JP3337705B2

JP3337705B2 - 陽極化成装置及び方法

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Publication number: JP3337705B2
Application number: JP03132992A
Authority: JP
Inventors: 茂樹近藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-01-23
Filing date: 1992-01-23
Publication date: 2002-10-21
Anticipated expiration: 2017-10-21
Also published as: JPH05198558A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、低消費電力と高速性を
兼ね備えたＢｉ−ＣＭＯＳデバイスを搭載したＵＬＳＩ
やセンサーデバイス、演算素子、メモリなどの機能素子
を積層した３次元構造デバイス、または電子交換機、放
電プリンタ、プラズマ・ディスプレイ用のパワー・トラ
ンジスタなどの高耐圧デバイス、等に用いられるＳＯＩ
（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）形成技
術や、マイクロ・マシニング技術の分野等で利用される
結晶シリコンの陽極化成処理装置及び方法に関し、特
に、多孔質シリコンの製造に用いられる陽極化成装置及
び方法に関するものである。

【０００２】尚、本発明で述べる多孔質シリコンとは、
単結晶構造を保有するとともに、その内部に多数の細孔
を有する構造を特徴とする結晶シリコンを意味する。

【０００３】また、本発明において、結晶シリコン基板
と表現する場合は、半導体産業分野において利用される
結晶欠陥及び細孔を有しない単結晶シリコンウェーハを
意味する。

【０００４】

【従来の技術】多孔質シリコンの形成は、ウィラー
（Ａ．Ｕｈｌｉｒ）及びターナー（Ｄ．Ｒ．Ｔｕｒｎｅ
ｒ）により、フッ化水素酸（以降、ＨＦと略記する。）
水溶液中において、正電位にバイアスされた単結晶シリ
コンの電解研磨の研究過程において発見された。

【０００５】その後、多孔質シリコンの反応性に富む性
質を利用して、シリコン集積回路製造工程において、厚
い絶縁物の形成が必要な素子間分離工程に応用する検討
がなされ、多孔質シリコン酸化膜によるＩＣの完全分離
技術であるＦＩＰＯＳ（Ｆｕ−ｌｌＩｓｏｌａｔｉｏ
ｎｂｙＰｏｒｏｕｓＯｘｉｄｉｚｅｄＳｉｌｉ
ｃｏｎ）や、多孔質シリコン基板上に成長させたシリコ
ン・エピタキシャル層を酸化膜を介して非晶質基板上や
単結晶シリコン・ウェーハ基板上に貼付けるシリコン直
接接合技術などへの応用技術が開発されるに至った。

【０００６】従来、多孔質シリコンは、図４に示す日本
国特許：特開昭６０−９４７３７号公報、及び米国特
許：Ｎｏ．４６２８５９１号、等に記載されているよう
な陽極化成装置を用いて形成されている。

【０００７】このような従来の陽極化成装置は、図４に
示すように、縮退したシリコンウェーハ１を挟んで化成
槽２ａ及び２ｂを有しており、各化成槽は白金電極板３
ａ及び３ｂが配置してある。

【０００８】また、化成槽２ａ及び２ｂの外壁面と、シ
リコンウェーハ１のウェーハラッピング面とは、Ｏリン
グ７を介してウェーハ装着が容易なように分解可能な構
造で接合し、陽極化成装置が組み立てられている。

【０００９】更に、化成槽２ａ及び２ｂのシリコンウェ
ーハ１に接する側壁には、前記Ｏリング７の内径寸法に
対応する開口が設けてあり、化成槽２ａ及び２ｂ内には
シリコンウェーハ１をエッチングする為の、純水で希釈
されたＨＦ水溶液からなる電解質溶液６ａ及び６ｂが満
たされている。

【００１０】各化成槽内のＨＦ水溶液は、前記Ｏリング
７により、液漏れがないようにシールされている。

【００１１】次に、外部直流電源（図示せず）により、
白金電極３ａを陰極に、また白金電極３ｂを陽極にする
ことで、化成槽２ａ内のＨＦ水溶液６ａにおいてフッ素
イオン（以降、「Ｆ^- イオン」と略記する。）が発生す
る。

【００１２】このＦ^- イオンは、シリコンウェーハ１の
陰極側表面でシリコン原子と反応し、四フッ化シリコン
（ＳｉＦ₄ ）と水素（Ｈ₂ ）を化成することで、シリコ
ンウェーハ１を溶解して細孔を形成する。

【００１３】結晶シリコンの陽極化成反応による細孔形
成において、シリコンウェーハ中の正孔の存在が不可欠
であることが知られている。その形成メカニズムは、次
のように想定される。

【００１４】まず、縮退したＰ型シリコン内の正孔が単
結晶シリコンウェーハ表面に達すると、表面のシリコン
未結合手を補償するＳｉ−Ｈ結合へのＦ^- イオンの求核
攻撃が生じこれに代わってＳｉ−Ｆ結合を形成する。

【００１５】Ｆ原子は、Ｓｉ原子に比べて電気陰性度が
大きいために、結合したＦイオンによる分極誘導が生
じ、表面のＳｉ−Ｈ結合を別のＦ^- イオンが攻撃してさ
らにＳｉ−Ｆ結合を形成する。これによりＨ₂ 分子が発
生すると同時に、陽極電極内に電子１個を注入する。Ｓ
ｉ−Ｆ結合によって生じる分極のためバックボンド（ｂ
ａｃｋｂｏｎｄｓ）の電子密度が低下し、Ｓｉ−Ｓｉ結
合が弱くなる。

【００１６】この弱い結合（ｗｅａｋｅｎｅｄｂｏｎ
ｄｓ）は、ＨＦあるいはＨ₂ Ｏによって攻撃され、結晶
表面のＳｉ原子はＳｉＦ₄ となって表面から離脱し、表
面は水素や酸素で終端される。Ｓｉ原子の離脱によって
生じた結晶表面の窪みは、正孔を優先的に引き寄せる電
場の分布を生じ、表面異質性が拡大して電界方向に細孔
が形成される。

【００１７】このような細孔の優先的な形成は、Ｐ型シ
リコン基板において特有な現象ではなく、正孔が小数担
体となる縮退したｎ型シリコン基板においても生じる。
この場合、光の照射による電子−正孔対の生成が正孔の
供給源となる。

【００１８】一方、陽極側電解質溶液６ｂにおいて化成
するＦ^- イオンは、陽極側白金電極３ｂに引き寄せられ
るために、前記結晶シリコン基板１の陽極側表面には供
給されない。このため、陽極側電解質６ｂは液体電極と
してのみ作用し、細孔の形成は、結晶シリコン基板の陰
極側表面側からのみ進行する。

【００１９】また、Ｐ型シリコン基板を使用する場合、
液体電極としての陽極側電解質溶液６ｂとの間でショッ
トキー障壁が生ずるため、その陽極側表面をＰ⁺ 化して
オーミックコンタクトをとる必要があるとする説もあ
る。

【００２０】また一般に、前記電解質溶液にはアルコー
ルが混合されて使用される場合が多い。これは、反応に
より発生した水素ガスが、表面に付着してフッ化水素酸
の表面への供給を妨げて反応を阻害することを防ぐよう
に作用する。

【００２１】このようにして形成された多孔質シリコン
の細孔の直径は、透過型電子顕微鏡による観察による
と、多孔質化率（Ｐｏｒｏｓｉｔｙ）が２０〜８０％の
時、１〜１００ｎｍ（ナノメートル）程度であり、内面
積は実に〜２００ｍ² ／ｃｍ³（平方メートル／立方セ
ンチメートル）にも達する。また、その密度は単結晶シ
リコンの２．３３ｇ／ｃｍ³ （グラム／立方センチメー
トル）に比べて１．１〜０．６ｇ／ｃｍ³ の範囲に変化
させることができる。

【００２２】一般に、単結晶シリコンを酸化するとその
体積は２．２倍に増加するが、多孔質シリコンでは密度
制御を行うことで酸化による体積変化を小さくすること
ができる。その結晶性は二結晶Ｘ線回折法による測定か
ら（４００）回折面から求めた垂直方向の格子定数の変
化量は１０^-3のオーダで増減するが、（３１１）回折面
から求めた平行な方向の変化量は、検出限界以下（＜１
０^-4）でほとんどないことが分かっており、Ｘ線回折強
度曲線からは多孔質シリコン層のシリコン格子が高度に
配列されていることが明らかになっている。

【００２３】このような多孔質シリコン特有の構造が、
単結晶シリコンに比べて極端に早いエッチング速度や、
酸化速度を有することや、結晶性を損なうことがないこ
とから、多孔質シリコン上のエピタキシャル成長が可能
であること、更には縮退、非縮退、導電タイプの違いに
よる多孔質化の選択性等の特徴を生じさせている。

【００２４】

【発明が解決しようとしている課題】近年、ＦＩＰＯＳ
構造や結晶シリコン基板の他のＳＯＩ形成技術の急速な
進展に伴って多孔質シリコンの多量処理が切望されるよ
うになった。

【００２５】一般に結晶シリコン基板の多孔質化処理に
要する時間は、例えばＦＩＰＯＳ構造の場合のように
０．０１ｍｍ程度の多孔質層を形成する場合であれば、
約７分間程度で完了する。そこで、従来は図４に示した
ような陽極化成装置と同様な構造で、基板の装着や多孔
質シリコンの形成、搬送、水洗、乾燥、等を自動化する
ことで多量処理を行っていた。

【００２６】ところが、厚い多孔質層を形成する場合、
例えば、直径４インチ、厚さ０．４ｍｍのＰ型単結晶シ
リコン基板の全てを多孔質化処理する場合には、約４．
５時間もの長時間を要し、従来の構造のまま自動化する
のみでは処理能力は殆ど向上しないという問題があっ
た。

【００２７】そのため、多孔質化処理時間そのものの短
縮が必要となった。ところが、多孔質シリコン層の構造
は、その形成条件に大きく依存し、ＨＦ混合水溶液の濃
度や化成電流の密度、及びその反応時の温度、反応電流
の電界分布、被処理基板の不純物密度、さらには化成速
度が最適化されることが必要であり、単に化成速度のみ
を高速化することは好ましくないという問題があった。

【００２８】また、陽極化成装置において、被処理基板
面内の化成電流の電界の分布を均一にするために、電極
の面積はこれと対向する被処理基板の面積と等しくする
ことが好ましい。

【００２９】ところが、従来の陽極化成装置のように白
金電極間に基板を配置する構造で、複数枚の結晶シリコ
ン基板を同時に多孔質化処理しようとした場合には、実
質的に被処理基板１の面積が増えるため、白金電極の３
ａ及び３ｂの面積もこれに比例して大きくなるという問
題がある。

【００３０】しかも、化成槽２ａ及び２ｂが大型化し、
ＨＦ混合水溶液のような強酸を電解質溶液として使用す
る化成装置においては、気密不良によるＨＦ混合水溶液
の漏洩の危険性を伴い、多孔質シリコンを安全に製造す
る上で問題があった。

【００３１】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するための手段として、電解質溶液中に被処理基板と
電極とを配置し、電圧を印加することにより陽極化成反
応を行う陽極化成装置において、第１，第２，第３の電
極を有し、各対を構成する該電極間の前記電解質溶液中
に、前記被処理基板を配置するように構成され、前記電
解質溶液は、フッ化水素酸を含む導電性を有するシリコ
ン溶解性溶液であることを特徴とする陽極化成装置を有
する。また、電解質溶液中に被処理基板と電極とを配置
し、電圧を印加することにより陽極化成反応を行う陽極
化成方法において、第１，第２，第３の電極を有し、各
対を構成する該電極間の前記電解質溶液中に、前記被処
理基板を配置し、前記電解質溶液に、フッ化水素酸を含
む導電性を有するシリコン溶解性溶液を用いて陽極化成
を行うことを特徴とする陽極化成方法でもある。

【００３２】また、前記対を成す電極の一つが、他の対
の電極を兼ねることを特徴とし、更にまた、電極の電気
的極性を交互に反転することにより、化成反応電流の向
きを反転させる手段を有するものである。

【００３３】またその好ましい実施態様として、被処理
基板としては、低抵抗の結晶シリコン基板を使用し、前
記陽極化成反応が該結晶シリコン基板の多孔質化反応で
あり、また前記結晶シリコン基板が縮退した単結晶シリ
コン、さらに好ましくは縮退したＰ型単結晶シリコンと
する。

【００３４】更に、前記電解質溶液としては、導電性を
有するシリコン溶解性溶液、好ましくは純水で希釈され
たフッ化水素酸及びアルコールから成るフッ化水素酸混
合液を使用し、また前記電極としては、前記シリコン溶
解性溶液に対して耐蝕性を有する金属材料、好ましくは
白金を使用するものである。

【００３５】

【作用】本発明によれば、電解質溶液中に複数の電極対
を配置し、それらの電極対の間に被処理基板を設置する
ことにより、複数の基板を同時に処理することができ
る。

【００３６】また、対を成す電極の一つが、他の対の電
極を兼ねることにより、少ない電極数で多くの被処理基
板を設置することができる。

【００３７】また、被処理基板を電極に設置することに
より、特別な基板支持手段を設ける必要がなく、装置を
簡単な構造にすることができる。また、本発明によれ
ば、白金電極に印加する直流電圧の極性をその化成反応
中を通して固定した場合には、前記複数枚の結晶シリコ
ン基板の陰極側表面からのみ細孔の形成を行うことがで
きる。

【００３８】一方、多孔質化処理途中において白金電極
に印加する直流電圧の極性を反転させることにより、結
晶シリコン基板の両面に形成されるショットキー障壁の
高さを逆転させることができ、結晶シリコン基板内の電
界の向きを反転させることができる。

【００３９】これにより、結晶シリコン基板の全域にわ
たって多孔質化処理を行う場合に、結晶シリコン基板は
固定したままで複数枚の結晶シリコン基板の裏面からも
一括して多孔質化処理を行うことが可能である。

【００４０】この場合、本発明の陽極化成装置において
は、前記結晶シリコン基板の電解質溶液中での保持方法
を統一し、その陽極側及び陰極側構造が対称形状である
ことが好ましい。

【００４１】このように、電解質溶液には、外部電源に
より白金電極を介して直流電力が印加され、縮退したＰ
型結晶シリコン基板には、印加された電界により電解質
溶液及び結晶シリコン基板を介して化成電流が流れる。
白金電極の面積は、使用する結晶シリコン基板とほぼ同
じ大きさでよい。

【００４２】このとき形成される電気力線は、基板の厚
み方向に向かってほぼ基板を一直線に横切る。即ち、Ｆ
^- イオンの優先的な誘引により細孔もほぼ厚み方向に陰
極側から陽極側に向かって優先的に形成される。

【００４３】また、前記化成反応電流の電界の向きを交
互に反転させることにより、細孔の形成を前記結晶シリ
コン基板の両面から交互に進行させることができる。

【００４４】

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について図面
を用いて説明する。

【００４５】（実施例１）図１は、２枚の結晶シリコン
基板を同時に一括して多孔質化処理する為の本発明の実
施例装置Ｉの断面概略図を示す。本実施例は、２対の電
極対を構成する３枚の電極により、その電極に取り付け
られた２枚の被処理基板を処理する構成となっている。

【００４６】図中、１ａ，１ｂは被処理基板としての結
晶シリコン基板、２は四フッ化エチレン樹脂（商品名：
テフロン）製の化成槽、３ａ〜３ｃは外部直流電源によ
り負及び正に電圧を印加した白金電極、４は電極支持手
段としての四フッ化エチレン樹脂（商品名：テフロン）
製の電極支持部材、５は電極上に被処理基板を取り付け
るための基板支持手段、６ａ〜６ｄは、フッ酸混合液か
らなる電解質溶液である。

【００４７】結晶シリコン基板１ａ，１ｂとしては、ボ
ロン（Ｂ）をドープして抵抗率が０．０１〜０．０２Ω
ｃｍとしたＣＺ（チョクラルスキー）法で作製した直径
４インチ、厚さ０．４ｍｍの同一形状の（１００）面Ｐ
型結晶シリコンウェーハを使用する。

【００４８】電極支持部材４は、電極３ａ〜３ｃを装着
して固定支持する。

【００４９】電極３ａ〜３ｃとしては、白金電極板を用
い、図に示されるような弾力性を有する基板支持部材５
を設置し、その弾性により基板を押圧して保持するよう
にした。このような本実施例の基板支持手段によれば、
処理終了後に容易に取り外すことができるという利点も
得られる。

【００５０】この基板支持部材としては、四フッ化エチ
レン樹脂（商品名：テフロン）を用い、弾力性を有する
ように、接着剤またはネジ等により電極に取り付けた。

【００５１】また、基板支持手段としては、本実施例の
構造に限ることはなく、例えば電解質溶液に耐性のある
金具等で基板周囲を電極面方向に押圧して固定しても良
く、また、電極そのものに基板とほぼ同一寸法の凹部を
形成して、そこに基板をはめ込む構造としても良い。

【００５２】次に、該化成槽２を４８ｗｔ．％（重量パ
ーセント）の純水希釈フッ化水素酸、純水、アルコール
をそれぞれ１：１：１の割合で混合してフッ化水素酸混
合液とした電解質溶液で満たした。該フッ化水素酸混合
液の抵抗率は２３．６Ωｃｍである。

【００５３】次に、白金電極３ａ〜３ｃにそれぞれ直流
定電流電源（図示せず）から１３ｍＡ／ｃｍ² の電流密
度で電流を流した。この時、要した印加電圧は１１．５
Ｖであった。

【００５４】また電極３ａ〜３ｃは３ａと３ｂ，及び３
ａと３ｃとで２対の電極対を成している。

【００５５】電流を流すと同時に化成反応が始まり、結
晶シリコン基板１ａ〜１ｂの陽極電極３ｂ側表面から陰
極３ａ，３ｃ側表面に向かって細孔の形成が進行する。

【００５６】約７分間で、厚み１０μｍの多孔質シリコ
ン層が形成される。作製した多孔質シリコンの多孔質化
率：Ｐ（Ｐｏｒｏｓｉｔｙ）は５５％であった。

【００５７】ここで、多孔質化率：Ｐの算出には以下の
式を用いた。

【００５８】ここで、２．３３（ｇ／ｃｍ³ ）はＰ型結晶シリコン基
板の密度である。

【００５９】図３は、上記条件での多孔質化処理途中の
結晶シリコン基板の光学顕微鏡による断面観察図であ
り、多孔質化処理層は陰極側表面から均一な厚さで形成
されており、しかも陰極側表面からの細孔の形成は皆無
であった。

【００６０】また、同時に多孔質処理を行った２枚の結
晶シリコン基板の多孔質シリコン層の厚みの基板間の差
は１０％未満であり、１枚ずつ処理を行った場合に比べ
て良好であった。

【００６１】（実施例２）次に、本発明の実施例２とし
て、図１に示した本発明の実施例装置の白金電極３ａ〜
３ｃに印加する直流電圧の極性を交互に反転させて、被
処理基板としての複数枚の結晶シリコン基板１ａ〜１ｄ
の両面から多孔質シリコン層の形成を行った。

【００６２】ここでは、印加電圧の極性を交互に反転す
る手段として、直流定電流電源としてコンピュータ制御
による極性反転可能なバイポーラ電源（図示せず）を使
用した。

【００６３】また結晶シリコン基板１ａ〜１ｄの枚数は
４枚とし、厚さ０．４ｍｍの縮退したＰ型結晶シリコン
基板を用いた。またその配置は、各電極３ａ〜３ｃに実
施例１と同様の方法で設置した。

【００６４】また電解質溶液も実施例１と同様とした。

【００６５】本実施例２においては、先ず白金電極３
ａ，３ｃを陰極にし、白金電極３ｂを陽極にして２時間
化成し、次に極性を入れ換えて白金電極３ａ，３ｃを陽
極にし、白金電極３ｂを陰極にして同じく２時間の化成
を行った。更に、極性を反転させ１時間ずつ交互に化成
を行い、結晶シリコン基板全体の多孔質化処理を完了し
た。

【００６６】処理後、４枚の結晶シリコン基板の全てが
その厚み全体にわたって多孔質化しており、単結晶層の
残存はなかった。

【００６７】尚、上述した実施例の装置においては、処
理する結晶シリコン基板の枚数を４枚としたが、更に多
くの電極対を配置し、該電極に結晶シリコン基板を設置
することにより、さらに多くの枚数の結晶シリコン基板
を処理することができる。

【００６８】また、被処理基板としてＰ型結晶シリコン
基板の多孔質化処理を例にとってその有効性を説明した
が、電解質溶液と被処理基板の仕事関数差によるショッ
トキー障壁をその陽極化成反応において積極的に利用す
れば、被処理基板として、縮退したＮ型結晶シリコン基
板を用いて多孔質化処理をすることもできる。この場合
には、化成中の光照射が有効である。

【００６９】更にまた、トンネル電流が流れる程度の薄
い膜であれば、その表面に絶縁層を有する半導体基板で
あっても同様に処理することができる。

【００７０】また勿論、ショットキー障壁を生じない様
な金属基板の陽極化成処理にも本発明の陽極化成装置を
用いることができることは言うまでもなく、電解質溶液
の種類や混合比率、また処理する基板の種類などを適宜
選択することで、結晶シリコン基板の多孔質化処理だけ
でなく陽極化成反応処理全般に利用することもできる。

【００７１】また前記電極支持手段４は、電気的絶縁
性、及び耐酸性、耐アルカリ性、柔軟性、弾力性、気密
性、機械加工性を有するフッ素樹脂及び／又はゴム、プ
ラスチック等でも良い。

【００７２】また前記基板支持手段５も同様に、電気的
絶縁性、及び耐酸性、耐アルカリ性、柔軟性、弾力性、
気密性、機械加工性を有するフッ素樹脂及び／又はゴ
ム、プラスチック等でも良い。

【００７３】また、前記電解質溶液としては、導電性を
有するシリコン溶解性溶液でも良い。

【００７４】また前記電極としては、前記シリコン溶解
性溶液に対して耐蝕性を有する金属材料であれば良い。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
厚い多孔質層を形成する場合でも、複数枚の被処理基板
を同時に処理可能なため、単に化成速度を高速化するこ
とによる弊害なく、処理能力を向上させることができ
る。

【００７６】また電極の面積を大きくすることがないた
め、化成槽の大型化による気密不良から生じる電解液の
漏洩の危険性が無く、多孔質シリコンを安全に製造する
ことができる。

【００７７】すなわち、本発明によれば、電解質溶液中
の電極間に複数枚の被処理基板を配置したという単純な
構造で、同時に一括して大量の結晶シリコン基板を短時
間に多孔質化処理することができる。

【００７８】また、印加する電圧の極性を交互に反転す
ることにより、同様の構造で複数枚の結晶シリコン基板
を両面から交互に多孔質化処理することができ、基板全
域の多孔質化処理を短時間で同時に一括して大量に製造
することができる。

【００７９】これにより、多孔質化処理した結晶シリコ
ン基板を短時間に大量に、且つ低コストで生産すること
ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の陽極化成装置の実施例１の断面概略
図。

【図２】本発明の陽極化成装置の実施例２の断面概略
図。

【図３】本発明の陽極化成装置を使用して多孔質化処理
を行った結晶シリコン基板の光学顕微鏡による断面観察
写真。

【図４】従来の陽極化成装置の断面概略図。

【符号の説明】

１ａ〜１ｄ結晶シリコン基板２化成槽３ａ〜３ｃ白金電極４電極支持部材５基板支持部材６ａ〜６ｄ電解質溶液７Ｏリング

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電解質溶液中に被処理基板と電極とを配
置し、電圧を印加することにより陽極化成反応を行う陽
極化成装置において、第１，第２，第３の電極を有し、各対を構成する該電極
間の前記電解質溶液中に、前記被処理基板を配置するよ
うに構成され、前記電解質溶液は、フッ化水素酸を含む導電性を有する
シリコン溶解性溶液であることを特徴とする陽極化成装
置。
【請求項２】前記電解質溶液が、アルコールを含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の陽極化成装置。
【請求項３】前記対を成す電極の１つが、他の対の電
極を兼ねることを特徴とする請求項１または２に記載の
陽極化成装置。
【請求項４】前記被処理基板が、前記電極が有する基
板支持手段により該電極に取り付けられていることを特
徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の陽極化成
装置。
【請求項５】前記電極が、シリコン溶解性溶液に対し
て耐蝕性を有する金属材料、又は白金から成ることを特
徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の陽極化成
装置。
【請求項６】電解質溶液中に被処理基板と電極とを配
置し、電圧を印加することにより陽極化成反応を行う陽
極化成装置において、第１，第２，第３の電極を有し、各対を構成する該電極
間の前記電解質溶液中に、前記被処理基板を配置するよ
うに構成され、前記電極に印加する電圧の電気的極性を交互に反転さ
せ、化成反応電流の向きを反転させる手段を有すること
を特徴とする陽極化成装置。
【請求項７】前記被処理基板は、低抵抗の結晶シリコ
ン基板であり、前記陽極化成反応が、該結晶シリコン基板の多孔質化反
応であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項
に記載の陽極化成装置。
【請求項８】前記結晶シリコン基板は、縮退した単結
晶シリコンから成ることを特徴とする請求項７に記載の
陽極化成装置。
【請求項９】電解質溶液中に被処理基板と電極とを配
置し、電圧を印加することにより陽極化成反応を行う陽
極化成方法において、第１，第２，第３の電極を有し、各対を構成する該電極
間の前記電解質溶液中に、前記被処理基板を配置し、前記電解質溶液に、フッ化水素酸を含む導電性を有する
シリコン溶解性溶液を用いて陽極化成を行うことを特徴
とする陽極化成方法。
【請求項１０】前記電解質溶液が、アルコールを含む
ことを特徴とする請求項９に記載の陽極化成方法。
【請求項１１】前記対を成す電極の１つが、他の対の
電極を兼ねることを特徴とする請求項９または１０に記
載の陽極化成方法。
【請求項１２】前記被処理基板が、前記電極が有する
基板支持手段により該電極に取り付けられていることを
特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の陽極
化成方法。
【請求項１３】前記電極が、シリコン溶解性溶液に対
して耐蝕性を有する金属材料、又は白金から成ることを
特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の陽極
化成方法。
【請求項１４】電解質溶液中に被処理基板と電極とを
配置し、電圧を印加することにより陽極化成反応を行う
陽極化成方法において、第１，第２，第３の電極を有し、各対を構成する該電極
間の前記電解質溶液中に、前記被処理基板を配置し、前記電極に印加する電圧の電気的極性を交互に反転さ
せ、化成反応電流の向きを反転させることを特徴とする
陽極化成方法。
【請求項１５】前記被処理基板は、低抵抗の結晶シリ
コン基板であり、前記陽極化成反応が、該結晶シリコン基板の多孔質化反
応であることを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１
項に記載の陽極化成方法。
【請求項１６】前記結晶シリコン基板は、縮退した単
結晶シリコンから成ることを特徴とする請求項１５に記
載の陽極化成方法。