CN102481789B - 用于密集封装的微机电系统喷射结构 - Google Patents

Abstract

一种流体喷射器，其包括流体喷射模块，所述流体喷射模块具有基板和与所述基板分开的层。所述基板包括以矩阵形式布置的多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从喷嘴被喷射。与所述基板分开的层包括多个电连接部，每个电连接部邻近相应的流体喷射元件。

Description

用于密集封装的微机电系统喷射结构

技术领域

本公开总体涉及流体喷射。

背景技术

微机电系统或者基于微机电系统(MEMS)的装置能够用在多种应用中，例如加速计、陀螺仪、压力传感器或者换能器、显示器、光开关和流体喷射器。典型地，一个或多个各个装置形成在单个裸片上，例如由绝缘材料、半导体材料或者材料的组合形成的裸片。所述裸片能够用半导体加工技术来处理，例如光刻、沉积和蚀刻。

流体喷射装置能够具有多个各自均能够将流体微滴从喷嘴喷射到介质上的MEMS装置。在一些使用机械工致动器来喷射流体微滴的装置中，所述喷嘴均与包括流体泵送室的流路流体连接。所述流体泵送室通过致动器致动，所述驱动器暂时改变泵送室的容积并且引起流体微滴的喷射。介质能相对于裸片移动。流体微滴从具体喷嘴的喷射通过介质的运动定时，以将流体微滴置于介质上的期望位置处。

喷嘴在流体喷射模块中的密度随制造方法改进而增大。例如，硅晶圆上的基于MEMS的装置形成在具有比先前裸片更小的封装并且具有比先前裸片更高的喷嘴密度的裸片中。构造更小裸片的一个障碍在于所述装置的更小的封装会减小裸片上的可用于电触点的面积。

发明内容

一般地，在一个方面中，流体喷射系统包括打印头模块，所述打印头模块包括多个分别可控的流体喷射元件和用于在所述多个流体喷射元件致动时喷射流体的多个喷嘴，其中所述多个流体喷射元件和所述多个喷嘴呈行列矩阵布置，在小于一平方英寸的区域中有至少550个喷嘴，并且每一行中的所述喷嘴被均匀隔开。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。在小于一平方英寸的区域中能够存在550至60000个喷嘴。在小于一平方英寸的区域中能够存在近似1200至60000个喷嘴。所述矩阵能够包括80列和18行。所述的矩阵能够形成为使得流体的微滴能够在单次通过时从所述喷嘴分配到介质上以在所述介质上具有大于600dpi的密度的像素线。所述密度能够近似为1200dpi。所述的列能够沿着所述打印头模块的宽度被布置，所述宽度小于10mm，并且所述行能够沿着打印头模块的长度布置，所述长度在30mm和40mm之间。所述宽度能够近似为5mm。所述多个喷嘴可被构造为喷射具有在0.1pL和100pL之间的微滴大小的流体。

打印头模块可包括硅。流体喷射元件可包括压电部分。打印头的包括多个喷嘴的表面能被成形为平行四边形。喷嘴的宽度能大于15μm。在列和行之间的角度能小于90°。

一般地，在一个方面中，流体喷射模块包括：其中具有多个喷嘴的第一层；具有多个泵送室的第二层，每个泵送室流体连接到相应的喷嘴；和多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从泵送室被喷射通过相应喷嘴，其中所述第一或第二层中的至少一个层包括光固化膜。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。多个喷嘴能够在小于一平方英寸的区域中包括550至60000个喷嘴。流体喷射元件可包括压电部分。流体喷射模块能够进一步包括与所述基板分开的层，所述基板包括多个电连接部，所述电连接部构造为横跨所述压电部分施加偏压。流体喷射模块能够进一步包括多个流路，每个流路流体连接到泵送室。流体喷射模块能够进一步包括多个泵送室入口和多个泵送室出口，每个泵送室入口和每个泵送室出口流体连接到所述多个流路中的流路。泵送室能够以行列矩阵的形式被布置。在列和之间的角度能小于90％。每个泵送室能够近似为圆形的。每个泵送室能具有多个直壁。光固化膜可包括光聚合物、干膜光致抗蚀剂或者可光可确定的聚酰亚胺。每个喷嘴的宽度能大于15μm。第一层的厚度能小于50μm。第二层的厚度能小于30μm。

一般地，在一个方面，流体喷射器包括基板和通过基板支撑的层。基板，包括：多个泵送室；多个泵送室入口和泵送室出口，每个泵送室入口泵送室出口流体连接到所述多个泵送室中的某所述泵送室；和多个喷嘴，其中所述多个泵送室、多个泵送室入口和多个泵送室出口沿着某一平面布置，并且其中每个泵送室被定位在喷嘴上方并且与所述喷嘴流体连接；所述基板支承的层包括：穿过所述层的多个流路，每个流路从所述多个泵送室入口和泵送室出口中的泵送室入口或者泵送室出口延伸，其中每个流路沿着轴线延伸，所述轴线垂直于所述平面；和多个流体喷射元件，每个流体喷射元件定位在相应的泵送室上方并且构造为使流体从所述相应的泵送室穿过喷嘴被喷射。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。基板可包括硅。流体喷射元件可包括压电部分。流体喷射器能够进一步包括与所述基板分开的层，所述基板包括多个电连接部，所述电连接部构造为横跨所述压电部分施加偏压。每个所述泵送室入口或者泵送室出口的宽度能小于每个所述泵送室的宽度的10％。泵送室入口和泵送室出口能沿着同一轴线延伸。每个泵送室入口或者泵送室出口的宽度能小于每个流路的宽度。泵送室能够以行列矩阵的形式被布置。在列和之间的角度能小于90％。每个泵送室能够近似为圆形的。每个泵送室能具有多个直壁。

一般地，在一个方面，流体喷射器包括基板和层。基板，包括多个泵送室和多个喷嘴，每个泵送室定位在喷嘴上方并且与所述喷嘴流体连接。气概层位于所述基板的相对于所述喷嘴的反向侧上并且包括多个流体喷射元件，每个流体喷射元件邻近相应的泵送室并且构造为引起流体从所述相应的泵送室被喷射通过相应的喷嘴，其中从所述流体喷射元件到所述喷嘴的距离小于30μm。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。所述距离能够近似为25μm。基板可包括硅。流体喷射元件可包括压电部分。流体喷射器能够进一步包括与所述基板分开的层，所述基板包括多个电连接部，所述电连接部构造为横跨所述压电部分施加偏压。每个所述泵送室能扩展通过至少是从所述相应的流体喷射元件到所述相应的喷嘴的距离的至少80％的厚度。每个所述泵送室的高度能小于所述泵送室的最短宽度的50％。泵送室能够以行列矩阵的形式被布置。在列和之间的角度能小于90％。每个泵送室能够近似为圆形的。每个泵送室能具有多个直壁。

一般地，在一个方面中，流体喷射器具有多个泵送室和多个喷嘴的基板，每个泵送室定位在喷嘴上方并且与喷嘴流体连接，其中泵送室宽度近似为250μm，并且其中所述基板的每平方英寸存在1,000个以上的泵送室。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。基板可包括硅。流体喷射元件可包括压电部分。流体喷射器能够进一步包括与所述基板分开的层，所述基板包括多个电连接部，所述电连接部构造为横跨所述压电部分施加偏压。泵送室能够以行列矩阵的形式被布置。在列和之间的角度能小于90％。每个泵送室能够近似为圆形的。每个泵送室能具有多个直壁。

一般地，在一个方面，流体喷射器包括流体喷射模块，所述流体喷射模块包括基板和与所述基板分开的层。所述基板包括以矩阵形式布置的多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从喷嘴被喷射。与所述基板分开的层，包括多个电连接部，每个电连接部邻近相应的流体喷射元件。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。所述的层能进一步包括多个穿过所述层的流路。所述的多个流路能被涂覆屏蔽材料。所述的屏蔽材料可包括钛、氧化硅、氧化铝或者氧化硅。所述的流体喷射器能进一步包括在所述层与所述流体喷射模块之间的屏蔽层。屏障层可包括SU8。所述层可包括多个集成的开关元件。所述层能进一步包括构造为控制所述多个集成的开关元件的逻辑电路。每个的流体喷射元件能被定位成邻近至少一个开关元件。每个流体喷射元件能够有两个开关元件所述的流体喷射器能进一步包括多个金凸块，每个金凸块构造为接触流体喷射元件的电极。所述电极可为环电极。

一般地，在一个方面，流体喷射器包括流体喷射模块和集成的集成电路插入层。流体喷射模块，包括基板，所述基板具有第一多个流路和多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从相应流路的喷嘴被喷射。集成电路插入层安装在所述流体喷射模块上并且包括与所述第所述多个流路流体连接的第二多个流路流体连接，其中所述集成电路插入层与所述流体喷射模块电连接从而所述流体喷射模块的电连接使得能够将发送到所述流体喷射模块的信号被传输到所述集成电路插入层、在所述集成电路插入层上被处理并且输出到所述流体喷射模块以驱动所述多个流体喷射元件中的至少一个。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。第二多个流路能被涂覆屏蔽材料。所述的屏蔽材料可包括钛、氧化硅、氧化铝或者氧化硅。流体喷射器能进一步包括在所述集成电路插入层与所述流体喷射模块之间的屏蔽层。屏障层可包括SU8。所述集成电路插入层可包括多个集成的开关元件。所述集成电路插入层能进一步是构造为控制所述多个集成的开关元件的逻辑电路。每个的流体喷射元件能被定位成邻近至少一个开关元件。每个流体喷射元件能够有两个开关元件所述的流体喷射器能进一步包括多个金凸块，每个金凸块构造为接触流体喷射元件的电极。所述电极可为环电极。

一般地，在一个方面，流体喷射器包括流体喷射模块和集成的集成电路插入层。流体喷射模块，包括：基板，所述基板具有多个流路，每个流路包括与喷嘴流体连接的泵送室；和多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从相应流路的喷嘴被喷射，其中轴线在第一方向上延伸穿过所述泵送室和所述喷嘴。集成电路插入层，包括多个集成的开关元件，所述集成电路插入层安装在流体喷射模块上使得所述多个集成的开关元件中的每个所述沿着所述第一方向与所述多个泵送室中的一个泵送室对准，所述集成的开关元件与所述流体喷射模块电连接从而所述流体喷射模块的电连接使得能够将发送到所述流体喷射模块的信号传输到所述集成电路插入层、在所述集成电路插入层上被处理并且输出到所述流体喷射模块以驱动所述多个流体喷射元件中的至少一个。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。所述的集成电路插入层能进一步包括多个穿过所述层的流路。每个泵送室能与至少一个流路流体连接，所述至少一个流路在第一方向上沿着第二轴线延伸，所述第二轴线不同于延伸通过所述泵送室的所述轴线。每个泵送室能与两个流路流体连接。所述的多个流路能被涂覆屏蔽材料。所述的屏蔽材料可包括钛、氧化硅、氧化铝或者氧化硅。流体喷射器能进一步包括在所述集成电路插入层与所述流体喷射模块之间的屏蔽层。屏障层可包括SU8。所述集成电路插入层能进一步包括构造为控制所述多个集成的开关元件的逻辑电路。每个流体喷射元件能够有两个开关元件所述的流体喷射器能进一步包括多个金凸块，每个金凸块构造为接触流体喷射元件的电极。所述电极可为环电极。

一般地，在一个方面，流体喷射器包括流体喷射模块、安装在流体喷射模块上并且与之电连接的集成电路插入层、和柔性元件。流体喷射模块，包括：基板，所述基板具有多个流路，每个流路包括与喷嘴流体连接的泵送室；和多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从相应流路的喷嘴被喷射。集成电路插入层的宽度小于所述流体喷射模块的宽度，使得所述流体喷射模块包括凸缘。柔性元件具有第一边缘，所述第一边缘的宽度小于30μm，所述第一边缘附接到所述流体喷射模块的凸缘。柔性元件与所述流体喷射模块电连接，从而所述流体喷射模块的电连接使得能够将从所述柔性元件到所述流体喷射模块的信号被传输到所述集成电路插入层、在所述集成电路插入层上被处理并且输出到所述流体喷射模块以驱动所述多个流体喷射元件中的至少一个。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。柔性元件能被附接到所述流体喷射模块的表面，所述邻近的集成电路插入层。表面所述柔性元件能形成在塑料基板上。所述柔性元件能形成在柔性电路上。流体喷射器能进一步包括导电材料，所述导电材料邻近所述柔性元件上的导电元件并与其导电连接，并且所述导电材料邻近所述流体喷射模块上的导电元件并与其导电连接。基板可包括硅。

一般地，在一个方面，流体喷射器包括流体喷射模块、安装在流体喷射模块上并且与之电连接的集成电路插入层、和附接到流体喷射模块的柔性元件。流体喷射模块，包括：基板，所述基板具有多个流路，每个流路包括与喷嘴流体连接的泵送室；和多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从相应流路的喷嘴被喷射。集成电路插入层的宽度大于所述流体喷射模块的宽度，使得所述集成电路插入层具有凸缘。柔性元件所述安装所述，所述柔性元件围绕所述集成电路插入层的所述凸缘弯曲并且邻近所述流体喷射模块，其中所述柔性元件与所述流体喷射模块电连接从而所述流体喷射模块的电连接使得能够将从所述柔性元件发送到所述流体喷射模块的信号被传输到所述集成电路插入层、在所述集成电路插入层上被处理并且输出到所述流体喷射模块以驱动所述多个流体喷射元件中的至少一个。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。所述表面的柔性元件能够邻近所述流体喷射模块的第一表面，所述第一表面垂直于所述流体喷射模块的第二表面，所述第二表面邻近所述集成电路插入层。所述柔性元件能形成在塑料基板上。所述柔性元件能形成在柔性电路上。流体喷射器能进一步包括导电材料，所述导电材料邻近所述柔性元件上的导电元件并与其导电连接，并且所述导电材料邻近所述流体喷射模块上的导电元件并与其导电连接。基板可包括硅。

一般地，在一个方面，流体喷射器包括流体供给源和流体回路、流体喷射组件、和壳体组件。流体喷射组件，包括在第一方向上延伸的多个第一流路、在所述第一方向上延伸的多个第二流路和多个泵送室，每个泵送室流体连接到单个第一流路和单个第二流路。壳体组件，包括多个流体入口通道和多个流体出口通道，所述流体入口通道中的每个在第二方向上延伸并且将所述供给源与第一流路中的一个或多个连接，并且所述多个流体出口通道中的每一个在所述第二方向上延伸并且将所述返回管路与所述第二流路中的一个或多个连接，

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。流体喷射组件可包括硅基板。所述的第一流路能具有与所述第二流路相同的形状。流体入口通道能具有与流体出口通道相同的形状。每个所述流体入口通道和所述流体出口通道中的一个能延伸过所述壳体组件的宽度的至少80％。

一般地，在一个方面，制造流体喷射器的方法包括：对晶圆构图以形成多个泵送室，其中所述泵送室的宽度近似为250μm，并且其中所述晶圆的每平方英寸存在1,000以上的泵送室；和将所述晶圆切割为多个裸片，使得晶圆的每平方英寸形成三个以上的裸片。

这个和其它的实施方式能够可选地包括如下特征中的一个或多个特征。晶圆可为具有六英寸的直径的圆，并且每个具有至少300个在泵送室的至少40个裸片形成在所述晶圆上。晶圆可为具有六英寸的直径的圆，并且所述晶圆形成88个裸片。所述裸片中的每个裸片能够采用四边形的形状。所述裸片中的每个裸片能够采用平行四边形的形状。所述平行四边形的至少一个角部能形成小于90°的角。压电致动器能够与每个泵送室关联。

某些实现可具有下列优点中的一个或多个。涂层能够减少或者防止在流体通道与电子设备之间的流体泄漏。减少的泄漏能够产生设备的更长的使用寿命、更可靠的印刷设备、和更少的打印机维修停机时间。通过使泵送室层的厚度小于30μm，例如为25μm厚，则流体能够快速行进通过所述层，从而提供了具有高的固有频率的流体喷射设备，例如在约180kHz和390kHz之间。由此，所述流体喷射设备能以高的频率和低的驱动电压运行，所述频率例如接近或大于设备的固有频率，所述电压例如小于20V(例如17V)。更高的频率允许用更大的喷嘴宽度喷射同样的体积。更大的喷嘴宽度更易于不受阻隔并且更易于制造成具有更高的可再现性。更低的驱动电压允许设备更安全地运动并且要求更少的能量使用。另外，更薄的泵送室层减少了形成所述泵送室层所要求的材料。使用更少的材料，尤其是使用具有诸如硅的价值适中的材料，产生了更少的浪费和更低成本的设备。将电连接部和布线移动到与裸片分享的层中允许泵送室和喷嘴密度更高。结果，在打印介质上能够形成对于单次通过方式(single pass mode)的600dpi或者更大的分辨率例如1200dpi的图像或者对于扫描模式的大于1200dpi的分辨率例如4800dpi或者9600dpi的图像，并且每个晶圆能够形成更多的基底。所述器件能够在泵送室和喷嘴之间无下降。所述无下降能够加速频率响应和改进对于射流和流体弯月面的控制。通过减少流体在被喷射之前必须行进的距离，能够更为容易地控制喷射的流体量。例如，通过在泵送室和喷嘴之间无下降，则在流路中存在更少的流体使得能够喷射更少体积的流体，即使较大的喷嘴也是如此。所述器件的某些层能够由兼容的材料形成，这些材料能够从压力波吸收一些能量。被吸收的能量能够减少相互影响(cross-talk)。所述壳体中的流体入口通道和出口通道而不是基板能够减少流体通道之间的相互影响。由于密集堆叠的喷嘴和流体通道会更易于受到相互影响的影响，将所述入口通道和出口通道移动到壳体能够允许在裸片上更为密集地堆叠器件。更少的相互影响导致更少的不期望的微滴喷射。裸片中的更多的器件引起更大数目的dpi或者更大的打印分辨率。在柔性电路的最厚边缘处接合柔性电路允许使用更小的裸片并且允许更容易的封装以保护电连接部不受行进通过流体喷射器的流体的影响。另外，将柔性电路直接接合到裸片而不是沿着外侧接合允许邻近的模块更靠近在一起。另外，直接在柔性电路的最厚边缘处弯曲柔性电路而不是弯曲所述柔性电路减少了柔性电路中的应力。

一个或多个实施方式的细节在附图中示出和在下面的描述中提出。根据说明书、附图和权利要求书，其它的特征、方面和优点将变得明显。

附图说明

图1是示例性流体喷射器的透视图。

图2是示例性流体喷射器的示意性截面图。

图3是示例性流体喷射器的分解透视图。

图4是示例性流体喷射器的透视图。

图5是示例性流体喷射器的显示喷嘴层的底部透视图。

图6是示例性流体喷射器的泵送室层的顶部透视图。

图6A是泵送室的近视顶视图。

图7是示例性流体喷射器的薄膜层的顶视图。

图8是示例性流体喷射器的致动器层的实施方式的横截面透视图。

图9是示例性流体喷射器的致动器层的替代实施方式的顶视图。

图10是示例性流体喷射器的集成电路插入层的底部透视图。

图11是接合到示例性裸片的柔性电路的实施方式的示意图。

图12是接合到示例性流体喷射模块的柔性电路的替代实施方式的示意图。

图13是示例性流体喷射器的柔性电路、集成电路插入层和裸片的连接图。

图14是示例性流体喷射器的壳体层的透视图。

图15A至图15T是示出用于制造流体喷射器的示例性方法的示意图。

图16是具有88个裸片的晶圆的示意图。

各附图中相同的附图标记和指示标示相同的元件。

具体实施方式

在流体微滴喷射时，例如数字式喷墨印刷时，期望高速和低成本的打印，同时避免在打印的图像中发生不准确或缺陷。例如，通过减少流体体积所需从泵送室行进到喷嘴的距离，通过具有与裸片分开的包括电连接部的层、以控制流体从裸片中的致动器的喷射，每个电连接器邻近相应的流体喷射元件，以及通过在壳体中而不是裸片中包括流体入口通道和流体出口通道，低成本的流体喷射器能高速形成高品质的图像。

参考图1，示例性流体喷射器100包括流体喷射模块，例如四边形金属板状的打印头模块，其可以是使用半导体加工技术制造的裸片103。所述流体喷射器进一步包括在裸片103上方的集成电路插入层104和下面进一步讨论的下部壳体322。壳体110支承并包围裸片103、集成电路插入层104、和下部壳体322，并且能够包括安装框架142，所述安装框架142具有引脚152以将壳体110连接到打印杆。用于从外部处理器接收数据和将驱动信号提供到裸片的柔性电路能电连接到裸片103和通过壳体110保持到位。配管162和166能被连接到下部壳体322内的入口室132和出口室136(见图4)以供给流体到裸片103。从流体喷射器100喷射的流体可以是墨，但流体喷射器100能适用于其它的液体，例如生物液体、聚合物或者用于形成电子部件的液体。

参考图2，流体喷射器100可包括：基板122，例如作为裸片103的部分的硅上绝缘体(SOI)晶圆；和集成电路插入层104。集成电路插入层104包括晶体管202(在图2中示出了仅一个喷射器件，由此示出仅一个晶体管)并且构造为提供信号以用于控制流体从喷嘴126的喷射。基板122和集成电路插入层104包括其中形成的多个流体流路124。单个流路124包括入口通道176，所述入口通道引导到泵送室174。泵送室174引导到喷嘴126和出口通道172两者。流路124进一步包括分别地将泵送室174连接到入口通道176的泵送室入口276和将泵送室174连接到出口通道172的泵送室出口272。所述流路能通过半导体加工技术形成，例如蚀刻。在一些实施方式中，深反应离子蚀刻用以形成直壁特征，所述直壁特征部分伸展过裸片103中的某一层或者贯穿裸片103中的某一层。在一些实施方式，邻近绝缘层284的硅层286完全地通过将绝缘层用作抗蚀层而被蚀刻。裸片103可包括：薄膜180，其限定泵送室174的一个壁，并且密封泵送室174的内部以使其不暴露于致动器；和喷嘴层184，其中形成有喷嘴126。喷嘴层184能够布置在绝缘层284的相对于泵送室174的反向侧上。薄膜180可由单个硅层形成。替代地，薄膜180可包括一个或多个氧化物层，或者由氧化铝(AlO₂)、氮化物或者氧化锆(ZrO₂)形成。

流体喷射器100还包括由基板122支撑的分别可控的致动器401。考虑用多个致动器401形成致动器层324(见图3)，在该致动器层中，致动器能够电性地且物理地相互分离，但与层的部分不分离。基板122包括在致动器和薄膜180之间的可选的绝缘材料层282，例如氧化物。当被激活时，致动器导致流体被选择性地从相应的流路124的喷嘴126喷射。每个流路124与它的相应致动器401一起提供了分别可控的MEMS流体喷射器单元。在一些实施方式中，致动器401的激活导致薄膜180偏转到泵送室174内，从而减小了泵送室174的容积并迫使流体流出喷嘴126。致动器401可以是压电致动器并且可包括下部电极190、压电层192和上部电极194。替代地，流体喷射元件可以是加热元件。

如图3中所示，流体喷射器100可包括竖向堆叠的多个层。下部壳体322可接合到集成电路插入层104。集成电路插入层104可接合到致动器层324。致动器层324能附接到薄膜180。薄膜180能附接到泵送室层326。泵送室层326能附接到喷嘴层184。一般地，所述层包括沿某一平面的类似材料或者类似元件。全部的层能够具有近似的宽度，例如每个层能够具有至少为流体喷射器100中的另一个层的长度和宽度的近似80％的长度和宽度。尽管在图3中未示出，壳体110能至少部分地包围竖向堆叠的层。

参考图4，流体能够从流体供给源流过下部壳体322、通过集成电路插入层104、通过基板103并流出喷嘴层184中的喷嘴126。下部壳体322能够由分隔壁130分隔以提供入口室132和出口室136。来自流体供给源的流体能流入流体入口室132、通过下部壳体322的底部中的流体入口101、通过下部壳体322的流体入口通道476、通过流体喷射模块103的流路124、通过下部壳体322的流体出口通道472、流出出口102、流入出口室136并流到流体回路。经过流体喷射模块103的流体的一部分能够从喷嘴126被喷射。

每个流体入口101和流体入口通道476共同流体连接到若干MEMS流体喷射器单元的平行入口通路176，例如一行、两行或更多行流体喷射器单元。类似地，每个流体出口102和每个流体出口通道472共同流体连接到若干MEMS流体喷射器单元的平行出口通路172，例如一行、两行或更多行流体喷射器单元。每个流体入口室132对于多个流体入口101是共用的。每个流体出口室136对于多个出口102是共用的。

参考图5，喷嘴层184可包括喷嘴126的矩阵或者阵列。在一些实施方式中，喷嘴126被布置为直的平行行504和平行列502。如这里使用的，列是相比于与打印方向垂直的轴线更接近于与打印方向平行的轴线对准的一组喷嘴。然而，列502不需要准确地平行于打印方向，而是可以偏移小于45°的某一角度。另外，行是相比于与打印方向平行的轴线更接近于与打印方向垂直的轴线对准的一组喷嘴。同样地，行504不需要准确地垂直于打印方向，而是可以偏移小于45°的某一角度。列502能近似沿着喷嘴层184的宽度延伸，而行504能近似沿着喷嘴层184的长度延伸。

矩阵中列502的数目能够大于行504的数目。例如，能够存在少于20行和多于50列，例如18行和80列。每个行504的喷嘴126能与所述行中的相邻喷嘴均等地隔开。同样，每个列的喷嘴126能与所述列中的相邻喷嘴均等地隔开。另外，所述行和列不需要竖向对准。相反，在所述行和列之间的角度可小于90°。所述行和/或列可不完全地彼此隔开。而且，喷嘴126在所述行和/或列中可不沿着直线布置。

所述喷嘴矩阵可以是高密度矩阵，例如在小于一平方英寸的区域中具有在550和60,000之间的喷嘴，例如1,440或者1,200个喷嘴。如在下面进一步讨论的，该高密度矩阵的实现例如是因为分离的集成电路插入层104包括控制致动器的逻辑电路，从而允许泵送室并且因此允许喷嘴彼此之间的隔离更为紧密。即，横跨所述薄膜可大致没有电连接。

包含喷嘴126的区域能具有大于一英寸的长度，例如喷嘴层的长度可为约34mm，并且喷嘴层的宽度W可为小于一英寸，例如约6.5mm。喷嘴层能具有在1μm和50μm之间的厚度，例如20-40μm的厚度，例如30μm。另外，喷嘴层可被成形为四边形或者平行四边形。喷嘴126能够被KOH蚀刻成并且可为方形或圆形。

当在打印杆下方传送介质时，高密度矩阵的喷嘴能够以单次通过的方式将流体喷射到介质上以在介质上形成像素线，像素线具有大于600dpi的高密度或者打印分辨率，例如1200dpi或更大。为获得1200dpi或更大的密度，可从喷嘴喷射大小在0.01pL和10pL之间的流体微滴，例如2pL。喷嘴的宽度可在1μm和20μm之间，例如在10μm和20μm之间，例如约15μm或者15.6μm宽。

喷嘴层184可由硅形成。在其它的实施方式中，喷嘴层184可由聚酰亚胺或者光固化膜形成，例如光聚合物、干膜光致抗蚀剂或者可光可确定的聚酰亚胺，其能够有利地通过光刻平版印刷构图而不需要蚀刻处理。

参考图6，泵送室层326能邻近喷嘴层184，例如被附接到喷嘴层184。泵送室层326包括泵送室174。每个泵送室174可为具有至少一个可变形壁以迫使液体从相应喷嘴流出的空间。泵送室能够具有提供最高可能的封装密度的形状。如在图6中所示，泵送室174的形状能够近似为圆形并且一般地能够由侧壁602限定。泵送室可以不是准确的圆形，即所述形状为类似圆形并且可以是椭圆形、卵形或者具有直侧部与弯曲侧部的组合，例如六边形、八边形或者多边形。另外，泵送室沿着最长的宽度可在约100μm到400μm之间，例如约125μm到250μm之间。所述泵送室174的高度能小于所述泵送室的最短宽度的50％。

每个泵送室能具有从泵送室延伸的并且在泵送室层326中形成的泵送室入口276和泵送室出口272。泵送室入口276和泵送室出口272能够沿着与泵送室174相同的平面延伸并且能彼此沿着同一轴线行进。泵送室入口276和泵送室出口272能够具有比泵送室174小的多的宽度，其中所述宽度是入口或者出口的最小的非高度尺寸。所述泵送室入口276和泵送室出口272的宽度能够小于泵送室174的宽度的30％，例如小于10％。泵送室入口276和泵送室出口272可包括从泵送室174延伸的平行的壁，其中在所述平行的壁之间的距离是所述宽度。如图6A中所示，泵送室入口276的形状能够与泵送室出口272相同。

泵送室层并不包括与泵送室入口276和出口272以及入口通道172和出口通道172分开的通路。换句话说，在泵送室入口276和泵送室出口272之外，没有流体通道水平地行进穿过泵送室层。同样，在入口通路176和出口通路172之外，没有流体通道垂直地行进穿过泵送室层。泵送室层326并不包括下降部，即不包括从泵送室174到喷嘴126的通道。相反，泵送室174直接地抵接喷嘴层184中的喷嘴126。而且，入口通道176近似竖向地行进穿过裸片103以与泵送室入口276相交。泵送室入口276又水平地行进通过泵送室层326以与泵送室174流体连接。同样，出口通道172近似竖向地行进穿过裸片103，以与泵送室出口272相交。

如在图6A中所示，在平面图中，泵送室入口276和泵送室出口272的与流体入口176和流体出口172相交的部分672和676的宽度或直径能够比泵送室入口276和泵送室出口272的其余部分更大或更多。另外，所述部分672和676的形状能够近似为圆形，即入口通路176和出口通路172能够具有管状的形状。另外，相应喷嘴126能够与泵送室174对中并位于泵送室174的正下方。

再参考图6，泵送室174能够以行列矩阵的形式被布置。在列和行之间的角度能够小于90°。在单个裸片中，例如在小于一平方英寸的区域中，能够存在550到60,000个的泵送室，例如存在1,440或者1,200个泵送室。

所述泵送室的高度能小于50μm，例如25μm。另外，再参考图2，每个泵送室174能邻近相应的致动器401，例如与致动器401对准并且位于致动器401的直接下方。所述泵送室能延伸通过至少是从所述相应的致动器到所述喷嘴距离的至少80％的距离。

象喷嘴层184那样，泵送室层326能够由硅或光固化膜形成。光固化膜可为例如光聚合物、干膜光致抗蚀剂或者可光可确定的聚酰亚胺。

薄膜层180可邻近泵送室层326，例如被附接到泵送室层326。参考图7，薄膜层180可包括穿过其中的孔702。所述孔可为流路124的部分。即，所述入口通道176和所述出口通道172能够延伸通过薄膜层180的孔702。孔702由此能够形成行列矩阵的形式。薄膜层180可由例如硅形成。薄膜能够相对变薄，例如小于25μm，例如约12μm。

致动器层324能邻近薄膜层180，例如被附接到泵送室层326。致动器层包括致动器401。所述致动器可为加热元件。替代地，致动器401可为压电元件，如图2、图8和图9所示。

如图2、图8和图9中所示，每个致动器401包括在两个电极之间的压电层192，所述两个电极包括下部电极190和上部电极194。压电层192可为例如钛化铅锆(“PZT”)膜。压电层192的厚度能够在约1微米和25微米之间，例如厚度在约1μm和4μm之间。压电层192能够由大体积的压电材料形成或者使用物理蒸汽沉积设备或者溶胶-凝胶处理通过溅射形成。溅射的压电层能够具有圆柱形构造，而大体积的溶胶-凝胶的压电层能够具有更为任意的构造。在一些实施方式，压电层192是连续的压电层，其延伸过全部的致动器并且在全部的致动器之间延伸，如图8所示。替代地，如图2和图9中所示，压电层能够被分段使得相邻致动器的压电部分彼此不接触，例如在将相邻致动器分开的压电层中存在间隙。例如，压电层192可为形成为近似的圆形形状的岛状物。分别地形成的岛状物能通过蚀刻处理生产。如图2中所示，如果压电层192是不连续的，底部保护层214，例如绝缘层，例如SU8或者氧化物，能够用以使上部电极和下部电极保持相互接触。顶部保护层210，例如绝缘层，例如SU8或者氧化物，能够用以在进一步的加工步骤中保护致动器和/或使在模块的操作中保护致动器不受湿气的影响。

上部电极194在一些实施方式中作为驱动器电极层，并且由导电材料形成。作为驱动电极，上部电极194连接到控制器，以在流体喷射周期中在适当的时间在压电层192两端供给差分电压。上部电极194可包括构图的导电件。例如，如图8和图9中所示，顶部电极194可为环电极。替代地，顶部电极194可为中央电极或者整合有内部电极和环电极的双电极。

下部电极190在一些实施方式中作为参考电极层，并且由导电材料形成。下部电极190可提供接地连接部。下部电极能够直接在薄膜层180上构图。另外，下部电极190可为多个致动器共用的并且跨过多个致动器，如图8和图9所示。上部电极194和下部电极190能够由金、镍、镍铬、铜、铱、氧化铱、铂、钛、钛钨、铟锡氧化物或者它们的组合形成。在本实施方式中，保护层210和214可为连续的，并具有在泵送室174和引线222上方的孔。替代地，每个致动器401可具有分开的下部电极190。在这样的配置中，如图2中所示，保护层210和214能够被布置成仅在致动器401周围。如在图8中所示，接地孔812能被形成为穿过压电层192，以与地连接。替代地，如图9中所示，PZT能够被蚀刻掉，使得接地部能够沿着下部电极190的任意位置制成，例如沿着下部电极190的与致动器层324的长度L平行延伸的部分制成。

压电层192能够响应于在顶部电极194和下部电极190之间施加到压电层192两端的电压而变化形状。压电层192的该几何变化使薄膜180挠曲变形，而薄膜180又改变泵送室174的容积并对其中的流体加压以可控地迫使流体通过喷嘴126。

如图8中所示，致动器层324能进一步包括输入电极810，以用于连接到柔性电路，如下面所述的。输入电极810沿着致动器层324的长度L延伸。输入电极810能沿着与上部电极194和下部电极190相同的致动器层324的表面布置。替代地，输入电极810能够沿着致动器层324的侧部布置，例如布置在与接合到集成电路插入层104的表面垂直的薄表面上。

参考图8和图9，压电元件401能够以行列矩阵的方式布置(在图8和图9中仅示出了压电元件401中的一些压电元件，以能够更清楚地图示其它的元件)。孔802能延伸通过致动器层324。孔802可为流路124的部分。即，所述入口通道176和所述出口通道172能够延伸通过致动器层324的孔802。如果压电材料被蚀刻掉，如图2和图9中所示，例如SU8的屏蔽材料806可被布置在薄膜层180和集成电路插入层104之间以形成孔802。换句话说，屏蔽材料806能形成为凸出部，孔802能够延伸通过该凸出部。如下面所述，如果所述压电层是实心层，则也可使用屏蔽材料806，如图8中所示，用以作用为密封件，以保护电子元件不受流体渗漏影响。

如下面进一步讨论的，致动器层324并不包括在致动器401周围行进的布线或电连接部。相反，用以控制致动器的布线被布置在集成电路插入层104中。

集成电路插入层104能邻近致动器层401，并且在一些示例中被附接到致动器层401。所述集成电路插入层104被构造为提供信号以控制致动器401的操作。参考图10，集成电路插入层104可为微芯片，在该微芯片中例如通过半导体制造技术形成集成电路。在一些实现中，集成电路插入层104是专用集成电路(ASIC)元件。所述集成电路插入层104可包括提供信号以控制致动器的逻辑电路。

仍参考图10，集成电路插入层104可包括多个集成的开关元件202，例如晶体管。集成的开关元件202能布置为行列矩阵的形式。在一个实施方式中，对于每个致动器201存在一个集成的开关元件202。在另一个实施方式中，对于每个致动器401存在多于一个的开关元件202，例如两个集成的开关元件202。具有两个集成电路元件202能够利于提供冗余，其中以一个晶体管驱动相应的致动器的某一部分，而用第二晶体管驱动致动器的另一部分，从而仅需要电压的一半或者形成模拟开关，以比单个晶体管允许更复杂的波形。另外，如果使用四个集成电路元件202，则能够提供冗余的模拟开关。单个集成电路元件202或者多个集成的开关元件202能够布置成邻近相应的致动器401，或者布置在相应的致动器401的顶部上。即，某一轴线能够延伸通过喷嘴126、通过泵送室174并且通过晶体管或者通过两个开关元件之间。每个集成的开关元件202作用为ON/OFF开关，以选择性地将致动器401中的一个致动器的上部电极194连接到驱动信号源。驱动信号电压被输送通过集成电路插入层104中的内部逻辑电路。

集成电路插入层104中的集成的开关元件202(例如晶体管)能够通过引线222a(例如金凸块)连接到致动器401。另外，成组引线222b，例如金凸块能够沿着集成电路插入层104的边缘对准。每个组能够包括若干引线222b，例如三条引线222b。对于每一列集成的开关元件202，可设置一组引线222b。引线222b可被构造为例如通过致动器层324的接地孔812使集成电路插入层104中的逻辑电路与裸片103上的地电极190连接。另外，引线222c，例如金凸块，可靠近集成电路插入层104的边缘。引线222c可被构造为使集成电路插入层104中的逻辑电路与输入电极810连接，以用于与柔性电路201连接，如下面所述。所述引线222a、222b、222c被布置在基板的未在泵送室上方的区域上的位置。

如图10所示，集成电路插入层104可包括穿过其中的孔902。所述孔在接近集成电路插入层104的包括有集成的开关元件202的一侧能够比相反侧部更窄，以在所述层中留出用于电连接部的空间。孔902可为流路124的部分。即，所述入口通道176和所述出口通道172能够延伸通过集成电路插入层104的孔902。为防止在流路124与电子器件例如集成电路插入层104中的逻辑电路之间的流体泄漏，流体通道124可被涂覆某种材料，该材料提供了良好的氧化屏蔽并且具有良好的润湿特性，以便于流体被输送通过所述通道，所述材料例如是金属，例如钛或者钽，或者非金属材料，例如氧化硅、低压化学沉积作用(LPCVD氧化物)、氧化铝或者氮化硅/氧化硅。所述涂层能够通过电镀工艺、溅射工艺、CVD或者其它的沉积作用来施加。而且，屏蔽材料806可被用于保护集成电路元件中的逻辑电路不受流体泄漏的影响。在另一个实施方式中，屏蔽层例如SU8能够例如通过旋涂而被置于集成电路插入层104和裸片103之间。屏蔽层能够延伸过集成电路插入层104的长度和宽度的全部或近乎全部，并且裸片103被制作构图以留出用于孔902的开口。

流体喷射器100能进一步包括柔性印制电路或者柔性电路201。所述柔性电路201能形成在例如塑料基板上。柔性电路201被构造为将流体喷射器100电连接到打印机系统或者计算机(未示出)。柔性电路201用以将数据传输到裸片103，以用于驱动流体喷射元件例如致动器401，所述数据例如是用于打印系统的外部处理的图像数据和定时。

如图11和图12中所示，柔性电路201能够例如利用诸如环氧基树脂的粘结剂而被接合到致动器层324。在图11中示出的一个实施方式中，致动器层324的宽度W能够比集成电路插入层104的宽度w更大。致动器层324由此能够延伸过集成电路插入层104以形成凸缘912。柔性电路201能够与集成电路插入层104并排延伸，使得集成电路插入层104的与接触致动器层324的表面垂直的边缘与柔性电路201平行地延伸。柔性电路201能具有厚度t。柔性电路的高度和宽度能够远大于厚度t。例如，柔性电路201的宽度能够近似为裸片的长度，例如33mm，而厚度t能够小于100μm，例如在12和100μm之间，例如25-50μm，例如近似为25μm。例如具有厚度t的最窄的边缘能够被接合到致动器层324的顶部表面，例如被接合到致动器层324的与集成电路插入层104接合的表面。

在图12中示出的另一个实施方式中，集成电路插入层104的宽度w能够比裸片致动器层324的宽度W更大。集成电路插入层104由此能够延伸过致动器层324以形成凸缘914。柔性电路201能够在凸缘914周围弯曲以附接到插入层104。由此，柔性电路201能够与集成电路插入层104并排延伸，使得集成电路插入层104的与接触致动器层324的表面垂直的边缘与柔性电路201的一部分平行地延伸。柔性电路201能够在凸缘914的周围弯曲，使得柔性电路201的一部分附接到集成电路插入层104的底部，即附接到与致动器层324接触的表面。如在图11的实施方式中，柔性电路的高度和宽度能够远大于厚度t。例如，柔性电路201的宽度能够近似为裸片的长度，例如33mm，而厚度t能够小于100μm，例如在12和100μm之间，例如25-50μm，例如近似为25μm。例如具有厚度t的最窄的边缘能够邻近致动器层324，例如邻近致动器层324的与被接合到集成电路插入层104的表面垂直的表面。

尽管未示出，柔性电路201能够邻近基板103以利于稳定性。柔性电路201能够与致动器层324上的输入电极810电连接。一种导电材料的熔珠例如焊剂能够用以将柔性电路201与输入电极810电连接。另外，每个流体喷射器100需要仅一个挠曲部。

在图13中示出了柔性电路201、集成电路插入层104和裸片103的连接图。来自柔性电路201的信号被发送通过输入电极810、传输通过引线222c到达集成电路插入层104、在集成电路插入层104例如在集成电路元件202处被处理、并在引线222a处被输出以激活致动器401的上部电极194并由此驱动致动器401。

集成电路元件202能够包括数据触发器、锁存触发器、OR门和开关。集成电路插入层104中的逻辑电路能够包括时钟线、数据线、all-on线和电源线。通过经由数据线将数据发送到数据触发器来处理信号。时钟线然后随数据进入而为数据提供同步脉冲。数据以串行方式进入，使得数据的进入第一触发器的第一个位在数据的下一个位进入时向下偏转。在全部的数据触发器包含数据之后，通过锁存线发送某一脉冲，以使数据从数据触发器移动到锁存触发器并移动到流体喷射元件401。如果来自锁存触发器的信号为高，则开关接通并且发送信号以驱动流体喷射元件401。如果该信号为低，则开关保持断开并且流体喷射元件401不被激活。

如上面注意到的，流体喷射器100能进一步包括下部壳体322，如图14中所示。流体入口101和流体出口102能够以沿着下部壳体322的长度l的两条平行的线延伸。每条线，即流体入口101或者流体出口102的线能够延伸接近下部壳体322的边缘。

竖向流体入口101能够接通到下部壳体322的水平流体入口通道476。同样，竖向流体出口102能够接通到下部壳体322的水平流体出口通道472(图14中未示出)。流体入口通道476和流体出口通道472能够具有彼此相同的形状和容积。流体入口通道和入口一起能够为大体上的“L”形。另外，流体入口通道476和流体出口通道472中的每一个能够横跨下部壳体322的宽度w相互平行地行进，从而延伸过例如壳体组件的宽度的70-99％，例如80-95％，或者85％。另外，流体入口通道476和流体出口通道472能够横跨下部壳体322的长度l交替。

流体入口通道476和流体出口通道472每个均能够在相同方向上延伸，即沿着平行的轴线延伸。而且，如图4中所示，流体入口通道476中每一个能够连接到多个流体入口通路176。每个流体入口通道176能够相对于流体入口通道476垂直延伸。同样，每个流体出口通道472能够连接到多个流体出口通路172，流体出口通路172中每一个相对于流体出口通道472垂直地延伸。

来自流体供给源的流体由此能流入流体入口室132、通过壳体322的中的流体入口101、通过下部壳体322的流体入口通道476、通过流体喷射模块103的多个流路、通过下部壳体322的流体出口通道472、流出出口102、流入出口室136并流到流体回路。

图15A至图15T示出了制造流体喷射器100的示例性方法。下部电极190被溅射到具有薄膜180的晶圆122上，例如诸如硅上氧化物(SOI)晶圆的半导体晶圆(见图15A)。然后，压电层192被溅射到整个下部电极190上(见图15B)，并被蚀刻(见图15C)。下部电极190能够被蚀刻(见图15D)并且施加底部保护层214(见图15E)。然后，上部电极194能够被溅射且被蚀刻(见图15F)，并且施加上部保护层210(见图15G)。然后能够施加用以保护流路124不受泄漏的流体影响的屏蔽材料806，而在其间形成孔802(见图15H)。然后，孔702能够被蚀刻到薄膜层180中(见图15I)，使得它们与孔802对准。可选地，能够使用氧化物层288作为抗蚀层。

集成电路插入层104例如ASIC晶圆能够形成有集成电路元件202和引线222a、222b和222c(见图15J)。如图15K和图15L所示，孔902能够例如使用深反应离子蚀刻处理而被蚀刻到集成电路插入层104中，以形成流路的一部分。孔902能够首先被蚀刻到集成电路插入层104的底部表面，即包含集成电路元件202的表面(见图15K)。然后，通过从集成电路插入层104的顶部蚀刻更大直径的孔而完成孔902(见图15L)。所述更大直径的孔使得蚀刻过程更容易，并且允许沿孔902溅射保护性金属层，以保护孔902不受流体侵蚀的影响。

在蚀刻过程之后，集成电路插入层104和晶圆122能够用旋涂粘结剂接合在一起，例如BCB或者聚酰亚胺或者环氧基树脂(见图15M)。替代地，所述粘结剂能够被喷射到集成电路插入层104和晶圆122上。进行集成电路插入层104与晶圆122的接合，使得集成电路插入层的孔902、泵送室层的孔802和薄膜层180的孔702能够对准，以形成流体入口通路172和流体出口通路176。

然后，晶圆122的操作层601能够被接地并被抛光(见图15N)。尽管未示出，集成电路插入层104在研磨期间需要被保护。包括泵送室入口276和泵送室出口272的泵送室174能够从晶圆122的底部被蚀刻到晶圆122中，即在集成电路插入层104的反向侧上(见图15O)。可选地，能够使用氧化物层288作为抗蚀层。然后，包括已经被蚀刻到喷嘴层184中的喷嘴126的喷嘴晶圆608能够通过低温接合处理被接合到晶圆122，例如利用环氧基树脂的接合处理，例如PCB，或者使用低温等离子激活接合处理。(见图15P)例如，喷嘴层能够在约200°和300°之间的温度下接合到晶圆122，以避免损伤已经与所述结构接合的压电层122。然后，喷嘴晶圆608的喷嘴操作层604能够被接地并被抛光，可选地使用氧化物层作为抗蚀层(见图15Q)。同样，尽管未示出，集成电路插入层104在研磨期间需要被保护。然后，能够通过移除氧化物层284打开喷嘴(见图15R)。如上面注意到的，喷嘴层184和泵送室层326也能够由光固化膜形成。

最后，晶圆能够被分割(见图15Q)，即被切割成为若干裸片103，例如具有矩形形状、平行四边形形状或梯形形状的裸片。如图16中所示，流体喷射器100的裸片103足够小，例如宽度近似为5-6mm而长度近似为30-40mm，使得在150mm的晶圆上能够形成每个均具有至少300个泵送室的至少40个裸片。例如，如图16中所示，从单个200mm的晶圆160能够形成88个裸片103。然后，挠曲部201被附接到流体喷射器(见图15T)。

这里所述的制造步骤不必要以所列出的次序执行。该制造比具有更多硅的流体喷射器成本低。

这里描述了流体喷射器100，所述流体喷射器100例如在泵送室和喷嘴之间没有下降部、具有与裸片分开并包括逻辑电路以控制裸片中的致动器的喷射的层、并且在壳体中而不是在裸片具有流体入口通道和流体出口通道，其可为低成本的，能够打印高品质的图像，并且能够高速打印。例如，通过在喷嘴和泵送室之间不具有下降部，流体能够快速地穿过所述层行进，由此允许高频率的流体喷射，例如低驱动电压下的180kHz到390kHz的频率，例如小于20V，例如为17V。同样，通过在泵送室层中不具有上升部，能够使泵送室层变薄。这样的设计能够允许从具有大于15μm的宽度的喷嘴中形成2pl或更小的微滴大小。

另外，通过在集成电路插入层中而不是在基板上具有逻辑电路，在基板上能够存在更少的布线和电连接部，使得能够形成高密度的泵送室和喷嘴矩阵。同样，通过在泵送室层中具有仅泵送室入口和泵送室出口而不具有例如上升部，能够形成高密度的泵送室和喷嘴矩阵。因此，在打印介质上能够形成大于600的dpi，并且每六英寸的晶圆能够形成至少88个裸片。

通过在壳体中而不是基板中具有流体入口通道和出口通道，能够使流体通道之间的相互影响最小化。最后，通过使用光固化膜而不是硅，以及通过不包括额外的硅，例如插入层，能够将流体喷射器的成本保持为低。

已经描述了具体的实施方式。其它的实施方式包含在下面权利要求书的范围内。

Claims (35)

1.一种流体喷射器，包括：

流体喷射模块，包括基板，所述基板具有以矩阵形式布置的多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从喷嘴被喷射；和

微芯片，连接至所述基板，包括多个电连接部和多个集成开关元件，所述多个电连接部和所述多个集成开关元件设置成对应流体喷射元件的矩阵的矩阵形式，并且每个电连接部具有关联的、连接至电连接部的集成开关元件，并且其中每对电连接部和关联的集成开关元件邻近相应的流体喷射元件，

其中，每个流体喷射元件连接至对应的入口通道和对应的出口通道，所述入口通道和出口通道穿过所述微芯片。

2.根据权利要求1所述的流体喷射器，其中所述微芯片进一步包括多个穿过所述微芯片的流路。

3.根据权利要求2所述的流体喷射器，其中所述多个流路被涂覆屏蔽材料。

4.根据权利要求3所述的流体喷射器，其中所述屏蔽材料包括钛、钽、氧化铝或者氧化硅。

5.根据权利要求1所述的流体喷射器，进一步包括在所述微芯片与所述流体喷射模块之间的屏蔽层。

6.根据权利要求1所述的流体喷射器，其中所述微芯片进一步包括构造为控制所述多个集成开关元件的逻辑电路。

7.根据权利要求1所述的流体喷射器，其中每个流体喷射元件被定位成邻近至少一个开关元件。

8.根据权利要求7所述的流体喷射器，其中每个流体喷射元件对应两个开关元件。

9.根据权利要求1所述的流体喷射器，进一步包括多个金凸块，每个金凸块构造为接触流体喷射元件的电极。

10.一种流体喷射器，包括：

流体喷射模块，包括基板，所述基板具有第一多个流路和多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从相应流路的喷嘴被喷射，所述多个流体喷射元件设置成矩阵形式；和

集成电路插入层，安装在所述流体喷射模块上，所述集成电路插入层包括：

多个电连接部和多个集成开关元件，所述多个电连接部和所述多个集成开关元件设置成对应流体喷射元件的矩阵的矩阵形式，并且每个电连接部具有关联的、连接至电连接部的集成开关元件，并且其中每对电连接部和关联的集成开关元件邻近相应的流体喷射元件，

与所述第一多个流路流体连接的第二多个流路，

其中所述集成电路插入层与所述流体喷射模块电连接，从而所述流体喷射模块的电连接使得能够将发送到所述流体喷射模块的信号被传输到所述集成电路插入层、在所述集成电路插入层上被处理、并且输出到所述流体喷射模块以驱动所述多个流体喷射元件中的至少一个，

其中，所述第二多个流路包括对应于每个流体喷射元件的入口通道和出口通道，所述入口通道和出口通道穿过所述集成电路插入层。

11.根据权利要求10所述的流体喷射器，其中所述第二多个流路被涂覆屏蔽材料。

12.根据权利要求11所述的流体喷射器，其中所述屏蔽材料包括钛、钽、氧化铝或者氧化硅。

13.根据权利要求10所述的流体喷射器，进一步包括在所述集成电路插入层与所述流体喷射模块之间的屏蔽层。

14.根据权利要求10所述的流体喷射器，其中所述集成电路插入层进一步包括构造为控制所述多个集成开关元件的逻辑电路。

15.根据权利要求10所述的流体喷射器，其中每个流体喷射元件被定位成邻近至少一个开关元件。

16.根据权利要求15所述的流体喷射器，其中每个流体喷射元件对应两个开关元件。

17.根据权利要求10所述的流体喷射器，进一步包括多个金凸块，每个金凸块构造为接触对应的流体喷射元件的电极。

18.一种流体喷射器，包括：

流体喷射模块，包括：基板，所述基板具有多个流路，每个流路包括与喷嘴流体连接的泵送室；和设置为矩阵形式的多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从相应流路的喷嘴被喷射,其中一轴线在第一方向上延伸穿过所述泵送室和所述喷嘴；和

集成电路插入层，具有：多个电连接部和多个集成开关元件，所述多个电连接部和所述多个集成开关元件设置成对应流体喷射元件的矩阵的矩阵形式，并且每个电连接部具有关联的、连接至电连接部的集成开关元件，所述集成电路插入层安装在流体喷射模块上，使得每对电连接部和关联的集成开关元件沿着所述第一方向与所述多个泵送室中的一个对应的泵送室对准，所述集成开关元件与所述流体喷射模块电连接，从而所述流体喷射模块的电连接使得能够将发送到所述流体喷射模块的信号传输到所述集成电路插入层、在所述集成电路插入层上被处理、并且输出到所述流体喷射模块，以驱动所述多个流体喷射元件中的至少一个，

其中，每个流体喷射元件连接至对应的入口通道和对应的出口通道，所述入口通道和出口通道穿过所述集成电路插入层。

19.根据权利要求18所述的流体喷射器，其中所述集成电路插入层进一步包括多个穿过所述层的流路。

20.根据权利要求19所述的流体喷射器，其中每个泵送室与至少一个流路流体连接，所述至少一个流路在第一方向上沿着第二轴线延伸，所述第二轴线不同于延伸通过所述泵送室的所述轴线。

21.根据权利要求19所述的流体喷射器，其中每个泵送室与两个流路流体连接。

22.根据权利要求18所述的流体喷射器，其中所述多个流路被涂覆屏蔽材料。

23.根据权利要求22所述的流体喷射器，其中所述屏蔽材料包括钛、钽、氧化铝或者氧化硅。

24.根据权利要求18所述的流体喷射器，进一步包括在所述集成电路插入层与所述流体喷射模块之间的屏蔽层。

25.根据权利要求18所述的流体喷射器，其中所述集成电路插入层进一步包括构造为控制所述多个集成开关元件的逻辑电路。

26.根据权利要求25所述的流体喷射器，其中每个流体喷射元件对应两个开关元件。

27.根据权利要求18所述的流体喷射器，进一步包括多个金凸块，每个金凸块构造为接触流体喷射元件的电极。

28.一种流体喷射器，包括：

流体喷射模块，包括：基板，所述基板具有多个流路，每个流路包括与喷嘴流体连接的泵送室；和设置成矩阵形式的多个流体喷射元件，每个流体喷射元件构造为引起流体从相应流路的喷嘴被喷射；

集成电路插入层，安装在所述流体喷射模块上并且与所述流体喷射模块电连接，所述集成电路插入层包括：多个电连接部和多个集成开关元件，所述多个电连接部和所述多个集成开关元件设置成对应流体喷射元件的矩阵的矩阵形式，并且每个电连接部具有关联的、连接至电连接部的集成开关元件，并且其中每对电连接部和关联的集成开关元件邻近相应的流体喷射元件；和

柔性元件，电连接到所述流体喷射模块，从而到所述流体喷射模块的电连接使得能够将从所述柔性元件到所述流体喷射模块的信号传输到所述集成电路插入层、在所述集成电路插入层上被处理、并且输出到所述流体喷射模块以驱动所述多个流体喷射元件中的至少一个。

29.根据权利要求28所述的流体喷射器，其中所述集成电路插入层具有比所述流体喷射模块的宽度小的宽度，使得所述流体喷射模块包括凸缘，并且所述柔性元件附接到所述流体喷射模块的所述凸缘，所述凸缘邻近所述集成电路插入层。

30.根据权利要求28所述的流体喷射器，其中所述柔性元件形成在塑料基板上。

31.根据权利要求28所述的流体喷射器，其中所述柔性元件是柔性电路。

32.根据权利要求28所述的流体喷射器，进一步包括导电材料，所述导电材料邻近并导电连接于所述柔性元件上的导电元件，并且所述导电材料邻近并导电连接于所述流体喷射模块上的导电元件。

33.根据权利要求28所述的流体喷射器，其中所述基板包括硅。

34.根据权利要求1所述的流体喷射器，其中，所述多个集成开关元件设置在所述矩阵的多个列中，并且还包括多个对地触点，每个触点电连接至集成开关元件的列中的一个对应列。

35.根据权利要求34所述的流体喷射器，所述多个对地触点设置为接近微芯片的边缘。