CN102540602B - 显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示器件及其制造方法，该显示器件包括第一基板和在第一基板上的像素电极。该像素电极的厚度为约40纳米(nm)或更小。

Description

显示器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种显示器件及其制造方法，更具体地，涉及包括形成在基板上的像素电极的显示器件。

背景技术

在显示器件当中，液晶显示器是最广泛使用的平板显示器之一。液晶显示器包括其上形成有场产生电极诸如像素电极和公共电极的两个显示面板、以及插置在两个显示面板之间的液晶层。通过施加电压到场产生电极以在液晶层上产生电场从而确定液晶层的液晶分子的方向并控制入射光的偏振，液晶显示器显示图像。作为显示器件，除了液晶显示器之外，还存在有机发光二极管显示器、等离子体显示面板以及电泳显示器。

显示器件通常包括：显示面板，提供有包括开关元件和显示信号线的像素；栅驱动器，通过传送栅信号到显示信号线的栅极线来开启和关闭像素的开关元件；数据驱动器，施加数据电压到数据线；以及控制它们的信号控制器。

栅驱动器和数据驱动器可以以集成电路(IC)芯片形式安装在显示器件上、以安装在柔性印刷电路膜上的带载式封装(TCP)形式附接到显示器件、或安装在印刷电路板上。特别地，通过用与显示信号线和开关元件相同的工艺形成，栅驱动器可以被集成在显示面板上。

显示器件可以在多层上形成多个开关元件和多条信号线。入射在显示器件上的入射光可以穿透该多层或在层界面上反射。在入射光的透射率低并且反射率高的情形下，存在显示器件的效率降低(例如，功耗增加)的问题。

在本背景部分公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理解，因此，其可以包含不构成在该国中对于本领域的普通技术人员来说已经知晓的现有技术的信息。

发明内容

本发明致力于提供一种具有增加透射率的优点的显示器件以及制造该显示器件的方法。

本发明的示范性实施例提供一种显示器件，该显示器件包括第一基板以及在第一基板上的像素电极。像素电极的厚度为约40纳米(nm)或更小。

在示范性实施例中，像素电极的厚度可以为约30纳米。

在示范性实施例中，像素电极可以包括铟锡氧化物(ITO)。

在示范性实施例中，像素电极可以包括多个精细分支部。

在示范性实施例中，像素电极可以包括彼此分离的第一子像素电极和第二子像素电极，并且第一子像素电极和第二子像素电极可以每个包括多个精细分支部。

在示范性实施例中，显示器件还可以包括在第一基板上的数据线和栅极线。第一子像素电极可以通过第一开关元件连接到数据线和栅极线，第二子像素电极可以通过第二开关元件连接到数据线和栅极线，第二子像素电极可以通过第三开关元件连接到电容器。

在示范性实施例中，显示器件还可以包括面对第一基板的第二基板。接收公共电压的公共电极可以在第二基板上。

本发明的另一示范性实施例提供一种显示器件，该显示器件包括：基板；像素部，在基板上并包括像素电极；在基板上的接触孔；以及在接触孔中的接触部分。像素电极的厚度为约40纳米或更小，接触部分的厚度大于像素电极的厚度。

在示范性实施例中，接触部分的厚度可以比像素电极的厚度大大约10纳米或更多。

在示范性实施例中，接触部分可以包括接触构件和在接触构件上的辅助构件，接触构件可以在与像素电极相同的层，接触构件可以包括与像素电极相同的材料。

在示范性实施例中，辅助构件可以具有比接触构件高的蚀刻速度。

在示范性实施例中，辅助构件可以仅在接触孔上。

在示范性实施例中，显示器件还可以包括在基板上并传送信号到像素部的驱动器。接触孔可以在驱动器上。

在示范性实施例中，像素部还可以包括：开关元件，连接到像素电极；栅极线，连接到开关元件，并传送栅信号到开关元件；以及数据线，连接到开关元件并传送数据信号到像素电极。

在示范性实施例中，显示器件还可以包括连接到栅极线一端的栅极焊盘。接触孔可以在驱动器上。

在示范性实施例中，显示器件还可以包括连接到数据线一端的数据焊盘。接触孔可以在数据焊盘上。

本发明的另一示范性实施例提供一种显示器件，该显示器件包括：基板；像素部，在基板上并包括像素电极；以及驱动器，在基板上并传送信号到像素部。像素电极的厚度为约40纳米或更小。驱动器包括：在基板上的栅极层；在栅极层上的栅绝缘层；第一接触孔，延伸穿过栅绝缘层的厚度；数据层，在第一接触孔和栅绝缘层上并连接到栅极层；以及钝化层，与数据层重叠。

在示范性实施例中，钝化层可以包括延伸穿过钝化层的厚度并暴露数据层的第二接触孔。接触构件可以在第二接触孔中。

在示范性实施例中，像素部还可以包括在基板上的栅极线和数据线。显示器件还可以包括：连接到栅极线一端的栅极焊盘，栅绝缘层覆盖栅极焊盘；第三接触孔，延伸穿过栅绝缘层的厚度并在栅极焊盘上；连接到栅极焊盘的第二数据层，在第三接触孔中以及在栅绝缘层上，钝化层与该第二数据层重叠；以及第四接触孔，延伸穿过钝化层的厚度并与第二数据层重叠。接触构件可以在第四接触孔中。第二数据层可以在与数据线相同的层，第二数据层可以包括与数据线相同的材料，并且第二数据层可以不连接到数据线。

在示范性实施例中，接触构件可以在与像素电极相同的层，并且接触构件可以包括与像素电极相同的材料。

本发明的另一示范性实施例提供一种显示器件，该显示器件包括：基板；像素部，在基板上并包括像素电极；在基板上的接触孔；以及填充接触孔的金属层；以及连接到金属层的接触构件。像素电极的厚度为约40纳米或更小。

在示范性实施例中，接触构件可以在与像素电极相同的层，并且接触构件可以包括与像素电极相同的材料。

在示范性实施例中，显示器件还可以包括在基板上并传送信号到像素部的驱动器。接触孔可以在驱动器上。

在示范性实施例中，像素部还可以包括：连接到像素电极的开关元件；栅极线，连接到所述开关元件，并传送栅信号到开关元件；以及数据线，连接到开关元件并传送数据信号到像素电极。

在示范性实施例中，显示器件还可以包括连接到栅极线一端的栅极焊盘。接触孔可以在栅极焊盘上。

在示范性实施例中，显示器件还可以包括连接到数据线一端的数据焊盘。接触孔可以在数据焊盘上。

在示范性实施例中，开关元件可以包括：连接到栅极线的栅电极；连接到数据线的源电极；以及连接到像素电极的漏电极。接触孔可以在漏电极上。

在示范性实施例中，金属层可以通过使用无电镀方法填充接触孔。

本发明的另一示范性实施例提供一种用于制造显示器件的方法，该方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；形成延伸穿过绝缘层的厚度的接触孔，其暴露所述第一导电层；在绝缘层上和接触孔中形成透明层；在透明层上形成第二导电层；通过一个蚀刻操作形成重叠接触孔的接触构件并形成像素电极。像素电极由透明层和第二导电层形成，接触构件由透明层和第二导电层形成。该方法还包括通过局部蚀刻去除像素电极的第二导电层。

在示范性实施例中，像素电极的厚度可以为约40纳米或更小。

根据本发明的示范性实施例，可以通过减小显示器件的像素电极的厚度来增大显示器件的透射率。

附图说明

通过参照附图更详细地描述本公开的示范性实施例，本公开的以下和其它的方面、优点和特征将变得明显，在附图中：

图1是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的示范性实施例的结构；

图2是曲线图，示出透射率随像素电极的厚度变化的示范性实施例；

图3是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构；

图4至图7示出图3的显示器件的制造方法的示范性实施例；

图8是截面图，示意地示出根据本发明的图3的显示器件的修改示范性实施例的结构；

图9是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构；

图10是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构；

图11示出根据本发明显示器件的另一示范性实施例的结构；

图12是在图11中示出的栅驱动器的示范性实施例的一部分的截面图；

图13是平面图，示出当图11中示出的显示器件为液晶显示器时该液晶显示器的像素电极的示范性实施例；

图14是沿图13的线XIV-XIV截取的截面图；以及

图15是沿图13的线XV-XV’和XV’-XV”截取的截面图。

具体实施方式

在下文将参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示范性实施例。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以各种不同的方式修改，所有修改都不脱离本发明的精神或范围。

在附图中，为了清晰，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的元件。

将理解，当元件诸如层、膜、区域或基板被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

将理解，虽然这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区别开。因而，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本发明的教导。

为便于描述这里可以使用空间相对性术语(例如，“在...下面”、“下”、“在...之上”、“上”等)来描述如附图所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征之间的关系。将理解，空间相对性术语旨在涵盖除附图所示取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转过来，相对于其它元件或特征被描述为“在......下”或“在......下面”的元件则可以取向为相对于另一元件或特征“在......上″。因此，示范性术语“在...下面”能够涵盖之上以及之下两种取向。器件可以采取其他取向(旋转90度或在其他取向)，这里所用的空间相对性描述符做相应地解释。

这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并非要限制本发明。如这里使用的，除非上下文另有明确表述，否则单数形式“一”、“一个”和“该”均旨在包括复数形式。将进一步理解的是，术语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指定了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。

这里参照截面图描述了本发明的实施例，这些截面图是本发明的理想化的实施例(和中间结构)的示意图。因此，由于例如制造技术和/或公差引起的图示形状的偏离是可以预期的。因而，本发明的实施例不应被解释为限于这里示出的区域的特定形状，而是包括例如由制造引起的形状的偏离。

除非另行定义，此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有本发明所属领域内的普通技术人员所通常理解的同样的含义。将进一步理解的是，诸如通用词典中所定义的术语，除非此处加以明确定义，否则应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化的或过度形式化的意义。

这里描述的所有方法都能以适当的顺序被执行，除非这里另外地陈述或另外地通过上下文明显矛盾。任何和所有示例、或示例性语言(例如，“诸如”)的使用仅意在更好地示出本发明，而不对本发明的范围施加限制，除非另外地要求。说明书中的语言都不应被解释为表示任何没有被要求的元件如这里使用的对于本发明的实践所必需。

在下文，将参照附图详细地描述本发明。

图1是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的示范性实施例的结构。

参照图1，显示器件包括基板10以及在基板10上的第一导电层20、第一绝缘层30、第二导电层40、第二绝缘层50和透明层60。在一个示范性实施例中，例如，第一导电层20可以是用于栅线或栅电极的栅极层，第二导电层40可以是数据线以及用于源电极和漏电极的数据层。

为了便于描述，虽然示出了其中两个导电层20和40以及两个绝缘层30和50在基板10上的情形，但是这并不限制包括在显示器件中的导电层的数目和绝缘层的数目。此外，除导电层之外，其它层诸如半导体层(未示出)可以在基板10上。

如上所述，显示器件具有多层结构。为了在显示器件的多层结构中形成多个开关元件和多条信号线，不同层的导电层可以彼此物理地和/或电连接，或者导电层可以连接到显示器件的多层结构的外部。图1中的区域A、B、C和D示意性地示出接触孔和接触部分使不同层的导电层彼此连接或将导电层连接到显示器件外部的情形。

第一导电层20包括A区域中第一导电的第一子层21以及与A区域直接相邻的B区域中的第一导电的第二子层22。第二导电层40包括A区域中第二导电的第一子层41、与B区域直接相邻的C区域中的第二导电的第二子层43、以及与C区域直接相邻的D区域中的第二导电的第三子层44。

在不同区域中的第一导电的子层21和22可以彼此连接或可以彼此不连接。在不同区域中的第二导电的子层41、43和44可以彼此连接或可以彼此不连接。

基板10上的第一导电层20和第二导电层40可以连接到显示器件外部，或者在多层结构的不同层上的第一导电层20和第二导电层40可以彼此连接。为了该连接，接触孔C1、C2、C3、C4和C5是第一和第二导电层20和40的暴露部分，并且透明层60包括第一至第四接触构件61、62、63和64。接触孔C1、C2、C3、C4和C5完全地延伸穿过分别重叠第一导电层20和第二导电层40的第一绝缘层30和第二绝缘层50的厚度，以暴露第一和第二导电层20和40的部分。在第一和第二绝缘层30和50的每一个限定接触孔C1、C2、C3、C4和C5的一部分的情形下，第一和第二绝缘层30和50中的相应的接触孔彼此对准以形成接触孔C1、C2、C3、C4和C5。

透明层60包括分别在A至C区域中的第一至第三接触构件61、62和63，以及在D区域中作为第四接触构件的像素电极64。像素电极64包括接触第二导电的第三子层44的第四接触第一子构件64a、以及除第四接触第一子构件64a之外的第四接触第二子构件64b。第一至第四接触构件61至64每个可以是单个一体的不可分的构件，使得它们如上所述地连续延伸。

透明层60可以包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。ITO可以是非晶ITO(a-ITO)。

在A区域中，第一导电的第一子层21和第二导电的第一子层41彼此电连接。接触孔C1和C2暴露部分的导电子层21和41，并且第一接触构件61从接触孔C1连续延伸到接触孔C2，使得第一接触构件61覆盖(例如，接触并重叠)该多层结构在接触孔C1和C2中的暴露表面。第一接触构件61可以是单个一体不可分的构件，使得其如上所述地连续延伸。

在B区域的情形下，第一导电的第二子层22可以连接到显示器件外。接触孔C3暴露部分第一导电的第二子层22。第二接触构件62延伸以覆盖(例如，接触并重叠)该多层结构在接触孔C3中的暴露表面。

在C区域的情形下，第二导电的第二子层43可以连接到显示器件外。接触孔C4暴露部分第二导电的第二子层43。第三接触构件63延伸以覆盖(例如，接触并重叠)该多层结构在接触孔C4中的暴露表面。

在D区域的情形下，第二导电的第三子层44电连接到像素电极64。接触孔C5暴露部分第二导电的第三子层44。像素电极64延伸以覆盖(例如，接触并重叠)该多层结构在接触孔C5中的暴露表面。

在该多层结构内的不同层的膜可以包括不同的材料，使得不同层的膜可以具有不同的折射率。在其中耗散干涉(dissipationinterference)通过在具有不同折射率的层的界面处产生的反射光而发生的情形下，可以使透射率最大化。因此，通过控制层的厚度可以使透射率最大化。然而，具有能够被控制的厚度的层限于包括像素电极64的透明层60。

图2是曲线图，示出以百分比(％)为单位的透射率关于以纳米(nm)为单位的像素电极的厚度的示范性实施例。

参照图2，如果像素电极的厚度减小，则透射率提高。在像素电极的厚度为约30nm的情形下，透射率被提高2％至4％。因此，可以通过将像素电极的厚度形成为约40nm或更小来提高显示器件的透射率。

参照图1，为了减小像素电极64的厚度，需要减小透明层60的厚度。

然而，透明层60还用作第一至第四接触构件61、62、63和64a。在透明层60的厚度减小的情形下，会出现透明层60在接触孔C1、C2、C3、C4和C5中断裂的问题。与透明层60的厚度相比，在接触孔C1、C2、C3、C4和C5的深度非常大和/或接触孔C1、C2、C3、C4和C5的侧壁的倾度非常陡的情形下，透明层60可能在接触孔C1、C2、C3、C4和C5中断开。在透明层60在接触孔C1、C2、C3、C4和C5中断开的情形下，第一和第二导电层20和40与显示器件外部之间的连接或者第一和第二导电层20和40自身之间的连接会断开，使得显示器件内的信号传送存在问题。这会导致显示器件的可靠性中的缺陷的问题。

在下文，将描述用于在减小像素电极的厚度的同时解决导电层之间的连接缺陷问题的方法。

像素电极、接触孔和接触孔中的接触部分在基板上。接触部分的厚度可以与像素电极的厚度不同。厚度是垂直于基板取得。也就是说，接触部分的厚度可以增加而像素电极的厚度可以减小，二者彼此无关。像素电极的厚度可以为约40nm或更小，接触部分的厚度可以为约40nm或更大。在一个示范性实施例中，接触部分的厚度可以比像素电极的厚度大大约10nm或更多。

由此结构，通过减小像素电极的厚度并增大接触部分的厚度，可以最大化显示器件内的透射率并且可以解决在接触孔中产生的连接缺陷问题。

图3至图8示出根据本发明的具有比像素电极大的厚度的接触部分的结构的示范性实施例。

图3是截面图，示意性地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构。

参照图3，显示器件包括在接触孔中的第一透明层60和第三导电层70。

第一透明层60包括分别在A至C区域中的第一至第三接触构件61、62和63，以及在D区域中的像素电极64。第四接触构件64包括接触第二导电的第三子层44的第四接触第一子构件64a、以及除第四接触第一子构件64a之外的第四接触第二子构件64b。

第三导电层70包括分别在A至D区域中的第一至第四辅助构件71、72、73和74。在A区域中，第一辅助构件71从接触孔C1连续延伸到接触孔C2，使得第一辅助构件71重叠一部分第一接触构件61。在B和C区域中，第二辅助构件72和第三辅助构件73分别重叠第二接触构件62在接触孔C3中的部分和第三接触构件63在接触孔C4中的部分。第一至第四辅助构件71至74每个可以是单个一体的不可分的构件，使得它们如上所述地连续延伸。

在D区域中，第四辅助构件74仅重叠第四接触第一子构件64a。除了第三导电层70之外，图3中的结构与图1的显示器件基本相同，将省略重复的描述。

在第四接触第二子构件64b的区域中的第二绝缘层50上的层的第一厚度只由第四接触第二子构件64b的厚度限定。在第四接触第一子构件64a区域中的第二绝缘层50上的层的第二厚度由第四接触第一子构件64a的厚度和第四辅助构件74的厚度的总和限定。

在示范性实施例中的显示器件的最终像素电极只由第四接触第二子构件64b限定，而不包括第四接触第一子构件64a。因此，最终的像素电极的厚度分别小于第一至第四接触构件61-64a和第一至第四辅助构件71至74的总厚度。通过减小最终的像素电极的厚度并保持其它接触构件的较大厚度，显示器件内的透射率可以被最大化并且可以解决在接触孔中产生的连接缺陷问题。

图4至图7示出图3的显示器件的制造方法的示范性实施例。

参照图4，第一导电层20形成在基板10上，第一绝缘层30层叠在其上。第二导电层40形成在第一绝缘层30上，第二绝缘层50层叠在其上。接触孔C1、C2、C3、C4和C5分别延伸穿过第一和第二绝缘层30和50的厚度而形成，并暴露部分第一和第二导电层20和40。接触孔C1、C2、C3、C4和C5可以通过光刻和蚀刻工艺形成。

在A区域中，接触孔C1形成为暴露部分第一导电的第一子层21，接触孔C2形成为暴露部分第二导电的第一子层41。

在B区域的情形下，接触孔C3形成为暴露部分第一导电的第二子层22。

在C和D区域的情形下，接触孔C4和C5形成为分别暴露部分第二导电的第二子层43和部分第二导电的第三子层44。

参照图5，第一透明层60和第三导电层70形成在第二绝缘层50上，诸如分别通过溅射形成的透明材料和导电材料。

参照图6，光致抗蚀剂(PR)层形成在第三导电层70上，并且PR图案80通过由掩模1移除一部分PR层而形成。

在PR为正性的情形下，掩模1包括允许光穿过的完全透射部1a、完全阻挡光的光阻挡部1b以及允许部分光穿过的半透射部1c。半透射部1c可以是半色调图案(halftonepattern)或狭缝图案。

在A、B和C区域的情形下，掩模1可以包括完全透射部1a和光阻挡部1b，并且可以形成PR图案PR1、PR2和PR3。

在D区域的情形下，掩模1可以包括完全透射部1a、光阻挡部1b和半透射部1c，并且可以形成PR图案PR4。PR图案PR4可以包括第一PR子图案PRa和比第一PR子图案PRa薄的第二PR子图案PRb。第一PR子图案PRa可以对应于光阻挡部1b，第二PR子图案PRb可以对应于半透射部1c。

参照图7，第一透明层60和和第三导电层70使用PR图案来蚀刻。在没有PR图案的部分中，第一透明层60和第三导电层70在一个蚀刻操作中被蚀刻。这被称为蚀刻/回蚀(etch/back，“E/B”)工艺。

PR图案PR1、PR2、PR3和PR4分别填充其中具有第一透明层60和第三导电层70的接触孔C1、C2、C3、C4和C5。PR图案的上表面比第三导电层70的上表面延伸得更高。

在D区域的情形下，PR图案PR4通过去除图6的一部分第一PR子图案PRa而形成，并且第三导电层70通过完全移除第二PR子图案PRb而暴露。

在第一透明层60和第三导电层70中，第三导电层70根据PR图案被选择性地蚀刻以形成第一至第四辅助构件71至74。这被称为选择性蚀刻工艺。

在D区域的情形下，第四接触子构件64b(作为最终的像素电极)通过进一步移除一部分第三导电层70以最终形成第四辅助构件74而暴露。在接触孔C1、C2、C3、C4和C5中，第三导电层70形成在第一透明层60上并重叠第一透明层60。

第一透明层60和第三导电层70可以由不同的材料形成，使得可以进行选择性蚀刻。在一个示范性实施例中，第一透明层60可以由ITO形成，第三导电层70可以由IZO形成。作为另一示范性实施例，第一透明层60可以由ITO形成，第三导电层70可以由金属层形成。

在第一透明层60由ITO形成并且第三导电层70由IZO形成的情形下，兆声波搅拌模(megasonic-agitatedmodule，“MAM”)集成的蚀刻剂可以用作蚀刻剂。在使用MAM集成的蚀刻剂的情形下，第三导电层70的蚀刻速度与第一透明层60的蚀刻速度的比例可以为约8∶1或更高。

在使用MAM集成的蚀刻剂并且操作温度为约40摄氏度(℃)的情形下，在以下的表格中描述IZO层的蚀刻速度和ITO层的蚀刻速度。

[表1]

IZO	ITO
		14.7nm/min	1.8-2.3nm/min

如上所述，通过形成包括分别重叠第一至第四辅助构件71、72、73和74的第一至第四接触构件61、62、63和64a的双层并且形成仅包括单层的第四接触第二子层64b的最终像素电极，最终的像素电极的厚度可以与最终的接触部分的厚度不同。

由此，通过减小最终的像素电极的厚度同时保持其它接触部分的较大厚度，透射率可以被最大化并且在接触孔C1、C2、C3、C4和C5中产生的连接缺陷问题可以被解决。然而，会增加双层溅射工艺、E/B工艺以及选择性蚀刻工艺。

在示范性实施例中，图3的显示器件的结构可以通过印刷方法形成。在该情形下，第一透明层60可以通过溅射工艺形成在第二绝缘层50上。第三导电层70可以通过印刷方法仅形成在接触孔上。通过光刻工艺和蚀刻工艺，双层形成在接触孔中的第二绝缘层50上，仅包括第四接触第二子构件64b的最终像素电极可以由直接在第二绝缘层50上的第一透明层60形成。在该情形下，在光刻工艺中，不必使用包括半色调图案或狭缝图案的掩模。蚀刻工艺可以在一个操作中进行而不用选择性蚀刻。

此外，第一透明层60和第三导电层70可以通过印刷方法形成。

图8是截面图，示意性地示出图3的显示器件的修改示范性实施例的结构。

参照图8、显示器件的A、B和C区域包括由分别重叠第一至第三辅助构件71、72和73的第一至第三接触构件61、62和63形成的接触构件。与图3不同，在D区域中，仅像素电极64直接在第二绝缘层50上。像素电极64包括第四接触第一子层64a和第四接触第二子层64b二者。第三导电层70的第一至第三辅助构件71、72和73可以仅在A、B、C区域中，而不在D区域中，诸如通过使用印刷方法。

图9是截面图，示意性地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构。

参照图9，在A区域中，第一导电的第一子层21直接连接到第二导电的第一子层41。在B区域中，第一导电的第二子层22直接连接到第二导电的第二子层42，并且第二导电的第二子层42连接到第二接触构件62。C和D区域与图1的C和D区域相同。

在示范性实施例中，A区域可以通过以下步骤形成。

第一导电的第一子层21形成在基板10上，并且第一绝缘层30形成在第一导电的第一子层21上。单个接触孔形成为暴露第一导电的第一子层21。该单个接触孔没有延伸穿过第二绝缘层50的厚度。第二导电的第一子层41形成为填充该单个接触孔并且形成为接触暴露的第一导电的第一子层21。第二绝缘层50形成在第二导电的第一子层41上。由于第一导电的第一子层21和第二导电的第一子层41彼此直接连接，所以与图1不同，单个接触孔形成为暴露第一导电的第一子层21，不必使用第一接触构件61。

因此，在A区域中，即使包括第四接触第一子层64a和第四接触第二子层64b二者的像素电极64的厚度减小，也不产生接触构件的连接缺陷问题。

在示范性实施例中，B区域可以通过以下步骤形成。

第一导电的第二子层22形成在基板10上，并且第一绝缘层30形成在第一导电的第二子层22上。单个接触孔形成为暴露第一导电的第二子层22。单个接触孔没有延伸穿过第二绝缘层50的厚度。第二导电的第二子层42形成为填充该单个接触孔并接触暴露的第一导电的第二子层22。第二绝缘层50形成在第二导电的第二子层42上。单个接触孔形成为暴露第二导电的第二子层42的表面，并且第二接触构件62形成为填充该单个接触孔。与图1不同，第一导电的第二子层22可以直接通过第二导电的第二子层42和第二接触构件62而连接到显示器件外部。

当B区域的第二导电的第二子层42将第一导电的第二子层22连接到显示器件外部时，第二导电的第二子层42可以仅被插入单个接触孔中，从而减小接触孔的深度。在该情形下，B区域的第二导电的第二子层42可以不连接到其它区域A、C和D的其它第二导电的子层41、43和44。

如上所述，通过不形成延伸穿过第二绝缘层50的厚度以暴露第一导电层20的接触孔，可以减小单个接触孔的深度。因此，在D区域中，即使像素电极64的厚度减小，也可以防止接触构件的连接缺陷问题。

图10是截面图，示意性地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构。

参照图10，接触孔C1、C2、C3、C4和C5用包括第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5的金属层90填充。在示范性实施例中，第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5可以通过使用无电镀方法形成。第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5可以包括金属材料诸如Ni、Co、Cu、Zn、Ag、Pt和Pd。

第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5可以完全填满接触孔C1、C2、C3、C4和C5，使得第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5的上表面与第二绝缘层50的上表面共平面。替代地，第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5的上表面可以比第二绝缘层50的上表面高或低。当第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5完全地填满接触孔C1、C2、C3、C4和C5时，第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5在第一和第二导电层20和40与第一透明层60之间。

形成接触孔C1、C2、C3、C4和C5的侧壁的第二绝缘层50的侧表面相对于基板10的平坦表面成锥形。然而，本发明不限于此。替代地，第二绝缘层50的形成接触孔C1、C2、C3、C4和C5侧壁的侧表面可以不相对于基板10的平坦表面成锥形或者几乎相对于基板10的平坦表面竖直(例如，垂直)。

透明层60在第二绝缘层50上，使得透明层60接触第二绝缘层50的上表面。透明层60通过金属层90电连接到第一和第二导电层20和40。

如上所述，即使透明层60的厚度减小，也可以通过用第一至第五金属子层M1、M2、M3、M4和M5填充接触孔C1、C2、C3、C4和C5来防止接触孔中的接触构件61、62、63和64的连接缺陷问题。

图11示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构。

参照图11，显示器件包括：显示面板300和连接到该显示面板300的栅驱动器400、数据驱动器500以及用于控制显示面板300、栅驱动器400和数据驱动器500的信号控制器600。

当在平面图中观看时，显示面板300包括：多条信号线G1-Gn和D1-Dm；以及多个像素PX，连接到多条信号线G1-Gn和D1-Dm并布置成大致矩阵形式。

信号线G1-Gn和D1-Dm包括传送栅信号(被称为“扫描信号”)的多条栅极线G1-Gn以及传送数据信号的数据线D1-Dm。

每个像素PX包括连接到信号线G1-Gn和D1-Dm的开关元件(未示出)。

栅驱动器400连接到栅极线G1-Gn，并施加由栅导通电压Von和栅截止电压Voff的组合形成的栅信号到栅极线G1-Gn。栅驱动器400实质上是移位寄存器，包括连接到栅极线G1-Gn的多个级(stage)，并且在与像素PX的开关元件相同的工艺期间形成，使得栅驱动器400可以集成在显示面板300的边缘处。

数据驱动器500连接到显示面板300的数据线D1-Dm，并施加数据信号到数据线D1-Dm。

信号控制器600控制栅驱动器400和数据驱动器500。

数据驱动器500和信号控制器600可以以集成电路(IC)芯片的形式直接安装在显示面板300上、通过安装在柔性印刷电路膜(未示出)上以带载式封装(TCP)形式附接到显示面板300、或者安装在分离的印刷电路板(PCB)(未示出)上。替代地，像栅驱动器400一样，数据驱动器500和信号控制器600可以与信号线G1-Gn和D1-Dm以及开关元件一起集成在显示面板300上。

然后，将描述显示器件的操作。

信号控制器600接收来自外部图形控制器(未示出)的输入图像信号Din、以及用于控制输入图像信号Din的显示的输入控制信号。输入控制信号可以包括但不限于垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK以及数据使能信号DE。

信号控制器600在显示面板300的操作条件下根据输入控制信号适当地处理输入图像信号Din。在栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2被信号控制器600产生之后，栅极控制信号CONT1被传输到栅驱动器400，数据控制信号CONT2和已处理的图像信号DAT被传输到数据驱动器500。

栅极控制信号CONT1包括表示扫描开始的扫描起始信号STV以及控制栅导通电压Von的输出周期的至少一个时钟信号。栅极控制信号CONT1还可以包括限制栅导通电压Von的保持时间的输出使能信号OE。

数据控制信号CONT2包括表示关于一行像素PX的图像数据的传输开始的水平同步起始信号STH、以及施加数据信号到数据线D1-Dm的负载信号LOAD和数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还可以包括使数据信号相对于公共电压Vcom的电压极性(在下文，被称为‘数据信号的极性’)反转的反转信号(inversionsignal)RVS。

根据来自信号控制器600的数据控制信号CONT2，数据驱动器500关于一行像素PX接收数字图像信号DAT、选择对应于每个数字图像信号DAT的灰度电压、将数字图像信号DAT转换成模拟数据信号以及施加转换后的模拟数据信号到相应的数据线D1-Dm。

栅驱动器400施加栅导通电压Von到栅极线G1-Gn，并根据来自信号控制器600的栅极控制信号CONT1导通连接到栅极线G1-Gn的开关元件。然后，施加到数据线D1-Dm的数据信号通过导通的开关元件被施加到相应的像素PX。

通过在一个水平周期(1H)中重复该处理，其中所述一个水平周期(“1H”)与水平同步信号Hsync和数据使能信号DE作为一个单元的一个周期相同，一个帧的图像通过顺序地施加栅导通电压Von到所有的栅极线G1-Gn以及施加数据信号到所有的像素PX而由显示面板300显示。

如果一个帧结束，则开始下一个帧，并且控制施加到数据驱动器500的反转信号RVS的状态(帧反转(frameinversion))使得施加到每个像素PX的数据信号的极性与前一帧的极性相反。在该情形下，根据一个帧中反转信号RVS的特性，流过一条数据线的数据信号的极性改变(例如，行反转、点反转)，或者施加到一个像素行的数据信号的极性可以彼此不同(例如，列反转、点反转)。

图12是在图11中示出的栅驱动器的示范性实施例的一部分的截面图。

参照图12，栅极层120在绝缘基板110上。绝缘基板110可以包括透明玻璃或塑料。栅极层120可以包括在栅驱动器400中的多个晶体管的一个侧端子。

栅绝缘层140在栅极层120上。数据层170在栅绝缘层140上。栅极层120可以包括栅驱动器的多个晶体管的至少一个端子。

在示范性实施例中，例如，栅极层120是第一晶体管的栅电极，数据层170是第二晶体管的源电极或漏电极。第一晶体管和第二晶体管可以是不同的晶体管。

钝化层180在数据层170上。为了将栅极层120和数据层170彼此连接，接触孔完全地延伸穿过在栅极层120和数据层170上的钝化层180的厚度，接触构件81在接触孔中以从栅极层120延伸到数据层170。接触构件81在与像素电极相同的层中，并可以包括与像素电极相同的材料。接触构件81的厚度可以为约40nm或更小。辅助构件91在接触构件81上并重叠接触构件81。

图12的结构对应于图3的A区域的结构。图12示出其中双层在接触孔中的图3的示范性实施例在栅驱动器中的应用，但是本发明不限于此，可以应用本发明的另一示范性实施例。在栅极层120和数据层170通过应用图9的示范性实施例而直接接触的情形下，不必使用较大深度的接触孔和接触构件。此外，金属层可以被填充在栅极层120上的接触孔中以及数据层170上的接触孔中，接触构件可以通过应用图10的示范性实施例而接着在其上。

图13是平面图，示出当在图11中示出的显示器件是液晶显示器时液晶显示器的像素电极的示范性实施例；图14是沿图13的线XIV-XIV截取的截面图；图15是沿线XV-XV’和XV’-XV”截取的截面图。

参照图13和图14，液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200、以及插置在两个显示面板100和200之间的液晶层3。偏振器(未示出)可以提供在面板100和200的外表面上。

首先，将描述上面板200。

公共电极270在上绝缘基板210上。公共电极270可以包括透明导体诸如ITO、IZO或金属。配向层(未示出)可以在公共电极270上。

插置在下面板100和上面板200之间的液晶层3包括具有负介电各向异性的液晶分子，液晶分子可以被配向为使得在没有电场的状态下其长轴相对于两个面板100和200的表面垂直。

接着，将描述下面板100。

包括多条栅极线121、多条电压降栅极线123和多条存储电极线125的多个栅导体在下绝缘基板110上。

栅极线121和电压降栅极线123大部分在水平(例如，横向)方向上延伸并传送栅信号。栅极线121包括在平面图中分别向上和向下突出的第一栅电极124h和第二栅电极124I。电压降栅极线123包括在平面图中向上突出的第三栅电极124c。第一栅电极124h和第二栅电极124I彼此连接以形成一个整体的突出部分。

存储电极线125大部分在水平方向上延伸并传送预定电压诸如公共电压Vcom。存储电极线125包括在平面图中向上和向下突出的存储电极129、相对于栅极线121向下竖直地(例如，纵向地)延伸的一对竖直部分128、以及将一对竖直部分128的端部彼此连接的水平部分127。水平部分127包括向下延伸的电容电极126。

栅绝缘层140在栅导体121、123和125上。

多个半导体条在栅绝缘层140上。半导体条可以包括非晶硅或晶体硅等。半导体条大部分在竖直方向上延伸，并包括分别朝向第一栅电极124h和第二栅电极124I延伸且彼此连接的第一半导体154h和第二半导体154I、以及连接到第二半导体154I的第三半导体154c。第三半导体154c延伸以形成第四半导体157。

多个欧姆接触条(未示出)在半导体条上，第一欧姆接触(未示出)在第一半导体154h上，第二欧姆接触164b和第三欧姆接触(未示出)分别在第二半导体154I和第三半导体154c上。欧姆接触条包括：与第一欧姆接触岛一起形成一对且设置在半导体的第一突出部分上的第一突出部分(未示出)；与第二欧姆接触岛一起形成一对并且设置在半导体的第二突出部分上的第二突出部分(未示出)；以及与第三欧姆接触岛一起形成一对并且设置在半导体的第三突出部分上的第三突出部分(未示出)。第三欧姆接触延伸以形成第四欧姆接触167。

包括多条数据线171、多个第一漏电极175h、多个第二漏电极175I和多个第三漏电极175c的数据导体在欧姆接触164b和167上。

数据线171传送数据信号并且主要地在竖直方向上延伸，并且交叉栅极线121和电压降栅极线123。每条数据线171包括分别朝向第一栅电极124h和第二栅电极124I延伸的第一源电极173h和第二源电极173I。

第一漏电极175h、第二漏电极1751和第三漏电极175c包括在平面图中宽的第一端部以及另一杆状的第二端部。第一漏电极175h和第二漏电极175I的杆状的第二端部在平面图中被第一源电极173h和第二源电极173I部分地围绕。第二漏电极1751的宽的第一端部进一步延伸以形成U状的第三源电极173c。第三漏电极175c的宽的端部177c重叠电容电极126以形成电压降电容器Cstd，杆状的第二端部被第三源电极173c部分地围绕。

第一、第二和第三栅电极124h、124I和124c、第一、第二和第三源电极173h、173I和173c、第一、第二和第三漏电极175h、175I和175c以及半导体岛154h、154I和154c在一起分别形成第一、第二和第三薄膜晶体管Qh、QI和Qc。薄膜晶体管的沟道形成在每个源电极173h、173I和173c与每个漏电极175h、175I和175c之间的每个半导体154h、154I和154c中。

包括半导体154h、1541和154c的半导体条具有与数据导体171、175h、175I和175c以及其下(例如，重叠的)的欧姆接触164I和167基本相同的平的(例如，平坦的)表面形状，除了分别在源电极173h、1731和173c与漏电极175h、1751和175c之间的沟道区之外。也就是说，在包括半导体154h、1541和154c的半导体条中，在源电极173h、1731和173c与漏电极175h、1751和175c之间存在定义相应的沟道区的空间，并且一部分半导体条不被数据导体171、175h、175I和175c覆盖。

包括无机绝缘体诸如硅氮化物或硅氧化物的下钝化层180p在数据导体171、175h、175I、175c以及半导体154h、154I和154c的暴露部分上。

滤色器230在下钝化层180p上。滤色器230在显示器件的除了其中设置第一薄膜晶体管Qh、第二薄膜晶体管QI和第三薄膜晶体管质量Qc的区域之外的大部分区域中。然而，滤色器230可以沿彼此相邻的数据线171之间的空间在竖直方向上纵向地延伸。每个滤色器230可以显示红色、绿色和蓝色的三原色中的任一种。

光阻挡构件220重叠其中未设置滤色器230的区域，并且重叠一部分滤色器230。光阻挡构件220可以被称为黑矩阵，并减少或有效地防止光泄露。光阻挡构件220沿(例如，平行于)栅极线121和电压降栅极线123延伸以向上和向下伸展，并包括沿第一光阻挡构件220a和数据线171延伸的第二光阻挡构件220b，其中该第二光阻挡构件220b覆盖其中设置第一薄膜晶体管Qh、第二薄膜晶体管QI和第三薄膜晶体管Qc的区域。

上钝化层180q在滤色器230和光阻挡构件220上。上钝化层180q减少或有效防止滤色器230和光阻挡构件220的剥落，抑制液晶层3被从滤色器230流出的有机材料溶剂污染，从而减少或有效防止可能在图像被驱动时发生的缺陷诸如余象。

多个第一接触孔185h和多个第二接触孔185I延伸穿过下钝化层180p、光阻挡构件220和上钝化层180q的厚度。多个第一接触孔185h和多个第二接触孔1851暴露第一漏电极175h的宽端部以及第二漏电极175I的宽端部。

多个像素电极191在上钝化层180q上。

每个像素电极191包括彼此分离的第一子像素电极191h和第二子像素电极191I，其中两条栅极线121和123设置在其间。第一子像素电极191h和第二子像素电极1911关于栅极线121和123的中心在像素区域的上方和下方，以在平面图中在列(例如，竖直)方向上彼此相邻。

第一子像素电极191h和第二子像素电极191I包括围绕其周边的周边主干部分。周边主干部分的竖直部分平行于数据线171延伸，并且可以减少或有效地防止数据线171与第一子像素电极191h之间的电容耦合以及数据线171与第二子像素电极191I之间的电容耦合。

第一子像素电极191h和第二子像素电极1911分别通过第一接触孔185h和第二接触孔185I从第一漏电极175h和第二漏电极175I接收数据电压。施加数据电压到其的第一子像素电极191h和第二子像素电极1911与上面板200的公共电极270一起产生电场，以确定两个电极191和270之间的液晶层3的液晶分子的方向。如上所述，根据液晶分子的确定方向，穿过液晶层3的光的亮度改变。

如图13所示，在像素电极包括多个精细分支部的情形下，会由于在像素电极边缘处的散射而发生周期性图案的彩虹斑点(rainbowstain)。在像素电极的厚度减小的情形下，可以减少在像素电极的边缘发生的散射并可以减少彩虹斑点。

参照图14，第二半导体154I在栅绝缘层140上，第二欧姆接触164b在第二半导体154I上。第二漏电极175I在第二欧姆接触164b上。第二接触孔185I延伸穿过下钝化层180p、光阻挡构件220和上钝化层180q的厚度，以暴露一部分第二漏电极175I。第二子像素电极191I是在第二接触孔185I上的接触构件。辅助构件92是在第二子像素电极191I上的接触构件。

第一和第二子像素电极191I和191h的厚度可以为约40nm或更小。即使第一和第二子像素电极191I和191h的厚度减小，由于辅助构件92在接触孔185I上和之中，也可以减少或有效防止连接缺陷。

图14的结构对应于图3的D区域的结构。图14示出图3的示范性实施例的应用，其中双层在接触孔中重叠漏电极，但是除此之外，也可以应用本发明的另一示范性实施例。金属层可以填充在重叠第二漏电极175I的第二接触孔185I中，第一和第二子像素电极191I和191h可以在其上，如图10的区域D所示。

参照图15，栅极线121直接在下基板110上。栅绝缘层140在栅极线121上。数据线171在栅绝缘层140上。钝化层180在数据线171上。

在显示器件的栅极焊盘的情形下，接触孔延伸穿过栅绝缘层140和钝化层180的厚度，并暴露一部分栅极线121。接触构件81a和辅助构件91a在接触孔中并填充该接触孔。

在显示器件的数据焊盘的情形下，接触孔延伸穿过钝化层180的厚度并暴露一部分数据线171。接触构件81b和辅助构件91b在接触孔中并填充该接触孔。

接触构件81a和81b在与像素电极191h和191I相同的层中，接触构件81a和81b可以包括与像素电极191h和191I相同的材料。

图15的栅极焊盘的结构对应于图3的B区域的结构，数据焊盘的结构对应于图3的C区域的结构。图15示出图3的示范性实施例的应用，其中双层在接触孔中，但是除此之外，也可以应用本发明的另一示范性实施例。金属层可以填充在接触孔中，接触构件81a和81b可以在其上，如图10的区域B和C所示。

如上所述，可以通过减小显示器件的像素电极的厚度来增加显示器件的透射率。

在像素电极包括多个精细分支部的情形下，通过减小像素电极的厚度，可以减少在像素电极的边缘处产生的散射，从而可以减少彩虹斑点。

通过减小像素电极的厚度，能够解决在不同导电层之间的连接缺陷问题。

本发明的示范性实施例的不同特征可以应用于不同结构的显示器件和各种驱动器。

尽管已经结合目前被认为是实际的示范性实施例描述了本发明，但是将理解，本发明不限于所公开的实施例，而是，相反地，本发明意在覆盖在权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。

Claims (28)

1.一种显示器件，包括：

第一基板；

像素部，设置在所述第一基板上；以及

驱动器，设置在所述第一基板的边缘部分上，其中所述驱动器传送信号至所述像素部，

其中所述像素部包括：

在所述第一基板上的开关元件；

绝缘层，设置在所述开关元件上并具有暴露所述开关元件的一部分的第一接触孔；以及

像素电极，设置在所述绝缘层上并且通过所述第一接触孔连接到所述开关元件的暴露部分，

其中所述驱动器包括：

在所述第一基板上的导电层；

所述绝缘层，设置在所述导电层上并且还具有暴露所述导电层的一部分的第二接触孔；

接触构件，设置在所述绝缘层上并且通过所述第二接触孔连接到所述导电层；以及

第一辅助构件，设置在所述接触构件上并且重叠所述第二接触孔，

其中所述像素电极的厚度为40纳米或更小。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其中：

所述像素电极的厚度为30纳米或更小。

3.根据权利要求2所述的显示器件，其中：

所述像素电极包括铟锡氧化物。

4.根据权利要求3所述的显示器件，其中：

所述像素电极包括多个精细分支部。

5.根据权利要求4所述的显示器件，其中：

所述像素电极包括彼此分离的第一子像素电极和第二子像素电极，并且

所述第一子像素电极和所述第二子像素电极每个均包括多个精细分支部。

6.根据权利要求5所述的显示器件，还包括：

在所述第一基板上的数据线和栅极线，

其中

所述第一子像素电极通过第一开关元件连接到所述数据线和所述栅极线，

所述第二子像素电极通过第二开关元件连接到所述数据线和所述栅极线，以及

所述第二子像素电极通过第三开关元件连接到电容器。

7.根据权利要求1所述的显示器件，还包括：

面对所述第一基板的第二基板，以及

公共电极，接收公共电压并且在所述第二基板上。

8.根据权利要求1所述的显示器件，其中

接触部分包括二者均设置在所述第二接触孔中的所述接触构件和所述第一辅助构件，以及

所述接触部分的厚度比所述像素电极的厚度大。

9.根据权利要求8所述的显示器件，其中：

所述接触部分的厚度比所述像素电极的厚度大10纳米或更多。

10.根据权利要求8所述的显示器件，其中：

所述接触构件在与所述像素电极相同的层中，以及

所述接触构件包括与所述像素电极相同的材料。

11.根据权利要求10所述的显示器件，其中：

所述第一辅助构件具有比所述接触构件高的蚀刻速度。

12.根据权利要求10所述的显示器件，其中：

所述第一辅助构件仅设置在所述第二接触孔上。

13.根据权利要求1所述的显示器件，还包括：

第二辅助构件，设置在所述像素电极上并且交叠所述第一接触孔，

其中所述第一辅助构件和所述第二辅助构件设置在彼此相同的层中并且包括相同的材料。

14.根据权利要求10所述的显示器件，还包括：

栅极线，连接到所述开关元件，并传送栅信号到所述开关元件，以及

数据线，连接到所述开关元件并传送数据信号到所述像素电极。

15.根据权利要求14所述的显示器件，还包括：

栅极焊盘，连接到所述栅极线的一端，

其中所述第二接触孔设置在所述栅极焊盘上。

16.根据权利要求14所述的显示器件，还包括：

数据焊盘，连接到所述数据线的一端，

其中所述第二接触孔设置在所述数据焊盘上。

17.一种显示器件，包括：

基板；

像素部，在所述基板上并包括像素电极；以及

在所述基板上的驱动器，其中所述驱动器传送信号到所述像素部，

其中

所述像素电极的厚度为40纳米或更小，以及

所述驱动器包括：

在所述基板上的栅极层，

在所述栅极层上的栅绝缘层，

第一接触孔，延伸穿过所述栅绝缘层的厚度，

数据层，在所述第一接触孔和所述栅绝缘层上并直接连接到且接触所述栅极层，以及

钝化层，重叠所述数据层。

18.根据权利要求17所述的显示器件，还包括：

第二接触孔，延伸穿过所述钝化层的厚度并暴露所述数据层，以及

在所述第二接触孔中的接触构件。

19.根据权利要求17所述的显示器件，

其中所述像素部还包括在所述基板上的栅极线和数据线，

所述显示器件还包括：

栅极焊盘，连接到所述栅极线的一端，所述栅绝缘层重叠所述栅极焊盘，

第三接触孔，延伸穿过所述栅绝缘层的厚度并暴露所述栅极焊盘，

第二数据层，连接到所述栅极焊盘、在所述第三接触孔中以及在所述栅绝缘层上，所述钝化层重叠该第二数据层，以及

第四接触孔，延伸穿过所述钝化层的厚度并重叠所述第二数据层，

其中

所述接触构件在所述第四接触孔中，以及

所述第二数据层在与所述数据线相同的层上，包括与所述数据线相同的材料，并且不连接到所述数据线。

20.根据权利要求19所述的显示器件，其中：

所述接触构件在与所述像素电极相同的层上，以及

所述接触构件包括与所述像素电极相同的材料。

21.一种显示器件，包括：

基板；

像素部，在所述基板上并包括像素电极；

在所述基板上的接触孔；以及

填充所述接触孔的金属层；以及

连接到所述金属层并且设置在所述金属层上的接触构件，

其中

所述像素电极的厚度为40纳米或更小，以及

包括所述金属层和所述接触构件的接触部分的厚度比所述像素电极的厚度大。

22.根据权利要求21所述的显示器件，其中：

所述接触构件在与所述像素电极相同的层上，以及

所述接触构件包括与所述像素电极相同的材料。

23.根据权利要求21所述的显示器件，还包括：

驱动器，在所述基板上并传送信号到所述像素部，

其中所述接触孔在所述驱动器上。

24.根据权利要求22所述的显示器件，其中：

所述像素部还包括：

连接到所述像素电极的开关元件，

栅极线，连接到所述开关元件，并传送栅信号到所述开关元件，以及

数据线，连接到所述开关元件并传送数据信号到所述像素电极。

25.根据权利要求24所述的显示器件，还包括：

栅极焊盘，连接到所述栅极线的一端，

其中所述接触孔中的至少一个在所述栅极焊盘上。

26.根据权利要求25所述的显示器件，还包括：

数据焊盘，连接到所述数据线的一端，

其中所述接触孔中的至少一个在所述数据焊盘上。

27.根据权利要求26所述的显示器件，其中：

其中所述开关元件包括：

连接到所述栅极线的栅电极，

连接到所述数据线的源电极，以及

连接到所述像素电极的漏电极，并且

其中所述接触孔重叠所述漏电极。

28.根据权利要求27所述的显示器件，其中：

所述金属层通过使用无电镀方法填充所述接触孔。