二無機填料的平均粒徑減小導致增加的黏聚性，且因此塗佈溶液的分散降低，使得塗佈溶液的黏度增加，且其流動性降低，且因此，在塗佈膜的製程中可能不會形成塗佈層。
因此，由於根據本揭露的用於半導體的黏著樹脂組成物包含適合量的各自具有特定的平均粒徑的第一無機填料及第二無機填料，因此根據本揭露的用於半導體的黏著膜可具有小的厚度且在適當範圍內表現出導熱率。
如上所述，根據本揭露的一個實施例的用於半導體的黏著樹脂組成物由於組成物的增加的穩定性而不會導致無機填料之間的分離，且可包含大量的無機填料，且因此組成物的固化產物的密度可得到控制且其導熱率可增強。
根據本揭露的另一實施例的用於半導體的黏著膜由於控制無機填料的平均粒徑而具有減小的厚度，且由於其增加的導熱率而具有增強的儲存穩定性。
儘管以上已藉由有限的實施例闡述了本揭露，然而本揭露不限於此。應理解，在不背離本揭露的技術精神及隨附申請專利範圍的等效範圍的情況下，熟習此項技術者可對本揭露進行各種改變及修改。

Claims (12)

  1. 一種用於半導體的黏著樹脂組成物，包含：黏結劑樹脂，包括選自由(甲基)丙烯酸酯系樹脂、環氧樹脂及其組合組成的群組的一者；固化劑；以及至少兩種無機填料，具有不同的平均粒徑，其中所述無機填料包括具有3微米至10微米的平均粒徑的第一無機填料及具有0.1微米至1.0微米的平均粒徑的第二無機填料，且其中所述第二無機填料具有為7.5平方米/克至14.0平方米/克的比表面積。
  2. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中所述無機填料以70重量%至95重量%的量被包含。
  3. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中所述無機填料具有球形形狀。
  4. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中所述無機填料由選自由氧化鋁(Al2O3)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、碳化矽(SiC)、氧化鎂(MgO)、氧化鋅(ZnO)、氫氧化鋁(Al(OH)3)及其組合組成的群組的一者製成。
  5. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中所述第一無機填料具有為2.0平方米/克至4.0平方米/克的比表面積。
  6. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中以所述無機 填料的總重量計，所述第二無機填料以1重量%至50重量%的量被包含。
  7. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，所述黏著樹脂組成物具有80重量%至95重量%的固體含量。
  8. 一種用於半導體的黏著膜，包含藉由固化如請求項1至請求項7中任一項所述的用於半導體的黏著樹脂組成物而獲得的固化產物。
  9. 如請求項8所述的黏著膜，其中所述固化產物具有為2.0克/立方米至3.5克/立方米的密度。
  10. 如請求項8所述的黏著膜，其中所述無機填料在所述固化產物中的填充率為60體積%至80體積%。
  11. 如請求項8所述的黏著膜，所述黏著膜具有3.0W/mK至6.0W/mK的導熱率。
  12. 如請求項8所述的黏著膜，所述黏著膜具有10微米至30微米的厚度。
TW110130273A 2020-08-19 2021-08-17 用於半導體的黏著樹脂組成物及黏著膜 TWI784669B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20200104211 2020-08-19
KR10-2020-0104211 2020-08-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202208576A TW202208576A (zh) 2022-03-01
TWI784669B true TWI784669B (zh) 2022-11-21

Family

ID=80497497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110130273A TWI784669B (zh) 2020-08-19 2021-08-17 用於半導體的黏著樹脂組成物及黏著膜

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11939494B2 (zh)
KR (1) KR102519212B1 (zh)
TW (1) TWI784669B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103987790A (zh) * 2011-12-27 2014-08-13 松下电器产业株式会社 导热性树脂组合物
CN107871721A (zh) * 2013-06-27 2018-04-03 迪睿合株式会社 导热性片材及其制备方法、以及半导体装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4525139B2 (ja) * 2004-03-31 2010-08-18 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
US8017444B2 (en) * 2004-04-20 2011-09-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive sheet, semiconductor device, and process for producing semiconductor device
JP2006063136A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2007194268A (ja) 2006-01-17 2007-08-02 Kyocera Chemical Corp 光半導体装置
KR101023844B1 (ko) 2007-06-25 2011-03-22 주식회사 엘지화학 접착수지 조성물, 접착필름, 다이싱 다이 본딩 필름 및반도체 장치
KR100947783B1 (ko) 2007-09-28 2010-03-15 엘지이노텍 주식회사 반도체 접착 페이스트 조성물
JP2009295968A (ja) * 2008-05-08 2009-12-17 Panasonic Corp 表面実装用接着剤およびそれを含む実装構造体、ならびに実装構造体の製造方法
US8692394B2 (en) * 2009-09-30 2014-04-08 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor bonding, adhesive film for semiconductor bonding, method for mounting semiconductor chip, and semiconductor device
JP6304803B2 (ja) 2014-01-20 2018-04-04 日本化薬株式会社 樹脂組成物の製造方法
JP6435707B2 (ja) * 2014-08-20 2018-12-12 日立化成株式会社 モールドアンダーフィル用樹脂組成物及び電子部品装置
KR101820936B1 (ko) 2015-04-06 2018-01-22 주식회사 엘지화학 접착제 조성물, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
JP6668712B2 (ja) * 2015-12-01 2020-03-18 味の素株式会社 樹脂組成物
KR20170101603A (ko) 2016-02-29 2017-09-06 도레이첨단소재 주식회사 내열성이 향상된 전자부품용 점착테이프
GB201613414D0 (en) 2016-08-03 2016-09-14 Dow Corning Elastomeric compositions and their applications
JP2019056041A (ja) * 2017-09-20 2019-04-11 旭化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物
KR102213777B1 (ko) * 2018-02-02 2021-02-08 주식회사 엘지화학 반도체용 접착 필름
WO2019160287A1 (ko) 2018-02-13 2019-08-22 주식회사 엘지화학 반도체 패키지용 열경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 프리프레그
KR102236280B1 (ko) * 2018-02-14 2021-04-02 주식회사 엘지화학 반도체용 접착 필름

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103987790A (zh) * 2011-12-27 2014-08-13 松下电器产业株式会社 导热性树脂组合物
CN107871721A (zh) * 2013-06-27 2018-04-03 迪睿合株式会社 导热性片材及其制备方法、以及半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202208576A (zh) 2022-03-01
KR20220022870A (ko) 2022-02-28
KR102519212B1 (ko) 2023-04-10
US11939494B2 (en) 2024-03-26
US20220098455A1 (en) 2022-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101843900B1 (ko) 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
US9953945B2 (en) Adhesive resin compostition for bonding semiconductors and adhesive film for semiconductors
JP5364991B2 (ja) 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シート及び半導体装置
JP6557424B2 (ja) 半導体接着用樹脂組成物、半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルム
TWI591147B (zh) 用於接合半導體的接著性樹脂組成物、接著膜、切晶接合膜及半導體元件
JP6366228B2 (ja) 接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルム
JP2012186361A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
KR101284978B1 (ko) 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
KR102236280B1 (ko) 반도체용 접착 필름
TWI669367B (zh) 接著劑組成物、切晶接合膜及切割半導體晶圓之方法
JP4025223B2 (ja) ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2015103580A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、熱硬化型ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
TWI784669B (zh) 用於半導體的黏著樹脂組成物及黏著膜
JP3710457B2 (ja) ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
TWI819354B (zh) 用於半導體的黏著樹脂組成物、黏著膜及切割晶粒黏接膜
JP2015126019A (ja) 半導体装置用樹脂フィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6242679B2 (ja) 半導体装置用樹脂フィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2012186360A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP2007043198A (ja) ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装
JP2017098316A (ja) ダイシングテープ一体型接着シート
JP2010087538A (ja) ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2015103574A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2015103575A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法