JP5863910B1 - 素子基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速描画可能な素子基板を高い歩留りで製造する。【解決手段】素子基板1の製造方法は、基板14の所定の面上に、該所定の面の一部が露出するように第1および第2のレジスト15,16を形成する工程と、第1および第2のレジスト15,16をマスクとして基板14にエッチングを施し基板14に第1の凹部17を形成する工程と、第2のレジスト16を除去し、基板14の、第1の凹部17とは異なる部分を露出させる工程と、第1のレジスト15をマスクとして基板14にエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第1の凹部17に連通する第2の凹部18を基板14に形成する工程と、吐出口形成部材11で第1および第2の凹部17,18の開口を覆い、圧力室3を第1の凹部17と吐出口形成部材12とで形成し、絞り部6を第2の凹部18と吐出口形成部材12とで形成する工程と、を含む。【選択図】図1
Description
本発明は、液体を吐出する素子基板を製造する方法に関する。
インクなどの液体を吐出して記録媒体に画像を記録する液体吐出装置には、一般に、素子基板を備える液体吐出ヘッドが搭載されている。
素子基板から液体を吐出させる機構として、圧電素子によって収縮する圧力室を利用したものが知られている。このような機構を備える素子基板では、圧力室の壁が振動板からなる。圧電素子に電圧を印加して圧電素子を変形させることにより当該振動板が撓み、圧力室が収縮および膨張する。圧力室の収縮により圧力室内の液体に圧力が作用し、圧力室に連通する吐出口から当該液体が吐出される。
素子基板には供給路が形成されており、液体は供給路から圧力室に供給される。供給路は、液体の流れ方向と交わる断面(以下「流路断面」という)が圧力室の流路断面よりも小さく形成されており、絞り部として機能する。供給路を絞り部として利用することで、圧力室に流入する液体の流路抵抗が一定に保たれ、素子基板の吐出特性が安定することが知られている。
近年、高速描画可能な液体吐出装置が求められている。高速描画を行うためには、各圧力室の吐出周期を短くする必要がある。吐出周期の短縮化に対応して、吐出に関わる液体の体積すなわち圧力室の容積を小さくして液体のコンプライアンスを低減させることが提案されている。コンプライアンスの低減により圧力室の固有周波数が上昇し、吐出周期が短縮化されても効率よく液体を吐出することが可能になる。
また、圧力室の小型化に対応して絞り部の流路断面をより小さくした構成が提案されている(特許文献1)。特許文献1に開示される素子基板では、振動板と吐出口形成部材との間に絞り部と圧力室とが形成されている。振動板と吐出口形成部材との間の距離を短くすることで絞り部の流路断面および圧力室の容積が小さくなる。したがって、素子基板の吐出特性の安定性を低下させることなく圧力室の周波数応答を速めることができる。
素子基板から液体を吐出させる機構として、圧電素子によって収縮する圧力室を利用したものが知られている。このような機構を備える素子基板では、圧力室の壁が振動板からなる。圧電素子に電圧を印加して圧電素子を変形させることにより当該振動板が撓み、圧力室が収縮および膨張する。圧力室の収縮により圧力室内の液体に圧力が作用し、圧力室に連通する吐出口から当該液体が吐出される。
素子基板には供給路が形成されており、液体は供給路から圧力室に供給される。供給路は、液体の流れ方向と交わる断面(以下「流路断面」という)が圧力室の流路断面よりも小さく形成されており、絞り部として機能する。供給路を絞り部として利用することで、圧力室に流入する液体の流路抵抗が一定に保たれ、素子基板の吐出特性が安定することが知られている。
近年、高速描画可能な液体吐出装置が求められている。高速描画を行うためには、各圧力室の吐出周期を短くする必要がある。吐出周期の短縮化に対応して、吐出に関わる液体の体積すなわち圧力室の容積を小さくして液体のコンプライアンスを低減させることが提案されている。コンプライアンスの低減により圧力室の固有周波数が上昇し、吐出周期が短縮化されても効率よく液体を吐出することが可能になる。
また、圧力室の小型化に対応して絞り部の流路断面をより小さくした構成が提案されている(特許文献1)。特許文献1に開示される素子基板では、振動板と吐出口形成部材との間に絞り部と圧力室とが形成されている。振動板と吐出口形成部材との間の距離を短くすることで絞り部の流路断面および圧力室の容積が小さくなる。したがって、素子基板の吐出特性の安定性を低下させることなく圧力室の周波数応答を速めることができる。
特許文献1に開示される技術では、圧力室と、絞り部として機能する流入口および流出口は、振動板上のシリコン層に形成された穴溝を吐出口形成部材で塞ぐことによって形成される。圧力室および絞り部に対応する溝は、シリコン層を振動板とは反対の側からエッチングを施すことにより同時に形成される。そのため、絞り部に対応する溝の深さは、圧力室に対応する溝の深さと同じになる。絞り部の流路抵抗を確保するためには、絞り部に対応する溝の幅(液体の流れ方向および溝の深さ方向と交わる方向の寸法を言う。以下、同じ)が、圧力室に対応する溝の幅よりも狭くなければならない。
幅が狭く深い溝の形成は比較的困難であり、溝の幅にバラツキが生じやすい。溝の幅のバラツキは絞り部の流路抵抗がばらつき、所望の吐出特性に影響を与える。このような理由から、特許文献1に開示される製造方法では、より高い精度でシリコン層を加工することが必要とされ、歩留まりが悪いとの課題がある。
本発明の目的は、高速描画可能な素子基板を高い歩留りで製造することができる方法を提供することにある。
幅が狭く深い溝の形成は比較的困難であり、溝の幅にバラツキが生じやすい。溝の幅のバラツキは絞り部の流路抵抗がばらつき、所望の吐出特性に影響を与える。このような理由から、特許文献1に開示される製造方法では、より高い精度でシリコン層を加工することが必要とされ、歩留まりが悪いとの課題がある。
本発明の目的は、高速描画可能な素子基板を高い歩留りで製造することができる方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、液体を吐出する吐出口が形成された吐出口形成部材と、吐出口から吐出される液体を貯留し吐出圧力を発生する圧力室と、圧力室に連通する絞り部と、を形成する流路形成部材と、を備える素子基板の製造方法であって、流路形成部材となる基板の所定の面上に、該所定の面の一部が露出するように第1および第2のレジストを形成する工程と、第1および第2のレジストをマスクとして基板にエッチングを施し該基板に第1の凹部を形成する工程と、第2のレジストを除去し、基板の、第1の凹部とは異なる部分を露出させる工程と、第1のレジストをマスクとして基板にエッチングを施し、第1の凹部を深くするとともに第1の凹部に連通する第2の凹部を基板に形成する工程と、吐出口形成部材で第1および第2の凹部の開口を覆い、圧力室を第1の凹部と吐出口形成部材とで形成し、絞り部を第2の凹部と吐出口形成部材とで形成する工程と、を含む。
本発明によれば、第1および第2のレジストをマスクとして基板にエッチングを施した後に、第2のレジストを除去し、第1のレジストのみをマスクとして基板にエッチングを施すので、同一基板上に第1の凹部と、第1の凹部よりも浅い第2の凹部を形成することができる。第1の凹部を圧力室とし第2の凹部を絞り部とするので、絞り部の流路幅を広くすることが可能になり、絞り部の流路幅のバラツキを抑制できる。その結果、簡単な加工で吐出特性の安定した素子基板を製造することが可能になる。
本発明によれば、第1および第2のレジストをマスクとして基板にエッチングを施した後に、第2のレジストを除去し、第1のレジストのみをマスクとして基板にエッチングを施すので、同一基板上に第1の凹部と、第1の凹部よりも浅い第2の凹部を形成することができる。第1の凹部を圧力室とし第2の凹部を絞り部とするので、絞り部の流路幅を広くすることが可能になり、絞り部の流路幅のバラツキを抑制できる。その結果、簡単な加工で吐出特性の安定した素子基板を製造することが可能になる。
本発明によれば、高速描画可能な素子基板を高い歩留りで製造することができる。
以下に、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1(a)ないし(g)は本発明に係る素子基板の製造方法を説明するための図であり、特に本発明に深く関連する工程を側断面図で示している。図2(a)は本発明を用いて製造される素子基板の側断面図であり、図2(b)は図2(a)に示される素子基板をx−x’面で切断したときの断面図である。
図2に示されるように、素子基板1は、液体を吐出する吐出口2と、吐出口2から吐出される液体を貯留し該液体に吐出圧力を作用させる圧力室3と、を含む。圧力室3の壁の1つは振動板4からなる。振動板4には作動部5が接合されており、作動部5が作動することで振動板4が変形し、圧力室3内の液体に圧力が作用する。
また、素子基板1は、圧力室3と連通する絞り部6と、絞り部6から不図示の共通液室まで延びる連通孔7と、を含む。液体は、共通液室から連通孔7および絞り部6を経て圧力室3に供給される。
絞り部6は圧力室3よりも浅く(絞り部6の深さAは圧力室3の深さBよりも小さく)、絞り部6の流路断面は圧力室3の流路断面よりも小さい。したがって、絞り部6は、絞り部6から圧力室3に流入する液体の流路抵抗を一定に保つように機能する。絞り部6内の液体は比較的大きな慣性を持つので、圧力室3内の液体に圧力が加えられた際に当該液体の多くが吐出口2へ向かう。
絞り部6は、圧力室3よりも幅が狭い(絞り部6の流路幅Cは圧力室3の流路幅Dよりも小さい)ことがより好ましい。絞り部6の流路断面を、圧力室3の流路断面よりもより小さくすることができ、絞り部6の機能をより向上させることができる。
なお、絞り部6の深さBおよび流路幅Cは、圧力室3の流路断面の面積、圧力室3の体積、アクチュエータ部の特性、吐出口2の仕様、吐出される液体の粘度、吐出周波数、および加工精度などにより適宜設定される。
(第1の実施形態)
図1(a)ないし(g)は本発明に係る素子基板の製造方法を説明するための図であり、特に本発明に深く関連する工程を側断面図で示している。図2(a)は本発明を用いて製造される素子基板の側断面図であり、図2(b)は図2(a)に示される素子基板をx−x’面で切断したときの断面図である。
図2に示されるように、素子基板1は、液体を吐出する吐出口2と、吐出口2から吐出される液体を貯留し該液体に吐出圧力を作用させる圧力室3と、を含む。圧力室3の壁の1つは振動板4からなる。振動板4には作動部5が接合されており、作動部5が作動することで振動板4が変形し、圧力室3内の液体に圧力が作用する。
また、素子基板1は、圧力室3と連通する絞り部6と、絞り部6から不図示の共通液室まで延びる連通孔7と、を含む。液体は、共通液室から連通孔7および絞り部6を経て圧力室3に供給される。
絞り部6は圧力室3よりも浅く(絞り部6の深さAは圧力室3の深さBよりも小さく)、絞り部6の流路断面は圧力室3の流路断面よりも小さい。したがって、絞り部6は、絞り部6から圧力室3に流入する液体の流路抵抗を一定に保つように機能する。絞り部6内の液体は比較的大きな慣性を持つので、圧力室3内の液体に圧力が加えられた際に当該液体の多くが吐出口2へ向かう。
絞り部6は、圧力室3よりも幅が狭い(絞り部6の流路幅Cは圧力室3の流路幅Dよりも小さい)ことがより好ましい。絞り部6の流路断面を、圧力室3の流路断面よりもより小さくすることができ、絞り部6の機能をより向上させることができる。
なお、絞り部6の深さBおよび流路幅Cは、圧力室3の流路断面の面積、圧力室3の体積、アクチュエータ部の特性、吐出口2の仕様、吐出される液体の粘度、吐出周波数、および加工精度などにより適宜設定される。
作動部5は、圧電素子8と、圧電素子8を挟んで向かい合う第1および第2の電極9,10と、を含み、第1の電極9が振動板4に接合されている。第1の電極9は例えば共通電極であり、第2の電極10は例えば個別電極である。第1の電極9および第2の電極10は不図示の配線と接続されており、当該配線は素子基板1の外部の制御回路へ引き出されている。
素子基板1の作動時には、電気信号が制御回路から不図示の配線を通って第1の電極9および第2の電極10に伝わる。これにより圧電素子8に電圧が印加され、圧電素子8が変形する。圧電素子8の変形に応じて振動板4が撓み、圧力室3が収縮および膨張する。圧力室3の収縮に伴って圧力室3内の液体に圧力が作用し、当該液体が吐出口2から吐出される。
吐出口2は、吐出口形成部材11に形成された貫通穴からなる。吐出口形成部材11は振動板4と間隔をおいて対向して配されている。吐出口形成部材11と振動板4との間には流路形成部材12が配されており、圧力室3および絞り部6は、振動板4と流路形成部材12と吐出口形成部材11とで画定されている。流路形成部材12、振動板4、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10からなる部材はアクチュエータ基板13とも呼ばれる。吐出口形成部材11およびアクチュエータ基板13は、吐出口2と作動部5とが対向するように積層されていることが好ましい。
なお、図2に示される例では、圧力室3の平面形状は略長方形であるが、圧力室3の平面形状はこの限りでなく、略平行四辺形や略台形あるいは略楕円形、略長円形など、様々な形状であってもよい。
素子基板1の作動時には、電気信号が制御回路から不図示の配線を通って第1の電極9および第2の電極10に伝わる。これにより圧電素子8に電圧が印加され、圧電素子8が変形する。圧電素子8の変形に応じて振動板4が撓み、圧力室3が収縮および膨張する。圧力室3の収縮に伴って圧力室3内の液体に圧力が作用し、当該液体が吐出口2から吐出される。
吐出口2は、吐出口形成部材11に形成された貫通穴からなる。吐出口形成部材11は振動板4と間隔をおいて対向して配されている。吐出口形成部材11と振動板4との間には流路形成部材12が配されており、圧力室3および絞り部6は、振動板4と流路形成部材12と吐出口形成部材11とで画定されている。流路形成部材12、振動板4、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10からなる部材はアクチュエータ基板13とも呼ばれる。吐出口形成部材11およびアクチュエータ基板13は、吐出口2と作動部5とが対向するように積層されていることが好ましい。
なお、図2に示される例では、圧力室3の平面形状は略長方形であるが、圧力室3の平面形状はこの限りでなく、略平行四辺形や略台形あるいは略楕円形、略長円形など、様々な形状であってもよい。
次に、本発明に係る素子基板の製造方法を図1(a)ないし(g)を参照して説明する。図1(a)ないし(g)では、わかりやすくするために、圧力室3、絞り部6および連通孔7となる領域が破線で示されている。
まず、図1(a)に示すように、シリコン単結晶基板からなる基板14上に、駆動層となる振動板4、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10を形成する。基板14は、流路形成部材12(図2参照)となる部材である。このとき、振動板4および第1の電極9を、後の工程で形成される連通孔7に対向する領域Eにおいて開口しておくことが好ましい。
次に、図1(b)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて第1のレジスト15を基板14の所定の面に形成する。このとき、基板14のうち圧力室3、絞り部6および連通孔7に対応する部分が露出するように第1のレジスト15が形成される。
第1のレジスト15としては、一般的なフォトレジストや感光性ドライフィルムといった薄膜(有機系の感光性樹脂膜)が挙げられる。あるいは、第1のレジスト15として、Cr、Al等の金属膜やSiO2、SiN、TaN等の無機系の酸化膜および窒化膜等を用いることができる。
次に、図1(c)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて第2のレジスト16を形成する。このとき、基板14のうち圧力室3および連通孔7に対応する部分が露出するように第2のレジスト16が形成される。言い換えれば、第2のレジスト16は、基板14のうち絞り部6に対応する部分を覆う。
第2のレジスト16としては、第1のレジスト15と同様、一般的なフォトレジストや感光性ドライフィルムといった薄膜(有機系の感光性樹脂膜)が挙げられる。あるいは、第2のレジスト16として、Cr、Al等の金属膜やSiO2、SiN、TaN等の無機系の酸化膜および窒化膜等を用いることができる。
第2のレジスト16の材料を、形成済みの第1のレジスト15を考慮して決定することが好ましい。具体的には、第1および第2のレジストの少なくとも一方を無機系の薄膜とし他方を有機系の薄膜とすることが好ましい。
本実施形態では、第1のレジスト15としてSiO2(無機系の薄膜)を使用し、第2のレジスト16として、形成済の第1のレジスト15を考慮して、ポジタイプのフォトレジスト(有機系の薄膜)を使用する。
まず、図1(a)に示すように、シリコン単結晶基板からなる基板14上に、駆動層となる振動板4、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10を形成する。基板14は、流路形成部材12(図2参照)となる部材である。このとき、振動板4および第1の電極9を、後の工程で形成される連通孔7に対向する領域Eにおいて開口しておくことが好ましい。
次に、図1(b)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて第1のレジスト15を基板14の所定の面に形成する。このとき、基板14のうち圧力室3、絞り部6および連通孔7に対応する部分が露出するように第1のレジスト15が形成される。
第1のレジスト15としては、一般的なフォトレジストや感光性ドライフィルムといった薄膜(有機系の感光性樹脂膜)が挙げられる。あるいは、第1のレジスト15として、Cr、Al等の金属膜やSiO2、SiN、TaN等の無機系の酸化膜および窒化膜等を用いることができる。
次に、図1(c)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて第2のレジスト16を形成する。このとき、基板14のうち圧力室3および連通孔7に対応する部分が露出するように第2のレジスト16が形成される。言い換えれば、第2のレジスト16は、基板14のうち絞り部6に対応する部分を覆う。
第2のレジスト16としては、第1のレジスト15と同様、一般的なフォトレジストや感光性ドライフィルムといった薄膜(有機系の感光性樹脂膜)が挙げられる。あるいは、第2のレジスト16として、Cr、Al等の金属膜やSiO2、SiN、TaN等の無機系の酸化膜および窒化膜等を用いることができる。
第2のレジスト16の材料を、形成済みの第1のレジスト15を考慮して決定することが好ましい。具体的には、第1および第2のレジストの少なくとも一方を無機系の薄膜とし他方を有機系の薄膜とすることが好ましい。
本実施形態では、第1のレジスト15としてSiO2(無機系の薄膜)を使用し、第2のレジスト16として、形成済の第1のレジスト15を考慮して、ポジタイプのフォトレジスト(有機系の薄膜)を使用する。
次に、図1(d)に示すように、第1のレジスト15および第2のレジスト16をマスクとして、基板14にエッチングを施し、第1の凹部17を形成する(第1のエッチング工程)。第1の凹部17は基板14を貫通しないように基板14の途中まで形成される。基板14への凹部の形成は、深掘加工(Deep−RIE)とも呼ばれる。
次に、図1(e)に示すように、第2のレジスト16を剥離液等で除去し、基板14の、第1の凹部17とは異なる部分を露出させる。
次に、図1(f)に示すように、残された第1のレジスト15をマスクとして基板14にエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第2の凹部18を基板14に形成する(第2のエッチング工程)。第1の凹部17は振動板4に達しており、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
本実施形態では、第1および第2のエッチング工程において、基板14にドライエッチングを施す。ドライエッチングは、プラズマ反応性イオンエッチング装置を使用して、SF6ガスによるSiのエッチング処理とC4F8ガスによる側壁保護の形成と、を繰り返し行う処理である。ドライエッチングにより、第1の凹部17および第2の凹部18をより高い精度で形成することができる。
次に、図1(g)に示すように、吐出口2が形成された吐出口形成部材11を、第1の凹部17の開口および第2の凹部18の開口を覆うように流路形成部材12に取り付ける。圧力室3および連通孔7が第1の凹部17と吐出口形成部材11とで形成され、絞り部6が第2の凹部18と吐出口形成部材11とで形成される。吐出口形成部材11は、吐出口と作動部5とが対向するように配置されることが好ましい。
なお、本実施形態においては、吐出口形成部材11は、第1のレジスト15を除去することなく流路形成部材12に取り付けられているが、第1のレジスト15を除去しても構わない。
次に、図1(e)に示すように、第2のレジスト16を剥離液等で除去し、基板14の、第1の凹部17とは異なる部分を露出させる。
次に、図1(f)に示すように、残された第1のレジスト15をマスクとして基板14にエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第2の凹部18を基板14に形成する(第2のエッチング工程)。第1の凹部17は振動板4に達しており、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
本実施形態では、第1および第2のエッチング工程において、基板14にドライエッチングを施す。ドライエッチングは、プラズマ反応性イオンエッチング装置を使用して、SF6ガスによるSiのエッチング処理とC4F8ガスによる側壁保護の形成と、を繰り返し行う処理である。ドライエッチングにより、第1の凹部17および第2の凹部18をより高い精度で形成することができる。
次に、図1(g)に示すように、吐出口2が形成された吐出口形成部材11を、第1の凹部17の開口および第2の凹部18の開口を覆うように流路形成部材12に取り付ける。圧力室3および連通孔7が第1の凹部17と吐出口形成部材11とで形成され、絞り部6が第2の凹部18と吐出口形成部材11とで形成される。吐出口形成部材11は、吐出口と作動部5とが対向するように配置されることが好ましい。
なお、本実施形態においては、吐出口形成部材11は、第1のレジスト15を除去することなく流路形成部材12に取り付けられているが、第1のレジスト15を除去しても構わない。
本実施形態に係る製造方法では、第1のレジスト15および第2のレジスト16をマスクとして基板14にエッチングを施し、第2のレジスト16の除去後に第1のレジスト15をマスクとして基板14にエッチングを施している。これにより、圧力室3の深さBに対して絞り部6の深さAを小さくすることができるので、絞り部6の流路幅Cを広くすることが可能になる。このため、流路幅Cにばらつきが生じにくくなり、絞り部6の流路抵抗を安定させることができる。その結果、簡単な加工で吐出特性の安定した素子基板1を歩留まり良く製造することが可能になる。
基板14に第1および第2の凹部17,18を形成する際、基板14にウェットエッチング(異方性エッチング)を施してもよいが、ドライエッチングを施すことがより好ましい。ドライエッチングによる深掘加工を用いることで、第1および第2の凹部17,18の側壁を振動板4に対してほぼ垂直に形成することができる。これにより、ウェットエッチングのように凹部の側壁が振動板4に対して傾斜することが無くなり、吐出口2をより高い面積効率で配置することが可能になる。
なお、本実施形態では、第2のレジスト16を、第1のレジスト15とは異なる材質とし、第1のレジスト15を形成する工程とは異なる工程で形成しているが、本発明はこの形態に限られない。本発明は、第1および第2のレジスト15,16を1つのレジストとして同じ材質でかつ同じ工程で形成した形態であってもよい。この形態では、第1の凹部17を形成した後で当該1つのレジストの一部(第2のレジスト16に相当に相当する部分)を除去し、残ったレジスト(第1のレジスト15に相当する部分)をマスクとして基板14にエッチングを施せばよい。
また、本発明は、圧電素子によって収縮する圧力室を利用して液体を吐出する素子基板1の製造方法に限られず、発熱抵抗体が発する熱エネルギーを利用して液体を吐出する素子基板の製造方法にも適用することができる。
基板14に第1および第2の凹部17,18を形成する際、基板14にウェットエッチング(異方性エッチング)を施してもよいが、ドライエッチングを施すことがより好ましい。ドライエッチングによる深掘加工を用いることで、第1および第2の凹部17,18の側壁を振動板4に対してほぼ垂直に形成することができる。これにより、ウェットエッチングのように凹部の側壁が振動板4に対して傾斜することが無くなり、吐出口2をより高い面積効率で配置することが可能になる。
なお、本実施形態では、第2のレジスト16を、第1のレジスト15とは異なる材質とし、第1のレジスト15を形成する工程とは異なる工程で形成しているが、本発明はこの形態に限られない。本発明は、第1および第2のレジスト15,16を1つのレジストとして同じ材質でかつ同じ工程で形成した形態であってもよい。この形態では、第1の凹部17を形成した後で当該1つのレジストの一部(第2のレジスト16に相当に相当する部分)を除去し、残ったレジスト(第1のレジスト15に相当する部分)をマスクとして基板14にエッチングを施せばよい。
また、本発明は、圧電素子によって収縮する圧力室を利用して液体を吐出する素子基板1の製造方法に限られず、発熱抵抗体が発する熱エネルギーを利用して液体を吐出する素子基板の製造方法にも適用することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明に係る第2の実施形態について、図3ないし図9を参照して説明する。図3および図4は、第2の実施形態で用いられる基板14および駆動層の概略図である。図3(a)は基板14および駆動層の断面図であり、図3(b)は図3(a)に示される基板14および駆動層を矢印Fの方向から見た平面図である。図4(a)は図3に示される基板14および駆動層をy−y’面で切断したときの断面図であり、図4(b)は図3に示される基板14および駆動層をz−z’面で切断したときの断面図である。
なお、わかりやすくするために、図3および図4には、素子基板1の圧力室3、絞り部6および連通孔7(図2参照)となる領域が破線で示されている。
図3および図4に示されるように、シリコン単結晶基板からなる基板14上に駆動層となる振動板4、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10が形成されている。振動板4および第1の電極9を、後の工程で連通孔7に対向する領域Eにおいて開口している。
次に、本発明に係る第2の実施形態について、図3ないし図9を参照して説明する。図3および図4は、第2の実施形態で用いられる基板14および駆動層の概略図である。図3(a)は基板14および駆動層の断面図であり、図3(b)は図3(a)に示される基板14および駆動層を矢印Fの方向から見た平面図である。図4(a)は図3に示される基板14および駆動層をy−y’面で切断したときの断面図であり、図4(b)は図3に示される基板14および駆動層をz−z’面で切断したときの断面図である。
なお、わかりやすくするために、図3および図4には、素子基板1の圧力室3、絞り部6および連通孔7(図2参照)となる領域が破線で示されている。
図3および図4に示されるように、シリコン単結晶基板からなる基板14上に駆動層となる振動板4、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10が形成されている。振動板4および第1の電極9を、後の工程で連通孔7に対向する領域Eにおいて開口している。
図5ないし図9を用いて、第2の実施形態に係る製造方法を詳細に説明する。図5ないし図9は、本実施形態を説明するための断面図であり、各断面図は図4に示される断面図に対応している。
まず、図5(a)および(b)に示すように、基板14の、振動板4が配された面とは反対側の面にフォトリソグラフィ技術を用いて第1のレジスト15を形成する。このとき、第1のレジスト15に開口部が設けられる。開口部の幅D1は圧力室3の流路幅D(図2参照)に対応し、開口部の幅C1は絞り部6の流路幅C(図2参照)に対応する。第1のレジスト15として、第1の実施形態と同様にSiO2を使用する。
次に、図6(a)および(b)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて第2のレジスト16を基板14上および第1のレジスト15上に形成する。第2のレジスト16として、第1の実施形態と同様にポジタイプのフォトレジストを使用する。第2のレジスト16には、第1のレジスト15の開口部のうち幅D1を有する部分を露出し幅C1を有する部分を覆うように開口部が形成される。第2のレジスト16の開口部の幅D2は、第1のレジスト15に形成された開口部の幅D1よりも広い。
まず、図5(a)および(b)に示すように、基板14の、振動板4が配された面とは反対側の面にフォトリソグラフィ技術を用いて第1のレジスト15を形成する。このとき、第1のレジスト15に開口部が設けられる。開口部の幅D1は圧力室3の流路幅D(図2参照)に対応し、開口部の幅C1は絞り部6の流路幅C(図2参照)に対応する。第1のレジスト15として、第1の実施形態と同様にSiO2を使用する。
次に、図6(a)および(b)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて第2のレジスト16を基板14上および第1のレジスト15上に形成する。第2のレジスト16として、第1の実施形態と同様にポジタイプのフォトレジストを使用する。第2のレジスト16には、第1のレジスト15の開口部のうち幅D1を有する部分を露出し幅C1を有する部分を覆うように開口部が形成される。第2のレジスト16の開口部の幅D2は、第1のレジスト15に形成された開口部の幅D1よりも広い。
次に、図7(a)および(b)に示すように、第1のレジスト15および第2のレジスト16をマスクとして、基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を形成する(第1のエッチング工程)。第1の凹部17は、基板14を貫通しないように基板14の途中まで形成される。
基板14のうち圧力室3に対応する部分では、第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第1の凹部17は幅D1を有することになる。基板14のうち絞り部6に対応する部分は第2のレジスト16で覆われているので、当該部分ではエッチングは進行しない。
次に、図8(a)および(b)に示すように、第2のレジスト16を剥離液等で除去し、基板14の、第1の凹部17とは異なる部分を露出させる。
次に、図9(a)および(b)に示すように、残された第1のレジスト15をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第2の凹部18を形成する(第2のエッチング工程)。基板14のうち圧力室3に対応する部分では、第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第1の凹部17が幅D1のまま深くなる。基板14のうち絞り部6に対応する部分においても、第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第2の凹部18は幅C1を有することになる。第1の凹部17は振動板4に達しており、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
最後に、吐出口2が形成された吐出口形成部材11(図2参照)を、第1の凹部17の開口および第2の凹部18の開口を覆うように基板14(流路形成部材12)に取り付ける。圧力室3および連通孔7が第1の凹部17と吐出口形成部材11とで形成され、絞り部6が第2の凹部18と吐出口形成部材11とで形成される。吐出口形成部材11は、吐出口と作動部5とが対向するように配置されることが好ましい。
なお、本実施形態においては、吐出口形成部材11は、第1のレジスト15を除去することなく流路形成部材12に取り付けられているが、第1のレジスト15を除去しても構わない。
基板14のうち圧力室3に対応する部分では、第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第1の凹部17は幅D1を有することになる。基板14のうち絞り部6に対応する部分は第2のレジスト16で覆われているので、当該部分ではエッチングは進行しない。
次に、図8(a)および(b)に示すように、第2のレジスト16を剥離液等で除去し、基板14の、第1の凹部17とは異なる部分を露出させる。
次に、図9(a)および(b)に示すように、残された第1のレジスト15をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第2の凹部18を形成する(第2のエッチング工程)。基板14のうち圧力室3に対応する部分では、第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第1の凹部17が幅D1のまま深くなる。基板14のうち絞り部6に対応する部分においても、第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第2の凹部18は幅C1を有することになる。第1の凹部17は振動板4に達しており、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
最後に、吐出口2が形成された吐出口形成部材11(図2参照)を、第1の凹部17の開口および第2の凹部18の開口を覆うように基板14(流路形成部材12)に取り付ける。圧力室3および連通孔7が第1の凹部17と吐出口形成部材11とで形成され、絞り部6が第2の凹部18と吐出口形成部材11とで形成される。吐出口形成部材11は、吐出口と作動部5とが対向するように配置されることが好ましい。
なお、本実施形態においては、吐出口形成部材11は、第1のレジスト15を除去することなく流路形成部材12に取り付けられているが、第1のレジスト15を除去しても構わない。
液滴吐出ヘッドの作動時には、前述したように電気信号により圧電素子8が変形することで振動板4が変形する。その結果、圧力室3が収縮および膨張し、圧力室3の内部の液体に圧力が発生作用する。
素子基板1の吐出特性は、振動板4の振動領域の影響を受ける。振動板4の振動領域は、振動板4のうち圧力室3の壁をなす部分(以下「壁部分」と称す)の大きさに依存する。特に、振動板4の壁部分が長手軸を有する形状(例えば、略長方形、略平行四辺形、略台形、略楕円形および略長円形など)を有する場合、振動板4の振動領域は振動板4の壁部分の短手軸の寸法に支配される。また、絞り部6の流路幅のバラツキは流路抵抗のバラツキとなり吐出特性に影響を与える。
第2の実施形態においては、素子基板1の吐出特性への影響の高い、振動板4の壁部分の短手軸における寸法と絞り部6の流路幅を第1および第2のエッチング工程を通して1つのレジスト(第1のレジスト15)の開口部によって決定している。このため、振動板4の壁部分の短手軸における寸法、および絞り部6の流路幅のばらつきが抑制され、吐出特性のバラツキをさらに低減できる。
素子基板1の吐出特性は、振動板4の振動領域の影響を受ける。振動板4の振動領域は、振動板4のうち圧力室3の壁をなす部分(以下「壁部分」と称す)の大きさに依存する。特に、振動板4の壁部分が長手軸を有する形状(例えば、略長方形、略平行四辺形、略台形、略楕円形および略長円形など)を有する場合、振動板4の振動領域は振動板4の壁部分の短手軸の寸法に支配される。また、絞り部6の流路幅のバラツキは流路抵抗のバラツキとなり吐出特性に影響を与える。
第2の実施形態においては、素子基板1の吐出特性への影響の高い、振動板4の壁部分の短手軸における寸法と絞り部6の流路幅を第1および第2のエッチング工程を通して1つのレジスト(第1のレジスト15)の開口部によって決定している。このため、振動板4の壁部分の短手軸における寸法、および絞り部6の流路幅のばらつきが抑制され、吐出特性のバラツキをさらに低減できる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について、図10ないし図15を用いて説明する。図10および図11は、第3の実施形態で用いられる基板14および駆動層の概略図である。図10(a)は基板14および駆動層の断面図であり、図10(b)は図10(a)に示される基板14を矢印Fの方向から見た平面図である。
なお、わかりやすくするために、図10には、素子基板1の圧力室3、絞り部6および連通孔7(図2参照)となる領域が破線で示されている。
図10に示されるように、シリコン単結晶基板からなる基板14上に駆動層となる振動板4、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10が形成されている。振動板4および第1の電極9を、後の工程で連通孔7に対向する領域Eにおいて開口している。
図11は、第3の実施形態での第1および第2のレジスト15,16を説明するための図であり、圧力室3と絞り部6との連通部(以下、「連通部G」(図10参照)と称す)に対応する部分を図10に示される矢印Fの方向から見たときの平面図である。
なお、第1のレジスト15および第2のレジスト16を示す部分にはハッチングが施されている。図11(a)では第1のレジスト15が示されており、図11(b)では第1のレジスト15および第2のレジスト16が示されている。図11(b)において、第1のレジスト15の一部は第2のレジスト16により覆われている。図11(b)には、第1のレジスト15および第2のレジスト16の位置関係をわかりやすくするために、第1のレジスト15の縁が破線でされている。
図11(a)に示すように、第1のレジスト15には開口部が設けられており、露出幅変化部w1−w1’を境に開口幅が変化している。より具体的には、開口部は露出幅変化部w1−w1’を境に第1の開口部分と第2の開口部分とに分けられ、第1の開口部分は幅D1を有し、第2の開口部分は幅D1よりも狭い幅C1を有する。
図11(b)に示すように、第2のレジスト16には開口部が設けられており、基板14の、圧力室3に対応する部分が当該開口部から露出している。第2のレジスト16は露出幅変化部w1−w1’を覆っており、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は、露出幅変化部w1−w1’から距離Kだけ離れた位置にある。
なお、第1のレジスト15の開口の幅D1および幅C1、並びに第2のレジスト16の開口の幅D2は、第2の実施形態と同様に設定される。
次に、本発明の第3の実施形態について、図10ないし図15を用いて説明する。図10および図11は、第3の実施形態で用いられる基板14および駆動層の概略図である。図10(a)は基板14および駆動層の断面図であり、図10(b)は図10(a)に示される基板14を矢印Fの方向から見た平面図である。
なお、わかりやすくするために、図10には、素子基板1の圧力室3、絞り部6および連通孔7(図2参照)となる領域が破線で示されている。
図10に示されるように、シリコン単結晶基板からなる基板14上に駆動層となる振動板4、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10が形成されている。振動板4および第1の電極9を、後の工程で連通孔7に対向する領域Eにおいて開口している。
図11は、第3の実施形態での第1および第2のレジスト15,16を説明するための図であり、圧力室3と絞り部6との連通部(以下、「連通部G」(図10参照)と称す)に対応する部分を図10に示される矢印Fの方向から見たときの平面図である。
なお、第1のレジスト15および第2のレジスト16を示す部分にはハッチングが施されている。図11(a)では第1のレジスト15が示されており、図11(b)では第1のレジスト15および第2のレジスト16が示されている。図11(b)において、第1のレジスト15の一部は第2のレジスト16により覆われている。図11(b)には、第1のレジスト15および第2のレジスト16の位置関係をわかりやすくするために、第1のレジスト15の縁が破線でされている。
図11(a)に示すように、第1のレジスト15には開口部が設けられており、露出幅変化部w1−w1’を境に開口幅が変化している。より具体的には、開口部は露出幅変化部w1−w1’を境に第1の開口部分と第2の開口部分とに分けられ、第1の開口部分は幅D1を有し、第2の開口部分は幅D1よりも狭い幅C1を有する。
図11(b)に示すように、第2のレジスト16には開口部が設けられており、基板14の、圧力室3に対応する部分が当該開口部から露出している。第2のレジスト16は露出幅変化部w1−w1’を覆っており、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は、露出幅変化部w1−w1’から距離Kだけ離れた位置にある。
なお、第1のレジスト15の開口の幅D1および幅C1、並びに第2のレジスト16の開口の幅D2は、第2の実施形態と同様に設定される。
図12ないし図15は、第3の実施形態に係る製造方法、特に第1および第2のレジスト15,16を形成する工程よりも後の工程を説明するための平面図および斜視図である。なお、図12ないし図15では、連通部G(図10参照)のみが示されている。
図12(a)および(b)に示すように、基板14の、駆動層と反対側の面には、フォトリソグラフィ技術を用いて第1のレジスト15および第2のレジスト16が形成されている。先述のとおり、第2のレジスト16は露出幅変化部w1−w1’を覆い、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は露出幅変化部w1−w1’よりも距離Kだけ離れたところに位置している。
まず、図13(a)および(b)に示すように、第1のレジスト15および第2のレジスト16をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を基板14に形成する(第1のエッチング工程)。第1の凹部17は基板14を貫通せず基板14の途中まで形成される。このとき、エッチングは、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’に沿って進行し、第1の凹部17の、絞り部6側の壁は開口縁w2−w2’に沿って形成される。
図12(a)および(b)に示すように、基板14の、駆動層と反対側の面には、フォトリソグラフィ技術を用いて第1のレジスト15および第2のレジスト16が形成されている。先述のとおり、第2のレジスト16は露出幅変化部w1−w1’を覆い、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は露出幅変化部w1−w1’よりも距離Kだけ離れたところに位置している。
まず、図13(a)および(b)に示すように、第1のレジスト15および第2のレジスト16をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を基板14に形成する(第1のエッチング工程)。第1の凹部17は基板14を貫通せず基板14の途中まで形成される。このとき、エッチングは、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’に沿って進行し、第1の凹部17の、絞り部6側の壁は開口縁w2−w2’に沿って形成される。
次に、図14(a)および(b)に示すように、第2のレジスト16を剥離液等で除去し、基板14の、第1の凹部17とは異なる部分を露出させる。
次に、図15(a)および(b)に示すように、残された第1のレジスト15をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第2の凹部18を形成する(第2のエッチング工程)。基板14のうち圧力室3に対応する部分では第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第1の凹部17は幅D1のまま深くなる。基板14のうち絞り部6に対応する部分においても、第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第2の凹部18は幅C1を有することになる。第1の凹部17は振動板4に達しており、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
最後に、吐出口2が形成された吐出口形成部材11(図2参照)を、第1の凹部17の開口および第2の凹部18の開口を覆うように基板14(流路形成部材12)に取り付ける。圧力室3が第1の凹部17と吐出口形成部材11とで形成され、絞り部6が第2の凹部18と吐出口形成部材11とで形成される。吐出口形成部材11は、吐出口2と作動部5とが対向するように配置されることが好ましい。
なお、本実施形態においては、吐出口形成部材11は、第1のレジスト15を除去することなく流路形成部材12に取り付けられているが、第1のレジスト15を除去しても構わない。
次に、図15(a)および(b)に示すように、残された第1のレジスト15をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第2の凹部18を形成する(第2のエッチング工程)。基板14のうち圧力室3に対応する部分では第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第1の凹部17は幅D1のまま深くなる。基板14のうち絞り部6に対応する部分においても、第1のレジスト15の開口部に対応してエッチングが進行し、第2の凹部18は幅C1を有することになる。第1の凹部17は振動板4に達しており、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
最後に、吐出口2が形成された吐出口形成部材11(図2参照)を、第1の凹部17の開口および第2の凹部18の開口を覆うように基板14(流路形成部材12)に取り付ける。圧力室3が第1の凹部17と吐出口形成部材11とで形成され、絞り部6が第2の凹部18と吐出口形成部材11とで形成される。吐出口形成部材11は、吐出口2と作動部5とが対向するように配置されることが好ましい。
なお、本実施形態においては、吐出口形成部材11は、第1のレジスト15を除去することなく流路形成部材12に取り付けられているが、第1のレジスト15を除去しても構わない。
第3の実施形態においては、振動板4の振動端が、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’によって、ほぼ直線状に形成される。このため、駆動時の振動板4の振動による振動板4の端部にかかる応力を均一化することができ、応力による振動板4の亀裂の発生を防止できる。その結果、振動板4の耐久性が向上し、高周波吐出を行う素子基板の安定化および長寿命化を実現することができる。
なお、第1のレジスト15の開口端w1−w1’と第2のレジスト16の開口縁w2−w2’の距離Kは、第1および第2のレジスト15,16を形成する際のアライメント精度やエッチングの加工精度等を考慮して適宜、設定できる。
また、本実施形態では、圧力室3の平面形状を略長方形にするため、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は直線状に形成されている。圧力室3の形状に応じて、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’を、略長円形、楕円形等に応じた曲線状にすることもできる。
なお、第1のレジスト15の開口端w1−w1’と第2のレジスト16の開口縁w2−w2’の距離Kは、第1および第2のレジスト15,16を形成する際のアライメント精度やエッチングの加工精度等を考慮して適宜、設定できる。
また、本実施形態では、圧力室3の平面形状を略長方形にするため、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は直線状に形成されている。圧力室3の形状に応じて、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’を、略長円形、楕円形等に応じた曲線状にすることもできる。
(比較例)
ここで、第3の実施形態に対する比較例を、図16ないし図20を用いて説明する。図16は、比較例における第1および第2のレジスト15,16を説明するための図であり、連通部G(図10参照)に対応する部分を図10に示される矢印Fの方向から見たときの平面図である。
なお、第1のレジスト15および第2のレジスト16を示す部分にはハッチングが施されている。図11に示される拡大図と同様に、図16(a)では第1のレジスト15が示されており、図16(b)では第1のレジスト15および第2のレジスト16が示されている。図16(b)において、第1のレジスト15の一部は第2のレジスト16により覆われている。第1のレジスト15および第2のレジスト16の位置関係をわかりやすくするために、図16(b)には第1のレジスト15の縁が破線でされている。
図16(a)および(b)に示すように、比較例では、第3の実施形態とは逆に、第2のレジスト16は露出幅変化部w1−w1’を覆っていない。そして、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は第1のレジスト15の露出幅変化部w1−w1’より距離Lだけ離れたところに位置している。したがって、圧力室3は、幅D1を有する部分と、幅C1を有する部分と、を含むことになる。
図17ないし図20は、比較例に係る製造方法、特に第1および第2のレジスト15,16を形成する工程よりも後の工程を説明するための平面図および斜視図である。なお、図17ないし図20では、連通部Gのみが示されている。
図17(a)および(b)に示すように、基板14の、駆動層と反対側の面には、フォトリソグラフィ技術を用いて第1のレジスト15および第2のレジスト16が形成されている。先述のとおり、第2のレジスト16は露出幅変化部w1−w1’を覆っておらず、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は、第1のレジスト15の露出幅変化部w1−w1’よりも距離Lだけ離れたところに位置している。
まず、図18(a)および(b)に示すように、第1のレジスト15および第2のレジスト16をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を基板14に形成する(第1のエッチング工程)。第1の凹部17は基板14を貫通せず基板14の途中まで形成される。
このとき、エッチングは、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’に沿って進行し、第1の凹部17の、絞り部6側の壁は開口縁w2−w2’に沿って形成される。したがって、第1の凹部17は、幅D1を有する部分と、幅C1を有する部分Mと、を含むことになる。
ここで、第3の実施形態に対する比較例を、図16ないし図20を用いて説明する。図16は、比較例における第1および第2のレジスト15,16を説明するための図であり、連通部G(図10参照)に対応する部分を図10に示される矢印Fの方向から見たときの平面図である。
なお、第1のレジスト15および第2のレジスト16を示す部分にはハッチングが施されている。図11に示される拡大図と同様に、図16(a)では第1のレジスト15が示されており、図16(b)では第1のレジスト15および第2のレジスト16が示されている。図16(b)において、第1のレジスト15の一部は第2のレジスト16により覆われている。第1のレジスト15および第2のレジスト16の位置関係をわかりやすくするために、図16(b)には第1のレジスト15の縁が破線でされている。
図16(a)および(b)に示すように、比較例では、第3の実施形態とは逆に、第2のレジスト16は露出幅変化部w1−w1’を覆っていない。そして、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は第1のレジスト15の露出幅変化部w1−w1’より距離Lだけ離れたところに位置している。したがって、圧力室3は、幅D1を有する部分と、幅C1を有する部分と、を含むことになる。
図17ないし図20は、比較例に係る製造方法、特に第1および第2のレジスト15,16を形成する工程よりも後の工程を説明するための平面図および斜視図である。なお、図17ないし図20では、連通部Gのみが示されている。
図17(a)および(b)に示すように、基板14の、駆動層と反対側の面には、フォトリソグラフィ技術を用いて第1のレジスト15および第2のレジスト16が形成されている。先述のとおり、第2のレジスト16は露出幅変化部w1−w1’を覆っておらず、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’は、第1のレジスト15の露出幅変化部w1−w1’よりも距離Lだけ離れたところに位置している。
まず、図18(a)および(b)に示すように、第1のレジスト15および第2のレジスト16をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を基板14に形成する(第1のエッチング工程)。第1の凹部17は基板14を貫通せず基板14の途中まで形成される。
このとき、エッチングは、第2のレジスト16の開口縁w2−w2’に沿って進行し、第1の凹部17の、絞り部6側の壁は開口縁w2−w2’に沿って形成される。したがって、第1の凹部17は、幅D1を有する部分と、幅C1を有する部分Mと、を含むことになる。
次に、図19(a)および(b)に示すように、第2のレジスト16を剥離液等で除去し、基板14の、第1の凹部17とは異なる部分を露出させる
次に、図20(a)および(b)に示すように、残された第1のレジスト15をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第2の凹部18を形成する(第2のエッチング工程)。基板14のうち圧力室3に対応する部分では、第1のレジスト15の開口に対応してエッチングが進行する。したがって、第1の凹部17は、幅D1を有する部分と幅C1を有するM部を含んだ形状となる。基板14のうち絞り部6に対応する部分は、第1のレジスト15の開口に対応してエッチングが進行し、第2の凹部18は幅C1を有する形状となる。第1の凹部17は振動板4に達しており、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
最後に、吐出口2が形成された吐出口形成部材11(図2参照)を、第1の凹部17の開口および第2の凹部18の開口を覆うように基板14(流路形成部材12)に取り付ける。圧力室3が第1の凹部17と吐出口形成部材11とで形成され、絞り部6が第2の凹部18と吐出口形成部材11とで形成される。
比較例においては、圧力室3が幅C1を有する部分Mを含み、振動板4の振動端が凸部を有する形状となる。このような凸部を振動板4が有する場合、振動板4の振動により当該凸部に歪が発生し、応力により振動板4に亀裂が発生する虞がある。特に、高吐出力、高周波吐出を行う素子基板においては振動板4の凸部に亀裂がより発生しやすくなり、耐久性が低下する可能性がある。
次に、図20(a)および(b)に示すように、残された第1のレジスト15をマスクとして基板14にドライエッチングを施し、第1の凹部17を深くするとともに第2の凹部18を形成する(第2のエッチング工程)。基板14のうち圧力室3に対応する部分では、第1のレジスト15の開口に対応してエッチングが進行する。したがって、第1の凹部17は、幅D1を有する部分と幅C1を有するM部を含んだ形状となる。基板14のうち絞り部6に対応する部分は、第1のレジスト15の開口に対応してエッチングが進行し、第2の凹部18は幅C1を有する形状となる。第1の凹部17は振動板4に達しており、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
最後に、吐出口2が形成された吐出口形成部材11(図2参照)を、第1の凹部17の開口および第2の凹部18の開口を覆うように基板14(流路形成部材12)に取り付ける。圧力室3が第1の凹部17と吐出口形成部材11とで形成され、絞り部6が第2の凹部18と吐出口形成部材11とで形成される。
比較例においては、圧力室3が幅C1を有する部分Mを含み、振動板4の振動端が凸部を有する形状となる。このような凸部を振動板4が有する場合、振動板4の振動により当該凸部に歪が発生し、応力により振動板4に亀裂が発生する虞がある。特に、高吐出力、高周波吐出を行う素子基板においては振動板4の凸部に亀裂がより発生しやすくなり、耐久性が低下する可能性がある。
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について、図21ないし図24を用いて説明する。図21は、第4の実施形態に係る製造方法を用いて製造される素子基板1を含む液体吐出ヘッドの断面図である。
図21に示されるように、素子基板1は、圧力室3と、各圧力室3に対応して設けられた吐出口2と、圧力室3の壁をなす振動板4と、1つの圧力室3に対して複数設けられた絞り部6,19と、を備える。振動板4には作動部5が接合されており、作動部5が作動することで振動板4が変形し、圧力室3内の液体に圧力が作用する。液体は、絞り部6から圧力室3に供給され、圧力室3から絞り部19を経て回収される。なお、絞り部6は液体供給用絞り部とも称され、絞り部19は液体回収用絞り部とも称される。
作動部5は、圧電素子8と、圧電素子8を挟んで向かい合う第1の電極9および第2の電極10と、を含み、第1の電極9が振動板4に接合されている。第1の電極9および第2の電極10は、バンプ20を介して配線基板21の配線22と電気的に接続され、配線22により素子基板1の外部の制御回路へ引き出されている。
より具体的には、第2の電極10は引き出し配線23で電気的に引き出され、バンプパッド24を介してバンプ20と接続される。第1の電極9は各圧力室3に対応した圧電素子8の下に延在しており、素子基板1の端部でまとめてバンプ20により接続されている。バンプ20には例えばAuバンプなどを使用することができる。配線22は保護膜25により保護されていてもよい。作動部5は保護膜26により保護されていてもよい。素子基板1と配線基板21との間に構造体27が配されていてもよい。
次に、本発明の第4の実施形態について、図21ないし図24を用いて説明する。図21は、第4の実施形態に係る製造方法を用いて製造される素子基板1を含む液体吐出ヘッドの断面図である。
図21に示されるように、素子基板1は、圧力室3と、各圧力室3に対応して設けられた吐出口2と、圧力室3の壁をなす振動板4と、1つの圧力室3に対して複数設けられた絞り部6,19と、を備える。振動板4には作動部5が接合されており、作動部5が作動することで振動板4が変形し、圧力室3内の液体に圧力が作用する。液体は、絞り部6から圧力室3に供給され、圧力室3から絞り部19を経て回収される。なお、絞り部6は液体供給用絞り部とも称され、絞り部19は液体回収用絞り部とも称される。
作動部5は、圧電素子8と、圧電素子8を挟んで向かい合う第1の電極9および第2の電極10と、を含み、第1の電極9が振動板4に接合されている。第1の電極9および第2の電極10は、バンプ20を介して配線基板21の配線22と電気的に接続され、配線22により素子基板1の外部の制御回路へ引き出されている。
より具体的には、第2の電極10は引き出し配線23で電気的に引き出され、バンプパッド24を介してバンプ20と接続される。第1の電極9は各圧力室3に対応した圧電素子8の下に延在しており、素子基板1の端部でまとめてバンプ20により接続されている。バンプ20には例えばAuバンプなどを使用することができる。配線22は保護膜25により保護されていてもよい。作動部5は保護膜26により保護されていてもよい。素子基板1と配線基板21との間に構造体27が配されていてもよい。
制御回路からの電気信号が配線基板21を通って圧電素子8に印加されると、振動板4が変形し、圧力室3が収縮および膨張する。圧力室3の収縮により圧力室3の内部の液体に圧力が作用し、その圧力により吐出口2から液体を吐出させることができる。液体の供給側の絞り部6および回収側の絞り部19は、圧力室3で発生した圧力が吐出口2へ向かうよう、吐出口2よりも大きな慣性を持っている。
配線基板21は、二次元に配置された複数の素子基板1と接合されており、複数の素子基板1の剛性を保つ機能も有している。また、配線基板21は、絞り部6に連通した供給側の連通孔7および絞り部19に連通した回収側の連通孔28が形成されている。液体は絞り部6から圧力室3に供給されて、圧力室3を通り絞り部19から回収される。このように、素子基板1は、循環流れの一部を形成している。言い換えれば、配線基板21は、素子基板1へ液体を供給するとともに素子基板1から液体を回収する機能と、素子基板1を配列支持する機能と、液体吐出部へ電気制御信号を印加する機能とを有している。
配線基板21は、二次元に配置された複数の素子基板1と接合されており、複数の素子基板1の剛性を保つ機能も有している。また、配線基板21は、絞り部6に連通した供給側の連通孔7および絞り部19に連通した回収側の連通孔28が形成されている。液体は絞り部6から圧力室3に供給されて、圧力室3を通り絞り部19から回収される。このように、素子基板1は、循環流れの一部を形成している。言い換えれば、配線基板21は、素子基板1へ液体を供給するとともに素子基板1から液体を回収する機能と、素子基板1を配列支持する機能と、液体吐出部へ電気制御信号を印加する機能とを有している。
図21に示される素子基板1の製造方法を、図22ないし図24を用いて説明する。図22は、振動板4、作動部5、保護膜26および構造体27を形成する方法を説明するための図である。
まず、シリコン製の基板14を用意する(図22(a))。基板14に振動板4となるシリコン酸化膜を形成し(図22(b))、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10を形成する(図22(c))。続いてエッチングにより、第2の電極10のパターニング(図22(d))、圧電素子8のパターニング(図22(e))、第1の電極9のパターニング(図22(f))を行い、保護膜26を形成する(図22(g))。
その後、保護膜26のパターニングを行い(図22(h))、振動板4をなすシリコン窒化膜のパターニングを行う(図22(i))。引き出し配線23およびバンプパッド24を形成し(図22(j))、感光性樹脂のパターニングを行い構造体27を形成する(図22(k))。
まず、シリコン製の基板14を用意する(図22(a))。基板14に振動板4となるシリコン酸化膜を形成し(図22(b))、第1の電極9、圧電素子8および第2の電極10を形成する(図22(c))。続いてエッチングにより、第2の電極10のパターニング(図22(d))、圧電素子8のパターニング(図22(e))、第1の電極9のパターニング(図22(f))を行い、保護膜26を形成する(図22(g))。
その後、保護膜26のパターニングを行い(図22(h))、振動板4をなすシリコン窒化膜のパターニングを行う(図22(i))。引き出し配線23およびバンプパッド24を形成し(図22(j))、感光性樹脂のパターニングを行い構造体27を形成する(図22(k))。
図23は、配線22、保護膜25、連通孔7および28並びにバンプ20を配線基板21に形成する方法を説明するための図である。まず、シリコン製の配線基板21を用意する(図23(a))。配線基板21にシリコン酸化膜29を形成し(図23(b))、配線22のパターニングを行い(図23(c))、保護膜25を形成する(図23(d))。
配線基板21の、配線22が形成された面と反対側の面上のシリコン酸化膜29のパターニングを行う(図23(e))。シリコン酸化膜29をマスクとして供給側の連通孔7と回収側の連通孔28を配線基板21の途中まで深掘エッチングを行い(図23(f))、保護膜25のパターニングを行う(図23(g))。保護膜25が形成された側から配線基板21にエッチングを施し(図23(h))、連通孔7を貫通させるとともに連通孔28を貫通させる(図23(i))。その後、バンプ20を配置する(図23(j))。
配線基板21の、配線22が形成された面と反対側の面上のシリコン酸化膜29のパターニングを行う(図23(e))。シリコン酸化膜29をマスクとして供給側の連通孔7と回収側の連通孔28を配線基板21の途中まで深掘エッチングを行い(図23(f))、保護膜25のパターニングを行う(図23(g))。保護膜25が形成された側から配線基板21にエッチングを施し(図23(h))、連通孔7を貫通させるとともに連通孔28を貫通させる(図23(i))。その後、バンプ20を配置する(図23(j))。
図24は、振動板4、作動部5、保護膜26および構造体27が形成された基板14と、配線22、保護膜25、連通孔7および28並びにバンプ20が形成された配線基板21と、を接合し、圧力室3を形成する方法を説明するための図である。まず、図22および図23で説明した方法を用いて製造された基板14と配線基板21とを用意する(図24(a))。基板14と配線基板21とを、バンプ20を介して電気的に接続するとともに、感光性フィルム接合を行う(図24(b))。
次に、基板14の、配線基板21の側とは反対側の面を所望の厚さにまで研磨する(図24(c))。その後、第1のレジスト15を形成し(図24(d))、第2のレジスト16を形成する(図24(e))。ここで、第3の実施形態と同様に、第2のレジスト16の開口端が第1のレジスト15の露出幅変化部よりも圧力室の側に位置するように第1のレジスト15および第2のレジスト16の開口部を形成する。
次に、第1および第2のレジスト15,16をマスクとして基板14にエッチングを施す(図24(f))。その後、第2のレジスト16を除去し、残った第1のレジスト15をマスクとして基板14にエッチングを施す(図24(g))。振動板4まで達する穴が基板14に形成され、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
最後に、吐出口2が形成された吐出口形成部材11を流路形成部材12に取り付ける(図24(h))。圧力室3、絞り部6および絞り部19が流路形成部材12と吐出口形成部材11とで形成され、素子基板1が完成する。
素子基板1が液体の循環流れの一部を形成している場合、吐出口2と圧力室3、および供給側の絞り部6、回収側の絞り部19の流路抵抗の関係を、循環流れを形成していない系に比べてより厳密に管理する必要がある。このため、圧力室3、および供給側の絞り部6、回収側の絞り部19の加工バラツキをより低減することが求められる。
次に、基板14の、配線基板21の側とは反対側の面を所望の厚さにまで研磨する(図24(c))。その後、第1のレジスト15を形成し(図24(d))、第2のレジスト16を形成する(図24(e))。ここで、第3の実施形態と同様に、第2のレジスト16の開口端が第1のレジスト15の露出幅変化部よりも圧力室の側に位置するように第1のレジスト15および第2のレジスト16の開口部を形成する。
次に、第1および第2のレジスト15,16をマスクとして基板14にエッチングを施す(図24(f))。その後、第2のレジスト16を除去し、残った第1のレジスト15をマスクとして基板14にエッチングを施す(図24(g))。振動板4まで達する穴が基板14に形成され、基板14からなる流路形成部材12(図2参照)が完成する。
最後に、吐出口2が形成された吐出口形成部材11を流路形成部材12に取り付ける(図24(h))。圧力室3、絞り部6および絞り部19が流路形成部材12と吐出口形成部材11とで形成され、素子基板1が完成する。
素子基板1が液体の循環流れの一部を形成している場合、吐出口2と圧力室3、および供給側の絞り部6、回収側の絞り部19の流路抵抗の関係を、循環流れを形成していない系に比べてより厳密に管理する必要がある。このため、圧力室3、および供給側の絞り部6、回収側の絞り部19の加工バラツキをより低減することが求められる。
第4の実施形態においては、絞り部6,19を圧力室3よりも浅くすることができるので、絞り部6,19の流路幅を広くすることが可能になる。このため、圧力室3、絞り部6および絞り部19の加工バラツキをより低減することが可能になり、液体の循環流れの一部を形成する素子基板を歩留まり良く製造することが可能になる。
また、絞り部6および絞り部19の振動板4側には、流路形成部材12の一部(以下、「構造体30」という)が配置されているので、構造体27をなす感光性樹脂が液体に接して膨潤することによる振動板4の変形を抑制する効果もある。さらに構造体30を配置することにより、振動板4が変形して供給側の絞り部6および回収側の絞り部19の断面積が変化したり、振動板4が破損したりしてしまうのを防止するという効果もある。
また、絞り部6および絞り部19の振動板4側には、流路形成部材12の一部(以下、「構造体30」という)が配置されているので、構造体27をなす感光性樹脂が液体に接して膨潤することによる振動板4の変形を抑制する効果もある。さらに構造体30を配置することにより、振動板4が変形して供給側の絞り部6および回収側の絞り部19の断面積が変化したり、振動板4が破損したりしてしまうのを防止するという効果もある。
以上、実施形態および実施例を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記の実施形態および実施例に限定されるものではない。本願発明は、当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
1 素子基板
2 吐出口
3 圧力室
6 絞り部
11 吐出口形成部材
12 流路形成部材
14 第1の基板
15 第1のレジスト
16 第2のレジスト
17 第1の凹部
18 第2の凹部
2 吐出口
3 圧力室
6 絞り部
11 吐出口形成部材
12 流路形成部材
14 第1の基板
15 第1のレジスト
16 第2のレジスト
17 第1の凹部
18 第2の凹部
Claims (12)
- 液体を吐出する吐出口が形成された吐出口形成部材と、
前記吐出口から吐出される液体を貯留し吐出圧力を発生する圧力室と、前記圧力室に連通する絞り部と、を形成する流路形成部材と、
を備える素子基板の製造方法であって、
前記流路形成部材となる基板の所定の面上に、該所定の面の一部が露出するように第1および第2のレジストを形成する工程と、
前記第1および第2のレジストをマスクとして前記基板にエッチングを施し該基板に第1の凹部を形成する工程と、
前記第2のレジストを除去し、前記基板の、前記第1の凹部とは異なる部分を露出させる工程と、
前記第1のレジストをマスクとして前記基板にエッチングを施し、前記第1の凹部を深くするとともに前記第1の凹部に連通する第2の凹部を前記基板に形成する工程と、
前記吐出口形成部材で前記第1および第2の凹部の開口を覆い、前記圧力室を前記第1の凹部と前記吐出口形成部材とで形成し、前記絞り部を前記第2の凹部と前記吐出口形成部材とで形成する工程と、を含む、素子基板の製造方法。 - 前記第1のレジストに開口部を設け、前記開口部を用いて前記圧力室の流路幅と前記絞り部の流路幅とを決定することを含む、請求項1に記載の素子基板の製造方法。
- 前記圧力室の1つに対して前記絞り部を複数設け、前記複数の絞り部のうち一部の絞り部を液体供給用絞り部とし他の絞り部を液体回収用絞り部とすることを含む、請求項1または2に記載の素子基板の製造方法。
- 前記基板の、前記所定の面とは反対の側の面上に振動板、第1の電極、圧電素子および第2の電極をこの順に形成することを含む、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の素子基板の製造方法。
- 前記第1のレジストに露出幅変化部を設けることと、
前記露出幅変化部を覆うように前記第2のレジストを形成することと、を含む、請求項4に記載の素子基板の製造方法。 - 前記基板を、シリコン単結晶基板で形成することを含む、請求項4または5に記載の素子基板の製造方法。
- 前記第1および第2のレジストの少なくとも一方が、無機系の薄膜である、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の素子基板の製造方法。
- 前記無機系の薄膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜および金属膜のうちの少なくとも1つの膜である、請求項7に記載の素子基板の製造方法。
- 前記第および前記第2のレジストの少なくとも一方が、有機系の薄膜であることを含む、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の素子基板の製造方法。
- 前記有機系の薄膜は、感光性樹脂膜である、請求項9に記載の素子基板の製造方法。
- 前記基板に前記第1の凹部を形成する際に、前記基板にドライエッチングを施すことを含む、請求項1ないし10のいずれか1項に記載の素子基板の製造方法。
- 前記第1の凹部を深くするとともに前記第2の凹部を前記基板に形成する際に、前記基板にドライエッチングを施すことを含む、請求項1ないし11のいずれか1項に記載の素子基板の製造方法。
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