CN102460716B - 高生产率多孔半导体制造设备 - Google Patents
高生产率多孔半导体制造设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102460716B CN102460716B CN201080030023.7A CN201080030023A CN102460716B CN 102460716 B CN102460716 B CN 102460716B CN 201080030023 A CN201080030023 A CN 201080030023A CN 102460716 B CN102460716 B CN 102460716B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor crystal
- electrolyte
- electrode
- equipment according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 109
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 4
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/32—Anodisation of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/005—Apparatus specially adapted for electrolytic conversion coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/12—Etching of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明能够实现高生产率制造半导体基分离层（由单层或多层多孔半导体如多孔硅制成，包括单一孔隙度或多种孔隙度层）、光学反射器（由多层/多种孔隙度的多孔半导体如多孔硅制成），形成用于抗反射涂层、钝化层的多孔半导体（如多孔硅）以及多界面、多带隙太阳能电池（例如，通过在晶体硅薄膜或晶圆基太阳能电池上形成可变带隙的多孔硅发射器）。其他应用包括用于脱模的MEMS分离层和牺牲层的制造以及MEMS装置制造、膜形成和浅沟槽隔离（STI）多孔硅（使用带有最佳孔隙度并在之后氧化形成的多孔硅）。另外，本公开可应用在光伏、MEMS（包括传感器和致动器（单独操作的或与集成半导体微电子集成的））、半导体微电子芯片和光电子的一般领域。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年5月5日提交的美国临时专利申请No.61/175,535和2010年5月5日提交的美国实用专利申请No.12/774,667的优先权，对于所有目的两个专利均整体引入作为参考。
技术领域
本公开主要涉及半导体领域。更具体地说，本公开涉及太阳能电池的制造设备和方法。
背景技术
晶体硅（包括多晶硅和单晶硅）是商业光伏应用中最主要的吸收材料。与大批量生产晶体硅太阳能电池有关的较高效率和材料的丰富吸引了人们对其持续使用及改进。但是晶体硅材料本身相对较高的成本限制了这些太阳能电池组件的广泛使用。目前，“晶圆”（wafering）或晶体硅和切片的成本占成品太阳能组件制造成本的约40%-60%。如果有更直接的方法制造晶圆，那么这在降低太阳能电池的成本上将是巨大的进展。
已知有不同的生长单晶硅并释放或转移生长的晶圆的方法。不论何种方法，低成本外延硅沉积工艺和大容量、有生产价值的低成本释放层形成的方法是硅太阳能电池更广泛使用的先决条件。
多孔半导体（PS）形成是一个全新的领域，具有不断扩大的应用前景。该项技术在太阳能应用领域的应用可行性的关键在于将该种方法（以低成本）工业化到大规模的能力，这需要发展非常低的拥有成本、高生产率的多孔硅制造设备。
PS在MEMS（微机电系统）及相关应用中使用，其中与太阳能PV相比，其每单位晶圆面积的成本容许限（tolerence）较高。通过增加每个晶圆的模（或芯片）数目来获得更高的收率、放大晶圆尺寸、提高每一代新产品的芯片功能性（或者集成度），微电子工业实现了规模经济。在太阳能工业上，通过采用低成本、高生产率的设备使太阳能电池和组件制造工艺工业化来实现经济性。通过减少每瓦特太阳能电池输出使用的材料降低原材料的价格可以进一步实现其经济性。
一些用于PS的典型前体化学物质是：HF（一般为49%水溶液）、IPA（和/或醋酸）和DI H2O。IPA（和/或醋酸）作为表面活性剂，有助于形成均一的PS。也可以使用其他添加剂提高电解质的电导率，从而通过电阻损失减少其加热。本领域技术人员可以毫无困难地采用HF和除了IPA以外的化学物质的混合物。
为了达到太阳能应用需要的经济性，人们研究了工艺成本模型，以确定和优化设备的性能。三类成本构成了总成本图：固定成本（FC）、经常性成本（RC）和产量成本（YC）（yield cost）。FC由设备采购价格、安装成本和机器人或自动化成本等项目构成。RC大部分由电、气、化合物、操作员薪金和维护技师支持构成。YC可理解为生产过程中损失部分的总价值。
为控制太阳能领域所要求的拥有成本(CoO)（cost-of-ownership）数目，必须优化成本图的所有方面。低成本工艺的特征是（按优先的顺序）：1）高生产率，2）高产量，3）低RC以及4）低FC。
设计高生产率设备需要对工艺要求具有良好的理解并将这些要求反应在设备结构中。高产量需要稳定的工艺和可靠的设备，而由于设备生产率提高，产量成本也是这样。低RC也是实现整体低CoO的先决条件。基于例如当地电力成本或大宗化合物的可获得性，RC会影响工厂地址的选择。FC尽管重要，但是其重要性被设备生产率冲淡了。
综上所述，总的来说，低成本太阳能电池的生产的先决条件是高生产率、可靠、高效的制造设备。
实现低RC需要有效利用化学物质。在湿式工艺中，“带出液”（drag out）或者被夹带出反应室的化学物质一定要从晶圆上清洗干净。“带出液”的量越大，相应地就需要越多的冲洗水清洗晶圆。这些因素都会加到CoO上。另外，必须要最小化化学物质的老化，这样它们才能在较长时间内重复使用和/或回收。
发明内容
在光电领域，本公开能够实现高生产率制造半导体基分离层（由多孔半导体如多孔硅制成）、地下反射器（buried reflector）（由多层/多种孔隙度的多孔半导体如多孔硅制成），形成用于抗反射涂层、钝化层的多孔半导体（如多孔硅）以及多界面、多带隙太阳能电池（例如，通过在晶体硅薄膜或晶圆基太阳能电池上形成较宽带隙的多孔硅发射器）。
本公开还能够在衬底（substrate）两面形成多孔半导体层，通过交换或调整电压极性和电流方向在衬底两面上形成多孔半导体层。多孔硅形成之后常用的工艺是硅沉积，有时是外延形式。双面多孔硅形成能够沉积双面外延层，从而降低可达到的硅沉积工艺拥有成本和所得双面释放的薄硅衬底的制造成本。
在半导体领域中，本公开能够制造用于脱模的MEMS分离层和浅沟槽隔离（STI）多孔硅（使用带有最佳孔隙度并在之后氧化形成的多孔硅）。其他应用包括一般的MEMS领域，包括独立的或与集成半导体微电子集成的传感器和致动器。其他应用范围涉及用于食品和药品评价的高表面积反应测试工具。
本公开主题的这些和其他优点以及其他新的特征将通过下面的描述变得清晰。本发明内容不是用来全面描述本发明主题，而是简略概括一些主题的功能性。对于本领域技术人员来说，其他系统、方法、特征和优点在阅读下面的附图及详细说明后将变得显而易见。所有下列描述中包括的其他系统、方法、特征和优点都包括在权利要求的保护范围内。
附图说明
参考附图，本公开主题的特征、实质及优点将通过下述详细说明变得更加清楚，其中：
图1显示了现有技术中单晶圆PS电解浴装置（electrolytic bath arrangement）图；
图2描述了用于多晶圆加工的“n”堆叠系列阵列；
图3显示了类似于图2所示的实施例，但是组件有一倾斜角，H2清扫方向为从左到右；
图4提供了包括带有共用电极的平面晶圆阵列的多晶圆加工系统的俯视图；
图5提供了图4所示的系统的侧视图；
图6显示了本公开的一“混合式”实施例的侧视图，其包括平面阵列和“n”堆叠系列阵列实施例；
图7提供了多晶圆加工的另一个实施例；
图8A和图8B分别显示了多晶圆加工的内联连续实施例的俯视图和侧视图；
图9A、9B和9C显示了晶圆边缘密封实施例的视图；图9B还显示了带有垂直或接近垂直衬底批次（batch）的实施例；以及
图9D显示了晶圆边缘密封替换实施例的视图。
具体实施方式
尽管参考了具体实施例进行描述，但本领域技术人员可以将本文讨论的原理应用到其他领域和/或实施例中。
除了下述具体实例外，本领域技术人员将认识到所公开的实施例与广泛的领域有关。
本公开的PS系统设计提供了新的平行或多晶圆加工结构，类似于低成本、大批量的工作台或槽中的湿式化学工艺。现有可得的PS工具依赖于单晶圆工艺，其特征在于每个晶圆担负了高额的资金成本、系列的累积处理时间以及过多的晶圆加工/密封，导致潜在的收率损失。本公开系统和方法可减少资金成本，减少的倍数等于每堆叠或阵列的晶圆数目。另外，所提出的设计可以简化自动操作，减少工具尺寸，并且能够在下游清洗和干燥。
图1显示了现有技术中用于通过阳极化生产多孔硅层的单晶圆电解浴装置的示意图。晶圆10放置在位于阳极14和阴极16之间的电解浴12中。在一个实施例中，电解浴12可以是HF/IPA。当电流通过系统时，多孔硅膜在晶圆前侧18形成；晶圆后侧17没有多孔硅形成。随着电流流过系统，阴极16和晶圆后侧17处放出氢气；阳极14和晶圆前侧18处放出氧气。
图2显示了一“n”堆叠系列阵列的侧视图，其被设计成解决某些与已知PS系统有关的问题。在该装置中，电解质从供给端22流出，其在晶圆20之间从晶圆到晶圆的流动方向相反。这种反向可以使流体的路径较简单，但是它不是本公开的必要特征。电解质最终从返回端24流出系统。阳极28和阴极29提供生产多孔硅层的电流。在“n”堆叠系统中，每个晶圆上观察到的电压是V/n，这里V是阳极28和阴极29之间的总电势差。类似地，每个晶圆上观察到的压强是P/n，这里P是供给端22和返回端24之间的总压强差。
任何PS室的一个挑战在于处理制造PS的阳极蚀刻反应产生的H2。氢气从晶圆和每个电极的表面释放出来。由于电解浴形成了电路的一部分，当H2使电解质移动时，其可能阻碍电流流动；由此，供应到反应表面的化学物质会影响PS的形成。因此，需要从晶圆和电极表面将H2副产物有效且快速地清除或清扫掉。晶圆间隙、流体流动和流体端口的设计决定了清扫的有效性。设置氢气排气管（hydrogen vent stack）23，以在电解质流体将H2从晶圆表面清除之后释放H2。
在流体力学方面清除H2很简单，但是必须作出一些考虑，以减少流体端口的电流损失。因为流线是从晶圆到晶圆连接的，所以，依赖于端口的几何结构、流线尺寸及长度，电流会泄露或绕过每个晶圆。例如，减少流线直径并增加长度会导致较大的电阻，这会降低电流损失或旁路损失。电场线也受相邻晶圆几何形状的影响。因此，相比于多个小端口，大的流动端口是不太合适的。
与常规腔室的流率相比，在PS形成过程中消耗的湿化学物质的量是最小的。所以，若使用更有效的装置减少H2，就能够减少整个系统的流量，这将进一步减少成本。图2显示的批式设计的一些关键优点在于其能够共用化学电解浴、能够使用单对电极，以及能够减少该种多晶圆方案中需要的总的材料/部件。
该PS工具的产物是干净、干燥的PS膜。通过堆叠和运送晶圆，人们能够想到第二种室，其以类似的方式固定晶圆堆叠，然后进行冲洗、净化和干燥。再一次，同时加工多个晶圆能够令人满意地降低CoO。
本领域技术人员将会理解，图2和其他附图的实施例可以使用不同的电流水平和极性，以形成双层、三层或多层PS实例，其中每层可具有不同的需要的孔隙度水平。在需要的层或多层制成后逆转电流极性，可以制造双面PS涂覆的晶圆。根据本公开，可优选在晶圆的两面形成多层PS，，其中两面都具有相似的或不同的层结构。
图3显示了一类似方法，组件相对于垂直30具有一倾斜角31，H2清扫方向为从左到右。该方法中，可用较少的代价显著地将流体需求减少（因为放出的氢气可以通过氢气排气管32自然排出）为机械的复杂程度（因为需要额外的流体排布来使所有电解质通道在相同的方向上流动）。在装载、卸载和填充过程中，该腔室可垂直倾斜。该方案的各种其他实施例可包括带有以一角度切割的晶圆槽的垂直反应器以减少尺寸，还包括“近水平”反应器，其中各晶圆整个浸入电解液中，并且放出的H2被排到流体水平上的连接有单排气管的顶部空间。该种布置可以进一步降低H-排气歧管的复杂度和成本。
实际上上室的顶部空间作为流体“压力头”，需要安装一泵（未显示）以提供足够的压力并使流体流过所述“n”堆叠。另外，若晶圆的“n”堆叠增加了，还需要另一个泵。在这种情况中，保证晶圆到晶圆之间具有相等的压降是有利的。需要压差以使每个晶圆抵住密封。没有足够的压力保持每个晶圆抵住其密封，晶圆周围就会泄漏出电流，并对PS的形成及均一性产生不利影响。
使批到批之间的电压和电流（或总功率）保持一致也是可取的。因为PS形成是一个电解过程，随着晶圆厚度的改变（来自模板/衬底的再利用）和浴化学物的转变（来自HF的消耗），PS的形成会受到影响。浴化学物和工艺特征的实时监控在确定工艺的稳定性和确保批到批之间及每一批中的均一性方面提供了帮助。
多晶圆加工的动机是为了降低每个晶圆的资金成本并提高生产率，从而降低CoO。实现该目标的另一方法是带有共用电极的平面晶圆阵列。
图4显示了用于实现多晶圆加工的本公开的另一实施例的俯视图。图中显示了16个晶圆，只有四个电极对。如图所示，多个晶圆可以共用一个电极以节省成本。在所示的实施例中，四个晶圆共用一个电极对，全部在腔室的边界40内。但是本领域技术人员将认识到，优选地可以使多于四个晶圆共用所述电极。据显示，阳极41在晶圆阵列的一侧，并且阴极（未显示）在另一侧。每对电极对的晶圆数目的增加需要使晶圆表面和电极之间的距离更大，以确保各晶圆表面的电流分布（以及由此造成的PS形成）一致。由于晶圆阵列的二维特性，这种布置被称为“X-Y”阵列。本领域技术人员将认识到，不管每对电极对的晶圆数目是多少，该腔室中总的晶圆阵列可以是任何想要的正方形、矩形或非矩形阵列形状。
图4所示的晶圆被画成“类似正方形（pseudo-square）”晶圆。本领域技术人员将认识到，任何形状的晶圆都可以有利地在该布置中使用：例如，正方形、圆形或其他可以使用的形状。
图5显示的是图4的布置的进一步改进。在“X-Y”阵列中可以实现经济性，更进一步的经济性可以通过“n”堆“X-Y”阵列实现。该种“X-Y”阵列很大程度上依赖于高导电率的浴以实现均一的场（图5示意地显示了场线57的大致形状）。由于与较多数目的晶圆关联的距离与累积，在该“X-Y”布置中减少氢气放出变得甚至更加重要。我们可以使用“X-Y”דn”阵列，这里“n”代表高度方向（例如，5×5×1、10×10×1，或者20×20×1、10×10×5、10×20×2，或者任何其他需要的晶圆位置布置）。制造在所述堆叠上带有多于一个平面托盘（tray）的批式多孔硅反应器（即，n=2、3、……、10或更多）是可能的。对于非常低成本的多孔硅形成，该种设计结构提供了非常高的生产率。用于在半导体晶圆上形成带有单一孔隙度或多种孔隙度的多孔硅层的有效设备生产量可从每小时数百个晶圆到每小时甚至数千个晶圆。
图6描绘了“X-Y”和“n”堆叠阵列的混合实施例的侧视图。该实施例可以如图3所示的倾斜，或者如图2所示的不倾斜。另外，可以排布电解质的路径使每个平面晶圆阵列之间的电解质在相同方向或相反方向上流动。所示的结构中披露了一2×2×5的阵列实例，其中在能够合理清除H2气的设计中，一组电极用于20个晶圆。每堆托盘上的实际晶圆数目和堆叠水平的数目可根据设计和生产量要求而变化。
图7是另一种共用资本资源的方法。在该实施例中，每个阴极74用于两个晶圆70，并且每个晶圆堆在或夹在相反的电极上（阳极76）。如果各晶圆垂直定位，H2可以自然地排出到腔室的顶部。在该种取向中，在加工过程中，不需要抽运电解质或使电解质循环。进一步的成本降低可以通过在干燥晶圆卡盘（chuck）中使用的材料实现。该种设计可以在左侧和右侧以及进入页面的方向上扩展。
图8A和8B显示了带托盘浸入槽的一个实施例的视图。多个晶圆负载托盘83被传送通过电解质浴80并在电极85和86下面通过，在晶圆84上形成PS。在该实施例中，有两个独立的电极区，A和B，通过在电极上施加不同的电压，它们可以形成一排低和高孔隙度的PS。当上部电极浸入浴中时，晶圆载体与侧轨接触。另一种实现多种孔隙度水平的方法是使2种这种电解浴串联（浴1&浴2），其中晶圆通过带有一化学物的浴1，施加电流形成第一孔隙度水平，之后各晶圆浮出传送带上的浴1，然后浸入浴2中，浴2带有第二种化学物并且施加电流形成第二种不同的孔隙度水平。这些浴可以构成弯曲的U形，这样，在满足停留时间以达到PS层性能的同时，该工具的有效尺寸能够保持较低。
图9A和9B显示了本公开中的一致的晶圆边缘密封。图9A给出了晶圆90及外壳91的面的视图。
图9B给出了多个晶圆90被边缘密封92固定在原处的侧立图（edge-on view），以及一些晶圆90和一些边缘密封92之间的交界处的细节图。氢气排气管93显示在多个晶圆90的顶部。
图9B显示了垂直或接近垂直的衬底布置。在垂直布置的多衬底多孔硅形成室中，操作中不需要强迫电解质流动，因为从反应表面释放出的副产品气体可以通过浮力被自然向上清除，并离开反应表面。所以，在顶部足以排出气体，而不会使每个隔室之间的电解质接触。该种接触通过使用一种相容的、防渗的边缘密封来避免。
衬底本身和相容的、防渗的边缘密封一起形成单个密封的电解质隔室，从而可以最小化或者甚至完全避免各隔室之间的电解质和电场的泄露。这样可以在整个暴露的衬底表面上均匀地形成所需的多孔硅结构。
需要注意，除了相容的、防渗的边缘密封，在其垂直布置中使衬底稳定也是有利的。除了其他选择，还可以通过几何限制（例如参见图9C）来实现，以及通过使用有孔的或海绵状的环设置（例如参考图9D）来实现，该种设置可以使靠近衬底边缘的电解质和电场透过。
图9C显示了图9B放大部分的进一步放大视图。该视图显示了通过交换或调整阳极化电流在晶圆90的双面上形成了多孔半导体，例如多孔硅双层或多层98。
图9D显示了本公开的晶圆边缘密封的替换实施例100。实施例100显示了一致的边缘密封101，其可嵌入垂直密封部件103中。其与图9B所示的连续的、弯曲的（或者所谓的“几何形状的”）一致密封形成对照。密封部件103可以透过电解质和电流，确保密封区域内侧的晶圆部分可以适当地、均匀地阳极化。
对于若干原因的任一原因，使用任一种所示的一致边缘密封实施例是有利的。在某些应用中，接收PS（多孔半导体）层的晶圆可以重复使用多次，例如，用于制造可通过移除PS（多孔半导体）层与晶圆分开的薄膜太阳能衬底。在那些情况下，晶圆90的精确规格（厚度、直径、形状等）从一种应用到下一种应用会稍微改变。因此，需要一致的边缘密封来配合稍微不同的形状和尺寸的范围。
本公开的实施例可以用于形成带有单一孔隙度或多种孔隙度结构的单面和双面多孔半导体/多孔硅层。带有单面多孔半导体/多孔硅层的晶圆接着经过单面外延半导体或硅沉积处理，以从该种晶圆（作为可重复使用的模板来使用）的一面上形成薄的外延衬底。
类似地，带有双面多孔半导体/多孔硅层的晶圆接着可经过双面外延半导体或硅沉积处理，以从该种晶圆（作为可重复使用的模板使用）的两面上形成薄的外延衬底，从而进一步降低制造该种薄外延衬底的成本。
本发明的各种多孔半导体（硅）设备实施例中使用的电极可以由（包括但不限于）金刚石、铂、硅、碳、涂覆有金刚石或涂覆有类金刚石碳的导电材料或其它本领域已知的材料制成。另外，电极的形状可以是（但不限于），例如，平面或曲面圆盘、杆或环。可以设定电极的形状和尺寸以建立预先指定的电场和电流分布。
前面的示范性实施例的描述用于使任何本领域的技术人员能够制造和使用本发明的主题。这些实施例的各种改进对于本领域技术人员而言是显而易见的，这里限定的通用原则可以应用到其他实施例中而不需要付出创新性的劳动。因此，所要求的主题不受限于本文展示的实施例，而仅是符合与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽泛的范围。
包括在本说明书中的所有此类其他的系统、方法、特征及优点都在权利要求的保护范围内。
Claims (12)
1.一种用于在多个半导体晶圆上制造多孔半导体层的设备，包括：
垂直方向的电解电池，包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述电解电池顶部，且所述第二电极设置于所述电解电池底部，用于产生电流；
以堆叠布置的多个半导体晶圆，其中每个所述半导体晶圆通过一围绕所述半导体晶圆设置的边缘晶圆密封保持在原位；
向所述设备提供电解质的电解质供给端；
设置在每个所述多个半导体晶圆之间的多个电解质通道，用于向每个所述半导体晶圆的至少一表面提供所述电解质以及用于从所述表面移除气体；
对应于每个所述电解质通道的电解质供给端和排出端口，所述电解质供给端和排出端口使所述电解质流动通过所述多个电解质通道和每个所述半导体晶圆上方；以及
氢气排气管，对应于每个所述电解质通道并从电解质流道去除氢气，电解质流道包括所述电解质通道和所述电解质供给端和排出端口。
2.根据权利要求1所述的设备，其中每个所述半导体晶圆包括正方形半导体晶圆或类似正方形的半导体晶圆。
3.根据权利要求1所述的设备，其中每个所述半导体晶圆包括大致圆形的半导体晶圆。
4.根据权利要求1所述的设备，其中可操作所述第一电极和所述第二电极，以在预定时间段后交换或调整电流和电压极性至少一个周期。
5.根据权利要求4所述的设备，其中可操作所述第一电极和所述第二电极，以产生多个预定水平的所述电流，用于制造具有不同孔隙度的多层。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述多个预定水平包括一组用于多层孔隙度的离散水平。
7.根据权利要求5所述的设备，其中所述多个预定水平包括用于分级的孔隙度的连续水平。
8.根据权利要求1所述的设备，其中每个所述晶圆密封包括一致的边缘密封，其用于配合晶圆直径和晶圆厚度的范围。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的设备，其中所述半导体晶圆包括硅晶圆。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的设备，其中所述多个堆叠布置的半导体晶圆为多个堆叠布置的晶圆阵列。
11.根据权利要求1-8中任一项所述的设备，其中所述多个半导体晶圆设置于相对于垂直方向的倾斜角处。
12.根据权利要求1-8中任一项所述的设备，还包括一泵，向所述电解质通道中的所述电解质提供增大的压力。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17553509P | 2009-05-05 | 2009-05-05 | |
| US61/175,535 | 2009-05-05 | ||
| PCT/US2010/033792 WO2010129719A1 (en) | 2009-05-05 | 2010-05-05 | High-productivity porous semiconductor manufacturing equipment |
| US12/774,667 US8999058B2 (en) | 2009-05-05 | 2010-05-05 | High-productivity porous semiconductor manufacturing equipment |
| US12/774,667 | 2010-05-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102460716A CN102460716A (zh) | 2012-05-16 |
| CN102460716B true CN102460716B (zh) | 2015-03-25 |
Family
ID=43050452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080030023.7A Expired - Fee Related CN102460716B (zh) | 2009-05-05 | 2010-05-05 | 高生产率多孔半导体制造设备 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8999058B2 (zh) |
| EP (1) | EP2427914A4 (zh) |
| JP (1) | JP5872456B2 (zh) |
| CN (1) | CN102460716B (zh) |
| MY (1) | MY165969A (zh) |
| WO (1) | WO2010129719A1 (zh) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9508886B2 (en) | 2007-10-06 | 2016-11-29 | Solexel, Inc. | Method for making a crystalline silicon solar cell substrate utilizing flat top laser beam |
| US8399331B2 (en) | 2007-10-06 | 2013-03-19 | Solexel | Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication |
| US8035027B2 (en) | 2006-10-09 | 2011-10-11 | Solexel, Inc. | Solar module structures and assembly methods for pyramidal three-dimensional thin-film solar cells |
| US8193076B2 (en) | 2006-10-09 | 2012-06-05 | Solexel, Inc. | Method for releasing a thin semiconductor substrate from a reusable template |
| US8815104B2 (en) | 2008-03-21 | 2014-08-26 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Copper-assisted, anti-reflection etching of silicon surfaces |
| US20090236317A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Midwest Research Institute | Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions |
| US8729798B2 (en) | 2008-03-21 | 2014-05-20 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Anti-reflective nanoporous silicon for efficient hydrogen production |
| US20100148319A1 (en) | 2008-11-13 | 2010-06-17 | Solexel, Inc. | Substrates for High-Efficiency Thin-Film Solar Cells Based on Crystalline Templates |
| US9076642B2 (en) | 2009-01-15 | 2015-07-07 | Solexel, Inc. | High-Throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods |
| US8906218B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-12-09 | Solexel, Inc. | Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate |
| US9318644B2 (en) | 2009-05-05 | 2016-04-19 | Solexel, Inc. | Ion implantation and annealing for thin film crystalline solar cells |
| CN102460716B (zh) * | 2009-05-05 | 2015-03-25 | 速力斯公司 | 高生产率多孔半导体制造设备 |
| CA2815754A1 (en) | 2009-11-11 | 2011-05-19 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Wet-chemical systems and methods for producing black silicon substrates |
| EP2510551B1 (en) | 2009-12-09 | 2017-08-02 | Solexel, Inc. | Method for manufacturing back contact back junction solar cells |
| US8241940B2 (en) | 2010-02-12 | 2012-08-14 | Solexel, Inc. | Double-sided reusable template for fabrication of semiconductor substrates for photovoltaic cell and microelectronics device manufacturing |
| KR20130051013A (ko) | 2010-06-09 | 2013-05-16 | 솔렉셀, 인크. | 고생산성 박막 증착 방법 및 시스템 |
| US8828765B2 (en) | 2010-06-09 | 2014-09-09 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Forming high efficiency silicon solar cells using density-graded anti-reflection surfaces |
| SG186283A1 (en) | 2010-06-14 | 2013-01-30 | Trutag Technologies Inc | System for producing a packaged item with an identifier |
| US8946547B2 (en) | 2010-08-05 | 2015-02-03 | Solexel, Inc. | Backplane reinforcement and interconnects for solar cells |
| WO2012121706A1 (en) | 2011-03-08 | 2012-09-13 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Efficient black silicon photovoltaic devices with enhanced blue response |
| WO2012135469A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Natcore Technology, Inc. | Method of controlling silicon oxide film thickness |
| EP2710639A4 (en) | 2011-05-20 | 2015-11-25 | Solexel Inc | SELF-ACTIVATED FRONT SURFACE POLARIZATION FOR A SOLAR CELL |
| MY167902A (en) * | 2011-05-26 | 2018-09-26 | Solexel Inc | Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse |
| US9217206B2 (en) * | 2013-09-27 | 2015-12-22 | Sunpower Corporation | Enhanced porosification |
| DE102013221522A1 (de) * | 2013-10-01 | 2015-04-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung poröser Siliciumschichten |
| DE102013219886A1 (de) | 2013-10-01 | 2015-04-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung poröser Siliciumschichten |
| US20170243774A1 (en) * | 2014-09-04 | 2017-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous silicon layers |
| US20170317225A1 (en) * | 2014-12-10 | 2017-11-02 | Applied Materials, Inc. | System and method for all wrap around porous silicon formation |
| US9799541B1 (en) | 2014-12-18 | 2017-10-24 | Trutag Technologies, Inc. | Multiple wafer single bath etcher |
| CN111188083B (zh) * | 2020-01-23 | 2021-05-07 | 河南理工大学 | 一种电化学制备全表面发光的多孔硅的方法 |
| CN112663120B (zh) * | 2020-12-05 | 2022-08-02 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 用于晶圆双面电镀的电镀装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458755A (en) * | 1992-11-09 | 1995-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
| CN1188820A (zh) * | 1996-11-28 | 1998-07-29 | 佳能株式会社 | 阳极化处理设备和与该设备有关的方法 |
| US6818104B2 (en) * | 1999-06-08 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodizing apparatus |
Family Cites Families (113)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4082570A (en) * | 1976-02-09 | 1978-04-04 | Semicon, Inc. | High intensity solar energy converter |
| US4070206A (en) * | 1976-05-20 | 1978-01-24 | Rca Corporation | Polycrystalline or amorphous semiconductor photovoltaic device having improved collection efficiency |
| US4043894A (en) * | 1976-05-20 | 1977-08-23 | Burroughs Corporation | Electrochemical anodization fixture for semiconductor wafers |
| US4165252A (en) * | 1976-08-30 | 1979-08-21 | Burroughs Corporation | Method for chemically treating a single side of a workpiece |
| US4348254A (en) * | 1978-12-27 | 1982-09-07 | Solarex Corporation | Method of making solar cell |
| US4251679A (en) * | 1979-03-16 | 1981-02-17 | E-Cel Corporation | Electromagnetic radiation transducer |
| US4249959A (en) * | 1979-11-28 | 1981-02-10 | Rca Corporation | Solar cell construction |
| US4361950A (en) * | 1980-03-24 | 1982-12-07 | Exxon Research & Engineering Co. | Method of making solar cell with wrap-around electrode |
| US4427839A (en) * | 1981-11-09 | 1984-01-24 | General Electric Company | Faceted low absorptance solar cell |
| US4479847A (en) * | 1981-12-30 | 1984-10-30 | California Institute Of Technology | Equilibrium crystal growth from substrate confined liquid |
| US4409423A (en) * | 1982-03-09 | 1983-10-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hole matrix vertical junction solar cell |
| US4461922A (en) * | 1983-02-14 | 1984-07-24 | Atlantic Richfield Company | Solar cell module |
| US4626613A (en) | 1983-12-23 | 1986-12-02 | Unisearch Limited | Laser grooved solar cell |
| US4672023A (en) | 1985-10-21 | 1987-06-09 | Avantek, Inc. | Method for planarizing wafers |
| US5024953A (en) | 1988-03-22 | 1991-06-18 | Hitachi, Ltd. | Method for producing opto-electric transducing element |
| US4922277A (en) | 1988-11-28 | 1990-05-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Silicon wafer photoresist developer |
| US5208068A (en) | 1989-04-17 | 1993-05-04 | International Business Machines Corporation | Lamination method for coating the sidewall or filling a cavity in a substrate |
| GB8927709D0 (en) | 1989-12-07 | 1990-02-07 | Secretary Of The State For Def | Silicon quantum wires |
| US5073230A (en) | 1990-04-17 | 1991-12-17 | Arizona Board Of Regents Acting On Behalf Of Arizona State University | Means and methods of lifting and relocating an epitaxial device layer |
| US5420067A (en) | 1990-09-28 | 1995-05-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of fabricatring sub-half-micron trenches and holes |
| US5248621A (en) | 1990-10-23 | 1993-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing solar cell devices of crystalline material |
| US5112453A (en) | 1990-10-31 | 1992-05-12 | Behr Omri M | Method and apparatus for producing etched plates for graphic printing |
| JP3337705B2 (ja) * | 1992-01-23 | 2002-10-21 | キヤノン株式会社 | 陽極化成装置及び方法 |
| JPH0690014A (ja) | 1992-07-22 | 1994-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄型太陽電池及びその製造方法，エッチング方法及び自動エッチング装置，並びに半導体装置の製造方法 |
| JP3110178B2 (ja) * | 1992-11-09 | 2000-11-20 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び陽極化成装置 |
| US5316593A (en) | 1992-11-16 | 1994-05-31 | Midwest Research Institute | Heterojunction solar cell with passivated emitter surface |
| JPH088370B2 (ja) | 1993-03-05 | 1996-01-29 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池用光閉じ込め構造体 |
| DE4310206C2 (de) | 1993-03-29 | 1995-03-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einer Substratscheibe |
| US5660680A (en) | 1994-03-07 | 1997-08-26 | The Regents Of The University Of California | Method for fabrication of high vertical aspect ratio thin film structures |
| US5645684A (en) | 1994-03-07 | 1997-07-08 | The Regents Of The University Of California | Multilayer high vertical aspect ratio thin film structures |
| US5538564A (en) | 1994-03-18 | 1996-07-23 | Regents Of The University Of California | Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells |
| JP3186482B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2001-07-11 | 日産自動車株式会社 | 半導体基板の電解エッチング方法 |
| US5882988A (en) | 1995-08-16 | 1999-03-16 | Philips Electronics North America Corporation | Semiconductor chip-making without scribing |
| WO1997013280A1 (en) | 1995-10-05 | 1997-04-10 | Ebara Solar, Inc. | Self-aligned locally deep- diffused emitter solar cell |
| US5681392A (en) | 1995-12-21 | 1997-10-28 | Xerox Corporation | Fluid reservoir containing panels for reducing rate of fluid flow |
| US5935653A (en) | 1996-01-18 | 1999-08-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for coating a substrate |
| EP0797258B1 (en) * | 1996-03-18 | 2011-07-20 | Sony Corporation | Method for making thin film semiconductor, solar cell, and light emitting diode |
| US6399143B1 (en) | 1996-04-09 | 2002-06-04 | Delsys Pharmaceutical Corporation | Method for clamping and electrostatically coating a substrate |
| US6091021A (en) | 1996-11-01 | 2000-07-18 | Sandia Corporation | Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process |
| AUPO347196A0 (en) | 1996-11-06 | 1996-12-05 | Pacific Solar Pty Limited | Improved method of forming polycrystalline-silicon films on glass |
| US6756289B1 (en) | 1996-12-27 | 2004-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell |
| US20030039843A1 (en) | 1997-03-14 | 2003-02-27 | Christopher Johnson | Photoactive coating, coated article, and method of making same |
| US7176111B2 (en) | 1997-03-28 | 2007-02-13 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method for depositing polycrystalline SiGe suitable for micromachining and devices obtained thereof |
| JP3985065B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2007-10-03 | 忠弘 大見 | 多孔質シリコン基板の形成方法及び多孔質シリコン基板の形成装置 |
| JP3740251B2 (ja) | 1997-06-09 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| US6645833B2 (en) | 1997-06-30 | 2003-11-11 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E. V. | Method for producing layered structures on a substrate, substrate and semiconductor components produced according to said method |
| US6114046A (en) | 1997-07-24 | 2000-09-05 | Evergreen Solar, Inc. | Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications |
| JP3501642B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2004-03-02 | キヤノン株式会社 | 基板処理方法 |
| EP1062689B1 (de) | 1998-03-13 | 2009-09-09 | Peter Dr. Fath | Solarzellenanordnung und verfahren zur herstellung einer solarzellenanordnung |
| US6416647B1 (en) | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
| US6331208B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor |
| AUPP437598A0 (en) | 1998-06-29 | 1998-07-23 | Unisearch Limited | A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell |
| JP2000022185A (ja) | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Sharp Corp | 太陽電池セル及びその製造方法 |
| CN1151543C (zh) * | 1998-07-03 | 2004-05-26 | 佳能株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
| US6096229A (en) | 1998-07-30 | 2000-08-01 | Lucent Technologies Inc. | Method of making alignment grooves in an optical connector support member |
| EP0996145A3 (en) * | 1998-09-04 | 2000-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor substrate |
| US6555443B1 (en) | 1998-11-11 | 2003-04-29 | Robert Bosch Gmbh | Method for production of a thin film and a thin-film solar cell, in particular, on a carrier substrate |
| US6461932B1 (en) | 1998-12-14 | 2002-10-08 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor trench isolation process that utilizes smoothening layer |
| JP2000277478A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Canon Inc | 陽極化成装置、陽極化成システム、基板の処理装置及び処理方法、並びに基板の製造方法 |
| US6881644B2 (en) | 1999-04-21 | 2005-04-19 | Silicon Genesis Corporation | Smoothing method for cleaved films made using a release layer |
| JP3619053B2 (ja) | 1999-05-21 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2001007362A (ja) | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Canon Inc | 半導体基材および太陽電池の製造方法 |
| WO2001015211A1 (en) | 1999-08-26 | 2001-03-01 | Brewer Science | Improved fill material for dual damascene processes |
| US6602767B2 (en) | 2000-01-27 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for transferring porous layer, method for making semiconductor devices, and method for making solar battery |
| AU781761B2 (en) | 2000-03-09 | 2005-06-09 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (Imec) | Method for the formation and lift-off of porous silicon layers |
| US6964732B2 (en) | 2000-03-09 | 2005-11-15 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for continuous formation and lift-off of porous silicon layers |
| JP2001284622A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
| US6294725B1 (en) | 2000-03-31 | 2001-09-25 | Trw Inc. | Wireless solar cell array electrical interconnection scheme |
| US6518172B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Method for applying uniform pressurized film across wafer |
| JP2002184709A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-06-28 | Canon Inc | 半導体薄膜の製造方法及びその製造装置 |
| US6551908B2 (en) * | 2000-10-02 | 2003-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor thin films on moving substrates |
| NL1016779C2 (nl) | 2000-12-02 | 2002-06-04 | Cornelis Johannes Maria V Rijn | Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs. |
| US6602760B2 (en) | 2000-12-21 | 2003-08-05 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method of producing a semiconductor layer on a substrate |
| WO2002055760A1 (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-18 | Telephus, Inc. | Anodic reactor and reaction unit thereof |
| US6969472B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-11-29 | Lsi Logic Corporation | Method of fabricating sub-micron hemispherical and hemicylidrical structures from non-spherically shaped templates |
| US6524880B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-02-25 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Solar cell and method for fabricating the same |
| JP2002353423A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び処理方法 |
| JP2003052185A (ja) | 2001-05-30 | 2003-02-21 | Canon Inc | 電力変換器およびそれを用いる光起電力素子モジュール並びに発電装置 |
| AU2002344596B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-07-27 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Tubular titanium oxide particles, method for preparing the same, and use of the same |
| US6995032B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-02-07 | Cree, Inc. | Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same |
| JP2004055803A (ja) | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| EP1385199A1 (en) | 2002-07-24 | 2004-01-28 | IMEC vzw, Interuniversitair Microelectronica Centrum vzw | Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI application |
| KR20050032114A (ko) | 2002-08-06 | 2005-04-06 | 아베시아 리미티드 | 유기 전기 소자 |
| AU2003266998A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Hartmut Presting | Microstructured catalyst body and method for production thereof |
| EP1555696B1 (en) | 2002-10-25 | 2010-12-15 | Nakajima Glass Co., Inc. | Solar battery module manufacturing method |
| GB0227902D0 (en) | 2002-11-29 | 2003-01-08 | Ingenia Holdings Ltd | Template |
| NL1022155C2 (nl) | 2002-12-12 | 2004-06-22 | Otb Group Bv | Werkwijze, alsmede inrichting voor het behandelen van een oppervlak van ten minste één substraat. |
| US7402448B2 (en) | 2003-01-31 | 2008-07-22 | Bp Corporation North America Inc. | Photovoltaic cell and production thereof |
| US6911379B2 (en) | 2003-03-05 | 2005-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming strained silicon on insulator substrate |
| JP4761706B2 (ja) | 2003-12-25 | 2011-08-31 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP3982502B2 (ja) | 2004-01-15 | 2007-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | 描画装置 |
| EP1560272B1 (en) | 2004-01-29 | 2016-04-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell module |
| US7144751B2 (en) | 2004-02-05 | 2006-12-05 | Advent Solar, Inc. | Back-contact solar cells and methods for fabrication |
| US7335555B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-02-26 | Advent Solar, Inc. | Buried-contact solar cells with self-doping contacts |
| US20060021565A1 (en) | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Aonex Technologies, Inc. | GaInP / GaAs / Si triple junction solar cell enabled by wafer bonding and layer transfer |
| WO2006031798A2 (en) | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Jx Crystals Inc. | Solar photovoltaic mirror modules |
| JP4464240B2 (ja) | 2004-10-06 | 2010-05-19 | キヤノン株式会社 | 部材の処理装置及び処理方法 |
| US8129822B2 (en) | 2006-10-09 | 2012-03-06 | Solexel, Inc. | Template for three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use |
| JP4340246B2 (ja) | 2005-03-07 | 2009-10-07 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| US7402523B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-07-22 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
| US20060266916A1 (en) | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy |
| US20070095386A1 (en) | 2005-06-06 | 2007-05-03 | Solaria Corporation | Method and system for integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions |
| US7259102B2 (en) | 2005-09-30 | 2007-08-21 | Molecular Imprints, Inc. | Etching technique to planarize a multi-layer structure |
| KR100699348B1 (ko) | 2005-10-11 | 2007-03-23 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 용액을 효율적으로 사용하는 분사식포토레지스트 코팅 장치 및 방법 |
| US7786376B2 (en) | 2006-08-22 | 2010-08-31 | Solexel, Inc. | High efficiency solar cells and manufacturing methods |
| US7745313B2 (en) | 2008-05-28 | 2010-06-29 | Solexel, Inc. | Substrate release methods and apparatuses |
| US8035028B2 (en) | 2006-10-09 | 2011-10-11 | Solexel, Inc. | Pyramidal three-dimensional thin-film solar cells |
| US8035027B2 (en) | 2006-10-09 | 2011-10-11 | Solexel, Inc. | Solar module structures and assembly methods for pyramidal three-dimensional thin-film solar cells |
| US8512581B2 (en) | 2006-10-09 | 2013-08-20 | Solexel, Inc. | Methods for liquid transfer coating of three-dimensional substrates |
| US20080264477A1 (en) | 2006-10-09 | 2008-10-30 | Soltaix, Inc. | Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells |
| US7999174B2 (en) | 2006-10-09 | 2011-08-16 | Solexel, Inc. | Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells |
| EP2371006A4 (en) | 2008-11-26 | 2013-05-01 | Solexel Inc | TRUNCATED PYRAMID STRUCTURES FOR TRANSPARENT SOLAR CELLS |
| CN102460716B (zh) * | 2009-05-05 | 2015-03-25 | 速力斯公司 | 高生产率多孔半导体制造设备 |
-
2010
- 2010-05-05 CN CN201080030023.7A patent/CN102460716B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-05 MY MYPI2011005354A patent/MY165969A/en unknown
- 2010-05-05 EP EP10772799.2A patent/EP2427914A4/en not_active Withdrawn
- 2010-05-05 US US12/774,667 patent/US8999058B2/en active Active
- 2010-05-05 WO PCT/US2010/033792 patent/WO2010129719A1/en active Application Filing
- 2010-05-05 JP JP2012509957A patent/JP5872456B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-04-06 US US14/679,731 patent/US9869031B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458755A (en) * | 1992-11-09 | 1995-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
| CN1188820A (zh) * | 1996-11-28 | 1998-07-29 | 佳能株式会社 | 阳极化处理设备和与该设备有关的方法 |
| US6818104B2 (en) * | 1999-06-08 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodizing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2427914A1 (en) | 2012-03-14 |
| US9869031B2 (en) | 2018-01-16 |
| US20110030610A1 (en) | 2011-02-10 |
| US20150315719A1 (en) | 2015-11-05 |
| MY165969A (en) | 2018-05-18 |
| EP2427914A4 (en) | 2013-06-05 |
| CN102460716A (zh) | 2012-05-16 |
| JP5872456B2 (ja) | 2016-03-01 |
| WO2010129719A1 (en) | 2010-11-11 |
| JP2012526398A (ja) | 2012-10-25 |
| US8999058B2 (en) | 2015-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102460716B (zh) | 高生产率多孔半导体制造设备 | |
| US10829864B2 (en) | Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate | |
| US8900399B2 (en) | Integrated method and system for manufacturing monolithic panels of crystalline solar cells | |
| CN102844883B (zh) | 用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板 | |
| US20170345957A1 (en) | Three-dimensional thin film semiconductor substrate with through-holes and methods of manufacturing | |
| CN101305454B (zh) | 形成光致电压接点和连线的方法 | |
| Bruton et al. | Towards 20% efficient silicon solar cells manufactured at 60 MWp per annum | |
| CN101322251A (zh) | 沉积光电元件用的微晶硅层的方法与设备 | |
| CN101553921A (zh) | 用于制造三维薄膜太阳能电池的模板及使用方法 | |
| CN101982889B (zh) | 一种太阳能电池片的制作方法 | |
| KR20110139079A (ko) | 박막 증착 장치 | |
| CN106098810A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 | |
| CN109545893A (zh) | 一种n型太阳能电池多步硼扩散工艺 | |
| EP2652774B1 (en) | Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate | |
| US20170243774A1 (en) | Method and apparatus for forming porous silicon layers | |
| US9076642B2 (en) | High-Throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods | |
| Zou et al. | Metal-catalyzed chemical etching using DIO3 as a hole injection agent for efficient submicron-textured multicrystalline silicon solar cells | |
| KR101347681B1 (ko) | 고생산성 배치 다공성 실리콘 제조 장치 디자인 및 가공 방법 | |
| CN207320078U (zh) | 一种沿水平方向放置太阳能电池的石墨舟 | |
| CN102201489A (zh) | 包括硬性或柔性基板的光电装置及其制造方法 | |
| KR102584852B1 (ko) | 열박리 테이프를 이용한 태양전지 제조 방법 | |
| CN115274881A (zh) | 一种太阳能电池及其栅线制作方法、电池组件、光伏系统 | |
| CN102479876A (zh) | 太阳能电池制造方法及根据该制造方法制造的太阳能电池 | |
| KR100990687B1 (ko) | 벌크 실리콘 솔라셀 제조장치 및 그 제조방법 | |
| CN115976652A (zh) | 一种微制绒抛光工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180731 Address after: Hawaii Patentee after: TRUTAG TECHNOLOGIES, Inc. Address before: American Pennsylvania Patentee before: BL & S: Sao Li Sai asset LLC Effective date of registration: 20180731 Address after: American Pennsylvania Patentee after: BL & S: Sao Li Sai asset LLC Address before: California, USA Patentee before: OB Real Estate Co.,Ltd. Effective date of registration: 20180731 Address after: California, USA Patentee after: OB Real Estate Co.,Ltd. Address before: California, USA Patentee before: Bank of the banks Effective date of registration: 20180731 Address after: California, USA Patentee after: Bank of the banks Address before: California, USA Patentee before: Solexel, Inc. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150325 Termination date: 20190505 |