CN102575360A - 用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法 - Google Patents

用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102575360A
CN102575360A CN2010800445838A CN201080044583A CN102575360A CN 102575360 A CN102575360 A CN 102575360A CN 2010800445838 A CN2010800445838 A CN 2010800445838A CN 201080044583 A CN201080044583 A CN 201080044583A CN 102575360 A CN102575360 A CN 102575360A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alkyl
treatment solution
carbonatoms
pattern
pure water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800445838A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102575360B (zh
Inventor
大户秀
松永裕嗣
山田健二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Publication of CN102575360A publication Critical patent/CN102575360A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102575360B publication Critical patent/CN102575360B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
    • B81C1/0092—For avoiding stiction during the manufacturing process of the device, e.g. during wet etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/24—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with neutral solutions
    • C23G1/26—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with neutral solutions using inhibitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。所述处理液含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。

Description

用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法
技术领域
本发明涉及用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。
背景技术
以往，作为在半导体器件、电路基板等这样的广泛的领域中使用的具有微细结构的元件的形成和加工方法，使用了光刻技术。该领域中，伴随着要求性能的高度化，半导体器件等的小型化、高集成化或高速化显著进行，光刻中使用的抗蚀图案日趋微细化，另外深宽比(aspect ratio)日趋增加。但是，随着这样的微细化等的进行，抗蚀图案的倒塌成为很大的问题。
已知抗蚀图案的倒塌是如下产生的：使抗蚀图案显影后的湿处理(主要是用于冲洗显影液的冲洗处理)中使用的处理液从该抗蚀图案干燥时，由于该处理液的表面张力引起的应力发挥作用而产生抗蚀图案的倒塌。因此，为了解决抗蚀图案的倒塌，提出了下述方法：通过使用了非离子性表面活性剂、醇系溶剂可溶性化合物等的低表面张力的液体替代洗涤液并进行干燥的方法(例如，参照专利文献1和2)，使抗蚀图案的表面疏水化的方法(例如，参照专利文献3)等。
然而，使用光刻技术形成的由金属、金属氮化物或金属氧化物等所构成的微细结构体(以下称为“金属微细结构体”。另外，包括金属、金属氮化物或金属氧化物在内简称为“金属”。)中，形成结构体的金属自身的强度比抗蚀图案自身的强度高或比抗蚀图案与基材的接合强度高，因此与抗蚀图案相比，该结构体图案的倒塌不易发生。但是，随着半导体装置、微机械的小型化、高集成化、或高速化进一步发展，由于该结构体的图案的微细化、以及深宽比的增加，该结构体的图案的倒塌逐渐成为很大的问题。由于为有机物的抗蚀图案与金属微细结构体的表面状态完全不同，因此与上述抗蚀图案的倒塌的情况不同，尚未发现有效的对策，因而在半导体装置或微机械的小型化、高集成化或高速化时，出现了进行图案设计等以便不发生图案倒塌等显著阻碍图案设计的自由度的状况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-184648号公报
专利文献2：日本特开2005-309260号公报
专利文献3：日本特开2006-163314号公报
发明内容
发明要解决的问题
如上所述，在半导体装置、微机械这样的金属微细结构体的领域中，实际情况是有效抑制图案的倒塌的技术尚不为人知。
本发明是在该状况下进行的，其目的在于提供一种能够抑制半导体装置、微机械这样的金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人为了实现上述目的进行了反复深入的研究，结果发现，通过一种处理液可以达成其目的。所述处理液含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。
本发明是基于上述见解完成的发明。即本发明的要旨如下所述。
[1]一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。
[2]根据[1]所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其中，碳原子数12的烷基为十二烷基，碳原子数14的烷基为十四烷基，碳原子数16的烷基为十六烷基，碳原子数18的烷基为十八烷基。
[3]根据[1]或[2]所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其还含有水。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其中，选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物，具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的化合物的含量为10ppm～10％。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其中，金属微细结构体的图案是使用钨形成的。
[6]一种金属微细结构体的制造方法，其特征在于，在湿式蚀刻或干式蚀刻之后的洗涤工序中使用[1]～[5]中任一项所述的处理液。
[7]根据[6]所述的金属微细结构体的制造方法，其中，金属微细结构体的图案是使用钨形成的。
[8]根据[6]或[7]所述的金属微细结构体的制造方法，其中，金属微细结构体为半导体装置或微机械。
需要说明的是，在本说明书中，有时烷基的碳原子数为12时记为C 12、为14时记为C 14、为16时记为C 16，为18时记为C 18。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种能够抑制半导体装置、微机械这样的金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法。
附图说明
图1是由实施例1～18和比较例1～14制作的金属微细结构体的各制作阶段的截面示意图。
附图标记说明
101.光致抗蚀层
102.氧化硅
103.氮化硅
104.硅基板
105.圆状开口部
106.圆筒状孔
107.金属(钨)
108.金属(钨)的圆筒
具体实施方式
本发明的处理液用于抑制金属微细结构体的图案倒塌，其含有选自具有C12、C14、C16的烷基的咪唑鎓卤化物，具有C14、C16的烷基的吡啶鎓卤化物，具有C14、C16、C18的烷基的卤化铵，具有C12、C14、C16的烷基的甜菜碱化合物，具有C14、C16、C18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。
认为，本发明的处理液中使用的具有C12、C14、C16的烷基的咪唑鎓卤化物，具有C14、C16的烷基的吡啶鎓卤化物，具有C14、C16、C18的烷基的卤化铵，具有C12、C14、C16的烷基的甜菜碱化合物，具有C14、C16、C18的烷基的氧化胺化合物与金属微细结构体的图案中使用的金属材料吸附，使该图案的表面疏水化。这种情况下的疏水化是指通过本发明的处理液进行了处理的金属的表面与水的接触角为70°以上。
作为具有C12、C14、C16的烷基的咪唑鎓卤化物，可以列举出1-十二烷基-3-甲基氯化咪唑鎓、1-十二烷基-3-甲基溴化咪唑鎓、1-十二烷基-3-甲基碘化咪唑鎓、1-甲基-3-十二烷基氯化咪唑鎓、1-甲基-3-十二烷基溴化咪唑鎓、1-甲基-3-十二烷基碘化咪唑鎓、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基氯化咪唑鎓、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基溴化咪唑鎓、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基碘化咪唑鎓、1-十四烷基-3-甲基氯化咪唑鎓、1-十四烷基-3-甲基溴化咪唑鎓、1-十四烷基-3-甲基碘化咪唑鎓、1-甲基-3-十四烷基氯化咪唑鎓、1-甲基-3-十四烷基溴化咪唑鎓、1-甲基-3-十四烷基碘化咪唑鎓、1-十六烷基-3-甲基氯化咪唑鎓、1-十六烷基-3-甲基溴化咪唑鎓、1-十六烷基-3-甲基碘化咪唑鎓、1-十六烷基-4-甲基氯化咪唑鎓、1-十六烷基-4-甲基溴化咪唑鎓、1-十六烷基-4-甲基碘化咪唑鎓、1-甲基-3-十六烷基氯化咪唑鎓、1-甲基-3-十六烷基溴化咪唑鎓、1-甲基-3-十六烷基碘化咪唑鎓等，特别优选1-十二烷基-3-甲基氯化咪唑鎓、1-十四烷基-3-甲基氯化咪唑鎓、1-十六烷基-3-甲基氯化咪唑鎓。
作为具有C14、C16的烷基的吡啶鎓卤化物可以列举出十四烷基氯化吡啶鎓、十四烷基溴化吡啶鎓、十四烷基碘化吡啶鎓、十六烷基氯化吡啶鎓、十六烷基溴化吡啶鎓、十六烷基碘化吡啶鎓、1-十四烷基-4-甲基氯化吡啶鎓、1-十四烷基-4-甲基溴化吡啶鎓、1-十四烷基-4-甲基碘化吡啶鎓、1-十六烷基-4-甲基氯化吡啶鎓、1-十六烷基-4-甲基溴化吡啶鎓、1-十六烷基-4-甲基碘化吡啶鎓等，特别优选十四烷基氯化吡啶鎓、十六烷基氯化吡啶鎓、1-十四烷基-4-甲基氯化吡啶鎓、1-十六烷基-4-甲基氯化吡啶鎓。
作为具有C14、C16、C18的烷基的卤化铵，可以列举出十四烷基三甲基氯化铵、十四烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基碘化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基碘化铵、十八烷基三甲基氯化铵、十八烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基碘化铵、二甲基乙基十四烷基氯化铵、二甲基乙基十四烷基溴化铵、二甲基乙基十四烷基碘化铵、二甲基乙基十六烷基氯化铵、二甲基乙基十六烷基溴化铵、二甲基乙基十六烷基碘化铵、二甲基乙基十八烷基氯化铵、二甲基乙基十八烷基溴化铵、二甲基乙基十八烷基碘化铵、苄基二甲基十四烷基氯化铵、苄基二甲基十四烷基溴化铵、苄基二甲基十四烷基碘化铵、苄基二甲基十六烷基氯化铵、苄基二甲基十六烷基溴化铵、苄基二甲基十六烷基碘化铵、苄基二甲基十八烷基氯化铵、苄基二甲基十八烷基溴化铵、苄基二甲基十八烷基碘化铵等、特别优选十四烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十八烷基三甲基氯化铵、苄基二甲基十四烷基氯化铵、苄基二甲基十六烷基氯化铵、苄基二甲基十八烷基氯化铵。
此外，作为碳原子数12的烷基优选十二烷基，作为碳原子数14的烷基优选十四烷基，作为碳原子数16的烷基优选十六烷基、作为碳原子数18的烷基优选十八烷基。与分枝的烷基相比，这种具有直链状的烷基的化合物可以高密度地吸附在金属材料上。
更具体而言，作为具有C12、C14、C16的烷基的甜菜碱化合物，可以列举出十二烷基二甲基氨基醋酸甜菜碱、十四烷基二甲基氨基醋酸甜菜碱、十六烷基二甲基氨基醋酸甜菜碱、椰子油脂肪酸酰胺丙基甜菜碱等，特别优选十二烷基二甲基氨基醋酸甜菜碱、椰子油脂肪酸酰胺丙基甜菜碱。
作为具有C14、C16、C18的烷基的氧化胺化合物，优选二甲基十四烷基氧化胺、二甲基十六烷基氧化胺、二甲基十八烷基氧化胺。
作为具有C12、C14、C16的烷基的咪唑鎓卤化物，优选具有C14、C16的烷基的咪唑鎓卤化物，更优选具有C16的烷基的咪唑鎓卤化物。
作为具有C14、C16的烷基的吡啶鎓卤化物，优选具有C16的烷基的吡啶鎓卤化物。
作为具有C14、C16、C18的烷基的卤化铵，优选具有C16、C18的烷基的卤化铵，更优选具有C18的烷基的卤化铵。
作为具有C14、C16、C18的烷基的氧化胺化合物，优选具有C16、C18的烷基的氧化胺化合物，更优选具有C18的烷基的氧化胺化合物。
本发明的处理液优选还含有水，优选为水溶液。作为水，优选通过蒸馏、离子交换处理、过滤处理、各种吸附处理等除去了金属离子、有机杂质、颗粒粒子等的水，特别优选纯水、超纯水。
本发明的处理液含有选自上述具有C12、C14、C16的烷基的咪唑鎓卤化物，具有C14、C16的烷基的吡啶鎓卤化物，具有C14、C16、C18的烷基的卤化铵，具有C12、C14、C16的烷基的甜菜碱化合物，具有C14、C16、C18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种，优选含有水，此外，在不损害处理液的效果的范围内含有在处理液中通常使用的各种添加剂。
本发明的处理液中的选自具有C12、C14、C16的烷基的咪唑鎓卤化物，具有C14、C16的烷基的吡啶鎓卤化物，具有C14、C16、C18的烷基的卤化铵，具有C12、C14、C16的烷基的甜菜碱化合物，具有C14、C16、C18的烷基的氧化胺化合物的中的至少一种化合物的含量(多种时为其合计)优选为10ppm～10％。
前述化合物的含量只要在上述范围内就可以充分得到这些化合物的效果，但考虑到操作容易性、经济性、起泡性，优选在更低浓度的5％以下使用，更优选为10～2000ppm，进一步优选为10～1000ppm。此外，在这些化合物的对水的溶解性不充分而会发生相分离的情况下，可以加入醇等有机溶剂，也可以加入酸、碱以增强溶解性。此外在未相分离而仅白浊的情况下，也可以在不损害该处理液的效果的范围内使用，为了使该处理液均匀，还可以伴随搅拌而使用。另外，为了避免处理液的白浊，可以与上述同样地加入醇等有机溶剂、酸、碱后使用。
本发明的处理液优选用于抑制半导体装置、微机械这样的金属微细结构体的图案倒塌。此处，作为金属微细结构体的图案，优选列举出使用W(钨)形成的图案。
需要说明的是，金属微细结构体包括以下情况：在SiO2(硅氧化膜)、TEOS(四乙氧基硅烷氧化膜)等绝缘膜种上图案化的情况；金属微细结构的一部分中含有绝缘膜种的情况。
本发明的处理液当然可以对以往的金属微细结构体发挥优异的图案倒塌抑制效果，对于更微细化、深宽比更高的金属微细结构体也可以挥发优异的图案倒塌抑制效果。此处，深宽比是通过(图案的高度/图案的宽度)计算出的值，对于具有3以上、进而7以上的高的深宽比的图案，本发明的处理液具有优异的图案倒塌抑制效果。另外，即使对于图案尺寸(图案的宽度)为300nm以下、150nm以下、100nm以下、进而50nm以下的线宽/线距为1∶1的微细图案、同样地对图案间的间隔为300nm以下、150nm以下、100nm以下、进而50nm以下的具有圆筒或圆柱状结构的微细图案，本发明的处理液也具有优异的图案倒塌抑制效果。
[金属微细结构体的制造方法]
本发明的金属微细结构体的制造方法的特征在于，在湿式蚀刻或干式蚀刻之后的洗涤工序中使用上述本发明的处理液。更具体地说，在该洗涤工序中，优选通过浸渍、喷射排出、喷雾等使金属微细结构体的图案与本发明的处理液接触后，用水替换该处理液，然后使其干燥。此处，通过浸渍使金属微细结构体的图案与本发明的处理液接触时，浸渍时间优选为10秒～30分钟，更优选为15秒～20分钟，进一步优选为20秒～15分钟，特别优选为30秒～10分钟，温度条件优选为10～60℃，更优选为15～50℃，进一步优选为20～40℃，特别优选为25～40℃。另外，在金属微细结构体的图案与本发明的处理液接触前，可以预先用水进行洗涤。这样，通过使金属微细结构体的图案与本发明的处理液接触，使该图案的表面上疏水化，从而能够抑制图案与相邻的图案接触之类的图案的倒塌。
只要在金属微细结构体的制造工序中具有湿式蚀刻或干式蚀刻的工序，之后具有进行湿处理(蚀刻或洗涤、用于冲洗这些洗涤液的冲洗)后干燥的工序，则无论金属微细结构体的种类如何，本发明的处理液均可以广泛适用。例如，适宜在下述等半导体装置、微机械的制造工序中的蚀刻工序后使用本发明的处理液：(i)在DRAM型的半导体装置的制造中对导电膜周边的绝缘膜等进行湿式蚀刻后(例如参照日本特开2000-196038号公报和日本特开2004-288710号公报)；(ii)在具备具有长条形散热片的晶体管的半导体装置的制造中，在栅极加工时的干式蚀刻或湿式蚀刻后除去生成的污染物的洗涤工序后(例如参照日本特开2007-335892号公报)；(iii)在微机械(微小电力机械装置)的空腔形成中，在打开导电性膜的贯通孔、除去由绝缘膜构成的牺牲层而形成空腔时的除去蚀刻时生成的污染物的洗涤工序后(例如参照日本特开2009-122031号公报)；等。
实施例
以下，通过实施例来更详细地说明本发明，但本发明不受这些例子的任何限定。
《处理液的制备》
根据表1所示的配合组成(质量％)，制备了用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液。
[表1]
  种类   烷基碳原子数*1   含量
  处理液1   1-十二烷基-3-甲基氯化咪唑鎓   C12   5000ppm
  处理液2   1-十四烷基-3-甲基氯化咪唑鎓   C14   1000ppm
  处理液3   1-十六烷基-3-甲基氯化咪唑鎓   C16   500ppm
  处理液4   十四烷基氯化吡啶鎓   C14   3000ppm
  处理液5   1-十四烷基-4-甲基氯化吡啶鎓   C14   1500ppm
  处理液6   十六烷基氯化吡啶鎓   C16   300ppm
  处理液7   1-十六烷基-4-甲基氯化吡啶鎓   C16   100ppm
  处理液8   十四烷基三甲基氯化铵   C14   5000ppm
  处理液9   苄基二甲基十四烷基氯化铵   C14   2000ppm
  处理液10   十六烷基三甲基氯化铵   C16   200ppm
  处理液11   苄基二甲基十六烷基氯化铵   C16   500ppm
  处理液12   十八烷基三甲基氯化铵   C18   100ppm
  处理液13   苄基二甲基十八烷基氯化铵   C18   10ppm
  处理液14   十二烷基二甲基氨基醋酸甜菜碱   C12   10％
  处理液15   椰子油脂肪酸酰胺丙基甜菜碱   C12、C14、C16   100ppm
  处理液16   二甲基十四烷基氧化胺   C14   1％
  处理液17   二甲基十六烷基氧化胺   C16   5000ppm
  处理液18   二甲基十八烷基氧化胺   C18   50ppm
*1：各化合物具有的烷基的碳原子数
实施例1～18
如图-1(a)所示，在硅基板104上使氮化硅103(厚度：100nm)和氧化硅102(厚度：1200nm)成膜后，形成光致抗蚀层101，然后将该光致抗蚀层101曝光、显影，从而形成图-1(b)所示的圆-环状开孔部105(
Figure BDA0000149514920000111
圆与圆的距离：50nm)，将该光致抗蚀层101作为掩模，通过干式蚀刻进行蚀刻直至氮化硅103的层从而在氧化硅102中形成图-1(c)所示的圆筒状的孔106。接着，通过灰化(ashing)除去光致抗蚀层101，得到图-1(d)所示的在氧化硅102中开孔有直至氮化硅103的层的圆筒状孔106的结构体。向所得到的结构体的圆筒状孔106中填充、堆积作为金属107的钨(图1-(e))，通过化学机械研磨(化学机械抛光：CMP)除去氧化硅102上的多余的金属(钨)107，得到图-1(f)所示的金属(钨)的圆筒108埋入氧化硅102中的结构体。将得到的结构体的氧化硅102用0.5％氢氟酸溶解除去(25℃、1分钟的浸渍处理)，然后按照纯水冲洗、处理液1～18(30℃、10分钟浸渍处理)和纯水冲洗的顺序进行接触液体处理、再进行干燥，得到图-1(g)所示的结构体。
得到的结构体是具有金属(钨)的圆筒-烟囱状的图案(
Figure BDA0000149514920000121
高度：1200nm(深宽比：9.6)、圆筒与圆筒之间的距离：50nm)的微细结构，70％以上的该图案未倒塌。
此处，图案的倒塌使用Hitachi High-TechnologiesCorporation.制造的“FE-SEM S-5500(型号)”观察，倒塌抑制率是通过计算图案总根数中未倒塌的图案的比例而求出的数值，若该倒塌抑制率为50％以上则判断为合格。各例中使用的处理液、处理方法以及倒塌抑制率的结果示于表3。
比较例1
实施例1中，利用氢氟酸将图-1(f)所示的结构体的氧化硅102溶解除去后，仅利用纯水进行处理，除此之外与实施例1同样地得到图-1(g)所示的结构体。所得到的结构体的图案的50％以上发生了图-1(h)所示那样的倒塌(倒塌抑制率低于50％。)。比较例1中使用的处理液、处理方法和倒塌抑制率的结果示于表3。
比较例2～14
实施例1中，利用氢氟酸将图-1(f)所示的结构体的氧化硅102溶解除去并利用纯水进行处理，然后利用表3所示的比较液1～13代替处理液1进行处理，除此之外与实施例1同样地进行得到图-1(g)所示的结构体。所得到的结构体的图案的50％以上发生了图-1(h)所示那样的倒塌。各例2～14中使用的处理液、处理方法以及倒塌抑制率的结果示于表3。
[表2]
  物质名
  比较液1   异丙醇
  比较液2   二乙二醇单甲醚
  比较液3   二甲基乙酰胺
  比较液4   全氟烷基磺酸卤化铵*1
  比较液5   全氟烷基羧酸盐*2
  比较液6   2，4，7，9-四甲基-5-癸炔-4，7-二醇的环氧乙烷加成物*3
  比较液7   2，4，7，9-四甲基-5-癸炔-4，7-二醇*4
  比较液8   十二烷基三甲基氯化铵(烷基碳原子数12)*5
  比较液9   聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚合物＊6
  比较液10   1-癸基-3-甲基氯化咪唑鎓(烷基碳原子数10)
  比较液11   1-十二烷基氯化吡啶鎓(烷基碳原子数12)
  比较液12   1-癸基-3-甲基氯化咪唑鎓(烷基碳原子数10)
  比较液13   二甲基十二烷基氧化胺(烷基碳原子数12)
*1：“Fluorad FC-93(商品名)”；3M公司制，0.01％水
*2：“Surflon S-111(商品名)”；AGC SEIMI CHEMICAL Co.，LTD.制，0.01％水
*3：“Surfynol 420(商品名)”；日信化学工业株式会社制，0.01％水
*4：“Surfynol 104(商品名)”；日信化学工业株式会社制，0.01％水
*5：“Catiogen TML(商品名)”；第一工业制药株式会社制，0.01％水
*6：“Epan 420(商品名)”；第一工业制药株式会社制，0.01％水
[表3]
  处理方法   倒塌抑制率*1   合格与否的判定
  实施例1 纯水→处理液1→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例2 纯水→处理液2→纯水→干燥   80％以上   合格
  实施例3 纯水→处理液3→纯水→干燥   80％以上   合格
  实施例4 纯水→处理液4→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例5 纯水→处理液5→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例6 纯水→处理液6→纯水→干燥   80％以上   合格
  实施例7 纯水→处理液7→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例8 纯水→处理液8→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例9 纯水→处理液9→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例10 纯水→处理液10→纯水→干燥   80％以上   合格
  实施例11 纯水→处理液11→纯水→干燥   80％以上   合格
  实施例12 纯水→处理液12→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例13 纯水→处理液13→纯水→干燥   80％以上   合格
  实施例14 纯水→处理液14→纯水→干燥   90％以上   合格
  实施例15 纯水→处理液15→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例16 纯水→处理液16→纯水→干燥   70％以上   合格
  实施例17 纯水→处理液17→纯水→干燥   80％以上   合格
  实施例18 纯水→处理液18→纯水→干燥   90％以上   合格
  比较例1 纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例2 纯水→比较液1→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例3 纯水→比较液2→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例4 纯水→比较液3→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例5 纯水→比较液4→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例6 纯水→比较液5→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例7 纯水→比较液6→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例8 纯水→比较液7→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例9 纯水→比较液8→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例10 纯水→比较液9→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例11 纯水→比较液10→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例12 纯水→比较液11→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例13 纯水→比较液12→纯水→干燥   不足50％   不合格
  比较例14 纯水→比较液13→纯水→干燥   不足50％   不合格
*1，倒塌抑制率＝(未倒塌的圆筒数/总圆筒数)×100[％]
产业上的可利用性
本发明的处理液可适宜用于抑制半导体装置、微机械(MEMS)这样的金属微细结构体的制造中的图案倒塌。

Claims (8)

1.一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其中，碳原子数12的烷基为十二烷基，碳原子数14的烷基为十四烷基，碳原子数16的烷基为十六烷基，碳原子数18的烷基为十八烷基。
3.根据权利要求1或2所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其还含有水。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其中，选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物，具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的化合物的含量为10ppm～10％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其中，金属微细结构体的图案是使用钨形成的。
6.一种金属微细结构体的制造方法，其特征在于，在湿式蚀刻或干式蚀刻之后的洗涤工序中使用权利要求1～5中任一项所述的处理液。
7.根据权利要求6所述的金属微细结构体的制造方法，其中，金属微细结构体的图案是使用钨形成的。
8.根据权利要求6或7所述的金属微细结构体的制造方法，其中，金属微细结构体为半导体装置或微机械。
CN201080044583.8A 2009-10-02 2010-09-29 用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法 Active CN102575360B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009230478 2009-10-02
JP2009-230478 2009-10-02
PCT/JP2010/066877 WO2011040423A1 (ja) 2009-10-02 2010-09-29 金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた金属微細構造体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102575360A true CN102575360A (zh) 2012-07-11
CN102575360B CN102575360B (zh) 2014-01-08

Family

ID=43826239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080044583.8A Active CN102575360B (zh) 2009-10-02 2010-09-29 用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9334161B2 (zh)
JP (1) JP5720572B2 (zh)
KR (1) KR101627392B1 (zh)
CN (1) CN102575360B (zh)
DE (1) DE112010003895T5 (zh)
TW (1) TW201128325A (zh)
WO (1) WO2011040423A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5741590B2 (ja) * 2010-09-08 2015-07-01 三菱瓦斯化学株式会社 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法
CN103098180B (zh) * 2010-09-08 2016-03-30 三菱瓦斯化学株式会社 用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法
WO2020072278A1 (en) * 2018-10-03 2020-04-09 Lam Research Ag Gas mixture including hydrogen fluoride, alcohol and an additive for preventing stiction of and/or repairing high aspect ratio structures

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH093678A (ja) * 1995-06-16 1997-01-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 金属の乾燥方法
EP0812012A1 (en) * 1996-06-07 1997-12-10 Lucent Technologies Inc. Method for etching to produce metal film structures having tapered sidewalls
CN1290402A (zh) * 1998-12-09 2001-04-04 岸本产业株式会社 光刻胶残渣去除剂
US6265309B1 (en) * 1998-05-14 2001-07-24 Mitsubishi Gas Chemicals Co., Inc. Cleaning agent for use in producing semiconductor devices and process for producing semiconductor devices using the same
JP2003109949A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング液及びエッチング方法
US20040038532A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Kobe Steel, Ltd. Method for drying microstructure member
JP2005174961A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Ebara Corp 基板処理方法及び装置
JP2006163314A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Mitsubishi Electric Corp レジスト用現像液
CN1947066A (zh) * 2004-04-23 2007-04-11 东京应化工业株式会社 光刻用冲洗液
US20090084754A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and system for manufacturing microstructure
CN100526998C (zh) * 2002-12-03 2009-08-12 Az电子材料（日本）株式会社 平版印刷用冲洗液以及用其形成抗蚀图案的方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187306A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界乾燥装置
US6247856B1 (en) * 1998-01-22 2001-06-19 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Developing system of photosensitive resin plates and apparatus used therein
DK1105778T3 (da) * 1998-05-18 2009-10-19 Mallinckrodt Baker Inc Silikatholdige alkaliske sammensætninger til rensning af mikorelektroniske substrater
JP4180716B2 (ja) 1998-12-28 2008-11-12 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6086779A (en) * 1999-03-01 2000-07-11 Mcgean-Rohco, Inc. Copper etching compositions and method for etching copper
US7521405B2 (en) * 2002-08-12 2009-04-21 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US20040029395A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Peng Zhang Process solutions containing acetylenic diol surfactants
US6281176B1 (en) * 1999-12-03 2001-08-28 Albemarle Corporation Process for producing betaine/amine oxide mixtures
TW558736B (en) * 2000-02-26 2003-10-21 Shipley Co Llc Method of reducing defects
US6451510B1 (en) * 2001-02-21 2002-09-17 International Business Machines Corporation Developer/rinse formulation to prevent image collapse in resist
JP2004241585A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Kobe Steel Ltd 微細構造体の洗浄方法
JP4470144B2 (ja) 2003-03-19 2010-06-02 エルピーダメモリ株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
BRPI0413657A (pt) * 2003-08-19 2006-10-24 Mallinckrodt Baker Inc Composição aquosa, isenta de silicato, para limpeza de substratos microeletrÈnicos, bem como processo para limpeza de um substrato microeletrÈnico sem produzir qualquer corrosão metálica substancial
JP2005181814A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
US20050158672A1 (en) 2003-12-22 2005-07-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern formation method
JP2006016438A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Dongwoo Fine-Chem Co Ltd 電子部品洗浄液
WO2006054996A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-26 Honeywell International Inc. Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof
US7923424B2 (en) * 2005-02-14 2011-04-12 Advanced Process Technologies, Llc Semiconductor cleaning using superacids
JP4237184B2 (ja) * 2005-03-31 2009-03-11 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
CN101198416A (zh) * 2005-04-15 2008-06-11 高级技术材料公司 从微电子器件上清除离子注入光致抗蚀剂层的配方
WO2007080726A1 (ja) * 2006-01-11 2007-07-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US8012922B2 (en) * 2007-02-08 2011-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet cleaning solution
JP5347237B2 (ja) * 2007-05-15 2013-11-20 三菱瓦斯化学株式会社 洗浄用組成物
JP2007335892A (ja) 2007-08-17 2007-12-27 Toshiba Corp 半導体装置
JP4655083B2 (ja) 2007-11-16 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 微小電気機械装置
JP5813280B2 (ja) * 2008-03-19 2015-11-17 富士フイルム株式会社 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法
WO2012027667A2 (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Advanced Technology Materials, Inc. Method for preventing the collapse of high aspect ratio structures during drying

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH093678A (ja) * 1995-06-16 1997-01-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 金属の乾燥方法
EP0812012A1 (en) * 1996-06-07 1997-12-10 Lucent Technologies Inc. Method for etching to produce metal film structures having tapered sidewalls
US6265309B1 (en) * 1998-05-14 2001-07-24 Mitsubishi Gas Chemicals Co., Inc. Cleaning agent for use in producing semiconductor devices and process for producing semiconductor devices using the same
CN1290402A (zh) * 1998-12-09 2001-04-04 岸本产业株式会社 光刻胶残渣去除剂
JP2003109949A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング液及びエッチング方法
US20040038532A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Kobe Steel, Ltd. Method for drying microstructure member
CN100526998C (zh) * 2002-12-03 2009-08-12 Az电子材料（日本）株式会社 平版印刷用冲洗液以及用其形成抗蚀图案的方法
JP2005174961A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Ebara Corp 基板処理方法及び装置
CN1947066A (zh) * 2004-04-23 2007-04-11 东京应化工业株式会社 光刻用冲洗液
JP2006163314A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Mitsubishi Electric Corp レジスト用現像液
US20090084754A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and system for manufacturing microstructure

Also Published As

Publication number Publication date
DE112010003895T5 (de) 2012-08-02
JP5720572B2 (ja) 2015-05-20
US9334161B2 (en) 2016-05-10
TW201128325A (en) 2011-08-16
KR20120093187A (ko) 2012-08-22
CN102575360B (zh) 2014-01-08
WO2011040423A1 (ja) 2011-04-07
US20120181249A1 (en) 2012-07-19
KR101627392B1 (ko) 2016-06-03
JPWO2011040423A1 (ja) 2013-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102484056B (zh) 用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法
JP2012119686A (ja) 金属含有犠牲材料及びダマシン配線形成の方法
CN103098180B (zh) 用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法
KR20130007437A (ko) 에칭 방법 및 이것에 사용되는 에칭액, 이것을 사용한 반도체 기판 제품의 제조 방법
JP2012256876A (ja) エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法
CN102598220A (zh) 用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法
CN102575360B (zh) 用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法
CN103098179B (zh) 用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法
CN103098181B (zh) 用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法
CN102640264B (zh) 用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法
KR102002327B1 (ko) 미세 구조체의 패턴 붕괴 억제용 처리액 및 이것을 이용한 미세 구조체의 제조방법
JP6405610B2 (ja) 高アスペクト比を有する微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液およびこれを用いた微細構造体の製造方法
JP2015035458A (ja) 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant