CN102460932A - 电力变换装置 - Google Patents

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Abstract

具备：三电平逆变器(1)和单相逆变器(2a、2b、2c)，三电平逆变器具有将第1以及第2半导体开关元件串联连接而成且与直流电源(4)的正负端子间连接的桥电路(SuH、SuL、SvH、SvL、SwH、SwL)、和连接到作为第1以及第2半导体开关元件的连接点的所述桥电路的交流输出端子(Vu0、Vv0、Vw0)与直流电源(4)的中间电位点(VM)之间且具有双向特性的开关电路(SuMH、SuML、SvMH、SvML、SwMH、SwML)，单相逆变器包括多个半导体开关元件而成且与所述桥电路的交流输出端子(Vu0、Vv0、Vw0)串联连接，其中，对负载供给三电平逆变器(1)的输出电压与单相逆变器(2a、2b、2c)的输出电压的总和。

Description

电力变换装置
技术领域
本发明涉及将直流电力变换为交流电力的电力变换装置。
背景技术
作为以往的电力变换装置，如专利文献1所示，连接了三电平逆变器和单相逆变器。该电力变换装置具备：三电平逆变器，与共用的直流电源连接，并且具有3相的可以输出3个电平来作为每1相的输出电压的开关部；以及单相逆变器，与独立的直流电源连接，并且对应于三电平逆变器的各相。并且，将三电平逆变器的输出端子连接到对应的单相逆变器的一方的交流输出端子，并且将这些单相逆变器的另一方的交流输出端子连接到交流电动机。
专利文献1：日本特开2000-166251号公报
发明内容
在上述以往的电力变换装置中，使用了用二极管将三电平逆变器的开关部的中性点夹紧的中性点夹紧型的三电平逆变器。在该结构中，针对三电平逆变器的每1相，电流一定会流过2个半导体元件，所以难以降低导通损失，成为电力变换效率变差的主要原因。
本发明是为了解决上述那样的问题而完成的，其目的在于，在组合三电平逆变器和单相逆变器而构成的电力变换装置中，降低导通损失而提高电力变换效率。
本发明的电力变换装置具备三电平逆变器和单相逆变器，三电平逆变器具有：将第1以及第2半导体开关元件进行串联连接而成的桥电路，该桥电路连接到直流电源的正负端子间；以及开关电路，该开关电路连接到作为第1以及第2半导体开关元件的连接点的桥电路的交流输出端子与直流电源的中间电位点之间，并具有双向特性。另外，单相逆变器包括多个半导体开关元件而成，并与所述桥电路的交流输出端子串联连接。并且，电力变换装置对负载供给三电平逆变器的输出电压与单相逆变器的输出电压的总和。
根据本发明的电力变换装置，在三电平逆变器为正或者负的电压输出时，针对三电平逆变器的每1相可以使流过电流的半导体开关元件数为1个，可以降低导通损失。因此，可以提高电力变换装置的电力变换效率，另外可以削减二氧化碳排放量，可以通过简化冷却器而实现低成本化、小型化。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的电力变换装置的电路结构的图。
图2是本发明的实施方式1的电力变换装置的U相部分的整体动作说明图。
图3是示出本发明的实施方式1的另一例子的电力变换装置的电路结构的图。
图4是示出本发明的实施方式2的电力变换装置的电路结构的图。
图5是本发明的实施方式2的电力变换装置的U相部分的整体动作说明图。
具体实施方式
实施方式1.
图1是示出本发明的实施方式1的电力变换装置的电路结构的图。如图1所示，电力变换装置10具备三电平逆变器1、单相逆变器2a、2b、2c、以及三相滤波器3，将来自直流电源4的直流电力变换为交流电力，供给到三相负载5。另外，电力变换装置10不仅具有将输入到正极端子VH-负极端子VL间的直流电压变换为三相交流电压并输出到U端子、V端子、W端子间的直流/交流变换功能，而且还具有将输入到U端子、V端子、W端子间的三相交流电压变换为直流电压并输出到正极端子VH-负极端子VL间的交流/直流变换功能。这2个功能的基本的动作相同，所以省略关于交流/直流变换的说明。
首先，说明三电平逆变器1的结构。三电平逆变器1的正极端子VH以及负极端子VL分别与直流电源4的正负端子连接。并且，三电平逆变器1具备平滑电容器CH以及CL、U相桥电路(SuH、SuL)、V相桥电路(SvH、SvL)、W相桥电路(SwH、SwL)、U相开关电路(SuMH、SuML)、V相开关电路(SvMH、SvML)、以及W相开关电路(SwMH、SwML)。
平滑电容器CH、CL(以下，称为电容器CH、CL)被串联连接，将电容器CH的高压侧端子连接到正极端子VH，将电容器CL的低压侧端子连接到负极端子VL。另外，对电容器CL与电容器CH的连接点，连接成为直流电源4的中间电位点的中间电压端子VM。
U相桥电路(SuH、SuL)、V相桥电路(SvH、SvL)、W相桥电路(SwH、SwL)是分别将第1半导体开关元件(SuH、SvH、SwH)与第2半导体开关元件(SuL、SvL、SwL)串联连接而成的电路，分别连接到正极端子VH-负极端子VL间。各半导体开关元件SuH、SvH、SwH、SuL、SvL、SwL例如由反并联连接了二极管的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)构成，第2半导体开关元件(低压侧IGBT)SuL、SvL、SwL的发射极电极连接到负极端子VL，第1半导体开关元件(高压侧IGBT)SuH、SvH、SwH的集电极电极连接到正极端子VH。另外，第1半导体开关元件和第2半导体开关元件的连接点成为U相桥电路(SuH、SuL)、V相桥电路(SvH、SvL)、W相桥电路(SwH、SwL)的交流输出端子Vu0、Vv0、Vw0。以后，将半导体开关元件SuH、SvH、SwH、SuL、SvL、SwL记载为开关元件SuH、SvH、SwH、SuL、SvL、SwL。
U相开关电路(SuMH、SuML)、V相开关电路(SvMH、SvML)、W相开关电路(SwMH、SwML)分别连接到U相桥电路(SuH、SuL)、V相桥电路(SvH、SvL)、W相桥电路(SwH、SwL)的交流输出端子Vu0、Vv0、Vw0与中间电压端子VM之间。U相开关电路(SuMH、SuML)、V相开关电路(SvMH、SvML)、W相开关电路(SwMH、SwML)由互相在相反方向上串联连接的2个半导体开关元件构成，具有双向特性。各半导体开关元件SuMH、SuML、SvMH、SvML、SwMH、SwML例如由反并联连接了二极管的IGBT构成。以后，将半导体开关元件SuMH、SuML、SvMH、SvML、SwMH、SwML记载为开关元件SuMH、SuML、SvMH、SvML、SwMH、SwML。
接下来，说明各单相逆变器2a、2b、2c的结构。在单相逆变器2a中，具备作为4个半导体开关元件的例如反并联连接了二极管的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)Su1～Su4(以下，简称为开关元件Su1～Su4)和电容器Cu，开关元件Su1和Su2串联连接，开关元件Su3和Su4串联连接。并且，将低压侧的开关元件Su2、Su4的各源极电极连接到电容器Cu的低压侧端子，将高压侧的开关元件Su1、Su3的各漏极电极连接到电容器Cu的高压侧端子，单相逆变器2a构成全桥逆变器。另外，虽然仅图示了U相的单相逆变器2a，但V相、W相的单相逆变器2b、2c的结构也是同样的。
将各单相逆变器2a、2b、2c的交流输出端子的一方与三电平逆变器1的各交流输出端子Vu0、Vv0、Vw0连接，另一方的交流输出端子Vu1、Vv1、Vw1(Vv1、Vw1图示省略)经由三相滤波器3以及继电器6连接到三相负载5。
通过上述结构，将三电平逆变器1的输出电压和单相逆变器2a、2b、2c的输出电压的合计电压作为三相交流电压而供给到三相负载5。
接下来，说明电力变换装置的动作。图2是本发明的实施方式1的电力变换装置的U相部分的整体动作说明图。另外，对于V相、W相也是同样的，所以省略说明。
在图2中，Vu(ref)表示U相电压指令值，G(SuH)表示开关元件SuH的栅极信号，G(SuL)表示开关元件SuL的栅极信号，G(SuMH)表示开关元件SuMH的栅极信号，G(SuMH)表示开关元件SuMH的栅极信号，Vum表示三电平逆变器的输出电压，Vus(ref)表示单相逆变器电压指令值，Vus表示单相逆变器输出电压，Vu1表示滤波器通过前的U相输出电压，Vu表示滤波器通过后的U相输出电压，IuH表示流过开关元件SuH的电流，IuL表示流过开关元件SuL的电流，IuMH表示流过开关元件SuMH的电流，IuML表示流过开关元件SuML的电流。
三电平逆变器1在电力变换装置10的U相电压指令值Vu(ref)大于第1设定值Vthp(＞0)时，使开关元件SuH以及SuML接通(ON)，并使开关元件SuL以及SuMH断开(OFF)，从而向交流输出端子Vu0-中间电压端子VM间输出正的电压VCH。
另外，在U相电压指令值Vu(ref)小于第2设定值Vthn(＜0)时，使开关元件SuL以及SuMH接通，并使开关元件SuH以及SuML断开，从而向交流输出端子Vu0-中间电压端子VM间输出负的电压(-VCL)。
在U相电压指令值Vu(ref)是第2设定值Vthn～第1设定值Vthp时，使开关元件SuH以及SuL断开，从而向交流输出端子Vu0-中间电压端子VM间输出零电压。开关元件SuMH在开关元件SuH断开之后，在经过了失效时间(dead time)Td之后接通，开关元件SuML在开关元件SuL断开之后，在经过了失效时间Td之后接通。
这样，关于三电平逆变器1的U相的输出电压Vum，输出与电力变换装置10的U相电压指令值Vu(ref)的频率同步的正的电压VCH、零电压、负的电压(-VCL)这3种电压。如果使电力变换装置10以功率因数1进行运转，则在三电平逆变器1的U相中，针对流过U相的电流的半周期，以与电流极性相同的极性，输出包括半周期内的中央时刻的规定的脉宽的1个脉冲电压。此处，电压VCH是电容器CH的端子间电压，电压VCL是电容器CL的端子间电压。
第1、第2设定值Vthp、Vthn是根据三电平逆变器1的电容器电压VCH、VCL、U相电压指令值Vu(ref)、以及单相逆变器2a的电容器CU的电压VCU而决定的。另外，将单相逆变器2a的电容器CU的电压VCU设为比电容器CH、CL的各端子间电压VCH、VCL小的电压。
单相逆变器2a通过使开关元件Su2以及Su3接通、并使开关元件Su1以及Su4断开，从而向单相逆变器2a的交流输出端子间(Vu1-Vu0间)输出正的电压VCU。另外，单相逆变器2a通过使开关元件Su1以及Su4接通、并使开关元件Su2以及Su3断开，从而向交流输出端子间(Vu1-Vu0之间)输出负的电压(-VCU)。在开关元件Su1以及Su3接通且开关元件Su2以及Su4断开时、或开关元件Su2以及Su4接通且开关元件Su1以及Su3断开时，输出零电压。这样，关于单相逆变器2a的输出电压Vus，输出正的电压VCU、零电压、负的电压(-VCU)这3种电压。
单相逆变器2a进行动作以补偿电力变换装置10的U相电压指令值Vu(ref)与三电平逆变器1的输出电压Vum的差电压，所以单相逆变器2a的电压指令值Vus(ref)用以下的式(1)来表示。
Vus(ref)＝Vu(ref)-Vum    …式(1)
另外，单相逆变器2a根据电压指令值Vus(ref)和电容器电压VCU进行PWM(Pulse Width Modulation，脉宽调制)控制，使开关元件Su1～Su4进行开关动作，从而输出电压Vus。
然后，将三电平逆变器1的U相的输出电压Vum与单相逆变器2a的输出电压Vus的合计电压Vu1输入到三相滤波器3，向U端子-中间电压端子VM间输出高次谐波分量被去除了的正弦波电压Vu而作为三相滤波器3的输出。
关于V相、W相，也通过输出与各相的电压指令值对应的电压，从而向电力变换装置10的U端子、V端子、W端子输出三相交流电压。
接下来，说明三电平逆变器1内的半导体开关元件中流过的电流波形。设交流输出的功率因数为1。另外，在该情况下也说明U相的半导体开关元件(SuH、SuL、SuML、SuMH)的电流波形，但关于V相、W相也是同样的。
如图2所示，在电压、电流极性为正的0～π(t0～t3)中，在t0～t1的期间和t2～t3的期间，开关元件SuH与SuL都断开，所以在开关元件SuML的IGBT和开关元件SuMH的二极管中流过电流。流过电流的半导体开关元件数针对每1相为2个，但由于电流值小，所以该期间的导通损失比较小。在t1～t2的期间，开关元件SuH接通，所以仅在开关元件SuH的IGBT中流过电流。该期间是包含电流半周期内的中央时刻的期间，电流值大，但流过电流的半导体开关元件数针对每1相是1个且仅为开关元件SuH，所以该期间的导通损失被抑制为最小限。
在电压、电流极性是负的π～2π(t3～t6)中，在t3～t4的期间和t5～t6的期间，开关元件SuH和SuL都断开，所以在开关元件SuML的二极管和开关元件SuMH的IGBT中流过电流。流过电流的半导体开关元件数针对每1相为2个，但电流值小，所以该期间的导通损失比较小。在t4～t5的期间，开关元件SuL接通，所以仅在开关元件SuL的IGBT中流过电流。该期间是包含电流半周期内的中央时刻的期间，电流值变大，但流过电流的半导体开关元件数针对每1相是1个且仅为开关元件SuL，所以该期间的导通损失被抑制为最小限。
接下来，说明在三电平逆变器1内的半导体开关元件(SuH、SuL、SuML、SuMH)进行开关时所产生的浪涌电压。在开关元件SuH进行开关时，与寄生电感LuH和电流变化率之积成比例的浪涌电压被施加到开关元件SuH。该情况下的寄生电感LuH成为3个半导体开关元件(SuH、SuMH、SuML)和电容器CH、以及连接它们的布线的寄生电感的总和。
在本实施方式中，电力变换装置10的U相部分具备U相桥电路(SuH、SuL)和具有双向特性的U相开关电路(SuMH、SuML)，所以与上述以往的电力变换装置相比，对浪涌电压有用的布线路径增加，寄生电感LuH容易变大。如果寄生电感变大，则为了使浪涌电压小于或等于元件耐压而需要降低电流变化率，另外，一般如果降低电流变化率，则开关损失增加。但是，三电平逆变器1通过与电力变换装置10的U相电压指令值Vu(ref)的频率同步的低频开关而输出电压，所以三电平逆变器1内的半导体开关元件(SuH、SuL、SuML、SuMH)的开关次数少也可以，可以忽略开关损失的增大。
如上所述，在本实施方式中，在电流值大的期间，在三电平逆变器1内可以使流过电流的半导体开关元件的数量针对每1相仅为1个，所以可以降低导通损失，可以提高电力变换效率。另外，通过提高电力变换效率可以削减二氧化碳排放量，通过简化冷却器可以实现低成本化、小型化。
另外，在各相的开关电路(SuMH、SuML)、(SvMH、SvML)、(SwMH、SwML)中流过电流的期间，电流值比较小，所以在构成各相的开关电路(SuMH、SuML)、(SvMH、SvML)、(SwMH、SwML)的半导体开关元件中可以使用额定电流小的元件，可以实现低成本化、小型化。
另外，单相逆变器2a通过PWM控制而输出电压以补偿电力变换装置10的U相电压指令值Vu(ref)与三电平逆变器1的输出电压Vum的差电压，所以可以降低电力变换装置10的输出电压中包含的高次谐波分量。
另外，利用比较大的电压进行开关动作的三电平逆变器1的开关次数少。并且，单相逆变器2a虽然通过PWM控制进行高频开关，但是利用比较小的电压进行开关。因此，三电平逆变器1、单相逆变器2a双方的开关损失的增大都被抑制。
另外，虽然在三电平逆变器1内的半导体开关元件中使用了IGBT，但使用MOSFET、双极型晶体管等半导体开关元件也能够得到同样的效果。
另外，关于各相的开关电路(SuMH、SuML)、(SvMH、SvML)、(SwMH、SwML)，在上述实施方式中将2个半导体开关元件(IGBT)的发射极电极彼此进行了连接，但也可以是图3所示的结构。即，也可以如电力变换装置10a的三电平逆变器1a中的各相的开关电路(SuMH、SuML)、(SvMH、SvML)、(SwMH、SwML)那样将集电极电极彼此进行连接，同样地具有双向特性，可得到同样的效果。
实施方式2.
图4是示出本发明的实施方式2的电力变换装置10b的电路结构的图。本实施方式2的电力变换装置10b具备三电平逆变器1b、单相逆变器2a、2b、2c、以及三相滤波器3，将来自直流电源4的直流电力变换为交流电力，供给到三相负载5。如图4所示，三电平逆变器1b中的各相的开关电路(SuMA、SuMB)、(SvMA、SvMB)、(SwMA、SwMB)的结构与图1所示的上述实施方式1不同，其他结构与图1相同。
U相开关电路(SuMA、SuMB)、V相开关电路(SvMA、SvMB)、W相开关电路(SwMA、SwMB)分别连接到U相桥电路(SuH、SuL)、V相桥电路(SvH、SvL)、W相桥电路(SwH、SwL)的交流输出端子Vu0、Vv0、Vw0与中间电压端子VM之间，作为双向特性开关而发挥功能。
以下，说明U相开关电路(SuMA、SuMB)的结构。另外，对于V相开关电路(SvMA、SvMB)、W相开关电路(SwMA、SwMB)也是同样的。
在U相开关电路(SuMA、SuMB)中，关于2个功率模块SuMA、SuMB，将各低压端子彼此进行连接，并将各高压端子彼此进行连接。并且，将2个功率模块SuMA、SuMB的中间端子设成U相开关电路(SuMA、SuMB)的两个端子。在各功率模块SuMA、SuMB中，分别将反并联连接了二极管的2个半导体开关元件(IGBT)进行串联连接并收纳到一个封装中。即，功率模块SuMA是将作为半导体开关元件(IGBT)的SuM1和SuM2进行串联连接而成的，功率模块SuMB是将作为半导体开关元件(IGBT)的SuM3和SuM4进行串联连接而成的。
在该情况下，在2个功率模块SuMA、SuMB中，将低压侧IGBT(SuM2、SuM4)的发射极电极彼此进行连接，并将高压侧IGBT(SuM1、SuM3)的集电极电极彼此进行连接。另外，将作为开关元件SuM1和SuM2的连接点(中间端子)的U相开关电路(SuMA、SuMB)的一方的端子与中间电压端子VM进行连接，并将作为开关元件SuM3和SuM4的连接点(中间端子)的U相开关电路(SuMA、SuMB)的另一方的端子与三电平逆变器1b的U相输出端子Vu0进行连接。
接下来，说明动作。图5是本发明的实施方式2的电力变换装置的U相部分的整体动作说明图。另外，关于V相、W相也是同样的，所以省略说明。
在图5中，Vu(ref)表示U相电压指令值，G(SuH)表示开关元件SuH的栅极信号，G(SuL)表示开关元件SuL的栅极信号，G(SuM1、SuM4)表示开关元件SuM1和SuM4的栅极信号，G(SuM2、SuM3)表示开关元件SuM2和SuM3的栅极信号，Vum表示三电平逆变器的输出电压，Vus(ref)表示单相逆变器电压指令值，Vus表示单相逆变器输出电压，Vu1表示滤波器通过前的U相输出电压，Vu表示滤波器通过后的U相输出电压，IuH表示开关元件SuH中流过的电流，IuL表示开关元件SuL中流过的电流，IuMH表示开关元件SuM1和SuM4中流过的电流，IuML表示开关元件SuM2和SuM3中流过的电流。
三电平逆变器1b在电力变换装置10b的U相电压指令值Vu(ref)大于第1设定值Vthp(＞0)时，使开关元件SuH、SuM2、SuM3接通并使开关元件SuL、SuM1、SuM4断开，从而向交流输出端子Vu0-中间电压端子VM间输出正的电压VCH。
另外，在U相电压指令值Vu(ref)小于第2设定值Vthn(＜0)时，使开关元件SuL、SuM1、SuM4接通并使开关元件SuH、SuM2、SuM3断开，从而向交流输出端子Vu0-中间电压端子VM间输出负的电压(-VCL)。在U相电压指令值Vu(ref)为第2设定值Vthn～第1设定值Vthp时，通过使开关元件SuH和SuL断开，从而向交流输出端子Vu0-中间电压端子VM间输出零电压。开关元件SuM1和SuM4在开关元件SuH断开之后，在经过失效时间Td之后接通，开关元件SuM2和SuM3在开关元件SuL断开之后，在经过失效时间Td之后接通。
另外，第1、第2设定值Vthp、Vthn的生成方法、以及单相逆变器2a的动作方法与实施方式1相同。
在本实施方式中，也与上述实施方式1同样地，关于三电平逆变器1b的U相的输出电压Vum，输出与电力变换装置10b的U相电压指令值Vu(ref)的频率同步的正的电压VCH、零电压、负的电压(-VCL)这3种电压。如果使电力变换装置10b以功率因数1进行运转，则在三电平逆变器1b的U相中，针对U相中流过的电流的半周期，以与电流极性相同的极性，输出包含半周期内的中央时刻的规定的脉宽的1个脉冲电压。在该1个脉冲电压的输出期间，电流值变大，但流过电流的半导体开关元件数针对每1相仅为1个，所以将导通损失抑制为最小限。
另外，在开关元件SuH和SuL都断开的期间，分为开关元件SuM1和SuM3的电流路径、以及开关元件SuM2和SuM4的电流路径这2个电流路径而流过电流。流过电流的半导体开关元件数针对每1相为4个，但是是电流值比较小的期间，并且各半导体开关元件中流过的电流值为上述实施方式1的一半，与上述实施方式1同样地该期间的导通损失比较小。
如上所述，在本实施方式中也能得到与上述实施方式1同样的效果。另外，使用2个流通量和品种丰富的一般的包含2个元件的功率模块，来构成各相的开关电路(SuMA、SuMB)、(SvMA、SvMB)、(SwMA、SwMB)，从而可以容易地构成低成本且高效的电力变换装置。
另外，在上述实施方式1、2中，针对各相的每一个具备1个单相逆变器2a、2b、2c，但也可以针对各相的每一个，对三电平逆变器1(1a、1b)串联连接多个单相逆变器。
另外，三电平逆变器1(1a、1b)针对电流半周期，输出1个脉冲电压，但也可以在1个脉冲电压的两侧，与该1个脉冲电压连续地输出基于PWM控制的电压。由此，可以降低单相逆变器2a、2b、2c的直流电压。
另外，在上述各实施方式中，将电力变换装置10、10a、10b作为三相电力变换装置而进行了说明，但也可以是单相或者其他的多相。

Claims (10)

1.一种电力变换装置，具备三电平逆变器和单相逆变器，其中，
所述三电平逆变器具有：将第1以及第2半导体开关元件进行串联连接而成的桥电路，该桥电路连接到直流电源的正负端子间；以及开关电路，该开关电路连接到作为所述第1以及第2半导体开关元件的连接点的所述桥电路的交流输出端子与所述直流电源的中间电位点之间，并具有双向特性，
所述单相逆变器包括多个半导体开关元件而成，并与所述桥电路的交流输出端子串联连接，
对负载供给所述三电平逆变器的输出电压与所述单相逆变器的输出电压的总和。
2.根据权利要求1所述的电力变换装置，其特征在于，
具有双向特性的所述开关电路是互相在相反方向上串联连接的2个半导体开关元件。
3.根据权利要求1所述的电力变换装置，其特征在于，
在具有双向特性的所述开关电路中，关于分别串联连接多个半导体开关元件而成的2个功率模块，将该各功率模块的低压端子彼此、高压端子彼此进行连接，并将该各功率模块的2个中间端子作为所述开关电路的两个端子。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的电力变换装置，其特征在于，
具备对所述直流电源电压进行分压的串联的电容器，其中，
将该串联的电容器的连接点与所述中间电位点进行连接。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的电力变换装置，其特征在于，
所述直流电源的电压大于所述单相逆变器的输入直流电压，每1周期的所述三电平逆变器的开关次数少于所述单相逆变器的开关次数。
6.根据权利要求5所述的电力变换装置，其特征在于，
所述三电平逆变器针对电流半周期，以与电流极性相同的极性，输出包含该电流半周期内的中央时刻的规定的脉宽的1个脉冲电压。
7.根据权利要求6所述的电力变换装置，其特征在于，
所述三电平逆变器针对电流半周期，仅输出所述1个脉冲电压。
8.根据权利要求6所述的电力变换装置，其特征在于，
所述三电平逆变器针对电流半周期，在所述1个脉冲电压的脉冲两侧输出基于PWM控制的电压。
9.根据权利要求6～8中的任意一项所述的电力变换装置，其特征在于，
所述单相逆变器输出基于PWM控制的电压。
10.根据权利要求6～9中的任意一项所述的电力变换装置，其特征在于，
所述三电平逆变器在向所述负载的电压指令的绝对值超过规定值的期间，输出所述1个脉冲电压。
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